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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen hochwertiger
elektrischer Leitungsverbindungen zwischen den Leitungszügen einer gedruckten Schaltungskarte
und in metallisierte Durchbohrungen derselben eingeführten Anschlußelementen.
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In den letzten Jahren ist man auf dem Gebiet der Elektronik immer
mehr dazu übergegangen, gedruckte Schaltungskarten zu verwenden, wobei deren Anwendung
durch die moderne Mikrotechnik der elektronischen Bauelemente möglich wurde, und
woraus sich eine Vielzahl von Vorteilen ergibt. Schaltungskarten bestehen in bekannter
Weise aus einer Trägerschicht aus Isoliermaterial, auf die eine elektrisch leitende
Folie, vorzugsweise eine Kupferfolie aufgebracht wird, deren Konturen den gewünschten
Leitungszügen entsprechen. Die Leitungszüge können hierbei entweder auf einer oder
auf beiden Seiten des Trägermaterials vorgesehen werden. Es kann darüber hinaus
auch eine Mehrzahl derartiger Trägerschichten in übereinanderanordnung in geeigneter
Weise miteinander verbunden werden, so daß sogenannte Mehrlagenschaltungen entstehen.
Die Leitungszüge können mittels eines bekannten Fotodruckverfahrens oder auch auf
galvanischem Wege aus der zunächst die gesamte Trägerschicht bedeckenden Kupferfolie
mittels eines Ätzverfahrens ausgebildet werden. In diesem Zusammenhang ist es auch
bekannt, die Oberfläche der Leitungselemente im Tauchverfahren oder auch galvanisch
mit einer veredelnden Schicht, beispielsweise Silber, Zinn, Gold oder Indium, zu
überziehen. Derart veredelte Schaltelemente genügen dann besonderen Anforderungen,
wie sie beispielsweise an Schalterkontakte oder Messerkontakte gestellt werden müssen.
Hierbei spielen die Gesichtspunkte der Korrosionsfestigkeit wie auch der Verschleißfestigkeit
eine bevorzugte Rolle.
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Schwierigkeiten bereitet das Anbringen von Anschlußelementen an die
Leitungszüge der gedruckten Schaltungskarte, besonders wenn hochwertige elektrische
Verbindungen gefordert sind.
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Oft genügen einfache mechanische Steckkontakte den gestellten Anforderungen
nicht, so daß die Verbindung mittels Löten hergestellt werden muß. Hierbei besteht
jedoch eine Schwierigkeit darin, die aus Isoliermaterial bestehende Trägerschicht
während des Lötprozesses möglichst nur so weit zu erhitzen, daß sie durch die Wärmeeinwirkung
nicht deformiert wird. Es ist bekannt, Anschlußelemente mit den Leitungszügen auf
der Trägerschicht in Kontakt zu bringen, indem diese durch eine durch die Trägerschicht
und die Leitungszüge hindurchführende Durchbohrung eingebracht werden und anschließend
ein Verlöten, vorzugsweise im Tauchverfahren, erfolgt. Um hierbei die Trägerschicht
möglichst wenig thermisch zu belasten, hat man die Leitungszüge zuvor mit einer
Metallschicht, welche einen wesentlich niedrigeren Schmelzpunkt als das Material
des Leitungszuges aufweist, beaufschlagt. Für aus Kupfer bestehende Leitungszüge
ist es bekannt, diese auf galvanischem Wege mit einer Indiumschicht zu überziehen.
Im nachfolgenden Löt-Tauch-Verfahren, bei dem das durch den Leitungszug wie auch
durch die Trägerschicht hindurchgeführte Anschlußelement mit seinem unteren Ende
zusammen mit dem Leitungszug in ein wenigstens teilweise Indium enthaltendes Lötbad
eingetaucht wird, wird die Oberfläche des Indiumüberzuges auf dem Kupferleiter verhältnismäßig
schnell flüssig, so daß hierdurch eine feste Lötverbindung erzielt werden kann.
Somit wird also durch die Maßnahme des Indiumüberzuges auf dem Leitungszug das übliche
Löt-Tauch-Verfahren dahingehend verbessert, daß bei geringeren Temperaturen gelötet
werden kann, wobei gleichzeitig der Eintauchprozeß verkürzt wird. Die thermische
Beanspruchung der aus Isoliermaterial bestehenden Trägerschicht wird herabgesetzt.
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Darüber hinaus ist es bei der Herstellung von gedruckten Schaltungskarten
auf fotochemischem Wege auch bekannt, den aus Kupfer bestehenden und mit einer Legierung
aus Blei und Zinn überzogenen Leiter zusätzlich noch mit einer Indiumschicht zu
überziehen und das Indium in einem nachgeschalteten Temperverfahren in die Blei-Zinn-Schicht
eindiffundieren zu lassen. Diese bekannte Maßnahme ist vorteilhaft, weil die auf
die Kupferfolie aufgebrachte Blei-Zinn-Schicht bei einer nicht derartigen Vorbehandlung
bereits vor dem Löt-Tauch-Verfahren eine Oxidschicht bildet, die den Lötvorgang
behindert. Die Verbindung zwischen Anschlußelement und Leitungszug geschieht jedoch
auch hier ausschließlich durch Lötung.
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Nachteile, die sich besonders für hochwertige elektrische Leitungsverbindungen
zwischen den Leitungszügen einer gedruckten Schaltungskarte und in metallische Bohrungen
derselben mittels Lötverbindungen eingefügten Anschlußelementen ergeben, liegen
sowohl auf rein mechanischem wie auch auf elektrischem Gebiet. Die mechanischen
und thermischen Anforderungen, die an eine Lötverbindung gestellt werden können,
sind durch die mechanischen Festigkeitseigenschaften wie auch durch die thermischen
Eigenschaften des Lötmaterials bedingt. Elektronisch gesehen, entsteht bei zwei
durch Löten oder anderweitig aneinandergebrachten Oberflächen unterschiedlicher
Metalle zwischen deren Oberflächen ein Spannungspotential, welches als Berührungsspannung
bekannt ist. Dieses Spannungspotential wie auch starke Deformationen im Kristallgefüge
der obersten Schichten der beiden unmittelbar in Kontakt gebrachten Metalle bedingen,
vorzugsweise bei extrem schwacher oder extrem hochfrequenter Stromleitung, ein starkes
Ansteigen der elektronischen Rauscheffekte. Schließlich soll noch Erwähnung finden,
daß Lötverbindungen, soweit sie Vibrations- oder Stoßbeanspruchungen ausgesetzt
sind, zu Leitungsunterbrechungen führen können.
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Vom elektrischen wie auch vom mechanischen Gesichtspunkt gesehen,
wären Leitungsverbindungen, die durch ein Hartlötverfahren oder mittels Schweißung
hergestellt werden, am günstigsten, da hierbei die Oberflächen beider zu verbindender
Metalle verflüssigt werden und durch die nachfolgende Abkühlung die ineinandergelaufenen,
eine Legierung bildenden Materialien ein einheitliches Kristallgitter aufbauen.
Letztgenannte Verfahren kommen jedoch für Schaltungskarten, deren Leitungszüge nur
aus sehr dünnen Folien bestehen, nicht in Betracht, da einerseits, beispielsweise
durch ein Punktschweißverfahren, die Folie völlig zerstört würde und andererseits
die isolierende Trägerschicht aufgelöst oder zu stark deformiert würde.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, hochwertige elektrische
Leitungsverbindungen zwischen den Leitungszügen einer gedruckten Schaltungskarte
und in metallisierte Durchbohrungen derselben eingeführten Anschlußelementen herzustellen,
wobei die Verbindung bei einem gegenüber dem Schweißverfahren
verhältnismäßig
geringeren Temperaturaufwand bewerkstelligt und dennoch die Ausbildung eines lückenlosen
Verbunds der ineinander übergehenden Kristallgitter der Metalle des Anschlußelementes
einerseits wie auch des Leitungszuges andererseits gewährleistet wird.
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Die Lösung der Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß
die Leitungsverbindung ausschließlich durch thermische Diffusion hergestellt wird,
indem eine sehr dünne, zwischen dem Anschlußelement und der Innenwandung der Durchbohrung
vorhandene und in bekannter Weise aufgebrachte Schicht aus der Gruppe Indium, Gallium,
Zinn in metallisch reiner oder legierter Form, sich durch den Diffusionsvorgang
selbst aufbrauchend, sowohl in die Oberflächenschicht des Anschlußelementes wie
auch die der Durchbohrung eindiffundiert, wobei das Anschlußelement wie auch die
metallische Innenwandung der Durchbohrung wenigstens in ihren miteinander in Kontakt
gebrachten Oberflächen aus einem Metall oder einer Legierung bestehen, welche(s)
den Diffusionsvorgang für die obengenannte Metallgruppe ermöglicht.
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In diesem Zusammenhang ist es von Bedeutung, daß Kupfer oder eine
Kupferlegierung, vorzugsweise Beryllium-Kupfer-Bronze, zur Bildung der Diffusionslegierung
mit einem Metall oder einer Legierung aus der Gruppe, bestehend aus Indium, Gallium
und Zinn, benutzt wird.
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Eine bevorzugte Ausführungsform des bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
verwendeten Anschlußelementes kennzeichnet sich dadurch, daß dieses aus einem Eisenmetall,
vorzugsweise einer Legierung mit hoher Federkraft besteht, beispielsweise einer
Eisen-Nickel-Legierung, die mit einem geeigneten Metall, beispielsweise Kupfer,
überzogen ist.
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Ein Merkmal der Erfindung besteht auch darin, daß das Anschlußelement
vorzugsweise einen größeren Durchmesser aufweist als die ihm zugeordnete Durchbohrung
und mit einem Längsschlitz versehen ist, so daß es sich eng, mit hohem Druck von
beispielsweise 2,5 kg.!cm2, an die Bohrungswand anschmiegt.
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Es ist für die Erfindung noch wesentlich, daß die zur Ausbildung der
Diffusionslegierung angewandte Temperatur über der Schmelztemperatur des benutzten
Diffusionsmetalls liegt.
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In einer weiteren Ausbildungsform ist das Anschlußelement als Röhrchen
oder teilweise als Röhrchen ausgebildet, und der Hohlraum wird zur Befestigung eines
Anschlußdrahtes benutzt.
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Schließlich ist es für die Erfindung noch von Bedeutung, daß auch
die Verbindung zwischen Anschlußelement und einem damit zu verbindenden Anschlußdraht
vermittels einer Diffusionslegierung geschieht.
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Aus dem erfindungsgemäßen Verfahren ergeben sich eine Reihe von Vorteilen.
Bekanntlich kennzeichnet sich die Diffusion eines Metalls in einem Diffusionsträger
dadurch, daß die in den Diffusionsträger eindiffundierenden Atome bzw. Ionen, bedingt
durch natürlicherweise vorhandene Fehlstellen im Metallgitter, hier Gitterplätze
bzw. Zwischengitterplätze besetzen. Nach dem Abschluß der Diffusion wird somit eine
Legierung zwischen dem eindiffundierenden Metall und dem Metall, welches als Diffusionsträger
dient, gebildet, wobei das entstandene Kristallgitter in sich einheitlich ist. Die
erfindungsgemäße Verbindung zwischen einem Anschlußelement und einem Leitungszug
beruht auf diesem bekannten Diffusionsverfahren, indem zwischen dem Anschlußelement
und dem Leitungszug eine sehr dünne Schicht eines der Diffusion fähigen Metalls
vorhanden ist. Durch Aufwendung einer für den Diffusionsvorgang günstigen Temperatur
diffundiert diese Metallschicht sowohl in das Metallgitter des Anschlußelementes
wie auch in das Metallgitter des Leitungszuges ein. Gleichzeitig werden die bei
dem Dffusionsvorgang zu einem geringen Teil aus dem Metallgitter des Diffusionsträgers
verdrängten Atome, die sich beispielsweise zuvor auf einem Gitterplatz befanden,
von diesem entfernt und wandern teilweise in den zuvor von dem eindiffundierenden
Metall besetzten Zwischenraum. Nach Abschluß des Diffusionsvorganges ist somit eine
homogene Gitterstruktur zwischen dem Metallgitter des Anschlußelementes und demjenigen
des Leitungszuges entstanden, wobei in den tiefer gelegenen Schichten des Anschlußelementes
wie auch des Leitungszuges noch das reine, ursprüngliche Metallgitter, beispielsweise
aus Kupferatomen aufgebaut, vorhanden ist, während in der Zwischenschicht ein mehr
oder weniger homogenes Kristallgitter aufgebaut ist, dessen Gitter- wie auch Zwischengitterplätze
teilweise von den Atomen des Diffusionsträgers und teilweise von denjenigen des
eindiffundierenden Metalls, beispielsweise Indium, besetzt sind. Die Schmelztemperatur
der auf diese Weise gebildeten Legierung liegt wesentlich höher als diejenige des
verwendeten Diffusionsmetalls. Darüber hinaus ist die mechanische Druck- bzw. Zugfestigkeit
der Legierung wesentlich gegenüber einer Lötverbindung, bei der als Fließmetall
das hier verwendete Diffusionsmetall Anwendung findet, erhöht. Vom elektronischen
Gesichtspunkt ist eine derartige Verbindung noch insofern vorteilhaft, als hierbei
durch das entstandene verhältnismäßig homogene Kristallgitter die freien, zur elektronischen
Leitung beitragenden Elektronen innerhalb desselben quasi widerstandslos von dem
Anschlußelement in den Leitungszug und umgekehrt übertreten können, während das
bei einer Lötverbindung nicht ohne weiteres der Fall ist.
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Die Verwendung von Kupfer bzw. Kupferlegierung als Diffusionsträger
ist bei gleichzeitiger Verwendung von Indium, Gallium oder Zinn als eindiffundierendem
Metall besonders vorteilhaft. Auch ist es von Vorteil, das Anschlußelement aus Eisenmetall
zu fertigen, welches mit einer Kupferschicht überzogen wird, da dieses bei Ausbildung
desselben als Ringfeder eine besonders hohe Federkonstante aufweist und hierdurch
ein erhöhtes Andrücken an die Innenwandung einer in der Schaltungskarte eingebrachten
Durchbohrung gewährleistet wird. In diesem Zusammenhang ist es auch vorteilhaft,
das Anschlußelement mit einem Längsschlitz zu versehen. Weiter ist es für eine möglichst
zeitsparende Durchführung des Diffusionsverfahrens vorteilhaft, die Verbindungsstelle
mit einer Temperatur zu beaufschlagen, welche über der Schmelztemperatur des verwendeten
Diffusionsmetalls liegt, da hierdurch der Diffusionsvorgang in verhältnismäßig kurzer
Zeit abgeschlossen ist. Um die erwähnten Vorteile voll nutzen zu können, ist es
schließlich noch von Vorteil, auch die Verbindung des Anschlußdrahtes mit dem Anschlußelement
mittels eines Diffusionsverfahrens herzustellen.
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Die Zeichnung zeigt beispielsweise Ausführungsformen der Erfindung,
und es bedeutet
F i g. 1 eine Aufsicht auf eine gedruckte Schaltungskarte,
F i g. 2 bis 4 unterschiedliche Ausführungsformen von in Durchbohrungen der Schaltungskarte
eingebrachten Anschlußelementen im Schnitt.
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Gemäß F i g. 1 besteht die Schaltungskarte aus dem schichtartigen
Trägermaterial 10, auf welches Leitungszüge 11 in Form von dünnen, folienartigen
Kupferstreifen aufgebracht sind. Durch die Endabschnitte der Leitungszüge 11 wie
auch durch das Trägermaterial 1.0 sind an ihren Wandungen in bekannter Weise
metallisierte Durchbohrungen 12 (F i g. 2 bis 4) eingebracht, in welche Anschlußelemente
13 eingeführt werden.
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Das Basis- bzw. Trägermaterial 10 besteht vorteilhafterweise aus einem
Phenol- oder Epoxy-Glas-Isolierstoff, und die Leitungszüge 11 bestehen aus Nicht-Eisen-Metallen,
wie Kupfer od. dgl., wie z. B. aus Beryllium-Kupfer, Zink, Aluminium, Zinn oder
einer Bronze oder auch Kadmium, Wismut, Antimon, Gold, Blei, Magnesium, Mangan,
Molybdän, Palladium, Platin, Silber, Titan und Zirkonium oder Legierungen davon.
Die Herstellung der gedruckten Schaltungskarte erfolgt nach einem beliebigen hierfür
bekannten Verfahren. Die Bohrungen 12 sind vorzugsweise entlang ihrer Innenwandungen
verkupfert und können mit den Leitungszügen 11 eine elektrische Einheit bilden.
Die in den F i g. 2 bis 4 dargestellten Anschlußelemente 13 stellen Ausführungsformen
dar, die sich als besonders vorteilhaft erwiesen haben. Jedes dieser Anschlußelemente
13 weist einen vorzugsweise ringförmigen Querschnitt zumindest in einem Teil seiner
Länge auf, wobei dieser Teil vorteilhafterweise mit einem Längsschlitz 13 b versehen
ist. Dieser ermöglicht es, daß wenigstens eine Teillänge des Anschlußelementes radial
federt. Mit diesem Federteil wird das Anschlußelement 13 in die Bohrung 12 eingesetzt.
Die Anschlußelemente nach den F i g. 2 bis 4 sind weiterhin dergestalt ausgeführt,
daß ein elektrischer Anschlußdraht in einfacher Weise entsprechend der Erfindung
mit ihnen verbunden werden kann.
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Entweder die Innenwandung der Durchbohrungen 12 oder das Anschlußelement
13 oder auch beide sind mit einer Schicht versehen, die aus zumindest einem der
Stoffe der Gruppe besteht, die im wesentlichen von Indium, Gallium, Zinn, Indium-Legierungen
und Gallium-Legierungen gebildet wird. Die Anschlußelemente können aus dem gleichen
Metall wie die Leitungszüge 11 hergestellt werden. Vorzugsweise bestehen sie aus
Beryllium-Kupfer oder anderen Nicht-Eisen-Metallen, welche hinreichend gute Federeigenschaften
aufweisen.
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In einer anderen Ausführungsform bestehen die Anschlußelemente aus
mehreren Schichten, wobei auch eine Eisenmetallschicht Verwendung finden kann. Dies
ermöglicht es, Materialien mit besonders guten mechanischen und Federeigenschaften
zu benutzen; beispielsweise kann das Anschlußelement aus einem Röhrchen gebildet
sein, das aus einer 421)/o Eisen enthaltenden Eisen-Nickel-Legierung besteht; dieses
Röhrchen ist entweder vollständig oder zumindest auf seiner inneren oder auf seiner
äußeren Oberfläche mit Kupfer oder einer überwiegend Kupfer enthaltenden Legierung
überzogen.
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Das Aufbringen der Indiumschicht auf die Anschlußelemente kann vorteilhafterweise
auf galvanischem Wege erfolgen, wobei die Schichtdicke in einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
6,35 beträgt. In gleicher Weise ist Gallium verwendbar. Geeignet sind auch Indium-
oder Gallium-Legierungen, wie Zinn Indium, Aluminium-Indium und Zink Indium, mit
einem Indium-Gehalt von minimal 50 Gewichtsprozent, sowie Gallium-Zinn-Aluminium-Gallium
und Zink-Gallium, mit einem minimalen Gehalt an Gallium von 50 Gewichtsprozent.
Weiter können die Legierungen auch aus mehreren Metallen mit Indium- und Galliumanteilen
bestehen.
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Es ist zweckmäßig, die Anschlußelemente so auszubilden, daß sie unter
Anwendung von Druck in die zugeordneten Bohrungen der Leiterplatte eingepreßt werden
können. Hierzu wird vorteilhafterweise der Ringdurchmesser des radial federnden
Anschlußelementes 13 größer ausgebildet als der Durchmesser der Durchbohrung
12. Somit kann ein seitlicher bzw. radialer Druck von beispielsweise 2,1 kg/cm2
zwischen Bohrungswandung und Wandung des Anschlußelementes 13 erreicht werden.
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Nach dem Einsetzen der Anschlußelemente 13 in die zugeordneten Bohrungen
12 der Leiterplatte bzw. des Trägermaterials 10 wird diese Anordnung einer Temperatur
ausgesetzt, die geeignet ist, die Ausbildung der Diffusionsverbindung zwischen den
Anschlußelementen 13 und der Metallwandung der Durchbohrung 12 herbeizuführen.
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In einer bevorzugten Ausführung, in der die Anschlußelemente 13 mit
einer Indium-Schicht überzogen sind, wird die Anordnung beispielsweise auf eine
Temperatur von 260° C erhitzt bzw. bei dieser Temperatur getempert. Diese Temperatur
liegt beträchtlich über dem Schmelzpunkt von Indium (etwa 156° C), jedoch unterhalb
der Zerstörungstemperatur für das verwendete Isolierungsmaterial der Trägerplatte,
die beispielsweise bei etwa über 300° C liegen kann. Oberhalb der Schmelztemperatur
des Indiums diffundiert dieses verhältnismäßig schnell sowohl in das Kupfermetallgitter
des Anschlußelementes als auch in dasjenige der metallisierten Durchbohrung. Wenn
die aus den Anschlußelementen 13, den Leitungszügen 11 und dem Trägermaterial 10
bestehende Anordnung beispielsweise für 30 Minuten auf einer Temperatur gehalten
wird, die oberhalb des Schmelzpunktes des Indiums liegt, so kann danach der vollständige
Abschluß des Diffusionsvorganges auch bei Raumtemperatur erreicht werden. Die Diffusion
findet jedoch bei erhöhter Temperatur wesentlich schneller statt. Nach der Beendigung
der Diffusion bilden Anschlußelement und Kupferschicht in der Durchbohrung eine
feste, mechanische bzw. kristallstrukturelle Einheit, wobei in den Grenzschichten
sich eine Kupfer-Indium-Legierung ausgebildet hat. Diese Diffusionsverbindung kennzeichnet
sich dadurch, daß sich am Ende des Diffusionsvorganges praktisch das gesamte Indium
in die entsprechende Legierung umgewandelt hat.
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Die vermittels der erfindungsgemäßen Diffusionslegierungen bewirkte
Verbindung zwischen Anschlußelement und Metallschicht in der Durchbohrung weist
eine außerordentliche hohe Festigkeit auf. Um beispielsweise ein Anschlußelement
von einem äußeren Durchmesser von etwa 1,2 mm und einer Verbindungslänge von etwa
2,4 mm aus der Bohrung zu reißen, sind mehr als 35 kg Zug erforderlich. Der Vergleichswert
für ein gleichartiges, eingelötetes Anschlußelement liegt bei etwa 19 kg Zug. Diese
für die
praktische Verwendung derartiger Bauelemente besonders vorteilhafte,
hohe Festigkeit wird einmal dadurch bewirkt, daß eine Verbindung zwischen Anschlußelement
13 und Metallschicht in der Bohrung auf der ganzen Bohrungslänge erfolgt, und zum
anderen, daß Kupfer-Indium-Legierungen eine außerordentlich hohe Scherfestigkeit
aufweisen. Die Schmelztemperatur der Kupfer-Indium-Legierung liegt bei etwa 480°
C.
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Um zu noch höheren Festigkeiten zu gelangen, kann nach einer erfindungsgemäßen
Ausgestaltung die Legierungsoberfläche in verschiedener Weise vergrößert werden.
F i g. 4 zeigt eine beispielsweise Ausführung, bei der das Anschlußelement
13 einen Flansch 14 aufweist, der sich über den gesamten von ihm bedeckten
Bereich des Leitungszuges 11 durch Diffusion verbindet.
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Wie bereits erwähnt, sind die Anschlußelemente 13
vorzugsweise
derart ausgeführt, daß sie in einfacher Weise mit einem Drahtanschluß verbunden
werden können. Wie F i g. 2 bis 4 zeigen, sind hierfür die verschiedenartigsten
Ausführungsformen brauchbar. In der Regel wird das Anschlußelement 13 so ausgebildet
werden, daß der Anschlußdraht in dessen Öffnung eingeführt werden kann.
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Jedoch sind auch andere Ausführungsformen unter Umständen besonders
geeignet. F i g. 2 zeigt beispielsweise ein Anschlußelement 13, welches eine Fahne
15 aufweist, die es in einfacher Weise ermöglicht, einen nicht dargestellten
Anschlußdraht entweder anzuschweißen, herumzuwinden, einzusicken oder auch anzulöten.
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Das Anschlußelement nach F i g. 3 besitzt eine ringförmige Ausdellung
16. Hierdurch wird erreicht, daß die Federspannung, welche die Wandung des Anschlußelementes
13 gegen die Metallschicht in der Durchbohrung 12 preßt, möglichst
groß wird.
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Ganz allgemein kann das Anschlußelement 13 auch aus einer Eisenlegierung
bestehen, beispielsweise aus Nickel-Eisen mit 58% Nickelgehalt, jedoch eignen sich
derartige Eisenlegierungen kaum dazu, mit Indium, Gallium oder Zinn eine Diffusionsverbindung
einzugehen. In einer Weiterführung der Erfindung wird daher das Anschlußelement
13 z. B. mit einer Kupferschicht 17 überzogen. Auf die Kupferschicht wird dann die
Schicht aus Gallium oder Indium aufgebracht. Um auch den Anschlußdraht mit dem Anschlußelement
13 durch Diffusion verbinden zu können, kann die innere Oberfläche desselben ebenfalls
mit Indium oder einem anderen Stoff der genannten Gruppe von Diffusionsmetallen
überzogen werden.
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In das Anschlußelement 13 nach F i g. 3 wird hierfür ein Anschlußdraht
eingebracht und anschließend durch Deformation des Anschlußelementes 13 in dieses
fest eingepreßt, so daß ein fester Kontakt zwischen Drahtoberfläche und Innenwandung
des Anschlußelementes entsteht. Anschließend wird die ganze Anordnung in der oben
beschriebenen Weise einer Wärmebehandlung ausgesetzt und die Diffusionsverbindung
zwischen Anschlußdraht und Anschlußelement 13 hergestellt. Hierbei ist besonders
vorteilhaft, daß eine solche zweite Wärmebehandlung ohne nachteiligen Einfluß auf
eine in einem vorherigen Verfahrensschritt ausgebildete Diffusionsverbindung zwischen
Metallschicht in der Durchbohrung 12 und dem Anschlußelement 13 ist. Es ist
selbstverständlich auch möglich, beide Diffusionsverbindungen mittels einer Wärmebehandlung
herzustellen.