DE1132662B - Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone - Google Patents
Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der BasiszoneInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT:
S 61123 Vfflc/21g
23. DEZEMBER 1958
5. JULI 1962
Die Erfindung bezieht sich auf einen Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper mit einer Basiszone,
einer Emitterzone und einer Kollektorzone und zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom
an der Basiszone sowie je einer ohmschen, einander gegenüberliegenden Elektrode an den beiden
anderen Zonen. Es sind bereits Transistoren mit zwei getrennten Basiszonen bekannt, die mit zwei voneinander
unabhängigen Stromkreisen nach Art der Steuergitter von Elektronenrohren verbunden sind.
Diese bekannte Halbleiteranordnung arbeitet also wie zwei in Reihe geschaltete Transistoren. Bei keiner
der beiden Basiszonen kann der Widerstand durch die Kollektorspannung gesteuert werden.
Ferner sind Transistoren bekannt, die insgesamt als Fadentransistoren bezeichnet werden. Dabei handelt
es sich um einen Widerstand, an dessen zwei ohmschen Elektroden eine Spannungsdifferenz angelegt wird, um
ein elektrisches Feld zu erzeugen. Dieses ist zum Verschieben von Raumladungen bestimmt, die an einer
Stelle des Fadentransistors injiziert werden und die Spannung zwischen einer zweiten Stelle und den ohmschen
Elektroden des Widerstandes verändern sollen. Eine solche Halbleiteranordnung dient besonders dazu,
die Übergangszeit zwischen einem Eingangs- und einem Ausgangsimpuls zu steuern.
Andere bekannte Transistorschaltungen mit zwei Elektroden an der Basiszone dienen ebensowenig wie
die vorgenannten dazu, den Basiswiderstand mit Hilfe der Kollektorspannung zu verändern.
Durch die Erfindung wird ein Transistor angegeben, der sich grundsätzlich von den bekannten, insbesondere
den klassischen Transistorbauarten unterscheidet. Er gestattet den Anschluß von zwei voneinander unabhängigen
Stromkreisen, die den Emitterstrom steuern können, so daß dieser Transistor als bistabiler
Multivibrator arbeiten kann. Die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektorspannung unterscheidet
sich bei diesem Transistor insofern von der entsprechenden Charakteristik des klassischen Transistors,
als sie von einem gewissen Wert der Kollektorspannung ab einen abfallenden Teil aufweist, für den
eine Erhöhung der Kollektorspannung eine Verminderung des Stromes zur Folge hat, der zwischen Emitter
und Kollektor fließt.
Die vorerwähnten Vorteile werden bei einem Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper mit
Basiszone, einer Emitterzone und einer Kollektorzone und zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom
an der Basiszone sowie je einer ohmsehen, einander gegenüberliegenden Elektrode an den
beiden anderen Zonen erfindungsgemäß dadurch er
Flächentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom
an der Basiszone
Anmelder:
Societe Suisse pour l'Industrie Horlogere S.A., Genf (Schweiz)
Vertreter: Dipl.-Ing. R. MüHler-Börner,
Berlin-Dahlem, Podbielskiallee 68,
und Dipl.-Ing. H.-H. Wey, München 22,
Patentanwälte
Beanspruchte Priorität: Schweiz vom 28. Dezember 1957 (Nr. 54 226)
Jakob Luscher, Carouge, Genf (Schweiz), ist als Erfinder genannt worden
reicht, daß die beiden Steuerelektroden in unterschiedlichen Entfernungen von der Emitterzone angebracht
sind, daß der zwischen diesen Steuerelektroden liegende Teil der Basiszone durch Formgebung, z. B. eine Nut
oder eine Verdickung, durch Dotierung, z. B. stärkere Dotierung, oder durch zusätzliche Zonen, z. B. Hilfskollektorzonen,
so ausgebildet ist, daß die beim Betrieb vor dem pn-übergang an der Kollektorzone in die Basiszone
sich ausbildende Raumladungszone nicht bis zum pn-übergang vor der gegenüberliegenden Emitterzone
vordringt und so den Strom zwischen der Emitterelektrode und der entfernteren Steuerelektrode, aber
nicht den Strom zwischen der Emitterelektrode und der näheren Steuerelektrode beeinflußt.
Die Erfindung wird in der nachfolgenden eingehenden Beschreibung und den Zeichnungen an Hand der
als Beispiele angegebenen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine emitterseitige Ansicht eines Transistors nach der Erfindung in einer ersten Ausführungsform,
Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie H-II in Fig. 1,
Fig. 3 bis 5 je einen Schnitt durch drei andere Ausführungsformen und
Fig. 6 eine Schaltung für die Anwendung des Transistors.
209 61&/282
In der Darstellung nach Fig. 2 enthält der Transistor
in üblicher Weise eine die Basiszone B bildende Mittelschicht aus einem beispielsweise n-leitenden
Halbleitermaterial. Mittels eines der bekannten Verfahren, beispielsweise des Legierungsverfahrens, ist
beiderseits der Basiszone B eine der Emitter bzw. den Kollektor bildende Schicht aus einem p-leitenden
Halbleitermaterial angeordnet. Jede dieser drei Schichten B, E und C ist mit einer ohmschen Elek-
verbunden, die an der Masse liegt. Die Elektrode b
ist gegenüber der Emitterelektrode e mittels einer Gleichspannungsquelle S1 negativ polarisiert. Die
Elektrode b1 ist gegenüber der Emitterelektrode e mittels
einer Spannungsquelle S2, und zwar über einen Widerstand R2, positiv polarisiert. Die Elektrode O1
ist andererseits über einen Kondensator K mit einem Generator / für Wechselspannungsimpulse verbunden.
Wenn aus dem Generator / der Elektrode b1 kein
trode b, e bzw. c versehen, die es ermöglicht, sie mit io Impuls zugeführt wird, so befindet sich der Transistor
einem Stromkreis zu verbinden. Die Elektrode b hat also im Leitzustand, da die Basiszone B über die
die Form eines den Emitter umgebenden Ringes. Elektrode b einer negativen Spannung unterliegt. Da
In der Basiszone B ist auf der Seite der Emitter- der Spannungsabfall im Widerstand R1 nur sehr wenig
zone E zwischen dieser und der Elektrode b eine die kleiner ist als die Spannung von S, ist die Spannung
Emitterzone E umgebende Ringnut O angebracht. An 15 des Kollektors c also sehr klein. Wenn jetzt aus dem
ihrem zwischen der Ringnut O und der Emitterzone E Generator / dem Abschnitt B1 der Basiszone über die
liegenden Abschnitt B1 ist die Basiszone mit einer Elektrode bx ein positiver Spannungsimpuls zugeführt
zweiten, ebenfalls ringförmigen Elektrode bx versehen. wird, wird der Transistor plötzlich gesperrt. Dies ver-Da
die Elektroden b und bx mit verschiedenen ursacht ein Ansteigen der Spannung des Kollektors c
Stromkreisen verbunden werden können, kann also 20 bis auf den Wert der Spannung von S. Da der Wert
der Strom des Emitters zum Kollektor durch zwei der Spannung von S so gewählt worden ist, daß die
verschiedene Steuerspannungen gesteuert werden. aus der Potentialdifferenz zwischen Kollektor und
Außerdem kann der elektrische Widerstand des die Basis herrührende Raumladungszone sich bis zur
Elektrode b mit der Emitterelektrode verbindenden Nut O, wie in der Zeichnung gestrichelt dargestellt
Basiszonenabschnittes durch die Spannung des KoI- 25 ist, erstrecken kann, wird der Wert des elektrischen
lektors C verändert werden, und zwar in solchen Widerstandes des die Elektrode b mit der Emitter-Grenzen,
daß dieser Widerstand praktisch unter- elektrode verbindenden Basisabschnittes praktisch unbrochen
werden kann. endlich, so daß der Stromkreis b-e praktisch unter-
Tatsächlich kann, da der Bereich der aus der Poten- brachen wird. Infolge der positiven Polarisierung der
tialdifferenz zwischen Kollektorzone und Basiszone 30 Elektrode b± durch die Quelle S2 bleibt die Transistor
herrührenden Raumladungszone für eine gegebene auch dann gesperrt, wenn die Ursache der Sperrung,
Basiszone proportional der Wurzel aus der Kollektor- d. h. der positive Spannungsimpuls, aufgehört hat. Der
spannung ist, die Kollektorspannung so abgestimmt Transistor bleibt gesperrt, bis ein negativer, aus dem
werden, daß die Raumladungszone bis an die Nut O Generator / zugeführter Spannungsimpuls über die
heranreicht, wie es in Fig. 2 gestrichelt dargestellt ist, 35 Elektrode b1 an den Basiszonenabschnitt B1 angelegt
und praktisch den Kreis b-E unterbricht. Da der Ab- wird, damit die aus der Potentialdifferenz zwischen
Kollektor und Basis herrührende Raumladungszone zurückgedrängt wird, indem so der Widerstand des
b mit E verbindenden Basisabschnittes verringert und
der unterbrochene Stromkreis wiederhergestellt wird. Der Transistor befindet sich also wieder im Leitzustand,
und er bleibt es bis zu einem neuen positiven Spannungsimpuls usw. Der Transistor arbeitet also
wie ein bistabiler Multivibrator.
Es sei bemerkt, daß es zum Erzielen der vorstehend erklärten Arbeitsweise des Transistors nicht notwendig
ist, die Raumladungszone bis zur Nut O auszuweiten, d. h. den Widerstand des die Elektrode b mit der
Emitterelektrode verbindenden Basisabschnittes bis
schnitt B1 der Basiszone von dieser Raumladungszone nicht erreicht wird, bleibt sein Widerstand praktisch
unverändert, so daß der Steuerkreis, zu dem er gehört, stets verwendbar ist.
Die Möglichkeiten eines solchen Transistors sind viel größer als die eines der bisher bekannten Transistoren.
So müssen beispielsweise zur Herstellung eines bistabilen Multivibrators mittels bisher üblicher Tran- 45
sistoren zwei solcher Halbleiterbauelemente verwendet
werden. Diese beiden nach bekannten Schaltungen
angeordneten Transistoren müssen abwechselnd einen
Strom leiten und sperren, entsprechend der Polarität
der Steuerspannungsimpulse. Da im allgemeinen der 50 auf einen praktisch unendlichen Wert zu steigern. Tat-Leitzustand nur eines einzigen Elementes ausgenutzt sächlich genügt es, diesen Widerstand auf einen Wert wird, stellt der aus dem Leitzustand des anderen EIe- zu erhöhen, für den die Wirkung der negativen PoIamentes herrührende Strom einen Verlust dar. Nun risierung durch die Quelle S1 auf die Steuerung des ist dies ein großer Mangel, wenn es sich um Schaltun- Emitterstromes gegenüber der Wirkung der positiven gen handelt, die eine sehr große Anzahl von Multi- 55 Polarisierung durch die Quelle S2 vernachlässigbar vibratoren verwenden, wie beispielsweise bei Schaltun- klein ist.
sistoren zwei solcher Halbleiterbauelemente verwendet
werden. Diese beiden nach bekannten Schaltungen
angeordneten Transistoren müssen abwechselnd einen
Strom leiten und sperren, entsprechend der Polarität
der Steuerspannungsimpulse. Da im allgemeinen der 50 auf einen praktisch unendlichen Wert zu steigern. Tat-Leitzustand nur eines einzigen Elementes ausgenutzt sächlich genügt es, diesen Widerstand auf einen Wert wird, stellt der aus dem Leitzustand des anderen EIe- zu erhöhen, für den die Wirkung der negativen PoIamentes herrührende Strom einen Verlust dar. Nun risierung durch die Quelle S1 auf die Steuerung des ist dies ein großer Mangel, wenn es sich um Schaltun- Emitterstromes gegenüber der Wirkung der positiven gen handelt, die eine sehr große Anzahl von Multi- 55 Polarisierung durch die Quelle S2 vernachlässigbar vibratoren verwenden, wie beispielsweise bei Schaltun- klein ist.
