DE1300165B - Mikrominiaturisierte Halbleiterdiodenanordnung - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine mikrominiatu- kapselung unter Verwendung nur dreier Bau-

risierte Halbleiterdiodenanordnung mit einem mit teile.

einer Mesastruktur versehenen Halbleiterplättchen Es werden also die Zahl der erforderlichen Bau-

und mindestens einem in der Mesa verlaufenden teile und die Zahl der erforderlichen Verfahrens-

p-n-Übergang, bei der eine Verkapselung unter Ver- 5 schritte zur Herstellung der Verkapselung stark redu-

wendung des Halbleiterplättchens selbst und eines ziert. Nichtsdestoweniger aber ist die erfindungsge-

plattenähnlichen, auf der Mesastruktur aufliegenden mäße Halbleiterdiodenanordnung mechanisch stabil

Deckels über einen ring- bzw. röhrenförmigen Isolator und robust. Die äußeren Zuführungsanschlüsse kön-

vorgesehen ist, wobei der Deckel mit einer zur Mesa- nen direkt an den auf den äußeren Flächen der beiden

struktur führenden leitenden Verbindung versehen io Halbleiterplättchen aufplattierten ohmschen Elektro-

und die der Mesastruktur abgewandte Fläche des den angebracht werden, ohne daß hierzu die Not-

Halbleiterplättchens als Anschlußelektrode ausgebil- wendigkeit besteht, komplizierte Verbindungen her-

det ist. stellen zu müssen. Darüber hinaus ermöglicht die er-

Es ist allgemein bekannt, daß die außenliegenden findungsgemäße Anordnung den weiteren wesent-Grenzen von p-n-Übergängen gegen Umgebungsein- 15 liehen Vorteil, daß auch das als Deckel dienende flüsse überaus empfindlich sind, und es ist deshalb Halbleiterplättchen mit p-n-Übergängen u. dgl. verzur allgemeinen Übung geworden, Schutzmaßnahmen sehen werden kann, deren zutage tretende Durchhiergegen, zumeist in Form von Verkapselungen oder Stoßlinien dann ohne zusätzlichen Aufwand auto-Uberzügen, zu ergreifen. Letztere sind meist dünne matisch mit verkapselt werden. Es ist daher die Her-Oxydüberzüge, die für sich allein noch keinen aus- ao Stellung auch komplizierterer Halbleiterbauelemente, reichenden Schutz bieten. Es ist daher auch hier noch wie Vierschichtdioden, einschließlich temperaturkomeine zusätzliche Verkapselung erforderlich. Die bis- pensierter Dioden für Überspannungsschutz, Logikherigen Verkapselungen sind aber recht kostspielig gatter in integrierter Bauweise u. dgl., auf einfachste und teils sehr kompliziert, wodurch die volle Aus- Weise möglich.

nutzung der den Halbleiterbauelementen eigenen as Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unter-Vorteile nicht möglich ist. So ist die schließliche Ver- ansprüchen gekennzeichnet und nachstehend an Hand kapselung häufig um ein Mehrfaches größer als das der Zeichnung beschrieben.

eigentliche Halbleiterbauelement, ein Umstand, der Fig. 1 zeigt im Querschnitt eine Diode mit p-n-

angesichts der starken Miniaturisierungsbestrebungen Übergang, die gemäß Erfindung hergestellt ist;

äußerst lästig ist. 30 F i g. 2 zeigt die Diode nach F i g. 1 mit den Ein-

Es ist auch bereits bekannt, das Halbleiterplättchen zelteilen des Geräts in ihrer Anordnung vor dem

selbst als tragenden Bestandteil der Verkapselung zu Zusammenbau und gleichfalls im Querschnitt;

verwenden. Jedoch bestehen auch hier Schwierig- F i g. 3 ist ein Querschnitt einer anderen Ausfüh-

keiten, insbesondere für die Anbringung der äußeren rungsform der Erfindung und zeigt eine Diode mit

Zuleitungen, und es müssen etliche Teile, einschließ- 35 einem großen p-n-Übergang;

lieh verschiedener Metallteile, zum Aufbau der Ver- F i g. 4 zeigt im Querschnitt eine weitere Ausfüh-

kapselung verwendet werden, die die Kosten und den rungsform gemäß Erfindung mit einer Diode mit

