DE1590251A1 - Mit einer Umhuellung versehene elektrische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Mit einer Umhuellung versehene elektrische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
- Publication number
- DE1590251A1 DE1590251A1 DE19661590251 DE1590251A DE1590251A1 DE 1590251 A1 DE1590251 A1 DE 1590251A1 DE 19661590251 DE19661590251 DE 19661590251 DE 1590251 A DE1590251 A DE 1590251A DE 1590251 A1 DE1590251 A1 DE 1590251A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- vitreous material
- sio
- total amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
- C03C3/0745—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc containing more than 50% lead oxide, by weight
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
Mit einer Umhüllung versehene elektrische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Umhüllung für eine elektrische Vorrichtung und auf ein Verfahren zu ihrer
Herstellung, und richtet sich insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung einer hermetischen Abdichtung um
einen dünnen Filmmikrokreis ohne schädliche Beeinträchti·-
gung der Kreisbestandteile, ist jedoch auf diese Anwendungen, nicht beschränkt.
Elektrische oder elektronische Vorrichtungen, wie integrierte Kreise, Transistoren, Dioden, Halbleiter und dgl·,
009820/1429
werden gewöhnlich in einem flachen Paket eingeschlossen,
bei dem es sich um einen Behälter oder eine Umhüllung mit einem Hauptteil aus elektrisch isolierendem Material handelt.
Dieser Hauptteil wird mit einer verhältnismäßig großen ebenen Bodenwandung ausgebildet, die von einem Rand umgeben ist,
so daß ein Hohlraum entsteht, in dem die elektrische Vorrichtung eingesetzt wird. Aus dem Hohlraum erstrecken sich
zur Außenseite dieses Hauptteiles Anschlußleitungen oder dgl· Die elektrische Vorrichtung ist an diese Leitungen innerhalb
des Hohlraumes angeschlossen und durch eine starre Abdeckplatte abgedeckt, die sich über den Hohlraum legt
und mit dem Rand verschmolzen oder abgedichtet ist.
Solche Vorrichtungen werden auch gewöhnlich in "Dosen" abgedichtet,
indem man sie zuerst auf einer Platte montiert, durch die Leitungen hindurchgehen, und anschließend mit
einem metallischen schalenartigen auf der Platte befestigten oder verschmolzenen oder in anderer V/eise abgedichteten
Glied umschließt, indem man beispielsweise diese "Dose" um die Plattenkanten umbördelt, dort verklebt, verlötet
oder in ähnlicher Weise fixiert.
Die bekannten Verfahren zum Einschließen elektrischer Vorrichtungen
umfaßten Abdichtungstemperaturen und Arbeltszyklen,
die nachteilig die Vorrichtungen beeinflußen, so daß eich ihre elektrischen Merkmale und Eigenschaften änderten.
- 3 -BAD ORIGINAL
009820/U2Ö
Darüber hinaus waren diese Verfahren sehr teuer wegen
der erforderlichen Vielzahl von Teilen und der für den Zusammenbau und die Abdichtung notwendigen Zeit. Es gab
keine Pernhaltung von Wärme von der Vorrichtung während der Abdichtung oder keine ausreichende Wärmeabfuhr· Die bekannten
Verfahren führten darüber hinaus nicht notwendigerweise zur hermetisch abgedichteten Umhüllung und hatten grobe
und blockige Gehäuse zur Folge·
Hufgäbe der Erfindung ist die Schaffung einer hermetischen
üinschließung, einer elektriscnen Vorrichtung sowie ein
Verfahren tau* Herstellung derselben unter Vermeidung der oben angegebenen Nachteile.
Weiter erstrebt die Erfindung ein wirtschaftliches Verfahren
zum hermetischen Einschließen elektrischer Vorrichtungen ohne nachteilige Beeinflußung ihrer elektrischen Merkmale
oder Eigenschaften·
Die Erfindung will ferner eine wirkungsvolle Vorrichtung zur Wärmeabfuhr von einer elektrischen Vorrichtung während
ihrer einkapselung schaffen·
Di? hermetisch abgedichteten Einschließungen gemäß der Erfindung
sollen ferner geringe GröSe aufweisen und wirtschaftlich
und leicht herstellbar sein·
BAD ORIGINAL -•009820/1428
Schließlich ist Aufgabe der Erfindung die Schaffung einer kleinen, wirtschaftlich und hermetisch abgedichteten elektro- ·
nischen Vorrichtung. Im weitesten Umfang kann gemäß der Erfindung eine Umhüllung dadurch hergestellt werden, daß man
sich einen Träger und eine Schicht aus einem biegsamen Material vorlegt, auf die eine Oberfläche der Schicht einen
anhaftenden Film aus glasigem Material mit einem Wärmeaustausch-
koeffizienten, der mit demjenigen des Trägers verträglich ist, und einer Erweitungstemperatur unterhalb der Schmelztemperatur
des Träger- und Schichtmaterials aufbringt, eine Anordnung herstellt, indem man die Filmoberfläche der Schicht in der
Nahe des Trägers aufsetzt, ein Werkzeug mit einem, einen Hohlraum in einem Werkzeugende definierenden Rand vornimmt und
die Schicht mit dem Träger dadurch abdichtet, daß man den Werkzeugrand im wesentlichen auf den Umfang der Schicht legt,
das Handende des Werkzeuges erhitzt und Druck auf die Anordnung mit Hilfe des Werkzeuges aufbringt, wodurch der Film
schmilzt und mit dem Träger im wesentlichen um den Umfang der Schicht abgedichtet wird.
Weitere Aufgabenmerkmale und VorteHe der vorliegenden Erfindung
ergeben sich für den Fachmann aus der folgenden Uinzelbeschreibung
anhand der Zeichnungen, die lediglich bevoiaigte Ausführungsformen der Erfindung darstellen·
Die Zeichnungen zeigen in
- 5 -BAD
009820/1428
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen dünnen Filmmikrokreis;
Fig. 2 eine Seitenansicht einer Schicht aus biegsamem Material mit einem darauf aufgebrachten glasigen Überzug j
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine» Mikrokreisanordnung mit
einer biegsamen überzogenen Schicht;
Fig. h eine Seitenansicht einer Vorrichtung zur Wiedergabe
des Verfahrens zur Einkapselung einer Mikrokreiseinheit gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 eine Draufsicht auf eine gemäß der vorliegenden Erfindung
eingekapselte Vorrichtung; und in
Fig. 6 einen Teilquerschnitt durch eine andere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung·
Aus Gründen der Vereinfachung soll die Erfindung anhand der Verkapselung eines dünnen filmartigen Mikrokreises erörtert
werden, obwohl selbstverständlich auch andere Vorrichtungen» wie Transistoren» Halbleiter, andere Filmkreise
und dergleichen, in ähnlicher Weise hermetische eingekapselt werden können.
In Fig. 1 ist ein dünner Filmmikrokreis 10 mit den Kontaktplatten
12, l·+, 16, 18 und 2Ü,don Widerständen 22 und 2k uftd
BAQ 009820/142·
den Kondensatoren 26 und 28 auf einem Träger 30 wiedergegeben,
mit dem ein Kreistransistorteil 32 verbunden ist.
Die Kreiselemente und die Anschlüsse werden nach irgendeinem bekannten Verfahren hergestellt oder befestigt, das nicht
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist. Die Trägermaterialien können ein geeignetes dielektrisches Material, beispielsweise
Keramiken, wie Aluminiumoxyd und Berylliumoxyd, glasiertes Metall, glasierte Keramik, Glas-Keramik oder Kombinationen
davon sein.
Eine dünne biegsame Schicht 31+ mit einem anhaftenden Überzug
36 aus Glasurmaterial läßt sich aus Fig. 2 entnehmen.
Ein besonders geeignetes Material für die Schicht 3^ ist
Aluminium, jedoch können auch andere Materialien, wie Kupfer, Nickel-Eisen, rostfnier Stahl oder dgl., zur Anwendung
kommen. Das glasige Glasurmaterial muß einen »-/ärmeausdehnungskoeffizienten
aufweisen, der mit demjenigen des Trägermaterials verträglich ist, d.h. genügend nahe an demjenigen
des Trägermaterials liegen, so daß beim Abdichten der überzogenen Schicht mit dem Träger keinerlei übermäßigen
Kräfte innerhalb des Glasurmaterials beim Kühlen auftreten. Diese übermäßigen Kräfte würden zu einem Brechen oder Verwerfen
des Glasurmaterials führen, wodurch eine hermetische Abdichtung unmöglich wäre. Außerdem muß dieses Glasurmaterial
gut sowohl an der biegsamen Schicht als auch am Träger haften
BAD ORIGINAL" 009820/U28
und einen hohen Widerstandswert sowie eine geringe Dielektrizitätskonstante
aufweisen.
Beispiel für geeignete Glasur- oder Glasierungsniaterialzusammensetzungen
sind beispielsweise in der parallellaufenden USA-Patentanmeldung S.N. !+01 221 vom 2. Oktober
aufgeführt·-Diese Zusammensetzungen enthalten enthalten
in Gewichtsprozent auf Oxydbasis von ca. 6ü - 80 % pPbO,
aufgeführt·-Diese Zusammensetzungen enthalten enthalten
in Gewichtsprozent auf Oxydbasis von ca. 6ü - 80 % pPbO,
von 5 - 18 % TiO2. wenigstens 1 % ^2°λ un(^ weni2stens
5 & SiU2I wobei die Gesamtmenge an B2O-* und SiO2 zwischen 10 und 20 % liegt. Diese Zusammensetzungen können außerdem noch wahlweise von Spuren bis 20 % wenigstens eines zweiwertigen Metalloxydes aus der Gruppe BaO und ZnO enthalten, wobei die Gesamtmenge an zweiwertigen Metalloxyden einschließlich PbO zwischen 60 und 80 % liegt· Für die vorliegenden Zwecke besonders geeignete Zusammensetzungen sind solche, die von ca. 10 % - 13 £ TiO0 enthalten.
5 & SiU2I wobei die Gesamtmenge an B2O-* und SiO2 zwischen 10 und 20 % liegt. Diese Zusammensetzungen können außerdem noch wahlweise von Spuren bis 20 % wenigstens eines zweiwertigen Metalloxydes aus der Gruppe BaO und ZnO enthalten, wobei die Gesamtmenge an zweiwertigen Metalloxyden einschließlich PbO zwischen 60 und 80 % liegt· Für die vorliegenden Zwecke besonders geeignete Zusammensetzungen sind solche, die von ca. 10 % - 13 £ TiO0 enthalten.
C-
Nach Fig. 3 wird der Mikrokreis 10 mit der überzogenen dünnen
biegsamen Schicht 3M se zusammengestellt, daß Teile der Kontaktplatten
über die Kanten der Schicht aus später noch
näher zu erörterten Gründen vorstehen.
näher zu erörterten Gründen vorstehen.
5in Abstandshalter 38 wird zwischen dem Amboß oder Träger
ho und der: Induktionsheizung h2 eingesetzt, wie man aus
Fig. h erkennt. Eine im Zusammenhang mit Fig. 3 beschriebene Anordnung wird dann auf den Abstandshalter 38 innerhalb
Fig. h erkennt. Eine im Zusammenhang mit Fig. 3 beschriebene Anordnung wird dann auf den Abstandshalter 38 innerhalb
BAD
009820/U28
des Hohlraums Mt des Induktionsheizringes k2 so aufgesetzt,
daß der Träger ^30 mit dem Abstandshalter in Berührung
steht. Ein Ende des Werkzeuges k8 wird in Berührung
mit der Schicht 31+ derart gebracht, daß der den Hdiraum 52
umgrenzende Rand $0 im wesentlichen auf dem Umfang der
Schicht 31+ sitzt· Das Werkzeug 48 besteht aus einem Material,
das gut induktive Energie leitet. Geeignete Materialien sind rostfreier Stahl oder dgl., und der Fachmann ist jederzeit
in der Lage, ein geeignetes material auszuwählen. Nach Aufbringen von Kraft auf die Aiordnung durch das Werkzeug 48
längs dessen Längsachse in Richtung des wiedergegebenen Pfeiles wird das Randende des Werkzeuges in geeigneter Weise erhitzt,
so daß der aus glasigem Material bestehende überzug 36 mit dem Träger 30 und den verschiedenen Kontaktplatten
verschmilzt, wodurch der auf dem Träger sitzende Kreis hermetisch umschlossen wird. Das Werkzeug 48 wird durch
die Induktionsspule 42 erhitzt, sobald die Leitungen 54
an eine geeignete ,uelle elektrischer Energie angeschlossen
sind. Durch Anwendung von Induktionserhitzung wird die Hitze im Werkzeug konzentriert, während die Anordnung selbst
verhältnismäßig kühl gehalten werden kann. Durch Ausbildung der Anordnung aus Materialien, wie schlechte Leiter für
induktive Energie, sind, beispielsweise den oben beschriebenen Materialien, wird die Temperatur der Anordnung nicht wesentlich
gesteigert, sobald das Werkzeug erhitzt wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Abdichtung erforderliche
Wärme im Werkzeug konzentriert und auf die Anordnung längs
009820/U28 BAD ORIG IN
des Umfanges der Schicht 31+ dort konzentriert» wo der Rand
50 mit der Schicht in Berührung steht, so daß die Wärme im wesentlichen von der umschlossenen Mikrokreisvorrichtung ferngehalten
wird. Durch Aufrechterhaltung nur eines dünnen
Randes am Abdichtende des Werkzeuges '+δ kann fenner die
Wärme konzentriert werden, während das Werkzeugende sich leicht durch die Induktionsspule erhitzen läßt, wodurch die
Zeit, während der die Wärme auf die umkapselte Vorrichtung übertragen werden könnte, auf einem Minimum gehalten wird.
Fig. 5 zeigt ea.ne vollständige Vorrichtung 56. Die Kontaktplatten
12, lk% 16, l8 und 20 erstrecken sich über die
Kanten der Schicht 31U so daß man einen Kontakt mit den
verschiedenen umkapselten Kreisbauelementen herstellen kann. Die Schicht 31+ ist hermetisch mit dem Träger 1K) um den Umfang
der Schicht abgedichtet.
Fig. 6 zeigt eine andere AusfUhrungsform der Erfindung.
Das sonst dem oben beschriebenen Werkzeug ähnliche Werkzeug 58 ist so konstruiert, daß der den Hohlraum 62 umgebende
Rand 60 zwei im Abstand befindliche koaxiale Abdichtglieder 6k und 66 aufweist, die durch einen, im Abdichtende ausgebildeten
Kanal 68 getrennt sind. Wenn Druck durch das erhitzte Werkzeug 58 auf die Schicht.31+ aufgebracht wird, wird
diese mit dem Träger 30 über den glasigen Überzug 36 in zwei
dünnen parallelen Abdichtsäumen abgedichtet. Bei einer sol* chen Ausführungsform können die Glieder 6h und 66 sehr dünn
- 10 -
009820/1428
- ίο -
ausgebildet sein, was höhere Abdichtdrücke und niedriger Abdichttemperatüren ermöglicht. Darüber hinaus vergrößert
die doppelte Abdichtung die Betriebssicherheit.
Ein typisches Beispiel gemäß der Erfindung soll im folgenden wiedergegeben werden'.
Glasige Glasurmaterial mit einer Dicke vcn ca. 0,125 nun
(O1OO? Zoll) und bestehend in Gewichtsprozent aus ca.
68 % PbO, 12 % TiO2, 8 % SiG2, 5 % ZnO und 7 % B3C3 wird
haftend auf eine flache Oberfläche einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von ca. 0,075 nur. (*·-»·0C3 Zeil) aufgebracht.
Datf Glasurmaterial wurde aufgebracht durch Herstellung einer Schicht aus einerMaterialrütte auf der Schicht und
anschließendes ^rennen der Zusammensetzung in einem Ofen
bei 62O0C für 20 Minuten. Dann wurde ein elektronischer
Mikrokreis mit einem Netzwerk aus Metalloxydfilmwiderständen mit dazwischenliegenden Kupferleitern und Kontaktplatten
auf einen glasierten Aluminiumoxydträger aufgebracht.
Ein aus restfreiem Stahl bestehendes'//erkzeu£ mit einem
dünnwandigen Rand, der einen Hohlraum an einem Werkzeugende definiert, wurde verwendet. Der Rand entsprach im wesentlichen
in Form und Größe der Aluminiumschicht und hatte eine Dicke von ca. 0,5 mm (0,020 Zoll). Rostfreier Stahl
ist ein guter Leiter und läßt sich leicht durch induktive Energie erhitzen· .
009820/ 142· BAD
Die Mi'crokreisvorrichtung wurde auf einen Abstandshalter
innerhalb des Hohlraumes einer starr unterstützten Induktionsspule aufgesetzt. Das Werkzeug wurde in Berührung
mit der Aluminiumschicht an deren Rand gebracht und dann induktiv auf eine Temperatur von ca. 500° - 55O0C erhitzt.
Es wurde ein Druck von ca. 2 atü (285 PSi) durch das Werkzeug auf den Abdichtbereich für ca. 2 Minuten mit Hilfe
einer mit dem Werkzeug verbundenen Presse aufgebracht.
Der sich ergebende eingekapselte elektronische Kreis stellte sich als hermetisch abgedichtet heraus, während die elektri-
^ANSSV "tlVt£tt-SCtl8£ten und Gtiaralcterl-stlKen.Qer eieirtriicnen
Bauteile nicht wesentlich geändert waren.
,in. andere, Beispiel ist eineMordnung. bei der der Trager
aus BTrUi-ox* bestand und eine C.125 » ».005 Zoll)
starte Glasmaterial*^« auf eine O.u75 - (0.003 ZOLL)
dielre Kupferschicht ausbracht war.
Andere Beispiele besonders geeigneter Kombinationen von Materialien-sind eine AluminiuMÜberzugsschicht »it einem
IrSger aus unglasiertem Aluminiumoxyd. Berylliumoxyd oder
Glas-Keramilc; oder eine Kupferüberzugsschicht mit einem
Träger aus Glas-Kerami* oder glasiertem oder nichtglasiertem
Aluminiumoxyd.
Hach der Beschreibung wird das Abdichtwerkzeug durch
009820/U28
eine Induktionsspule erhitzt,, es kann jedoch auch in
anderer Weise erhitzt werden, beispielsweise durch einen Ofon, durch eine Flamme, durch Widerstanderhitzung oder
dgl·, wobei man jedoch darauf achten muß, daß man die elektronische Vorrichtung selbst beim Erhitzen des Werkzeuges
so wenig wie möglich erwärmt.
- Patentansprüche -
- 13 -
009820/1428
Claims (1)
- Patentansprüche:1· Verfahren zum Umschließen einer elektrischen Vorrichtung, gekennzeichnet durch die folgenden Stufen:Vorlage eines flachen dielektrischen Trägers (30) mit einer darauf angeordneten, elektrischen Vorrichtung (12,11I-, 16, 18,2Oj 22,2^J 26,28} 32) }
Vorlage einer dünnen biegsamen Schicht (31Oj Aufbringungen eines haftenden Filmes (36) aus glasigem Material auf eine Oberfläche der Schicht (3^)» wobei das glasige Material (36) einen mit" demjenigen des Trägere (30) aufweist und die Schicht (31O und der Träger (30) aus einem Material bestehen, dessen Schmelztemperatur über der Erweichungstemperatur des glasigen Material (36) liegt} Anordnen der Schicht (31O über der Vorrichtung (1O)1 mit dem Film (36) in der Nähe des Trägers (30)J und Aufbringen von Wärme und Druck auf die Anordnung über die Umfangekante der Schicht (31O zur Verschmelzung des Filmes (36) mit dem Träger (30) und damit zum hermetischen Einschließen der Vorrichtung (10).2« Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die weiteren Stufen der Verwendung.eines Werkzeuge« 0+8 oder J+9) mit einem einen Hohlraum (i>2 eder 62) in einem Ende begrenzenden Rand (50 oder 60), wobei der Randumfang im009820/1421wesentlichen demjenigen der Schicht (31+) entspricht; Anordnen des Randes (50 oder 60) auf dem Umfang der Schicht (31Oj Erhitzen des Randes (50 oder 60); und Aufbringen von Wärme und Druck auf die Anordnung um die Umfangskante der Schicht (31+) mit Hilfe des Werkzeuges 0+8 oder 1+9) zur Verschmelzung des Filmes (36) mit dem !rager (30) und danlt hermetisches Umschließen der Vorrichtung (10).3· Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet» daß der Rand (50 oder 60) durch induktive Energie erhitzt wird.k. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche» dadurch gekennzeichnet, daß die biegsame Schicht (31O aus Aluminium besteht·5» Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (30) aus Aluminiumoxyd besteht.6· Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche» dadurch gekennzeichnet» daß der haftende Film (36) aus glasigem Material besteht» das sich zusammensetzt aus in Gewichtsprozent von 60 - 80 % PbO, von 5 - IS $ wenigstens 1 $ B2O3 und wenigstens 5 % SiO2, wobei die Gesamtmenge- an B5O1 + SiO9 zwischen 10 und 20 % liegt.009820/U287· Verfahren nach Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, daß das glasige Material (36) weiter enthält in Gewichtsprozent von Spuren bis 20 % wenigstens eines zweiwertigen Metalloxydes, aus der Gruppe, bestehend ZnO und BaO, wobei die Gesamtmenge an PbO, ZnO und BaO von 60 - 80 % beträgt.8· Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 5« dadurch gekennzeichnet, daß der haftende Film (36) aus glasigem Material besteht, aus in Gewichtsprozent von 60 PbO, von 10 - 13 % TiO2, wenigsten« 1 % B3O3 und wenigstens 5 % SiO2* wobei die Gesamtnenge an B5Q, und SlO2 von 10 % - 20 % beträgt.9· Verfahren nach den Ansprüchen 2 - 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkzeug (58) einen Rand (60) aufweist, der aus inneren und äußeren im Abstand befindlichen koaxialen Dichtglledern (6**»66) besteht, die einen Hohlraum (62) in einem rferkzeugende definieren, wobei der äußere AbdichtlgliedumfanE im wesentlichen demjenigen der Schicht (3h) entspricht·10. Umhüllung, beitehend aus einem flachen Träger (30)· einer bietsamen Schicht (3**) und einem Film (36) aus glasigem Material» der haftend auf einer Oberfläche der Schicht (3*0 aufgebracht ist, wobei das glasige Material einen mit demjenigen des Trägers (30) verträglichen Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine Brweichungstemperatur aufweist, die009820/1428geringer als die Schmelztemperatur- des Trägers (30) und der Schicht (31O ist, und wobei die Schicht (31+) hermetisch mit dem Träger (30) über den Umfang der Schicht (31+) durch das glasige Material (36) verschmolzen ist.11. Umhüllung nach Anspruch 10, mit einer elektrischen Vorrichtung (10), zwischen dem Träger (30) und der Schicht* (31O.12. Umhüllung nach Anspruch 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß der flache Träger (30) aus Aluminiumoxyd und die biegsame Schicht (3*0 aus Aluminium.13. Umhüllung nach den Ansprüchen 10 - 12, dadurch gekennzeichnet, daß das glasige Material (36) in Gewichtsprozent enthält, von 60 - 80 % PbO, von 5 % - 18 % TiO2, wenigstens 1 % BpO^, wenigstens 5 % SiO2, wobei die Gesamtmenge von + SiO2 von 10 - 20 % beträgt.I1+. Umhüllung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das glasige Material (36) weiter in Gewichtsprozent enthält, von Spuren bis 20 # wenigstens eines zweiwertigen Metalloxydes· aus der Gruppe bestehend aus ZnO und BaO, wobei die Gesamtmenge PbO, ZnO und BaO von 60 % - 80 % beträgt.V)* Umhüllung nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 - 12, dadurch gekennzeichnet, daß das glasige Material (36)BAD ORIGINAL - —^ I7 .009820/U28in Gewichtsprozent enthält von 60 - 8o 5Ö>bO, von 10 - 13 TiO2, wenigstens 1 % B2O^ und wenigstens 5 % SiO2, wobei die Gesamtmenge an B2O-, + SiO2 von 10 - 20 % beträgt·009820/U28
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US478690A US3405441A (en) | 1965-08-10 | 1965-08-10 | Method of enclosing an electrical device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1590251A1 true DE1590251A1 (de) | 1970-05-14 |
Family
ID=23900984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661590251 Pending DE1590251A1 (de) | 1965-08-10 | 1966-08-09 | Mit einer Umhuellung versehene elektrische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3405441A (de) |
CH (1) | CH451274A (de) |
DE (1) | DE1590251A1 (de) |
ES (2) | ES123823Y (de) |
FR (1) | FR1488922A (de) |
GB (1) | GB1160732A (de) |
NL (1) | NL6611257A (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3672034A (en) * | 1970-01-14 | 1972-06-27 | Bell Telephone Labor Inc | Method for bonding a beam-lead device to a substrate |
US4063349A (en) * | 1976-12-02 | 1977-12-20 | Honeywell Information Systems Inc. | Method of protecting micropackages from their environment |
US5268533A (en) * | 1991-05-03 | 1993-12-07 | Hughes Aircraft Company | Pre-stressed laminated lid for electronic circuit package |
US5262927A (en) * | 1992-02-07 | 1993-11-16 | Lsi Logic Corporation | Partially-molded, PCB chip carrier package |
US5434750A (en) * | 1992-02-07 | 1995-07-18 | Lsi Logic Corporation | Partially-molded, PCB chip carrier package for certain non-square die shapes |
US5438477A (en) * | 1993-08-12 | 1995-08-01 | Lsi Logic Corporation | Die-attach technique for flip-chip style mounting of semiconductor dies |
US5508888A (en) * | 1994-05-09 | 1996-04-16 | At&T Global Information Solutions Company | Electronic component lead protector |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3105868A (en) * | 1960-12-29 | 1963-10-01 | Sylvania Electric Prod | Circuit packaging module |
US3187240A (en) * | 1961-08-08 | 1965-06-01 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor device encapsulation and method |
US3171187A (en) * | 1962-05-04 | 1965-03-02 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing semiconductor devices |
US3178506A (en) * | 1962-08-09 | 1965-04-13 | Westinghouse Electric Corp | Sealed functional molecular electronic device |
-
1965
- 1965-08-10 US US478690A patent/US3405441A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-08-01 GB GB34393/66A patent/GB1160732A/en not_active Expired
- 1966-08-09 DE DE19661590251 patent/DE1590251A1/de active Pending
- 1966-08-09 ES ES123823U patent/ES123823Y/es not_active Expired
- 1966-08-09 FR FR72571A patent/FR1488922A/fr not_active Expired
- 1966-08-09 ES ES0330076A patent/ES330076A1/es not_active Expired
- 1966-08-10 CH CH1151866A patent/CH451274A/fr unknown
- 1966-08-10 NL NL6611257A patent/NL6611257A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6611257A (de) | 1967-02-13 |
ES330076A1 (es) | 1967-06-01 |
FR1488922A (fr) | 1967-07-13 |
ES123823Y (es) | 1967-11-01 |
ES123823U (es) | 1967-06-16 |
CH451274A (fr) | 1968-05-15 |
GB1160732A (en) | 1969-08-06 |
US3405441A (en) | 1968-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112014001487B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE19983419B3 (de) | Elektrisch isoliertes verpacktes Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2245140A1 (de) | Einkapselung fuer elektronische bauelemente | |
DE69103807T2 (de) | Verfahren zum Anlöten metallisierter Komponenten an keramische Substrate. | |
DE3725269A1 (de) | Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen halbleiter- und schichtschaltungen | |
DE1186951B (de) | Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung | |
DE69201930T2 (de) | Anschluss von Verglasungen mit einer elektrisch leitfähigen Schicht. | |
DE102014212376A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1489781A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement | |
DE69923374T2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1133833B (de) | Hermetisch dicht schliessend gekapselte Halbleiteranordnung | |
DE2845189A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines gefaesses, kolbens oder mantels | |
DE2937050A1 (de) | Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1259520B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glaskeramik-Metall-Verbundkoerpers | |
DE1539769A1 (de) | Elektrischer Kondensator | |
DE102013219959A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE1013010B (de) | Gehaeuse fuer einen Flaechengleichrichter | |
DE1590251A1 (de) | Mit einer Umhuellung versehene elektrische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
WO2012152364A1 (de) | Substrat mit elektrisch neutralem bereich | |
DE2937051A1 (de) | Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102021006157A1 (de) | Mehrfachsubstratgehäusesysteme und verwandte verfahren | |
DE3230610A1 (de) | Verschliessverfahren unter verwendung eines verlorenen heizelementes | |
DE1907567A1 (de) | Elektrische Schaltungseinheit | |
DE1052572B (de) | Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor | |
DE2125468A1 (de) | Halbleitervorrichtung |