Fig. 3 bis 5 zeigen drei weitere Ausführungsformen des Transistors nach der Erfindung.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform enthält die Basiszone B eine Verdickung B1, auf der
die Emitterzone E und die Elektrode b1 angeordnet
sind. Offensichtlich kann der elektrische Widerstand des die Elektrode b mit der Emitterzone E elektrisch
verbindenden Basisabschnittes mit Hilfe der aus der
In der Darstellung nach Fig. 6 ist die Kollektor- 65 Potentialdifferenz zwischen Kollektor und Basis herelektrode
c über einen Widerstand R1 mit dem Minus- rührenden Raumladungszone verändert werden, ohne
pol einer Gleichspannungsquelle S verbunden. Der den Widerstand des die Elektrode b1 mit der Emitter-Pluspol
der Quelle S ist mit der Emitterelektrode e zone verbindenden Basisabschnittes B1 zu verändern.
gen von Rechenmaschinen oder Elektronenrechnern. Ein weiterer Nachteil ist selbstverständlich die Tatsache,
daß man je Multivibrator zwei Transistoren benötigt.
Nun kann ein einziger dieser als Beispiele beschriebenen Transistoren nach der Erfindung als bistabiler
Multivibrator, beispielsweise nach dem in Fig. 6 dargestellten Schaltbild, verwendet werden.
Der Transistor nach Fig. 4 enthält zwei je auf einer Seite der Basiszone angeordnete Hilfskollektoren C1
und C2 in Form von zwischen den Elektroden b und Z)1
angeordneten Ringen. Diese beiden Hilfskollektoren C1 und C, sind elektrisch mit dem Hauptkollektor C
verbunden. Hier kann der elektrische Widerstand des die Elektrode b mit der Emitterzone verbindenden
Basisabschnittes durch die aus den Potentialdifferenzen zwischen jedem der Hilfskollektoren und der
Basiszone herrührenden Raumladungszonen so verändert werden, daß sich diese Zonen aufeinander zu
erstrecken und sich sogar vereinigen können, ohne den Widerstand des die Elektrode Z)1 mit der Emitterzone
verbindenden Abschnittes B1 zu verändern.
Bei dem in Fig. 5 dargestellten Transistor ist ein Abschnitt der die Basiszone B bildenden Schicht, und
zwar der Abschnitt B1, auf dem die Emitterzone E
und die Elektrode Z)1 angeordnet sind, stärker dotiert als die übrige Basiszone B. In diesem Falle kann der
elektrische Widerstand des schwächer dotierten, die Elektrode b mit der Emitterzone verbindenden Basisabschnittes
mit Hilfe der aus der Potentialdifferenz zwischen Kollektor und Basis herrührenden Raumladungszone
verändert werden, ohne daß der Widerstand des stärker dotierten, die Elektrode Z)1 mit der
Emitterzone verbindenden Basisabschnittes B1 fühlbar
verändert wird.
Bei den beschriebenen und dargestellten Ausführungsbeispielen sind die beiden Elektroden b und Z)1
der Basiszone ringförmig. Sie könnten selbstverständlieh jede andere beliebige Form haben.
Claims (6)
1. Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper mit einer Basiszone, einer Emitterzone
und einer Kollektorzone und zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom
an der Basiszone sowie je einer ohmschen, einander gegenüberliegenden Elektrode an den
beiden anderen Zonen, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Steuerelektroden (b, Z)1) in unterschiedlichen
Entfernungen von der Emitterzone
(E) angebracht sind, daß der zwischen diesen Steuerelektroden (b, O1) liegende Teil der Basiszone
durch Formgebung, z. B. eine Nut (Fig. 2: O) oder eine Verdickung (Fig. 3: B1),
durch Dotierung, z. B. stärkere Dotierung (Fig. 5: B1), oder durch zusätzliche Zonen, z. B.
Hilfskolektorzonen (Fig. 4: C1, C2) so ausgebildet
ist, daß die beim Betrieb vor dem pnübergang an der Kollektorzone (C) in die Basiszone
sich ausbildende Raumladungszone nicht bis zum pn-übergang vor der gegenüberliegenden
Emitterzone (E) vordringt und so den Strom zwischen der Emitterelektrode (e) und der entfernteren
Steuerelektrode (b), aber nicht den Strom zwischen der Emitterelektrode und der
näheren Steuerelektrode (Z)1) beeinflußt.
2. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die tiefe Nut (O) so angeordnet
ist, daß sie die Emitterzone (E) umgibt.
3. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (E) und die
ihr näher liegende Steuerelektrode (Z)1) auf der
Verdickung (Fig. 3: B1) angeordnet sind.
4. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei einander gegenüberliegende
Hilfskollektoren (C1, C2) elektrisch mit
der Kollektorelektrode (c) so verbunden sind, daß ihre Raumladungszonen sich vereinigen
können.
5. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (E) und die
ihr näher liegende Steuerelektrode (Z)1) auf dem
stärker dotierten Teil der Basiszone angeordnet sind.
6. Flächentransistor nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden
(b und Z)1) die Emitterelektrode (e) ringförmig umgeben.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 814487, 890 847, 849, 968 666.
Deutsche Patentschriften Nr. 814487, 890 847, 849, 968 666.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 618/282 6.62
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH5422657 | 1957-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1132662B true DE1132662B (de) | 1962-07-05 |
Family
ID=4519135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES61123A Pending DE1132662B (de) | 1957-12-28 | 1958-12-23 | Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3038087A (de) |
BE (1) | BE573933A (de) |
CH (1) | CH335368A (de) |
DE (1) | DE1132662B (de) |
FR (1) | FR1256523A (de) |
GB (1) | GB905945A (de) |
NL (1) | NL107737C (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2998534A (en) * | 1958-09-04 | 1961-08-29 | Clevite Corp | Symmetrical junction transistor device and circuit |
NL254591A (de) * | 1960-08-12 | |||
US3177414A (en) * | 1961-07-26 | 1965-04-06 | Nippon Electric Co | Device comprising a plurality of transistors |
US3275910A (en) * | 1963-01-18 | 1966-09-27 | Motorola Inc | Planar transistor with a relative higher-resistivity base region |
US3735481A (en) * | 1967-08-16 | 1973-05-29 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing an integrated circuit having a transistor isolated by the collector region |
US3611058A (en) * | 1970-05-11 | 1971-10-05 | Gen Motors Corp | Varactor diode |
JPS6174369A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Sony Corp | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE814487C (de) * | 1948-06-26 | 1951-09-24 | Western Electric Co | Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie |
DE890847C (de) * | 1948-09-24 | 1953-09-24 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
DE966849C (de) * | 1952-12-01 | 1957-09-12 | Philips Nv | Transistorelement und Transistorschaltung |
DE968666C (de) * | 1950-03-21 | 1958-03-20 | Int Standard Electric Corp | Halbleiterkristallverstaerker |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2754431A (en) * | 1953-03-09 | 1956-07-10 | Rca Corp | Semiconductor devices |
US2870345A (en) * | 1954-02-02 | 1959-01-20 | Philips Corp | Amplification control of a transistor |
US2801348A (en) * | 1954-05-03 | 1957-07-30 | Rca Corp | Semiconductor devices |
US2889499A (en) * | 1954-09-27 | 1959-06-02 | Ibm | Bistable semiconductor device |
US2915647A (en) * | 1955-07-13 | 1959-12-01 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductive switch and negative resistance |
US2900531A (en) * | 1957-02-28 | 1959-08-18 | Rca Corp | Field-effect transistor |
-
1957
- 1957-12-28 CH CH335368D patent/CH335368A/fr unknown
-
1958
- 1958-12-16 BE BE573933A patent/BE573933A/fr unknown
- 1958-12-17 GB GB40796/58A patent/GB905945A/en not_active Expired
- 1958-12-18 NL NL234353A patent/NL107737C/xx active
- 1958-12-18 FR FR38930A patent/FR1256523A/fr not_active Expired
- 1958-12-23 DE DES61123A patent/DE1132662B/de active Pending
- 1958-12-24 US US782760A patent/US3038087A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE814487C (de) * | 1948-06-26 | 1951-09-24 | Western Electric Co | Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie |
DE890847C (de) * | 1948-09-24 | 1953-09-24 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
DE968666C (de) * | 1950-03-21 | 1958-03-20 | Int Standard Electric Corp | Halbleiterkristallverstaerker |
DE966849C (de) * | 1952-12-01 | 1957-09-12 | Philips Nv | Transistorelement und Transistorschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE573933A (fr) | 1959-04-16 |
FR1256523A (fr) | 1961-03-24 |
CH335368A (fr) | 1958-12-31 |
NL107737C (de) | 1964-03-16 |
GB905945A (en) | 1962-09-12 |
US3038087A (en) | 1962-06-05 |
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