Fabrikationsaufwand so stark erhöhen, daß die Ver- durch Diffusion gebildetem p-n-p-n-Übergang;

kapselung ein Mehrfaches teurer wird, als das eigent- F i g. 5 stellt im Querschnitt eine weitere Ausfüh-

liche Halbleiterbauelement selbst. 40 rungsform dar und zeigt die Anwendung eines zusätz-

Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine ver- liehen, getrennten Halbleiterplättchens, um eine besserte Verkapselung für Halbleiterbauelemente der Diode mit hoher Sperrspannung und Temperatureinleitend beschriebenen Art zu schaffen, die stark Kompensation herzustellen und erläutert zwei Anvereinfacht, verbilligt sowie verkleinert ist, und dies Ordnungen, um äußere Zuführungen anzubringen; bei erhöhter Zuverlässigkeit. Insbesondere soll die 45 F i g. 6 ist ein weiteres Querschnittsbild, das die ganze Halbleiterdiodenanordnung mit wesentlich Verwendung einer erfindungsgemäßen Bauart zwecks weniger Einzelteilen bei kleinerer Fabrikationszeit Herstellung einer Rücken-an-Rücken-Diode als und verbesserter Wärmeableitung hergestellt wer- Schutz gegen Spannungsüberschlag in Telefonschalden können. Für die Halbleiterdiodenanordnung der tungen zeigt;

einleitend beschriebenen Art ist die erfindungsgemäße 50 F i g. 7, 8 und 9 zeigen die Anwendung der Erfin-

Lösung dieser Aufgabe dadurch gekennzeichnet, daß dung auf eine Vielfachdiode, und zwar F i g. 7 den

der die andere Anschlußelektrode aufweisende Querschnitt durch die erste Zusammenstellung einer

Deckel, der vorzugsweise ein nach innen stehendes solchen Diode, F i g. 8 ein vervollständigtes Gerät im

Mittelteil mit Mesastruktur trägt, aus Halbleiter- Querschnittsbild und F i g. 9 das fertiggestellte Gerät

material gebildet ist. 55 in der Aufsicht.

Nach der Erfindung sind also im Prinzip zwei Halb- In der F i g. 1 wird eine Diode 10 mit einem p-nleiterplättchen vorgesehen, die über die jeweilige Übergang gezeigt, die aus einem Deckelstück 11 aus Mesastruktur miteinander in leitender Verbindung einem Einkristall von p-Typ-Silicium besteht, einem stehen, wobei die Mesastruktur von einem ringförmi- Plättchen 12 aus einem Einkristall von Silicium mit gen Isolatorstück umschlossen und damit nach außen 60 vorwiegender n-Typ-Leitf ähigkeit und einer isolierenverkapselt ist. Die exponierten Teile des oder der den Unterlegscheibe 13 aus Glas, die die Teile 11 und p-n-Übergänge sind also durch die beiden Halbleiter- 12 abdichtet. Das Plättchen 12 hat auf seiner Innenplättchen im Verein mit dem ringförmigen Isolator fläche 21 einen erhabenen Teil der Mesa 14 mit einem nach außen hermetisch abgeschlossen, d. h., das durch die punktierte Linie angedeuteten p-n-Über-Halbleiterbauelement bildet eine eigene Verkapse- 65 gang 15. Die innere Fläche 16 des Deckelstücks 11 lung. Es ist daher ohne weiteres möglich, das Halb- und die Oberseite 17 der Mesa sind mit geeigneten leiterbauelement extrem klein zu machen. Auf diese Metall-Elektroden plattiert, ebenso wie die Außen-Weise erhält man eine tatsächlich hermetische Ver- flächen 18 und 19 des Deckels 11 und des Plättchens

12. Man kann dies klar aus F i g. 2 ersehen, worin die Teile der Vorrichtung voneinander getrennt dargestellt sind, um ihre Anordnung vor der endgültigen Zusammensetzung zu zeigen.

