DE1487797C3 - Transistorschaltung zur Erzeugung von unipolaren Ausgangssignalen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung zur Erzeugung von unipolaren Ausgangssignalen an einem Kollektoranschluß eines Transistors in Abhängigkeit von bipolaren Eingangssignalen.

Bei der Nachrichtenübertragung und Datenverarbeitung findet sich oft das Problem der Ableitung von Informationen aus in analoger und bipolarer Form auftretenden elektrischen Signalen, insbesondere Impulsen. Die Impulse werden dabei im allgemeinen infolge der Dämpfung in den durchlaufenden Schaltkreisen sowie durch auftretende Störsignale, z. B. das unvermeidliche Rauschen, verzerrt und können so Anlaß zu Fehlinformationen geben. Zur Verminderung dieser Fehlermöglichkeit werden allgemein Schwellwert- und Scheitelwert-Detektoren verwendet. Die Form der anfallenden Eingangsimpulse weist im allgemeinen einen Anstieg von Null bis zum Scheitelwert mit anschließendem Abfall zum Ausgangswert auf. Dabei schwanken zwar die Scheitelwerte innerhalb einer Impulsserie im allgemeinen in weiten Grenzen, wobei jedoch der Zeitpunkt des Scheitelwertes für alle Impulse annähernd mit dem halben Wert der Impulsdauer zusammenfällt. Aus denjenigen Impulsen, welche den Schwellwert überschreiten, leiten die üblichen Detektoren Ausgangsimpulse definierter Form ab. Diese weisen gegenüber den Eingangsimpulsen eine Anfangsverzögerung auf,

ίο die im wesentlichen der Zeitdauer vom Anstiegsbeginn der Eingangsimpulse bis zum Erreichen des Schwellwertes entspricht und demgemäß von Form und Größe der Eingangsimpulse, insbesondere auch von der Steilheit der Anstiegsflanken abhängt. Die von den Eingangsimpulsen unterschiedlicher Form und Größe herrührenden Ausgangsimpulse stimmen jedoch hinsichtlich des Zeitpunktes ihres Scheitelwertes mit der halben Impulsdauer der zugehörigen Eingangsimpulse überein. Die Regenerierung der ursprünglichen Information in Gestalt von Impulsen mit in bezug auf die Eingangsimpulse übereinstimmender Zeitlage innerhalb ihrer Intervalle erfordert daher die Verwendung von Scheitelwert-Detektoren' ', für die Regenerierung zugrunde liegenden Ausgangsimpulse der Schwellwert-Detektoren. Hierzu werden bei einer bekannten Anordnung (französische Patentschrift 1 423 540) die bipolaren Eingangssignale einer Vollweggleichrichtung unterzogen und einer nachfolgenden Schaltung zugeführt, welche nur auf unipolare Signale anspricht. Die hierzu verwendeten antiparallelen Gleichrichter sind mit den beiden Eingangsklemmen eines ohmschen Spannungsteilers verbunden, dessen Mittelabgriff zu der nachfolgenden Schaltung führt. Der Spannungsteiler verursacht jedoch eine Dämpfung der gleichgerichteten Eingangssignale, so daß Signale mit geringem Pegel in unerwünschter Weise nahezu vollständig unterdrückt werden. Zur Vermeidung dieses Nachteils ist es ferner bekannt (USA.-Patentschrift 3 054 068), gleich, zeitig mit der Vollweggleichrichtung eine Signalverstärkung in der Weise vorzunehmen, daß der Basis eines in Emitterschaltung angeordneten Transistors die eine Halbwelle des Eingangssignals und dem Emitter des Transistors die andere Halbwelle des \ Eingangssignals zugeführt wird. Durch diese Ansteuerung arbeitet der Transistor für die eine Signalpolarität als Verstärker in Emitterschaltung und für die andere Signalpolarität als Verstärker in Basisschaltung. Da indessen die Arbeitspunkte des Transistors bei den beiden genannten Betriebsarten ungleich sind, werden die jeweiligen Eingangssignalhalbwellen unterschiedlich verstärkt, so daß die Signalamplitude des unipolaren Ausgangssignals schwankt. Weiterhin sind bei der bekannten Anordnung die der Basis bzw. dem Emitter des Transistors vorgeschalteten Dioden bei Fehlen von Eingangssignalen auf unterschiedlichen Potentialen vorgespannt, so daß eine unsymmetrische Gleichrichtung der Eingangssignalhalbwellen auftritt.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Anordnung zur Erzeugung von verstärkten unipolaren Ausgangssignalen aus bipolaren Eingangssignalen zu schaffen, bei welcher eine besonders genaue Vollweggleichrichtung und Verstärkung der bipola-

ren Eingangssignale auf einfache Weise ermöglicht ist.

