DE1254590B - Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium - Google Patents
Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von SiliciumInfo
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Deutsche KL: 12 c - 2
1 254 590
S 95239IV c/12 c 29. Januar 1965 23. November 1967
S 95239IV c/12 c 29. Januar 1965 23. November 1967
Zur Herstellung von hochreinem Halbleitermaterial für elektronische Zwecke wird unter anderem das
tiegelfreie Zonenschmelzen angewendet. Ein stabförmiger Körper des zu behandelnden Stoffes, z. B.
aus Silicium, wird an seinen Enden eingespannt und lotrecht in einer Zonenschmelzapparatur, z. B. in
einer Vakuumkammer oder einer mit Schutzgas gefüllten Kammer, gehalten. Ein kleiner Teil der Stablänge
wird durch eine Heizquelle, z.B. durch eine Induktionsheizspule oder durch eine Strahlungsheizquelle,
derart beheizt, daß an dieser Stelle eine Schmelzzone entsteht. Durch Relativbewegung zwischen
Heizquelle und dem zu behandelnden stabförmigen Körper wird die Schmelzzone von einem zum
anderen Ende des Stabes durch diesen hindurchgeführt.
Wird an das eine Ende des Halbleiterstabes ein Keimkristall, d. h. ein durch vorherige Behandlung
einkristallin gewachsener Stabteil angesetzt, so kann von diesem Keimkristall ausgehend der gesamte stabförmige
Körper in einen Einkristall umgewandelt werden. Indem man die Schmelzzone mehrfach durch
den Halbleiterstab hindurchwandern läßt, wird die Verunreinigungskonzentration in dem behandelten
Material verringert bzw. durch besondere Maßnahmen vergleichmäßigt. Durch verschiedene Maßnahmen
kann die Querschnittsgröße des behandelten Körpers gesteuert bzw. geregelt werden. So kann man
z. B. durch Auseinander- bzw. Zueinanderbewegen der beiden Stabhalterungen dafür sorgen, daß die
Schmelzzone gestaucht bzw. gestreckt wird, wodurch der Querschnitt der Schmelzzone vergrößert bzw.
verringert wird, was zur Folge hat, daß auch der Querschnitt des aus der Schmelzzone wieder anwachsenden
Stabteiles entsprechend vergrößert bzw. verkleinert wird. Dieser Streck-Stauchprozeß kann in
Abhängigkeit von verschiedenen Meßgrößen, ζ. B. in Abhängigkeit von dem in die Heizspule eingespeisten
Strom, bzw. in Abhängigkeit von optischen Meßgrößen geregelt werden. Für gewöhnlich wird eine
solche Regelung vorgenommen, daß der Stabquerschnitt über die gesamte Stablänge gleich ist, wodurch
die Möglichkeit besteht, die von dem Stab durch Schnitte senkrecht zur Stabachse abgeschnittenen
Scheiben ohne weitere Zerteilung zu Halbleiterbauelementen weiterzuverarbeiten, da sie alle die
gleiche Flachengröße aufweisen.
Für die Weiterverarbeitung der Halbleiterscheiben zu Halbleiterbauelementen ist nicht nur die Reinheit
des Materials, sondern auch die Kristallqualität sehr wichtig. In den meisten Fällen ist es erwünscht, daß
Versetzungen nur in sehr geringer Menge vorhanden Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von
Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr. phil. nat. Konrad Reuschel, Pretzfeld (OFr.)
sind und weiter, daß sie über den Stabquerschnitt verhältnismäßig gleichmäßig verteilt sind. Es ist in
neuerer Zeit gelungen, vollkommen versetzungsfreies einkristallines Material herzustellen, doch ist dies
nicht in jedem Falle erwünscht. So hat es sich z. B.
für die Herstellung von Bauelementen durch Legieren als zweckmäßig erwiesen, wenn eine geringe Anzahl
von Versetzungen vorhanden ist.
Die Erfindung betrifft die Herstellung von Halbleitermaterial mit verbesserter Kristallqualität. Sie
bezieht sich deshalb auf ein Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere
von Silicium, bei dem ein stabförmiger Körper des zu behandelnden Stoffes lotrecht an seinen
Enden gehaltert und eine Schmelzzone von einem an einem Ende angeschmolzenen Keimkristall ausgehend
durch den Körper der Länge nach hindurchgeführt wird, wobei die Größe des Querschnitts des
stabförmigen Körpers gesteuert wird. Es ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Querschnittsgröße
wenigstens beim letzten Durchgang der Schmelzzone so gesteuert wird, daß sie vom Keimkristall
ausgehend bis zum anderen Stabende ständig ansteigt.
