DE1284261B - Schweisseinrichtung, insbesondere fuer Halbleiterbauelemente - Google Patents
Schweisseinrichtung, insbesondere fuer HalbleiterbauelementeInfo
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Description
1 2
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Ver- ohne besondere Hilfsmittel in ausreichender Weise
schweißen zweier Teilstücke einer Halbleitervorrich- gegen das andere Teilstück gepreßt werden könnte,
tung, insbesondere zum Anschweißen eines Leiter- Der Druckstempel kann an sich beliebig ausgebil-
drahts an ein leitendes Teilstück eines Transistor- det sein, er darf lediglich keine großen Wärmemengen
kopfstücks, durch Anwendung von Druck und Wärme 5 von der Schweißstelle abführen. Er könnte also bei
auf die beiden aneinanderliegenden Teilstücke. verhältnismäßig großer Auflagefläche aus einem
Es ist bekannt, Leitungsdrähte mit leitenden Teil-. Werkstoff mit schlechter Wärmeleitfähigkeit bestücken
eines Transistors dadurch zu verschweißen, stehen, beispielsweise aus einem keramischen Werkdaß
die gesamte Halbleiteranordnung sowie der Lei- stoff. Im Hinblick auf einen verhältnismäßig hohen
terdraht erhitzt und gleichzeitig beide Teilstücke in io Anpreßdruck bei geringer Gesamtkraft ist es jedoch
Berührung gehalten werden. Dieses bekannte Ver- besonders zweckmäßig, wenn der Druckstempel eine
fahren hat den Nachteil, daß durch das Erhitzen der den Anpreßdruck ausübende Kante aufweist und insganzen
Halbleiteranordnung Temperaturen erreicht besondere meißelartig ausgebildet ist.
werden, bei denen die temperaturempfindlichen Bei der Düse ist zunächst einmal lediglich darauf
Halbleiter zerstört werden können, und wegen der 15 zu achten, daß sie einen möglichst kleinen Innenverhältnismäßig
großen, zu erhitzenden Masse wird durchmesser aufweist; zu bevorzugen ist jedoch eine
insbesondere dann zum Schweißen viel Zeit benötigt, insbesondere elektrisch beheizbare Hohlnadel als
wenn wegen der Temperaturempfindlichkeit die Düse, da sie den Vorteil mit sich bringt, daß sie erst
Temperaturen an den Grenzen der Halbleiteranord- in unmittelbarer Nähe des Druckstempels enden
nung nicht wesentlich über der zu erreichenden End- ao kann, wodurch sich ein besonders scharf gebündelter
temperatur liegen dürfen. Gasstrahl erzielen läßt.
Es ist auch bekannt, Kunststoffe mittels eines elek- An sich könnte nun mit einem entzündeten Gastrisch
aufgeheizten Gasstrahls zu schweißen. Diese strahl gearbeitet werden; dies ist jedoch deshalb nicht
Art der Kunststoffschweißung wird schon lange an- sonderlich zweckmäßig, weil damit die Gefahr von
gewandt, jedoch hat sie sich auf das Gebiet der Fein- 25 Oberflächenveränderungen am zu schweißenden
mechanik deshalb nicht übertragen lassen, weil alle Material hervorgerufen wird und außerdem die heibisher
bekannten Gasstrahl-Schweißvorrichtungen ßen Gase nicht so genau gezielt auf die Schweißstelle
für Kunststoffe manuell gehaltene Vorrichtungen mit gerichtet werden können, da im Bereich einer
großen Gasstrahldurchmessern sind, wohingegen Flamme außerordentlich hohe Temperaturgradienten
beim Schweißen an Halbleitervorrichtungen nur in so 30 auftreten. Nach einem weiteren Merkmal der Erfinkleinen
Bereichen geschweißt wird, daß die bekann- dung wird deshalb empfohlen, Gas und Gastempeten
Vorrichtungen schon wegen ihrer rein manuellen ratur so auszuwählen, daß die Gastemperatur über
Handhabung und der damit notwendigerweise ver- der Verbundtemperatur der beiden Teilstücke, jebundenen
unsicheren Halterung ausscheiden. Schließ- doch unter der Entflammungstemperatur des Gases
lieh ist noch das sogenannte Kaltpreßschweißen be- 35 liegt.