Die Aufgabe wird bei einer Transistorschaltung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß ein

Richtleiter zur Übertragung von Eingangssignalen einer ersten Polarität zu der Basis des Transistors sowie ein weiterer Richtleiter zur Übertragung von Eingangssignalen einer zweiten Polarität zu dem Emitter des Transistors, ein Emitterkreis-Widerstand und mit der Basis des Transistors ein Basiskreis-Widerstand verbunden ist, daß diese beiden Widerstände im wesentlichen gleich groß bemessen sind und daß der Basiskreis-Widerstand derart bemessen

auf jeden Impuls mit einer Schwingung antwortet. Diese Darstellung gilt für die spezielle Aufzeichnungsform des Beispielsfalls, jedoch sind selbstverständlich grundsätzlich auch andere Aufzeichnungsformen anwendbar. Die bipolaren Analogsignale gemäß F i g. 4 werden über einen Verstärker 24 dem Detektor 25 zugeführt, welcher der binären Eins entsprechende Rechteckimpulse sowie der binären Null entsprechende Impulslücken liefert. Die Ansprech-

ist, daß der Transistor in Abwesenheit von Eingangs- io schwelle des Detektors ist in F i g. 4 durch die Sisignalen in einem Leitzustand vorgespannt ist. gnalspannung Vt angedeutet. Nach Vollweggleich

richtung ergeben sich aus den diesen Schwellwert in beiden Polaritäten übersteigenden Signalspannungen die unipolaren Impulse gemäß Fig. 5. Durch Differenzierung werden hieraus wiederum bipolare Impulse gemäß F i g. 6 abgeleitet, deren Durchgang an einem Bezugspotential Vq zeitlich mit dem Spitzenwert der Signale nach Fig. 4 zusammenfällt. In Ab-

. hängigkeit von diesem Durchgang leitet der Detektor

b) die Transistorschaltung einen in Emitterschal- ₂₀ Rechteckimpulse ab, deren Eingangsflanken mit den tung angeordneten Transistor enthält, Spitzenzeitpunkten der zugehörigen Eingangssignale .

synchronisiert ist und deren Dauer vom Eingangssignal unabhängig vorgegeben ist.

In Fig. 2 ist die Schaltung des Detektors 25 im ^e _A ^inzf.!^{nen aaT}ff^ll}l ^V?* ^. f⁵ Schwellwert-^Auslosu«8 ^und _f ^die Vollweggle^hnchtung ein mit nur einem Transistor arbeitender Gleichrichter 26 vorgesehen. Der Eingang des Gleichrichters 26 ist mit

g g dem Ausgang der Geberschaltung 20 über einen

zur Erzeugung von Ausgangsimpulssignalen an ₃₀ Koppelkondensator C1 verbunden, an welchen sich seinem Kollektor vorgesehen ist, wobei die Aus- eine Diode D1 als Leitverbindung für die positiven gangsimpulssignale in Abhängigkeit von jedem Eingangsimpulse zum Basisanschluß 30 des NPN-differenzierten unipolaren Ausgangssignal gleich- Transistors Ql anschließt. Die Basis des Transistors zeitig mit den Scheitelwerten der Eingangssignale ist über einen Widerstand R 3 mit einem Bezugsauftreten und ein Potential besitzen, welches ₃₅ potential verbunden, wofür im Beispielsfall Massegrößer als das Bezugssignal ist. potential vorgesehen ist. Die Basis ist ferner über Die erfindungsgemäße Transistorschaltung ermög- einen Widerstand R 4 mit dem Punkt 31 des Kolleklicht auf Grund der Übereinstimmung der Basiskreis- torkreises verbunden. Der Emitteranschluß 32 ist und Emitterkreis-Widerstände in Verbindung mit über die Reihenschaltung eines Widerstandes R 6 und einer Vorspannung des Transistors in einen Leit- 40 einer Diode D 3 mit Masse verbunden. Die Leitverzustand bei Abwesenheit von Eingangssignalen eine bindung für negative Eingangsimpulse zum Emitteranschluß 32 wird durch eine Diode D 2 gebildet, die zwischen dem Koppelkondensator C1 und einem Punkt des Emitterkreises zwischen Widerstand R 6 45 und Diode D 3 angeschlossen ist. Beide Dioden D1 und D 2 sind durch Widerstände R1 bzw. R 2 über

In vorteilhafter Weise ist mit dem Kollektor des Transistors eine induktive Differenzierschaltung zur Bildung des zeitlichen Differentialkoeffizienten der unipolaren Ausgangssignale verbunden.

In Ausgestaltung der Erfindung wird vorgeschlagen, daß

a) jedes Eingangssignal einen Scheitelwert besitzt,

c) einen Widerstand zur Übertragung der differenzierten Signale zu der Basis des in Emitterschaltung angeordneten Transistors vorgesehen ist,

d) eine Diode zur Übertragung eines Bezugspotentials zu dem Emitter des in Emitterschaltung angeordneten Transistors vorgesehen ist,

e) der in Emitterschaltung angeordnete Transistor

brückt. Die beiden letztgenannten Widerstände bilden einen . Spannungsteiler zwischen dem Basisanschluß 30 und der Anode der Diode D 3.

Der durch die Widerstände R 3/R 4 gebildete Spannungsteiler ist so bemessen, daß die Basis-Emitterdiode des Transistors Q1 und die Diode Z) 3 in Abwesenheit eines Eingangssignals nur vernachlässigbar geringen Strom führen. Der Widerstand R 6 im Emit-

besonders genaue Vollweggleichrichtung und Verstärkung der bipolaren Eingangssignale, so daß die unipolaren Ausgangssignale gleiche Amplituden und Silnagabstände aufweisen.

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden an Hand des in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigt ""'"'

Fig. 1 das Gesamt-Blockschaltbild einer Geberschaltung mit Informationsspeicher und nachgeschaltetem Detektor für bipolare Signale,

F i g. 2 das Einzelschaltbild des Detektors mit der erfindungsgemäßen Transistorschaltung und Fig. 3 bis 10 ein Impulsplan zur Erläuterung der

Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Transistor- 55 terkreis ist gleich dem Widerstandswert der Parallelschaltung, schaltung von Ri und R4 bemessen, während Rl

Nach Fig. 1 umfaßt die Geberschaltung20 einen und R2 untereinander gleich sowie groß im Ver-Lesekopf 22 mit Lesewicklung 23, worüber in einer gleich zum Widerstandswert der Parallelschaltung Richtungswechselschrift gemäß Fig. 3 aufgezeich- von R3 und R4 sind. In Parallelschaltung zu R3 nete Informationen von einem Magnetband 21 ab- 60 und R4 sind Rl und R2 somit vernachlässigbar, gelesen werden. Bei der Richtungswechselschrift nach Am Verbindungspunkt von Al und R2 stellt sich Fig. 3 sind die binären Werte der Aufzeichnung je- ein Potential ein, welches etwa in der Mitte zwischen weils durch einen vorhandenen bzw. nicht vorhan- dem Basispotential und dem Emitterpotential des denen Flußwechsel beliebiger Richtung im Aufzeich- Transistors Ql liegt, und zwar unabhängig von dem nungsträger dargestellt. Die durch den Flußwechsel 65 über den Kondensator C1 und die Dioden Dl und entsprechend einer binären Eins in der Lesespule D 2 fließenden Leckstrom.

induzierte Impulse werden einem Schwingungs- Der Kollektoranschluß 33 des Transistors Q1 ist

Speicherkreis 27 zugeführt, welcher gemäß F i g. 4 über in Reihe geschaltete Widerstände R1 und R 8

mit dem Anschluß 35 einer gegen Masse geschalteten Gleichstromquelle verbunden. Parallel zu R 7 und R 8 liegt die Reihenschaltung eines Widerstandes R 9 und einer InduktivitätLl, die in dem bereits erwähnten Schaltungspunkt 31 miteinander verbunden sind.

