DE1573178C - Vorrichtung zum thermoelektrischen Messen von Temperaturen - Google Patents
Vorrichtung zum thermoelektrischen Messen von TemperaturenInfo
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Description
1 2 .
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum thermo- einer bestimmten Beziehung zur Temperatur der
elektrischen Messen von Temperaturen, unter Ver- heißeren Elektrode bzw. des Mediums oder Meßraums
wendung von Sinterkörpern aus halbleitenden Stoffen stehende Thermospannung ausbildet,
und von metallischen Leitern als Thermoelemente; sie Im einzelnen erfolgt die Temperaturmessung mit
beruht auf der bekannten Erscheinung, daß sich auch 5 einer solchen Vorrichtung in der Weise, daß die EMK
in Halbleitern beim Vorhandensein eines Temperatur- zwischen den in den Halbleiter eingebetteten beiden
gefälles eine elektromotorische Kraft (EMK), die metallischen Elektroden, von denen die eine bis in den
sogenannte Thermokraft, ausbildet. Meßraum hineinragt und die andere außerhalb des
Erhitzt man beispielsweise in einem Ofen einen Stab Meßraums liegt, stromlos gemessen, durch den beaus
gesintertem Chromoxyd, in dessen Enden zwei i° kannten oder zuvor ermittelten Temperaturkoeffizienmetallische
Elektroden hineinragen, in der Weise, daß ten EMK/°C für den betreffenden Halbleiter dividiert
die Temperatur des einen Stabendes 13000C beträgt, und zu der gemessenen Bezugstemperatur an der
während die Temperatur des anderen Stabendes bei außerhalb des Meßraums liegenden Elektrode addiert
800° C liegt, so wird bei stromloser Messung auf Grund wird. Als Halbleiter für die Vorrichtung nach der Erder
5000C betragenden Temperaturdifferenz eine EMK 15 findung kommen in erster Linie Überschußleiter
von 305 mV gemessen. Herrscht an den beiden Stab- (η-Leiter) und Defektleiter (p-Leiter) in Frage, da bei
enden die gleiche Temperatur, so ist die Thermo- Eigenhalbleitern keine Thermokraft auftritt, sofern die
spannung Null, während sie in dem angegebenen Tem- Beweglichkeit der Überschuß- und Defektelektronen
peraturbereich mit zunehmender Temperaturdifferenz gleich groß ist. Unstöchiometrie ruft bekanntlich stets
zwischen den beiden Stabenden linear ansteigt, d. h. 2° entweder Überschuß- oder Defektleitungen hervor,
der Temperaturkoeffizient EMK/°C ist konstant und Eigenhalbleiter sind dagegen stöchiometrisch zubeträgt
beispielsweise für den erwähnten Temperatur- sammengesetzt, können aber durch Zusätze von beibereich
0,61 mV/°C. Er läßt sich durch stromlose spielsweise Oxyden in an sich bekannter Weise zu
Messung der Thermokraft und Änderung der Tem- Defekt- oder Überschußleitern gemacht werden,
peraturdifferenz zwischen der heißeren und kälteren 25 Ob durch einen Oxydzusatz zu einem Eigenhalb-Elektrode für jeden Halbleiter ohne weiteres ermitteln. leiter ein Defekt- oder ein Überschußleiter entsteht, Bei Überschußleitern, sogenannten η-Leitern, ist dabei hängt von der Wertigkeit des zugesetzten Oxyds ab. jeweils die heißere Elektrode positiv, während bei So ergeben sich beispielsweise beim Chrom(IIl)- oder Defektleitern, sogenannten p-Leitern, die heißere Aluminiumoxyd durch einen geringen Zusatz zwei-Elektrcde negativ ist, da die Elektronen stets von den 3° wertiger Oxyde, wie Magnesiumoxyd, Defektelek-Bereichen höherer Konzentration zu Bereichen niedri- tronen, während durch den Zusatz vierwertiger Oxyde, gerer Konzentration wandern.. wie Titanoxyd, Überschußelektronen erzeugt werden.
peraturdifferenz zwischen der heißeren und kälteren 25 Ob durch einen Oxydzusatz zu einem Eigenhalb-Elektrode für jeden Halbleiter ohne weiteres ermitteln. leiter ein Defekt- oder ein Überschußleiter entsteht, Bei Überschußleitern, sogenannten η-Leitern, ist dabei hängt von der Wertigkeit des zugesetzten Oxyds ab. jeweils die heißere Elektrode positiv, während bei So ergeben sich beispielsweise beim Chrom(IIl)- oder Defektleitern, sogenannten p-Leitern, die heißere Aluminiumoxyd durch einen geringen Zusatz zwei-Elektrcde negativ ist, da die Elektronen stets von den 3° wertiger Oxyde, wie Magnesiumoxyd, Defektelek-Bereichen höherer Konzentration zu Bereichen niedri- tronen, während durch den Zusatz vierwertiger Oxyde, gerer Konzentration wandern.. wie Titanoxyd, Überschußelektronen erzeugt werden.
Es sind Halbleiterkörper der verschiedensten Zu- Außer den genannten kommen noch eine Reihe an-
sammensetzung und Ausbildung für thermoelektrische derer Halbleiter in Frage, beispielsweise die oxydischen
Einrichtungen und auch durch Sintern hergestellte, 35 Verbindungen des 2-3- bzw. 4-2-SpineIl-Typs wie
thermoelektrische Legierungen aus den verschieden- MgO · Al2O3, ZnO · Al2O3, MgO · Cr2O3, NiO · Cr2O3,
sten Metallen und einem Chalkogen bekannt. CdO · Cr2O3 und 2MgO - TiO2, 2CaO · TiO2. Da die
Ferner sind auch bereits Temperaturmeßvorrich- Leitfähigkeit von oxydischen Eigenhalbleitern unablungen
mit Thermoelementen aus gesinterten Halb- hängig vom Sauerstoffpartialdruck ist, bei oxydischen
teiterkörpern bekannt, doch haften diesen Vorrich- 40 η-Leitern die Leitfähigkeit jsdoch mit dem Sauerstofftungen
Nachteile hauptsächlich hinsichtlich ihres Auf- partialdruck abnimmt, während bei oxydischen p-Leibaues
und ihrer Verwendbarkeit für bestimmte Meß- tern die Leitfähigkeit zunimmt, werden die vorgenannzwecke,
insbesondere für die Messung hoher Tempe- ten Halbleiter besonders dann bevorzugt, wenn an den
raturen, wie sie in Stahlwerken beispielsweise bei der Elektroden unterschiedliche Sauerstoffpartialdrücke
Messung von Stahlschmelzen u. dgl. auftreten, an. 45 auftreten. An dem Spinell MgO · Cr2O3 konnte näm-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine in lieh festgestellt werden, daß seine Thermokraft von
ihrem Aufbau besonders zweckmäßige und vielseitig 0,61 mV/°C selbst dann unverändert blieb, wenn
einsetzbare Vorrichtung zum Messen insbesondere zwischen den Elektroden ein Unterschied des Sauerhoher Temperaturen, wie sie beispielsweise in der stoffpartialdrucks von bis zu 105 Atmosphären, d. h.
Schmelzmetallurgie auftreten, zu schaffen. 5° beispielsweise an der kälteren Elektrode 1 und an der
Diese Aufgabe findet ihre Lösung, ausgehend von heißeren Elektrode 10~5 Atmosphären herrschten,
einer Vorrichtung der eingangs erwähnten Art, gemäß Unter den für die erfindungsgemäße Vorrichtung in der Erfindung dadurch, daß in einen Sinterkörper aus Frage kommenden Halbleitern haben sich insbesondere halbleitendem Stoff zwei metallische Leiter eingebettet solche Stoffe als besonders vorteilhaft erwiesen, die sind, von denen der eine sich bis zum vorderen Ende 55 einen spezifischen Widerstand von 1010 bis 102 Ohm · des Sinterkörpers erstreckt (heißere Elektrode), wäh- cm im Temperaturbereich zwischen der Bezugstemperend der andere im Abstand davon endet (kältere ratur an der kälteren Elektrode und der zu messenden Elektrode) und der Schenkel eines im Sinterkörper ein- Temperatur besitzen. Da beispielsweise mit l°/0Bor gebetteten Thermoelementes ist, und daß zwischen die verunreinigtes Silizium ein Defektleiter ist, der im von den metallischen Leitern gebildeten beiden Elek- 6° Temperaturbereich von 200 bis —2000C einen spezitrcden ein Röhrenvoltmeter und zwischen die beiden fischen Widerstand von etwa 10" Ohm · cm besitzt, Schenkel des Thermoelementes ein Millivoltmeter läßt sich das Verfahren nach der Erfindung nicht nur geschaltet ist. Bei dieser Vorrichtung ragt also nur die zur Messung hoher Temperaturen, sondern auch zur heißere der beiden Elektroden in das Medium bzw. den Tieftemperaturmessung benutzen.
Meßraum hinein, dessen Temperatur es festzustellen 65 Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Temperaturgilt, während die kältere Elektrode in einem eine ge- messung wird nachfolgend an Hand eines in der ringere Temperatur bedingenden Abstand von der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher heißeren Elektrode angeordnet ist, so daß sich eine in erläutert. In der Zeichnung zeigt
einer Vorrichtung der eingangs erwähnten Art, gemäß Unter den für die erfindungsgemäße Vorrichtung in der Erfindung dadurch, daß in einen Sinterkörper aus Frage kommenden Halbleitern haben sich insbesondere halbleitendem Stoff zwei metallische Leiter eingebettet solche Stoffe als besonders vorteilhaft erwiesen, die sind, von denen der eine sich bis zum vorderen Ende 55 einen spezifischen Widerstand von 1010 bis 102 Ohm · des Sinterkörpers erstreckt (heißere Elektrode), wäh- cm im Temperaturbereich zwischen der Bezugstemperend der andere im Abstand davon endet (kältere ratur an der kälteren Elektrode und der zu messenden Elektrode) und der Schenkel eines im Sinterkörper ein- Temperatur besitzen. Da beispielsweise mit l°/0Bor gebetteten Thermoelementes ist, und daß zwischen die verunreinigtes Silizium ein Defektleiter ist, der im von den metallischen Leitern gebildeten beiden Elek- 6° Temperaturbereich von 200 bis —2000C einen spezitrcden ein Röhrenvoltmeter und zwischen die beiden fischen Widerstand von etwa 10" Ohm · cm besitzt, Schenkel des Thermoelementes ein Millivoltmeter läßt sich das Verfahren nach der Erfindung nicht nur geschaltet ist. Bei dieser Vorrichtung ragt also nur die zur Messung hoher Temperaturen, sondern auch zur heißere der beiden Elektroden in das Medium bzw. den Tieftemperaturmessung benutzen.
Meßraum hinein, dessen Temperatur es festzustellen 65 Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Temperaturgilt, während die kältere Elektrode in einem eine ge- messung wird nachfolgend an Hand eines in der ringere Temperatur bedingenden Abstand von der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher heißeren Elektrode angeordnet ist, so daß sich eine in erläutert. In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine Vorrichtung zur Temperaturmessung nach der Erfindung,
F i g. 2 eine Vorrichtung zur Ermittlung des Temperaturkoeffizienten
von Halbleitern und
F i g. 3 und 4 die Abhängigkeit der EMK von der Temperaturdifferenz zwischen heißerer und kälterer
Elektrode für verschiedene Halbleiter.
In einem stabförmigen Sinterkörper 5 aus halbleitendem Stoff sind zwei metallische Leiter 6 und 7
eingebettet, von denen sich der eine bis zum vorderen Ende des Sinterkörpers 5 erstreckt und die heißere
Elektrode bildet, während der andere metallische Leiter im Abstand davon endet und demzufolge die
kältere Elektrode ist. Die kältere Elektrode 7 stellt gleichzeitig den einen Schenkel eines Thermoelementes
dar, wobei zwischen diesen und dem anderen Schenkel 8 ein Millivoltmeter 9 geschaltet ist. Weiterhin
ist zwischen die beiden Elektroden 6 und 7 für die stromlose Messung der EMK ein Röhrenvoltmeter 10
geschaltet.
Die in F i g. 2 dargestellte Vorrichtung zur Ermittlung des Temperaturkoeffizienten EMK/0 C besteht
aus einem stabförmigen Halbleiter 11, in den im Abstand voneinander die beiden Elektroden 12 und 13
eingebettet sind, die zusammen mit den Schenkeln 14 und 15 sowie den beiden Millivoltmetern 16 und 17 je
ein Thermoelement bilden. Die beiden Elektroden 12, 13 sind über ein Röhrenvoltmeter 18 zur stromlosen
Messung der EMK miteinander verbunden.
Herrscht an dem einen Ende des Stabes 11 die Temperatur T1 und an dem anderen Stabende die Temperatur
T2, wobei T1 größer als T2 ist, so ergibt sich
daraus ein Potentialunterschied, der mittels des Röhrenvoltmeters 18 gemessen wird und dessen Stärke
von dem Temperaturgefälle zwischen der Elektrode 12 und der Elektrode 13 bzw. der Temperaturdifferenz
(T1 — T2) abhängig ist.
Durch Veränderung von T1 und/oder T2 kann die
jeder Temperaturdifferenz entsprechende EMK gemessen werden. Trägt man die für das Chrom(III)-oxyd
gemessene Thermospannung (EMK) gegen die Temperaturdifferenz Δ T (T1 — T2) in einem Koordinatensystem
auf, so ergibt sich eine Gerade gemäß F i g. 3. Ähnliche Diagramme lassen sich unter Benutzung
der Vorrichtung nach F i g. 2 beispielsweise auch für stabilisiertes Zirkonoxyd sowie den Spinell
MgO · Cr2O3 aufstellen (F i g. 4). Handelt es sich bei
der Abhängigkeit der Thermospannung von der Temperaturdifferenz um eine lineare Funktion, dann stellt
der Temperaturkoeffizient EMK/° C eine Konstante dar und läßt sich an Hand der gewonnenen Meßdaten
ohne weiteres ermitteln. Bei konstantem Temperaturkoeffizienten ergibt sich die Temperatur des Meßraumes
bzw. des Medium nach der Gleichung
55 Die Temperatur T2 der kälteren Elektrode wird
dabei am Millivoltmeter 9 abgelesen, während sich der Wert Δ T an Hand der am Röhrenvoltmeter 10 abgelesenen
EMK aus den F i g. 3 und 4 entsprechenden Diagrammen für den betreffenden Halbleiter ablesen
läßt.
Mit einer der F i g. 1 entsprechenden Vorrichtung wurde die Temperatur im Innern eines mit einem
Korundrohr ausgekleideten Tammannofens gemessen. Dabei ragte ein Meßstab aus gesintertem stabilisiertem
Zirkonoxyd, in den ein durchgehender metallischer Leiter aus Pt-Rh-Draht (heißere Elektrode) eingesintert
sowie in eine Bohrung ein Pt-Rh-18-Thermoelement bis zum Boden der Bohrung eingeführt war, in das
Ofeninnere hinein. Zwischen die Schenkel des Thermoelementes war ein Millivoltmeter und zwischen die
beiden Elektroden ein Röhrenvoltmeter geschaltet. Dabei wurde zwischen dem durchgehenden Leiter
(heißere Elektrode) und dem aus der gleichen Legierung bestehenden Schenkel (kältere Elektrode) des Thermoelementes
eine Thermospannung (EMK) von 392 mV gemessen, während am Millivoltmeter 9 eine Bezugstemperatur T2 von 930° C abgelesen wurde. Der Temperaturkoeffizient
EM K/0C des stabilisierten Zirkonoxyds war zuvor mit 0,45 mV/° C ermittelt worden. Die
Ofentemperatur konnte auf Grund der obsn angegebenen Gleichung ohne weiteres errechnet werden
und ergab sich zu:
T1 = 930 + -
392
T — T -4- -E~?_Ü?J_
1 2^ EMK/0 C '
1 2^ EMK/0 C '
Die Temperatur T2 kann am Millivoltmeter 9 und
die Thermospannung EMKgera. am Röhrenvoltmeter
10 abgelesen werden, während der Temperaturkoeffizient EMK/° C aus den entsprechenden Meßkurven
(vgl. F i g. 3, 4) bekannt ist. Bei nicht linearer Abhängigkeit zwischen Temperaturdifferenz Δ T und der
Thermospannung ergibt sich die zu messende Temperatur nach der Gleichung:
T1 = T2 + Δ Τ.
0,45
= 930 + 870
= 18000°C
= 930 + 870
= 18000°C
Vergleichsmessungen der Ofentemperatur T1 mit
einem Thermoelement ergaben mit einer Abweichung von ±5OC Übereinstimmung mit dem durch die erfindungsgemäße
Vorrichtung bestimmten Wert für die Temperatur T1.
Bei einem anderen Versuch wurde ein aus dem Spinell MgO · Cr2O3 gesinterter und entsprechend
F i g. 1 mit zwei Elektroden und einem Thermoelement ausgestatteter Meßstab in eine Weicheisenschmelze
eingetaucht. Die Bezugstemperatur T2 betrug in diesem Falle 12000C und die am Röhrenvoltmeter
10 abgelesene EMK 287 mV, so daß sich die Temperatur der Schmelze T1 unter Berücksichtigung
des zuvor mit 0,61 mV/°C bestimmten Temperaturkoeffizienten des Spinells zu 16700C ergab. Vergleichsmessungen mit einem Tauchthermoelement ergaben
eine mit dem errechneten Wert übereinstimmende Temperatur bei einer Fehlerabweichung von ±50° C.
Die Vorrichtung nach der Erfindung eignet sich besonders gut zur Messung sehr hoher Temperaturen
unter Verwendung hochfeuerfester Halbleiter auf oxydischer Grundlage. Sie ist in besonderem Maße zur
kontinuierlichen Temperaturmessung von Metall-, insbesondere von Eisen- und Stahlschmelzen geeignet,
wobei der vordere Teil des Meßstabes mit der heißeren Elektrode in die Schmelze eintaucht, so daß sich die
Temperaturveränderung der Schmelze während eines ganzen Verfahrensschrittes verfolgen läßt. Selbst wenn
dabei ein Teil des Stabes abgeschmolzen wird, leidet die Temperaturmessung darunter nicht, da die Thermospannung
unabhängig von der Länge der Elektroden und deren Abstand ist.
Claims (2)
1. Vorrichtung zum thermoelektrischen Messen von Temperaturen, insbesondere zum Messen hoher
Temperaturen, unter Verwendung von Sinterkörpern aus halbleitenden Stoffen und metallischen
Leitern als Thermoelement, dadurch gekennzeichnet, daß in einen Sinterkörper (5)
aus halbleitendem Stoff zwei metallische Leiter (6, 7) eingebettet sind, von denen der eine (6) sich bis
zum vorderen Ende des Sinterkörpers (5) erstreckt (heißere Elektrode), während der andere (7) im Abstand
davon endet (kältere Elektrode) und der Schenkel eines im Sinterkörper eingebetteten Thermoelementes
(7, 8) ist, und daß zwischen die von den metallischen Leitern (6, 7) gebildeten beiden
Elektroden ein Röhrenvoltmeter (10) und zwischen die beiden Schenkel (7, 8) des Thermoelementes
ein Millivoltmeter (9) geschaltet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterkörper (5) aus einem halbleitenden Stoff mit einem spezifischen Widerstand
von 1010 bis 102 Ohm · cm im Temperaturbereich zwischen der Bezugstemperatur und der zu messenden
Temperatur hergestellt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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