Es zeigte sich, daß auf diese Weise dafür gesorgt werden kann, daß die Versetzungsdichte, d. h. die
Anzahl der Versetzungen, bezogen auf die Flächeneinheit des Querschnitts, sowohl über den Stabquerschnitt
als auch über die Stablänge in erwünschten Grenzen gleichmäßig gehalten werden kann, z. B.
zwischen 10 000 und 80 000/cm2. Es werden auch die schädlichen Reihenversetzungen (lineages) verhindert,
während Gleitlinien (slippages) zwar auftreten, aber nur in einem verhältnismäßig geringen, als zulässig
zu erachtenden Rahmen. Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere für die Behandlung
von Halbleiterstäben großen Querschnitts, z. B. von 35 oder 40 mm Durchmesser und darüber geeis
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net, bei denen in erhöhtem Maße die Gefahr besteht, daß die Versetzungsdichte mit der Entfernung vom
Keimkristall zunimmt und daß besonders am Rand des Querschnitts Reihenversetzungen (lineages) auftreten.
An Hand eines Ausführungsbeispiels, aus dem weitere Einzelheiten hervorgehen, soll das erfindungsgemäße
Verfahren im nachfolgenden im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden.
In der Zeichnung ist ein Halbleiterstab 2 dargestellt, der an seinen Enden in Halterungen 3 und 4
lotrecht gehaltert ist. An das untere Ende des Halbleiterstabes 2 ist ein Keimkristall 5 angeschmolzen.
Zweckmäßigerweise hat der Keimkristall 5 einen wesentlich geringeren Durchmesser als der zu behandelnde
Halbleiterstab 2, wodurch die Kristallqualität verbessert werden kann. Beispielsweise die obere
Stabhalterung 3 kann gehoben und gesenkt und dadurch die Schmelzzone 6 gestreckt und gestaucht
werden. Die untere Stabhalterung 4 wird zweckmäßigerweise um ihre eigene Achse gedreht, wodurch
das aufwachsende Halbleitermaterial gezwungen wird, einen kreisförmigen Querschnitt anzunehmen.
Die Schmelzzone 6 wird durch eine Heizspule 7 erzeugt, die das Halbleitermaterial induktiv erhitzt. Die
Wanderungsrichtung der Heizspule 7 und damit der Schmelzzone 6 ist vom Keimkristall 5 ausgehend von
unten nach oben.
Es wurde nun beobachtet, daß bei größeren Stabquerschnitten, z. B. bei Stäben mit Durchmessern
von mehr als 30 mm, Schwierigkeiten hinsichtlich der Kristallqualität auftraten. Wenn durch bestimmte
Maßnahmen, z. B. die Auswahl des Keimkristalls und durch entsprechende Kühlungs- und Heizungsverhältnisse, z. B. durch die Wahl der Geschwindigkeit
der Wanderung der Schmelzzone, erreicht wurde, daß die Versetzungsdichte in dem auf dem Keimkristall
folgenden Stabteil die gewünschten Werte, z.B. 50000Versetzungen pro cm2 hatte, nahm die
Versetzungsdichte mit zunehmender Entfernung vom Keimkristall ebenfalls zu und erreichte am Ende des
Stabes weit mehr als den doppelten Wert..
Es wurde nun festgestellt, daß in dem Fall, daß der Querschnitt des Halbleiterstabes mit der Entfernung
vom Keimkristall zunimmt, die Versetzungsdichte praktisch gleich gehalten werden kann und
daß sie auch über den Stabquerschnitt gemessen keine größeren Abweichungen als den Faktor 1,5
aufweist. Wie weiter festgestellt wurde, genügt es in den meisten Fällen, wenn nicht während des gesamten
Zonenschmelzprozesses mit mehrfachem Durchlauf der Schmelzzone eine anwachsende Querschnittsform des Halbleiterstabes vorgesehen wird, sondern
lediglich beim letzten Zonendurchgang eine derartige Querschnittsform erzeugt wird. Man kann also während
des Zonenschmelzens durch automatische Regelung dafür sorgen, daß der auf andere Weise, z. B.
durch Abscheidung aus der Gasphase gewonnene Halbleiterstab, einen gleichmäßigen Wert der Querschnittsgröße
über seine gesamte Stablänge behält, während beim letzten Zonendurchgang die Querschnittsgröße
durch Stauchen so gesteuert wird, daß die erwünschte Wirkung eintritt. Häufig kann man
mit nur einem Durchgang der Schmelzzone aus einem polykristallinen Stab einen zur Weiterverarbeitung zu
Halbleiterbauelementen geeigneten konischen Ein-
ίο kristall herstellen.
