DE1287618C2 - Ueberlastungsschutzeinrichtung fuer transistoren im horizontalablenkteil eines fernsehgeraetes - Google Patents

Description

(USA.-Patentschrift 30 30 444) sorgt die zwischen den Transistorausgang und einen Punkt festen Potentials geschaltete Spitzengleichrichteranordnung einerseits für eine Spannungsstabilisierung am Kollektor des Transistors und andererseits für einen angemessenen Schutz des Transistors gegen solche in ihrer Größe vorhersehbaren Hochspannungsimpulse, die im normalen Betrieb infolge der Unterbrechung des Stromflusses im induktiven Ablenkkreis periodisch auftreten, wobei sich noch der Vorteil ergibt, daß am Verbindungspunkt der beiden Elemente der Spitzenglcichrichteranordnung eine stabilisierte Spannung für die Speisung anderer Teile des Empfängers zur Verfügung steht. Dagegen ist bei dieser Anordnung der Transistor nicht gegen die erwähnten willkürlich auftretenden Überspannungs- oder Überstromstöße geschützt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Überlastungsschulzeinrichtung für Transistoren im Horizontalablenktcil eines Fernsehgerätes zu schaffen, die den Transistor in umfassender Weise nicht nur gegen die im normalen Betrieb auftretenden Hochspannungs- und Starkstromimpulse, sondern auch gegen Überspannungen oder Überströme schüt/t. die durch willkürliche, übergangsbedingte Schaltungszustände hervorgerufen werden, und auch iichäuft auftreten können und u. U. über ungewollte Koppelwege in den Eingangskreis des Transistors gelangen könnten.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Uberlastungsscliutzeinrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß entsprechend den kennzeichnenden Merkmalen im Anspruch ausgebildet.

Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß mit sehr einfachen Mitteln der Transistor gegen die genannten extremen Belastungen geschützt wird, ohne daß dabei auf die Vorteile der bekannten Anordnung, nämlich Kollektorspannungsstabilisierung und Bereitstellung einer zusätzlichen Speisespannung für andere Empfängertcüe, verzichtet zu werden braucht.

Es wurde bereits eine transistorbestückte Ablenkschaltung für Fernsehgeräte vorgeschlagen (älteres Patent 12 37 617), bei der mit dem Ausgang des Transistors eine Gleichrichterschaltung verbunden ist, die eine weitgehend stabilisierte Spannung erzeugt, wobei der Stromkreis dieser Gleichrichterschaltung ein spannungsabhängiges Schaltelement enthält. Hier handelt es sich jedoch um den Vertikalablenkteil des Empfängers, wo bekanntlich andere Probleme auftreten als im Horizontalablenkteil. Ferner dient diese Einrichtung nicht dem Überlastungsschutz, sondern der Bereitstellung einer stabilisierten Spannung als Speisespannung für das Aufladungsnetzwerk zur Erzeugung eines den Transistor steuernden Sägezahnsignals.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen erläutert. Es zeigt

Fig. I das Schaltschema eines Fernsehempfängers mit erfindungsgemäßcr Übcrlasüingsschutzcinrichtung im Zeilenablcnkteil und

F i g. 2 a bis 2f Spannungs- und Stromverläufe, die an verschiedenen Punkten der Schaltung nach Fig. 1 auftreten.

Im Horizontalablcnkteil der in Fig. I gezeigten Anordnung gelangen die in üblicher Weise gewonnenen Horizontalsynchronisiersignale über die Leitung 24 zum Phasendetektor und Impulsgenerator 26. Der Impulsgenerator 26 integriert und verstärkt die Horizontalsynchronisierimpulse, die auf diese Weise von den Vertikalsynchronisierimpulsen abgetrennt werden. Das resultierende polaritäts- und zeitabhängige Gleichspannungssignal gelangt zum eigentlichen Impulsgenerator. Die am Ausgang des Impulsgenerators 26 mil der Zeilenfrequenz auftretenden Impulse sind daher phasenkorrigiert und durch die Horizontalsynchronisierzeichen synchionisiert.

Diese Impulse gelangen vom Impulsgenerator 26

ίο über die Leitung 27 zur Basis des Treibertransistors 28, die über eine Spule 29 mit dem Emitter dieses Transistors gekoppelt ist.

Der Emitter des pnp-Transistors 28 liegt über die Leitung 31 direkt am Schaltungsnullpunkt, während der Kollektor des Transistors 28 über die Primärwicklung 33 eines Transformators 34 mit dem negativen Pol 32 einer Betriebsspannungsquelle, deren positiver Pol geerdet ist, verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 28 ist ferner über einen spannimgsabhängigen Widerstand (VDR-Widerstand oder Varistor) 36, dessen Widerstandswert mit zunehmender Spannung abnimmt, mit dem Emitter dieses Transistors verbunden. Ferner ist der Kollektor des Transistors 28 zwecks Phasenfühlung über die Leitung 30 mit dem Phasendetektor und Impulsgenerator 26 verbunden.

Die Sekundärwicklung 37 des Transformators 34 ist mit ihrem einen Ende geerdet und mit ihrem anderen Ende über ein Netzwerk 38 mit der Basis des Zeilenablenktransistors 39 verbunden. Das Netzwerk 38 besteht aus der Parallelschaltung eines Kondensators 40 und eines nichtlinearen Widerstandes 45. Der Widerstand 45 kann wie gezeigt eine Glühlampe oder aber ein Widerstand sein, dessen ohmscher Wert mit zunehmendem Strom ansteigt.

Der Emitter des pnp-Transistors 39 lic^t direkt an Masse, während der Kollektor dieses Transistors über die Primärwicklung 42 des Hochspannungstransformators 43 und eine Schmelzsicherung 44 an den negativen Pol 41 einer Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist. Ferner ist der Kollektor direkt mit einer Klemme 46 verbunden, die ihrerseits ar. die eine Klemme H der Zeilenablenkspule 47 der Kathodenstrahlröhre 17 angeschlossen ist. Die andere Klemme H der Ablenkspule 47 ist an den Verbindungspunkt 48 zweier Kondensatoren 49 und 51 angeschlossen. Die andere Seite des Kondensators 51 liegt direkt an Masse, während die andere Seite des Kondensators 49 mit dem Kollektor des Ablenktrcnsistors 39 verbunden ist.

Zwischen den Kollektor und den Emitter des Transistors 39 ist die Dämpfungsdiode 52 geschaltet. Ferner ist an den Kollektor des Transistors 39 eine aus der Reihenschaltung einer Diode 53 und eines Kondensators 54 bestehende Spitzengleichrichtcranordnung angeschlossen. Über den auf seiner einen Seite geerdeten Kondensator 54 ist ein /weiter spannungsabhängiger Widerstand oder Varistor 56 geschaltet, dessen Widerstandswert sich im umgekehrten Verhältnis zur angelegten Spannung ändert.

Die Sekundärwicklung 57 des Hochspannungstransformators 43 ist mit ihrem einen Ende geerdet und mit ihrem anderen Ende über einen strombegrenzenden Widerstand 58 mit der Anode eines Hoeh-Spannungsgleichrichters 59 verbunden. Die Kathode des Gleichrichters 59 ist an eine Klemme 61 angeschlossen, die ihrerseits unmittelbar mit der Hochspannungsanode A der Kathodenstrahlröhre 17 vcr-

bunden ist. Die Klemme 61 liegt ferner über einen Siebkondensator 62 an Masse. Die Heizspannung für den Gleichrichter 59 wird von einer Wicklung 63 des Transformators 43 abgenommen.

Im Betrieb erzeugt der Impulsgenerator 26 positiv gerichtete Impulse 71 (Fig. 2a) mit einer der gewünschten Zeilcnfrequenz entsprechenden Folgefrequenz. Durch einen zur Basis des Treibertransistors 28 gelangenden positiven Impuls wird dieser pnp-Transistor gesperrt, so daß sein Kollektor-Emitter-Strom aufhört und ein negativer Impuls 72 (F i g. 2 b) zur Primärwicklung 33 des Transformators 34 gelangt.

Der Varistor 36 trägt dazu bei, daß die in der Primärwicklung 33 gespeicherte Energie absorbiert wird, indem er diese Primärwicklung für an ihr auftretende Hochspannungsimpulse mit einem niedrigen Widerstand belastet oder bedämpft. Dadurch wird verhindert, daß der am Kollektor des Treibertransistors 28 auftretende Spannungsimpuls 72 eine gedämpfte Schwingung mit einer durch die Induktivität der Primärwicklung 33 und die verteilte Kapazität bestimmten Frequenz durchläuft. Der VDR-Widerstand 36 ist bei angelegter hoher Spannung niederohmig und bei angelegter niedriger Spannung hochohmig. Auf diese Weise wird der Treibertransistor 28 vor Zerstörung durch diejenigen kräftigen Spannungsimpulse geschützt, die andernfalls beim plötzlichen Abbrechen des Stromflusses durch die Primärwicklung 33 des Transformators 34 zum Kollektor dieses Transistors gelangen wurden.

Der zur Primärwicklung 33 gelangende kräftige negative Impuls 72 induziert in der Sekundärwicklung 37 einen positiv gerichteten Impuls 73 (Fig. 2c). Dieser positive Impuls gelangt über das Netzwerk 38 zur Basiselektrode des Zeilenablenktransistors 39.

Der zur Basiselektrode gelangende positive Impuls 73 sperrt den Transistor 39. Das Sperren des Transistors 39 hat zur Folge, daß der Ablenkstromfluß in den Zeilenablenkspulen 47 der Kathodenstrahlröhre 17 (Hinlaufstrom) plötzlich aufhört. Durch die in den Zeilenablenkspulen 47 gespeicherte Energie, die sich nunmehr über den Kondensator 49 in Form einer gedämpften Halbwellenschwingung entlädt, wird ein kräftiger Rücklaufstrom induziert.

Bei Beendigung der positiven Impulse 71 und 73 an den Basiselektroden der Transistoren 28 bzw. 39 werden die normalen Vorspannungen dieser Transistoren in der Durchlaßrichtung wiederhergestellt. und es beginnt der nächste Hinlauf der Zeilenabtastung. Die Dämpfungsdiode 52 leitet während des ersten Teils des Zeilenhinlaufintervalls. wobei der Stromfluß in den Zeilenablenkspulen 47 linear ansteigt und dieser lineare Anstieg sich auf Grund des wieder einsetzenden Stromflusses durch den Transistor 39 entsprechend den bekannten Prinzipien der Zeilenablenkung mit Dioden-Rücklaufdämpfung fortsetzt. Die Dämpfungsdiode 52 ergänzt auf diese Weise die unvollkommene Symmetrie des Transistors 39 in seiner Funktion als Zweipol-Schalter. Außerdem entfällt durch die Diode 52 die Notwendigkeit, daß das Wiedereinsetzen der Stromleitung des Transistors 39 mit großer Genauigkeit erfolgt.

Der Basisstrom des Transistors 39 entspricht dem durch die ausgezogene Linie 74 in Fig. 2d angedeuteten Verlauf. Man sieht, daß dieser Strom sich unter Bildung einer steilen und kräftigen Entladestromspitze, die die Ausschaltzeit des Transistors 39 bestimmt, umkehrt. Dieser kurzzeitige, starke Basisentladestrom wird hauptsächlich vom Kondensator 40 aufgenommen. Anschließend wird der Entladestrom vom nichtlincarcn Widerstand 45 aufgenommen und begrenzt. Es kann vorkommen, daß wahrend dieser Abschaltpcriode die Basisdurchbruchsspannimg des Transistors 39 überschritten wird. Da bei überschrittener Durchbruchsspannuiig der Strom des Transistors schneller ansteigt als die Treiber- oder Steuerspannung, kann es vorkommen, daß der Transistor »durchgeht« und dadurch zerstört wird.

