DE1263698B - Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents

Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Info

Publication number
DE1263698B
DE1263698B DES98712A DES0098712A DE1263698B DE 1263698 B DE1263698 B DE 1263698B DE S98712 A DES98712 A DE S98712A DE S0098712 A DES0098712 A DE S0098712A DE 1263698 B DE1263698 B DE 1263698B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
melt
heating device
rod part
diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES98712A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Rer Nat Wolfgang Keller
Guenther Berger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DES89317A priority Critical patent/DE1218404B/de
Priority to CH1115564A priority patent/CH413785A/de
Priority to SE14136/64A priority patent/SE309965B/xx
Priority to GB3442/65A priority patent/GB1044592A/en
Priority to NL656506040A priority patent/NL138766B/xx
Priority to FR17994A priority patent/FR1444259A/fr
Priority to BE664435D priority patent/BE664435A/xx
Priority to DES98115A priority patent/DE1275032B/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES98712A priority patent/DE1263698B/de
Priority to NL6605968A priority patent/NL6605968A/xx
Priority to DK251066AA priority patent/DK124458B/da
Priority to DK260666AA priority patent/DK124459B/da
Priority to NL666607827A priority patent/NL146402B/xx
Priority to CH837566A priority patent/CH442245A/de
Priority to CH837666A priority patent/CH442246A/de
Priority to FR65422A priority patent/FR90825E/fr
Priority to FR68096A priority patent/FR91257E/fr
Priority to GB30903/66A priority patent/GB1079870A/en
Priority to SE9375/66A priority patent/SE323654B/xx
Priority to BE683852D priority patent/BE683852A/xx
Priority to GB31122/66A priority patent/GB1081600A/en
Priority to US564118A priority patent/US3477811A/en
Priority to SE10177/66A priority patent/SE323655B/xx
Priority to BE685153D priority patent/BE685153A/xx
Priority to US664211A priority patent/US3414388A/en
Publication of DE1263698B publication Critical patent/DE1263698B/de
Priority to US853596A priority patent/US3658598A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
    • C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/32—Mechanisms for moving either the charge or the heater
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/08—Downward pulling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/91—Downward pulling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/911—Seed or rod holders
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/912—Replenishing liquid precursor, other than a moving zone
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/917—Magnetic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
BOId
BOIj
Deutsche Kl.: 12 c-2
1263 698
S98712IVc/12c
7. August 1965
21. März 1968
Das Hauptpatent 1218 404 bezieht sich auf ein Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines lot-' recht an seinen Enden gehalterten kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, dessen Halterungen, von denen mindestens eine um ihre lotrechte Achse in Drehung versetzt wird, relativ zueinander und zu einer den Stab ringförmig umgebenden Heizeinrichtung in Richtung der Stabachse mit derart aufeinander abgestimmten Geschwindigkeiten bewegt werden, daß die Dicke des aus der Schmelze wiedererstarrenden Stabteils über die lichte Weite der Heizeinrichtung hinaus vergrößert wird. Nach dem Verfahren des Hauptpatents wird die sich drehende Halterung des wiedererstarrenden Stabteils relativ zur Heizeinrichtung seitlich verschoben. Nach Erreichen des Sollquerschnitts wird die Halterung des wiedererstarrenden Stabteils relativ zur Heizeinrichtung nur noch in der Höhe verschoben.
Dieses Verfahren wird erfindungsgemäß dadurch weitergebildet, daß der Durchmesser des der Schmelze zugeführten Stabteils größer als der Innendurchmesser der Heizeinrichtung gewählt und die Schmelze eingeschnürt wird. Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß der Stab nur in einem verhältnismäßig kleinen Bereich aufgeschmolzen und die Schmelze durch das Magnetfeld der unter ihr befindlichen Spulenwindungen gestützt wird, so daß ein Abtropfen auch von Stäben mit größerem Durchmesser verhindert wird. Die Stützwirkung kann durch Wahl einer geeigneten Heizstromfrequenz, beispielsweise in dem Bereich zwischen 500 kHz und 2 MHz, nöch~erhöht werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat insbesondere den Vorteil, daß mit ihm Stäbe großen Durchmessers hergestellt werden können, deren Länge größer ist als die der nach dem Verfahren des Hauptpatents hergestellten Stäbe. Ferner wird eine bessere Materialausbeute erzielt, da die für die Weiterverarbeitung unbrauchbaren Stabenden von langen und von kurzen Stäben gleiche Größe haben. Außerdem besteht die Möglichkeit, Stäbe mit gegenüber dem Verfahren des Hauptpatents weiter vergrößertem Querschnitt herzustellen. Vorteilhaft ist es aber auch, den Querschnitt des der Schmelze zugeführten Stabteils gleich dem gewünschten Querschnitt des auskristallisierten Stabteils zu wählen, wodurch eine große Stablänge erzielt wird und der Stab mehrfach durch die Heizspule hindurchgeführt werden kann.
An Hand eines Ausführungsbeispieles soll die Erfindung näher erläutert werden.
F i g. 1 bis 3 stellen verschiedene Phasen des erfrndungsgemäßen Verfahrens dar.
In F i g. 1 wurde an dem unteren Ende eines stab-Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
Zusatz zum Patent: 1218 404
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr. rer. nat. Wolfgang Keller, 8551 Pretzfeld;
Günther Berger, 8000 München
förmigen Körpers 2, der beispielsweise aus halbleitendem Material besteht und dessen Durchmesser größer ist als der Innendurchmesser einer Induktionsheizspule 3, erne Verjüngung 4 angebracht, die von der ringförmigen Heizspule umschlossen ist. Die Verjüngung kann z. B. mechanisch durch Abschleifen oder Sandstrahlen oder chemisch mittels Ätzen hergestellt sein. In dem vorliegenden Beispiel sei sie jedoch durch Anschmelzen eines dünnen stabf örmigen Keimkristalls entstanden, welcher z. B. ein Einkristall sein kann, der zum Einkristallzüchten dient.
Die mit Hochfrequenzstrom gespeiste Heizspule 3 erzeugt eine Schmelzzone 5. Der Keimkristall 4 werde um seine lotrechte Achse gedreht. Wie aus der Zeichnung hervorgeht, ist die Schmelzzone im Zeitpunkt, der in F i g. 1 dargestellt ist, an der Stelle angelangt, an der der Übergang vom dünnen Keimkristall zur normalen Stabdicke erreicht ist.
