DE1190580B - In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter - Google Patents
In ein Gehaeuse eingebauter HochleistungsgleichrichterInfo
- Publication number
- DE1190580B DE1190580B DEST13591A DEST013591A DE1190580B DE 1190580 B DE1190580 B DE 1190580B DE ST13591 A DEST13591 A DE ST13591A DE ST013591 A DEST013591 A DE ST013591A DE 1190580 B DE1190580 B DE 1190580B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- welded
- housing
- widening
- semiconductor body
- ball
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/46—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05073—Single internal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
St 13591 VIII c/21g
29. März 1958
8. April 1965
29. März 1958
8. April 1965
Gegenstand der Hauptpatentanmeldung ist ein in ein Gehäuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter
mit einem Halbleiterkörper aus Silizium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung, bei dem
mindestens eine Anschlußleitung aus einer elektrisch gut leitenden flexiblen Litze vorgesehen ist, die ohne
Unterbrechung aus dem Gehäuse herausgeführt ist und die an dem zum Halbleiterkörper führenden
Ende zu einer aus dem Litzenmaterial bestehenden massiven Verbreiterung verformt ist, die an den
Halbleiterkörper angelötet ist.
Bei solchen elektrischen Halbleitervorrichtungen für große Leistungen ist es erforderlich, auf die
Wärmeausdehnung der einzelnen Teile besonders Rücksicht zu nehmen, da bei den im Betrieb vorhandenen
großen Strömen sich die einzelnen Teile stark ausdehnen. Besonders gefährdet sind die Anschlüsse
an den halbleitenden Schichten, die bei Nichtbeachtung der Wärmeausdehnung bei Belastung
sich leicht vom Halbleiter lösen können.
Man hat deshalb zwischen Anschlußleitung und Halbleiter Plättchen aus Metallen eingebracht, die
einen ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten haben, wie der verwendete Halbleiter. Besonders
geeignet für solche Zwischenschichten ist Molybdän.
Das Molybdän läßt sich jedoch nur unter großen Schwierigkeiten mit den als Zuleitung verwendeten
Metallen Kupfer oder Silber verbinden. Es wurde aber gefunden, daß diese Schwierigkeiten umgangen
werden können, wenn zwischen dem Molybdän und der Anschlußleitung eine Nickelschicht angeordnet
wird, die sich sowohl mit dem Molybdän als auch mit Kupfer oder Silber gut verbindet.
Gemäß der Erfindung wird eine Verbesserung des Gegenstandes der Hauptpatentanmeldung vorgeschlagen,
die darin besteht, daß an der Stirnfläche der Verbreiterung ein Nickelplättchen und an diesem
eine Molybdänscheibe angeschweißt ist. Durch diese Kombination wird eine sehr gute elektrische
Verbindung mit dem Halbleiter erhalten, die auch bei großer Wärmebelastung ihre guten Eigenschaften
nicht verliert.
Eine Weiterbildung der Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von solchen An-Schlüssen.
Danach werden Anschlüsse der obengenannten Art in der Weise hergestellt, daß zunächst das Ende
der flexiblen Anschlußlitze zu einer massiven Kugel verschweißt und unter Verwendung eines geeigneten
Werkzeuges in einem einzigen Arbeitsgang die Kugel zu einer konischen Verbreiterung gepreßt und
In ein Gehäuse eingebauter
Hochleistungsgleichrichter
Hochleistungsgleichrichter
Zusatz zur Anmeldung: St 12161 VIII c/21 g-Auslegeschrift
1181 823
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Als Erfinder benannt:
Hans Wagner, Nürnberg
Hans Wagner, Nürnberg
mit dem Nickelplättchen und der Molybdänscheibe verschweißt wird.
Die Erfindung soll an Hand der Figuren näher erläutert werden.
Eine Litze 1 aus Kupfer oder Silber, wie sie beispielsweise
in F i g. 1 dargestellt ist, wird an ihrem Ende zu einer massiven Metallkugel 2 zusammengeschweißt,
wie dies in F i g. 2 gezeigt ist. Die Kugel wird nun konisch gepreßt und gleichzeitig mit einem
Nickelplättchen und einer Molybdänscheibe verschweißt. Der fertige Anschluß ist in F i g. 3 dargestellt.
