DE1573771A1 - Device for monitoring the thread of a textile machine - Google Patents

Description

Vorrichtung zur tiberwachung des Badens einer Textilmaschine Zusatz zu Patent ... (Anmeldung R 36 246 IXb/42k - 0692) Im Hauptpatent ist eine Vorrichtung zur Uberwachung des Fadens einer Textilmaschine mit einer Meßvorrichtung beschrieben, die beim Auftreten von Dickstellen, Mehrfachfäden oder dergleichen einem Grundwert überlagerte elektrische Impulse erzeugt, welche zur Auslösung einer die Weiterverarbeitung des Fadens verhindernden Vorrichtung dienen, wobei die elektrischen Impulse einem Gleichspannungsverstärker zugeführt sind, dessen Ausgangsspannung bei Änderungen der Eingangsgrundspannung auf konstante Größe geregelt wird und jede auf einer Änderung der Eingangsgrundspannung beruhende Schwankung der Ausgangsspannung über ein spannungsdifferenzbildendes Bauelement einem elektrischen Speicherglied zugeführt ist, dessen Spannung der Eingangsgrundspannung entgegengeschaltet ist.Device for monitoring the bathing of a textile machine add-on to patent ... (Application R 36 246 IXb / 42k - 0692) The main patent contains a device for monitoring the thread of a textile machine with a measuring device described, which is a basic value when thick places, multiple threads or the like occur superimposed electrical impulses are generated which trigger further processing the thread preventing device are used, the electrical impulses a DC voltage amplifiers are supplied, the output voltage of which changes the basic input voltage is regulated to a constant magnitude and each to a change The output voltage fluctuation based on the basic input voltage over a voltage difference forming Component is fed to an electrical storage element, the voltage of which is the basic input voltage is switched in the opposite direction.

Ein Nachteil dieser im Hauptpatent beschriebenen Vorrichtung besteht darin, daß sie bei Arbeitsbeginn nicht gleich meßbereit ist, sondern etwa eine Minute benötigt wird, bis das elektrische Speicherglied über den in seinem Ladestromkreis angeordneten Ladewiderstand aufgeladen ist. In dieser Zeit ist also eine Überwachung des Fadens nicht möglich.There is a disadvantage of this device described in the main patent in the fact that it is not ready to measure at the start of work, but about a minute is required until the electrical storage element is over in its charging circuit arranged charging resistor is charged. During this time there is monitoring of the thread not possible.

Die Aufgabe vorliegender Erfindung besteht darin, die Vorrichtung nach dem Hauptpatent dahingehend zu verbessern, daß sie nach Arbeitsbeginn schneller meßbereit ist, d. h. also, daß die Aufladezeit des elektrischen Speichergliedes verkürzt wird. Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß einem im Ladestromkreis des elektrischen Speichergliedes angeordneten Ladewiderstand ein in Aufladerichtung durchlässiger Richtleiter parallelgeschaltet ist.The object of the present invention is to provide the device to improve according to the main patent to the effect that they are faster after the start of work is ready to measure, d. H. so that the charging time of the electrical storage element is shortened. This object is achieved according to the invention in that a a charging resistor arranged in the charging circuit of the electrical storage element in the charging direction permeable directional conductor is connected in parallel.

Richtleiter, insbesondere die heute für diesen Zweck allgemein verwendeten Germaniumdioden, besitzen sämtlich auch in Durchlaßrichtung eine Durchlaßschwelle.Directional guides, especially those commonly used today for this purpose Germanium diodes all also have a transmission threshold in the forward direction.

Diese liegt bei Germaniumdioden etwa in der Größenordnung von 150 mV. Wenn das elektrische Speicherglied beim Einschalten der Vorrichtung noch leer ist, steht eine größenordnungsmäßig erheblich höhere Differenzspannung zur Verfügung, die also leicht die Durchlaßschwelle der Diode überschreitet. Der Ladestrom fließt infolgedessen beim Einschalten der Vorrichtung über die Diode ungehindert am Ladewiderstand vorbei, so daß das elektrische Speicherglied in wenigen Sekunden bis auf den Restbetrag, welcher der Durchlaßschwelle entspricht, aufgeladen ist. Dieser Restbetrag fließt dann über den Ladewiderstand, bis der Regelausgleich erreicht ist. Da die üblichen Regelabweichungen beim Betrieb der Vorrichtung weit unterhalb der Durchlaßschwelle des Richtleiters liegen, erfolgt der durch die Regel abweichungen hervorgerufene Ausgleich immer über den Ladewiderstand mit der notwendigen Zeitkonstante.For germanium diodes, this is around 150 mV. If the electrical storage element is still empty when the device is switched on is, stands a significantly higher differential voltage of the order of magnitude available, which therefore easily exceeds the threshold of the diode. Of the As a result, charging current flows unhindered via the diode when the device is switched on past the charging resistor, so that the electrical storage element in a few seconds is charged except for the remaining amount, which corresponds to the passage threshold. This remaining amount then flows through the charging resistor until the rule equalization is reached is. Since the usual system deviations when operating the device are far below the admission threshold of the directional guide are, there are deviations due to the rule caused compensation always via the charging resistor with the necessary time constant.

Die Anordnung eines in Aufladerichtung durchlässigen Richtleiters parallel zu dem im Ladestromkreis des elektrischen Speichergliedes angeordneten Ladewiderstand macht es aber erforderlich, daß induktive Störspitzen im Regelkreis unter allen Umständen vermieden werden, da diese induktiven Störspitzen die Durchlaßschwelle des Richtleiters leicht überschreiten könnten.The arrangement of a directional guide that is permeable in the charging direction parallel to that arranged in the charging circuit of the electrical storage element Charging resistance makes it necessary that inductive interference peaks in the control loop be avoided at all costs, as these inductive glitches lower the transmission threshold of the judge could easily exceed.

Im Ausführungsbeispiel des Hauptpatentes dient der Verstärker zur Steuerung eines eine nicht dargestellte Fadentrenevorrichtung auslösenden Relais, welches somit praktisch den Arbeitswiderstand des Verstärkers bildet. Um die von diesem Relais hervorgerufenen induktiven Störspannungen im Regelkreis zu vermeiden, ist weiterhin als Arbeitswiderstand des Verstärkers ein rein Ohm'scher Widerstand verwendet, dessen Spannungsabfall zur Steuerung einer als Entkopplungsstufe dienenden Verstärkerstufe dient, an die nunmehr das vorerwähnte Relais angeschlossen werden kann, ohne schädliche Störspannungen in den Regelkreis überführen zu können.In the embodiment of the main patent, the amplifier is used for Control of a relays tripping a thread trencher, not shown, which thus practically forms the working resistance of the amplifier. To the from avoid inductive interference voltages in the control loop caused by this relay, is still a purely ohmic resistance as the working resistance of the amplifier used, whose voltage drop is used to control a decoupling stage Serves amplifier stage, to which the aforementioned relay are now connected can without being able to transfer harmful interference voltages into the control loop.

An Hand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispieles sei die Erfindung näher erläutert. Das Ausführungsbeispiel zeigt einen Gleichstromverstärker entsprechend Figur 2 des Hauptpatentes, jedoch mit dem Unterschied, daß anstelle der im Hauptpatent verwendeten pnp-Transistoren der Verstärker nunmehr auf npn-Transistoren umgestellt wurde. Derartige neuerdings verwendete npn-Transistoren weisen den Vorteil einer höheren Stromverstärkung auf, 80 daß bei dem in der Figur dargestellten Ausführungsbei spiel die in Figur 2 des Hauptpatentes vorhandene erste Verstärkerstufe fortgelassen werden konnte.On the basis of the embodiment shown in the figure, the Invention explained in more detail. The embodiment shows a direct current amplifier corresponding to Figure 2 of the main patent, but with the difference that instead of of the pnp transistors used in the main patent, the amplifier is now based on npn transistors was changed. Such recently used npn transistors have the advantage a higher current gain, 80 that in the embodiment shown in the figure play the first amplifier stage present in Figure 2 of the main patent omitted could be.

Wie im Hauptpatent dient auch bei vorliegender Anmeldung der Verstärker wiederum zur Steuerung eines eine nicht dargestellte Fadentrennvorrichtung auslösenden Relais 100"in Abhängigkeit von einer an den Eingangsklemmen K und L angeschlossenen Fotozelle 101b Der Verstärker besteht aus den Verstärkerstufen 103, 104 und 105 sowie der Regelstufe mit dem Transistor 106. Sämtliche Transistoren 103 bis 106 liegen zwischen den Polen A und B einer nicht eingezeichneten Gleichspannungsquelle, deren Minuspol B geerdet ist.As in the main patent, the amplifier is also used in the present application again to control a thread separating device, not shown, triggering Relay 100 "depending on one connected to the input terminals K and L. Photo cell 101b The amplifier consists of amplifier stages 103, 104 and 105 and the control stage with transistor 106. All transistors 103 to 106 lie between poles A and B of a direct voltage source not shown, whose negative pole B is grounded.

In dem von dem Transistor 105 gesteuerten Stromkreis liegt wie im Hauptpatent eine Diode 109, welche eine Schwellwertdiode darstellt und in bekannter Weise dem Transistorverstärker 105 ein besonderes Schaltverhalten gibt. Außerdem sind die Ströme der Transistoren 103 bis 105 über einen veränderbaren Widerstand 110 geführt, welcher sehr niederohmig ist. kit ihm kann infolge der entstehenden Gegenkopplung die Verstärkung bzw. die Empfindlichkeit des Verstärkers geregelt werden.In the circuit controlled by transistor 105 is as in Main patent a diode 109, which is a threshold diode and known in Way gives the transistor amplifier 105 a special switching behavior. aside from that are the currents of the transistors 103 to 105 through a variable resistor 110 out, which is very low resistance. kit to him can owing to the arising Negative feedback regulates the gain or the sensitivity of the amplifier will.

In den Kollektorzweigen der Transistoren 103 und 104 erkennt man wiederum die Widerstände 112 und 113 sowie den veränderbaren Widerstand 115 im Etitterkreis des Transistors 106.The collector branches of the transistors 103 and 104 can again be seen the resistors 112 and 113 and the variable resistor 115 in the etitter circuit of transistor 106.

Wird die Fotozelle 101 durch eine Dickstelle, einen Doppelfaden oder dergleichen abgeschattet, so wird der Verstärker wie bei der Vorrichtung nach dem Hauptpatent ausgesteuert, so daß der Transistor 105 durchlässig wird und ein Strom über den Arbeitswiderstand 100' fließen kann. Damit der Verstärker nur auf plötzliche Änderungen des Eingangsgrundwertes, hervorgerufen durch Dickstellen, Doppelfäden oder dergleichen, nicht aber auf langsame Änderungen anspricht, wird der Ausgangswert des Verstärkers am Punkt D durch eine Regelstrecke konstant gehalten, durch die die Ausgangsspannung der an der Eingangsklemme E liegenden Eingangsgrundspannung entgegengeschaltet wird. Diese Regelstrecke besteht wiederum aus der Zenerdiode 116, dem Ladewiderstand 117 und dem als Arbeitspunktspeicher dienenden Kondensator 118, dessen Lade spannung der Eingangsgrundspannung über eine Verstärkerstufe mit dem Transistor 106 und dem Widerstand 115 zugeführt wird. Wie im Hauptpatent sind auch hier wieder zwei Kondensatoren 120 und 121 zur Verhinderung von Hochfrequenzschwingungen im Verstärker vorgesehen sowie ein Widerstand 122 zur Bestimmung des Arbeitspunktes der Schwellwertdiode 109.If the photocell 101 is through a thick spot, a double thread or like shaded, so the amplifier is as in the device according to Main patent controlled so that the transistor 105 is permeable and a current can flow through the working resistance 100 '. So that the amplifier only reacts suddenly Changes in the basic input value, caused by thick places, double threads or the like, but not responding to slow changes, becomes the initial value of the amplifier at point D kept constant by a controlled system through which the output voltage of the basic input voltage at input terminal E. is counteracted. This controlled system in turn consists of the Zener diode 116, the charging resistor 117 and the capacitor serving as an operating point memory 118, whose charging voltage corresponds to the basic input voltage via an amplifier stage the transistor 106 and the resistor 115 is supplied. As are in the main patent here again two capacitors 120 and 121 to prevent high-frequency oscillations provided in the amplifier and a resistor 122 for determining the operating point the threshold value diode 109.

Bei Inbetriebnahme des bisher beschriebenen Verstärkers muß sich also unter Vernachlässigung der Schwellenspannung der Zenerdiode 116 der als elektrisches Speicherglied dienende Kondensator 118 auf das Potential des Punktes D aufladen. Diese Aufladung erfolgt, wie bereits erwähnt, über den Ladewiderstand 117. Um die erforderliche Zeitverzögerung beim Laden des Kondensators 118 zu erreichen, kann der Ladewiderstand 117 nicht beliebig klein gewählt werden. Zur Beschleunigung der Betriebsbereitschaft des Verstärkers wird gemäß vorliegender Erfindung dem Ladewiderstand 117 ein in Aufladerichtung des Kondensators 118 durchlässiger Richtleiter 160 parallelgeschaltet. Beim E zuhalten des Verstärkers ist der Speicherkondensator 118 noch leer, so daß eine verhältnismäßig hohe Differenzspannung an der als Richtleiter dienenden Germaniumdiode 160 ansteht. Diese Differenzspannung überwindet leicht die Durchlaßschwelle der Germaniumdiode, welche etwa in der Größenordnung von 150 mV liegt. Infolgedessen fließt der Ladestrom ungehindert über die Diode 160 am Ladewiderstand 117 vorbei, so daß der Kondensator 118 in kürzester Zeit aufgeladen ist. Die der Durchlaßschwelle entsprechende Restspannung von etwa 150 mV fließt dann über den Ladewiderstand 117, bis der Regelausgleich erreicht ist. Da, wie bereits erwährt, die üblichen Regelabweichungen beim Betrieb des Verstärkers weit unterhalb der Durchlaßschwelle des Richtleiters 160 liegen, erfolgt dieser Regelausgleich immer über den Ladewiderstand 117 und infolgedessen mit der notwendigen Zeitkonstante.When putting the amplifier described so far into operation, it must be neglecting the threshold voltage of the Zener diode 116 as electrical Charging the storage element serving capacitor 118 to the potential of the point D. As already mentioned, this charging takes place via the charging resistor 117 to achieve the required time delay in charging the capacitor 118, can the charging resistor 117 cannot be chosen to be arbitrarily small. To speed up the According to the present invention, the operational readiness of the amplifier is determined by the charging resistor 117 a directional conductor 160 which is permeable in the charging direction of the capacitor 118 is connected in parallel. When the amplifier is closed, the storage capacitor 118 is still empty, so that a relatively high differential voltage across the germanium diode serving as a directional conductor 160 is pending. This differential voltage easily overcomes the threshold of the Germanium diode, which is about 150 mV. Consequently the charging current flows unhindered via the diode 160 past the charging resistor 117, so that the capacitor 118 is charged in a very short time. That of the threshold corresponding residual voltage of about 150 mV then flows through the charging resistor 117, until the Rule equalization is achieved. As already mentioned, the usual control deviations when operating the amplifier far below the transmission threshold of the directional conductor 160, this control compensation always takes place via the charging resistor 117 and consequently with the necessary time constant.

