DE1147984B - Induktiv belasteter Transistorverstaerker - Google Patents

Induktiv belasteter Transistorverstaerker

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DE1147984B
DE1147984B DES65727A DES0065727A DE1147984B DE 1147984 B DE1147984 B DE 1147984B DE S65727 A DES65727 A DE S65727A DE S0065727 A DES0065727 A DE S0065727A DE 1147984 B DE1147984 B DE 1147984B
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DE
Germany
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transistor
transistors
emitter
collector
circuit
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Pending
Application number
DES65727A
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English (en)
Inventor
Dipl-Ing Wolfgang Schroeder
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Siemens AG
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Siemens AG
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Publication of DE1147984B publication Critical patent/DE1147984B/de
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F5/00Amplifiers with both discharge tubes and semiconductor devices as amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K4/00Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/06Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
    • H03K4/08Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
    • H03K4/48Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
    • H03K4/60Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
    • H03K4/69Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as an amplifier
    • H03K4/693Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as an amplifier operating in push-pull, e.g. class B

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)

Description

  • Induktiv belasteter Transistorverstärker Die Erfindung betrifft einen induktiv belasteten Transistorverstärker in gemischt bestückten Rundfunk- oder Fernsehempfängern.
  • Bei Nachrichtengeräten, die teilweise mit Röhren und teilweise mit Transistoren bestückt sind, bereitet vielfach die Stromversorgung für den mit Transistoren bestückten Empfängerteil Schwierigkeiten, da für die Röhrenschaltungen bekanntlich verhältnismäßig hohe Gleichspannungen bei niedrigem Stromverbrauch und für Transistorschaltungen niedrige Gleichspannungen bei hohem Stromverbrauch benötigt werden. Um insbesondere in gemischt bestückten Rundfunk- und Fernsehempfängern die Schwierigkeiten hinsichtlich der Stromversorgung für den mit Transistoren bestückten Teil des Gerätes zu beseitigen, falls keine Niederspannungsbatterie, Gleichstromheizkreis od. dgl. zur Verfügung steht, ist es bekannt, die Transistoren über eine besondere Siebkette mit einer Spannung zu speisen, die an einem Widerstand abfällt, der zwischen Masse und der Gleichrichterwicklung des Netztransformators angeschlossen ist. Der Aufwand zusätzlicher Siebmittel oder Stromquellen kann jedoch nach der Erfindung vermieden werden. Die Erfindung besteht darin, daß der Transistorverstärker in an sich bekannter Weise als Gegentaktverstärker ausgebildet ist und der Anodenspeisegleichstrom des Empfängers als Betriebsgleichstrom für die Transistoren unmittelbar deren Emitter-Kollektor-Kreise durchfließt. Ein solcher Transistor-Gegentaktverstärker kann insbesondere als Niederfrequenzendstufe eines Rundfunkempfängers oder als Ablenkendstufe eines Fernsehempfängers mit Vorteil angewandt werden, wobei dann die induktive Belastung des Verstärkers aus den Lautsprecherspulen bzw. den Ablenkspulen für die magnetische Strahlablenkung der Bildröhre besteht. Die Verwendung eines Gegentaktverstärkers bringt mit sich, daß sowohl der Mittelwert als auch der Augenblickswert des der Anodenstromquelle des Empfängers entnommenen Gleichstromes konstant ist, so daß die Einschaltung des Transistorverstärkers in den Anodenstromkreis keine Schwankungen des Anodengleichstromes der Röhren verursacht.
  • Es ist zwar bereits bekannt, Transistorgegentaktverstärker in Rundfunk- und Fernsehempfängern anzuwenden. Die Erfindung geht jedoch von der Erkenntnis aus, daß bei einem Transistorgegentaktverstärker nicht nur der Mittelwert, sondern auch der Augenblickswert des aufgenommenen Gleichstromes konstant ist. Hierdurch ergibt sich die Möglichkeit, gemäß der Erfindung als Betriebsgleichstrom für den Transistorverstärker den Anodenspeisegleichstrom der im Empfänger vorhandenen Elektronenröhren zu benutzen und diesen die Emitter-Kollektor-Kreise der Transistoren durchfließen zu lassen.
  • Zweckmäßig besteht die induktive Belastung aus zwei oder mehreren durch parallel gewickelte Drähte gebildeten Wicklungen, deren vom Betriebsgleichstrom erzeugte Felder einander kompensieren, während sich die vom verstärkten Signalwechselstrom erzeugten Felder addieren. Bei der Verwendung einer solchen Anordnung als Ablenkendverstärker für Fernsehempfänger ist in Weiterbildung der Erfindung jede der beiden Wicklungen in zwei gleiche Teilwicklungen unterteilt, die auf gegenüberliegenden Teilen des Ablenkjochs angebracht sind.
  • Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung läßt sich sowohl mit Transistoren gleichen Typs als auch mit komplementären Transistoren aufbauen. Der den für die Transistoren benötigten Betriebsgleichstrom übersteigende Anteil des Anodenspeisestromes kann an der Transistorschaltung über einen Parallelwiderstand vorbeigeleitet werden, wobei dieser Parallelwiderstand gegebenenfalls unterteilt ist, um die Vorspannungen für die Transistoren an diesem Parallelwiderstand abgreifen zu können. Bei Verwendung der Anordnung gemäß der Erfindung als Ablenkverstärker in einem Fernsehempfänger kann in einfacher Weise durch Verändern der Vorspannung für einen der Transistoren die Bildlage eingestellt werden.
  • Einige Ausführungsbeispiele für den induktiv belasteten Transistorverstärker gemäß der Erfindung werden nachfolgend an Hand der Fig. 1 bis 5 erläutert.
  • Fig. 1 zeigt einen als Ablenkendverstärker dienenden Transistorverstärker in einer Gegentakt-Emitterschalturig. Den beiden Transistoren 1 und 2 wird über Koppelkondensatoren 3 und 4 das Steuersignal, beispielsweise eine Sägezahnspannung, gegenphasig zugeführt. Im Kollektorkreis des Transistors 1 legen die in Reihe geschalteten Wicklungen 5 und 7, während an den Kollektor des Transistors 2 die Wicklungen 8 und 6 angeschlossen sind. Dabei befinden sich die Wicklungen 5 und 6 auf dem einen Schenkel und die Wicklungen 7 und 8 auf dem anderen Schenkel des Ablenkjochs für die Kathodenstrahlröhre. Die Wicklungen 5 'und 6 sowie 7 und 8 sind aus parallelen Drähten gewickelt. Die Basisverspannung für die beiden Transistoren wird durch den die Widerstände 9 bzw. 10 durchfließenden Basisstrom erzeugt. Die Einstellung der Nullage des Elektronenstrahles kann beispielsweise durch Verändern des Widerstandes 10 erfolgen. Zur Arbeitspunktstabilsierung sind in die Emitterle'itungen der beiden Transistoren Gegenkopplungswiderstände 11 und 12 eingeschaltet. Die in Fig. 1 als Stromquelle zwischen die Klemmen A und B eingeschaltete Batterie wird gemäß der Erfindung durch die Schaltung gemäß Fig. 2 ersetzt, so daß als Betriebsgleichstrom für die beiden Transistoren der Anodenspeisegleichstrom des Empfängers dient. Die Anodenspeiseleitung wird zu diesem Zwecke zwischen den Punkten A und B aufgetrennt und mit den Punkten A und B der Schaltung gemäß Fig. 1 verbunden. Die positive Stromklemme A ist dann an die über die beiden Gegenkopplungswiderstände 11 und 12 miteinander verbundenen Emitterelektroden angeschlossen, während die negative Stromklemme B an der gemeinsamen Rückleitung liegt, zu der sich die über die Wicklungen von den beiden Kollektorelektroden kommenden Leitungen vereinigen. Hierdurch fließt der vom Gleichrichter 15 über das Siebglied 16 kommende Anodengleichstrom von der Klemme A über die Emitter-Kollektor-Kreise der beiden Transistoren zur Klemme B und anschließend weiter zu den Anodenleitungen der im Empfänger vorhandenen Elektronenröhren. Sofern die Verspannung für die Transistoren nicht wie im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 durch den Basisstrom selbst erzeugt wird, können, wie in Fig. 2 dargestellt, an einem parallel zu den Klemmen A und B geschalteten Widerstand 17 über vorzugsweise einstellbare Abgriffe C und D die Verspannungen für die beiden Transistoren entnommen werden. -Der Parallelwiderstand leitet dabei den Anteil des Anodenspeisestroms, der den für die Transistoren benötigten Betriebsgleichstrom übersteigt, an der Transistorgegentaktschaltung vorbei.
  • Bei der in Fig. 3 dargestellten Gegentakt-Kollektorschaltung ist die negative Stromklemme B an die miteinander verbundenen Kolektorelektroden der beiden Transistoren 21 und 22 angeschlossen. Die positive Stromklemme A liegt an der gemeinsamen Rückleitung zu der sich die über die Wicklungen 25 und 27 bzw. 28 und 26 von den beiden Emitterelektroden kommenden Leitungen vereinigen. Die Schaltung der Wicklungen 25 bis 28 entspricht der in Fig. 1 gezeigten Schaltung der Ablenkwicklungen für die magnetische Strahlabl'enkung einer Kathodenstrahlröhre. Auch bei der Schaltung gemäß Fig.3 sind die Teilwicklungen 25 und 26 bzw. 27 und 28 jeweils aus zwei parallelen Drähten gewickelt und auf gegenüberlegenden Teilen des Ablenkjochs angebracht. Die Spulen 25 und 27 bzw. 26 und 28 erzeugen gleichzeitig. eine genügend große Gegenkopplung zur Arbeitspunktstabilisierung der Transistoren 21 und 22. Die beispielsweise von einem Sägezahngenerator gelieferten, den Gegentaktverstärker aussteuernden Schwingungen werden den beiden Transistoren 21 und 22 über Koppelkondensatoren 23 und 24 gegenphasig zugeführt. Die Mittelklemme 29 kann dabei mit Masse verbunden sein.
  • Während die Schaltungen gemäß der Fig. 1 und 3 Transistorgegentaktverstärker unter Verwendung von # Transistoren gleichen Typs darstellen, zeigt Fig.4 einen Transistorgegentaktverstärker mit komplementären Transistoren. Eine solche Schaltungsanordnung hat bekanntlich den Vorteil, daß nicht zwei zueinander gegenphasige Steuerspannungen benötigt wer-; den, sondern über die Eingangsklemmen 33 und 34 nur eine Sägezahnschwingung zugeführt zu werden braucht. Bei der dargestellten Gegentakt-Emitterschaltung ist die positive Stromklemme A an die Emitterelektrode des pnp-Transistors 31 und die negative Stromklemme B an die Emitterelektrode des npn-Transistors 32 angeschlossen. Die Kollektorelektrode des pnp-Transistors 31 steht über die Wicklungen 35 und 37 mit der Emitterelektrode des npn-Transistors 32 in Verbindung, während die Wicklungen 36 und 38 zwischen die Kollektorelektrode des npn-Transistors 32 und die Emitterelektrode des pnp-Transistors 31 eingeschaltet sind. Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung ergibt sich auch hier - ebenso wie bei den Schaltungen nach Fig. 1 und 3 - durch eine Kombination mit der in Fig. 2 schematisch dargestellten Anodenstromversorgungsschaltung für die Elektronenröhren des Empfängers. Die Verspannungen für die beiden Transistoren 31 und 32 können an den Klemmen C und D der Schaltung gemäß Fig. 2 abgegriffen werden. Durch Verstellen eines der Abgriffe C oder D läßt sich die Nullage des Elektronenstrahls und damit die Bildlage des Fernsehbildes beeinflussen. Die Bildjustierung ist somit auf rein elektrischem Wege möglich.
  • Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß an Stelle einer Gegentakt-Emitterschaltung auch in entsprechender Weise eine Gegentakt-Kollektorschaltung unter Verwendung komplementärer Transistoren im Sinne der Erfindung mit dem Anodenspeisegleichstrom der Röhren als Betriebsgleichstrom für die Transistoren gespeist werden kann.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung besteht darin, daß der Emitter-Kollektor-Kreis des einen Transistors in die Zuleitung und der Emitter-Kollektor-Kreis des anderen Transistors in die Rückleitung des Anodenspeisegleichstromes eingeschaltet ist. Ein Beispiel für eine solche Anordnung ist in Fig. 5 dargestellt. Die vom Netzgleichrichter 91 über das Siebglied 92 kommende, zu den Röhren des Empfängers 93 führende positive Anodenspeiseleitung ist durch die Klemmen A 1 und B 1 unterbrochen. In der negativen Rückleitung für den Anodenspeisegleichstrom sind die Klemmen A 2 und B 2 angeordnet. Die vom Empfänger 93 kommende Rückleitung ist zwischen dem Empfänger 93 und der Stromklemme A 2 mit Masse verbunden. Die Klemmen A 1 und B 1 bzw. A 2 und B 2 sind durch Niedervoltkondensatoren, z. B. Elektrolytkondensatoren großer Kapazität, überbrückt. Die Anordnung ist derart getroffen, daß der zum Empfänger 93 fließende Anodenspeisegleichstrom seinen Weg über die Stromklemme A 1 und einen Gegenkopplungswiderstand 111 zur Emitterelektrode des Transistors 101 nimmt. Von der Kollektorelektrode dieses Transistors fließt der den Betriebsgleichstrom bildende Anodenspeisegleichstrom über die Teilwicklungen 105 und 107 zur negativen Stromklemme B 1 und von dort zu den Anoden der im Empfänger 93 vorhandenen Elektronenröhren, z. B. auch zur Anode der Symmetrierröhre 115. Der Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors 102 wird von dem vom Empfänger 93 zurückfließenden Anodenspeisegleichstrom durchflossen. Hierzu ist an die Stromklemme A 2 über den Gegenkopplungswiderstand 112 der Emitter des Transistors 102 angeschlossen, während der Kollektor dieses Transistors über die Wicklungsteile 108 und 106 mit der negativen Stromklemme B 2 in Verbindung steht. Die Speisung der beiden Transistoren aus beiden Zweigen des Anodenstromkreises hat den Vorteil. daß bei Schwankungen des zur Stromversorgung dienenden Gleichspannungspotentials kleinere Umladeströme über die Koppelkondensatoren 103 bzw. 104 fließen, als wenn größere Gleichspannungsdifferenzen an diesen Koppelkondensatoren stehen. Die Stabilität der Schaltung wird also erhöht. Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß die an Hand von F ig. 5 erläuterte Art der Stromversorgung nicht auf die. Verwendung zusammen mit einer Gegentakt-Emitterschaltung beschränkt ist, sondern in der gleichen vorteilhaften Weise auch bei Kollektorschaltungen oder gemischten Schaltungen angewandt werden kann.

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Induktiv belasteter Transistorverstärker in gemischt bestückten Rundfunk- oder Fernsehempfängern, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistorverstärker in an sich bekannter Weise als Gegentaktverstärker ausgebildet ist und der Anodenspeisegleichstrom des Empfängers als Betriebsgleichstrom für die Transistoren unmittelbar deren Enütter-Kollektor-Kreise durchfließt.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der den für die Transistoren benötigten Betriebsgleichstrom übersteigende Anteil des Anodenspeisestromes über einen den Stromanschlüssen der Transistorschaltung parallel geschalteten Widerstand geführt ist.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis- bzw. Emittervorspannung für die Transistoren am Parallelwiderstand abgegriffen wird.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 unter Verwendung von Transistoren gleichen Typs, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Gegentakt-Emitterschaltung (Fig. 1) die eine Stromklemme (+) an die miteinander in Verbindung stehenden Emitterelektroden der beiden Transistoren angeschlossen ist, während die andere Stromklemme (-) an der gemeinsamen Rückleitung liegt, zu der sich die über die Wicklungen von den beiden Kollektorelektroden kommenden Leitungen vereinigen.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 unter Verwendung von Transistoren gleichen Typs, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Gegentakt-Kollektorschaltung (Fig. 3) die eine Stromklemme (-) an die miteinander verbundenen Kollektorelektroden der beiden Transistoren angeschlossen ist, während die andere Stromklemme (+) an der gemeinsamen Rückleitung liegt, zu der sich die über die Wicklungen von den beiden Emitterelektroden kommenden Leitungen vereinigen.
  6. 6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 unter Verwendung komplementärer Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Gegentakt-Emitterschaltung (Fig. 7) die eine Stromklemme (+) an die Emitterelektrode des pnp-Transistors angeschlossen ist, während die Kollektorelektroden über die Wicklungen jeweils mit der Emitterelektrode des anderen Transistors in Verbindung stehen.
  7. 7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 unter Verwendung komplementärer Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Gegentakt-Kollektorsdhaltung die eine Stromklemme (-) an die Kollektorelektrode des pnp-Transistors und die andere Stromklemme (-!-) an die Kollektorelektrode des. npn-Transistors angeschlossen ist, während die Emitterelektroden über die Wicklungen jeweils mit der Kollektorelektrode des anderen Transistors in Verbindung stehen. B. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter-Kollektor-Kreis des einen Transistors in die Zuleitung und der Emitter-Kollektor-Kreis des anderen Transistors in die Rückleitung des Anodenspeisegieichstromes eingeschaltet ist (Fig. 8). In Betracht gezogene Druckschriften: Britische Patentschrift Nr. 785 813; französische Patentschrift Nr. 1165 935; »Funkschau«, 1958, Heft 21, S. 491; »Funk-Technik«, 1957, Nr. 9, S. 277.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB785813A (en) * 1956-03-29 1957-11-06 Mullard Radio Valve Co Ltd Improvements in or relating to electric circuit arrangements employing transistors
FR1165935A (fr) * 1956-01-13 1958-10-30 Motorola Inc Perfectionnements à des postes récepteurs de radiodiffusion

Patent Citations (2)

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