kannt, das jedoch derart hohe Drücke erfordert, daß In der Zeichnung und in der Beschreibung sind
die zu verschweißenden Werkstoffe in den Bereich Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Es
ihrer Fließgrenzen geraten, was bei der Bearbeitung zeigt
von Halbleitervorrichtungen zu deren Zerstörung F i g. 1 ein System gemäß der Erfindung, um einen
führen würde. 40 Anschlußdraht mit einem Transistoranschlußstück zu
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, verbinden,
eine Einrichtung der eingangs erwähnten Art zu Fig.2 das System gemäß Fig. 1, wobei jedoch
schaffen, mit deren Hilfe an Halbleitervorrichtungen der Anschlußdraht mit einem leitenden Streifen einer
schnell und genau und insbesondere ohne Gefähr- Halbleiterplatte verbunden wird,
dung der erwünschten Eigenschaften der Halbleiter 45 Fig. 3 eine Draufsicht auf die Baueinheit nach
geschweißt werden kann. Diese Aufgabe wird gemäß F i g. 1 und 2,
der Erfindung dadurch gelöst, daß ein nur eine ge- F i g. 4 eine vergrößerte Ansicht eines Ausführinge
Wärmeableitung von der Schweißstelle bewir- rungsbeispiels der Verbundeinrichtung,
kender Druckstempel zum Aneinanderpressen der F i g. 1 zeigt ein System zum Befestigen eines Leibeiden
Teilstücke und eine einen scharf gebündelten, 50 terdrahtes 10, der von einer geeigneten Vorratsspule
heißen Gasstrahl erzeugende Düse kleinen Innen- abgewickelt wird, auf einem Anschlußstift 11 eines
durchmessers in einem Halter befestigt sind und daß Transistors. Der gleiche Leiterdraht wird später dann
die Austrittsöffnungsachse der Düse unmittelbar auf einem leitenden Metallstreifen an der Oberfläche
neben dem Druckstempel auf die beiden Teilstücke einer Halbleiterplatte 13 angebracht, die auf einem
gerichtet ist. Der wesentliche Vorteil der erfindungs- 55 Kopfstück 12 angeordnet ist.
gemäßen Einrichtung besteht darin, daß nur sehr Die Platte 13 ist auf der oberen Fläche des Kopfkleine Flächen bzw. Volumina, die exakt angesteuert Stückes 12 angeordnet, und von diesem Kopfstück 12
werden können, aufgeheizt werden müssen, was in- aus erstrecken sich drei Anschlußdrähte 14,15 und
folge des schneller zu bewerkstelligenden Aufheizens 16. Der Anschlußdraht 14 ist elektrisch mit dem Angroße
produktionstechnische Vorteile mit sich bringt, 60 schlußstift 11 verbunden. Der Anschlußdraht 15 ist
keine so hohen Temperaturen der Wärmequelle er- mit dem Kopfstück 12 und damit mit einer Zone der
fordert und infolgedessen nicht die Gefahr der Zer- Platte 13 verbunden. Der Anschlußdraht 16 ist mit
störung der Halbleiteranordnung durch zu hohe einem Anschlußstift 17 verbunden. Ferner ist eine
Temperaturen mit sich bringt, und daß schließlich Drahtzuführvorrichtung 20 mit einem Drahtvorrat
die Frage unerheblich ist, was für eine Eigensteifig- 65 vorgesehen, die ein kapillares Zuführrohr 21 und eine
keit die beiden Teilstücke aufweisen, von denen das Klemmvorrichtung 22 hat, um so den Leiterdraht 10
eine beispielsweise ein äußerst dünner Draht sein richtig zu lagern und zu steuern, und zwar derart, daß
kann, dessen Eigensteifigkeit zu gering ist, als daß er sein Ende sich anfangs über und oberhalb des An-
3 4
schlußstiftes 11 erstreckt. Die Drahtzuführvorrich- Kanüle versehene Nadel 50. Die Nadel ist unter
tung ist in drei Koordinaten oberhalb der Platte 13 einem Winkel auf die Spitze des Meißels 25 zu gebewegbar,
wie dies weiter unten noch näher erklärt richtet. Die Nadel 50 ist über ein Rohr 51 an eine
wird. Druckgasquelle 52 angeschlossen. Der Zustrom des
Ferner ist ein Meißel 25 mit einem Gewicht 26 an S Gases aus der Druckgasquelle 52 wird durch ein
seinem oberen Ende senkrecht verschiebbar in einem Regelventil 53 gesteuert und geregelt. Das Gas strömt
Arm 27 angeordnet. Der Arm 27 kann sich in senk- durch die Nadel 25 auf die Zone, an der der Draht
rechter Richtung bewegen, um so den Meißel 25 10 in Berührung mit dem Oberteil des Stiftes 11 geunter
der Steuerung einer Gruppe von zu einem halten wird.
Handgriff 30 führenden Hebeln anzuheben oder ab- io Eine Stromquelle 55 wird über einen Leiter 56 an
zusenken. Mit dem unteren Ende eines Steuerhebels ein Anschlußstück an der Basis der Nadel 50 an-
31 ist über ein Kugelgelenk ein Knopf 29 verbunden. geschlossen. Diese Vorrichtung ist ferner über einen
Das obere Ende des Steuerhebels 31 ist in einer Leiter 57 mit einem Anschlußstück in der Nähe der
Kugel-Pfannen-Lagerung 32 an einem festen Gestell- Spitze der Nadel 50 verbunden. Damit kann Strom
glied 33 fest angebracht. 15 durch die Nadel 50 fließen, um diese auf eine höhere
An einer Kugel-Pfannen-Lagerung 35 ist ein Temperatur anzuwärmen, deren Größe dadurch geschwingendes
Nachlaufgestellglied 34 mit dem Steuer- steuert wird, daß die Temperatur der Nadel mit einem
hebel 31 in der Nähe seines oberen Endes gekoppelt. Thermoelement erfühlt und dieser Zustand dann zur
Damit kann der Knopf 29, der auf einer glatten Steuerung der Stromzufuhr verwendet wird. Wenn
flachen Fläche 36 ruht, in der X- und Y-Richtung ao damit die Nadel 50 auf einer erhöhten Temperatur
um erhebliche Beträge bewegt werden. Dabei folgt gehalten wird, so wird das durch die Nadel fließende
das Gestellglied, und zwar entsprechend der Kugel Gas vor dem Auftreffen auf die Verbundzone er-
und der Kugel-Pfannen-Lagerung 35 der Bewegung wärmt.
des Knopfes um proportional geringere Wege. Die Der Leiterdraht 10 ragt aus dem Ende des Zuführ-
Untersetzung hängt von den relativen Abständen zwi- 25 rohres 21 heraus und liegt über dem Anschlußstift
sehen den Kugel-Pfannen-Lagern 29 und 32 und den 11. Der Knopf 29 wird dann so betätigt, daß der
Kugel-Pfannen-Lagern 32 und 35 ab. Meißel 25 unmittelbar über dem Leiterdraht liegt.
Mit dem Nachlaufgestellglied 34 sind drei Gleit- Nunmehr wird der Handgriff 30 zum Absenken des
elemente gekuppelt. Das erste oder F-Gleitelement Armes 27 heruntergedrückt. Das Gewicht des Mei-39
ist auf Kugeln 37 und 38 zur Lagerung an dem 30 ßels 25 ruht dann auf dem Leiterdraht 10. Der Strom
festen Gestellglied 33 angeordnet. Das Gestellglied des erwärmten Gases erwärmt dann eine begrenzte
33 hat einen nach unten sich öffnenden Kanal mit Fläche, um so den Draht mit dem Oberteil des Anäußeren
Flanschen, die die Laufflächen für die Ku- schlußstiftes 11 zu verbinden. Anschließend werden
geln 37 und 38 bilden. Das Γ-Mittelgleitelement 39 der Knopf 29 und der Handgriff 30 betätigt, um den
bewegt sich entlang der F-Achse gemäß Fig. 1. 35 Meißel25 vom Leiterdraht 10 abzuheben. In der
Eine zweite Stange, und zwar das Z-Gleitelement 40 Praxis wird dann der Meißel etwas in der X-Richtung
ist auf ähnliche Weise kugelgelagert, so daß der bewegt, um den Draht mit dem Stift 11 noch an einem
Steuerhebel 31 sich nunmehr frei in der X- und zweiten und dritten Punkt zu verbinden. Die Betäti-Y-Richtung
bewegen kann. Mit der senkrechten Seite gungsvorrichtung 28 wird nun betätigt, um den
des Nachlaufgestellgliedes 34 ist ein Teilstück eines 40 Meißel 25 unmittelbar über einen leitenden Streifen
dritten Gleitelementes 41 fest verbunden. an der oberen Stirnfläche der Platte 13 zu bringen,
Ein zweiter Teil dieses Gleitelementes 41 trägt den wie dies in F i g. 2 dargestellt ist. Bei Betätigung des
Arm 27. Derjenige Teil, an dem der Arm 27 befestigt Knopfes 29 und des Handgriffes 30 in dieser Lage
ist, ist an einem Gestänge, einschließlich der Hebel- wird der Meißel 25 auf den Leiterdraht 10 abgesenkt,
arme 42 und 43, befestigt, die am Punkt 44 mitein- 45 um so diesen Draht 10 auf den Streifen, und zwar auf
ander und ferner mit dem Hebelarm 45, der bei 46 die obere Strinfläche der Platte 13, zu drücken. Durch
am Arm 43 angelenkt ist, verbunden sind. Das Ende den Zustrom von erwärmtem Gas wird nun der Leides
Hebelarmes 45, das entgegengesetzt zum Punkt terdraht 10 mit dem Leiterstreifen verbunden. Die
46 angeordnet ist, ist mit dem Handgriff 30 ver- nicht dargestellte Zuführvorrichtung wird dann bebunden.
Neben dem Punkt 44 ist ein Drehpunkt 47 50 wegt, wobei der Leiterdraht 10 festgeklemmt wird,
angeordnet. Neben dem Anlenkpunkt 46 ist ein zwei- um nun diesen Draht neben der Verbundzone zum
ter Drehpunkt 48. Durch Herunterdrücken und An- Abbrechen zu bringen. Wenn der Verbundvorgang
heben des Handgriffes 30 kann nun das Gleitelement vollständig durchgeführt ist, wird die Betätigungs-41
betätigt werden, um so den Meißel 25 anzuheben vorrichtung 28 betätigt, um den Meißel 25 vom Lei-
oder abzusenken. Eine Feder 49 hält normalerweise 55 terdraht 10 abzuheben,
den Meißel 25 in angehobener Stellung. Nunmehr wird der Träger 60 für das Kopfstück
den Meißel 25 in angehobener Stellung. Nunmehr wird der Träger 60 für das Kopfstück
Es sei darauf hingewiesen, daß ein spiegelbildliches 12 gedreht, um so die Stellungen der Stifte 11 und 17
System zum Betätigen des Armes 27 vorgesehen ist, zu vertauschen. Der vorher beschriebene Vorgang
und zwar im Zusammenhang mit der Drahtzuführ- wird dann wiederholt, um einen zweiten Leiterdraht
vorrichtung 20. Damit sind der Draht 10 und der 60 mit dem Anschlußstift 17 und einem zweiten Leiter-Meißel
25 innerhalb bestimmter Grenzen frei dreh- streifen auf der Platte 13 zu verbinden,
bar, so daß sie über dem Oberteil des Transistor- Wie in F i g. 3 dargestellt, befindet sich das Kopfkopfstückes schweben, und zwar, um so den Draht stück an der Verbundstation und wird entsprechend auf die anzuschweißende Stelle aufzubringen und um eingestellt, und zwar vor dem Verbund der Leiterden Meißel 25 über dem Draht anzuordnen. Durch 65 drähte, die von einer Spule 61 kommen. Ein Kopf-Ablassen drückt dann der Meißel 25 den Draht auf stück 62 ist mit bereits angebrachten Leiterdrähten die Verbundstelle. dargestellt, das von der Verbundstation wegbewegt
bar, so daß sie über dem Oberteil des Transistor- Wie in F i g. 3 dargestellt, befindet sich das Kopfkopfstückes schweben, und zwar, um so den Draht stück an der Verbundstation und wird entsprechend auf die anzuschweißende Stelle aufzubringen und um eingestellt, und zwar vor dem Verbund der Leiterden Meißel 25 über dem Draht anzuordnen. Durch 65 drähte, die von einer Spule 61 kommen. Ein Kopf-Ablassen drückt dann der Meißel 25 den Draht auf stück 62 ist mit bereits angebrachten Leiterdrähten die Verbundstelle. dargestellt, das von der Verbundstation wegbewegt
Der Arm 27 trägt eine lange, hohle, mit einer worden ist.