Die Fabrikation dieses Geräts stellt ein äußerstes Maß an Einfachheit dar. Einkristallines Silicium wird in Scheibenform nach wohlbekannter Technik hergestellt. Solche Scheiben werden mit dem geeigneten Widerstand und mit passender Dicke und passenden Flächen vorbereitet, beispielsweise aus Material vom η-Typ mit 0,13 Ohm-cm Widerstand, einem Durchmesser von 13 mm und 0,76 mm Dicke. Die Scheibe, aus der das Plättchen 12 hergestellt werden soll, wird einer Dffusionsbehandlung in der Wärme unterworfen, wobei eine bedeutsame Verunreinigung einen p-n-Übergang in vorgeschriebenem Abstand von einer Fläche herzustellen hat. Im speziellen ist der untere oder größere Teil des Plättchens aus Silicium von n-Typ-Leitf ähigkeit. Eine Verunreinigung vom p-Typ, wie Bor, wird in eine Fläche der Scheibe eindiffundiert, um einen Teil der Oberfläche zur p-Typ-Leitfähigkeit in einer Tiefe von beispielsweise 0,038 mm umzuwandeln. Die besondere Technik zur Plattierung des Siliciums ist nicht bedeutungsvoll, und es können die Techniken der kathodischen Zerstäubung, der Abscheidung durch Aufdampfen und elektrisches oder chemisches Plattieren angewandt werden. Nach einem vorteilhaften Verfahren wird zunächst eine Nickelplattierung nach einem stromlosen Verfahren in zwei Arbeitsgängen mit einer dazwischengeschalteten Wärmebehandlung angebracht. Nach dem Aufbringen der Nickelschicht wird eine Goldplattierung durch Aufdampfen niedergeschlagen. Der Vorteil dieses besonderen Verfahrens ist der, daß die Nickelplattierung das tiefe Einlegieren des Goldes während der nachfolgenden Erhitzungsvorgänge verhindert. Auf dieser Diffusionsfläche der Scheibe wird dann durch selektive Ätzung oder bequemer durch Schneiden mit Ultraschall eine Mehrzahl von Mesas erzeugt. Dieser Arbeitsgang ergibt eine Siliciumscheibe, die auf einer Fläche eine Mehrzahl von Mesas 14 hat, deren jede einen durch Diffusion erzeugten p-n-Übergang 15 hat. Als nächster Schritt werden die einzelnen Plättchen aus der Scheibe entweder durch Ätzen oder durch Schneiden mit Ultraschall ausgeschnitten. Für die Verwendung als Diode in Elektronenrechnern hat das Plättchen einen typischen Durchmesser von etwa 0,76 mm. Das Deckelstück 11 aus Silicium wird in einer im allgemeinen gleichen Art hergestellt, jedoch die Diffusions-Wärmebehandlung unterlassen, da das Deckelstück 11 in dieser Geräteform keinen p-n-Übergang enthält. Der größere erhabene Teil oder Mesa 20 des Deckelstücks 11 ist für Geräte vorgesehen, in denen Nebenkapazitäten von Bedeutung sind, die in typischer Weise für Dioden in Elektronenrechnern oder andere logistische Zwecke verwendet werden. Im Idealfall hat vom Standpunkt der Kapazität aus gesehen die Mesa des Deckelstücks den gleichen Durchmesser wie die Mesa des Plättchens. Um indessen den Vorgang des Zusammenstellens zu erleichtern und zu vereinfachen und insbesondere zur bequemen Ausrichtung wird die Mesa des Deckelstücks üblicherweise etwas größer gemacht, ohne eine ungewünschte Kapazität in schädlicher Weise zu erhöhen. Ein kleiner Ring aus Hartglas wird zwischen die peripheren Teile der beiden Plättchen gelegt und das Ganze auf einem Banderhitzer oder in einem Ofen auf eine Temperatur erhitzt, die zur hermetischen Abdichtung des Glases zu beiden Plättchen hin ausreicht. Während der Wärmebehandlung ergibt sich eine ausreichende Höhenabnahme des Glasstückes, um Kontakt zwischen der oberen Fläche der Elektrode 17 auf der Mesa 14 und der Innenfläche der Elektrode 16 des Deckelstücks sicherzustellen. Bei der Verschmelzungstemperatur von etwa 800° C werden diese beiden goldplattierten Flächen innig verbunden.

ίο Dieser letztere ZusammensetzungsVorgang kann entweder in einer oder in zwei Stufen durchgeführt werden. Beim Zweistufen-Verfahren wird die Abdichtung zwischen dem Silicium-Deckelstück 11 und der Glasunterlegscheibe 13 hergestellt, indem man zuerst die Unterlegscheibe auf den Deckel legt und beide auf einem Banderhitzer erwärmt, um die Verschmelzung herzustellen. Typischerweise ist die Verschmelzungstemperatur für Silicium etwa 800° C, die etwa 5 Sekunden eingehalten werden sollte. Diese Temperatur und Zeit ist weitgehend von der Notwendigkeit bestimmt, unter der Temperatur zu bleiben, bei der ein schädliches Einlegieren des Kontaktmaterials auftreten würde. Glas und Deckelstück werden dann auf dem Plättchen 12 in Stellung gebracht, und der zweite Verschluß zwischen Plättchen und Glasring wird in gleicher Weise auf einem Banderhitzer bei der obenerwähnten Temperatur und Zeitdauer durchgeführt. Dieser Zusammensetzungsvorgang wird in einer künstlichen Atmosphäre, beispielsweise in handelsüblichem Stickstoff, durchgeführt, der bis auf einen Gehalt von 30 ppm Wasserdampf herab getrocknet ist und nachdem die Teile des Geräts vorher sorgfältig gesäubert und ausgeheizt worden sind. Eine Würdigung der weiteren Vorteile einer Konstruktion gemäß Erfindung ist möglich, wenn man sich vor Augen hält, daß die in F i g. 1 gezeigte Diode einen Durchmesser von 0,76 mm und eine Gesamtdicke von 0,038 mm hat. In dieser Form ist sie besonders zum Einstecken oder Auflöten an gedruckte Schaltungen geeignet.

Außerdem bewirkt die hohe Schlußtemperatur des oben in Verbindung mit der endgültigen Zusammenstellung beschriebenen Verschließungsvorgangs auch zwangläufig die Trockenheit und Sauberkeit des fertigen Geräts. Dieses abschließende »Ausheizen« wird als höchst vorteilhaft für die Sicherstellung der langlebigen Stabilität der elektrischen Eigenschaften des Geräts mit p-n-Ubergang betrachtet. Wird der Montagevorgang in einem einzigen Arbeitsgang durchgeführt, indem beide Verschlüsse gleichzeitig vorgenommen werden, so ist die Temperatur in gleicher Weise 800° C, wird jedoch für einen etwas längeren Zeitabschnitt von etwa 10 Sekunden gehalten.

Die übrigen Darstellungen der Zeichnung illustrieren andere Formen von Dioden mit p-n-Übergang, die dieselbe Grundstruktur besitzen, wie das oben beschriebene Gerät der F i g. 1 Grundsätzlich kann jede bekannte Anordnung von p-n-Ubergängen in der Mesa enthalten sein. Fig. 3 zeigt eine Diode mit großflächigem p-n-Übergang aus einem Plättchen 32 und einer Großflächen-Mesa 34 mit einem p-n-Übergang 35. Nach einer wohlbekannten Anordnung für Leistungsdioden dieses Typs wird eine Zone 36 von Material π hohen Widerstandes mit Eigenleitfähigkeit zwischen den Bereich mit p-Typ-Leitfähigkeit und das n-Typ-Material gelegt. Dieser Eigenleitfähigkeitsbereich einer p-i-n-Diode ist nach einer Methode das

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ursprüngliche Ausgangsmaterial, in welches Bor und Polaritäten der diesbezüglichen Leitfähigkeitstypen. Phosphor von entgegengesetzten Seiten eindiffundiert Wie in der Zeichnung gezeigt, ist das Plättchen 72 sind, um die Oberflächenbereiche von p-Typ-Leit- vorherrschend aus Material vom η-Typ mit einem fähigkeit herzustellen. Wie gleichfalls in der Technik diffundierten Leitfähigkeitsbereich vom p-Typ im bekannt ist, kann alternativ eine Schicht hohen 5 oberen Teil der Mesa 74. Umgekehrt ist das Deckel-Widerstandes epitaktisch auf der Fläche einer Scheibe stück 71 vorherrschend aus Material vom p-Typ mit aus n-Typ-Material aufwachsen, und es kann in der einem kleinen Bereich vom η-Typ, der in die Oberepitaktischen Zone ein schmaler Bereich von Mate- seite der Mesa 75 eindiffundiert ist. Sowohl Plättchen rial mit p-Typ-Leitfähigkeit durch Diffusion herge- als auch Deckelstück können als Mehrfachstücke aus stellt werden. In diesem Dioden-Typ ist die kapazi- io einzelnen Siliciumscheiben mittels Maskier- und tive Reaktanz ein verhältnismäßig unwichtiger Fak- Diffusionstechniken hergestellt werden. Das Ergebnis tor, und deswegen braucht das Deckelstück 31 aus ist somit eine Diode mit einem n-p- und einem p-n-Halbleitermaterial keine Mesa zu haben. Kennzeich- Übergang in Parallelschaltung bei einem einzigen nenderweise wird eine Diode dieses Typs mit der Verkapselungsvorgang, wenn die beiden Stücke in äußeren Elektrodenfläche 39 mit einer Metallbasis 15 Kontakt miteinander zusammentreten,
verbunden, um eine verbesserte Ableitung der Wärme F i g. 7, 8 und 9 zeigen die Bauart einer Vielfachvorzusehen, die durch starke Ströme beim Durchgang diode des in bestimmten Rechenschaltungen verwendurch das Gerät erzeugt wird. Die relative Nähe des deten Typs. F i g. 7 zeigt die Zwischenform des Gep-n-Übergangs in diesem Gerät zu einer solchen räts in der Zusammenstellung für den Heißverschluß wärmeverzehrenden Stelle erleichtert die Wärme- 20 während der Herstellung, während F i g. 8 und 9 den ableitung. Die in F i g. 4 gezeigte Diode mit mehr- Querschnitt und Aufsicht auf die Endform des Geräts fachen Übergängen illustriert die Anpassung des Ver- zeigen.

kapselungsprinzips auf eine andere Art von Halb- Wie in F i g. 7 gezeigt, hat ein Plättchenstück 92

leiterdiode. In dieser Diodenform enthält der Mesa- auf einer Seite eine Serie von Mesas 94, deren jede

teil 44 des Plättchens 42 drei p-n-Übergänge 45, 46 as einen p-n-Übergang 95 enthält. Um jede Mesa liegt

und 47, welche vier Bereiche von abwechselndem ein Glasring 93, der mit dem Deckenstück 91 und

Leitfähigkeitstyp innerhalb des Plättchens begrenzen. dem Plättchen 92 dicht verbunden wird. Dieser Ar-

Die Techniken zur Herstellung solcher Bezirke von beitsgang bewirkt gleichzeitig, daß die Oberseite jeder

abwechselndem Leitfähigkeitstyp innerhalb der Mesa Mesa zum Kontakt mit dem Deckenstück 91 kommt,

durch Diffusion sind wohlbekannt. In sonstiger Hin- 30 Nach dem Heißverschließen wird eine Maske auf der

sieht ist diese p-n-p-n-Diode der in Fig. 1 gezeigten oberen Fläche96 des Deckenstücks91 angebracht.

Grundausführung gleich. Diese Fläche 96, die zur Herstellung einer Ohmschen

F i g. 5 zeigt eine andere Form einer Diode mit Elektrode mit Nickel und Gold plattiert ist, wird dann

Mehrfachübergängen, in welcher ein zusätzliches selektiv geätzt, um die oberen Elektroden zu trennen.

Halbleiterplättchen56 aus Silicium mit einem p-n- 35 Auf diese Weise wird, wie in Fig. 8 gezeigt, eine

Übergang 57 zwischen das Plättchen 52 und das Trennung zwischen den oberen Teilen der Dioden

Deckelstück 51 gelegt ist. Bei dieser Bauart können vollzogen. Wie in Fig. 9 gezeigt, kann die ausgeätzte

Plättchen 52 und Deckelstück 51 gleich sein, insofern, Form die Gestalt einer Hantel annehmen, wobei die

als beide diffundierte p-n-Übergänge 55 und 59 ent- freigelegten Teile 96 die separaten Elektroden für

halten. Indessen kann sich der Übergang 59 im 40 jede der Vielfachdioden darstellen. Diese spezielle

Deckelstück 51 wesentlich im Konzentrations-Gra- Hantelform wird bei dieser Vielfachdiode benutzt,

dienten der Verunreinigung unterscheiden, insofern, um die Kapazität zwischen den oberen und unteren

als er allein zur Temperaturkompensation beim Stücken durch Verkleinerung der Fläche zu verrin-

Wechsel der Spannung eingearbeitet ist. Auf diese gern. Vielfachanordnungen dieser Art können für

Weise ist die Konstruktion eine Diode mit tempera- 45 andere Anwendungsgebiete, in denen die Kapazität

turkompensierten Übergang, mit zwei in Serie ange- kein Problem darstellt, Formeln verwenden, den Fa-

ordneten Sperr-Gleichrichtern, um die Durchbruchs- brikationsvorgang erleichtern oder vereinfachen. Die

spannung der Vorrichtung zu erhöhen. Der Leitfähig- gemeinsame Elektrode ist die untere Fläche 97, an

keitstyp der verschiedenen Bereiche entspricht den die eine Lasche als Zuführung 99 angeheftet wird.

Angaben in der Zeichnung. Zu Illustrationszwecken 5° Als mechanischer Schutz kann, falls gewünscht, eine

und als Beispiel werden zwei Anordnungen zur An- keramische Masse od. dgl. um die Konstruktion gelegt

bringung äußerer Zuführungen für selbstverkapselte werden, wie durch die gestrichelte Linie 100 darge-

Dioden gezeigt. Diese oder ähnliche Anordnungen stellt, welche nur die Teile 96 der oberen Elektroden

können für Anwendungen benutzt werden, wo solche und die gemeinsame Elektrode 99 frei läßt. Wenn

Zuführungen erwünscht sind. Eine Metallasche 61 ist 55 auch die spezielle Beschreibung an Hand diffundierter

mit der äußeren Elektrodenfläche 60 des Deckel- p-n-Übergänge erfolgte, so versteht sich doch, daß

Stücks 51 verbunden. Die entgegengesetzte Elektrode die beschriebene Verkapselungsanordnung in gleicher

trägt eine Zuführung 63, die aus Gold- oder Alumini- Weise bei Geräten verwendet werden kann, die auf-

umdraht mit einem Nagelkopf oder verbreitertem gewachsene, einlegierte oder andere Arten von p-n-

Email besteht, welcher mit der goldplattierten Außen- 60 Übergängen verwenden. Außerdem ist es klar, daß

fläche 62 des Plättchens 52 verbunden ist. die gezeigten Polaritäten des Leitfähigkeitstyps auch

F i g. 6 ist eine Anordnung zur Selbstverkapselung umgekehrt werden können, wenn dies aus irgendeines Paares parallelgeschalteter Dioden mit entge- einem Grund gewünscht wird. Überdies kann bei gengesetztem p-n-Übergang, wie sie allgemein als solchen Geräten, in denen das Deckelstück keinen Überspannungsschutz oder in Telefonnetzen als Hör- 65 p-n-Übergang enthält, das Material auch polykristallin schutz verwendet werden. In der Anordnung nach an Stelle eines Einkristalls, falls gewünscht, sein.
F i g. 6 ist die Ausführung des Deckelstücks 71 iden- Schließlich ist es noch selbstverständlich, daß die tisch mit der des Plättchens 72, mit Ausnahme der Erfindung auch auf andere Halbleiter, wie Germa-

nium und Verbindungen der III. bis V. Gruppe des Periodischen Systems, angewandt werden kann, obwohl sie speziell mit Bezug auf die Verwendung von Silicium als Halbleitermaterial beschrieben wurde. In diesem Zusammenhang ist der bedeutendste Faktor eine möglichst enge Übereinstimmung der thermischen Koeffizienten der miteinander dicht schließend zu verbindenden Stoffe.

Claims (4)

Patentansprüche: IO

1. Mikrominiaturisierte Halbleiterdiodenanordnung mit einem mit einer Mesastruktur versehenen Halbleiterplättchen und mindestens einem in der Mesa verlaufenden p-n-Übergang, bei der eine Verkapselung unter Verwendung des Halbleiterplättchens selbst und eines plattenähnlichen, auf der Mesastruktur aufliegenden Deckels über einen ring- bzw. röhrenförmigen Isolator vorgesehen ist, wobei der Deckel mit einer zur Mesastruktur führenden leitenden Verbindung versehen und die der Mesastruktur abgewandte Fläche des HaIbleiterplättchens als Anschlußelektrode ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der die andere Anschlußelektrode (z. B. 18) aufwei-

sende Deckel (z. B. 11), der vorzugsweise ein nach innen stehendes Mittelteil mit Mesastruktur (z. B. 20) trägt, aus Halbleitermaterial gebildet ist.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der beiden Halbleiterplättchen zumindest eine Mesa trägt, die mit dem je gegenüberliegenden Halbleiterplättchen zur Bildung zumindest zweier getrennter Stromwege in Kontakt steht, und daß in jedem solcherart gebildeten Stromweg zumindest ein p-n-Übergang liegt (Fig. 6).

3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die sich gegenseitig berührenden Flächen der Halbleiterplättchen mit aufplattierten Elektroden zur Bildung einer niederohmigen Verbindung zwischen den Halbleiterplättchen versehen sind (F i g. 2 und 5).

4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein weiteres Halbleiterplättchen mit zumindest einem p-n-Übergang zwischen den beiden ersten Halbleiterplättchen, in mechanischem und elektrischem Kontakt mit denselben stehend, vorgesehen ist, dessen seitliche Abmessungen kleiner sind als die der beiden ersten (Fig. 5).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909531/276