Wenn von der Geberschaltung 20 ein positives Eingangssignal über Cl und Dl zum Basisanschluß 30 des Transistors Q1 gelangt, so wird letzterer als Emitterschaltung im linearen Teil seiner dynamischen Kennlinie ausgesteuert. Der Kollektoranschluß 33 wird auf festem Potential Vq zwischen Masse und dem Anschluß 35 gehalten. Ein Emitterstrom wird in Richtung des Pfeils 40 in F i g. 2 durch den Widerstand R 6 und die in Leitrichtung beaufschlagte Diode D 3 getrieben, so daß R 6 praktisch einseitig an Masse liegt. Gleichzeitig ist die Diode D 2 und damit die unmittelbare Verbindung zwischen Eingang und Emitterkreis gesperrt.

Die Basis-Eingangsimpedanz eines ausgangsseitig kurzgeschlossenen Transistors in Emitterschaltung für geringe Aussteueramplituden ist gegeben durch die Beziehung Z_Bln = (1 + ß) · Re, wobei β der Stromverstärkungsfaktor eines Transistors in Emitterschaltung ist und Werte von 30 oder mehr aufweist, während Re der Emitterwiderstand des Transistors ist. Ferner gilt die ebenfalls bekannte Beziehung

Z_Bin = r,_e = r_b + —£— = r_b + r/ ■ (1 + β)

¹~^a

mit r/ — R_c + ^

(s. »Principles and Applications of Electron Devices« von Paul D. Ankrum, International Textbook Company, 1959, Kap. 13-5, 13-6).

In der letztgenannten Beziehung ist Re wiederum der Emitterwiderstand, r_b der Basiswiderstand und r_e der Emitterwiderstand einer der Transistorschaltung äquivalenten T-Schaltung. Ferner ist α der Stromverstärkungsfaktor für die Basisschaltung. Wenn hierin Re genügend groß bemessen wird, so sind r_b und r_e vernachlässigbar und es gilt wieder

45

Bei der Anwendung dieser Beziehungen auf das vorliegende Schaltungsbeispiel entspricht Re dem Emitterwiderstand R 6, welcher seinerseits der Parallelschaltung der Spannungsteilerwiderstände R3, R 4 entspricht. Durch Einsetzen der entsprechenden Werte in die letztgenannte Beziehung ergibt sich, daß die Basis-Eingangsimpedanz Z_Bi„ groß im Vergleich zu der Parallelschaltung von R3, R4 und somit in Parallelschaltung selbst vernachlässigbar ist. Die resultierende Eingangsimpedanz des Basiskreises für ein positives Signal von der Geberschaltung 20 ist also im wesentlichen gleich dem Widerstandswert der Parallelschaltung von R3 und R4, d. h. infolge der gewählten Bemessung im wesentlichen gleich R 6.

Durch ein negatives Eingangssignal über Cl, D2 und R6 wird der Transistor in Basisschaltung ausgesteuert, und zwar ebenfalls im linearen Abschnitt der dynamischen Kennlinie. Das negative Potential des Eingangssignals gelangt zur Anode von D 3 und sperrt die letztgenannte Diode, wodurch der Emitterwiderstand R 6 praktisch von Masse abgetrennt wird. Ein Emitterstrom wird wieder in Richtung des Pfeils 40 von der Geberschaltung 20 über R 6 getrieben.

Für die EmiUer-Eingangsimpedanz eines ausgangsseitig kurzgeschlossenen Transistors in Basisschaltung bei geringen Aussteueramplituden gilt die bekannte Beziehung

R₁,

"Ein

1 + ß

mit β als Stromverstärkungsfaktor und Rb als Basiswiderstand.
Ferner gilt nach der vorgenannten Literaturstelle

Z_Ein = r_ib = r_e + r_b' ■ (1 - a) = r_b +
mit r_b = R_b + r_b .

Hierin ist Rb wiederum der Basiswiderstand, r_e der Emitterwiderstand und r_b der Basiswiderstand einer äquivalenten Γ-Schaltung für die Transistorschaltung sowie α der Stromverstärkungsfaktor für Basisschaltung.

In Anwendung dieser Beziehungen auf das vorliegende Schaltungsbeispiel entspricht Rb der Parallelschaltung von R3 und R4 bzw. dem Widerstandswert von R6. Wenn Rb genügend groß bemessen wird sind r_b und r_c vernachlässigbar, und es gilt

Ein

l+ß

Durch Einsetzen der entsprechenden Größen in diese Gleichung ergibt sich, daß die Emitter-Eingangsimpedanz Z_Ein sehr gering im Vergleich zu R6 ist, womit der Emitteranschluß 32 praktisch an Masse liegt. Weil die Emitter-Eingangsimpedanz in Reihe mit R6 liegt und infolge ihres geringen Betrages eine wirksame Masseverbindung für R6 darstellt, so ist die für negative Signale wirksame resultierende Eingangsimpedanz des Emitterkreises im wesentlichen gleich R 6. Insgesamt finden also positive und negative Impulse die gleiche resultierende Impedanz des zugehörigen Eingangskreises, nämlich R 6, so daß sich im Koppelkondensator Cl bei ungleichmäßiger Vorzeichenfolge' der Eingangsimpulse keine merkliche resultierende Ladung ansammelt.

Wie bereits erläutert, haben Eingangsimpulse beider Polaritäten einen Kollektor-Emitterstrdm gleicher Richtung, d. h. unipolare Ausgangsimpulse zur Folge. Ferner ergibt sich für beide Eingangspolaritätet die gleiche Verstärkung, da diese sowohl für den Betrieb in Emitterschaltung wie auch in Basisschaltung durch den Emitterwiderstand R 6 bestimmt ist. Wenn z. B. eine von der Geberschaltung 20 zum Basisanschluß 30 übertragene positive Signalspannung um die Differenzspannung +dV zunimmt, so wird diese Differenzspannung über die geringe Impedanz der Basis-Emitterdiode praktisch ungeschwächt zum Emitteranschluß 32 übertragen.

Die Differenzspannung +dV erscheint als an dem über die geöffnete Diode D 3 mit Masse verbundenen Widerstand R 6, erhöht also den Spannungsabfall an diesem Widerstand und ruft eine entsprechende ohmsche Änderung dl des Emitterstroms hervor. Andererseits wird eine Differenzspannung —dV einer negativen Signalspannung bei praktisch an Masse liegenden Emitteranschluß 32 über D 2 zum Emitter-

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widerstand R 6 übertragen und erhöht den Span- geringer als das Potential am Basisanschluß 42 ist,

nungsabfall an diesem bei entsprechender Strom- so nimmt β 2 den gesamten durch RH fließenden

änderung dl. Die Änderung des Emitterstroms und Strom auf. Umgekehrt nimmt D 5 den gesamten

damit auch des Kollektorstroms wird also für beide durch RU fließenden Strom auf, wenn das Bezugs-

Eingangspolaritäten durch den Emitterwiderstand R 6 5 potential Vq größer ist als das am Basisanschluß 42

bestimmt. herrschende Potential.

In der Anwendung als Schwellwert-Detektor wer- Für einen elektronischen Stromschalter, wie er den Dioden Dl und Dl mit entsprechender Schwel- durch Ql und D5 gebildet wird, ist eingangsseitig lenspannung Vt in Durchlaßrichtung verwendet (s. die Einstellung einer geringen Zusatz-Vorspannung auch Fig. 4). Hierdurch lassen sich Stör- und io zweckmäßig, infolge deren der Arbeitspunkt des Rauschsignale ausscheiden. Die Dioden Dl, Dl und Transistors ohne Eingangssignal nicht im hochver-D 3 bewirken somit insgesamt nicht nur die voran- stärkenden Abschnitt des linearen Kennliniengehend erläuterte Vollweggleichrichtung, d. h. die bereich liegt. Ein hochgradiger Verstärkungszustand Umsetzung von bipolaren Eingangsimpulsen in besteht nur innerhalb eines engen Spannungsbereiunipolare Ausgangsimpulse, sondern auch die 15 dies mit gleicher Vorspannung des Transistors Q 2 Signalunterdrückung unterhalb der gewünschten An- und der Diode D 5, wodurch sich der Strom über sprechschwelle. Die so erhaltenen Strom-Ausgangs- den Widerstandll auf Ql und D5 verteilt, also impulse am Kollektoranschluß 33 des Transistors Q1 nicht auf eines dieser beiden Elemente allein gesind in F i g. 5 angedeutet, schaltet wird. Der Spannungsabfall V_D (Fig. 7) an

Als Spitzenzeit-Detektor wirkt die erfindungs- 20 R 7 erzeugt am Basisanschluß 42 ein so hohes Poten-

gemäße Schaltung infolge der Induktivität Ll im tial gegenüber der Anode von D 5, daß Ql ohne

Kollektorkreis des Transistors Q1. Da der Transi- Vorhandensein eines Eingangssignals den gesamten

stör sowohl in Emitterschaltung wie auch in Basis- Strom von R11 übernimmt.

schaltung als Stromgenerator mit hohem Innenwider- Das Potential am Basisanschluß 42 wird durch Zustand arbeitet, bewirkt die Induktivität L1 eine Dif- 25 führung eines in bezug auf V_Q (F i g. 7) negativen ferenzierung des Ausgangsstroms. Die Widerstände Signals über Rl derart vermindert, daß Ql sperrt. R 7 und R 8 sorgen dabei für ausreichende Dämpfung Der durch R11 fließende Strom wird dann von D 5 der durch die Induktivität L1 mit ihren Streukapazi- aufgenommen. Wenn dem Basisanschluß 42 ein Sitäten bedingten Resonanzfrequenzen. Beide Wider- gnal gemäß F i g. 7 zugeführt wird, so entsteht am stände müssen jedoch genügend groß sein, um eine 30 Kollektoranschluß 45 von Q1 ein Ausgangssignal Beeinträchtigung der differenzierenden Wirkung von gemäß F i g. 8. Hiernach steigt das Potential am KoI- Ll zu vermeiden. Die differenzierten Stromimpulse lektoranschluß 45 bei gesperrtem Transistor β2 bis von F i g. 5 unter Annahme idealer Differenzierung zu dem durch die Speisespannung bestimmten Wert sind in Fig. 6 angedeutet. Die bisher beschriebene V35 an und fällt bei leitendem Transistor β2 im Schaltung verwirklicht also insgesamt die Funktio- 35 wesentlichen auf den Wert Vc ab. Vc ist hier das nen eines Schwellwert-Detektors mit Vollweggleich- Ruhepotential am Kollektoranschluß 45 bei leitenrichtung und Differenzierung. dem Transistor Q1.

An der Ausgangsseite des Gleichrichters 26 nach Der Kollektoranschluß 45 von β 2 ist über einen F i g. 2 verbindet der Widerstand R 7 den Kollektor- Koppelkondensator C 2 mit dem Basisanschluß 50 anschluß 33 des Transistors β 1 mit dem Basis- 40 eines weiteren NPN-Transistors β 3 verbunden, desanschluß 42 eines nachgeschalteten NPN-Transistors sen Ruhearbeitspunkt durch einen Basiswiderstand β2. Über den WiderstandR8 ist die Basis von β2 RIl im Stromflußbereich eingestellt ist. β3 arbeitet mit dem Anschluß 35 der Gleichstromquelle verbun- auf einem Kollektorwiderstand R13 und liegt mit den. Die an der Basis von β 2 auftretenden Signale seinem Emitteranschluß 57 unmittelbar an Masse. sind in F i g. 7 dargestellt, wobei eine geringfügige 45 Der Kollektoranschluß 52 von ß3 bildet die AusPhasenverschiebung infolge der Widerstände R 7 und gangsklemme 53 der Gesamtschaltung. Die Kreise jR8 berücksichtigt ist. Letztere sorgen nicht nur für der beiden Transistoren β 2 und β 3 arbeiten als die bereits erwähnte Schwingungsdämpfung an der monostabiler Multivibrator ohne Rückkopplungs-InduktivitätLl, sondern stellen außerdem für die schleife.

zum Basisanschluß 42 gelangenden Signale eine An- 50 Bei Anstieg des Potentials am Kollektoranschluß 35 sprech-Schwellenspannung V₀ her, die ebenfalls in in positiver Richtung leitet β 3 im Sättigungsbereich, Fig. 7 angedeutet ist und die soeben erwähnte wobei der Ladestrom von C 2 über die Basis-Emitter-Phasenverzerrung ausgleicht. Infolgedessen fällt der Diode von β3 an Masse fließt. Wie Fig. 9 zeigt, Durchgang der Signalspannung am Potential Vq zeit- bleibt das Potential am Basisanschluß 50 bei positilich wiederum mit dem Spitzenwert der Impulse nach 55 ver Signalspannung gemäß F i g. 8 unverändert. F i g. 4 zusammen. Wenn nun das Potential am Kollektoranschluß 45 bei

Das Bezugspotential Vq wird in der Schaltung leitend angesteuertem Transistor β 2 etwa gleich-

nach Fig. 2 durch die zwischen dem Anschluß 35 zeitig mit dem Spitzenwert der Eingangssignale nach

der Gleichstromquelle und Masse angeordnete F i g. 4 in den negativen Bereich übergeht, so gelangt

Reihenschaltung des Widerstandes R 9 und einer 60 dieser Potentialwechsel in Form einer Signalspan-

Zenerdiode £>4 hergestellt. Die Kathode von D4 nung nach Fig. 9 über den Koppelkondensator C2

ist über eine weitere, einfache Diode D 5 mit dem an den Basisanschluß 50, wodurch β 3 gesperrt wird.

Emitteranschluß 44 von β 2 verbunden, dessen Schal- Am Kollektoranschluß 52 von β 3 ergibt sich somit

tung außerdem einen KollektorwiderstandR10 und ein positiver Spannungsimpuls gemäß Fig. 10 als

einen Emitterwiderstand R11 umfaßt. Letzterer führt 65 Ausgangssignale der Gesamtschaltung. Die Zeitdauer einen im wesentlichen konstanten Strom, welcher dieser Ausgangsimpulse ist durch die zeitlich ex-

zwischen DS und β2 umgeschaltet wird. Wenn das ponentielle Aufladung (Fig. 9) von Cl über R12 der Anode von DS zugeführte Bezugspotential Vq bestimmt. Wenn die Aufladung von Cl das Basis-

potential von β 3 erreicht, so wird letzterer leitend ausgesteuert und beendet den Ausgangsimpuls. In Fig. 10 ist eine typische Folge solcher Impulse am Ausgang 53 in Abhängigkeit von Eingangsimpulsen gemäß Fig. 4 angedeutet. Die Eingangsflanke dieser

10

Impulse fällt wegen des Ansprechens von Q 3 auf den negativen Potentialübergang am Kollektoranschluß 45 annähernd mit dem Spitzenzeitpunkt der glockenförmigen Eingangsinipulse von der Geber-Schaltung 20 zusammen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Transistorschaltung zur Erzeugung von unipolaren Ausgangssignalen an einem Kollektoranschluß eines Transistors in Abhängigkeit von bipolaren Eingangssignalen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Richtleiter (D 1) zur Übertragung von Eingangssignalen einer ersten Polarität zu der Basis (30) des Transistors sowie ein weiterer Richtleiter (D 2) zur Übertragung von Eingangssignalen einer zweiten Polarität zu dem Emitter (32) des Transistors vorgesehen sind, daß mit dem Emitter des Transistors ein Emitter-Widerstand (R 6) und mit der Basis des Transistors ein Basis-Widerstand (R3, R4) verbunden ist, daß diese beiden Widerstände im wesentlichen gleich groß bemessen sind und daß der Basis-Widerstand derart bemessen ist, daß der Transistor in Abwesenheit von Eingangssignalen in einem Leitzustand vorgespannt ist.

2. Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Kollektor des Transistors eine induktive Differenzierschaltung (Ll) zur Bildung des zeitlichen Differentialkoeffizienten der unipolaren Ausgangssignale verbunden ist.

3. Transistorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Eingangssignal einen Scheitelwert besitzt, die Transistorschältung einen in Emitterschaltung angeordneten Transistor enthält, ein Widerstand (Rl) zur Übertragung der differenzierten Signale zu der Basis des in Emitterschaltung angeordneten Transistors vorgesehen ist, eine Diode (D 5) zur Übertragung eines Bezugspotentials zu dem Emitter des in Emitterschaltung angeordneten Transistors vorgesehen ist und der in Emitterschaltung angeordnete Transistor zur Erzeugung von Ausgangsimpulssignalen an seinem Kollektor vorgesehen ist, wobei die Ausgangsimpulssignale in Abhängigkeit von jedem differenzierten unipolaren Ausgangssignal gleichzeitig mit den Scheitelwerten der Eingangssignale auftreten und ein Potential besitzen, welches größer als das Bezugssignal ist.