Fig.4 zeigt in größerem Maßstab und teilweise
im Schnitt ein Ausführungsbeispiel des Systems. In diesem System ist der Meißel 25 verschiebbar in
einem Halter 70 angeordnet, der ein unteres Lager 71 und ein oberes Lager 72 hat. Der Meißel erstreckt
sich nach aufwärts oberhalb des Lagers 72 und ist mit einem zylindrischen Gewicht 73 und einem Zahnrad
74 versehen. Das Zahnrad 74 und das Gewicht 73 sind mit dem Meißel 25 durch eine Stellschraube
75 fest verbunden. Der Meißel 25 ist normalerweise von dem Zahnrad 74 getragen, das auf der oberen
Fläche des Lagers 72 aufliegt. Die Lager 71 und 72 sind jeweils in den Enden des Halters 70 angeordnet.
Der Halter 70 ist am Ende des Armes 27 gehalten.
Das Zahnrad 74 kämmt mit einem Zwischenrad 76, das auf einer nicht dargestellten Welle unmittelbar
hinter dem Meißel 25 angeordnet ist und das durch ein drittes Rad angetrieben wird, das einen
Teil einer Riemenscheibenvorrichtung 77 bildet.
Mit der Riemenscheibenvorrichtung 77 wirkt ein Riemen 78 zusammen, um so dem Zwischenrad 76
und damit auch dem Rad 77 eine Drehbewegung zu erteilen, und zwar zu dem Zweck, die Verjüngung des
Meißels 25 richtig zu orientieren.
Das untere Ende des Meißels 25 ist angeschärft, so daß sich eine begrenzte Kontaktfläche an der Oberfläche
des Leiterdrahtes 10 ergibt, wenn der letztere nach unten auf die Oberfläche des Anschlußstiftes 11
gepreßt wird. Die Nadel 50 ist in einem Halter angeordnet, der mit dem oberen Ende der Nadel einen
elektrischen Kontakt hat. In der besonderen Konstruktion wird eine Klemmvorrichtung 78 auf die
Nadel 50, beispielsweise durch die Schrauben 79 und 80, aufgeklemmt. Die Nadel 50 ist von der üblichen
hypodermischen Art mit einem Basisstück 81 und einem Nippel 82, an dem das Rohr gemäß F i g. 1
befestigt werden kann. Die Klemmvorrichtung 78 ist in einem Halter 83 angeordnet, der mit dem Arm 27
durch Schrauben 84 und 85 fest verbunden ist. Der Halter 83 besteht aus Isoliermaterial und hat eine
Öffnung, in die das untere Ende 86 der Klemmvorrichtung 78 paßt. Der Halter 83 trägt ein Paar von
starren, länglichen Elektroden, von denen eine, nämlich
die Elektrode 87, in F i g. 4 dargestellt ist.
Die Elektrode 87 ist an der unteren schrägen Kante des Halters 83 durch die Schrauben 88 befestigt.
