DE112022000491T5 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE112022000491T5
DE112022000491T5 DE112022000491.6T DE112022000491T DE112022000491T5 DE 112022000491 T5 DE112022000491 T5 DE 112022000491T5 DE 112022000491 T DE112022000491 T DE 112022000491T DE 112022000491 T5 DE112022000491 T5 DE 112022000491T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor element
semiconductor device
line
magnetic material
covered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112022000491.6T
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Matsubara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE112022000491T5 publication Critical patent/DE112022000491T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung schließt ein: eine elektroleitfähige Stütze, die Leitungen einschließt; ein erstes Halbleiterelement, das durch die Stütze gelagert wird; ein zweites Halbleiterelement, das durch die Stütze gelagert wird; ein drittes Halbleiterelement, das durch die Stütze gelagert wird, elektrisch mit dem ersten und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und das erste und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert; ein Dichtungsharz, das das erste, das zweite und das dritte Halbleiterelement und einen Teil der Stütze bedeckt. Die Stütze schließt ein: einen ersten Teil, der mit dem ersten Halbleiterelement überlappt, wenn in einer Dickenrichtung der Leitungen betrachtet; einen zweiten Teil, der mit dem zweiten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt; und einen dritten Teil, der mit dem dritten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt. Der dritte Teil ist aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt, das eine relative Permeabilität von weniger als 100 aufweist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen.
  • STAND DER TECHNIK
  • Herkömmlicherweise wurden Wechselrichtervorrichtungen in Elektrofahrzeugen (einschließlich Hybridfahrzeugen) und Unterhaltungselektronik integriert. Wechselrichtervorrichtungen werden mit Halbleitervorrichtungen gebaut. Zum Beispiel kann eine Wechselrichtervorrichtung eine Halbleitervorrichtung und einen Leistungshalbleiter, wie einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) oder einen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einschließen. Die Halbleitervorrichtung schließt ein Steuerelement und ein Antriebselement ein. Ein von einer Motorsteuereinheit (ECU) an die Wechselrichtervorrichtung ausgegebenes Steuersignal wird in das Steuerelement der Halbleitervorrichtung eingegeben. Das Steuerelement wandelt das Steuersignal in ein Pulsweitenmodulationssteuersignal (PWM-Steuersignal) um und überträgt das resultierende Signal an das Antriebselement. Das Antriebselement schaltet z. B. sechs Leistungshalbleiter basierend auf dem PWM-Steuersignal rechtzeitig ein und aus. Mit den sechs Leistungshalbleitern, die mit dem angemessenen Timing ein- und ausgeschaltet werden, wird die von einer fahrzeugmontierten Batterie zugeführte Gleichstromleistung zum Antreiben des Motors in dreiphasige Wechselstromleistung umgewandelt. Patentdokument 1 offenbart eine Halbleitervorrichtung, die ein Steuerelement (Steuerungschip), ein Antriebselement (Treiberchip) und einen Transformatorchip einschließt.
  • DOKUMENT DES STANDES DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A- 2018-207127
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • Der Transformatorchip überträgt ein Signal unter Verwendung einer induktiven Kopplung von zwei integrierten Spulen. Eine Störung des durch die induktive Kopplung erzeugten Magnetfeldes kann zu Problemen führen, wie einer verringerten Übertragungseffizienz.
  • Unter Berücksichtigung der vorstehend beschriebenen Situationen besteht eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung darin, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die die Übertragungseffizienz verbessern kann.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung schließt ein: eine elektroleitfähige Stütze bzw. einen elektroleitfähigen Träger, die eine Vielzahl von Leitungen („leads“) einschließt; ein erstes Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert bzw. gelagert wird; ein zweites Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird; ein drittes Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird, elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert; ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement, das dritte Halbleiterelement und einen Teil der elektroleitfähigen Stütze bedeckt. Die elektroleitfähige Stütze schließt ein: einen ersten Teil, der mit dem ersten Halbleiterelement überlappt, wenn in einer Dickenrichtung der Vielzahl von Leitungen betrachtet; einen zweiten Teil, der mit dem zweiten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt; und einen dritten Teil, der mit dem dritten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt. Der dritte Teil ist aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt, das eine relative Permeabilität bzw. Permeabilitätszahl („relative permeability“) von weniger als 100 aufweist.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die vorstehende Konfiguration kann die Übertragungseffizienz der Halbleitervorrichtung verbessern.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden durch die nachstehend gegebene detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen offensichtlicher.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine Draufsicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 3 ist eine Vorderansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist eine linke Seitenansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 5 ist eine rechte Seitenansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 6 ist eine bruchstückhafte Draufsicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang der in 2 gezeigten Linie VII-VII.
    • 8 ist eine Schnittansicht entlang der in 2 gezeigten Linie VIII-VIII.
    • 9 ist eine bruchstückhafte Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Variation der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 10 ist eine Schnittansicht entlang der in 9 gezeigten Linie X-X.
    • 11 ist eine bruchstückhafte Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Variation der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang der in 11 gezeigten Linie XII-XII.
    • 13 ist eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 14 ist eine bruchstückhafte Draufsicht der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 15 ist eine Schnittansicht entlang der in 13 gezeigten Linie XV-XV.
    • 16 ist eine bruchstückhafte Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Variation der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 17 ist eine bruchstückhafte Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Variation der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 18 ist eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 19 ist eine bruchstückhafte Draufsicht der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 20 ist eine Schnittansicht entlang der in 18 gezeigten Linie XX-XX.
    • 21 ist eine bruchstückhafte Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Variation der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 22 ist eine bruchstückhafte Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Variation der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • ART UND WEISE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • In der vorliegenden Offenbarung werden Begriffe wie „erste“, „zweite“ und „dritte“ lediglich als Markierungen zum Identifizieren der Elemente verwendet, die durch die Begriffe bezeichnet werden und es wird nicht bezweckt, die Reihenfolge dieser Elemente einzuschränken.
  • Unter Bezugnahme auf 1 bis 8 beschreibt das Folgende eine Halbleitervorrichtung A1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Halbleitervorrichtung A1 schließt ein erstes Halbleiterelement 11, ein zweites Halbleiterelement 12, ein drittes Halbleiterelement 13, eine elektroleitfähige Stütze bzw. einen elektrisch leitfähigen Träger 2, eine Vielzahl von zweiten Drähten 52, eine Vielzahl von ersten Drähten 51, eine Vielzahl von dritten Drähten 53, eine Vielzahl von vierten Drähten 54 und ein Dichtungsharz 6 ein. Die Halbleitervorrichtung A1 dient zur Oberflächenmontage auf der Verdrahtungsplatte einer in ein Elektrofahrzeug integrierten Wechselrichtervorrichtung. Die Halbleitervorrichtung A1 ist in einem kleinen Outline Package (SOP) bereitgestellt. Es ist zu beachten, dass die Verpackung der Halbleitervorrichtung A1 nicht auf SOP beschränkt ist.
  • 1 und 2 sind Draufsichten der Halbleitervorrichtung A1. 3 ist eine Vorderansicht der Halbleitervorrichtung A1. 4 ist eine linke Seitenansicht der Halbleitervorrichtung A1. 5 ist eine rechte Seitenansicht der Halbleitervorrichtung A1. 6 ist eine bruchstückhafte Draufsicht der Halbleitervorrichtung A1. 7 ist eine Schnittansicht entlang der in 2 gezeigten Linie VII-VII. 8 ist eine Schnittansicht entlang der in 2 gezeigten Linie VIII-VIII. Zur Vereinfachung der Beschreibung zeigt 2 das Dichtungsharz 6 mit imaginären Linien (Strich-Doppelpunkt-Linien). In ähnlicher Weise zeigt 9 das Dichtungsharz 6 mit imaginären Linien und das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12, das dritte Halbleiterelement 13, die zweiten Drähte 52, die ersten Drähte 51 und die dritten Drähte 53.
  • In der Beschreibung der Halbleitervorrichtung A1 ist die Dickenrichtung eines ersten Die-Pads 210 einer ersten Leitung („lead“) 21 und eines zweiten Die-Pads 220 einer zweiten Leitung 22, die später beschrieben wird, als eine „z-Richtung“ definiert. Eine Richtung orthogonal zur z-Richtung ist als eine „x-Richtung“ definiert. Die Richtung orthogonal zur z-Richtung und x-Richtung ist als „y-Richtung“ definiert.
  • Das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 sind Elemente, die in die Funktionalität der Halbleitervorrichtung A1 integriert sind. Wie in 2 gezeigt, sind das erste Halbleiterelement 11, die zweiten Halbleiterelemente 12 und das dritte Halbleiterelement 13 der Halbleitervorrichtung A1 diskrete Elemente. Wenn in z-Richtung betrachtet, weisen das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 eine rechteckige Form auf, die in y-Richtung länger ist.
  • Das erste Halbleiterelement 11 schließt eine Schaltung zum Umwandeln eines Steuersignals, das zum Beispiel von einer ECU in ein PWM-Steuersignal eingegeben wird, eine Übertragungsschaltung zum Übertragen eines PWM-Steuersignals an das zweite Halbleiterelement 12 und eine Empfangsschaltung zum Empfangen eines elektrischen Signals von dem zweiten Halbleiterelement 12 ein.
  • Das zweite Halbleiterelement 12 schließt eine Empfangsschaltung zum Empfangen eines PWM-Steuersignals, eine Schaltung zum Umschalten eines Schaltelements (wie einen IGBT oder einen MOSFET) gemäß einem PWM-Steuersignal (Gate-Treiber) und eine Übertragungsschaltung zum Übertragen eines elektrischen Signals an das erste Halbleiterelement 11 ein. Beispiele für das elektrische Signal schließen ein Ausgabesignal eines Temperatursensors ein, der in der Nähe des Motors angeordnet ist.
  • Das dritte Halbleiterelement 13 ist elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden, während es auch das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert. Während des Betriebs der Halbleitervorrichtung A1 leitet das dritte Halbleiterelement 13 ein PWM-Steuersignal und andere elektrische Signale zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 weiter. Das dritte Halbleiterelement 13 der Halbleitervorrichtung A1 ist von einem induktiven Typ. Ein Isoliertransformator ist ein Beispiel für das dritte Halbleiterelement 13 des induktiven Typs. Ein Isolationstransformator implementiert die Übertragung eines elektrischen Signals in einer isolierten Bedingung durch induktives Koppeln von zwei integrierten Induktoren bzw. Induktivitäten (Spulen). Das dritte Halbleiterelement 13 weist zum Beispiel ein Substrat aus Si auf. Die Induktoren aus Cu sind auf dem Substrat angeordnet. Die Induktoren schließen einen übertragungsseitigen Induktor und einen empfangsseitigen Induktor ein und sind in z-Richtung gestapelt. Eine dielektrische Schicht aus einem geeigneten Material wie SiO2 ist zwischen dem übertragungsseitigen Induktor und dem empfangsseitigen Induktor angeordnet. Die dielektrische Schicht isoliert den übertragungsseitigen Induktor und den empfangsseitigen Induktor elektrisch.
  • In der Halbleitervorrichtung A1 erfordert das zweite Halbleiterelement 12 eine Leistungsversorgungsspannung, die höher als die von dem ersten Halbleiterelement 11 erforderliche Versorgungsspannung ist. Dies führt zu einer erheblichen Potenzialdifferenz zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12. Angesichts dessen ist die Halbleitervorrichtung A1 konfiguriert, damit das dritte Halbleiterelement 13 eine erste Schaltung, die das erste Halbleiterelement 11 einschließt, und eine zweite Schaltung, die das zweite Halbleiterelement 12 einschließt, isoliert. In der Halbleitervorrichtung A1 wird die erste Schaltung bei einer niedrigeren Spannung gehalten und die zweite Schaltung wird bei einer höheren Spannung gehalten. Das dritte Halbleiterelement 13 leitet die Übertragung von Signalen zwischen der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung weiter. Für eine in einem Elektrofahrzeug oder einem Hybridfahrzeug integrierte Wechselrichtervorrichtung beträgt die an das erste Halbleiterelement 11 angelegte Spannung etwa 5 V oder so, während die an das zweite Halbleiterelement 12 angelegte Spannung vorübergehend 600 V oder höher erreichen kann.
  • Wie in 2 und 10 gezeigt, befindet sich das dritte Halbleiterelement 13 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 in x-Richtung. Das erste Halbleiterelement 11 und das dritte Halbleiterelement 13 sind auf dem später beschriebenen ersten Die-Pad 210 der ersten Leitung 21 montiert. Das zweite Halbleiterelement 12 ist auf dem später beschriebenen zweiten Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 montiert. In diesem Fall befindet sich der übertragungsseitige Induktor vorzugsweise zwischen dem ersten Die-Pad 210 und dem empfangsseitigen Induktor in z-Richtung.
  • Wie in 2 und 7 gezeigt, ist eine Vielzahl von Elektroden 111 auf der oberen Oberfläche des ersten Halbleiterelements 11 angeordnet (die Oberfläche, die der gleichen Seite wie eine erste Vorderfläche 211 des später beschriebenen ersten Die-Pads 210 zugewandt ist). Die Elektroden 111 sind elektrisch mit den in dem ersten Halbleiterelement 11 ausgebildeten Schaltungen verbunden. In ähnlicher Weise ist eine Vielzahl von Elektroden 121 auf der oberen Oberfläche des zweiten Halbleiterelements 12 angeordnet (die Oberfläche, die der gleichen Seite wie die erste Vorderfläche 211 zugewandt ist). Die Elektroden 121 sind elektrisch mit den in dem zweiten Halbleiterelement 12 ausgebildeten Schaltungen verbunden. Eine Vielzahl von ersten Elektroden 131 und eine Vielzahl von zweiten Elektroden 132 sind auf der oberen Oberfläche des dritten Halbleiterelements 13 angeordnet (die Oberfläche, die der gleichen Seite wie die erste Vorderfläche 211 zugewandt ist). Jede der ersten Elektroden 131 und der zweiten Elektroden 132 ist elektrisch mit entweder dem übertragungsseitigen Induktor oder dem empfangsseitigen Induktor verbunden. Wie in 2 gezeigt, sind die ersten Elektroden 131 in y-Richtung auf dem dritten Halbleiterelement 13 ausgerichtet. In ähnlicher Weise sind die zweiten Elektroden 132 in y-Richtung ausgerichtet. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Elektroden 111 und 121, die ersten Elektroden 131 und die zweite Elektrode 132 aus einem nichtmagnetischen Material mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 hergestellt, und Beispiele eines solchen Materials schließen Al, AlCu, AlSiCu und AlSi ein.
  • Die elektroleitfähige Stütze 2 dient zur Abstützung des ersten Halbleiterelements 11, des zweiten Halbleiterelements 12 und des dritten Halbleiterelements 13 und dient zum Bilden von Leiterbahnen zu dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12. Die elektroleitfähige Stütze 2 der vorliegenden Ausführungsform schließt eine erste Leitung („lead“) 21, eine zweite Leitung 22, eine Vielzahl von Anschlussleitungen (terminal leads") 3 und eine Vielzahl von Anschlussleitungen 4 ein.
  • Wie in 2 und 3 gezeigt, schließt die erste Leitung 21 ein erstes Die-Pad 210 und ein Paar von Anschlussteilen 215 ein. Das erste Die-Pad 210 ist nicht auf eine spezifische Form oder Größe beschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform ist das erste Die-Pad 210 in z-Richtung betrachtet rechteckig (oder im Wesentlichen rechteckig). Wie in 7 und 8 gezeigt, schließt das erste Die-Pad 210 eine erste Vorderfläche 211 und eine erste Rückfläche 212 ein. Die erste Vorderfläche 211 und die erste Rückfläche 212 sind in z-Richtung voneinander beabstandet. Die erste Vorderfläche 211 und die erste Rückfläche 212 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Jede der ersten Vorderfläche 211 und der ersten Rückfläche 212 ist flach (oder im Wesentlichen flach). In der vorliegenden Ausführungsform sind das erste Halbleiterelement 11 und das dritte Halbleiterelement 13 auf der ersten Vorderfläche 211 des ersten Die-Pads 210 montiert. Das erste Halbleiterelement 11 ist über eine erste Bondschicht 91 leitfähig an die erste Vorderfläche 211 gebondet. Die erste Bondschicht 91 ist aus einem nichtmagnetischen Material mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 hergestellt, und Beispiele für ein solches Material schließen eine Ag-Paste und ein Lötmittel ein. Das dritte Halbleiterelement 13 ist über eine dritte Bondschicht 93 leitfähig an die erste Vorderfläche 211 gebondet. Die dritte Bondschicht 93 ist aus einem nichtmagnetischen Material mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 hergestellt, und Beispiele für ein solches Material schließen eine Ag-Paste und ein Lötmittel ein. Die dritte Bondschicht 93 kann auch aus einem nichtmagnetischen Isoliermaterial hergestellt sein.
  • Wie in 1 bis 4 gezeigt, ist das Paar von Anschlussteilen 215 mit den gegenüberliegenden Enden des ersten Die-Pads 210 in y-Richtung verbunden. Das erste Die-Pad 210 wird somit durch die Anschlussteile 215 gelagert. Jedes Anschlussteil 215 schließt einen freiliegenden Teil 216 und einen bedeckten Teil 217 ein.
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, sind die freiliegenden Teile 216 in z-Richtung betrachtet von dem Dichtungsharz 6 freigelegt. In dem veranschaulichten Beispiel weisen die freiliegenden Teile 216 eine Bandform auf, die sich in x-Richtung erstreckt. Die freiliegenden Teile 216 wurden gebogen. Jeder bedeckte Teil 217 ist zwischen dem ersten Die-Pad 210 und dem entsprechenden freiliegenden Teil 216 vorhanden und mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt. Die bedeckten Teile 217 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, befindet sich die erste Leitung 21 auf einer ersten Seite in x-Richtung in Bezug auf die zweite Leitung 22, und die zweite Leitung 22 befindet sich auf einer zweiten Seite in x-Richtung in Bezug auf die erste Leitung 21. Die zweite Leitung 22 schließt ein zweites Die-Pad 220 und ein Paar von Anschlussteilen 225 ein. Das zweite Die-Pad 220 ist nicht auf eine spezifische Form oder Größe beschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform ist das zweite Die-Pad 220 in z-Richtung betrachtet rechteckig (oder im Wesentlichen rechteckig). Wie in 7 und 8 gezeigt, schließt das zweite Die-Pad 220 eine zweite Vorderfläche 221 und eine zweite Rückfläche 222 ein. Die zweite Vorderfläche 221 und die zweite Rückfläche 222 sind in z-Richtung voneinander beabstandet. Die zweite Vorderfläche 221 und die zweite Rückfläche 222 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Jede der zweiten Vorderfläche 221 und der zweiten Rückfläche 222 ist flach (oder im Wesentlichen flach). In der vorliegenden Ausführungsform ist das zweite Halbleiterelement 12 auf der zweiten Vorderfläche 221 des zweiten Die-Pads 220 montiert. Das zweite Halbleiterelement 12 ist über eine zweite Bondschicht 92 leitfähig an die zweite Vorderfläche 221 gebondet. Die zweite Bondschicht 92 ist aus einem nichtmagnetischen Material mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 hergestellt, und Beispiele für ein solches Material schließen eine Ag-Paste und ein Lötmittel ein. Mit dem ersten Halbleiterelement 11, das an die erste Leitung 21 und das zweite Halbleiterelement 12 leitfähig gebondet ist, werden die erste Leitung 21 und die zweite Leitung 22 während des Betriebs der Halbleitervorrichtung A1 auf unterschiedlichen Potenzialen gehalten.
  • Das erste Die-Pad 210 und das zweite Die-Pad 220 sind durch einen Padspalt 29 voneinander beabstandet. Der Padspalt 29 erstreckt sich in y-Richtung, wenn aus der z-Richtung betrachtet. Aus der x-Richtung betrachtet, überlappen sich das erste Die-Pad 210 und das zweite Die-Pad 220 miteinander. Das erste Die-Pad 210 und die zweite Leitung 22 sind nicht auf eine spezifische Dicke beschränkt und können zum Beispiel eine Dicke zwischen 100 und 300 um aufweisen.
  • Wie in 1 bis 4 gezeigt, ist das Paar von Anschlussteilen 225 mit den gegenüberliegenden Enden des zweiten Die-Pads 220 in y-Richtung verbunden. Das zweite Die-Pad 220 wird somit durch die Anschlussteile 225 gelagert. Jedes Anschlussteil 225 schließt einen freiliegenden Teil 226 und einen bedeckten Teil 227 ein.
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, sind die freiliegenden Teile 226 in z-Richtung betrachtet von dem Dichtungsharz 6 freigelegt. In dem veranschaulichten Beispiel weisen die freiliegenden Teile 226 eine Bandform auf, die sich in x-Richtung erstreckt. Die freiliegenden Teile 226 wurden gebogen. Jeder bedeckte Teil 227 ist zwischen dem zweiten Die-Pad 220 und dem entsprechenden freiliegenden Teil 226 vorhanden und mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt. Die bedeckten Teile 227 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in 6 und 7 gezeigt, ist der Teil der elektroleitfähigen Stütze 2, der in z-Richtung betrachtet mit dem ersten Halbleiterelement 11 überlappt, als ein erster Teil 201 definiert. Der Teil der elektroleitfähigen Stütze 2, der in z-Richtung betrachtet mit dem zweiten Halbleiterelement 12 überlappt, ist als ein zweiter Teil 202 definiert. Der Teil der elektroleitfähigen Stütze 2, der in z-Richtung betrachtet mit dem dritten Halbleiterelement 13 überlappt, ist als ein dritter Teil 203 definiert. In der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Teil 201 und der dritte Teil 203 in dem ersten Die-Pad 210 der ersten Leistung 21 eingeschlossen. Der zweite Teil 202 ist in dem zweiten Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 eingeschlossen.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, schließt jede der Anschlussleitungen 3 einen Teil ein, der sich auf der ersten Seite in x-Richtung in Bezug auf das erste Die-Pad 210 der ersten Leitung 21 befindet. Die Anschlussleitung 3 sind in y-Richtung nebeneinander angeordnet. Mindestens eine der Anschlussleitungen 3 ist elektrisch mit der vorstehend erwähnten ersten Schaltung verbunden. Wie in 1 und 4 gezeigt, sind die Anschlussleitungen 3 von einer Seitenoberfläche des Dichtungsharzes 6 freigelegt, wobei die Seitenoberfläche die eines von einem später beschriebenen Paar erster Seitenoberflächen 63 ist, die sich auf der ersten Seite in x-Richtung befindet. Die Vielzahl von Anschlussleitungen 3 schließt eine Vielzahl von Anschlussleitungen 31 und ein Paar von Anschlussleitungen 32 ein.
  • Wie in 2 und 4 gezeigt, befinden sich die Anschlussleitungen 31 zwischen den freiliegenden Teilen 216 des Paares von Anschlussteilen 215 der ersten Leitung 21 in y-Richtung. Unter der Vielzahl von Anschlussleitungen 31 ist jede Anschlussleitung, die elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden ist, ein Beispiel für eine „erste Anschlussleitung“. Jede Anschlussleitung 31 schließt einen freiliegenden Teil 311 und einen bedeckten Teil 312 ein.
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, weisen die freiliegenden Teile 311 eine sich aus z-Richtung betrachtet in x-Richtung erstreckende Bandform auf. Die freiliegenden Teile 311 stehen aus der z-Richtung betrachtet aus dem Dichtungsharz 6 in x-Richtung hervor. Wie in 3 gezeigt, wurden die freiliegenden Teile 311 gebogen.
  • Wie in 2 gezeigt, ist jeder bedeckte Teil 312 mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 311 verbunden und mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt. In dem veranschaulichten Beispiel schließt jeder bedeckte Teil 312 einen Teil ein, der mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 311 und einem rechteckigen Teil verbunden ist, der in y-Richtung breiter ist als der verbundene Teil. Die bedeckten Teile 312 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in 2, 4 und 6 gezeigt, ist das Paar von Anschlussleitungen 32 angeordnet, um die Anschlussleitungen 31 in y-Richtung sandwichartig anzuordnen. Jede Anschlussleitung 32 schließt einen freiliegenden Teil 321 und einen bedeckten Teil 322 ein.
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, weisen die freiliegenden Teile 321 eine sich aus z-Richtung betrachtet in x-Richtung erstreckende Bandform auf. Die freiliegenden Teile 321 stehen aus der z-Richtung betrachtet aus dem Dichtungsharz 6 in x-Richtung hervor. Wie in 3 gezeigt, wurden die freiliegenden Teile 321 gebogen.
  • Wie in 2 gezeigt, ist jeder bedeckte Teil 322 mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 321 verbunden und mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt. In dem veranschaulichten Beispiel schließt jeder bedeckte Teil 322 einen Teil ein, der mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 321 und einem rechteckigen Teil verbunden ist, der in y-Richtung breiter ist als der verbundene Teil. Die bedeckten Teile 322 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in 1, 2 und 6 gezeigt, schließt jede Anschlussleitung 4 einen Teil ein, der sich auf der zweiten Seite in x-Richtung in Bezug auf das zweite Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 befindet. Die Anschlussleitungen 4 sind in y-Richtung nebeneinander angeordnet. Mindestens eine der Anschlussleitungen 4 ist elektrisch mit der vorstehend erwähnten zweiten Schaltung verbunden. Wie in 1, 5 und 6 gezeigt, sind die Anschlussleitungen 4 von einer Seitenoberfläche des Dichtungsharzes 6 freigelegt, wobei die Seitenoberfläche die eines von dem später beschriebenen Paar erster Seitenoberflächen 63 ist, die sich auf der zweiten Seite in x-Richtung befindet. Die Vielzahl von Anschlussleitungen 4 schließt eine Vielzahl von Anschlussleitungen 41 und ein Paar von Anschlussleitungen 42 ein.
  • Wie in 2, 5 und 6 gezeigt, befinden sich die Anschlussleitungen 41 zwischen dem Paar von Anschlussteilen 225 der zweiten Leitung 22 in y-Richtung. Unter der Vielzahl von Anschlussleitungen 41 ist jede Anschlussleitung 41, die elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden ist, ein Beispiel für eine „zweite Anschlussleitung“. Jede Anschlussleitung 41 schließt einen freiliegenden Teil 411 und einen bedeckten Teil 412 ein.
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, weisen die freiliegenden Teile 411 eine sich aus z-Richtung betrachtet in x-Richtung erstreckende Bandform auf. Die freiliegenden Teile 411 stehen aus der z-Richtung betrachtet aus dem Dichtungsharz 6 in x-Richtung hervor. Wie in 3 gezeigt, wurden die freiliegenden Teile 411 gebogen.
  • Wie in 2 und 6 gezeigt, ist jeder bedeckte Teil 412 mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 411 verbunden und mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt. Jeder bedeckte Teil 412 schließt einen Teil ein, der mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 411 und einem rechteckigen Teil verbunden ist, der in y-Richtung breiter ist als der verbundene Teil. Die bedeckten Teile 412 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in 2, 5 und 6 gezeigt, ist das Paar von Anschlussleitungen 42 angeordnet, um die Anschlussleitungen 41 und das Paar von Anschlussteilen 225 in y-Richtung sandwichartig anzuordnen. Jede Anschlussleitung 42 schließt einen freiliegenden Teil 421 und einen bedeckten Teil 422 ein.
  • Wie in 2 gezeigt, weisen die freiliegenden Teile 421 eine sich aus z-Richtung betrachtet in x-Richtung erstreckende Bandform auf. Die freiliegenden Teile 421 stehen aus der z-Richtung betrachtet aus dem Dichtungsharz 6 in x-Richtung hervor. Wie in 3 gezeigt, wurden die freiliegenden Teile 421 gebogen.
  • Wie in 2 gezeigt, ist jeder bedeckte Teil 422 mit dem entsprechenden freiliegenden Teil 421 verbunden und mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt. Jeder bedeckte Teil 422 schließt einen Teil ein, der sich in x-Richtung erstreckt, um den freiliegenden Teil 421 zu erreichen, und einen Teil, der sich von dem verbundenen Teil nach innen in y-Richtung erstreckt. Die bedeckten Teile 422 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Die zweiten Drähte 52, die ersten Drähte 51, die dritten Drähte 53 und die vierten Drähte 54 bilden Leiterbahnen zusammen mit der ersten Leitung 21, der zweiten Leitung 22 und den Anschlussleitungen 3 und 4, wodurch das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 ihre Funktionen durchführen können. Die zweiten Drähte 52, die ersten Drähte 51, die dritten Drähte 53 und die vierten Drähte 54 sind aus einem nichtmagnetischen Material mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 hergestellt, und Beispiele eines solchen Materials schließen Metall ein, das Au, Cu oder Al enthält.
  • Wie in 2 und 7 gezeigt, sind die ersten Drähte 51 an das dritte Halbleiterelement 13 und das erste Halbleiterelement 11 gebondet. Die ersten Drähte 51 verbinden das dritte Halbleiterelement 13 und das erste Halbleiterelement 11 elektrisch. In der Halbleitervorrichtung A1 ist jeder erste Draht 51 an eine erste Elektrode 131 des dritten Halbleiterelements 13 und eine Elektrode 111 des ersten Halbleiterelements 11 gebondet. Die ersten Drähte 51 sind in y-Richtung nebeneinander angeordnet. Aus z-Richtung betrachtet überlappen sich die ersten Drähte 51 mit dem ersten Die-Pad 210.
  • Wie in 2 und 7 gezeigt, sind die zweiten Drähte 52 an das dritte Halbleiterelement 13 und das zweite Halbleiterelement 12 gebondet. Die zweiten Drähte 52 verbinden das dritte Halbleiterelement 13 und das zweite Halbleiterelement 12 elektrisch. In der Halbleitervorrichtung A1 ist jeder zweite Draht 52 an eine zweite Elektrode 132 des dritten Halbleiterelements 13 und eine Elektrode 121 des zweiten Halbleiterelements 12 gebondet. Die zweiten Drähte 52 sind in y-Richtung nebeneinander angeordnet. Jeder zweite Draht 52 erstreckt sich über den Padspalt 29.
  • Wie in 2 und 7 gezeigt, ist jeder dritte Draht 53 an eine Elektrode 111 des ersten Halbleiterelements 11 und auch an eine Anschlussleitung 3 (der bedeckte Teil 312 einer Anschlussleitung 31 oder der bedeckte Teil 322 einer Anschlussleitung 32) oder den bedeckten Teil 217 eines Anschlussteils 215 gebondet. Die dritten Drähte 53 verbinden das erste Halbleiterelement 11 elektrisch mit mindestens einer der Anschlussleitungen 31 und 32. In dem veranschaulichten Beispiel sind fünf der sechs Anschlussleitungen 31 über die dritten Drähte 53 mit den Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 verbunden, und eine solche Anschlussleitung 31 ist ein Beispiel für eine „erste Anschlussleitung“. Zusätzlich ist die eine der zwei in der Figur unten gezeigten Anschlussleitungen 32 über einen dritten Draht 53 mit einer Elektrode 111 des ersten Halbleiterelements 11 verbunden. In einem alternativen Beispiel können alle Anschlussleitungen 31 als die ersten Anschlussleitungen konfiguriert sein, indem sie über die dritten Drähte 53 elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden werden.
  • Wie in 2 und 7 gezeigt, ist jeder vierte Draht 54 an eine Elektrode 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und auch an eine Anschlussleitung 4 (der bedeckte Teil 412 einer Anschlussleitung 41 oder der bedeckte Teil 422 einer Anschlussleitung 42) oder den bedeckten Teil 227 eines Anschlussteils 225 gebondet. Die vierten Drähte 54 verbinden das zweite Halbleiterelement 12 elektrisch mit mindestens einer der Anschlussleitungen 41 und 42. In dem veranschaulichten Beispiel sind fünf der sechs Anschlussleitungen 41 über die vierten Drähte 54 mit den Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 verbunden, und eine solche Anschlussleitung 41 ist ein Beispiel für eine „zweite Anschlussleitung“. Außerdem ist jede der zwei Anschlussleitungen 42 über einen vierten Draht 54 mit einer Elektrode 121 des zweiten Halbleiterelements 12 verbunden. In einem alternativen Beispiel können alle Anschlussleitungen 41 als die zweiten Anschlussleitungen konfiguriert sein, indem sie über die vierten Drähte 54 elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden werden.
  • Wie in 1 gezeigt, bedeckt das Dichtungsharz 6 das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12, das dritte Halbleiterelement 13 und einen Teil der elektroleitfähigen Stütze 2. Wie in 7 gezeigt, bedeckt das Dichtungsharz 6 auch die ersten Drähte 51, die zweiten Drähte 52, die dritten Drähte 53 und die vierten Drähte 54. Das Dichtungsharz 6 ist aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt, das eine relative Permeabilität kleiner als 100 aufweist, wie ein Material, das schwarzes Epoxidharz enthält. Das Dichtungsharz 6 ist in z-Richtung betrachtet rechteckig.
  • Wie in 3 bis 5 gezeigt, schließt das Dichtungsharz 6 eine obere Oberfläche 61, eine untere Oberfläche 62, ein Paar erster Seitenoberflächen 63 und ein Paar zweiter Seitenoberflächen 64 ein.
  • Wie in 3 bis 5 gezeigt, sind die obere Oberfläche 61 und die untere Oberfläche 62 in z-Richtung voneinander beabstandet. Die obere Oberfläche 61 und die untere Oberfläche 62 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Jede der oberen Oberfläche 61 und der unteren Oberfläche 62 ist flach (im Wesentlichen flach).
  • Wie in 3 bis 5 gezeigt, sind die ersten Seitenoberflächen 63 mit der oberen Oberfläche 61 und der unteren Oberfläche 62 verbunden und in x-Richtung voneinander beabstandet. Die erste Seitenoberfläche 63, die sich auf der ersten Seite in x-Richtung befindet, ist dort, wo die Anschlussleitungen 3 und die Anschlussteile 215 freiliegen. Die erste Seitenoberfläche 63, die sich auf der zweiten Seite in x-Richtung befindet, ist dort, wo die Anschlussleitungen 4 und die Anschlussteile 225 freiliegen.
  • Wie in 3 bis 5 gezeigt, schließt jede erste Seitenoberfläche 63 ein erstes Oberteil 631, ein erstes Unterteil 632 und ein erstes Mittelteil 633 ein. Das erste Oberteil 631 ist mit der oberen Oberfläche 61 an einem Ende in z-Richtung und mit dem ersten Mittelteil 633 am anderen Ende in z-Richtung verbunden. Das erste Oberteil 631 ist relativ zur oberen Oberfläche 61 geneigt. Das erste Unterteil 632 ist mit der unteren Oberfläche 62 an einem Ende in z-Richtung und mit dem ersten Mittelteil 633 am anderen Ende in z-Richtung verbunden. Das erste Unterteil 632 ist relativ zu der unteren Oberfläche 62 geneigt. Das erste Mittelteil 633 ist mit dem ersten Oberteil 631 an einem Ende in z-Richtung und mit dem ersten Unterteil 632 am anderen Ende in z-Richtung verbunden. Das erste Mittelteil 633 ist parallel sowohl zur z-Richtung als auch zur y-Richtung. Wenn aus der z-Richtung betrachtet, befindet sich das erste Mittelteil 633 außerhalb der oberen Oberfläche 61 und der unteren Oberfläche 62. Die Teile der Anschlussleitungen 3 und der Anschlussteile 215 sind auf einem der ersten Mittelteile 633 freigelegt, und die Teile der Anschlussleitungen 4 und der Anschlussteile 225 sind von dem anderen ersten Mittelteil 633 freigelegt.
  • Wie in 3 bis 5 gezeigt, sind die zweiten Seitenoberflächen 64 mit der oberen Oberfläche 61 und der unteren Oberfläche 62 verbunden und in y-Richtung voneinander beabstandet. Wie in 1 und 2 gezeigt, sind die erste Leitung 21, die zweite Leitung 22 und die Anschlussleitungen 3 und 4 von einer beliebigen der zweiten Seitenoberflächen 64 beabstandet.
  • Wie in 3 bis 5 gezeigt, schließt jede zweite Seitenoberfläche 64 ein zweites Oberteil 641, ein zweites Unterteil 642 und ein zweites Mittelteil 643 ein. Das zweite Oberteil 641 ist mit der oberen Oberfläche 61 an einem Ende in z-Richtung und mit dem zweiten Mittelteil 643 am anderen Ende in z-Richtung verbunden. Das zweite Oberteil 641 ist relativ zur oberen Oberfläche 61 geneigt. Das zweite Unterteil 642 ist mit der unteren Oberfläche 62 an einem Ende in z-Richtung und mit dem zweiten Mittelteil 643 am anderen Ende in z-Richtung verbunden. Das zweite Unterteil 642 ist relativ zu der unteren Oberfläche 62 geneigt. Das zweite Mittelteil 643 ist mit dem zweiten Oberteil 641 an einem Ende in z-Richtung und mit dem zweiten Unterteil 642 am anderen Ende in z-Richtung verbunden. Das zweite Mittelteil 643 ist parallel sowohl zur z-Richtung als auch zur x-Richtung. Wenn aus der z-Richtung betrachtet, befindet sich das zweite Mittelteil 643 außerhalb der oberen Oberfläche 61 und der unteren Oberfläche 62.
  • Im Allgemeinen ist die Motortreiberschaltung einer Wechselrichtervorrichtung mit einer Halbbrückenschaltung aufgebaut, die ein Low-Side-Schaltelement (Niederspannungsseite-Schaltelement) und ein High-Side-Schaltelement (Hochspannungsseite-Schaltelement) einschließt. Die folgende Beschreibung ist auf ein Beispiel gerichtet, bei dem die Schaltelemente MOSFETs sind. In einem solchen Beispiel weisen die Quelle des Low-Side-Schaltelements und des Gate-Treibers, der das Low-Side-Schaltelement ansteuert, beide ein auf Masse gehaltenes Referenzpotenzial auf. Im Gegensatz dazu weisen die Quelle des High-Side-Schaltelements und des Gate-Treibers, der das High-Side-Schaltelement ansteuert, beide ein Referenzpotenzial auf, das dem Potenzial am Ausgabeknoten der Halbbrückenschaltung entspricht. Das Potenzial am Ausgabeknoten variiert als Reaktion auf das Umschalten des High-Side-Schaltelements und des Low-Side-Schaltelements, sodass das Referenzpotenzial des Gate-Treibers für das High-Side-Schaltelement ebenfalls variiert. Während der Zeit, in der das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, entspricht das Referenzpotenzial der an den Drain des Schaltelements angelegten Spannung (z. B. etwa 600 V oder höher). In der Halbleitervorrichtung A1 sind das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 mit unterschiedlichen Massen verbunden. Somit kann, wenn die Halbleitervorrichtung A1 als Gate-Treiber zum Ansteuern eines High-Side-Schaltelements verwendet wird, eine Übergangsspannung so hoch wie die an den Drain des High-Side-Schaltelements angelegte Spannung auf die Masse des zweiten Halbleiterelements 12 angelegt werden.
  • Wie in 6 bis 8 gezeigt, kann die elektroleitfähige Stütze 2 der vorliegenden Ausführungsform aus einer Basis 70, einer Metallschicht 71 und einer Metallschicht 72 bestehen. Die Basis 70 ist eine Komponente, die Steifigkeit und elektrische Leitfähigkeit der elektroleitfähigen Stütze 2 bereitstellt und aus einem nichtmagnetischen Material mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 hergestellt ist. Insbesondere kann das Material der Basis 70 zum Beispiel Cu oder eine Cu-Legierung sein. Ein Beispiel für eine Cu-Legierung, die ein nichtmagnetisches Material ist, ist EFTEC (eingetragene Marke), erhältlich von Furukawa Electric Co., Ltd. Die Basis 70 kann aus einer Metallplatte aus einem solchen Material durch Schneiden und Biegen hergestellt werden.
  • Die Metallschicht 71 ist eine Schicht aus Metall, die zum Beispiel durch Plattieren auf der Basis 70 gebildet wird. Die Metallschicht 71 ist aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt, das eine relative Permeabilität von weniger als 100 aufweist. Insbesondere kann das Material der Metallschicht 71 zum Beispiel Ag sein.
  • Die Metallschicht 72 ist eine Schicht aus Metall, die zum Beispiel durch Plattieren auf der Basis 70 gebildet wird. Die Metallschicht 72 ist aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt, das eine relative Permeabilität von weniger als 100 aufweist. Insbesondere kann das Material der Metallschicht 72 zum Beispiel Sn sein.
  • Wie in 6 bis 8 gezeigt, schließt die erste Leitung 21 der Halbleitervorrichtung A1 das erste Die-Pad 210 ein, das aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt ist. Die Metallschicht 71 des ersten Die-Pads 210 ist auf der ersten Vorderfläche 211 ausgebildet. Der freiliegende Teil 216 jedes Anschlussteils 215 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 72 zusammengesetzt. Die Metallschicht 72 jedes freiliegenden Teils 216 ist auf allen Oberflächen des freiliegenden Teils 216 ausgebildet. Jeder bedeckte Teil 217 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des bedeckten Teils 217 ist auf einem Bereich des bedeckten Teils 217 ausgebildet, der mit der ersten Vorderfläche 211 verbunden ist.
  • Das zweite Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des zweiten Die-Pads 220 ist auf der zweiten Vorderfläche 221 ausgebildet. Der freiliegende Teil 226 jedes Anschlussteils 225 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 72 zusammengesetzt. Die Metallschicht 72 des freiliegenden Teils 226 ist auf allen Oberflächen des freiliegenden Teils 226 ausgebildet. Jeder bedeckte Teil 227 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des bedeckten Teils 227 ist auf einem Bereich des bedeckten Teils 227 ausgebildet, der mit der zweiten Vorderfläche 221 verbunden ist.
  • Der freiliegende Teil 311 jeder Anschlussleitung 31 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 72 zusammengesetzt. Die Metallschicht 72 des freiliegenden Teils 311 ist auf allen Oberflächen des freiliegenden Teils 311 ausgebildet. Der bedeckte Teil 312 jeder Anschlussleitung 31 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des bedeckten Teils 312 ist auf einem Bereich der oberen Oberfläche des bedeckten Teils 312 ausgebildet, der mit dem ersten Die-Pad 210 verbunden ist.
  • Der freiliegende Teil 321 jeder Anschlussleitung 32 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 72 zusammengesetzt. Die Metallschicht 72 des freiliegenden Teils 321 ist auf allen Oberflächen des freiliegenden Teils 321 ausgebildet. Der bedeckte Teil 322 jeder Anschlussleitung 32 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des bedeckten Teils 322 ist auf einem Bereich der oberen Oberfläche des bedeckten Teils 322 ausgebildet, der mit dem ersten Die-Pad 210 verbunden ist.
  • Der freiliegende Teil 411 jeder Anschlussleitung 41 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 72 zusammengesetzt. Die Metallschicht 72 des freiliegenden Teils 411 ist auf allen Oberflächen des freiliegenden Teils 411 ausgebildet. Der bedeckte Teil 412 jeder Anschlussleitung 41 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des bedeckten Teils 412 ist auf einem Bereich der oberen Oberfläche des bedeckten Teils 412 ausgebildet, der mit dem zweiten Die-Pad 220 verbunden ist.
  • Der freiliegende Teil 421 jeder Anschlussleitung 42 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 72 zusammengesetzt. Die Metallschicht 72 des freiliegenden Teils 421 ist auf allen Oberflächen des freiliegenden Teils 421 ausgebildet. Der bedeckte Teil 422 jeder Anschlussleitung 42 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die Metallschicht 71 des bedeckten Teils 422 ist auf einem Bereich der oberen Oberfläche des bedeckten Teils 422 ausgebildet, der mit dem zweiten Die-Pad 220 verbunden ist.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist jeder Teil der elektroleitfähigen Stütze 2 aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 oder 72 zusammengesetzt. Dies bedeutet, dass die elektroleitfähige Stütze 2 der Halbleitervorrichtung A1 vollständig aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist. Genauer sind die erste Leitung 21 und die zweite Leitung 22 vollständig aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt, und alle Anschlussleitungen 31, einschließlich jeder ersten Anschlussleitung, und alle Anschlussleitungen 41, einschließlich jeder zweiten Anschlussleitung, und alle Anschlussleitungen 32 und 42 sind vollständig aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration ist ein Beispiel, bei dem der erste Teil 201, der zweite Teil 202 und der dritte Teil 203 aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt sind.
  • Als Nächstes werden der Betrieb und die Wirkung der Halbleitervorrichtung A1 beschrieben.
  • Während des Betriebs sind der übertragungsseitige Induktor und der empfangsseitige Induktor des dritten Halbleiterelements 13 induktiv gekoppelt. Eine unerwünschte Störung des durch die induktive Kopplung erzeugten Magnetfeldes kann zu Problemen führen, wie eine verringerte Übertragungseffizienz von Signalen zwischen dem übertragungsseitigen Induktor und dem empfangsseitigen Induktor. In der vorliegenden Ausführungsform ist der dritte Teil 203 aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Der dritte Teil 203 überlappt mit dem dritten Halbleiterelement 13 aus z-Richtung betrachtet. Diese Konfiguration kann eine Störung des Magnetfelds in Bezug auf das dritte Halbleiterelement 13 verhindern, wodurch die Übertragungseffizienz verbessert wird.
  • Wie in 6 und 7 gezeigt, ist in der vorliegenden Ausführungsform das erste Die-Pad 210 (die erste Leitung 21) vollständig aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration kann die Übertragungseffizienz weiter verbessern. Darüber hinaus ist jeder Teil der mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten elektroleitfähigen Stütze 2 aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration ist zum Verbessern der Übertragungseffizienz bevorzugt. Ferner ist der gesamte Teil der elektroleitfähigen Stütze 2 der vorliegenden Ausführungsform aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration ist wünschenswert, um die Übertragungseffizienz zu verbessern.
  • Die erste Bondschicht 91, die zweite Bondschicht 92 und die dritte Bondschicht 93 sind aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration der ersten Bondschicht 91, der zweiten Bondschicht 92 und der dritten Bondschicht 93 wird daran gehindert, das Magnetfeld um das dritte Halbleiterelement 13 zu stören, wodurch die Übertragungseffizienz verbessert wird.
  • Die Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11, die Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und die ersten Elektroden 131 und die zweiten Elektroden 132 des dritten Halbleiterelements 13 sind aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration kann zuverlässiger eine Störung des Magnetfeldes um das dritte Halbleiterelement 13 verhindern.
  • Die ersten Drähte 51, die zweiten Drähte 52, die dritten Drähte 53 und die vierten Drähte 54 sind jeweils aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Das Dichtungsharz 6 ist ebenfalls aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese Konfiguration trägt zu einer verbesserten Übertragungseffizienz bei.
  • 9 bis 22 zeigen andere Ausführungsformen und Variationen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind gleiche oder ähnliche Elemente wie diejenigen der vorstehenden Ausführungsform mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
  • 9 und 10 zeigen eine erste Variation der Halbleitervorrichtung A1. Eine Halbleitervorrichtung A11 dieser Variation unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung A1 in der Konfiguration der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • In dieser Variation wird anstelle der Metallschicht 72 eine Metallschicht 73 verwendet, die auf den Teilen der elektroleitfähigen Stütze 2 in der Halbleitervorrichtung A1 angeordnet ist. Die Metallschicht 73 kann aus einer Vielzahl von plattierten Schichten zusammengesetzt sein, die durch Abscheiden von Ni, Pd und Au in dieser Reihenfolge gebildet werden. Die Metallschicht 73 enthält Ni (relative Permeabilität: etwa 600), das ein magnetisches Material ist. Das heißt, die Teile der elektroleitfähigen Stütze 2, die mit der Metallschicht 73 versehen sind (die freiliegenden Teile 311, 321, 411, 421, 216 und 226) sind keine aus einem nichtmagnetischen Material hergestellten Teile. In der vorliegenden Offenbarung sollte sich „ein Teil usw., das aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist“ auf einen Fall beziehen, in dem alle Abschnitte, die diesen Teil bilden, aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt sind. So wird zum Beispiel, wenn ein Teil eine Basis 70, die aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist, und eine Metallschicht 73, die aus einem magnetischen Material hergestellt ist, einschließt, nicht als ein aus einem nichtmagnetischen Material hergestelltes Teil angesehen.
  • In dieser Variation sind die mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten Teile der elektroleitfähigen Stütze 2 aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt.
  • Diese Variation kann die Übertragungseffizienz verbessern. Die mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten Teile der elektroleitfähigen Stütze 2 sind aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese bedeckten Teile sind näher innerhalb der elektroleitfähigen Stütze 2 von dem dritten Halbleiterelement 13 als die von dem Dichtungsharz 6 freigelegten Teile. Somit kann eine verbesserte Übertragungseffizienz erwartet werden. Zusätzlich kann das Gestatten der Verwendung eines magnetischen Materials, wie Ni, Pd oder Au, auf einem Teil der elektroleitfähigen Stütze 2, die von dem Dichtungsharz 6 freigelegt ist, die Verwendung der Metallschicht 73 ermöglichen, ohne den Effekt des Verhinderns einer Störung des Magnetfeldes um das dritte Halbleiterelement zu beeinträchtigen, wenn die Metallschicht 73 mit einem leitfähigen Bondmaterial, wie Lötmittel, kompatibel ist und effektiv zum Schützen der elektroleitfähigen Stütze 2 vor Verschlechterung ist.
  • 11 und 12 zeigen eine zweite Variation der Halbleitervorrichtung A1. Eine Halbleitervorrichtung A12 dieser Variation unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung A1 in der Konfiguration der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • Die elektroleitfähige Stütze 2 dieser Variation ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 73 zusammengesetzt. In dieser Variation wird zusätzlich zu der in der Halbleitervorrichtung A11 angeordneten Metallschicht 73 die Metallschicht 73 auch anstelle der auf den Teilen der zweiten Leitung 22 und der Anschlussleitungen 3 und 4 angeordneten Metallschicht 71 verwendet. In dieser Variation ist das erste Die-Pad 210 der ersten Leitung 21 aus der Basis 70 zusammengesetzt, ist aber nicht mit der Metallschicht 73 versehen. Jedes des Paares von Anschlussteilen 215 ist mit der Metallschicht 73 versehen, die einen Bereich des bedeckten Teils 217 abdeckt, der mit der ersten Vorderfläche 211 verbunden ist.
  • In dieser Variante ist jeder des ersten Teils 201 und des dritten Teils 203 allein aus der Basis 70 zusammengesetzt und ist folglich ein Teil, der aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist. Im Gegensatz dazu schließt der zweite Teil 202 ein magnetisches Material ein und ist folglich kein Teil, der aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Diese Variation kann die Übertragungseffizienz verbessern. Vor allem kann diese Variation die Übertragungseffizienz verbessern, indem der dritte Teil 203 als ein Teil aus einem nichtmagnetischen Material konfiguriert wird, während die Verwendung der Metallschicht 73, die aus einem magnetischen Material hergestellt ist, zur Verbesserung der Festigkeit der Bindung der elektroleitfähigen Stütze 2 an ein leitfähiges Bondmaterial und zum Schützen der elektroleitfähigen Stütze 2 vor einer Verschlechterung ermöglicht.
  • 13 bis 15 zeigen eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Eine Halbleitervorrichtung A2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von der obigen Ausführungsform in der Stelle des dritten Halbleiterelements 13 auf der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das dritte Halbleiterelement 13 auf dem zweiten Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 montiert. Das heißt, das erste Halbleiterelement 11 ist auf dem ersten Die-Pad 210 der ersten Leitung 21 montiert, während das zweite Halbleiterelement 12 und das dritte Halbleiterelement 13 auf dem zweiten Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 montiert sind. Somit ist der erste Teil 201 in der ersten Leitung 21 eingeschlossen und der zweite Teil 202 und der dritte Teil 203 sind in der zweiten Leitung 22 eingeschlossen. In diesem Fall befindet sich der empfangsseitige Induktor vorzugsweise zwischen dem zweiten Die-Pad 220 und dem übertragungsseitigen Induktor in z-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform befindet sich das dritte Halbleiterelement 13 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 in x-Richtung.
  • Wie in 14 und 15 gezeigt, ist die elektroleitfähige Stütze 2 der Halbleitervorrichtung A2 wie die elektroleitfähige Stütze 2 der Halbleitervorrichtung A1 aus der Basis 70 und den Metallschichten 71 und 72 zusammengesetzt. Die Basis 70 und die Metallschichten 71 und 72 sind aus den gleichen Materialien wie die der Halbleitervorrichtung A1 hergestellt, und die Metallschichten 71 und 72 sind an den gleichen Stellen wie die der Halbleitervorrichtung A1 bereitgestellt.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann die Übertragungseffizienz verbessern. Wie aus der vorliegenden Ausführungsform ersichtlich ist, kann das dritte Halbleiterelement 13 an der zweiten Leitung 22 montiert sein, anstatt darauf beschränkt zu sein, auf der ersten Leitung 21 zu sein.
  • 16 zeigt eine erste Variation der Halbleitervorrichtung A2. Eine Halbleitervorrichtung A21 dieser Variation unterscheidet sich von der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung A2 in der Konfiguration der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • In dieser Variation wird anstelle der Metallschicht 72 die Metallschicht 73 verwendet, die auf den Teilen der elektroleitfähigen Stütze 2 in der Halbleitervorrichtung A2 angeordnet ist. Die Metallschicht 73 kann in der Konfiguration ähnlich der Metallschicht 73 der Halbleitervorrichtung A11 sein und enthält ein magnetisches Material. Das heißt, die Teile der elektroleitfähigen Stütze 2, die mit der Metallschicht 73 versehen sind (die freiliegenden Teile 311, 321, 411, 421, 216 und 226) sind keine aus einem nichtmagnetischen Material hergestellten Teile.
  • In dieser Variation sind die mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten Teile der elektroleitfähigen Stütze 2 aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt.
  • Diese Variation kann die Übertragungseffizienz verbessern. Die mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten Teile der elektroleitfähigen Stütze 2 sind aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese bedeckten Teile sind näher innerhalb der elektroleitfähigen Stütze 2 von dem dritten Halbleiterelement 13 als die von dem Dichtungsharz 6 freigelegten Teile. Somit kann eine verbesserte Übertragungseffizienz erwartet werden. Zusätzlich kann das Gestatten der Verwendung eines magnetischen Materials, wie Ni, Pd oder Au, auf einem Teil der elektroleitfähigen Stütze 2, die von dem Dichtungsharz 6 freigelegt ist, die Verwendung der Metallschicht 73 ermöglichen, ohne den Effekt des Verhinderns einer Störung des Magnetfeldes um das dritte Halbleiterelement zu beeinträchtigen. Die Metallschicht 73 ist mit einem leitfähigen Bondmaterial, wie Lötmittel, kompatibel und effektiv, um die elektroleitfähige Stütze 2 vor Verschlechterung zu schützen.
  • 17 zeigt eine zweite Variation der Halbleitervorrichtung A2. Eine Halbleitervorrichtung A22 dieser Variation unterscheidet sich von der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung A2 in der Konfiguration der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • Die elektroleitfähige Stütze 2 dieser Variation ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 73 zusammengesetzt. In dieser Variation wird zusätzlich zu der in der Halbleitervorrichtung A21 angeordneten Metallschicht 73 die Metallschicht 73 auch anstelle der auf den Teilen der ersten Leitung 21 und der Anschlussleitungen 3 und 4 angeordneten Metallschicht 71 verwendet. In dieser Variation ist das zweite Die-Pad 220 der zweiten Leitung 22 aus der Basis 70 zusammengesetzt, ist aber nicht mit der Metallschicht 73 versehen. Jedes des Paares von Anschlussteilen 225 ist mit der Metallschicht 73 versehen, die einen Bereich des bedeckten Teils 227 abdeckt, der mit der zweiten Vorderfläche 221 verbunden ist.
  • In dieser Variante ist jeder des zweiten Teils 202 und des dritten Teils 203 allein aus der Basis 70 zusammengesetzt und ist somit ein Teil, der aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist. Im Gegensatz dazu schließt der erste Teil 201 ein magnetisches Material ein und ist somit kein Teil, der aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Diese Variation kann die Übertragungseffizienz verbessern. Vor allem kann diese Variation die Übertragungseffizienz verbessern, indem der dritte Teil 203 als ein Teil aus einem nichtmagnetischen Material konfiguriert wird, während die Verwendung der Metallschicht 73, die aus einem magnetischen Material hergestellt ist, zur Verbesserung der Festigkeit der Bindung der elektroleitfähigen Stütze 2 an ein leitfähiges Bondmaterial und das Schützen der elektroleitfähigen Stütze 2 vor einer Verschlechterung ermöglicht.
  • 18 bis 20 zeigen eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Eine Halbleitervorrichtung A3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform schließt die elektroleitfähige Stütze 2 ein, die die erste Leitung 21, die zweite Leitung 22, eine dritte Leitung 23 und die Anschlussleitungen 3 und 4 einschließt.
  • Die dritte Leitung 23 befindet sich zwischen der ersten Leitung 21 und der zweiten Leitung 22 in x-Richtung und ist von der ersten Leitung 21 und der zweiten Leitung 22 beabstandet. Die dritte Leitung 23 schließt ein drittes Die-Pad 230 und ein Paar von Verlängerungsteilen 235 ein.
  • Das dritte Die-Pad 230 befindet sich zwischen dem ersten Die-Pad 210 und dem zweiten Die-Pad 220. Das dritte Die-Pad 230 ist nicht auf eine spezifische Form beschränkt. In dem veranschaulichten Beispiel weist das dritte Die-Pad 230 eine schmale rechteckige Form auf, die sich in y-Richtung erstreckt. Das dritte Die-Pad 230 schließt eine dritte Vorderfläche 231 und eine dritte Rückfläche 232 ein. Die dritte Vorderfläche 231 und die dritte Rückfläche 232 sind in z-Richtung voneinander abgewandt.
  • Das Paar von Verlängerungsteilen 235 erstreckt sich von den gegenüberliegenden Enden des dritten Die-Pads 230 in y-Richtung. Die Verlängerungsteile 235 sind in der Länge in x-Richtung kürzer als die Länge des dritten Die-Pads 230 in x-Richtung. Die Verlängerungsteile 235 sind mit dem Dichtungsharz 6 bedeckt, außer auf den Endflächen in y-Richtung.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das erste Halbleiterelement 11 auf dem ersten Die-Pad 210 montiert, das zweite Halbleiterelement 12 ist auf dem zweiten Die-Pad 220 montiert und das dritte Halbleiterelement 13 ist auf der dritten Vorderfläche 231 des dritten Die-Pads 230 montiert. Das heißt, der erste Teil 201 ist in der ersten Leitung 21 eingeschlossen, der zweite Teil 202 ist in der zweiten Leitung 22 eingeschlossen und der dritte Teil 203 ist in der dritten Leitung 23 eingeschlossen.
  • Wie die elektroleitfähige Stütze 2 der Halbleitervorrichtung A1 und der Halbleitervorrichtung A2 besteht die elektroleitfähige Stütze 2 der vorliegenden Ausführungsform aus der Basis 70 und den Metallschichten 71 und 72. Die erste Leitung 21, die zweite Leitung 22 und die Anschlussleitungen 3 und 4 sind aus der Basis 70 und den Metallschichten 71 und 72, die in Konfiguration mit denen der Halbleitervorrichtungen A1 und A2 ähnlich sind. Die dritte Leitung 23 ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 71 zusammengesetzt. Die dritte Leitung 23 ist mit der Metallschicht 71 bedeckt, außer an den Endflächen des Paares der Verlängerungsteile 235 bedeckt, die in y-Richtung weisen.
  • Die vorliegende Ausführungsform kann die Übertragungseffizienz verbessern. Wie aus der vorliegenden Ausführungsform ersichtlich ist, kann das dritte Halbleiterelement 13 an der dritten Leitung 23 montiert sein, die von der ersten Leitung 21 und der zweiten Leitung 22 getrennt ist, anstatt darauf beschränkt zu sein, auf der ersten Leitung 21 oder der zweiten Leitung 22 zu sein.
  • 21 zeigt eine erste Variation der Halbleitervorrichtung A3. Eine Halbleitervorrichtung A31 dieser Variation unterscheidet sich von der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung A3 in der Konfiguration der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • In dieser Variation wird anstelle der Metallschicht 72 die Metallschicht 73 verwendet, die auf den Teilen der elektroleitfähigen Stütze 2 in der Halbleitervorrichtung A3 angeordnet ist. Die Metallschicht 73 kann in der Konfiguration ähnlich der Metallschicht 73 der Halbleitervorrichtung A11 sein und enthält ein magnetisches Material. Das heißt, die Teile der elektroleitfähigen Stütze 2, die mit der Metallschicht 73 versehen sind (die freiliegenden Teile 311, 321, 411, 421, 216 und 226) sind keine aus einem nichtmagnetischen Material hergestellten Teile.
  • In dieser Variation sind die mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten Teile der elektroleitfähigen Stütze 2 aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt.
  • Diese Variation kann die Übertragungseffizienz verbessern. Die mit dem Dichtungsharz 6 bedeckten Teile der elektroleitfähigen Stütze 2 sind aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt. Diese bedeckten Teile sind näher innerhalb der elektroleitfähigen Stütze 2 von dem dritten Halbleiterelement 13 als die von dem Dichtungsharz 6 freigelegten Teile. Somit kann eine verbesserte Übertragungseffizienz erwartet werden. Zusätzlich kann das Gestatten der Verwendung eines magnetischen Materials, wie Ni, Pd oder Au, auf einem Teil der elektroleitfähigen Stütze 2, die von dem Dichtungsharz 6 freigelegt ist, die Verwendung der Metallschicht 73 ermöglichen, ohne den Effekt des Verhinderns einer Störung des Magnetfeldes um das dritte Halbleiterelement zu beeinträchtigen. Die Metallschicht 73 ist mit einem leitfähigen Bondmaterial, wie Lötmittel, kompatibel und effektiv, um die elektroleitfähige Stütze 2 vor Verschlechterung zu schützen.
  • 22 zeigt eine zweite Variation der Halbleitervorrichtung A3. Eine Halbleitervorrichtung A32 dieser Variation unterscheidet sich von der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung A3 in der Konfiguration der elektroleitfähigen Stütze 2.
  • Die elektroleitfähige Stütze 2 dieser Variation ist aus der Basis 70 und der Metallschicht 73 zusammengesetzt. In dieser Variation wird zusätzlich zu der in der Halbleitervorrichtung A31 angeordneten Metallschicht 73 die Metallschicht 73 auch anstelle der auf den Teilen der ersten Leitung 21, der zweiten Leitung 22 und der Anschlussleitungen 3 und 4 angeordneten Metallschicht 71 verwendet. Es ist zu beachten, dass die dritte Leitung 23 allein aus der Basis 70 zusammengesetzt ist.
  • In dieser Variante ist der dritte Teil 203 allein aus der Basis 70 zusammengesetzt und ist somit ein Teil, der aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist. Im Gegensatz dazu sind der erste Teil 201 und der zweite Teil 202 nicht Teile aus einem nichtmagnetischen Material, da das erste Die-Pad 210 und das zweite Die-Pad 220 ein magnetisches Material enthalten.
  • Diese Variation kann die Übertragungseffizienz verbessern. Vor allem kann diese Variation die Übertragungseffizienz verbessern, indem der dritte Teil 203 als ein Teil aus einem nichtmagnetischen Material konfiguriert wird, während die Verwendung der Metallschicht 73, die aus einem magnetischen Material hergestellt ist, zur Verbesserung der Festigkeit der Bindung der elektroleitfähigen Stütze 2 an ein leitfähiges Bondmaterial und das Schützen der elektroleitfähigen Stütze 2 vor einer Verschlechterung ermöglicht wird.
  • Die Halbleitervorrichtungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Konfiguration jedes Teils einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann in geeigneter Weise ausgestaltet und geändert werden. Die vorliegende Offenbarung schließt die in den folgenden Klauseln beschriebenen Ausführungsformen ein.
  • Klausel 1.
  • Halbleitervorrichtung, umfassend:
    • eine elektroleitfähige Stütze, die eine Vielzahl von Leitungen einschließt;
    • ein erstes Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird;
    • ein zweites Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird;
    • ein drittes Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird, elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert; und
    • ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement, das dritte Halbleiterelement und einen Teil der elektroleitfähigen Stütze bedeckt,
    • wobei die elektroleitfähige Stütze einschließt:
      • einen ersten Teil, der mit dem ersten Halbleiterelement überlappt, und zwar betrachtet in einer Dickenrichtung der Vielzahl von Leitungen;
      • einen zweiten Teil, der mit dem zweiten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt; und
      • einen dritten Teil, der mit dem dritten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt, und
      • wobei der dritte Teil aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist, das eine relative Permeabilität von weniger als 100 aufweist.
  • Klausel 2.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 1, wobei der erste Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 3.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 1 oder 2, wobei der zweite Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 4.
  • Halbleitervorrichtung nach einer der Klauseln 1 bis 3, wobei die elektroleitfähige Stütze eine erste Leitung einschließt, die den ersten Teil einschließt, und
    die erste Leitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 5.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 4, wobei die elektroleitfähige Stütze eine zweite Leitung einschließt, die den zweiten Teil einschließt und von der ersten Leitung beabstandet ist und
    die zweite Leitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 6.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 5, wobei die erste Leitung den dritten Teil einschließt.
  • Klausel 7.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 5, wobei die zweite Leitung den dritten Teil einschließt.
  • Klausel 8.
  • Halbleitervorrichtung nach einer der Klauseln 5 bis 7,wobei die elektroleitfähige Stütze eine erste Anschlussleitung einschließt, die elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist und von der ersten Leitung und der zweiten Leitung beabstandet ist,
    die erste Anschlussleitung einen ersten bedeckten Teil einschließt, der mit dem Dichtungsharz bedeckt ist, und einen ersten freiliegenden Teil, der von dem Dichtungsharz freiliegt, und
    der erste bedeckte Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 9.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 8, wobei die erste Anschlussleitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 10.
  • Halbleitervorrichtung nach einer der Klauseln 5 bis 9, wobei die elektroleitfähige Stütze eine zweite Anschlussleitung einschließt, die elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und von der ersten Leitung und der zweiten Leitung beabstandet ist,
    die zweite Anschlussleitung einen zweiten bedeckten Teil, der mit dem Dichtungsharz bedeckt ist, und einen zweiten freiliegenden Teil, der von dem Dichtungsharz freiliegt, einschließt und
    der zweite bedeckte Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 11.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 10, wobei die zweite Anschlussleitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 12.
  • Halbleitervorrichtung nach einem der Klauseln 1 bis 11, ferner umfassend:
    • eine erste Bondschicht, die das erste Halbleiterelement und den ersten Teil bondet;
    • eine zweite Bondschicht, die das zweite Halbleiterelement und den zweiten Teil bondet; und
    • eine dritte Bondschicht, die das dritte Halbleiterelement und den dritten Teil bondet,
    • wobei die dritte Bondschicht aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  • Klausel 13.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 12, wobei die erste Bondschicht und die zweite Bondschicht aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt sind.
  • Klausel 14.
  • Halbleitervorrichtung nach einem der Klauseln 1 bis 13, wobei der dritte Teil eine Basis aus Cu oder eine Cu-Legierung mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 einschließt.
  • Klausel 15.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 14, wobei der dritte Teil eine Ag-plattierte Schicht auf der Basis einschließt.
  • Klausel 16.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 8, wobei die erste Anschlussleitung eine Basis aus Cu oder eine Cu-Legierung mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 einschließt,
    der erste bedeckte Teil eine Ag-plattierte Schicht auf der Basis einschließt, und
    der erste freiliegende Teil eine Sn-plattierte Schicht auf der Basis einschließt.
  • Klausel 17.
  • Halbleitervorrichtung nach Klausel 10, wobei die zweite Anschlussleitung eine Basis aus Cu oder eine Cu-Legierung mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 einschließt,
    der zweite bedeckte Teil eine Ag-plattierte Schicht auf der Basis einschließt und
    der zweite freiliegende Teil eine Sn-plattierte Schicht auf der Basis einschließt.
  • BEZUGSZEICHEN
  • A1, A11, A12, A2, A21, A22, A3, A31, A32: Halbleitervorrichtung
    2: Elektroleitfähige(r) Stütze bzw. Träger 3: Anschlussleitung bzw. Terminal-Anschluss 4: Anschlussleitung 6: Dichtungsharz
    11: Erstes Halbleiterelement
    12: Zweites Halbleiterelement
    13: Drittes Halbleiterelement 21: Erste Leitung
    22: Zweite Leitung 23: Dritte Leitung
    29: Padspalt 31: Anschlussleitung (erste Anschlussleitung)
    32: Anschlussleitung 41: Anschlussleitung (zweite Anschlussleitung)
    42: Anschlussleitung 51: Erster Draht
    52: Zweiter Draht 53: Dritter Draht
    54: Vierter Draht 61: Obere Oberfläche
    62: Untere Oberfläche 63: Erste Seitenoberfläche
    64: Zweite Seitenoberfläche 70: Basis
    71, 72, 73: Metallschicht 91: Erste Bondschicht
    92: Zweite Bondschicht 93: Dritte Bondschicht
    111, 121: Elektrode 131: Erste Elektrode
    132: Zweite Elektrode 201: Erster Teil
    202: Zweiter Teil 203: Dritter Teil
    210: Erstes Die-Pad 211: Erste Vorderfläche
    212: Erste Rückfläche 215: Anschlussteil
    216, 226, 321, 411, 421: freiliegender Teil
    217, 227, 312, 322, 412, 422: bedeckter Teil
    220: Zweites Die-Pad 221: Zweite Vorderfläche
    222: Zweite Rückfläche 225: Anschlussteil 230: Drittes Die-Pad 231: Dritte Vorderfläche
    232: Dritte Rückfläche 235: Verlängerungsteil
    631: Erster oberer Teil 632: Erster unterer Teil
    633: Erster mittlerer Teil 641: Zweiter oberer Teil
    642: Zweiter unterer Teil 643: Zweiter mittlerer Teil
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2018207127 A [0003]

Claims (17)

  1. Halbleitervorrichtung, umfassend: eine elektroleitfähige Stütze, die eine Vielzahl von Leitungen einschließt; ein erstes Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird; ein zweites Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird; ein drittes Halbleiterelement, das durch die elektroleitfähige Stütze gelagert wird, elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert; und ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement, das dritte Halbleiterelement und einen Teil der elektroleitfähigen Stütze bedeckt, wobei die elektroleitfähige Stütze einschließt: einen ersten Teil, der mit dem ersten Halbleiterelement überlappt, und zwar betrachtet in einer Dickenrichtung der Vielzahl von Leitungen; einen zweiten Teil, der mit dem zweiten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt; und einen dritten Teil, der mit dem dritten Halbleiterelement in Dickenrichtung betrachtet überlappt, und wobei der dritte Teil aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist, das eine relative Permeabilität von weniger als 100 aufweist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der zweite Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die elektroleitfähige Stütze eine erste Leitung einschließt, die den ersten Teil einschließt, und die erste Leitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die elektroleitfähige Stütze eine zweite Leitung einschließt, die den zweiten Teil einschließt und von der ersten Leitung beabstandet ist und die zweite Leitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei die erste Leitung den dritten Teil einschließt.
  7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei die zweite Leitung den dritten Teil einschließt.
  8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die elektroleitfähige Stütze eine erste Anschlussleitung einschließt, die elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist und von der ersten Leitung und der zweiten Leitung beabstandet ist, die erste Anschlussleitung einen ersten bedeckten Teil einschließt, der mit dem Dichtungsharz bedeckt ist, und einen ersten freiliegenden Teil, der von dem Dichtungsharz freiliegt, und der erste bedeckte Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste Anschlussleitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei die elektroleitfähige Stütze eine zweite Anschlussleitung einschließt, die elektrisch mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und von der ersten Leitung und der zweiten Leitung beabstandet ist, die zweite Anschlussleitung einen zweiten bedeckten Teil, der mit dem Dichtungsharz bedeckt ist, und einen zweiten freiliegenden Teil, der von dem Dichtungsharz freiliegt, einschließt und der zweite bedeckte Teil aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die zweite Anschlussleitung aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  12. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, ferner umfassend: eine erste Bondschicht, die das erste Halbleiterelement und den ersten Teil bondet; eine zweite Bondschicht, die das zweite Halbleiterelement und den zweiten Teil bondet; und eine dritte Bondschicht, die das dritte Halbleiterelement und den dritten Teil bondet, wobei die dritte Bondschicht aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, wobei die erste Bondschicht und die zweite Bondschicht aus dem nichtmagnetischen Material hergestellt sind.
  14. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der dritte Teil eine Basis hergestellt aus Cu oder einer Cu-Legierung mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 einschließt.
  15. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, wobei der dritte Teil eine Ag-plattierte Schicht auf der Basis einschließt.
  16. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste Anschlussleitung eine Basis hergestellt aus Cu oder einer Cu-Legierung mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 einschließt, der erste bedeckte Teil eine Ag-plattierte Schicht auf der Basis einschließt, und der erste freiliegende Teil eine Sn-plattierte Schicht auf der Basis einschließt.
  17. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die zweite Anschlussleitung eine Basis hergestellt aus Cu oder einer Cu-Legierung mit einer relativen Permeabilität von weniger als 100 einschließt, der zweite bedeckte Teil eine Ag-plattierte Schicht auf der Basis einschließt und der zweite freiliegende Teil eine Sn-plattierte Schicht auf der Basis einschließt.
DE112022000491.6T 2021-02-02 2022-01-19 Halbleitervorrichtung Pending DE112022000491T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-014914 2021-02-02
JP2021014914 2021-02-02
PCT/JP2022/001749 WO2022168606A1 (ja) 2021-02-02 2022-01-19 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112022000491T5 true DE112022000491T5 (de) 2023-11-23

Family

ID=82740701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112022000491.6T Pending DE112022000491T5 (de) 2021-02-02 2022-01-19 Halbleitervorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230378035A1 (de)
JP (1) JPWO2022168606A1 (de)
CN (1) CN116964735A (de)
DE (1) DE112022000491T5 (de)
WO (1) WO2022168606A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018207127A (ja) 2009-11-05 2018-12-27 ローム株式会社 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5303167B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-02 ローム株式会社 スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置
JP6522402B2 (ja) * 2015-04-16 2019-05-29 ローム株式会社 半導体装置
JP2019012087A (ja) * 2018-10-29 2019-01-24 株式会社東芝 センサ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018207127A (ja) 2009-11-05 2018-12-27 ローム株式会社 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022168606A1 (de) 2022-08-11
WO2022168606A1 (ja) 2022-08-11
CN116964735A (zh) 2023-10-27
US20230378035A1 (en) 2023-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011053871B4 (de) Multichip-Halbleitergehäuse und deren Zusammenbau
DE102012219791A1 (de) Niederinduktives leistungsmodul
DE102006034679A1 (de) Halbleitermodul mit Leistungshalbleiterchip und passiven Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE112019003540T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112007000919T5 (de) Gemeinsames Gehäuse für eine hohe Leistungsdichte aufweisende Bauteile, insbesondere für IGBTs und Dioden, mit niedriger Induktivität und drahtfreien Bond-Verbindungen
DE19549011C2 (de) Leistungshalbleiter-Modul mit parallelgeschalteten IGBT-Chips und zusätzlicher Verbindung der Emitterkontakte
DE102005039165A1 (de) Halbleiterleistungsbauteil mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10226387B4 (de) Schaltschaltung
DE102019112935A1 (de) Halbleitermodul
DE112021001976T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112019001335T5 (de) Halbleitermodul
DE112021000700T5 (de) Elektronische vorrichtung
DE112021006079T5 (de) Halbleiteranordnung
DE102018212438A1 (de) Halbleitergehäuse mit elektromagnetischer abschirmstruktur und verfahren zu dessen herstellung
DE112021001391T5 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE112022000855T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112022000491T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112021004935T5 (de) Halbleiterbauteil
DE212021000165U1 (de) Halbleiterbauteil
DE10002362A1 (de) Halbleiterbauelement
DE102017109717B4 (de) Ic-gehäuse mit integrierter induktivität und verfahren zur herstellung dafür
DE112022001273T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112022001285T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112019003664T5 (de) Halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils
DE112021006144T5 (de) Halbleiterbauteil

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R083 Amendment of/additions to inventor(s)