Es besteht ein Zusammenhang zwischen der Stärke der Vergrößerung des Querschnitts und der erzielbaren
Wirkung in der Hinsicht, daß mit einer stärkeren Vergrößerung des Querschnitts eine stärkere
Verminderung der Versetzungsdichte einhergeht. Bezogen auf runde Querschnitte, ist es in den meisten
Fällen ausreichend, wenn der Durchmesser um etwa 5 mm auf etwa 50 mm Stablänge anwächst, damit das
gewünschte Ziel, nämlich eine gleichmäßige Versetzungsdichte über die gesamte Stablänge erreicht wird.
Ein Ansteigen des Stabdurchmessers um 1 mm auf 200 mm Stablänge sollte nicht unterschritten und ein
Ansteigen um 1 mm auf 1 mm nicht überschritten werden.
Es ist auch wichtig, daß während des Durchganges der Schmelzzone, bei dem die konische Gestalt des
Einkristalls erzeugt wird, dafür Sorge getragen wird, daß das leichte Ansteigen der Querschnittsgröße an
keiner Stelle kurzzeitig unterbrochen wird, z. B.
durch Querrillen, Einschnürungen od. dgl. Deshalb darf z. B. die Wanderungsgeschwindigkeit der
Schmelzzone nicht über 5 mm/Min, gesteigert werden, da darüber mit stärkeren Querrillen gerechnet werden
muß, die gegebenenfalls einen kurzen negativen
Anstieg zur Folge haben. Als untere Grenze der Wanderungsgeschwindigkeit erscheint 1 mm/Min, als
notwendig.
Claims (2)
1. Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium,
bei dem ein stabförmiger Körper des zu behandelnden Stoffes lotrecht an seinen Enden gehaltert und eine Schmelzzone von einem an einem
Ende angeschmolzenen Keimkristall ausgehend durch den Körper der Länge nach hindurchgeführt
wird, wobei die Größe des Querschnitts des stabförmigen Körpers gesteuert wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die Querschnittsgröße
wenigstens beim letzten Durchgang der Schmelzzone so gesteuert wird, daß sie vom Keimkristall
ausgehend bis zum anderen Stabende ständig ansteigt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Querschnittsgröße so gesteuert
wird, daß der Stabdurchmesser zwischen 1:1 und 1:200, bezogen auf die Stablänge, anwächst.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 689/403 11.67 © Bundesdruckerei Berlin
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US497681A US3454367A (en) | 1965-01-29 | 1965-10-19 | Method of crucible-free zone melting of semiconductor material,particularly silicon |
CH98266A CH430656A (de) | 1965-01-29 | 1966-01-25 | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silizium |
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4222930A (en) | 1976-12-23 | 1980-09-16 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Sulfur and phosphorus containing organosilicon compounds and process for their production and use |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3876388A (en) * | 1968-10-30 | 1975-04-08 | Siemens Ag | Method of varying the crystalline structure of or the concentration of impurities contained in a tubular starting crystal or both using diagonal zone melting |
US5108720A (en) * | 1991-05-20 | 1992-04-28 | Hemlock Semiconductor Corporation | Float zone processing of particulate silicon |
US5361128A (en) * | 1992-09-10 | 1994-11-01 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method for analyzing irregular shaped chunked silicon for contaminates |
JP2922078B2 (ja) * | 1993-03-17 | 1999-07-19 | 株式会社トクヤマ | シリコンロッドの製造方法 |
US6251182B1 (en) | 1993-05-11 | 2001-06-26 | Hemlock Semiconductor Corporation | Susceptor for float-zone apparatus |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2743200A (en) * | 1954-05-27 | 1956-04-24 | Bell Telephone Labor Inc | Method of forming junctions in silicon |
US2985519A (en) * | 1958-06-02 | 1961-05-23 | Du Pont | Production of silicon |
US3206286A (en) * | 1959-07-23 | 1965-09-14 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for growing crystals |
US2992311A (en) * | 1960-09-28 | 1961-07-11 | Siemens Ag | Method and apparatus for floatingzone melting of semiconductor rods |
-
1965
- 1965-01-29 DE DES95239A patent/DE1254590B/de active Pending
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1966
- 1966-01-25 CH CH98266A patent/CH430656A/de unknown
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- 1966-01-28 GB GB4038/66A patent/GB1081827A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4222930A (en) | 1976-12-23 | 1980-09-16 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Sulfur and phosphorus containing organosilicon compounds and process for their production and use |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3454367A (en) | 1969-07-08 |
GB1081827A (en) | 1967-09-06 |
BE675593A (de) | 1966-07-26 |
CH430656A (de) | 1967-02-28 |
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