Die Litze 1 läuft an ihrem unteren Ende in den massiven konischen Teil 2 a aus, der in einer
Platte 2 b aus dem gleichen Material endet. Mittels dieser Platte ist die Litze mit dem Nickelplättchen 3
verbunden, an das sich die Molybdänscheibe 4 anschließt. Mit der Molybdänscheibe wird der so hergestellte
Anschluß an dem Halbleiter befestigt. Dies kann beispielsweise in der Weise geschehen, daß
zwischen den Halbleiterkörper, beispielsweise aus Silizium, und die Molybdänscheibe ein Plättchen aus
einer leicht in den Halbleiter diffundierenden Substanz, die eine Umwandlungszone im Halbleiter erzeugt,
gelegt wird. Beispielsweise kann zwischen die Molybdänscheibe und das Silizium ein Plättchen aus
Aluminium gelegt werden. Die ganze Anordnung wird nun einer längeren Erhitzung unterworfen, so
daß das Aluminium teilweise in das Silizium diffundiert und eine Zone entgegengesetzten Leitungstyps
im Silizium erzeugt. Bei der Diffusionstemperatur verbindet sich auch die Molybdänscheibe mit dem
509 538/318
Aluminium, so daß nach dem Diffusionsvorgang ein elektrisch gut leitender Kontakt mit der
Diffusionszone vorhanden ist.
Wenn beispielsweise eine Kupferlitze mit einem Durchmesser von 1 mm verwendet wird, so hat die
massive Kugel einen Durchmesser von etwa 2,5 mm. Die konische Verbreiterung, die durch Pressen der
massiven Kupferkugel erhalten wird, wird mit einem 0,2 mm dicken Nickelblech von 4 mm Durchmesser
verbunden, an das eine Molybdänscheibe von etwa 0,2 mm dicken Nickelblech von 4 mm Durchmesser
geschweißt wird.
In F i g. 4 ist eine Vorrichtung zur Herstellung eines solchen Anschlusses schematisch dargestellt.
Die Vorrichtung besteht hauptsächlich aus den bei- den Schweißelektroden 5 und 6. Die obere Schweißelektrode
5 hat eine geeignete Ausdehnung zur Ein führung der Kupferlitze 1, die im unteren Teil konisch
verbreitert ist, entsprechend der Form der zu erzeugende Verbreiterung 2 a gemäß Fig. 3. Der
plattenförmige Fuß 2 b entsteht durch Herauspressen des Materials der Kugel an der unteren Räche des
Stempels 5. Die Bewegung des Oberstempels ist nämlich durch einen Anschlag begrenzt, damit kein
Kurzschluß durch Berührung der beiden Stempel 5 und 6 eintreten kann. Die zu einer Kugel ver
schweißte Litze wird in die obere Elektrode ein geführt, wie dies in F i g. 4 dargestellt ist, und in
geeigneter Weise festgeklemmt. Die untere Elek trode 6 weist eine Vertiefung auf, in welche die
Molybdänscheibe 4 paßt. Auf diese Scheibe wird das Nickelplättchen 3 gelegt. Die beiden Elektroden
werden nun gegeneinandergepreßt und gleichzeitig . ein Strom von solcher Stärke hindurchgeschickt, daß
sich die Kugel 2 zu dem konischen Ansatzstück ver- formt und gleichzeitig alle drei Teile 2, 3 und 4 mit
einander nach Art des Punktschweißverfahrens verschweißt werden.
Es soll noch erwähnt werden, daß die Dicke des Nickelplättchens 3 nach der Stärke der Zuleitung
und somit auch nach der Größe des Schweißstromes bemessen werden muß. Im oben angegebenen Beispiel
darf die Dicke des Nickelplättchens 0,2 mm nicht unterschreiten, da sonst die Gefahr besteht,
daß das Nickel in der Mitte vollkommen wegschmilzt und eine ungenügende elektrische Verbindung
erhalten wird.
Claims (2)
1. In ein Gehäuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter mit einem Halbleiterkörper aus
Silizium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung, bei dem mindestens eine
Anschlußleitung aus einer elektrisch gut leitenden flexiblen Litze vorgesehen ist, die ohne
Unterbrechung aus dem Gehäuse herausgeführt ist und die an dem zum Halbleiterkörper führenden
Ende zu einer aus dem Litzenmaterial bestehenden massiven Verbreiterung verformt
ist, die an den Halbleiterkörper angelötet ist, nach Patentanmeldung St 12161 VIIIc/21g,
dadurch gekennzeichnet, daß an der Stirnfläche der Verbreiterung ein Nickelplättchen
und an diesem eine Molybdänscheibe angeschweißt ist.
2. Verfahren zur Herstellung eines Anschlusses für eine Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende der Anschlußlitze zu einer massiven Kugel
verschweißt und danach in einem Arbeitsgang die Kugel zu einer konischen Verbreiterung gepreßt
und mit dem Nickelplättchen und der Molybdänscheibe verschweißt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 763 822.
USA.-Patentschrift Nr. 2 763 822.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 538/318 3.65 Q Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH361865D CH361865A (de) | 1957-01-25 | 1958-01-23 | Elektrische Halbleitervorrichtung |
DEST13591A DE1190580B (de) | 1958-03-29 | 1958-03-29 | In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter |
CH7133759A CH365146A (de) | 1957-01-25 | 1959-03-26 | Elektrische Halbleitervorrichtung |
GB10593/59A GB903476A (en) | 1958-03-29 | 1959-03-26 | Electrical semiconductor device |
BE577149A BE577149R (fr) | 1958-03-29 | 1959-03-27 | Electrische halfgeleiderinrichting, (Elektrische Halbleitervorrichtung) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEST13591A DE1190580B (de) | 1958-03-29 | 1958-03-29 | In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1190580B true DE1190580B (de) | 1965-04-08 |
Family
ID=7456090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEST13591A Pending DE1190580B (de) | 1957-01-25 | 1958-03-29 | In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE577149R (de) |
DE (1) | DE1190580B (de) |
GB (1) | GB903476A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19722507B4 (de) * | 1997-05-30 | 2007-06-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektrtrisch leitend mit einer integrierten Schaltung verbundenen Litze integrierte Schaltung mit einem Anschluss und Drehzahlsensor |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6790757B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-09-14 | Agere Systems Inc. | Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2763822A (en) * | 1955-05-10 | 1956-09-18 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor devices |
-
1958
- 1958-03-29 DE DEST13591A patent/DE1190580B/de active Pending
-
1959
- 1959-03-26 GB GB10593/59A patent/GB903476A/en not_active Expired
- 1959-03-27 BE BE577149A patent/BE577149R/fr active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2763822A (en) * | 1955-05-10 | 1956-09-18 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor devices |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19722507B4 (de) * | 1997-05-30 | 2007-06-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektrtrisch leitend mit einer integrierten Schaltung verbundenen Litze integrierte Schaltung mit einem Anschluss und Drehzahlsensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB903476A (en) | 1962-08-15 |
BE577149R (fr) | 1959-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2813968C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
CH652533A5 (de) | Halbleiterbaustein. | |
DE2710835A1 (de) | Vorrichtung zum anloeten oder anschweissen von anschlussdraehten an anschlusskontakten in halbleitervorrichtungen | |
EP0218069A1 (de) | Verfahren zum Verschweissen mittels Laserlicht | |
DE3140348A1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen herstellung mehrfacher elektrischer verbindungen, insbesondere zum elektrischen anschluss eines halbleiterbauelementes | |
DE19612164B4 (de) | Verfahren zum Verbinden eines Leiterdrahtes mit einem Anschluß und Vorrichtung dafür | |
DE69514199T2 (de) | Elektrisches Verbindungselement für beheizbare Glasscheibe für Kraftfahrzeug | |
DE1181823B (de) | In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter | |
DE1515574A1 (de) | Verfahren zur Befestigung von Anschlussleitungen an duenne Filme | |
DE1202854B (de) | Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung | |
DE19611964A1 (de) | Gasmeßfühler | |
DE1961042C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102022204082A1 (de) | Schweißkörper-Herstellungsverfahren und Schweißkörper | |
DE1279201B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1514643A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2747087C2 (de) | Elektrischer Kontakt und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3040867C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
EP0052384B1 (de) | Lösbarer Anschlusskontakt für Hochstromleiter in Elektrolysevorrichtungen | |
DE1098103B (de) | Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse | |
DE2646233A1 (de) | Schweissgeraet | |
DE1113519B (de) | Siliziumgleichrichter fuer hohe Stromstaerken | |
DE1190580B (de) | In ein Gehaeuse eingebauter Hochleistungsgleichrichter | |
DE2259792A1 (de) | Elektrischer kontakt mit einem aus kupfer bestehenden grundkoerper und verfahren zur herstellung eines solchen | |
DE1690521B2 (de) | Loetbarer kontaktanschluss fuer einen tantalnitrid-schichtwiderstand | |
DE2748239A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren eines elektrischen kaltleiter-widerstandes mit einem anschlusselement |