In Fig. 2 werden die weiteren Verfahrensmaßnahmen in einem späteren Zeitpunkt durch entsprechende Pfeile dargestellt. Der Keimkristall 4 wird nicht nur nach unten mit Bezug auf die ruhend angenommene Heizspule 3, sondern gleichzeitig in der Bildebene nach rechts bewegt. Hierdurch wird auch die Schmelzzone nach rechts auseinandergezogen. Der obere Stabteil 2 wird im entsprechenden Verhältnis von oben nachgeschoben. Der entstehende untere Stabteil ist mit 2 a bezeichnet.
In F i g. 3 ist der stabile Endzustand des Verfahrens dargestellt, in dem keine weitere seitliche Verschiebung des unteren Stabteils mehr vorgenommen
• ;. . ; 809 519/548
wird, sondern die Stabteile 2 und la nur .noch nach unten bewegt werden.
Das Verfahren wurde an einem Beispiel beschrieben, bei dem der Durchmesser des auskristallisierten Stabteils gleich dem des der Schmelze zugeführten Sfabteils ist, bei dem ferner der Stab durch die feststehende Heizspule von oben nach unten hindurchgeführt wird und bei dem der unten angeschmolzene Keimkristall um seine lotrechte Achse gedreht wird. Es ist jedoch ohne weiteres einzusehen, daß die gleiche Lehre auch für den Fall gilt, daß die Heizspule über den feststehenden Stab hinweggeführt wird, daß beide Stabteile im entgegengesetztem Sinn um ihre Achse gedreht werden oder nur der der Schmelze zugeführte Stabteil gedreht wird, daß der Keimkristall oben angeschmolzen wird und der Stab und/oder die Heizeinrichtung entsprechend bewegt werden. Ferner ist es möglich, die Halterungen des Stabes und gegebenenfalls die Heizeinrichtung so gegeneinander zu bewegen, daß der Durchmesser des ao aus der Schmelze auskristallisierenden Stabteils ver- : kleinert oder weiter vergrößert wird.
Die Kristallqualität kann dadurch noch verbessert werden, daß die aus der Schmelze auskristallisierende Zone mittels einer weiteren ringförmigeh Heizeinrichrung, deren Temperatur mindestens gleich der Schmelztemperatur des behandelten Materials ist, nachbeheizt und dadurch der Vorgang des Erstarrens vergleichmäßigt wird. Auch kann es vorteilhaft sein, den der Schmelze zugeführten Stab mittels einer weiteren ringförmigen Heizeinrichtung vorzuheizen.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen .eines lotrecht an.seinen Enden gehalterten kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes, dessen Halterungen, von denen mindestens eine um ihre lotrechte Achse in Drehung versetzt wird, relativ zueinander und zu einer den Stab ringförmig umgebenden Heizeinrichtung in Richtung der Stabachse mit derart aufeinander abgestimmten Geschwindigkeiten bewegt werden, daß die Dicke des aus der Schmelze wiedererstarrenden Stabteils über die lichte Weite der Heizeinrichtung hinaus vergrößert wird, wobei die sich drehende Halterung des wiedererstarrenden Stabteils relativ zur Heizeinrichtung seitlich verschoben wird, nach Patent 1218404, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser des der Schmelze zugeführten Stabteils größer als der Innendurchmesser der Heizeinrichtung gewählt und die Schmelzzone eingeschnürt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser des auskristallisierten Stabteils gleich dem Durchmesser des der Schmelze zugeführten Stabteils gemacht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der der Schmelze zugeführte Stabteil in der Nachbarschaft der Schmelze mittels einer weiteren Heizeinrichtung zusätzlich beheizt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 519/548 3.68 © Bundesdruckerei Berlin
DES98712A 1964-02-01 1965-08-07 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen Pending DE1263698B (de)

Priority Applications (26)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES89317A DE1218404B (de) 1964-02-01 1964-02-01 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
CH1115564A CH413785A (de) 1964-02-01 1964-08-26 Verfahren zum Vergrössern des Stabquerschnittes beim tiegelfreien Zonenschmelzen eines lotrecht an seinen Enden gehalterten stabförmigen Körpers aus kristallinem Material, insbesondere aus Halbleiterwerkstoff
SE14136/64A SE309965B (de) 1964-02-01 1964-11-23
GB3442/65A GB1044592A (en) 1964-02-01 1965-01-26 A method of melting a rod of crystalline material zone by zone
NL656506040A NL138766B (nl) 1964-02-01 1965-05-12 Werkwijze voor het met behulp van kroesloos zonesmelten vergroten van de dwarsdoorsnede van een monokristallijn staafvormig lichaam.
FR17994A FR1444259A (fr) 1964-02-01 1965-05-21 Procédé d'agrandissement de la section transversale de barreaux au cours de la fusion de zone sans creuset d'un corps en forme de barreau, constitué par une matière cristalline, en particulier semiconductrice
BE664435D BE664435A (de) 1964-02-01 1965-05-25
DES98115A DE1275032B (de) 1964-02-01 1965-07-10 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DES98712A DE1263698B (de) 1964-02-01 1965-08-07 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
NL6605968A NL6605968A (de) 1964-02-01 1966-05-03
DK251066AA DK124458B (da) 1964-02-01 1966-05-17 Fremgangsmåde til digelfri zonesmeltning af en krystallinsk stav, navnlig en halvlederstav.
DK260666AA DK124459B (da) 1964-02-01 1966-05-21 Fremgangsmåde til digelløs zonesmeltning af en krystallinsk stav, navnlig en halvlederstav.
NL666607827A NL146402B (nl) 1964-02-01 1966-06-06 Werkwijze voor het met behulp van kroesloos zonesmelten vergroten van de dwarsdoorsnede van een loodrecht aan zijn uiteinden vastgehouden kristallijn staafvormig lichaam.
CH837566A CH442245A (de) 1964-02-01 1966-06-09 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
CH837666A CH442246A (de) 1964-02-01 1966-06-09 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
FR65422A FR90825E (fr) 1964-02-01 1966-06-14 Procédé d'agrandissement de la section transversale de barreaux au cours de la fusion de zone sans creuset d'un corps en forme de barreau, constitué par une matière cristalline, en particulier semi-conductrice
FR68096A FR91257E (fr) 1964-02-01 1966-07-04 Procédé d'agrandissement de la section transversale de barreaux au cours de la fusion de zone sans creuset d'un corps en forme de barreau, constitué par une matière cristalline, en particulier semiconductrice
GB30903/66A GB1079870A (en) 1964-02-01 1966-07-08 A method of melting a rod of crystalline material zone-by-zone
SE9375/66A SE323654B (de) 1964-02-01 1966-07-08
BE683852D BE683852A (de) 1964-02-01 1966-07-08
GB31122/66A GB1081600A (en) 1964-02-01 1966-07-11 A method of melting a rod of crystalline material zone-by-zone
US564118A US3477811A (en) 1964-02-01 1966-07-11 Method of crucible-free zone melting crystalline rods,especially of semiconductive material
SE10177/66A SE323655B (de) 1964-02-01 1966-07-26
BE685153D BE685153A (de) 1964-02-01 1966-08-05
US664211A US3414388A (en) 1964-02-01 1967-08-29 Method and apparatus for increasing the cross section of a crystalline rod during crucible-free zone melting
US853596A US3658598A (en) 1964-02-01 1969-08-19 Method of crucible-free zone melting crystalline rods, especially of semiconductor material

