DE1132662B - Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone - Google Patents

Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone

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DE1132662B DES61123A DES0061123A DE1132662B DE 1132662 B DE1132662 B DE 1132662B DE S61123 A DES61123 A DE S61123A DE S0061123 A DES0061123 A DE S0061123A DE 1132662 B DE1132662 B DE 1132662B
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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
ANMELDETAG:
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABEDER AUSLEGESCHRIFT:
S 61123 Vfflc/21g
23. DEZEMBER 1958
5. JULI 1962
Die Erfindung bezieht sich auf einen Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper mit einer Basiszone, einer Emitterzone und einer Kollektorzone und zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone sowie je einer ohmschen, einander gegenüberliegenden Elektrode an den beiden anderen Zonen. Es sind bereits Transistoren mit zwei getrennten Basiszonen bekannt, die mit zwei voneinander unabhängigen Stromkreisen nach Art der Steuergitter von Elektronenrohren verbunden sind. Diese bekannte Halbleiteranordnung arbeitet also wie zwei in Reihe geschaltete Transistoren. Bei keiner der beiden Basiszonen kann der Widerstand durch die Kollektorspannung gesteuert werden.
Ferner sind Transistoren bekannt, die insgesamt als Fadentransistoren bezeichnet werden. Dabei handelt es sich um einen Widerstand, an dessen zwei ohmschen Elektroden eine Spannungsdifferenz angelegt wird, um ein elektrisches Feld zu erzeugen. Dieses ist zum Verschieben von Raumladungen bestimmt, die an einer Stelle des Fadentransistors injiziert werden und die Spannung zwischen einer zweiten Stelle und den ohmschen Elektroden des Widerstandes verändern sollen. Eine solche Halbleiteranordnung dient besonders dazu, die Übergangszeit zwischen einem Eingangs- und einem Ausgangsimpuls zu steuern.
Andere bekannte Transistorschaltungen mit zwei Elektroden an der Basiszone dienen ebensowenig wie die vorgenannten dazu, den Basiswiderstand mit Hilfe der Kollektorspannung zu verändern.
Durch die Erfindung wird ein Transistor angegeben, der sich grundsätzlich von den bekannten, insbesondere den klassischen Transistorbauarten unterscheidet. Er gestattet den Anschluß von zwei voneinander unabhängigen Stromkreisen, die den Emitterstrom steuern können, so daß dieser Transistor als bistabiler Multivibrator arbeiten kann. Die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektorspannung unterscheidet sich bei diesem Transistor insofern von der entsprechenden Charakteristik des klassischen Transistors, als sie von einem gewissen Wert der Kollektorspannung ab einen abfallenden Teil aufweist, für den eine Erhöhung der Kollektorspannung eine Verminderung des Stromes zur Folge hat, der zwischen Emitter und Kollektor fließt.
Die vorerwähnten Vorteile werden bei einem Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper mit Basiszone, einer Emitterzone und einer Kollektorzone und zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone sowie je einer ohmsehen, einander gegenüberliegenden Elektrode an den beiden anderen Zonen erfindungsgemäß dadurch er
Flächentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone
Anmelder:
Societe Suisse pour l'Industrie Horlogere S.A., Genf (Schweiz)
Vertreter: Dipl.-Ing. R. MüHler-Börner, Berlin-Dahlem, Podbielskiallee 68,
und Dipl.-Ing. H.-H. Wey, München 22,
Patentanwälte
Beanspruchte Priorität: Schweiz vom 28. Dezember 1957 (Nr. 54 226)
Jakob Luscher, Carouge, Genf (Schweiz), ist als Erfinder genannt worden
reicht, daß die beiden Steuerelektroden in unterschiedlichen Entfernungen von der Emitterzone angebracht sind, daß der zwischen diesen Steuerelektroden liegende Teil der Basiszone durch Formgebung, z. B. eine Nut oder eine Verdickung, durch Dotierung, z. B. stärkere Dotierung, oder durch zusätzliche Zonen, z. B. Hilfskollektorzonen, so ausgebildet ist, daß die beim Betrieb vor dem pn-übergang an der Kollektorzone in die Basiszone sich ausbildende Raumladungszone nicht bis zum pn-übergang vor der gegenüberliegenden Emitterzone vordringt und so den Strom zwischen der Emitterelektrode und der entfernteren Steuerelektrode, aber nicht den Strom zwischen der Emitterelektrode und der näheren Steuerelektrode beeinflußt.
Die Erfindung wird in der nachfolgenden eingehenden Beschreibung und den Zeichnungen an Hand der als Beispiele angegebenen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine emitterseitige Ansicht eines Transistors nach der Erfindung in einer ersten Ausführungsform, Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie H-II in Fig. 1,
Fig. 3 bis 5 je einen Schnitt durch drei andere Ausführungsformen und
Fig. 6 eine Schaltung für die Anwendung des Transistors.
209 61&/282
In der Darstellung nach Fig. 2 enthält der Transistor in üblicher Weise eine die Basiszone B bildende Mittelschicht aus einem beispielsweise n-leitenden Halbleitermaterial. Mittels eines der bekannten Verfahren, beispielsweise des Legierungsverfahrens, ist beiderseits der Basiszone B eine der Emitter bzw. den Kollektor bildende Schicht aus einem p-leitenden Halbleitermaterial angeordnet. Jede dieser drei Schichten B, E und C ist mit einer ohmschen Elek-
verbunden, die an der Masse liegt. Die Elektrode b ist gegenüber der Emitterelektrode e mittels einer Gleichspannungsquelle S1 negativ polarisiert. Die Elektrode b1 ist gegenüber der Emitterelektrode e mittels einer Spannungsquelle S2, und zwar über einen Widerstand R2, positiv polarisiert. Die Elektrode O1 ist andererseits über einen Kondensator K mit einem Generator / für Wechselspannungsimpulse verbunden. Wenn aus dem Generator / der Elektrode b1 kein
trode b, e bzw. c versehen, die es ermöglicht, sie mit io Impuls zugeführt wird, so befindet sich der Transistor einem Stromkreis zu verbinden. Die Elektrode b hat also im Leitzustand, da die Basiszone B über die die Form eines den Emitter umgebenden Ringes. Elektrode b einer negativen Spannung unterliegt. Da
In der Basiszone B ist auf der Seite der Emitter- der Spannungsabfall im Widerstand R1 nur sehr wenig zone E zwischen dieser und der Elektrode b eine die kleiner ist als die Spannung von S, ist die Spannung Emitterzone E umgebende Ringnut O angebracht. An 15 des Kollektors c also sehr klein. Wenn jetzt aus dem ihrem zwischen der Ringnut O und der Emitterzone E Generator / dem Abschnitt B1 der Basiszone über die liegenden Abschnitt B1 ist die Basiszone mit einer Elektrode bx ein positiver Spannungsimpuls zugeführt zweiten, ebenfalls ringförmigen Elektrode bx versehen. wird, wird der Transistor plötzlich gesperrt. Dies ver-Da die Elektroden b und bx mit verschiedenen ursacht ein Ansteigen der Spannung des Kollektors c Stromkreisen verbunden werden können, kann also 20 bis auf den Wert der Spannung von S. Da der Wert der Strom des Emitters zum Kollektor durch zwei der Spannung von S so gewählt worden ist, daß die verschiedene Steuerspannungen gesteuert werden. aus der Potentialdifferenz zwischen Kollektor und Außerdem kann der elektrische Widerstand des die Basis herrührende Raumladungszone sich bis zur Elektrode b mit der Emitterelektrode verbindenden Nut O, wie in der Zeichnung gestrichelt dargestellt Basiszonenabschnittes durch die Spannung des KoI- 25 ist, erstrecken kann, wird der Wert des elektrischen lektors C verändert werden, und zwar in solchen Widerstandes des die Elektrode b mit der Emitter-Grenzen, daß dieser Widerstand praktisch unter- elektrode verbindenden Basisabschnittes praktisch unbrochen werden kann. endlich, so daß der Stromkreis b-e praktisch unter-
Tatsächlich kann, da der Bereich der aus der Poten- brachen wird. Infolge der positiven Polarisierung der tialdifferenz zwischen Kollektorzone und Basiszone 30 Elektrode b± durch die Quelle S2 bleibt die Transistor herrührenden Raumladungszone für eine gegebene auch dann gesperrt, wenn die Ursache der Sperrung, Basiszone proportional der Wurzel aus der Kollektor- d. h. der positive Spannungsimpuls, aufgehört hat. Der spannung ist, die Kollektorspannung so abgestimmt Transistor bleibt gesperrt, bis ein negativer, aus dem werden, daß die Raumladungszone bis an die Nut O Generator / zugeführter Spannungsimpuls über die heranreicht, wie es in Fig. 2 gestrichelt dargestellt ist, 35 Elektrode b1 an den Basiszonenabschnitt B1 angelegt und praktisch den Kreis b-E unterbricht. Da der Ab- wird, damit die aus der Potentialdifferenz zwischen
Kollektor und Basis herrührende Raumladungszone zurückgedrängt wird, indem so der Widerstand des b mit E verbindenden Basisabschnittes verringert und der unterbrochene Stromkreis wiederhergestellt wird. Der Transistor befindet sich also wieder im Leitzustand, und er bleibt es bis zu einem neuen positiven Spannungsimpuls usw. Der Transistor arbeitet also wie ein bistabiler Multivibrator.
Es sei bemerkt, daß es zum Erzielen der vorstehend erklärten Arbeitsweise des Transistors nicht notwendig ist, die Raumladungszone bis zur Nut O auszuweiten, d. h. den Widerstand des die Elektrode b mit der Emitterelektrode verbindenden Basisabschnittes bis
schnitt B1 der Basiszone von dieser Raumladungszone nicht erreicht wird, bleibt sein Widerstand praktisch unverändert, so daß der Steuerkreis, zu dem er gehört, stets verwendbar ist.
Die Möglichkeiten eines solchen Transistors sind viel größer als die eines der bisher bekannten Transistoren.
So müssen beispielsweise zur Herstellung eines bistabilen Multivibrators mittels bisher üblicher Tran- 45
sistoren zwei solcher Halbleiterbauelemente verwendet
werden. Diese beiden nach bekannten Schaltungen
angeordneten Transistoren müssen abwechselnd einen
Strom leiten und sperren, entsprechend der Polarität
der Steuerspannungsimpulse. Da im allgemeinen der 50 auf einen praktisch unendlichen Wert zu steigern. Tat-Leitzustand nur eines einzigen Elementes ausgenutzt sächlich genügt es, diesen Widerstand auf einen Wert wird, stellt der aus dem Leitzustand des anderen EIe- zu erhöhen, für den die Wirkung der negativen PoIamentes herrührende Strom einen Verlust dar. Nun risierung durch die Quelle S1 auf die Steuerung des ist dies ein großer Mangel, wenn es sich um Schaltun- Emitterstromes gegenüber der Wirkung der positiven gen handelt, die eine sehr große Anzahl von Multi- 55 Polarisierung durch die Quelle S2 vernachlässigbar vibratoren verwenden, wie beispielsweise bei Schaltun- klein ist.
Fig. 3 bis 5 zeigen drei weitere Ausführungsformen des Transistors nach der Erfindung.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform enthält die Basiszone B eine Verdickung B1, auf der die Emitterzone E und die Elektrode b1 angeordnet sind. Offensichtlich kann der elektrische Widerstand des die Elektrode b mit der Emitterzone E elektrisch verbindenden Basisabschnittes mit Hilfe der aus der
In der Darstellung nach Fig. 6 ist die Kollektor- 65 Potentialdifferenz zwischen Kollektor und Basis herelektrode c über einen Widerstand R1 mit dem Minus- rührenden Raumladungszone verändert werden, ohne pol einer Gleichspannungsquelle S verbunden. Der den Widerstand des die Elektrode b1 mit der Emitter-Pluspol der Quelle S ist mit der Emitterelektrode e zone verbindenden Basisabschnittes B1 zu verändern.
gen von Rechenmaschinen oder Elektronenrechnern. Ein weiterer Nachteil ist selbstverständlich die Tatsache, daß man je Multivibrator zwei Transistoren benötigt.
Nun kann ein einziger dieser als Beispiele beschriebenen Transistoren nach der Erfindung als bistabiler Multivibrator, beispielsweise nach dem in Fig. 6 dargestellten Schaltbild, verwendet werden.
Der Transistor nach Fig. 4 enthält zwei je auf einer Seite der Basiszone angeordnete Hilfskollektoren C1 und C2 in Form von zwischen den Elektroden b und Z)1 angeordneten Ringen. Diese beiden Hilfskollektoren C1 und C, sind elektrisch mit dem Hauptkollektor C verbunden. Hier kann der elektrische Widerstand des die Elektrode b mit der Emitterzone verbindenden Basisabschnittes durch die aus den Potentialdifferenzen zwischen jedem der Hilfskollektoren und der Basiszone herrührenden Raumladungszonen so verändert werden, daß sich diese Zonen aufeinander zu erstrecken und sich sogar vereinigen können, ohne den Widerstand des die Elektrode Z)1 mit der Emitterzone verbindenden Abschnittes B1 zu verändern.
Bei dem in Fig. 5 dargestellten Transistor ist ein Abschnitt der die Basiszone B bildenden Schicht, und zwar der Abschnitt B1, auf dem die Emitterzone E und die Elektrode Z)1 angeordnet sind, stärker dotiert als die übrige Basiszone B. In diesem Falle kann der elektrische Widerstand des schwächer dotierten, die Elektrode b mit der Emitterzone verbindenden Basisabschnittes mit Hilfe der aus der Potentialdifferenz zwischen Kollektor und Basis herrührenden Raumladungszone verändert werden, ohne daß der Widerstand des stärker dotierten, die Elektrode Z)1 mit der Emitterzone verbindenden Basisabschnittes B1 fühlbar verändert wird.
Bei den beschriebenen und dargestellten Ausführungsbeispielen sind die beiden Elektroden b und Z)1 der Basiszone ringförmig. Sie könnten selbstverständlieh jede andere beliebige Form haben.

Claims (6)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper mit einer Basiszone, einer Emitterzone und einer Kollektorzone und zwei ohmschen Steuerelektroden für den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone sowie je einer ohmschen, einander gegenüberliegenden Elektrode an den beiden anderen Zonen, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Steuerelektroden (b, Z)1) in unterschiedlichen Entfernungen von der Emitterzone
(E) angebracht sind, daß der zwischen diesen Steuerelektroden (b, O1) liegende Teil der Basiszone durch Formgebung, z. B. eine Nut (Fig. 2: O) oder eine Verdickung (Fig. 3: B1), durch Dotierung, z. B. stärkere Dotierung (Fig. 5: B1), oder durch zusätzliche Zonen, z. B. Hilfskolektorzonen (Fig. 4: C1, C2) so ausgebildet ist, daß die beim Betrieb vor dem pnübergang an der Kollektorzone (C) in die Basiszone sich ausbildende Raumladungszone nicht bis zum pn-übergang vor der gegenüberliegenden Emitterzone (E) vordringt und so den Strom zwischen der Emitterelektrode (e) und der entfernteren Steuerelektrode (b), aber nicht den Strom zwischen der Emitterelektrode und der näheren Steuerelektrode (Z)1) beeinflußt.
2. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die tiefe Nut (O) so angeordnet ist, daß sie die Emitterzone (E) umgibt.
3. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (E) und die ihr näher liegende Steuerelektrode (Z)1) auf der Verdickung (Fig. 3: B1) angeordnet sind.
4. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei einander gegenüberliegende Hilfskollektoren (C1, C2) elektrisch mit der Kollektorelektrode (c) so verbunden sind, daß ihre Raumladungszonen sich vereinigen können.
5. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (E) und die ihr näher liegende Steuerelektrode (Z)1) auf dem stärker dotierten Teil der Basiszone angeordnet sind.
6. Flächentransistor nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (b und Z)1) die Emitterelektrode (e) ringförmig umgeben.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 814487, 890 847, 849, 968 666.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 618/282 6.62
DES61123A 1957-12-28 1958-12-23 Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone Pending DE1132662B (de)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2998534A (en) * 1958-09-04 1961-08-29 Clevite Corp Symmetrical junction transistor device and circuit
NL254591A (de) * 1960-08-12
US3177414A (en) * 1961-07-26 1965-04-06 Nippon Electric Co Device comprising a plurality of transistors
US3275910A (en) * 1963-01-18 1966-09-27 Motorola Inc Planar transistor with a relative higher-resistivity base region
US3735481A (en) * 1967-08-16 1973-05-29 Hitachi Ltd Method of manufacturing an integrated circuit having a transistor isolated by the collector region
US3611058A (en) * 1970-05-11 1971-10-05 Gen Motors Corp Varactor diode
JPS6174369A (ja) * 1984-09-20 1986-04-16 Sony Corp 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
DE890847C (de) * 1948-09-24 1953-09-24 Western Electric Co Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung
DE966849C (de) * 1952-12-01 1957-09-12 Philips Nv Transistorelement und Transistorschaltung
DE968666C (de) * 1950-03-21 1958-03-20 Int Standard Electric Corp Halbleiterkristallverstaerker

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2754431A (en) * 1953-03-09 1956-07-10 Rca Corp Semiconductor devices
US2870345A (en) * 1954-02-02 1959-01-20 Philips Corp Amplification control of a transistor
US2801348A (en) * 1954-05-03 1957-07-30 Rca Corp Semiconductor devices
US2889499A (en) * 1954-09-27 1959-06-02 Ibm Bistable semiconductor device
US2915647A (en) * 1955-07-13 1959-12-01 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive switch and negative resistance
US2900531A (en) * 1957-02-28 1959-08-18 Rca Corp Field-effect transistor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
DE890847C (de) * 1948-09-24 1953-09-24 Western Electric Co Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung
DE968666C (de) * 1950-03-21 1958-03-20 Int Standard Electric Corp Halbleiterkristallverstaerker
DE966849C (de) * 1952-12-01 1957-09-12 Philips Nv Transistorelement und Transistorschaltung

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Publication number Publication date
BE573933A (fr) 1959-04-16
FR1256523A (fr) 1961-03-24
CH335368A (fr) 1958-12-31
NL107737C (de) 1964-03-16
GB905945A (en) 1962-09-12
US3038087A (en) 1962-06-05

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