Dies wird durch den nichtlincarcn Widerstand 45, dessen Widerstandswert mit dem Strom ansteigt, verhindert. Dieser Widerstand begrenzt den Basisstrom des Transistors 39 so weit, daß ein Durchgehen verhindert wird. Außerdem begrenzt der Widerstand 45 den Transistordurchbruch unabhängig von der jeweiligen Durchbruchsspannung des Transistors 39. die auf Grund der unvermeidlichen Herstcllungstolcranzen von Transistor zu Transistor verschieden sein kann. Es wird somit durch den spannungsabhängigen Widerstand 36 und den stromabhängigen Widerstand 45 der Basistreiberstrom des Transistors 39 so /ugeformt, daß eine sehr rasche Basisentladung und sehr kleine Durchbruchs-Basisströmc in diesem Transistor auftreten.

Die normalerweise am Kollektor des Transistors 39 auftretende Spannung entspricht dem durch die ausgezogene Linie 76 in Fig. 2e dargestellten Verlauf. Der normale Stromfluß durch die Diode 53 entspricht dem in Fig. 2f durch die ausgezogene Linie 77 dargestellten Verlauf. Bei einem Transistor vom Typ TAE 1928 mit einer Kollektor-Emitter-Vorspannung von beispielsweise —40 Volt können die Spannungsspitzen im Spannungsverlauf 76 in Fig. Ze in der Größenordnung von 250VoIt betrauen. Die Spitzen des durch den Stromverlauf 77 ir Fig. 2f dargestellten Diodenstromes betragen in der Größenordnung von 1 Ampere.

Durch die abwechselnde Entriegelung und Vcrriegclung des Transistors 39 werden außerdem plötzliche Änderungen des Stromfiusses in der Primärwicklung 42 des Hochspannungstransformators 43 erzeugt. Diese plötzlichen Stromänderungen rufen in der Sekundärwicklung 57 Hochspannungsimpuisc

hervor, die durch den Hochspannungsgleichrichter 59 gleichgerichtet werden und von der Klemme 61 zur Hochspannungsanode A der Kathodenstrahlröhre 17 gelangen. Die Diode 53 und der Kondensator 54 bilden eine Spitzengleichrichteranordnung. die am

Verbindungspunkt 64 eine Gleichspannung erzeugt. die als Betriebsspannung für einige der vorgeschalteten Videostufen des Fernsehempfängers verwendet werden kann. Außerdem kann diese Spannung beispielsweise für die Fokussierelektrode der Kathodenstrahlröhre 17 verwendet werden.

Die Spitzengleichrichteranordnung 53, 54 begrenzt die Spannung am Kollektor des Transistors 39 bei den regulär auftretenden Rücklaufspannungsimpulsen. Diese Spannung wird durch Energieübertragung

von den Zeilenablenkspulen 47 über die Diode 53 in den verhältnismäßig großen Kondensator 54 begrenzt. Dabei stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein, wenn die (bei verriegeltem Transistor) im Kondensator 54 gespeicherte Energie gleich der von dem an den Ver-

bindungspunkt 64 angeschlossenen Lastwiderstand verbrauchten Energie ist.

Es kann jedoch geschehen, daß am Knilektor des Transistors 39 willkürlich auftretende, zusätzliche

Spannungsimpulsc entwickelt werden. Beispielsweise riann der Hochspannungsgleichrichter 59 durchschlagen und die Sekundärwicklung 57 des Transformators 43 weitgehend kurzschließen. Dabei erscheint die Streuinduktivität parallel zu den Horizontalablenkspulcn 47, so daß der Strom, die Spannung und die Energie, die am Kollektor des Transistors 39 vernichtet werden müssen, entsprechend ansteigen. Die dabei entstehenden Spannungsimpulsc haben eine Amplitude, die wesentlich größer ist als die Amplitude der regulären polaritätsverkehrten Impulse an der Primärwicklung 42.

Ein derartiger momentaner Spannungsimpuls ist in Fig. 2c durch den gestrichelten Spannungsverlauf 78 angedeutet. Die Spitzenamplitude eines solchen Impulses kann beispielsweise in der Größenordnung von 720VoIt betragen. Normalerweise würde durch einen solchen momentanen Hochspannungsimpuls in der Diode 53 ein entsprechender in Fig. 2f durch den Stromverlauf 79 angedeuteter Strom induziert werden. Dieser Stromimpuls 79 kann eine Spitzenamplitude von 5 bis 10 Ampere haben und 2 bis 3 Mikrosekundcn andauern, während der normale Diodcnstromimpuls etwa 1 Mikroampere beträgt und etwa 1 Mikrosekunde dauert. Der Transistor 39 wird vor dieser Übcrslrombelastung durch den mit dem Kondensator 54 parallelgcschalteten Varistor 56 geschützt. Die in dem kräftigen Überstrom steckende Energie wird in den durch den Kondensator 54 und den Varistor 56 gebildeten Lastkreis abgeleitet. Der größte Teil der aus kurzen F.nergicstößcn bestehenden Energie wird durch den Kondensator 54 absorbiert. Länger dauernde Energiestöße erzeugen am Varistor 56 eine höhere Spannung, die dessen Widersland herabsetzt, so daß ein größerer Anteil des längeren Fnerüicstoßcs vom Varistor 56 absorbiert wird. Der längere Energiestoß äußert sich außerdem in einem ansteigenden Gleichstrom, der schließlich zu einem Durchbrennen der Sicherung 44 führt, so daß der Transistor 39 zusätzlich geschützt ist.

Der mit dem Kondensator 54 parallelgcschaltete VDR-Widerstand oder Varistor 56 verhindert, daß derartiüc momentane Hochspannungsimpulse zum Transistor gelangen, indem er diese Impulse auf die durch die gestrichelte Linie 81 in Fig. 2e angedeutete Form reduziert. Für die regulär auftretenden Spannuimsimpulsc 76. die die Diode 53 öffnen, ist der Widersland des Varistors 56 sehr hoch, so daß er *venig Einfluß auf den normalen Gleichrichtungsbetrieb der Diode 53 und des Kondensators 54 hat. Erscheint dagegen ein willkürlicher Hochspannungsimpuls 78, so wird durch die dabei am Varistor 56 auftretende erhöhte Spannung der Widerstand des Varistors erheblich erniedrigt, so daß der größte Teil des am Kollektor des Transistors 39 verfügbaren Stromes den Varistor durchfließt. Dadurch wird verhindert, daß diese Energie den Transistor 39 schädigt oder die am Verbindungspunkt 64 erzeugte Spannung nachteilig beeinflußt.

Auf diese Weise ist der Ablenktransistor 39 gegen

ίο willkürlich auftretende Hochspannungsiinpulse. die zwei- bis dreimal so stark wie die regulär auftretenden llochspannungsimpulse sein können, geschützt. Der Hochspannungsgleichrichter 59 ist häulig in der Lage, momentanen Spannungsdurchbrüchen standzuhalten und sich wieder für den normalen Betrieb zu erholen. Der in Reihe mit dem Gleichrichter 59 liegende Widerstand 58 verhindert einen vollständigen Kurzschluß der Hochspannungswkklung 57 im Falle eines Dutchbruchs des Gleichrichters 59. Bei Nichlvorhandcnscin des Varistors 56 kann es jedoch geschehen, daß der Ablenklransisior 39 sehr rasch zerstört wird, obwohl der Hochspannungsgleichrichter 59 den Durchbruch übersteht und seinen normalen Betrieb wieder aufnimmt.

Es kann geschehen, daß der Hochspannungsgleichrichter 59 schadhaft wird und endgültig durchschlägt. Auch kann es infolge anderweitiger Fehler oder Versager in der Schaltung vorkommen, daß am Kollektor des Transistors 39 eine Hochspannung und ein entsprechend starker Strom erzeugt werden, die erheblich länger andauern als die wenigen Mikrosekunden. die der momentane Spannungsdurchbruch daueit. Beispielsweise kann es vorkommen, daß bei Reparaturen die Sekundärwicklung 57 des Transformators 43 versehentlich kurzgeschlossen wird. Um den Ablenktransistor gegen solche Vorkommnisse zu schützen, ist die Schmelzsicherung 44 vorgesehen. Die Sicherung 44 ist außerdem so angeordnet, daß der Strom, der durch die bei einem Durchbruch im Kondensator 65 gespeicherte Energie erzeugt wird, nicht in den Transistor 39 gelangt, sondern die Sicherung durchfließt, so daß ein maximaler Schutz für den Transistor gewährleistet ist.

An Stelle das Varistors 56 kann man auch andere Elemente mit ungefähr gleichwertigen Eigenschaften verwenden.

Als Transistoren für die Treiberstufe und die Ablenkstufe werden im vorliegenden Falle pnp-Tran sistoren verwendet. Selbstverständlich kann man hier für jedoch auch npn-Transistoren mit entsprechen der Polung und Vorspannung verwenden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

609 640/2

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Überlastungsschutzeinrichtung für Transistoren im Horizontalablenkteil eines Fernsehgerätes mit mindestens einem Schalttransistor, an dessen Ausgang eine Lastschaltung angeschlossen ist, wobei der Ausgang des Transistors über eine Spitzengleichrichteranordnung, bestehend aus der Reihenschaltung eines Bauelementes mit Riehtleitercharakteristik und eines Kondensators, mit einem Punkt festen Potentials verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß erstens mit dem Kondensator (54) ein nichtlineurer spannungsabhängiger Widerstand (56) parallel geschaltet ist, dessen Wert sich im umgekehrten Sinn wie die Spannung ändert und der so bemessen ist, daß er bei den im ungestörten Betrieb auftretenden Zeilenrücklaufimpulsen noch so hochohmig ist, daß er wenig Einfluß auf den normalen Gleichrichtungsbetrieb der Spitzengleichrichteranordnung hat, und daß er nur beim Auftreten größerer Spannungsimpulse im gestörten Betrieb niederohmig wird, daß zweitens im Ausgangskreis des Transistors (39) zusätzlich ein strombegrenzendes Sicherungselement (44) angeordnet ist, und daß drittens im Eingangskreis des Transistors (39) ein nichtlineares Widerstandselcment (45), dessen Widerstand mit zunehmendem Strom ansteigt, vorgesehen ist.

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   Die Erfindung betrifft eine Überlastungsschutzeinrichtung für Transistoren im Horizontalablenkteil eines Fernsehgerätes mit mindestens einem Schalttransistor, an dessen Ausgang eine Lastschaltung angeschlossen ist, wobei der Ausgang des Transistors über eine Spitzengleichrichteranordnung, bestehend aus der Reihenschaltung eines Bauelementes mit Richtleitercharakieristik und eines Kondensators, mit einem Punkt festen Potentials verbunden ist.

   Zum Unterschied von Elektronenröhren sind Halbleiterbauelemente, wie Transistoren, in manchen Fällen außerstande, sich von bestimmten, mit dem Auftreten abnorm starker Ströme oder hoher Spannungen verbundenen Übergangszuständen in der Schaltung zu erholen, so daß es vorkommen kann, daß Transistoren, die den normalen stationären Betriebsbedingungen durchaus gewachsen sind, durch unerwartete momentane Knergicstöße /erstört werden.

   Im Horizontalablenkleil eines Fernsehempfängers, bei dem in der eigentlichen Ablenkstufe gewöhnlich ein Siigezahnstrom für die elektromagnetische Strahlablenkung der Bildröhre und außerdem die Hochspannung für die Bildröhrenanode erzeugt werden, können durch die Änderung des Stromllusses in der induktiven Last «line Spannungen induziert werden. Wenn es sich um eine transistorbestückte Ablenkschaltung handelt, ist es erforderlich, den Transistor !legen daraus sich ergebende Überlastungen zu schützen; denn es lassen sieh zwar Transistoren herstellen, die den regulär auftretenden Hochspannungsimd Slarkstromimpulsen standhalten, doch kann bei unerwarteten Übergangszuständen oder momentanen Energiestößen der Transistor kurzzeitig mit Überspannung oder Überstrom so staik belastet werden, daß er beschädigt oder zerstört wird.

   Es sind zwar eine ganze Reihe von Maßnahmen bekannt, um Transistoren allgemein gegen Überlastung zu schützen. So ist beispielsweise bei einer in der DT-AS 11 08 802 beschriebenen Zerhackerschaltung zur Speisung einer Neonröhre parallel zu einem Zerhackertransistor ein VDR-Widerstand geschaltet, der bei einem Bruch der Neonröhre die an den Klemmen des Zerhackertransformators auftretende Überspannung zum Schutz des Zerhackertransistors aufnimmt. Auch aus der Zeitschrift NTZ 1961, Heft 12, Seite 606 ist die Überbrückung gefährdeter Stromstrecken von Verstärke.transistoren durch eine Diode oder eine Zenerdiode beschrieben, welche beim Auftreten unzulässig hoher Spannungen an der betreffenden Stromstrecke leitend werden und die Stromstrecke so überbrücken. Ferner ist in der US-PS 30 47 742 ein transistorisierter Steuerverstärker für einen Magnetverstärker beschrieben, parallel zu dessen im Kollektorkreis des Transistors liegender Steuerwicklung die Reihenschaltung eines Gleichrichters mit einer Zenerdiode geschaltet ist, wobei diese Reihenschaltung bei einem schnellen Zusteuern des Tiansistors die durch den dadurch bedingten schnellen Stromabfall in der Transduktorsteuerwieklung induzierten Spannungsspitzen begrenzt, so daß die Kollektorspannung des Transistors nicht auf für den Transistor schädliche Werte ansteigen kann.

   Aus Ri nt, Handbuch für Hochfrequenz und Elektrotechniker, Band 4, 1957, Seiten 73—75, ist es weiterhin bekannt, VDR-Widerstände zur Uuterdrükkung von Spitzenspannungen dem zu schützenden Bauelement parallel zu schalten. Dabei wird u. a. auf die Anwendung bei einem Bildausgangstransformator zur Verminderung hoher Spitzen beim Rücklauf hingewiesen. Eine derartige Anwendung beschreibt auch Attwood in »Circuit Design for Transistorized Television Receivers« in Mullard Res. Lab TP vom Mai 1961, Seiten Il —16. Attwood untersucht, wie weit die Bildrücklaufspannung auf Kosten der Bildrücklaufdauer vermindert werden darf und gibt dann eine die Bildrücklaufspannungsspit^en bis zu diesem Wert begrenzende Schaltung an, bei der an den Kollektor des Bildciidtransistors die Reihenschaltung eines Gleichrichters mit einem Parallel-KC-Glicd angeschlossen ist, dessen R wahlweise durch einen VDR-Widerstand gebildet sein kann. Dieser arbeitet bereits im normalen Betrieb der Schaltung in seinem niederohmigen Bereich und vernichtet die in den abgeschnittenen Teilen der Bildrücklaufimpulse enthaltene Energie.

   Die in der Zeilenablenkstufe eines Fernsehgeräte« auf Grund der starken Rücklaufspannungsspitzel sowie der Hochspannungserzeugung sich ergebender Probleme bringen es jedoch mit sich, daß der Über lasiungsschuiz des Ablenktransistors einerseits besonders kritisch ist und andererseits sich erhcblicl schwieriger getaltet, als etwa der Schutz eines »e wohnlichen Verstärkertransistors od. dgl. Nachdcn nämlich der Ablenktransistor in der Regel die dop pelte Aufgabe der Sagezahnerzeugung und der I loch spannungserzeugung zu erfüllen hat, ist es nicht ohn weiteres möglich, ihn wirksam gegen Übcrlastungei z.u schützen, ohne dabei seine Nutzfunktionen zu be einträchtigen.

   Bei der eingangs genannten bekannten Einrichtun