DE1573770C3 - Device for monitoring a thread of a textile machine - Google Patents

Description

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gen des Eingangsgrundwertes, hervorgerufen durch Dickstellen- oder Doppelfadenmessung konstant zu Dickstellen, Doppelfaden od. dgl., nicht aber auf halten, wird gemäß vorliegender Erfindung zwischen langsame Änderungen anspricht, wird der Ausgangs- die Zenerdiode 116 und den Kondensator 118 ein wert des Verstärkers am Punkt D durch eine Regel- Richtleiter in Form einer Siliziumdiode 159 geschalstrecke konstant gehalten, die eine dem Ausgangs- 5 tet, dessen Polung so ausgebildet ist, daß sich der wert, also der Spannung des Punktes D proportionale Kondensator 118 zwar aufladen, aber nicht mehr Spannung, dem Eingangsgrundwert, also der an der nach rückwärts entladen kann. Durch die in der Fi-Eingangsklemme L anliegenden Spannung, entgegen- gur eingezeichnete Polung des Richtleiters 159 wird schaltet. Diese Regelstrecke besteht aus der Zener- also ein Rückstrom von dem Kondensator 118 über diode 116, dem Ladewiderstand 117 und dem als io die Zenerdiode 116 verhindert, so daß während der Arbeitspunktspeicher dienenden Kondensator 118, Messung einer Dickstelle, eines Doppelfadens dessen Ladespannung der Eingangsspannung über od. dgl. der Grundarbeitspunkt des Verstärkers sozueine Verstärkerstufe mit dem Transistor 106 und sagen konserviert wird. Während der üblichen Meßdem Widerstand 115 zugeführt wird. zeit von etwa 1 Sekunde entsteht auf diese Weise einegen of the basic input value, caused by thick place or double thread measurement constant to thick places, double thread or the like, but not hold, if according to the present invention responds between slow changes, the output the Zener diode 116 and the capacitor 118 is a value of the amplifier at Point D is kept constant by a control guide in the form of a silicon diode 159 , which is connected to the output 5, the polarity of which is designed so that the capacitor 118, which is proportional to the voltage of point D, is charged, but no longer Voltage, the basic input value, i.e. the one that can discharge backwards. The voltage applied to the Fi input terminal L , opposite to the polarity of the directional conductor 159 , switches. This controlled system consists of the Zener, i.e. a return current from the capacitor 118 via diode 116, the charging resistor 117 and the Zener diode 116 which prevents the working point memory, so that while the operating point memory is used, the capacitor 118, measuring a thick point, of a double filament transfers its charging voltage to the input voltage or the like. The basic operating point of the amplifier is thus preserved as an amplifier stage with the transistor 106 and say. Resistor 115 is fed to resistor 115 during the usual measurement. time of about 1 second is created in this way

Wie im Hauptpatent wird auch hier die Betriebs- 15 rein statische Messung.As in the main patent, the operational 15 measurement is purely static.

spannung der ersten Verstärkerstufe mit dem Transi- Um die Konstanz des Arbeispunktes des Regelverstor 102 durch eine weitere Zenerdiode 119 stabili- stärkers, welche durch Anordung des Richtleiters siert. Außerdem sind wie im Hauptpatent zwei Kon- 159 bereits erheblich verbessert wird, weiterhin zu densatoren 120 und 121 zur Verhinderung von verbessern, kann es vorteilhaft sein, das spannungs-Hochfrequenzschwingungen im Verstärker vorgese- 20 differenzbildende Bauelement 116 durch einen dem hen sowie ein Widerstand 122 zur Bestimmung des Speicherglied 118 und dem Richtleiter 159 parallel-Arbeitspunktes der Schwellwertdioden 108 und 109. geschalteten Widerstand 158 zusätzlich zu belasten.voltage of the first amplifier stage with the transi- To the constancy of the working point of the control amplifier 102 through a further Zener diode 119 stabili amplifier, which siert by the arrangement of the directional conductor. In addition, as in the main patent, two components are already significantly improved, and in addition to capacitors 120 and 121 to prevent improvement, it can be advantageous to replace the high-frequency voltage oscillations in the amplifier with a component 116 that forms the difference and a resistor 122 to determine the storage element 118 and the directional conductor 159 parallel operating point of the threshold value diodes 108 and 109. connected resistor 158 to additionally load.

Wenn dieser bisher beschriebene Verstärker beim Infolge der bei Zenerdioden unvermeidbaren Leck-Auftreten einer Dickstelle, eines Doppelfadens ströme in der Nähe der Durchbruchschwelle ist es od. dgl. ganz durchgesteuert ist, also der Transistor 25 nämlich möglich, daß der Kondensator 118 zusätz- 105 geöffnet ist und das Relais 100 anzieht, sinkt das lieh aufgeladen und damit der Grundarbeitspunkt Potential am Punkt D erheblich ab in Richtung auf des Verstärkers verfälscht wird. Über den zusätzlidas Potential des Punktes B, da die Widerstände der chen Belastungswiderstand 158 können nunmehr die Schwellwertdioden 108 und 109 sowie des geöffneten Leckströme abgeleitet werden, so daß die DurchTransistors 105 vernachlässigbar klein sind und auch 30 bruchschwelle und damit auch die Arbeitspunktreder Widerstand 110 nur sehr niederohmig ist. Infol- gelverhältnisse konstant bleiben,
gedessen weist der Punkt R eine höhere negative Um die Handhabung der Verstärkereinstellung mit Spannung auf als der Punkt D. Die Folge ist, daß die dem Regelwiderstand 110 auf die entsprechende Fa-Zenerdiode 116 in Durchlaßrichtung beansprucht dendicke zu erleichtern, wird entsprechend dem Auswird und sich der Kondensator 118 bei einer langen 35 führungsbeispiel die Spannung am Schaltrelais 100 Öffnungszeit des Transistors 105 über den Wider- mit einem Spannungsmesser 140 überwacht. Rote stand 117 und die Zenerdiode 116 bis auf das Poten- Marken auf der Skala des Instrumentes 140 zeigen tial des Punktes D entladen kann. an, wie weit ein Einzelfaden ausschlagen darf undWhen this amplifier described previously when a result of the unavoidable when Zener diodes leak occurrence of a thick section, of a double yarn streams in the vicinity of the breakdown threshold, it is od. Like. Entirely through controlled is therefore the transistor 25 in fact possible that the capacitor additional 118 opened 105 is and the relay 100 picks up, the loan drops charged and thus the basic working point potential at point D is significantly falsified in the direction of the amplifier. The threshold value diodes 108 and 109 and the opened leakage currents can now be derived from the additional potential of point B, since the resistances of the load resistor 158 , so that the through transistor 105 is negligibly small and also the breaking threshold and thus also the working point of the resistor 110 is only very small is low resistance. As a result, ratios remain constant,
The point R has a higher negative To facilitate the handling of the amplifier setting with voltage than the point D. The result is that the thickness of the variable resistor 110 on the corresponding Fa-Zener diode 116 in the forward direction is stressed according to the result The capacitor 118 monitors the voltage at the switching relay 100 opening time of the transistor 105 via the counter with a voltmeter 140 in a long 35 exemplary embodiment. Red stand 117 and the Zener diode 116 except for the potential marks on the scale of the instrument 140 show tial of point D can discharge. how far a single thread may throw and

Um auch ein geringes Absinken der Kondensator- wann die Schaltschwelle für den Doppelfaden er-In order to avoid a slight drop in the capacitor when the switching threshold for the double filament is

ladung zu verhindern und den Arbeitspunkt bei einer 40 reicht ist.to prevent charge and the working point at a 40 is enough.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings

Claims (2)

1 2 jede normale Diode fließen. Nun ergibt es sich aber Patentansprüche: bei dem Gleichstromverstärker nach dem Hauptpatent, daß beim Auftreten von Dickstellen, Mehrfach-1 2 any normal diode will flow. Now there are claims: in the DC amplifier according to the main patent, that when thick spots occur, multiple 1. Vorrichtung zur Überwachung, eines Fadens fäden od. dgl., also bei der Aufsteuerung des Verstäreiner Textilmaschine mit einer Meßvorrichtung, 5 kers, die negative Ausgangsspannung des Verstärkers die beim Auftreten von Dickstellen, Mehrfachfä- so weit absinkt, daß sie gegenüber der negativen Laden od. dgl. einem Grundwert überlagerte elektri- dung des Speichergliedes ein positives Potential aufsehe Impulse erzeugt, welche zur Auslösung einer weist. Dies bedeutet, daß das spannungsdifferenzbildie Weiterverarbeitung des Fadens verhindernden dende Bauelement, also die Zenerdiode, in der Vorrichtung dienen, und bei der die elektrischen io Durchlaßrichtung beaufschlagt wird, sich somit das Impulse einem Gleichspannungsverstärker züge- elektrische Speicherglied über die Zenerdiode teilführt sind, dessen Ausgangsspannung bei Ände- weise entladen kann. Damit ist aber auch eine Verrungen der Eingangsgrundspannung auf kon- Schiebung des Arbeitspunktes des Verstärkers verstante Größe geregelt wird und jede auf einer bunden.1. Device for monitoring, a thread or the like. So when the amplifier is controlled Textile machine with a measuring device, 5 kers, the negative output voltage of the amplifier which when thick spots occur, multiple times, drops so far that it is opposite to the negative charge or the like. Electrification of the storage element superimposed on a basic value see a positive potential Pulses generated, which points to triggering a. This means that the voltage difference formation Further processing of the thread preventing component, i.e. the Zener diode, in the Serve device, and in which the electrical io forward direction is applied, thus the Pulses a DC voltage amplifier part of the train electrical storage element via the Zener diode whose output voltage can discharge when changed. But that is also an issue the basic input voltage to con-shift the working point of the amplifier Size is regulated and each on a bound. Änderung derEingangsgrundspannung beruhende 15 Die Aufgabe vorliegender Erfindung besteht darin,Change of the basic input voltage based on 15 The object of the present invention is to Schwankung der Ausgangsspannung über ein span- Verschiebungen des Arbeitspunktes zu vermeiden,To avoid fluctuations in the output voltage over a span shift of the operating point, nungsdifferenzbildendes Bauelement einem elek- Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daßThis is achieved according to the invention in that irischen Speicherglied zugeführt ist, dessen Span- zwischen das spannungsdifferenzbildende Bauele-Irish storage element is supplied, the span of which between the voltage difference-forming component nung der Eingangsgrundspannung entgegenge- ment und das elektrische Speicherglied ein Richtlei-the input base voltage and the electrical storage element is a guideline schaltet ist, nach Patent 1 473 577, dadurch 20 ter geschaltet ist, der einen Rückstrom von demis switched, according to patent 1 473 577, thereby 20 ter is switched, which has a reverse current from the gekennzeichnet, daß zwischen das span- Speicherglied über das spannungsdifferenzbildendecharacterized in that between the span storage element via the voltage difference forming nungsdifferenzbildende Bauelement (116) und Bauelement verhindert.voltage difference-forming component (116) and component prevented. das elektrische Speicherglied (118) ein Richtleiter An Hand des in der Figur dargestellten Ausfüh-the electrical storage element (118) is a directional conductor on the basis of the embodiment shown in the figure (159) geschaltet ist, der einen Rückstrom von rungsbeispieles sei die Erfindung näher erläutert. Das (159) is connected, the one return flow of approximately example, the invention is explained in more detail. The dem Speicherglied über das spannungsdifferenz- 25 Ausführungsbeispiel zeigt einen Gleichstromverstär-the storage element via the voltage difference 25 The embodiment shows a direct current amplifier bildende Bauelement verhindert, ker entsprechend Fig. 2 des Hauptpatentes. Wie imforming component prevents ker according to Fig. 2 of the main patent. Like in 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge- Hauptpatent dient der Verstärker wiederum zur kennzeichnet, daß das spannungsdifferenzbü- Steuerung eines eine nicht dargestellte Fadentrenndende Bauelement (116) durch einen dem vorrichtung auslösenden Relais 100 in Abhängigkeit Speicherglied (118) und dem Richtleiter (159) 3° von einer an den Eingangsklemmen K und L angeparallelgeschalteten Widerstand (158) zusätzlich schlossenen Fotozelle 101. Dabei besteht der Verbelastet ist. stärker aus den Verstärkerstufen mit den Transistoren 102, 103, 104 und 105 sowie der Regelstufe mit dem Transistor 106. Sämtliche Transistoren 102 bis2. Device according to claim 1, characterized in that the amplifier serves the main patent in turn to indicate that the voltage differential control of a thread-separating component (116), not shown, is triggered by a relay 100 that triggers the device, depending on the memory element (118) and the directional conductor (159 ) 3 ° from a resistor (158) connected in parallel to the input terminals K and L additionally closed photo cell 101. There is a load. stronger from the amplifier stages with the transistors 102, 103, 104 and 105 and the control stage with the transistor 106. All transistors 102 to 35 106 liegen zwischen den Polen .4 und B einer nicht35 106 lie between the poles .4 and B one is not Im Hauptpatent ist eine Vorrichtung zur Überwa- eingezeichneten Gleichspannungsquelle, deren Plus-In the main patent is a device for monitoring the drawn DC voltage source, the plus chung eines Fadens einer Textilmaschine mit einer pol B geerdet ist. In dem von dem Transistor 105 chung of a thread of a textile machine with a pole B is grounded. In that of transistor 105 Meßvorrichtung beschrieben, die beim Auftreten von gesteuerten Stromkreis liegt das erwähnte Relais 100 Measuring device described, the aforementioned relay 100 is when a controlled circuit occurs Dickstellen, Mehrfachfäden od. dgl. einem Grund- sowie eine Diode 109, welche eine SchwellwertdiodeThick places, multiple threads or the like. A basic and a diode 109, which is a threshold value diode wert überlagerte elektrische Impulse erzeugt, welche 40 darstellt und in bekannter Weise dem Transistorver-value superimposed electrical impulses generated, which represents 40 and in a known manner the transistor ver- zur Auslösung einer die Weiterverarbeitung des Fa- stärker 105 ein besonderes Schaltverhalten gibt,to trigger a further processing of the fiber stronger 105 gives a special switching behavior, dens verhindernden Vorrichtung dienen, und bei der Gleiche Schwellwertdioden 107 und 108 sind in dendens preventive device, and the same threshold value diodes 107 and 108 are in the die elektrischen Impulse einem Gieichspanmmgs- Stromkreisen der Transistoren 103 und 104 angeord-the electrical impulses are arranged in a DC voltage circuit of the transistors 103 and 104 verstärker zugeführt sind, dessen Ausgangsspannung net, wobei die Schwellwertdiode 108 für den Transi-amplifier are supplied, the output voltage of which is net, the threshold value diode 108 for the bei Änderungen der Eingangsgrundspannung auf 45 stör 104 zugleich noch zusätzlich für den Transistorif the basic input voltage changes to 45 disturb 104 at the same time additionally for the transistor konstante Größe geregelt wird, und jede auf einer 105 ausgenutzt wird. Außerdem sind die Ströme derconstant size is regulated, and each on a 105 is exploited. Besides, the currents are the Änderung der Eingangsgrundspannung beruhende Transistoren 103 bis 105 über einen veränderbarenChange of the input base voltage based transistors 103 to 105 via a changeable Schwankung der Ausgangsspannung über ein span- Widerstand 110 geführt, welcher sehr niederohmigFluctuations in the output voltage passed through a span resistor 110 , which has a very low resistance nungsdifferenzbildendes Bauelement einem elektri- ist. Mit ihm kann infolge der entstehenden Gegen-voltage difference forming component is an electrical. With it, as a result of the opposing schen Speicherglied zugeführt ist, dessen Spannung 50 kopplung die Verstärkung bzw. die Empfindlichkeitrule memory element is supplied, the voltage 50 coupling the gain or the sensitivity der Eingangsgrundspannung entgegengeschaltet ist. des Verstärkers geregelt werden. .the basic input voltage is switched opposite. of the amplifier can be controlled. . Dabei hat das elektrische Speicherglied die Aufgabe, In den Kollektorzweigen der Transistoren 102 bisThe electrical storage element has the task of In the collector branches of the transistors 102 to den Arbeitspunkt des Verstärkers während der Mes- 104 erkennt man weiterhin die Widerstände 111 bisthe operating point of the amplifier during the measurement 104 can also be seen in the resistors 111 bis sung einer Dickstelle od. dgl. konstant zu halten. 113 sowie den Widerstand 114 im Emitterzweig desSolution of a thick spot or the like to keep constant. 113 and the resistor 114 in the emitter branch of the Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Stabilisierung 55 Transistors 102 und den veränderbaren WiderstandHowever, it has been shown that the stabilization 55 transistor 102 and the variable resistance des Arbeitspunktes nicht immer absolut sicher ist. 115 im Emitterzweig des Transistors 106. the working point is not always absolutely certain. 115 in the emitter branch of transistor 106. Ein Grund hierfür liegt darin, daß das elektrische Wird die Fotozelle 101 durch eine Dickstelle,One reason for this is that the electrical power to the photocell 101 is caused by a thick spot, Speicherglied diese ihm gestellte Aufgabe nicht mit einen Doppelfaden od. dgl. abgeschattet, so öffnet,Storage element does not shadow this task with a double thread or the like, so it opens, Sicherheit erfüllt, da es sich nach rückwärts über das wie im Hauptpatent beschrieben, der Transistor 102, Security is fulfilled, since it is backwards over the as described in the main patent, the transistor 102, spannungsdifferenzbildende Bauelement teilweise 60 so daß ein Strom von der Anschlußklemme A übervoltage difference forming component partially 60 so that a current from the terminal A through entladen kann. Es ist bekannt, daß ein spanmmgs- den Widerstand 111, den Transistor 102 und dencan discharge. It is known that a spanmmgs- the resistor 111, the transistor 102 and the differenzbildendes Bauelement, beispielsweise eine Widerstand 114 fließt, das negative Potential amdifference-forming component, for example a resistor 114 flows, the negative potential at Zenerdiode, sich von einem einfachen Richtleiter, Punkt E steigt an, und der Transistor 103 wird aufZener diode, different from a simple directional conductor, point E rises, and transistor 103 turns on z. B. einer normalen Diode, nur dadurch unterschei- Durchlaß geschaltet. In gleicher Weise wird der ge-z. B. a normal diode, only thereby switched different passage. In the same way, the det, daß sie in der Sperrichtung erst dann einen 65 samte Verstärker ausgesteuert, so daß auch derdet that they only control a complete amplifier in the reverse direction, so that the Strom fließen läßt, wenn die genau definierte Durch- Transistor 105 durchlässig wird und der Strom überLets current flow when the precisely defined through transistor 105 becomes conductive and the current over bruchspannung überschritten wird. In der Durchlaß- das Relais 110 fließen kann,breaking stress is exceeded. In the pass- the relay 110 can flow, richtung jedoch läßt die Zenerdiode den Strom wie Damit der Verstärker nur auf plötzliche Änderun-direction, however, the Zener diode lets the current as