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES89317A DE1218404B (de) 1964-02-01 1964-02-01 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
NL656506040A NL138766B (nl) 1964-02-01 1965-05-12 Werkwijze voor het met behulp van kroesloos zonesmelten vergroten van de dwarsdoorsnede van een monokristallijn staafvormig lichaam.
DES98115A DE1275032B (de) 1964-02-01 1965-07-10 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DES98712A DE1263698B (de) 1964-02-01 1965-08-07 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1263698B true DE1263698B (de) 1968-03-21

Family

ID=27437570

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES89317A Pending DE1218404B (de) 1964-02-01 1964-02-01 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DES98115A Pending DE1275032B (de) 1964-02-01 1965-07-10 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DES98712A Pending DE1263698B (de) 1964-02-01 1965-08-07 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES89317A Pending DE1218404B (de) 1964-02-01 1964-02-01 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DES98115A Pending DE1275032B (de) 1964-02-01 1965-07-10 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes

Country Status (9)

Country Link
US (3) US3477811A (de)
BE (3) BE664435A (de)
CH (3) CH413785A (de)
DE (3) DE1218404B (de)
DK (2) DK124458B (de)
FR (1) FR1444259A (de)
GB (3) GB1044592A (de)
NL (3) NL138766B (de)
SE (3) SE309965B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1272886B (de) * 1966-09-24 1968-07-18 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
DE1544301A1 (de) * 1966-09-28 1970-05-27 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
DE1619996A1 (de) * 1967-03-18 1971-07-08 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines einkristallinen Stabes,insbesondere aus Halbleitermaterial
US3607109A (en) * 1968-01-09 1971-09-21 Emil R Capita Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar
DE1960088C3 (de) * 1969-11-29 1974-07-25 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes
DE2234512C3 (de) * 1972-07-13 1979-04-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von (Umorientierten Halbleitereinkristallstäben mit zur Stabmitte abtauendem spezifischem Widerstand
US4002523A (en) * 1973-09-12 1977-01-11 Texas Instruments Incorporated Dislocation-free growth of silicon semiconductor crystals with <110> orientation
US5156211A (en) * 1991-06-10 1992-10-20 Impact Selector, Inc. Remotely adjustable fishing jar and method for using same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972525A (en) * 1953-02-26 1961-02-21 Siemens Ag Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance
NL235481A (de) * 1958-02-19
US3036892A (en) * 1958-03-05 1962-05-29 Siemens Ag Production of hyper-pure monocrystal-line rods in continuous operation
US3036812A (en) * 1958-11-19 1962-05-29 Dewrance & Co Butterfly valves
AT223659B (de) * 1960-11-25 1962-10-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreiem einkristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmelzen

Also Published As

Publication number Publication date
NL6607827A (de) 1967-02-08
CH442245A (de) 1967-08-31
US3477811A (en) 1969-11-11
SE323655B (de) 1970-05-11
NL146402B (nl) 1975-07-15
DK124459B (da) 1972-10-23
US3658598A (en) 1972-04-25
US3414388A (en) 1968-12-03
SE323654B (de) 1970-05-11
NL6506040A (de) 1966-11-14
NL6605968A (de) 1967-01-11
DK124458B (da) 1972-10-23
BE683852A (de) 1967-01-09
DE1218404B (de) 1966-06-08
GB1079870A (en) 1967-08-16
GB1081600A (en) 1967-08-31
BE664435A (de) 1965-11-25
CH442246A (de) 1967-08-31
GB1044592A (en) 1966-10-05
DE1275032B (de) 1968-08-14
CH413785A (de) 1966-05-31
NL138766B (nl) 1973-05-15
FR1444259A (fr) 1966-07-01
BE685153A (de) 1967-02-06
SE309965B (de) 1969-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2379783B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von siliziumdünnstäben
DE1135671B (de) Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall
EP1225255B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium
DE1263698B (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1207920B (de) Verfahren zum Herstellen sauerstofffreier, verwerfungsfreier Halbleitereinkristalle durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze
DE3805118C2 (de)
DE1195420B (de) Verfahren zur Schwemmzonenbehandlung eines Stabes aus kristallischem Halbleitermaterial
DE1254590B (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium
DE1243641B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
DE1224273B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1212051B (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben aus Silicium
DE1265708B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1278413B (de) Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze
DE1128413B (de) Verfahren zur Herstellung von zersetzungsfreiem einkristallinem Silicium durch tiegelfreies Zonenschmelzen
AT223659B (de) Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreiem einkristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmelzen
DE1519894C3 (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1544301A1 (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
DE2531099B2 (de) Vorrichtung zum Abstützen des den Keimkristall enthaltenden Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen durch eine Trichterhülse
DE1148525B (de) Verfahren zum Vergroessern des Stabquerschnittes beim tiegellosen Zonenschmelzen eines Stabes aus kristallinem Material, insbesondere Halbleitermaterial
DE1519879C3 (de) Verfahren zum Verkleinern des Querschnittes eines lotrecht angeordneten Stabes aus Halbleitermaterial
DE1275996B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2051703A1 (de) Verfahren zum Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere aus Silicium
DE1719515C3 (de)
DE1205949B (de) Verfahren zum Zuechten von Einkristallen aus der Schmelze durch Ziehen oder tiegelloses Zonenschmelzen
DE1113682B (de) Verfahren zum Ziehen von Einkristallen, insbesondere aus Halbleitermaterial aus einer an einem Rohr haengenden Schmelze

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977