DE1146206B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE1146206B DE1146206B DES74016A DES0074016A DE1146206B DE 1146206 B DE1146206 B DE 1146206B DE S74016 A DES74016 A DE S74016A DE S0074016 A DES0074016 A DE S0074016A DE 1146206 B DE1146206 B DE 1146206B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor body
- electrode metal
- powder
- semiconductor
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 4
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
S 74016 Vmc/21g
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 28. MÄRZ 1963
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem ein Halbleiterkörper
und Elektrodenmetall aufeinandergelegt, in ein Pulver einer mit dem Halbleiterkörper und
dem Elektrodenmetall nicht reagierenden Substanz eingebettet werden und dieses aus Halbleiterkörper
und Elektrodenmetall bestehende System unter Druck bis zur Legierungsbildung erhitzt wird.
Bei diesem als Pulververfahren bekannten Legierungsprozeß bildet das aus Graphit, Magnesiumoxyd,
Aluminiumoxyd od. dgl. bestehende Pulver beim Zusammenpressen eine sich dem eingeschlossenen,
aus Halbleiterkörper und Elektrodenmetall bestehenden System von selbst genau anpassende Form,
wobei von dem Pulver ein allseitiger Druck wie von einer Flüssigkeit auf das System ausgeübt wird. Dadurch
bleibt die Lage der einzelnen Teile des Systems erhalten, und es ist neben der gleichmäßigen
Benetzung des Halbleiterkörpers durch das Elektrodenmetall und damit einer gleichmäßigen Dicke
der entstehenden Legierungsschichten wird auch die äußere Form bzw. Flächengestalt der Elektroden gewährleistet,
da infolge des allseitig gleichen Drucks des Pulvers, das sich auch in die Räume zwischen
den Elektroden legt, ein seitliches Austreten des Elektrodenmaterials,
also ein Zusammenlegieren der Elektroden unmöglich ist.
Die Einzelteile des Systems werden bei diesem Verfahren mit der Hand zusammengesetzt. Diese
Justierung der Einzelteile ist vor allem dann besonders schwierig und unrationell, wenn der Abstand
der einzelnen, auf einer Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordneten Elektroden sehr gering sein
soll, wie dies z. B. bei einem Transistor für hohe Frequenzen der Fall ist, bei dem Emitter- und Basiselektrode
auf derselben Seite des Halbleiterkörpers angeordnet sind und der Abstand zwischen diesen
Elektroden nur Bruchteile von Millimetern betragen soll. Die Justierung des Elektrodenmetalls auf dem
Halbleiterkörper muß dann für jedes System unter dem Mikroskop erfolgen, wodurch das Verfahren
sehr umständlich wird.
Es ist die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, dieses Legierungsverfahren zu
vereinfachen und die durch Handarbeit auftretenden Fehler weitgehend zu vermeiden.
Um dies zu erreichen, werden gemäß der Erfindung der Halbleiterkörper und das Elektrodenmetall
vor dem Einbetten in das Pulver in eine aus einem den Halbleiterkörper und das Elektrodenmetall
nicht benetzenden Material bestehende Form eingebracht, die eine den Abmessungen des aus
Verfahren zum Herstellen
einer Halbleiteranordnung
einer Halbleiteranordnung
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
München 2, Wittelsbacherplatz 2
DipL-Phys. Leo Grasser, München,
und Friedrich Schnell, München-Feldmoching,
sind als Erfinder genannt worden
Halbleiterkörper und Elektrodenmetall bestehenden Systems entsprechende Vertiefung besitzt.
In eine Form, die ein den Abmessungen des Systems entsprechendes, eingepreßtes Muster aufweist,
können die Einzelteile des Systems leichter durch Einlegen, Einschieben oder Einrütteln eingebracht
werden. Diese das System enthaltende Form wird dann in das Pulver eingebettet und unter Druck
bis zur Legierungsbildung erhitzt.