Im Ausführungsbeispiel des Hauptpatentes lag im Stromkreis des Transistors 105 das die nicht dargestellte Fadentrennvorrichtung auslösende Relais. Wird nun gemäß vorliegender Erfindung der Ladewiderstand 117 des elektrischen Speichergliedes 118 durch einen parallelgeschalteten Richtleiter 160 überbrückt, so können unter ungünstigen Umständen von dem im Stromkreis des Transistors 105 angeordneten Relais bei seinem Schalten Induktionsspannungen ausgelöst werden, die als Störspannungen über den Punkt D in den Regelkreis gelangen und so groß sind, daß sie die Durchlaßschwelle des Richtleiters 160 überschreiten. Um derartige störende Induktionsspannungen im Regel stromkreis zu vermeiden, kann es gemäß der weiteren Erfindung vorteilhaft sein, wenn als Arbeitswiderstand des Verstärkers ein rein Ohm'scher Widerstand 100 dient, dessen Spannungsabfall zur Steuerung einer als Entkopplungsstufe dienenden Verstärkerstufe mit dem Transistor 161 dient.In the embodiment of the main patent was in the circuit of the transistor 105 the relay that triggers the thread cutting device, not shown. Will now according to the present invention, the charging resistor 117 of the electrical storage element 118 bridged by a parallel-connected directional conductor 160, so can under unfavorable circumstances from the relay arranged in the circuit of transistor 105 when it is switched, induction voltages are triggered, which are called interference voltages enter the control loop via point D and are so large that they exceed the threshold of the directional director 160 exceed. To avoid such disturbing induction voltages in the To avoid control circuit, it can be advantageous according to the further invention if the working resistance of the amplifier is a purely ohmic resistance 100 whose voltage drop is used to control a decoupling stage Amplifier stage with transistor 161 is used.

Wie aus dem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung ersichtlich, wird die durch den Spannungsabfall am rein Ohm'schen Widerstand 100' hervorgerufene Ausgangsspannung im Punkte D zur Steuerung eines zusätzlichen pnp-Entkopplungstransistors 161 verwendet.As can be seen from the exemplary embodiment of the present invention, becomes that caused by the voltage drop at the purely ohmic resistor 100 ' Output voltage at point D for controlling an additional pnp decoupling transistor 161 used.

Der Bezugspunkt dieses Transistors 161 liegt also am Potential der Klemme A. Das die Fadentrennvorrichtung auslösende Relais 100" liegt im Emitterkreis dieses Transistors 161. Infolgedessen ist diese Entkopplungsstufe ein Emitterfolger, so daß unter Vernachlässigung der Basis-Emitter-Schwelle von ca. 150 mV die am Relais 100"anstehende Spannung gleich der am Arbeitswiderstand 100' des Verstärkers anstehenden Spannung ist, die an dem Meßgerät 140 abgelesen werden kann.The reference point of this transistor 161 is therefore at the potential of the Terminal A. The relay 100 ″ which triggers the thread cutting device is in the emitter circuit this transistor 161. As a result, this decoupling stage is an emitter follower, so that neglecting the base-emitter threshold of approx. 150 mV that at the relay 100 "voltage is equal to the voltage applied to the amplifier's load resistor 100 ' Is voltage that can be read on meter 140.

Eine Diode 162 dient zur Verhinderung von Induktionsspannungsspitzen am Relais 100".A diode 162 is used to prevent induction voltage peaks at relay 100 ".

Im Ausführungsbeispiel erkennt man weiterhin einen Richtleiter 159, welcher gemäß einem älteren Vorschlag einen Rückstrom von dem Speicherkondensator 118 über die Zenerdiode 116 verhindert. Außerdem ist die Zenerdiode 116 durch einen Widerstand 158 zusätzlich belastet, welcher parallel zum Ladestromkreis des gondensators 118 mit dem Widerstand 117 und den Dioden 159 und 160 geschaltet ist. Dadurch wird verhindert, daß der Kondensator 118 durch die bei Zenerdioden unvermeidbaren Leckströme in der Nähe der Durchbruchschwelle zusätzlich aufgeladen und damit der Grundarbeitspunkt des Verstärkers verfälscht wird. Diese Leckströme werden nämlich nunmehr über den Belastungswiderstand 158 abgeleitet.In the exemplary embodiment one can also see a directional guide 159, which according to an older proposal a reverse current from the storage capacitor 118 prevented via the Zener diode 116. In addition, the zener diode 116 is through a Resistor 158 is additionally loaded, which is parallel to the charging circuit of the capacitor 118 is connected to resistor 117 and diodes 159 and 160. This will prevents that the capacitor 118 is unavoidable in Zener diodes Leakage currents near the breakdown threshold are additionally charged and thus the The basic operating point of the amplifier is falsified. Namely, these leakage currents are now derived via the load resistor 158.

Schließlich unterscheidet sich auch das Ausführungsbeispiel nach vorliegender Anmeldung gegenüber dem-3enigen nach der Hauptanmeldung noch dadurch, daß für die Fotozelle 101 eine solche gewählt wurde, die sehr niederohmig ist. Um dennoch eine vom Schaltzustand des Transistors 103 unabhängige Charakteristik der Fotozelle 101 zu erhalten, ist ein hochohmiger Vorlastwiderstand 163 vorgesehen.Finally, the exemplary embodiment according to the present invention also differs Registration towards the-3enigen after the main registration by the fact that for the Photo cell 101 was chosen that is very low resistance. To still one Characteristic of photocell 101 independent of the switching state of transistor 103 To obtain a high-value preload resistor 163 is provided.

Claims (2)

PatentansPrüche 1. Vorrichtung zur Uberwachung des Fadens einer Textilmaschine mit einer Meßvorrichtung, die beim Auftreten von Dickstellen, Mehrfachfäden oder dergleichen einem Grundwert überlagerte elektrische Impulse erzeugt, welche zur Auslösung einer die Weiterverarbeitung des Fadens verhindernden Vorrichtung dienen, wobei die elektrischen Impulse einem Gleichspannungsverstärker zugeführt sind, dessen Ausgangs spannung bei Änderungen der Eingangsgrundspannung auf konstante Größe geregelt wird und Jede auf einer Änderung der Eingangsgrundspannung beruhende Schwankung der Ausgangsspannung über ein spannungsdifferenzbildendes Bauelement einem elektrischen Speicherglied zugeführt ist, dessen Spannung der Eingangsgrundspannung entgegengeschaltet ist, nach Patent ... (Anmelgung R 36 246 IXb/42k - 0692), dadurch gekennzeichnet, daß einem im Ladestromkreis des elektrischen Speichergliedes (118) angeordneten Ladewiderstand (117) ein in Aufladerichtung durchlässiger Richtleiter (160) parallelgeschaltet ist. Claims 1. Device for monitoring the thread of a textile machine with a measuring device that, when thick spots, multiple threads or like a basic value superimposed electrical pulses generated which for Triggering a device preventing further processing of the thread is used, wherein the electrical pulses are fed to a DC voltage amplifier, the Output voltage regulated to a constant value when the basic input voltage changes becomes and Any fluctuation due to a change in the fundamental input voltage the output voltage via a voltage difference-forming component to an electrical one Storage element is supplied, the voltage of which is connected opposite to the basic input voltage is, according to patent ... (application R 36 246 IXb / 42k - 0692), characterized that one arranged in the charging circuit of the electrical storage element (118) Charging resistor (117) a directional conductor (160) that is permeable in the charging direction is connected in parallel is. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Arbeitswiderstand des Verstärkers ein rein Ohm'scher Widerstand (100') dient, dessen Spannungsabfall zur Steuerung einer als Entkopplungsstufe dienenden Verstärkerstufe (161) dient.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the working resistance of the amplifier is a purely ohmic resistor (100 ') whose voltage drop is used serves to control an amplifier stage (161) serving as a decoupling stage.