AT221140B - Frequenzdemodulationsschaltung - Google Patents

Frequenzdemodulationsschaltung

Info

Publication number
AT221140B
AT221140B AT69561A AT69561A AT221140B AT 221140 B AT221140 B AT 221140B AT 69561 A AT69561 A AT 69561A AT 69561 A AT69561 A AT 69561A AT 221140 B AT221140 B AT 221140B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
circuit
sep
circuit according
current
push
Prior art date
Application number
AT69561A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of AT221140B publication Critical patent/AT221140B/de

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Frequenzdemodulations schaltung 
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur   Frequenzdemodulation   eines elektrischen Signals mittels eines einzigen Resonanzkreises, wobei der elektrische Signalstrom dem aus   der geschlossenen Reihenschal-   tung wenigstens einer Selbstinduktion, eines Kondensators und eines Widerstandes aufgebauten Resonanzkreis zugeführt wird. 



   In einer bekannten Schaltung dieser Art ist der Resonanzkreis über die Emitterbasisstrecke eines ersten Transistors geschlossen und die Spannung über dem Resonanzkreis wird einem zweiten Transistor zugeführt. Die Transistoren arbeiten dabei als elektronische Schalter, die in unterschiedlichen Momenten, abhängig vom gegenseitigen Phasenunterschied zwischen der Spannung über dem Resonanzkreis und dem Strom durch ihn, stromdurchlässig sind. Der Gesamtstrom der beiden Transistoren ist dann ein Mass für die momentane Frequenz des zu demodulierenden Signals. 



   Die Erfindung bezieht sich auf eine Frequenzdemodulationsschaltung, die auf dem Gegentaktprinzip nach Foster und Seeley beruht. Sie eignet sich ebenfalls zur Anwendung von Transistoren, die dann aber als Detektoren, vorzugsweise als Stromdetektoren, geschaltet sind. Sie zielt darauf ab, die günstigen Eigenschaften eines derartigen Gegentaktdemodulators, nämlich geringe Verzerrungen und geringere Empfindlichkeit für unerwünschte Amplitudenmodulation als die oben angedeutete bekannte Schaltung mit der Verwendung eines einzigen Resonanzkreises, der weniger der Nachregelung bedarf, zu kombinieren. 



   Das wesentliche Merkmal der Erfindung ist, dass der im Resonanzkreis um den Gütefaktor dieses Kreises erhöhte Strom über dem Widerstand eine bei der Mittenfrequenz (zentralen Frequenz) des Signals um 900 in der Phase verschobene Spannung in bezug auf den erstgenannten Strom erzeugt, und dass die Zusammensetzung beider Ströme einem Gegentaktdetektor mit zwei Gleichrichtern und einem Gegentaktausgangskreis zugeleitet wird. 



   Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.   Fig. 1   veranschaulicht ein Prinzipschaltbild der Erfindung. Fig. 2 zeigt ein Vektordiagramm zur Erläuterung der Schaltung nach   Fig. 1. Fig. 3   zeigt eine Variante der Schaltung nach Fig. l. Fig. 4 veranschaulicht die Verwendung von Detektortransistoren in der Schaltung nach Fig. 3. Fig. 5 zeigt eine Variante der Schaltung nach Fig. 3. Fig. 6 zeigt 
 EMI1.1 
 der frequenzmodulierten Signale um   900   gegenüber dem Strom i in der Phase verschoben ist.

   Der Strom i durchfliesst einen weiteren Widerstand 7 und die Spannungen zwischen der unteren Klemme des Widerstandes 7 und der linken bzw. der rechten Klemme des Widerstandes 5, 6 werden mittels   Gegentaktdetek-   toren   8, 9 demoduliert, so   dass die demodulierte Schwingung den Ausgangsklemmen 10 entnommen werden kann. 



     Fig.2veranschaulichtdieSpannungsvektorenVbzw.VundV der über den Widerständen   7 bzw.   5, 6   erzeugten Spannungen bei einem von der Mittenfrequenz abweichenden Wert der Momentanfrequenz des frequenzmodulierten Signals. Man erkennt aus dieser Figur, dass das gleiche Verhalten wie beim bekannten   Poster-Seeley-Frequenzdetektor   vorliegt. Die den Vektoren V   bzw. V entsprechenden Spanntmgen   

 <Desc/Clms Page number 2> 

 gelangen an die Gleichrichter 8 bzw. 9 und die Ausgangsspannung an den Klemmen 10 verläuft praktisch linear mit der   Eingangsfreql1enz   und ist bei der Mittenfrequenz von etwaigen Amplitudenschwankungen der Eingangsschwingungen praktisch unabhängig. 



   In der Schaltung nach Fig. 3 ist das T-Glied 5,   6, 7   durch eine   11" -Anordnung   12,13, 14 ersetzt worden. Diese Schaltung ist besser für die Praxis geeignet, weil die Widerstände 12 und 14 ganz oder teilweise durch den Verlustwiderstand der Detektoren 8 bzw. 9 ersetzt werden können. 



   Fig. 4 veranschaulicht ein Beispiel dieser Art, in dem die Diodengleichrichter der Detektoren 8 bzw. 



  9 der Schaltung nach   Fig. 3   durch die Emitter-Basisstrecken der Transistoren 17 bzw. 18 ersetzt worden sind. Die Transistoren 17 und 18 funktionieren durch Zusammenwirkung mit den Widerständen 19 bzw. 



  20 und der Drossel 21   als Stromdetektoren. Die Widerstände   19 und 20 bilden zusammen den Widerstand 13 aus Fig. 3. Die Drossel 21 sei vorzugsweise bei der Frequenz der zu demodulierenden Signalschwingungen gross in bezug auf die ihr parallelliegende Impedanz ; ihr Wert sei aber praktisch vernachlässigbar für die Frequenz der demodulierten Schwingungen. Da, wie aus Fig. 2 hervorgeht, die dem Widerstand 13 der Schaltung nach Fig. 3 bzw. den Widerständen 5 bzw. 6 der Schaltung nach Fig. 1 entsprechenden Widerstände 19 und 20 verhältnismässig niedrig zu wählen sind-z.

   B. nur einige 10 Ohm - kann die entsprechende Bedingung für die Zeitkonstante der Drossel 21 und der Widerstände 19 bzw. 20 in Reihe mit den Eingangsinnenwiderständen der Transistoren 17 bzw. 18 leicht eingehalten werden. Überdies hat die Drossel 21 wegen des geringen Wertes der Widerstände 19 und 20 nur einen sehr geringen Einfluss auf die Resonanzfrequenz des Kreises 2. Die   demodulierten Ausgangsschwingungen   werden dem Ausgangsübertrager 22 entnommen. Dieser Übertrager 22 kann selbstverständlich auch von einem Widerstand ersetzt und, falls erforderlich, von einem Kondensator mit einer geringen Impedanz für die Frequenz der zu demodulierenden Signalschwingungen überbrückt werden. 



   Für bestimmte Anwendungszwecke weisen die bis jetzt angegebenen Schaltungen den Nachteil auf, dass das Ausgangssignal für   Eingangssignalschwingungen   mit einer Frequenz, die sehr weit von der Resonanzfrequenz des Kreises 2 entfernt ist, z. B. für die zweite Harmonische der Signalschwingungen, nicht Null ist. Dies bedeutet, dass die Demodulationsschaltung auch empfindlich ist für etwaige Verzerrungen der Eingangssignalschwingungen, die z. B. durch die vorangehenden Begrenzerstufen herbeigeführt sein können. Eine Verbesserung in dieser Hinsicht zeigt die Schaltung nach Fig 5. 



   Der Resonanzkreis 2 besteht in dieser Schaltung aus der Selbstinduktion 3, den beiden Kondensatoren 25 und 26, die den einzigen Kondensator 4 der Schaltung nach Fig. 1 ersetzen, und dem bereits veranschaulichten Widerstand 13 der Schaltung nach Fig. 3. Durch richtige Bemessung der Kondensatoren 25 und 26 kann erzielt werden, dass z. B. im Falle, dass die Quelle 1 einen impulsförmigen Signalstrom liefert, die durch den Kondensator 25 dem Detektor 8 zugeführten Oberwellen dieses Signalstromes etwa ebenso gross wie die durch die Reihenschaltung der Selbstinduktion 3 und des Kondensators 26 dem Detektor 9 zugeführten Oberwellen des Signalstroms sind. Die Kondensatoren sollen dann ungefähr gleich gross sein. 



   Weil aber die Kondensatoren 25 und 26 für die höheren Harmonischen der Signalschwingungen abnehmende Impedanzen zeigen, werden mit der Schaltung nach Fig. 5 höhere Anforderungen an den richtigen Ausgleich der Oberwellen gestellt, als in der Schaltung nach Fig. 6, wo der Eingangssignalstrom i einer Anzapfung 29, z. B. einer   Mittelanzapfung   der Selbstinduktion 3 zugeführt wird. Der Strom i verteilt sich dann über die beiden Teile der Selbstinduktion 3 und weil die Impedanz dieser Teile mit den höheren Harmonischen der   Signalschwingl1ngen   anwächst, kann ein wesentlich besserer Ausgleich der Empfindlichkeit für diese höheren Harmonischen erzielt werden als mit der Schaltung nach Fig. 5. Die Schaltelemente 17-21 haben dabei die gleiche Funktion wie in der Schaltung nach Fig. 4. 



   Die Schaltung nach Fig. 6 bietet auch die Möglichkeit, eine bestimmte Harmonische ganz und gar zu unterdrücken. Falls z. B. die Ausgangsspannung für die zweite Harmonische der Eingangssignalschwingungen Null sein soll, ist die Anzapfung 29 so zu wählen, dass die Teilselbstinduktionen 3a und 3b sich wie 5 : 3 verhalten. Auch braucht man nicht unbedingt diese beiden Teilselbstinduktionen 3a und 3b fest miteinander zu koppeln, aber aus praktischen Gründen ist die veranschaulichte Lösung mit zwei gleich grossen Selbstinduktionen, insbesondere einer mittelangezapften Spule, deren Teilselbstinduktionen auf demselben Träger angeordnet und fest miteinander gekoppelt sind, zu bevorzugen. 



   In einem praktischen   Ausführungsbeispiel   wurden die Schaltelemente nachfolgend bemessen : 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 
 EMI3.1 
 
<tb> 
<tb> Transistoren <SEP> Widerstände <SEP> Kondensatoren <SEP> Selbstinduktionen
<tb> 17 <SEP> = <SEP> OC <SEP> 170 <SEP> 19 <SEP> = <SEP> 39 <SEP> n <SEP> 4 <SEP> = <SEP> 470 <SEP> pF <SEP> 3 <SEP> = <SEP> 300 <SEP> pH <SEP> mit
<tb> Mittelanzapfung
<tb> 18 <SEP> = <SEP> OC <SEP> 170 <SEP> 20 <SEP> = <SEP> 39 <SEP> a <SEP> 30 <SEP> = <SEP> 20. <SEP> 000 <SEP> pF <SEP> 21 <SEP> = <SEP> 10 <SEP> mH <SEP> 
<tb> mit <SEP> Eingangs- <SEP> 31 <SEP> = <SEP> 20. <SEP> 000 <SEP> pF <SEP> 33 <SEP> = <SEP> 10 <SEP> mH <SEP> 
<tb> innenwiderständen <SEP> 32 <SEP> = <SEP> 10.

   <SEP> 000 <SEP> pF
<tb> von <SEP> 500 <SEP> - <SEP> 200 <SEP> (1 <SEP> (abnehmend <SEP> mit <SEP> zunehmendem <SEP> Eingangssignal)
<tb> 
 
Mittenfrequenz   =   455 kHz, Gütefaktor des Kreises 2   =   40, Ausgangsstrom   =   2 mA. 



   Der Trennkondensator 32 kann, falls erwünscht, auch in der Leitung 34 zwischen der Selbstinduktion 3 und dem Transistor 18 angeordnet werden. In der Schaltung nach Fig. 7 ist er, durch Verwendung eines vorgeschalteten Transistors 35 des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps wie der der Detektortransistoren 17 und 18, erspart worden. Die Schaltung veranschaulicht weiter zwei Drosseln 36 und 37 parallel zu   den Detektortransistoren   17 und 18. Die   Teilselbstinduktionen   3a und 3b der Schaltung nach Fig. 6 sind durch gesondert gekoppelte Selbstinduktionen 38 und 39 ersetzt worden. Im Prinzip wäre es auch denkbar, die Detektortransistoren 17 und 18 des entgegengesetzten   Leitfähigkeitiyps   zu wählen. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Schaltung zur Frequenzdemodulation eines elektrischen Signals mittels eines einzigen Resonanz- kreises, wobei der elektrische Signalstrom dem aus der geschlossenen Reihenschaltung wenigstens einer Selbstinduktion, eines Kondensators und eines Widerstandes aufgebauten Resonanzkreis zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der im Resonanzkreis um den Gatefaktor dieses Kreises erhöhte Strom über dem Widerstand eine bei der Mittenfrequenz (zentralen Frequenz) des Signals um 900 in der Phase ver- schobene Spannung in bezug auf den erstgenannten Strom erzeugt und dass die Zusammensetzung beider
Ströme einem Gegentaktdetektor mit zwei Gleichrichtern und einem Gegentaktausgangskreis zugeleitet wird.

Claims (1)

  1. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Eingangskreise der Gegentaktdetek- torgleichrichter mit dem Widerstand Jes Resonanzkreises in einer T- oder in einer ! r-Anordnung verbun- den sind.
    3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Einspeisung des elektrischen Signalstromes an einem Punkt des Resonanzkreises erfolgt, wobei die Signaloberwellen bzw. eine höhere Harmonische der Eingangssignale etwa gleich grosse Signale an den Gleichrichtern des Gegentaktdetektors erzeugen.
    4. Schaltung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Resonanzkreis (2) einen wei- teren Blindwiderstand (26 bzw. 39) in Reihe mit dem einen Kreisblindwiderstand (Selbstinduktion 3 bzw.
    Kondensator 4) des entgegengesetzten Vorzeichens enthält und dass der Widerstand (13) einerseits aber diese Reihenschaltung (26-3 bzw. 39-4) und anderseits über den andern Kreisblindwiderstand (25 bzw. 38) mit der Stromquelle elektrischer Signalschwingungen verbunden ist (Fig. 5 bzw. 7).
    5. Schaltung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Quelle des elektrischen Si- gnalstromes mit einer Anzapfung (29), vorzugsweise mit der Mittelanzapfung der Selbstinduktion (3), verbunden ist.
    6. Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, in der der Gegentaktdetektor zwei als Strom- detektoren geschaltete Transistoren enthält, dadurch gekennzeichnet, dass eine gemeinsame, den Detek- tortransistoren zugeordnete Drossel (21) für die zu demodulierende Signalfrequenz an eine Anzapfung, insbesondere der Mittelanzapfung, des Widerstandes (19,20) gelegt ist.
    7. Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, in der der Gegentaktdetektor zwei als Strom- EMI3.2 elektrische Signalstrom durch einen vorangehenden Transistor des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps geliefert wird.
AT69561A 1960-01-30 1961-01-27 Frequenzdemodulationsschaltung AT221140B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE221140T 1960-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT221140B true AT221140B (de) 1962-05-10

Family

ID=29593203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT69561A AT221140B (de) 1960-01-30 1961-01-27 Frequenzdemodulationsschaltung

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT221140B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2224335C3 (de) Oszillatorschaltung mit zwei komplementären Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE1011007B (de) Winkelmodulationsdetektor
DE1112556B (de) Frequenzdemodulations-Schaltungsanordnung
AT221140B (de) Frequenzdemodulationsschaltung
DE1140978B (de) Tonfrequenzbverstaerker mit zwei im Gegentakt geschalteten Transistoren
DE1906957C3 (de) Demodulatorverstärker für winkelmodulierte elektrische Hochfrequenzschwingungen
DE3032660C2 (de) Demodulatorschaltung zum Demodulieren eines winkelmodulierten Eingangssignals
DE2929918A1 (de) Mischstufe mit einer angeschlossenen oszillatorstufe
DE2142817C3 (de) Gleichspannungsgekoppelter Verstärker
DE1261191B (de) Mischschaltung
DE2826536B1 (de) Schaltungsanordnung zur erdfreien UEbertragung von Signalen ueber Trennstellen in Fernmeldeanlagen
AT219093B (de) Niederfrequenzverstärkerschaltung mit einem Paar von in Gegentaktanordnung befindlichen Transistoren gleicher Leitfähigkeitstype
DE1094312B (de) Frequenzdemodulator
AT235339B (de) Frequenzdiskriminator
DE1086763B (de) Ratiodetektor fuer die Aussteuerung eines Transistor-Niederfrequenz-verstaerkers
AT236442B (de) Vorrichtung zur stereophonischen Wiedergabe von Signalen
AT217509B (de) Empfangsschaltung mit einem Ratiodetektor
AT226775B (de) Frequenzwandler mit Transistorbestückung
AT230428B (de) Stabilisierter Transistor-Oszillator
DE649953C (de) Anordnung zur selbsttaetigen Lautstaerkeregelung
DE1220493B (de) Demodulator fuer phasenwinkelmodulierte elektrische Schwingungen
DE1813122C3 (de) Schaltungsanordnung zur Demodulation amplitudenmodulierter elektrischer Schwingungen mit zwei Transistoren
DE814754C (de) Vorverstaerkerschaltung fuer Gegentaktendstufen
AT166414B (de) Einrichtung zum Verstärken oder Erzeugen von elektrischen Schwingungen
AT254259B (de) Transistoroszillator mit Gleichstromgegenkopplung in Tonfrequenz-Multiplex-Systemen