Die beim Verfahren gemäß der Erfindung verwendeten Formen bestehen aus einem den Halbleiterkörper
und das Elektrodenmetall nicht benetzenden Material, das so weich ist, daß beim Einpressen in
das Pulver im Halbleiterkristall keine Sprünge entstehen, die denselben zerstören würden, und außerdem
der durch das Pulver auf die Form ausgeübte Druck auch gleichmäßig auf die von der Form bedeckten
Stellen des Systems übertragen wird.
Als Materialien für die beim Verfahren gemäß der Erfindung verwendeten Formen können Papierfolien,
Kunststoffolien, ζ. B. aus Polyäthylen, oder zu Pillen gepreßte Pulver, wie z. B. Quarzpulver, Verwendung
finden.
Zur näheren Erläuterung des Verfahrens nach der Erfindung wird als Ausführungsbeispiel die Herstellung
eines Transistors mit einlegierten Elektroden an Hand der Fig. 1 bis 4 beschrieben.
In der Fig. 1 ist eine Form 1, wie sie beim Verfahren gemäß der Erfindung Anwendung rindet, dargestellt.
Diese Form hat eine Vertiefung 2, deren Abmessungen dem aus Halbleiterkörper und Elektrodenmetall
bestehenden System entsprechen. Die Dicke D der Form ist z. B. größer als die größte senkrechte
Abmessung des Systems. Diese Dicke kann jedoch
309 547/308
beliebig gewählt werden. Sie kann z. B. auch wesentlich geringer als die größte senkrechte Abmessung
des Systems sein, wie dies in der Fig. 4 dargestellt ist. Die Form 1 kann z. B. aus einer Papier- oder
Kunststoffolie oder einer aus Pulver gepreßten Pille bestehen, in die das dem System entsprechende
Muster eingeprägt ist. In diese Form werden die einzelnen Teile des Systems eingebracht.
In der Fig. 2 ist die Form 1 im Schnitt nach dem Einbringen der einzelnen Teile dargestellt. Beim vorliegenden
Ausführungsbeispiel ist die Folie 5 eine Kreisscheibe von etwa 0,6 mm Durchmesser aus
einem Metall, z. B. Aluminium, das beim Einlegieren einen sperrfreien Kontakt mit dem z. B. aus p-leitendem
Germanium oder Silizium bestehenden Halbleiterkörper 6, also den Basiskontakt bildet. Die
Folie 4 ist ein Kreisring mit einem Außendurchmesser von etwa 1,5 mm und einem Innendurchmesser
von etwa 0,7 mm, der die Basiselektrode konzentrisch umgibt und aus einem Metall, z. B. einer
Gold-Antimon-Legierung besteht, das beim Einlegieren eine Zone entgegengesetzten Leitungstyps im
Halbleiterkörper 6 erzeugt, die die Emitterzone des Transistors bildet. Die Folien für diese beiden auf
derselben Seite des Halbleiterkörpers in nur sehr geringem Abstand voneinander angeordneten Elektroden
sind zuunterst in die Form eingelegt. Der auf ihnen liegende Halbleiterkörper 6 ist beim Ausführungsbeispiel
eine Siliziumscheibe von 1,8 mm Durchmesser und 80 μΐη Dicke. Auf diesen Halbleiterkörper
wird eine weitere Folie 3 von etwa 2 mm Durchmesser aufgebracht, die aus einem Metall,
z. B. einer Gold-Antimon-Legierung besteht, das beim Einlegieren eine Zone des entgegengesetzten
Leitungstyps im Halbleiterkörper 6 erzeugt und den Kollektor des Transistors bildet. Die Dicke der Elektrodenmetallfolien
beträgt beim Ausführungsbeispiel etwa 30 μΐη.
In der Fig. 3 ist die mit den Einzelteilen 3, 4, 5 und 6 der Halbleiteranordnung versehene Form 1
wieder im Schnitt dargestellt. Diese Form wird nun in einem Gefäß 8 in ein Pulver 7, z. B. in Graphit
eingebettet. Mittels eines Stempels 9 wird das Pulver im Gefäß 8 zusammengepreßt und damit ein allseitig
wirkender Druck auf die in der Form 1 befindlichen Teile des Systems ausgeübt. Das Gefäß 8 besteht dabei
aus einem Material, das sich bei den während des Verfahrens an den Gefäßwänden auftretenden Druckkräften
nicht verformt, z. B. aus Stahl. Statt des Gefäßes 8 kann auch ein Rohr verwendet werden, in
das von beiden Seiten zylindrische Stempel eingeführt sind, zwischen denen die mit den Einzelteilen des
Systems versehene, in das Pulver eingebettete Form angeordnet ist. Dann erfolgt das Einpressen mittels
dieser beiden Stempel. Während der durch das Einpressen hervorgerufene Druck auf die Einzelteile des
Systems wirkt, wird das System z. B. in einem Ofen bis zur Legierungsbildung erhitzt. Nach dem Abkühlen
kann die fertige Halbleiteranordnung aus der Form herausgenommen werden. Das Verfahren gemäß
der Erfindung kann ebenso mit einer Form 1, deren Dicke D sehr gering ist und wie sie im Schnitt
in der Fig. 4 dargestellt ist, durchgeführt werden.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein auf sehr einfache Weise auch maschinell durchzuführendes
Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, wie z. B. Dioden, Transistoren und lichtempfindlichen
Elementen, die z. B. aus Germanium, SiÜzium einer Germanium-Silizium-Legierung oder einer
AmBv-Verbindung bestehen, angegeben. Das Verfahren
gemäß der Erfindung ist besonders vorteilhaft bei Halbleiteranordnungen mit sehr nahe nebeneinanderliegenden
Elektroden, d. h. mit Elektroden, deren Abstand Bruchteile von Millimetern, insbesondere
nur einige Mikrometer beträgt.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem ein Halbleiterkörper und
Elektrodenmetall aufeinandergelegt, in ein Pulver einer mit dem Halbleiterkörper und dem
Elektrodenmetall nicht reagierenden Substanz eingebettet werden und dieses aus Elektrodenmetall
und Halbleiterkörper bestehend© System unter Druck bis zur Legierungsbildung erhitzt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper und das Elektrodenmetall vor dem Einbetten
in das Pulver in eine aus einem den Halbleiterkörper und das Elektrodenmetall nicht benetzenden
Material bestehende Form eingebracht werden, die eine den Abmessungen des aus Halbleiterkörper
und Elektrodenmetall bestehenden Systems entsprechende Vertiefung besitzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Form eine Papierfolie verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Form eine Kunststoffolie
verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Form eine aus einem Pulver
gepreßte Pille verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 015 152,
046 198.
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 015 152,
046 198.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
® 303 547/308 3.63
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL274788D NL274788A (de) | 1961-05-17 | ||
| DES74016A DE1146206B (de) | 1961-05-17 | 1961-05-17 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
| CH20862A CH389786A (de) | 1961-05-17 | 1962-01-09 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
| US194258A US3194690A (en) | 1961-05-17 | 1962-05-14 | Producing a semiconductor arrangement |
| FR897553A FR1321984A (fr) | 1961-05-17 | 1962-05-15 | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
| GB19005/62A GB944116A (en) | 1961-05-17 | 1962-05-17 | Improvements in or relating to processes for the manufacture of semi-conductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES74016A DE1146206B (de) | 1961-05-17 | 1961-05-17 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1146206B true DE1146206B (de) | 1963-03-28 |
Family
ID=7504355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES74016A Pending DE1146206B (de) | 1961-05-17 | 1961-05-17 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3194690A (de) |
| CH (1) | CH389786A (de) |
| DE (1) | DE1146206B (de) |
| GB (1) | GB944116A (de) |
| NL (1) | NL274788A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1271266B (de) * | 1965-01-25 | 1968-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3290760A (en) * | 1963-12-16 | 1966-12-13 | Rca Corp | Method of making a composite insulator semiconductor wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1015152B (de) * | 1956-02-08 | 1957-09-05 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2510840A (en) * | 1945-10-12 | 1950-06-06 | Clarence H Stowe | Die for molding washerlike objects |
| US2512535A (en) * | 1949-02-26 | 1950-06-20 | Apex Electrical Mfg Co | Apparatus for molding resinous articles |
| US2840495A (en) * | 1953-08-21 | 1958-06-24 | Bell Teiephone Lab Inc | Method of processing semiconductive materials |
| GB778383A (en) * | 1953-10-02 | 1957-07-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors |
| US2960419A (en) * | 1956-02-08 | 1960-11-15 | Siemens Ag | Method and device for producing electric semiconductor devices |
| US2979808A (en) * | 1957-01-31 | 1961-04-18 | Orenda Engines Ltd | Method and apparatus for securing skin to a core |
| NL106425C (de) * | 1958-01-14 | |||
| NL237782A (de) * | 1958-02-04 | 1900-01-01 | ||
| US2989801A (en) * | 1958-02-12 | 1961-06-27 | Lear Inc | Electrical contact assembly and process of manufacture |
| US3005257A (en) * | 1958-08-28 | 1961-10-24 | Bell Telephone Labor Inc | Fabrication of semiconductor devices |
-
0
- NL NL274788D patent/NL274788A/xx unknown
-
1961
- 1961-05-17 DE DES74016A patent/DE1146206B/de active Pending
-
1962
- 1962-01-09 CH CH20862A patent/CH389786A/de unknown
- 1962-05-14 US US194258A patent/US3194690A/en not_active Expired - Lifetime
- 1962-05-17 GB GB19005/62A patent/GB944116A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1015152B (de) * | 1956-02-08 | 1957-09-05 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten |
| DE1046198B (de) * | 1956-02-08 | 1958-12-11 | Siemens Ag | Legierungs-Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleitergeraeten unter Pulvereinbettung |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1271266B (de) * | 1965-01-25 | 1968-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB944116A (en) | 1963-12-11 |
| CH389786A (de) | 1965-03-31 |
| NL274788A (de) | |
| US3194690A (en) | 1965-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1015152B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten | |
| DE1063277B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit Legierungselektroden | |
| DE2450930A1 (de) | Thermische wanderung metallreicher fluessiger draehte durch halbleitermaterialien | |
| DE1178518C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen | |
| DE1146206B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE1006977B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Inversionsschicht | |
| AT229372B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE1172378B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung | |
| DE3026720C2 (de) | Geschlossener Induktionsschmelz und -Gießofen mit einer Hubvorrichtung für eine Gießform | |
| DE2511059A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur uebertragung von halbleiterplaettchen von einer traegerscheibe auf ein substrat | |
| DE1115367B (de) | Verfahren und Legierungsform zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Aufschmelzen einer Elektrode auf einen Halbleiterkoerper | |
| DE895474C (de) | Verfahren zum Schmelzen hochgereinigter Substanzen | |
| DE1906255B1 (de) | Pulverpressform aus gummi in einer allseitig umschliessenden starren form z b aus stahl | |
| DE1106873B (de) | Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE856616C (de) | Verfahren zur Einhaltung einer genauen Luftspaltbemessung zwischen zwei Koerpern, z.B. zwischen zwei Elektroden eines Kohlemikrofons bzw. zwischen den Magnetpolen und der Membran eines Telefons | |
| DE2854806A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum formpressen | |
| DE3731009C2 (de) | ||
| DE1167986B (de) | Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und mit streifenfoermigen Basis- und Emitterelektroden | |
| DE1045549B (de) | Verfahren zur Herstellung von Legierungskontakten mit p-n-UEbergaengen | |
| DE2741523A1 (de) | Druckmesseinrichtung | |
| DE1046341B (de) | Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial | |
| DE1271266B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen | |
| DE1108813B (de) | Verfahren zur Herstellung von grossflaechigen sperrenden und sperrfreien Kontakten an Halbleiterkoerpern | |
| DE1201492B (de) | Verfahren zum Herstellen von Legierungselektroden fuer Halbleiterbauelemente nach Art des Presspulver-Legierungsverfahrens | |
| DE1125084B (de) | Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper |