DE1577469A1 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben gleichmaessiger Dicke durch mechanische Oberflaechenbearbeitung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben gleichmaessiger Dicke durch mechanische Oberflaechenbearbeitung

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DE1577469A1
DE1577469A1 DE19661577469 DE1577469A DE1577469A1 DE 1577469 A1 DE1577469 A1 DE 1577469A1 DE 19661577469 DE19661577469 DE 19661577469 DE 1577469 A DE1577469 A DE 1577469A DE 1577469 A1 DE1577469 A1 DE 1577469A1
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semiconductor wafers
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DE19661577469
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Walter Boehm
Lange Dr-Ing Herbert
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Siemens AG
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02013Grinding, lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

  • Verf,#hr-en ziii-p 'ier2tellf-,-ri -von -11"gl-bleit(--#-L#icheiben -leichm-3.ßicyer
    bez#-#.ph-u -,ich -uf ein Verfahren zum Herstellen
    von 1)icke durch mecbanische
    -f":"e#enbe,:#rbeit-Liyi.- wie bt#"i.H-oieqvelge Vippen od.er Polie-
    rer. -1.-.#-L d#.esei Vorf-hr("#l werden die züi bearbeitpnIen Schei-
    beyi zil-c -i,'rl-ii5hurc r4er S-t.,ibilit#,tt vor Begi-nn der
    #iii-f einpr '#Ir;-!,verplatte- durih Kleben
    Es sind bereits Vierf ahren,- bekannt, bei denen auf die Träger-
    scheibe an den Stellen, an denen die Halbleiterscheibon auf-
    geklebt worden sollen, kleine Scheiben aus Klebomittol aufge-
    legt oder anderweitig aufgebracht wordcn. Die Halbleiterschoi-
    ben worden dann durch mechanische Hilfsmittel angedrückt, und
    das Klobcmittel durch Erwärmen -zum Fließen gebracht. Bei dem
    nachfolgenden Abkühlen erstarrt das Klebeinittel und verleiht
    den lialbleitersciieibeii einen festen Sitz. Dieses Verfahren hat
    jedoch den Nachteil, daß sich nur schifer eine gleichmäßige
    Schichtdicke -de# bearbeiteten Halbleitorscheiben sowohl bei
    der einzelnen IL-ilbli-,itersclieibc als auch bei den Scheiben
    untereinander erreienen lätit. Die Streuung der Scheibendicke
    .liegt in der Größenordnung von ± 1J/Um.
    Bei einem anderen Verfahren, bei dem die Halbleiterscheiben
    auf die kalte Trägcrscheibe aufgelegt und durch kleine Ge-
    wichte fixiert werden, wird nach dein Eri-1,ärmen dieser Anord-
    nung auf eine Temperatur etwas oberhalb der Schmelztemperatur
    des Klobemittels ein Tropfen davon an den Rand einer jeden
    Halbloiterscheibe gebracht. Durch Kapillarwirkung wird dann
    das flüssige Klebemittel sofort unter die Walbleiterscheiben
    gezogen und bildet nach dem Abkühlen eine haftfähige Verbin-
    dung. Da jedoch die Gewichte aus Stabilitätsgründon 'nur klcin
    gewählt worden können, sind die Luftspalte zwischen den Halb-
    leiterscheiben und der Trägerscheibc ungleichmälsig dick, vor
    allem dann, wenn keilförmige lialbleitorscheiben verwendet
    würden. Auf diese Weise kommt es auch bei dieSeIll V(,lrrEtllr("1,1 ZU
    einer Uickenstreuung der fertigen 11.--i,lb!Literscli(2ibLii voll etwa
    lo/uiti. Außerdem zeigren sich in der Kleboschicht zahlreiche
    Luftblasen unterschiedlicher Gröfie, i..,r.s üine einwandfreie
    Haftung der llalblcitersclieibezi auf der Trägcrpltitte stark
    beeinträchtigt.
    Werden höhere Anforderungen an aie Gleichntäfligkeit der Schei-
    bendicke erc.stellt, d.Ii. wird z.13. eine Dickenstreuung voll
    lilLixiiiial.+ 0,5/utn zuUclztssen, so *ist es zweckmäßig, nach deni
    Verfahren nach der Lehre der Erfindung vorzugehen, (las sich
    (1.Idurch auszelclinet, dit13 eine oder mehrere Ilalbleitcrsclicibeii
    au£ eine Trägerplutte, aufgelegt und mittels einer beweglichen
    2
    bzi.. verformbaren, Andruclevorrichtung gue:,en diese gepreßt ver-
    den, dau dann ein tlicrinoplztstisclies Klub(-iiiiiit(21 in unmitte,1-
    barer Nähe dci- Halbleiterscheiben auf die
    legt und- durch Wärmeeinwirkung zum Fließen :"ebr.Lclit wird, oo
    daß das Klebci##iiittc"l ziul: Grund der Kapillarität in den engen
    Zwi'schenraum zwischen der Trägerplatte und der bzur. (teil 11u11)-
    leitersciteibcii eiiidi#iii(r#t und dort einu gleichmäßige dünne -
    Schicht bildet. Dabei wird. die Erwärmung bei Unterdruck durch-
    ge führt
    L#'s i5t dau zum Anprüssen der Halbleiterscheiben
    Andruckscheibeil mit 1-wigeligen Ansiätzen, deren AbmcEE:utigcii
    der Halbleiterscheiben angepaßt sind, vert#cridet %;erden,
    die mittels einer Gewichtsplatte belastet wordcu. Man kann
    dabei eine Gewichtsplatte verwendcu, die auf der doll, Halb-
    leiterscliciben zugewandten Fläciie-iiiit federnden Anskätzen,
    deren Zahl und Anordnung, der der zu bearbeitenden Halbleiter-
    schoiben ciitc,priclit, vorschen ist oder aber die auf der den
    Ilalbleitei#sclieibct-i zugewandten Fläche eine Gummiauflage auf-
    weist.
    Als Klebemittel eioL1-lien sich Wachs, liarze oder Kitt, wie
    boispielsweise Bienenwachs, Collophonium und dergl.
    Die aus Trägerplatte und Andruckvorrichtung bestehende Anord-
    nung x..,ird dann' in ein ev#,.ikuierb-.ires Gefaß gebracht und an-
    schließend auf einer Ileizplatte anUcoi,dnct. Dann wird in dem
    Gefäß ein Unterdruck von beispielsweise ct%ii-t 20 Torr durell
    Abpumpen erzeugt. Nacti dem Evakuieren (los Gcfäjjco %."ird die
    Anordnung mittels der licizplatte so lange erhitzt, bis zwi-
    schon deit Ihalblei.terscheiben und der darunterlieGronden Träger-
    platte eine Klebeschicht entstanden ist. Man er-
    hitzt zu diesem Zweck beispielsweise bei Klebung mit Bienen-
    wachs auf eine Tcm;)eratur von etwa 120 0 C und lialt die Anord-
    nung, etwa 10 Min.- auf dieser Temperatur. Danach wird wieder
    Lurt in das cvakuierbare Gefäß gelassen, die- Anordnungy von der
    licizplatt(" abgenommen und äuf einer Külllpla'tI-te arit-"cordiiet,.
    Dadurch #..ird das zwischen den Halbloiterscheib= und der Träger-
    platte befindliche Klebemittel zum Erstarren 1- ..ebracht und die
    Klebcschicht verfestigt.
    Zur Durchführung des Verfahrens nach der Lehre der L7'ri'iiidui-ir#y,
    eignet sich eine Vorric#I-ituiig, die sich dadurch auszeichnet,
    daß ein aus einer Grundplatte und einem dqrauf angeordneten
    Topf bestehendes evtxkuierbarc!j Geftj'.13 vorgesehen ist, daß auf
    dieser Grundplatte eine Tragerplatte zur Aufnahme der Halb-
    Iciterscheiben und des lUobeinittels aufgelegt ist, daß außerdem
    innorhalb des Gofaijos eine aus einer Gewichtsplatte und beweg-
    lich angeordneten Ansätzen, deren Zahl und Anordnung derjenigen
    der zu bearbeitenden ilalblciterscheiboxi entspricht, bestehende
    Andruckvorrichtung untergebracht ist, daß zwischen den Halb-
    leiterscheibon und den Ansätzen der Andruckvorrichtung Scheiben
    mit kugeligen Ansätzen, deren Abmessungen denen der Halbleiter-
    scheibon angepaßt sind, vorgesehen sind und dall außerdem unter-
    halb der Grundplatto eine Heizplatte angeordnet ist, die vor-
    schiebbar aiigeordnet ist und durch eine ähnlich beschaffene
    Kühlplatto ersetzt werden kann. Die Gox.,*ichtskri,*ifte zum An-
    drücken der lialbleiterscheiben an die Trägerscheibe können
    auch durch Federkräfte ersetzt worden, so-daß die gesamte An-
    ordnung von der Hcizplz-ttte auf die Kühlplatte grostollt werdeii
    kann, ohne daß die 1-1-,-ilbleiterschoiben auf der Trägerscheibe
    vorrutschen1'.
    Nrähere Einzelheiten der Erfindung gehen aus dem an Hand der
    Figuren 1 - 3 beschriebenen Ausführungsbeispiel hervor.
    Wie in Fig. 1 dargestellt, verden auf eine Trägerschoibc 1,
    die auf einer Grundplatto 6 angeordnet ist, mit Hilfe der
    Schablone 2 zehn runde Halbleiterscheiben 3 aufgelegt. Auf
    diese Halbleiterscheiben i..,erdcti anschließend kleine runde An.--
    druckscheiben 14 mit Icu,--eligen Ansätzen gestellt und mit einer
    Gewichtsplatte 4 fest auf die Trägerscheibe 1 gedrückt.- Die
    Gevichtsplatte lf weist an der den Halbleiterscheiben zugewand-
    ten Fläche federnde Füße '13 auf. Diese sind so angeordnet, daß
    sie auf dem kugeligen Ansatz der Andruckscheibon Ilt aufliegen-,
    Durch die kugeligge Ausbildung des Ansatzes z#tn den Andruckschei-
    ben werden unerwünschte Druckkomponenten, die sich insbesondere
    bei keilföriniger Ausbildung der iialbleiterscheiben 3 oder bei
    =symmetrischem i«lufsct2,cn der Gewichtsplatte 4 störend bemerk-
    bar machen, vermieden. Auf diese Weise läßt sich erreichen, da.(3
    der Druck praktisch senkrecht zur Trägerscheibc 1 verläuft#,
    Danach wird die Schablone 2 gehoben und durch die Klcnimen 9 an
    der Gei..richtsplatte 4 bcfcsti#,rrt. Danach i..!,ird an den Rand einer
    jeden Halbleiterscheibc, 3 ein kloines Bröckchen Bionenvachs
    gelegt. Über die aus Trägerplatte, H"ilbleiterschcibci-i und An-
    druckvorrichtung bestehende Anordnung wird -inscliließcnd ein
    Topf 7 gestellt, der mit seinem Rand auf der in die urundplatte
    eingelassenen Gummidichtung 8 steht. Nach dem Evziliuic"rci-i d es
    aus Grundplatte und Topf gebildeten Gefäßes mittels einer in
    der Figur nicht mehr dargestellten Vzikuumpui-,ipc wird der jucsanitc,
    Aufbau auf eine Heizplatte 10 aufgesetzt und so lange auf eine
    0
    Temperatur von etwa 120 C beheizt, daß die Wachsbröckchcn-5
    zu fließen bcCiiineii und auf Grund der Kapillarität in den
    reinen Spalt zwischen den Halbluiterscheiben 3 und, der Trägt-,r-,
    scheibe wird. Durch die Anwendung eines Uiilg,--crdrucl#.i-j
    von etwa 20 Torr wird erreicht, (laß es zur Auäbildung einer-
    it. A
    von Luftblason freien Klebeschicht Icoinli 11
    -schließend wird wieder Luft in das ausgepumpte Gefäß gelassen,
    dziiiii wird die--iieizplatte 10 entfernt und durch eine Kühlplatte,
    die beispielsweisem, init Hilfe von durchströmendem Leitungswasser
    gekUhlt wird, crsetzt. Dabei kommt es zum Erstarren dus zunächst
    flüssigen Klobemittols und somit zu einer dauerhaften Befosti-
    gung, der Iialbleiterscheiben auf der Trägerplatto. Sobald die An-
    ordnung genügend abgekühlt ist, wird der Topf- 7 abgehoben. Dann
    werden dic Gewichtsplattc 4, (Iie Schablone ?- und die Andruck-
    scheiben 14 entfernt. Die Trägerplatte 1 , auf die die lizilbl'ei-
    terscheibet, 3 aufgeklebt k#inn unmittelbar in eine LLäpp-
    oder Poliermitschine einü#esetzt werden und die 11.albleiter.scheiben
    können ölii-ke weitare llundgriffe direkt einur iiic#cil#tlii.gcll(21i
    beit-ung untorworren werden. Die nach diesem
    stollteit ) Klubeuchichten weisen eine durchschnittlich(-, Dicke von
    etua 2/um auf. Da die Klebeschichten sehr frleichmü13ig- sind,
    lassen sieh damit beim Läppen dünne -Halbleiterscheiben mit
    einer 1)ickeitstreuuiiu, von etwa 0,3/um herstellen. Auch die
    Dickenschwankungen, die bei einer oiiizeli.i.aii. Hc-i#lbleiterscheibe
    fe.stzustellen sind, betragen nicht mehr als 0,5/um.
    Sind weitero Toleranzgrenzen für die Dickenstreuung riö#-licti und
    ist außerdem die Dickenstreuung bei den zu bearbeitenden Halb-
    leiterscheiben #7.ering, so 1,--,iiin eine Gewichtsplatte, b.pi der un-
    Stelle der federnden Füßc 13 eine Utimmischeibc 1#5 befestigt-,
    ist, zum austleicheiidcii Anpressen der Andruckscheibep 14 vor-
    wendet werden.
    In Fig. 2 ist beiopielsweise ein Ausschnitt aus der Gowichts-
    platte 4 mit einem federnden Ansatz 13 dargestellt. Der Ansatz
    13 bestcht aus zwei ineinander.vorschiebbaren 1-lolilzylin.dcr,n 21
    und 22, die so beschaffen sind, daß sie incinandergleiten, d.h.
    daß der äufiere Ho.lilzylinder 22 über eine Strcelce. 11 nach oben.
    oder unten beiicg.t werden kann. Um eine weitergehende Vcrschie-
    bung zu vermeiden, ist der innere Ilolilzylin(Icr 211 mit einer
    Aussparuntr, 23 vcrschen, in die eine Arretiervorrichtung 24
    eint.,rcift. Außerdem ist i iin-cr halb des Hohlzylindero 21 eine
    Feder 25 angeordnet, die einerseits an die obere. -Bo.gr(-,iizun"- 2ß
    des Zylinders 21 und an die untere Begrenzung 27 des Zylinders
    22 anstößt. Der federnde Ansatz 1 wird nunmehr auf den kuf
    3 - >c,
    li,t"aii Ansatz 28 der Andruckscheibe 14 -iuf.""csct-zt und preßt
    über die Andruckscheibe 14 die Halbleitcrscheibc 3 fest und
    gleichmäßig gegen die Trägcrscheibe 1. Dadurch wird, erreicht,
    daß der Luftspalt 29 über die gcsamtc- Ausdehnung, der lialblei-
    .tcroberfli'.iclicii ungefähr die ("leichc Dicke aufweist. In diesen
    Luftspalt dringt dann bei Ertiärinung der Anordnung das zunächst
    in fester Fornt vorlicgende Klebemittel 5 ein.
    In Fici. 3 ist eine andere zur.-. '#ndrijckeii der 11albleiterscheiben,
    an die Tragcrplatte# 1. geeit-,friete Vorrichtung dargestellt, die
    s'ich durch einen I jesentlich cilif"--tclicrei-t. Aufbau auszeichnet
    Allerdings können mit, Hilfe dieser Auordnung, wie schon im
    erläutert-, keine extrein grer-Ingen Dickeii3trQu-
    ungen erreicht werden. Bei dieser Anordnung trägt die Gewichts-
    pIatte, 4 an Stelle des federnden Ansatzes '13 an ihrer Unter,-
    seitc 1.ddiglicn eine Gunim,iautlage 1.5., Diese Gunimiauflago dient
    zum Andrückon der ffalbl citorschcibeil 3 über die Andrucks chei-
    ben 1,4. Auch in diesem F."ill lätit sieh ein weitgehender Druck-
    attsg#IcIch crrcionen, der jedoch nicht so genau eingestellt.
    1
    werden kann wie bei der Anordnung nach Fig. 21. -Allerdings
    lasseit sich auch bei dieser Anardnung gleichniätsig, dicke Halbi-
    Iciterscheiben herstellen, b('i die
    mal-. etwa Z- / Uni, botragt, was gegenüber den b>Ol#,aiinteti,
    einen, erheblichen Fortschritt dar,-stellt.,

Claims (1)

  1. P a t o il t a ii s p r- ü c h e ----------------------------- Verfahren zum Herstellen von 11albleit.ersche.iben gleich- mäßiger Dielie durch. inechanische 1.I.le Läppe n oder Polieren, bei dem, die- zu hear.-. beitend-,en- zur der lität vor Beginn der Bearheitungri. aul Stab einQr durch Aufkleben bef#Qe3,tir;>t da- durch daß, eine acler in,elii,e#re Halbleiter- scheiben Aula ei.ne, TrägerpIntte unü# mittelf;- Ciller bewegli.claen bzw.., vorfo-rinbaren Andruckvorrichtung gegen diese -,-,epref#t tierden, daß damt ein theerntoplastisches, Klebe- mittel in, unmittelbarer Nähe dür Hallileiterscheiben au>£ die Triligerplatte aufgelegt und durch zuzt rließen-- gebracht wird, so daß,' das Kle"berii-it.t.e#1.. ztu,-f- Grund' der Kapillariti:it in den Zvischeiira-un# der Trilger- platte Und der b,.z.t-i.., -den Und, Ctart eine 1, daß, zunt. Aii#p##res,sQa eer litit, kmee- Äo ttels, einer, belastet werden,
    3. Verf ahren nach Anspruch 2,- -dadurcii gekennzeichnet, daß einc Gellichtsplatte verWonciet wird, die -auf der -den Halbleiter- scheiben zugewandten Fläche -init federnden -Ans-c*itzeii, deren Zahl- Und#Anordnung der- der''zü bLrärbei'tondoll Halbleitdr- s7c'Iieib(.,ii.'eiitsi)richt,' vorsehön ibt, 'VLrfi-thr'(iii nach Anspruch 2,' d-,iduirc'h'gclcciiii-'zö-ic,lillöti## daß C.ine Gewichtsplutte, vorwendet -wird, 'die -auf- dür, den scheiben zugewandten Flücho* mit, Versähen V("r17aiiren m-ich eIlioni -der- Ansprüche 1 4, dadurch geiidnl-I.;-, z#eichnet, d,-13 alt Klebeinittel- ein Wachs,- verliciid12t wird-, 0. Vorfähren nach; einem der Ansprüche 1 4, --dadurch gekeill ri- - 'Z-L,iclitiöt, daß. als Klobemittel ein Harz, Collo#höii.iiini, verwendet wirdz 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 dadurc li greIcenn- daß, Klebeinittel ein Kitt, -2-- B. ein- Gemisch- -und Collophon,-ium (OptikkiLt) dadurch -gekonn 8 eiaem der Ansprüche 1 zeichnet, da13 die Ert.,ärinung bei Unterdruck- durcii,-,'ofiihrt wird.
    9.. Verfahr-oft evinem der Ansp,r#üc.lic 1 -8.". (1"i-durc,1,i gekenn- zeichnet, daß die aus Trägerplatte und. ,#ndrgc#zvorriclitune" bestehende Anordnung in ein qv.ikuierb.trcs#'Gcf.äf3,e und auf eiiier-lieizplLitt-e#.aii&.rcordriot 10. Verfahren iiLtcli-Aiispyu,ei-i 9", dadurcl-i,g,ckeii.iizc,i-chfie-t-- d il 14 ill deni Gefaß ein--Umterdruck#von bei-spIelsweip-c##etwu 20., To rr durch A1:#pumpen erzeugt. wird. 11 Vor£al-treii nach j#ii.s.1),r#ucli od,er '10, -dadurch gekeilliz,c,"ic:hii#et, daß nach c tem EvLi#tuier#en des Gefäßes. dic.,Aiiordi-luxic mittels dci, fleizpl.ittr-, so lanfre crhi.t-z.t wird,...bis z%",iscliei.-i dö,n. 11-albleiterscheiben und der darunter angeordneten Träger- platte, eine 3 -gleIchmäßig9..Klebeschicht, ontstanden ist, .-beisl)iolsiie-isc f ür dip Dauer von, 1!) Miniiten auf eine,. Temperatur von e twa - 12,0 C. 12, Vcri'ahren, nlach- eigem der. Ansprücile 1 11', dadurch t.YQICCIlil- zeichnet, daß nach cLem Er.Iiitzen. der Aiiordtiui#g die-,Träe.,er- platte durch Aufsetzen auf eine Kühlplatte so weit abge- kühlt wird, da13--sich die ##übescilicht verfust#et.. 13. Vorriclitung zur Durchfü'#irunu,. des yerfahregs nach cipem# der Ansprüche 1 12, -dadurch brelcolinzeici-izio.'-". u _piner Grund-)latte und einem darauf angeordneten Topf bestehendes, evalcuierb[Lres Gefäß vorgresehen ist, dals auf die Grundplatto
    eine Trägerplatte zur Aufnahme der Halbloiterscheiben und des KlebeIllittels aufgelegt ist, daß außerdem innerhalb des Gefälies eine aus einer Gewichtsplatte und bei-.reglich ange- ordneten Ansätzen, deren Zahl und Anordnung derjenigen der zu bearbeitenden Halbleiterscheiben entspricht, bestehende Andruckvorrichtung untergebracht ist, dau zwischen den lfalbleiterscheiben und den Ansätzen der Andruckvor.richtung Andruckscheibon mit. kugeligen Ansätzen, deren Abmüssungen denen der Halbleit-erscheiben angepaßt sind, vorgesehen sind und daß außerdem unterhalb der Grundplatte eine Heizplatte angeordnet ist, die vorschiebbar angebracht ist und durch eine ähnlich beschaffene Kühlplatte ersetzbar ist. 14. Verrichtung nach Anspruch 12i dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle-der Gewichtskräfte zum Andrücken der Halbleiter- scheiben an die Trä"K.1,erscheibe Federkräfte vorgegehen sind, so daß die lialbloiterscheiben beim Versetzen der Anord- nung, beispielsweise von'der HeizpLatte-auf die Kühlplattd, gegen Verrutschen gesichert sind. 5. Vorriclitäng, nach Anspruch 13 oder 14, dadurch- net, daß die Grundplatte als Kühlplatto ausgebildet ist, so daß das Aufheizen und Abkühlen'auf der Heizplatte ohne Versetzen der Anordnung vorgenommen Werden kann.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2425275A1 (de) * 1973-05-29 1975-01-02 Rca Corp Verfahren zur formgebung von halbleiterwerkstuecken
DE2712521A1 (de) * 1977-03-22 1978-09-28 Wacker Chemitronic Verfahren zum aufkitten von scheiben
DE3107995A1 (de) 1980-03-03 1982-01-28 Monsanto Co., 63166 St. Louis, Mo. Verfahren und vorrichtung zum wachsmontieren duenner wafer zum polieren
EP0337556A1 (de) * 1988-04-13 1989-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2425275A1 (de) * 1973-05-29 1975-01-02 Rca Corp Verfahren zur formgebung von halbleiterwerkstuecken
DE2462565A1 (de) * 1973-05-29 1977-09-15 Rca Corp Verfahren zum befestigen von halbleiterwerkstuecken auf einer montageplatte
DE2712521A1 (de) * 1977-03-22 1978-09-28 Wacker Chemitronic Verfahren zum aufkitten von scheiben
DE3107995A1 (de) 1980-03-03 1982-01-28 Monsanto Co., 63166 St. Louis, Mo. Verfahren und vorrichtung zum wachsmontieren duenner wafer zum polieren
EP0337556A1 (de) * 1988-04-13 1989-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers
US5028558A (en) * 1988-04-13 1991-07-02 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a silicon on insulator semiconductor

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