Die Elektrode 87 hat eine winkelförmige Nut, die sich von ihrer Spitze aus erstreckt, in die das
untere Ende der Nadel eingepaßt ist. Mit Hilfe der Schrauben 88 werden die beiden Elektroden, einschließlich
der Elektrode 87, auf der Nadel 50 festgeklemmt, so daß sich hier ein mechanischer Halt
ergibt und ein elektrischer Kontakt aufrechterhalten wird. Die Stromquelle55 gemäß Fig. 1 kann dann
mit der Klemmvorrichtung 78 und mit der Elektrode 87 verbunden werden, so daß nun ein Strom durch
die ganze Länge entlang der Nadel 50 fließt und diese auf eine beträchtlich erhöhte Temperatur erwärmt
wird.
Die Schrauben 84 und 85 sind in Löcher im Arm 27 eingeschraubt, die Bestandteile einer Vielzahl von
Löchern 90,91 usw. bilden. Damit kann der Winkel, unter dem die Nadel 50 auf die Meißelspitze, den
Draht 10 und den Anschlußstift 11 zu gerichtet wird, verändert werden.
Im Halter 83 ist an Stelle des Gewindeeinsatzes 92 ein Thermoelement angebracht, das in Berührung mit
dem Schaft der Nadel zwischen der Elektrode 87 und der Klemmvorrichtung 78 ist. Wie in F i g. 1 dargestellt,
erstrecken sich elektrische Leiter von diesem Thermoelement aus, um so die Höhe des Stromes
durch die Nadel zu steuern, derart, daß die Temperatur im wesentlichen konstant gehalten wird.
Es sei darauf hingewiesen, daß der erwärmte Gasstrom aus der Nadel 50 nicht nur auf den Leiterdraht
und den Anschlußstift 11 auftritt, sondern daß er auch die Spitze des Meißels 25 derart erwärmt, daß
ein geeigneter Verbund zwischen dem Leiterdraht 10 und dem Stift 11 erzielt werden kann. In der Praxis
sind der Winkel, unter dem das Gas auf das Arbeitsstück auftrifft, der Abstand von der Spitze der Nadel
bis zum Arbeitsstück, die Dimensionen des Meißels, die Gasströmungsgeschwindigkeit und die
Nadeltemperaturen veränderlich und können für die optimalen Arbeitsbedingungen entsprechend eingestellt
werden.
Claims (7)
1. Einrichtung zum Verschweißen zweier Teilstücke einer Halbleitervorrichtung, insbesondere
zum Anschweißen eines Leiterdrahtes an ein leitendes Teilstück eines Transistorkopfstücks,
durch Anwendung von Druck und Wärme auf die beiden aneinanderliegenden Teilstücke, dadurch
gekennzeichnet, daß ein nur eine geringe Wärmeableitung von der Schweißstelle
bewirkender Druckstempel (25) zum Aneinanderpressen der beiden Teilstücke (10, U) und eine
einen scharf gebündelten, heißen Gasstrom erzeugende Düse (50) kleinen Innendurchmessers in
einem Halter (27) befestigt sind und daß die Austrittsöffnungsachse der Düse (50) unmittelbar
neben dem Druckstempel (25) auf die beiden Teilstücke (10,11) gerichtet ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckstempel (25) eine
den Anpreßdruck ausübende Kante aufweist.
3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckstempel (25) meißelartig
ausgebildet ist.
4. Einrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch
eine beheizbare Hohlnadel (50) als Düse.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckstempel (25) zusammen
mit der Hohlnadel (50) in den drei Raumkoordinaten bewegbar ist.
6. Einrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halter (27) von Druckstempel (25) und Düse (50) im wesentlichen horizontal geführt
ist und in seiner Arbeitsstellung mit seinem Eigengewicht auf den beiden Teilstücken ruht.
7. Einrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gastemperatur über der Verbundtemperatur der beiden Teilstücke (10,11), jedoch
unter der Entflammungstemperatur des Gases liegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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DE1284261B true DE1284261B (de) | 1968-11-28 |
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ID=23241002
Family Applications (1)
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Country | Link |
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US (1) | US3409977A (de) |
DE (1) | DE1284261B (de) |
GB (1) | GB1076526A (de) |
MY (1) | MY6900257A (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |