DE112021007999T5

DE112021007999T5 - Anzeigesubstrat, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112021007999T5
Application number: DE112021007999.9T
Authority: DE
Inventors: Xin Mou; Yuhsiung FENG; Hongting LU
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2021-07-20
Filing date: 2021-07-20
Publication date: 2024-05-23
Also published as: US20240179945A1; GB2618715A; WO2023000174A1; GB202312649D0; WO2023001205A1; CN115915837A; CN115917418A

Abstract

Die vorliegende Anmeldung stellt ein Anzeigesubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung bereit. Bei dem Anzeigesubstrat überlappen sich eine orthographische Projektion einer Pixelöffnung eines Subpixels einer ersten Farbe auf einem Basissubstrat, eine orthographische Projektion einer Pixelöffnung eines Subpixels einer zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion einer Pixelöffnung eines Subpixels einer dritten Farbe auf dem Basissubstrat jeweils nicht mit orthographischen Projektionen der Kanäle der Treibertransistoren davon auf dem Basissubstrat. Alternativ überlappt sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat, eine orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel der zweiten Farbe in einer ersten Richtung überlappt sich mit einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung und einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung, und eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe in einer zweiten Richtung überlappt sich nicht mit einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung oder einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung, wobei sich die erste Richtung mit der zweiten Richtung schneidet.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnologie und insbesondere auf ein Anzeigesubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung.
Stand der Technik
Organische Leuchtdioden zeichnen sich durch Selbstlumineszenz, hohe Effizienz, leuchtende Farben, geringes Gewicht und geringe Dicke, Energieeinsparung und einen großen Betriebstemperaturbereich usw. aus und werden allmählich in den Bereichen großflächige Anzeigen, Beleuchtung und fahrzeugmontierte Anzeigen eingesetzt.
Darstellung der Erfindung
Gemäß einem ersten Aspekt der Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung wird ein Anzeigesubstrat bereitgestellt. Das Anzeigesubstrat umfasst ein Basissubstrat und mehrere Subpixel auf dem Basissubstrat;
wobei die mehreren Subpixel mehrere Subpixel einer ersten Farbe, mehrere Subpixel einer zweiten Farbe und mehrere Subpixel einer dritten Farbe umfassen, wobei das menschliche Auge empfindlicher auf die erste Farbe als auf die dritte Farbe reagiert und das menschliche Auge empfindlicher auf die dritte Farbe als auf die zweite Farbe reagiert; wobei das Subpixel ein organisches lichtemittierendes Element und eine Pixelschaltung zum Antreiben des organischen lichtemittierenden Elements umfasst; wobei das organische lichtemittierende Element eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und ein organisches lichtemittierendes Material zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode umfasst; wobei die erste Elektrode des Subpixels elektrisch mit der Pixelschaltung verbunden ist; wobei die Pixelschaltung einen Treibertransistor umfasst;
und das Anzeigesubstrat umfasst ferner eine aktive Halbleiterschicht und eine Pixeldefinitionsschicht, wobei die aktive Halbleiterschicht Kanäle und Source- und Drain-Bereiche der Treibertransistoren der einzelnen Subpixel umfasst; wobei die Pixeldefinitionsschicht mit Pixelöffnungen versehen ist, die den Subpixeln eins zu eins entsprechen;
wobei sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt, sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt, und sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt; oder
wobei sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel auf dem Basissubstrat mit einer orthographischen Projektion des Kanals seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat überlappt, sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel der zweiten Farbe in einer ersten Richtung mit einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung und einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung überlappt, und sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe in einer zweiten Richtung nicht mit einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung oder einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung überlappt, wobei sich die erste Richtung mit der zweiten Richtung schneidet.
In einer Ausführungsform überlappt sich die orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, die orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat, und die orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat.
In einer Ausführungsform sind die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen unterteilt, wobei jede der Pixelgruppen Subpixel der ersten Farbe, Subpixel der zweiten Farbe und Subpixel der dritten Farbe umfasst; wobei mindestens eine der Pixelgruppen zwei Zeilen von Subpixeln umfasst, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, wobei eine Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, die Subpixel der ersten Farbe und die Subpixel der dritten Farbe umfasst, die abwechselnd angeordnet sind, und die andere Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, die Subpixel der zweiten Farbe umfasst.
In einer Ausführungsform überlappt sich die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat in mindestens einer der Pixelgruppen nicht mit einer orthographischen Projektion einer Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat, oder
die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat, wobei das Verhältnis einer Fläche des überlappenden Bereichs zu einer Fläche der Gate-Elektrode nicht mehr als 10% beträgt.
In einer Ausführungsform ist das Anzeigesubstrat ferner mit mehreren Abtastsignalleitungen versehen, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen;
wobei in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung sich ein Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung von einem Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung unterscheidet.
In einer Ausführungsform ist in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung der Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung größer als der Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung.
In einer Ausführungsform ist das Anzeigesubstrat ferner mit Abtastsignalleitungen versehen, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen;
wobei in mindestens einer Pixelgruppe sich eine orthographische Projektion der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung mit einer orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels in der zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zur ersten Richtung verläuft.
In einer Ausführungsform ist das Anzeigesubstrat ferner mit Abtastsignalleitungen versehen, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Subpixel bereitzustellen; wobei die Abtastsignalleitung einen Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt und einen Vorsprungabschnitt umfasst, der von einer Seite des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts hervorsteht; wobei der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt eine erste Sub-Abtastleitung, eine zweite Sub-Abtastleitung und einen Verbindungsabschnitt umfasst, wobei die erste Sub-Abtastleitung über den Verbindungsabschnitt mit der zweiten Sub-Abtastleitung verbunden ist; wobei die erste Sub-Abtastleitung mit der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe verbunden ist und die zweite Sub-Abtastleitung mit der Pixelschaltung des Subpixels der zweiten Farbe verbunden ist; wobei sich die Erstreckungsrichtung eines Teils des Verbindungsabschnitts mit der Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung schneidet;
und die Pixelschaltung umfasst einen Kompensationstransistor, wobei der Kompensationstransistor eine erste Gate-Elektrode und eine zweite Gate-Elektrode umfasst; wobei in dem Kompensationstransistor die erste Gate-Elektrode ein Teil des Verbindungsabschnitts ist, der sich mit einer orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt, und die zweite Gate-Elektrode ein Teil des Vorsprungabschnitts ist, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
In einer Ausführungsform umfasst der Verbindungsabschnitt einen ersten Sub-Verbindungsabschnitt, einen zweiten Sub-Verbindungsabschnitt und einen dritten Sub-Verbindungsabschnitt, die nacheinander miteinander verbunden sind, wobei sich die Erstreckungsrichtung des ersten Sub-Verbindungsabschnitts bzw. des dritten Sub-Verbindungsabschnitts mit der Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung schneidet und die Erstreckungsrichtung des zweiten Sub-Verbindungsabschnitts gleich wie die Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung ist;
wobei die erste Gate-Elektrode ein Teil des zweiten Sub-Verbindungsabschnitts ist, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
In einer Ausführungsform umfasst die aktive Halbleiterschicht einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt, einen dritten Abschnitt und einen vierten Abschnitt, die nacheinander miteinander verbunden sind; wobei sich der zweite Abschnitt, der vierte Abschnitt und der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt entlang der ersten Richtung erstrecken, und sich der erste Abschnitt und der dritte Abschnitt entlang der zweiten Richtung erstrecken, wobei sich die zweite Richtung mit der ersten Richtung schneidet; und dass das Anzeigesubstrat ferner eine Rücksetzsteuersignalleitung umfasst, die sich entlang der ersten Richtung erstreckt und in derselben Schicht wie die Abtastsignalleitung angeordnet ist; und dass die Pixelschaltung einen Rücksetztransistor umfasst, wobei der Rücksetztransistor eine Gate-Elektrode umfasst;
wobei die zweite Gate-Elektrode ein Teil des Vorsprungabschnitts ist, der sich mit einer orthographischen Projektion des vierten Abschnitts auf dem Basissubstrat überlappt; und wobei die Gate-Elektrode des Rücksetztransistors einen Teil der Rücksetzsteuersignalleitung umfasst, der sich mit einer orthographischen Projektion des ersten Abschnitts auf dem Basissubstrat überlappt.
In einer Ausführungsform umfasst die Pixelschaltung ferner einen Schwellenwertkompensationstransistor, wobei der Schwellenwertkompensationstransistor eine Gate-Elektrode umfasst; und dass das Anzeigesubstrat ferner eine Verbindungsstruktur umfasst, wobei ein Ende der Verbindungsstruktur mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors verbunden ist und das andere Ende der Verbindungsstruktur mit Source- und Drain-Bereichen des Schwellenwertkompensationstransistors verbunden ist;
wobei die Verbindungsstruktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil umfasst, der mit dem ersten Teil verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des ersten Teils auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion des Vorsprungabschnitts auf dem Basissubstrat auf derselben Seite wie eine orthographische Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts auf dem Basissubstrat befinden; und wobei eine Länge des ersten Teils in der zweiten Richtung größer ist als eine Länge des Vorsprungabschnitts in der zweiten Richtung.
In einer Ausführungsform liegt eine Größe der Verbindungsstruktur in der zweiten Richtung im Bereich von 35 µm bis 70 µm.
In einer Ausführungsform ist das Anzeigesubstrat ferner mit mehreren Abtastsignalleitungen und Rücksetzsteuersignalleitungen versehen, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen, und wobei die Rücksetzsteuersignalleitungen konfiguriert sind, um Rücksetzsteuersignale für die Pixelgruppen bereitzustellen;
wobei sich eine orthographische Projektion der ersten Elektrode von mindestens einem der Subpixel der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat mit einer orthographischen Projektion der Rücksetzsteuersignalleitung auf dem Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der Abtastsignalleitung auf dem Basissubstrat überlappt.
In einer Ausführungsform überlappt sich eine der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat.
In einer Ausführungsform ist das Anzeigesubstrat ferner mit Abtastsignalleitungen versehen, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen; wobei ein Abstand zwischen dem Kanal des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung im Bereich von 1 µm bis 50 µm liegt.
In einer Ausführungsform umfasst die Pixelschaltung ferner einen Kondensator, wobei der Kondensator eine erste Polplatte und eine zweite Polplatte umfasst, die sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Polplatte befindet; wobei eine Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der zweiten Farbe größer ist als eine Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der ersten Farbe, und die Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der zweiten Farbe größer ist als eine Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der dritten Farbe.
In einer Ausführungsform umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine erste Stromversorgungsleitung und eine zweite Stromversorgungsleitung, die sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Stromversorgungsleitung befindet; wobei die erste Stromversorgungsleitung und die zweite Stromversorgungsleitung konfiguriert sind, um Stromversorgungssignale für die Pixelschaltung bereitzustellen; und wobei die erste Stromversorgungsleitung elektrisch mit der zweiten Stromversorgungsleitung verbunden ist;
wobei die zweite Stromversorgungsleitung eine erste Sub-Stromversorgungsleitung, die sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und eine zweite Sub-Stromversorgungsleitung, die sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, umfasst, wobei sich die erste Sub-Stromversorgungsleitung mit der zweiten Sub-Stromversorgungsleitung schneidet.
In einer Ausführungsform umfasst die Pixelschaltung ferner einen Lichtemissions-Steuertransistor und eine Elektrodenverbindungsstruktur, wobei die Elektrodenverbindungsstruktur die erste Elektrode des Subpixels elektrisch mit Source- und Drain-Bereichen des Lichtemissions-Steuertransistors verbindet;
wobei Flächen der Elektrodenverbindungsstrukturen von mindestens zwei der Subpixel unterschiedlich sind.
In einer Ausführungsform umfasst die Elektrodenverbindungsstruktur zumindest eine erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur und eine zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur befindet; wobei Flächen der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur und/oder der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur von mindestens zwei der Subpixel unterschiedlich sind.
In einer Ausführungsform umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine Abschirmleitung und eine Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung, wobei die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung konfiguriert ist, um Rücksetz-Stromversorgungssignale für die Subpixel bereitzustellen; wobei die Abschirmleitung elektrisch mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung verbunden ist.
In einer Ausführungsform liegt eine Größe des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung im Bereich von 35 µm bis 110 µm liegt und dessen Größe in der zweiten Richtung im Bereich von 20 µm bis 60 µm; eine Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der ersten Richtung liegt im Bereich von 35 µm bis 120 µm und dessen Größe in der zweiten Richtung liegt im Bereich von 20 µm bis 80 µm; und eine Größe des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung liegt im Bereich von 35 µm bis 70 µm und dessen Größe in der zweiten Richtung liegt im Bereich von 20 µm bis 60 µm.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung wird ein Anzeigefeld bereitgestellt, das ein oben erwähntes Anzeigesubstrat umfasst.
Gemäß einem dritten Aspekt der Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die ein oben erwähntes Anzeigefeld umfasst.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1 ist ein schematischer Schaltplan einer Pixelschaltung, die durch eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird;
2 bis 7 sind schematische Teilansichten von Schichten eines Anzeigesubstrats, das durch eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird; wobei 2A eine teilweise vergrößerte Ansicht von 2 ist;
7A ist ein schematisches Diagramm einiger Filmschichten mehrerer Pixelgruppen eines Anzeigesubstrats, das durch eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird;
8 ist eine Teilquerschnittsansicht an einer Position eines Anzeigesubstrats, das durch eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird;
9 ist eine Teilquerschnittsansicht an einer anderen Position eines Anzeigesubstrats, das durch eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird;
10 ist eine schematische Teilansicht mehrerer Filmschichten eines Anzeigesubstrats, das durch eine andere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird;
10A ist eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Abtastsignalleitung in 10;
11 ist eine schematische Teilansicht einiger Filmschichten eines Anzeigesubstrats, das durch eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird;
12 bis 16 sind schematische Teilansichten von Schichten eines Anzeigesubstrats, das durch eine weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird.

Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen im Einzelnen beschrieben, die beispielhaft in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wenn sich die folgende Beschreibung auf die beigefügten Zeichnungen bezieht, beziehen sich dieselben Ziffern in verschiedenen Zeichnungen auf dieselben oder ähnliche Elemente, sofern nicht anders angegeben. Die in den folgenden beispielhaften Ausführungsformen beschriebenen Ausführungsformen stellen nicht alle Ausführungsformen dar, die mit der vorliegenden Anmeldung im Einklang stehen. Vielmehr handelt es sich lediglich um Beispiele für Vorrichtungen und Verfahren, die mit einigen Aspekten der vorliegenden Anmeldung übereinstimmen, wie sie in den beigefügten Ansprüchen ausführlich beschreiben sind.
Die in der vorliegenden Anmeldung verwendeten Begriffe dienen lediglich der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen und sollen die vorliegende Anmeldung nicht einschränken. Begriffe, die in der vorliegenden Anmeldung und den beigefügten Ansprüchen durch „ein“, „der“, „dieser“ und dergleichen in ihrer Singularform bestimmt werden, sollen auch die Mehrzahl einschließen, sofern im Kontext nicht eindeutig etwas anderes angegeben ist. Es versteht sich auch, dass sich der hier verwendete Begriff „und/oder“ auf irgendeine oder alle der möglichen Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen aufgeführten Elemente bezieht und diese einschließt.
Es versteht sich, dass die Begriffe „erster“, „zweiter“, „dritter“ und dergleichen zwar in der vorliegenden Anmeldung zur Beschreibung verschiedener Informationen verwendet werden können, diese Informationen jedoch nicht auf diese Begriffe beschränkt sein sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um Informationen gleicher Art voneinander zu unterscheiden. Ohne vom Umfang der vorliegenden Anmeldung abzuweichen, können beispielsweise erste Informationen auch als zweite Informationen bezeichnet werden, und in ähnlicher Weise können zweite Informationen auch als erste Informationen bezeichnet werden. Abhängig vom Kontext kann das hier verwendete Wort „falls“ als „bei“ oder „wenn“ oder „als Reaktion auf eine Bestimmung“ interpretiert werden.
Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung stellen ein Anzeigesubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung bereit. Das Anzeigesubstrat, das Anzeigefeld und die Anzeigevorrichtung in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung werden im Folgenden ausführlich unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Sofern kein Konflikt besteht, können sich die Merkmale in den folgenden Ausführungsformen einander ergänzen oder miteinander kombiniert werden.
Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung stellen ein Anzeigesubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung bereit. Das Anzeigesubstrat, das Anzeigefeld und die Anzeigevorrichtung in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung werden im Folgenden ausführlich unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Sofern kein Konflikt besteht, können sich die Merkmale in den folgenden Ausführungsformen einander ergänzen oder miteinander kombiniert werden.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung stellt ein Anzeigesubstrat bereit. Das Anzeigesubstrat umfasst ein Basissubstrat und mehrere Subpixel auf dem Basissubstrat. Die mehreren Subpixel sind in Abständen auf dem Basissubstrat angeordnet.
Die mehreren Subpixel umfassen mehrere Subpixel einer ersten Farbe, mehrere Subpixel einer zweiten Farbe und mehrere Subpixel einer dritten Farbe, wobei das menschliche Auge empfindlicher auf die erste Farbe als auf die dritte Farbe reagiert und das menschliche Auge empfindlicher auf die dritte Farbe als auf die zweite Farbe reagiert. Die Farbe des Subpixels bezieht sich auf die Farbe des vom Subpixel emittierten Lichts. In einigen Ausführungsformen ist die erste Farbe Grün, die zweite Farbe Blau und die dritte Farbe Rot.
Das Subpixel umfasst ein organisches lichtemittierendes Element und eine Pixelschaltung zum Antreiben des organischen lichtemittierenden Elements; wobei das organische lichtemittierende Element eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und ein organisches lichtemittierendes Material zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode umfasst. Die erste Elektrode des Subpixels ist elektrisch mit der Pixelschaltung verbunden. In einigen Ausführungsformen kann die erste Elektrode eine Anode und die zweite Elektrode eine Kathode sein.
In einer Ausführungsform umfasst das Anzeigesubstrat ferner eine Pixeldefinitionsschicht, wobei die Pixeldefinitionsschicht mit Pixelöffnungen versehen ist, die den Subpixeln eins zu eins entsprechen. Die Pixeldefinitionsschicht ist zwischen benachbarten Subpixeln angeordnet und die Pixelöffnungen werden verwendet, um lichtemittierende Bereiche der Subpixel der einzelnen Farben zu definieren. Eine orthographische Projektion der Pixelöffnung der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat befindet sich innerhalb einer orthographischen Projektion der ersten Elektrode des entsprechenden Subpixels auf dem Basissubstrat.
In einigen Ausführungsformen befindet sich das organische lichtemittierende Material auf einer vom Basissubstrat entfernten Seite der ersten Elektrode. Die erste Elektrode des Subpixels jeder Farbe steht in Kontakt mit dem organischen lichtemittierenden Material an der Pixelöffnung der Pixeldefinitionsschicht, und die Pixelöffnung der Pixeldefinitionsschicht definiert die Form des lichtemittierenden Bereichs des Subpixels. Beispielsweise kann die erste Elektrode (z. B. die Anode) des organischen lichtemittierenden Elements unter der Pixeldefinitionsschicht angeordnet sein, und die Pixelöffnung der Pixeldefinitionsschicht legt einen Teil der ersten Elektrode frei. Wenn das organische lichtemittierende Material in der Pixelöffnung in der oben genannten Pixeldefinitionsschicht gebildet wird, steht das organische lichtemittierende Material in Kontakt mit der ersten Elektrode, so dass dieser Teil der ersten Elektrode das organische lichtemittierende Material zum Emittieren von Licht antreiben kann.
In einigen Ausführungsformen befindet sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung der Pixeldefinitionsschicht auf dem Basissubstrat innerhalb einer orthographischen Projektion des entsprechenden organischen lichtemittierenden Materials auf dem Basissubstrat. Das heißt, das organische lichtemittierende Material bedeckt die Pixelöffnung der Pixeldefinitionsschicht. Beispielsweise ist eine Fläche des organischen lichtemittierenden Materials größer als eine Fläche der entsprechenden Pixelöffnung. Das heißt, das organische lichtemittierende Material umfasst zusätzlich zu einem Teil innerhalb der Pixelöffnung mindestens einen Teil, der die feste Struktur der Pixeldefinitionsschicht bedeckt. Im Allgemeinen ist das organische lichtemittierende Material auf der festen Struktur der Pixeldefinitionsschicht an jeder Grenze der Pixelöffnung bedeckt. Es ist zu beachten, dass die obige Beschreibung des Musters des organischen lichtemittierenden Materials auf den strukturierten organischen lichtemittierenden Materialien der Subpixel basiert, die beispielsweise durch einen FMM-Prozess gebildet werden. Abgesehen vom FMM-Produktionsprozess bildet in einigen Fällen organisches lichtemittierendes Material durch einen offenen Maskenprozess (open mask) eine integrale Filmschicht im gesamten Anzeigebereich, mit einer kontinuierlichen orthographischen Projektion deren Form auf dem Basissubstrat, so dass notwendigerweise ein Teil innerhalb der Pixelöffnungen und ein Teil auf der festen Struktur der Pixeldefinitionsschicht vorhanden sind.
In einer Ausführungsform sind die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen unterteilt, wobei die organischen lichtemittierenden Elemente der mehreren Pixelgruppen auf dem Basissubstrat entlang einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung angeordnet sind, wobei sich die erste Richtung und die zweite Richtung miteinander schneiden. Die Pixelgruppen umfassen Subpixel einer ersten Farbe, Subpixel einer zweiten Farbe und Subpixel einer dritten Farbe. In einigen Ausführungsformen stehen die erste Richtung und die zweite Richtung senkrecht zueinander. In einigen Ausführungsformen ist die erste Richtung eine Zeilenrichtung und die zweite Richtung eine Spaltenrichtung. In einigen Ausführungsformen sind die Pixelschaltungen der Subpixel in jeder der Pixelgruppen in Abständen in der ersten Richtung angeordnet.
In einer Ausführungsform liegt der Bereich, der durch die orthographische Projektion der Pixelschaltung des Subpixels auf dem Basissubstrat abgedeckt wird, ungefähr innerhalb eines rechteckigen Rahmens. Die orthographische Projektion der Pixelschaltung auf dem Basissubstrat umfasst hauptsächlich die orthographischen Projektionen der Strukturen verschiedener Transistoren, Kondensatoren und anderer Elemente auf dem Basissubstrat. Das Anzeigesubstrat umfasst ferner mehrere Signalleitungen, wobei die Signalleitungen zum Antreiben der Pixelschaltungen verwendet werden. Es ist zu beachten, dass einige Signalleitungen einen Teil innerhalb des rechteckigen Rahmens und einen Teil umfassen, der sich außerhalb des rechteckigen Rahmens erstreckt. Die Pixelschaltung umfasst ferner eine Elektrodenverbindungsstruktur, wobei die Elektrodenverbindungsstruktur die Pixelschaltung des Subpixels elektrisch mit der ersten Elektrode verbindet.
In einer Ausführungsform umfasst die Pixelschaltung 221, wie in 1 gezeigt, eine Treiberschaltung 222. Die Treiberschaltung 222 umfasst einen Steueranschluss, einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss und ist konfiguriert, um einen Treiberstrom zum Antreiben des organischen lichtemittierenden Elements 220 zum Emittieren von Licht für das organische lichtemittierende Element 220 bereitzustellen.
In einer Ausführungsform umfasst die Pixelschaltung 221, wie in 1 gezeigt, eine erste Lichtemissions-Steuerschaltung 223 und eine zweite Lichtemissions-Steuerschaltung 224. Beispielsweise ist die erste Lichtemissions-Steuerschaltung 223 mit einem ersten Anschluss der Treiberschaltung 222 und einem ersten Spannungsanschluss VDD verbunden und ist konfiguriert, um die Verbindung zwischen der Treiberschaltung 222 und dem ersten Spannungsanschluss VDD ein- oder auszuschalten. Die zweite Lichtemissions-Steuerschaltung 224 ist elektrisch mit einem zweiten Anschluss der Treiberschaltung 222 und der ersten Elektrode des organischen lichtemittierenden Elements 220 verbunden und ist konfiguriert, um die Verbindung zwischen der Treiberschaltung 222 und dem organischen lichtemittierenden Element 220 ein- oder auszuschalten.
In einer Ausführungsform umfasst die Pixelschaltung 221, wie in 1 gezeigt, ferner eine Datenschreibschaltung 226, eine Speicherschaltung 227, eine Schwellenwertkompensationsschaltung 228 und eine Rücksetzschaltung 229. Die Datenschreibschaltung 226 ist elektrisch mit dem ersten Anschluss der Treiberschaltung 222 verbunden und ist konfiguriert, um unter der Steuerung eines Abtastsignals ein Datensignal in die Speicherschaltung 227 zu schreiben. Die Speicherschaltung 227 ist elektrisch mit einem Steueranschluss der Treiberschaltung 222 und dem ersten Spannungsanschluss VDD verbunden und ist konfiguriert, um ein Datensignal zu speichern. Die Schwellenwertkompensationsschaltung 228 ist elektrisch mit dem Steueranschluss und dem zweiten Anschluss der Treiberschaltung 222 verbunden und ist konfiguriert, um eine Schwellenwertkompensation an der Treiberschaltung 222 durchzuführen. Die Rücksetzschaltung 229 ist elektrisch mit dem Steueranschluss der Treiberschaltung 222 und der ersten Elektrode des organischen lichtemittierenden Elements 220 verbunden und ist konfiguriert, um unter der Steuerung eines Rücksetzsteuersignals den Steueranschluss der Treiberschaltung 222 und die erste Elektrode des organischen lichtemittierenden Elements 220 zurückzusetzen.
In einer Ausführungsform umfasst die Treiberschaltung 222, wie in 1 gezeigt, einen Treibertransistor T1, der Steueranschluss der Treiberschaltung 222 umfasst eine Gate-Elektrode des Treibertransistors T1, der erste Anschluss der Treiberschaltung 222 umfasst eine erste Elektrode des Treibertransistors T1 und der zweite Anschluss der Treiberschaltung 222 umfasst eine zweite Elektrode des Treibertransistors T1.
In einer Ausführungsform umfasst die Datenschreibschaltung 226, wie in 1 gezeigt, einen Datenschreibtransistor T2. Die Speicherschaltung 227 umfasst einen Kondensator C. Die Schwellenwertkompensationsschaltung 228 umfasst einen Schwellenwertkompensationstransistor T3. Die erste Lichtemissions-Steuerschaltung 223 umfasst einen ersten Lichtemissions-Steuertransistor T4. Die zweite Lichtemissions-Steuerschaltung 224 umfasst einen zweiten Lichtemissions-Steuertransistor T5. Die Rücksetzschaltung 229 umfasst einen ersten Rücksetztransistor T6 und einen zweiten Rücksetztransistor T7. Das Rücksetzsteuersignal kann ein erstes Sub-Rücksetzsteuersignal und ein zweites Sub-Rücksetzsteuersignal umfassen.
In einer Ausführungsform ist eine erste Elektrode des Datenschreibtransistors T2, wie in 1 gezeigt, elektrisch mit der ersten Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden, und eine zweite Elektrode des Datenschreibtransistors T2 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Datenleitung Vd verbunden ist, um ein Datensignal zu empfangen. Eine Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Abtastsignalleitung Ga1 verbunden ist, um ein Abtastsignal zu empfangen. Eine erste Elektrode des Kondensators C ist elektrisch mit einem ersten Stromversorgungsanschluss VDD verbunden, und eine zweite Elektrode des Kondensators C ist elektrisch mit einer Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden. Eine erste Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden, eine zweite Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 ist elektrisch mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden und eine Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Abtastsignalleitung Ga2 verbunden ist, um ein Kompensationssteuersignal zu empfangen. Eine erste Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einem Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit1 verbunden ist, um ein erstes Rücksetzsignal zu empfangen, eine zweite Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 ist elektrisch mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden und eine Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 verbunden ist, um ein erstes Sub-Rücksetzsteuersignal zu empfangen. Eine erste Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einem Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit2 verbunden ist, um ein zweites Rücksetzsignal zu empfangen, eine zweite Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 ist elektrisch mit der ersten Elektrode des organischen lichtemittierenden Elements 220 verbunden und eine Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Rücksetzsteuersignalleitung Rst2 verbunden ist, um ein zweites Sub-Rücksetzsteuersignal zu empfangen. Eine erste Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 ist elektrisch mit dem ersten Stromversorgungsanschluss VDD verbunden, eine zweite Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 ist elektrisch mit der ersten Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden, und eine Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 verbunden ist, um ein erstes Lichtemissions-Steuersignal zu empfangen. Eine erste Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden, eine zweite Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode des organischen lichtemittierenden Elements 220 verbunden, und eine Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 ist so konfiguriert, dass sie elektrisch mit einer Lichtemissions-Steuersignalleitung EM2 verbunden ist, um ein zweites Lichtemissions-Steuersignal zu empfangen. Die erste Elektrode des organischen lichtemittierenden Elements 220 ist elektrisch mit einem zweiten Stromversorgungsanschluss VSS verbunden.
In einer Ausführungsform ist einer des ersten Stromversorgungsanschlusses VDD und des zweiten Stromversorgungsanschlusses VSS ein Hochspannungsanschluss und der andere ein Niederspannungsanschluss. Bei der in 1 dargestellten Ausführungsform ist der erste Stromversorgungsanschluss VDD eine Spannungsquelle zum Ausgeben einer konstanten ersten Spannung, wobei die erste Spannung eine positive Spannung ist; und der zweite Stromversorgungsanschluss VSS kann eine Spannungsquelle sein, um eine konstante zweite Spannung auszugeben, wobei die zweite Spannung eine negative Spannung ist, und so weiter. In einigen beispielhaften Ausführungsformen kann der zweite Stromversorgungsanschluss VSS geerdet sein.
In einer Ausführungsform können das Abtastsignal und das Kompensationssteuersignal, wie in 1 gezeigt, gleich sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 und die Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 können elektrisch mit derselben Signalleitung, beispielsweise der Abtastsignalleitung Ga1, verbunden sein, um das gleiche Signal (z. B. ein Abtastsignal) zu empfangen. In diesem Fall kann das Anzeigesubstrat 1000 auf die Abtastsignalleitung Ga2 verzichten, um die Anzahl der Signalleitungen zu verringern. Als weiteres Beispiel können die Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 und die Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 auch jeweils elektrisch mit unterschiedlichen Signalleitungen verbunden sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 ist elektrisch mit der Abtastsignalleitung Ga1 verbunden und die Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 ist elektrisch mit der Abtastsignalleitung Ga2 verbunden, wobei die Abtastsignalleitung Ga1 und die Abtastsignalleitung Ga2 das gleiche Signal übertragen.
Es ist zu beachten, dass das Abtastsignal und das Kompensationssteuersignal auch unterschiedlich sein können, so dass die Gate-Elektroden des Datenschreibtransistors T2 und des Schwellenwertkompensationstransistors T3 separat und unabhängig gesteuert werden können, was die Flexibilität bei der Steuerung der Pixelschaltung erhöht.
In einer Ausführungsform können das erste Lichtemissions-Steuersignal und das zweite Lichtemissions-Steuersignal, wie in 1 gezeigt, gleich sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 und die Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 können elektrisch mit derselben Signalleitung, beispielsweise der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1, verbunden sein, um das gleiche Signal (z. B. ein erstes Lichtemissions-Steuersignal) zu empfangen. In diesem Fall kann das Anzeigesubstrat 1000 auf die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM2 verzichten, um die Anzahl der Signalleitungen zu verringern. In anderen Ausführungsformen können die Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 und die Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 auch jeweils elektrisch mit unterschiedlichen Signalleitungen verbunden sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 ist elektrisch mit der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 verbunden und die Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 ist elektrisch mit der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM2 verbunden, wobei die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 und die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM2 das gleiche Signal übertragen.
Es ist zu beachten, dass das erste Lichtemissions-Steuersignal und das zweite Lichtemissions-Steuersignal auch unterschiedlich sein können, wenn der erste Lichtemissions-Steuertransistor T4 und der zweite Lichtemissions-Steuertransistor T5 Transistoren von unterschiedlichen Typen sind, beispielsweise der erste Lichtemissions-Steuertransistor T4 ein Transistor vom P-Typ ist und der zweite Lichtemissions-Steuertransistor T5 ein Transistor vom N-Typ ist, was in Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung nicht eingeschränkt ist.
In einer Ausführungsform können das erste Sub-Rücksetzsteuersignal und das zweite Sub-Rücksetzsteuersignal gleich sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 und die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 können elektrisch mit derselben Signalleitung, beispielsweise der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1, verbunden sein, um das gleiche Signal (z. B. ein erstes Sub-Rücksetzsteuersignal) zu empfangen. In diesem Fall kann das Anzeigesubstrat 1000 auf die Rücksetzsteuersignalleitung Rst2 verzichten, um die Anzahl der Signalleitungen zu verringern. Als weiteres Beispiel können die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 und die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 auch jeweils elektrisch mit unterschiedlichen Signalleitungen verbunden sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 ist elektrisch mit der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 verbunden und die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 ist elektrisch mit der Rücksetzsteuersignalleitung Rst2 verbunden, wobei die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 und die Rücksetzsteuersignalleitung Rst2 das gleiche Signal übertragen. Es ist zu beachten, dass das erste Sub-Rücksetzsteuersignal und das zweite Sub-Rücksetzsteuersignal auch unterschiedlich sein können. In einer anderen Ausführungsform unterscheidet sich das erste Sub-Rücksetzsteuersignal vom zweiten Sub-Rücksetzsteuersignal, wobei die Impulsbreite der Rücksetzsteuersignalleitung Rst2 größer ist als die Impulsbreite der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 und die Impulsbreite der Rücksetzsteuersignalleitung Rst2 kleiner ist als die Impulsbreite der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM2 beim Ausschalten des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5. Auf diese Weise kann die Lebensdauer des organischen lichtemittierenden Elements des Subpixels verbessert werden.
In einer Ausführungsform kann das zweite Sub-Rücksetzsteuersignal gleich wie das Abtastsignal sein. Das heißt, die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 kann elektrisch mit der Abtastsignalleitung Ga1 verbunden sein, um das Abtastsignal als zweites Sub-Rücksetzsteuersignal zu empfangen.
In einer Ausführungsform sind die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 und die Source-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 jeweils mit dem ersten Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit1 und dem zweiten Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit2 verbunden, wobei der erste Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit1 und der zweite Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit2 jeweils ein DC-Referenzspannungsanschluss sein können, um eine konstante DC-Referenzspannung auszugeben. Der erste Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit1 und der zweite Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit2 können gleich sein, beispielsweise sind die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 und die Source-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 mit demselben Rücksetz-Stromversorgungsanschluss verbunden. Der erste Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit1 und der zweite Rücksetz-Stromversorgungsanschluss Vinit2 können Hochspannungsanschlüsse oder Niederspannungsanschlüsse sein, solange sie das erste Rücksetzsignal und das zweite Rücksetzsignal bereitstellen können, um die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 und die erste Elektrode des lichtemittierenden Elements 220 zurückzusetzen, was in der vorliegenden Anmeldung nicht eingeschränkt ist.
Es ist zu beachten, dass die Treiberschaltung 222, die Datenschreibschaltung 226, die Speicherschaltung 227, die Schwellenwertkompensationsschaltung 228 und die Rücksetzschaltung 229 in der in 1 gezeigten Pixelschaltung nur zur Veranschaulichung dienen und die spezifischen Strukturen der Schaltungen wie Treiberschaltung 222, Datenschreibschaltung 226, Speicherschaltung 227, Schwellenwertkompensationsschaltung 228 und Rücksetzschaltung 229 nach den tatsächlichen Anwendungsanforderungen eingestellt werden können, was in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung nicht speziell eingeschränkt ist.
Gemäß den Eigenschaften von Transistoren können Transistoren in Transistoren vom N-Typ und Transistoren vom P-Typ unterteilt werden. Der Klarheit halber werden in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung mit Transistoren vom P-Typ (z. B. MOS-Transistoren vom P-Typ) als Beispiel für Transistoren die technischen Lösungen der vorliegenden Anmeldung ausführlich erläutert. Das heißt, in der Beschreibung der vorliegenden Anmeldung können der Treibertransistor T1, der Datenschreibtransistor T2, der Schwellenwertkompensationstransistor T3, der erste Lichtemissions-Steuertransistor T4, der zweite Lichtemissions-Steuertransistor T5, der erste Rücksetztransistor T6 und der zweite Rücksetztransistor T7 und dergleichen jeweils Transistoren vom P-Typ sein. Allerdings sind die Transistoren in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung nicht auf Transistoren vom P-Typ beschränkt. Der Fachmann kann je nach tatsächlichem Bedarf auch Transistoren vom N-Typ (z. B. MOS-Transistoren vom N-Typ) verwenden, um die Funktionen eines oder mehrerer der Transistoren in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung zu erfüllen.
Es ist zu beachten, dass die in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung verwendeten Transistoren Dünnschichttransistoren oder Feldeffekttransistoren oder andere Schaltvorrichtungen mit denselben Eigenschaften sein können, wobei die Dünnschichttransistoren Oxidhalbleiter-Dünnschichttransistoren, amorphe Silizium-Dünnschichttransistoren oder Polysilizium-Dünnschichttransistoren usw. umfassen können. Die Source- und Drain-Elektroden des Transistors können eine symmetrische Struktur haben, so dass die Source- und Drain-Elektroden des Transistors in ihrer physikalischen Struktur möglicherweise nicht unterscheidbar sind. In den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung wird zur Unterscheidung der Transistoren mit Ausnahme der Gate-Elektrode, die als Steuerelektrode dient, eine der Elektroden einfach als erste Elektrode und die andere als zweite Elektrode bezeichnet. Daher sind in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung die ersten und zweiten Elektroden aller oder einiger Transistoren je nach Bedarf austauschbar.
Es ist zu beachten, dass in Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung die Pixelschaltung des Subpixels nicht nur eine in 1 gezeigte 7T1C-Struktur (d. h. sieben Transistoren und ein Kondensator), sondern auch eine Struktur mit einer anderen Anzahl von Transistoren wie eine 7T2C-Struktur, eine 6T1C-Struktur, eine 6T2C-Struktur oder eine 9T2C-Struktur sein kann, was in Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung nicht eingeschränkt ist.
2 bis 7 sind schematische Diagramme von Schichten einer Pixelschaltung, die durch eine Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird. Im Folgenden wird die Positionsbeziehung der einzelnen Schaltungen in der Pixelschaltung auf der Rückwandplatine in Verbindung mit 2 bis 7 beschrieben. Das in 2 bis 7 gezeigte Beispiel nimmt die Pixelschaltung 221 einer Pixelgruppe als Beispiel und nimmt zur Veranschaulichung die Positionen der Transistoren der Pixelschaltung im Subpixel der ersten Farbe 110. Die Positionen der Komponenten in den Pixelschaltungen des Subpixels der zweiten Farbe 120 und des Subpixels der dritten Farbe 130 sind im Wesentlichen gleich wie die Positionen der Transistoren im Subpixel der ersten Farbe. Wie in 2 gezeigt, umfasst die Pixelschaltung 221 des Subpixels der ersten Farbe 110 einen Treibertransistor T1, einen Datenschreibtransistor T2, einen Schwellenwertkompensationstransistor T3, einen ersten Lichtemissions-Steuertransistor T4, einen zweiten Lichtemissions-Steuertransistor T5, einen ersten Rücksetztransistor T6, einen zweiten Rücksetztransistor T7 und einen Kondensator C, wie in 1 gezeigt.
2 bis 7 zeigen ferner eine Abtastsignalleitung Ga1, eine Rücksetzsteuersignalleitung Rst1, eine Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1, eine Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1, eine Datenleitung Vd, Stromversorgungssignalleitungen (einschließlich einer ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1, einer zweiten Stromversorgungssignalleitung VDD3 und einer dritten Stromversorgungssignalleitung VDD2 des ersten Stromversorgungsanschlusses VDD) und eine Abschirmleitung 344, die elektrisch mit der Pixelschaltung 121 des Subpixels jeder Farbe verbunden sind. Die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 und die zweite Stromversorgungssignalleitung VDD3 sind elektrisch miteinander verbunden. Die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 und die dritte Stromversorgungssignalleitung VDD2 sind elektrisch miteinander verbunden. Die zweite Stromversorgungsleitung VDD3 umfasst eine erste Sub-Stromversorgungsleitung VDD31, die sich entlang einer ersten Richtung Y erstreckt, und eine zweite Sub-Stromversorgungsleitung VDD32, die sich entlang einer zweiten Richtung X erstreckt. Die erste Sub-Stromversorgungsleitung VDD31 schneidet sich mit der zweiten Sub-Stromversorgungsleitung VDD32.
Die Abtastsignalleitung Ga1 ist konfiguriert, um ein Abtastsignal für die Pixelgruppe bereitzustellen; die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 ist konfiguriert, um ein Rücksetzsteuersignal für die Pixelgruppe bereitzustellen; die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1 ist konfiguriert, um ein Rücksetz-Stromversorgungssignal für die Pixelgruppe bereitzustellen; die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 ist konfiguriert, um ein Lichtemissions-Steuersignal für die Pixelgruppe bereitzustellen; die Datenleitung Vd ist konfiguriert, um ein Lichtemissions-Datensignal für die Pixelgruppe bereitzustellen; die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1, die zweite Stromversorgungssignalleitung VDD3 und die dritte Stromversorgungssignalleitung VDD2 sind konfiguriert, um Stromversorgungssignale für Pixelgruppen bereitzustellen.
Beispielsweise zeigt 2 eine aktive Halbleiterschicht 310 der Pixelschaltung im Anzeigesubstrat. Die aktive Halbleiterschicht 310 kann durch Strukturieren eines Halbleitermaterials gebildet werden. Die aktive Halbleiterschicht 310 kann zur Herstellung von Kanälen für den Treibertransistor T1, den Datenschreibtransistor T2, den Schwellenwertkompensationstransistor T3, den ersten Lichtemissions-Steuertransistor T4, den zweiten Lichtemissions-Steuertransistor T5, den ersten Rücksetztransistor T6 und den zweiten Rücksetztransistor T7 wie oben beschrieben verwendet werden. Die aktive Halbleiterschicht 310 umfasst Kanäle und Source- und Drain-Bereiche der Transistoren der Subpixel (d. h. den Source-Bereich s und den Drain-Bereich d, die im Subpixel der zweiten Farbe dargestellt sind), wobei der Kanal und der Source- und Drain-Bereich jedes Transistors in derselben Pixelschaltung integral ausgebildet sind. Die in 2 gezeigte aktive Halbleiterschicht 310 umfasst einen Kanal 301 eines Subpixels einer ersten Farbe, einen Kanal 302 eines Subpixels einer zweiten Farbe und einen Kanal 303 eines Subpixels einer dritten Farbe.
Es ist zu beachten, dass die aktive Halbleiterschicht eine integral gebildete Niedertemperatur-Polysiliziumschicht umfassen kann, wobei der Source-Bereich und der Drain-Bereich durch Dotierung oder dergleichen leitend werden können, um eine elektrische Verbindung der Strukturen zu erreichen. Das heißt, die aktive Halbleiterschicht jedes Transistors jedes Subpixels ist ein durch p-Silizium gebildetes Gesamtmuster, und die Transistoren in derselben Pixelschaltung umfassen Source- und Drain-Bereiche (d. h. Source-Bereich s und Drain-Bereich d) und Kanäle, wobei die Kanäle verschiedener Transistoren durch Source- und Drain-Bereiche getrennt sind.
In einer Ausführungsform haben die aktiven Halbleiterschichten in den Pixelschaltungen von Subpixeln unterschiedlicher Farben, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, keine Verbindungsbeziehung und sind voneinander getrennt. Die aktiven Halbleiterschichten in den Pixelschaltungen von Subpixeln gleicher Farbe, die entlang der zweiten Richtung angeordnet sind, können integral angeordnet oder voneinander getrennt sein.
In einer Ausführungsform kann die aktive Halbleiterschicht 310 aus amorphem Silizium, Polysilizium, Oxidhalbleitermaterialien oder dergleichen bestehen. Es ist zu beachten, dass der oben erwähnte Source-Bereich und der Drain-Bereich Bereiche sein können, die mit Verunreinigungen vom n-Typ oder Verunreinigungen vom p-Typ dotiert sind.
Beispielsweise kann eine Gate-Metallschicht der Pixelschaltung eine erste leitende Schicht und eine zweite leitende Schicht umfassen. Eine Gate-Isolierschicht 103 (wie in 8 und 9 gezeigt) wird auf der oben erwähnten aktiven Halbleiterschicht 310 gebildet, um die oben erwähnte aktive Halbleiterschicht 310 zu schützen, und die aktive Halbleiterschicht 310 befindet sich auf dem Basissubstrat 100. 3 zeigt die erste leitende Schicht 320, die im Anzeigesubstrat enthalten ist. Die erste leitende Schicht 320 ist auf der Gate-Isolierschicht angeordnet, um von der aktiven Halbleiterschicht 310 isoliert zu sein. Die erste leitende Schicht 320 kann eine zweite Polplatte CC2 des Kondensators C, eine Abtastsignalleitung Ga1, eine Rücksetzsteuersignalleitung Rst1, eine Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 sowie Gate-Elektroden eines Treibertransistors T1, eines Datenschreibtransistors T2, eines Schwellenwertkompensationstransistors T3, eines ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4, eines zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5, eines ersten Rücksetztransistors T6 und eines zweiten Rücksetztransistors T7 umfassen. Die Abtastsignalleitung Ga1 umfasst einen Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt Ga11 und einen Vorsprungabschnitt P, der von einer Seite des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 hervorsteht.
Beispielsweise kann, wie in 3 gezeigt, die Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 ein Teil sein, in dem sich die Abtastsignalleitung Ga1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt. Die Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 kann ein erster Teil sein, in dem sich die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt. Die Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 kann ein zweiter Teil sein, in dem sich die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt. Die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 ist ein erster Teil, in dem sich die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt. Die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 ist ein zweiter Teil, in dem sich die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt. Der Schwellenwertkompensationstransistor T3 kann ein Dünnschichttransistor mit einer Doppel-Gate-Struktur sein, die erste Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 kann ein Teil sein, in dem sich die Abtastsignalleitung Ga1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt, und die zweite Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 kann ein Teil sein, in dem sich der Vorsprungabschnitt P der Abtastsignalleitung Ga1 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt. Wie in 1 und 3 gezeigt, kann die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 eine zweite Polplatte CC2 des Kondensators C sein.
Es ist zu beachten, dass die gepunkteten rechteckigen Rahmen in 2 die Teile zeigen, in denen sich die erste leitende Schicht 320 mit der aktiven Halbleiterschicht 310 überlappt.
Beispielsweise sind, wie in 3 gezeigt, die Abtastsignalleitung Ga1, die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 und die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 entlang der zweiten Richtung X angeordnet. Die Abtastsignalleitung Ga1 befindet sich zwischen der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 und der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1. Dabei bedeutet die Erstreckung der Signalleitung entlang der ersten Richtung, dass sich die gesamte Zeile der Signalleitung entlang der ersten Richtung erstreckt, wobei eine Fläche eines Teils der Signalleitung, der sich in der ersten Richtung erstreckt, viel größer ist als eine Fläche eines Teils, der sich in der zweiten Richtung erstreckt. Die Erstreckung der Signalleitung entlang der zweiten Richtung bedeutet, dass sich die gesamte Zeile der Signalleitung entlang der zweiten Richtung erstreckt, wobei eine Fläche eines Teils der Signalleitung, der sich in der zweiten Richtung erstreckt, viel größer ist als eine Fläche eines Teils, der sich in der ersten Richtung erstreckt.
Beispielsweise befindet sich in der zweiten Richtung X die zweite Polplatte CC2 des Kondensators C (d. h. die Gate-Elektrode des Treibertransistors T1) zwischen der Abtastsignalleitung Ga1 und der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1. Der Vorsprungabschnitt P der Abtastsignalleitung Ga1 befindet sich auf einer von der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 entfernten Seite der Abtastsignalleitung Ga1.
Beispielsweise befinden sich, wie in 2 gezeigt, in der zweiten Richtung X, die Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2, die Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3, die Gate-Elektrode des ersten Rücksetztransistors T6 und die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 jeweils auf einer ersten Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1. Die Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 und die Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 befinden sich jeweils auf einer zweiten Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1. Beispielsweise sind in den in 2 bis 7 gezeigten Beispielen die erste Seite und die zweite Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe zwei gegenüberliegende Seiten der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 in der zweiten Richtung X. Beispielsweise kann, wie in 2 bis 7 gezeigt, in der XY-Ebene, die erste Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe die obere Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 und die zweite Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe die untere Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 sein. Die untere Seite, beispielsweise eine Seite des Anzeigesubstrats zum Binden des Treiberchips, ist die untere Seite des Anzeigesubstrats. Die untere Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 ist eine näher am Treiberchip liegende Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1. Die obere Seite ist eine der unteren Seite gegenüberliegende Seite, beispielsweise eine weiter vom Treiberchip entfernte Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1.
Beispielsweise befinden sich in einigen Ausführungsformen, wie in 2 bis 7 gezeigt, in der ersten Richtung Y, die Gate-Elektrode des Datenschreibtransistors T2 und die Gate-Elektrode des ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 jeweils auf einer dritten Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1. Die erste Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3, die Gate-Elektrode des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 und die Gate-Elektrode des zweiten Rücksetztransistors T7 befinden sich jeweils auf einer vierten Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1. Beispielsweise sind in den in 2 bis 7 gezeigten Beispielen die dritte Seite und die vierte Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe zwei gegenüberliegende Seiten der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 in der ersten Richtung Y. Beispielsweise kann, wie in 2 bis 7 gezeigt, die dritte Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe die linke Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe und die vierte Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe die rechte Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe sein. Für die linke Seite und die rechte Seite befindet sich beispielsweise in derselben Pixelschaltung die Datenleitung auf der linken Seite der ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1 und die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 auf der rechten Seite der Datenleitung.
Beispielsweise wird eine erste Isolierschicht 104 (wie in 8 und 9 gezeigt) auf der oben erwähnten ersten leitenden Schicht 320 gebildet, um die oben erwähnte erste leitende Schicht 320 zu schützen. 4 zeigt die zweite leitende Schicht 330 der Pixelschaltung. Die zweite leitende Schicht 330 umfasst die erste Polplatte CC1 des Kondensators C, die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1, die dritte Stromversorgungssignalleitung VDD2 und einen Lichtabschirmungsabschnitt S. Die dritte Stromversorgungssignalleitung VDD2 ist integral mit der ersten Polplatte CC1 des Kondensators C ausgebildet. Die erste Polplatte CC1 des Kondensators C und die zweite Polplatte CC2 des Kondensators C überlappen sich zumindest teilweise, um den Kondensator C zu bilden.
Beispielsweise wird eine zweite Isolierschicht 105 (wie in 8 und 9 gezeigt) auf der oben genannten zweiten leitenden Schicht 330 gebildet, um die oben genannte zweite leitende Schicht 330 zu schützen. 5 zeigt eine Source-Drain-Metallschicht 340 der Pixelschaltung. Die Source-Drain-Metallschicht 340 umfasst eine Datenleitung Vd, eine erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 und eine Abschirmleitung 344. Die Datenleitung Vd, die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 und die Abschirmleitung 344 erstrecken sich jeweils entlang der zweiten Richtung X. Die Abschirmleitung 344 und die Datenleitung Vd sind in derselben Schicht angeordnet und bestehen aus demselben Material, so dass die Abschirmleitung und die Datenleitung gleichzeitig im selben Strukturierungsprozess gebildet werden können, wodurch ein zusätzlicher Strukturierungsprozess zur Herstellung der Abschirmleitung vermieden wird. Dadurch werden der Herstellungsprozess des Anzeigesubstrats vereinfacht und die Produktionskosten eingespart. Beispielsweise umfasst die Source-Drain-Metallschicht 340 ferner eine Verbindungsstruktur 341, einen Verbindungsabschnitt 342 und eine erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 der Elektrodenverbindungsstruktur. Ein Ende der Verbindungsstruktur 341 ist mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden, und das andere Ende der Verbindungsstruktur 341 ist mit den Source- und Drain-Bereichen des Schwellenwertkompensationstransistors T3 verbunden.
5 zeigt außerdem beispielhafte Positionen mehrerer Durchgangslöcher, durch die die Source-Drain-Metallschicht 340 mit mehreren Filmschichten verbunden ist, die sich zwischen der Source-Drain-Metallschicht 340 und dem Basissubstrat befinden. Beispielsweise ist die Source-Drain-Metallschicht 340 durch die Durchgangslöcher 381, 382, 384, 387 und 352 mit der in 2 gezeigten aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden. Die Source-Drain-Metallschicht 340 ist durch die Durchgangslöcher 3832, 386, 385, 331 und 332 mit der in 4 gezeigten zweiten leitenden Schicht 330 verbunden. Die spezifische Filmschicht, in der jedes Durchgangsloch angeordnet ist, und die spezifische Verbindungsbeziehung werden später unter Bezugnahme auf 7 ausführlich beschrieben.
Beispielsweise werden eine dritte Isolierschicht 106 und eine vierte Isolierschicht 107 (wie in 8 und 9 gezeigt) auf der oben erwähnten Source-Drain-Metallschicht 340 gebildet, um die oben erwähnte Source-Drain-Metallschicht 340 zu schützen. Das organische lichtemittierende Element jedes Subpixels kann auf einer vom Basissubstrat entfernten Seite der dritten Isolierschicht und der vierten Isolierschicht angeordnet sein.
6 zeigt die dritte leitende Schicht 350 der Pixelschaltung. Die dritte leitende Schicht 350 umfasst eine zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 der Elektrodenverbindungsstruktur und zweite Stromversorgungssignalleitungen VDD3, die entlang der zweiten Richtung X bzw. der ersten Richtung Y verteilt sind und sich kreuzen. 6 zeigt außerdem beispielhafte Positionen mehrerer Durchgangslöcher 351 und 354, wobei die dritte leitende Schicht 350 durch die gezeigten mehreren Durchgangslöcher 351 und 354 mit der Source-Drain-Metallschicht 340 verbunden ist.
7 ist ein schematisches Diagramm der Stapelpositionsbeziehung der oben beschriebenen aktiven Halbleiterschicht 310, der ersten leitenden Schicht 320, der zweiten leitenden Schicht 330, der Source-Drain-Metallschicht 340 und der dritten leitenden Schicht 350. Wie in 2 bis 7 gezeigt, ist die Datenleitung Vd durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 381) in der Gate-Isolierschicht, der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht mit dem Source-Bereich des Datenschreibtransistors T2 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden. Die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 ist durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 382) in der Gate-Isolierschicht, der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht mit dem Source-Bereich des entsprechenden ersten Lichtemissions-Steuertransistors T4 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden.
Wie in 2 bis 7 gezeigt, ist ein Ende der Verbindungsstruktur 341 durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 384) in der Gate-Isolierschicht, der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht mit dem Drain-Bereich des entsprechenden Schwellenwertkompensationstransistors T3 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden, und das andere Ende der Verbindungsstruktur 341 ist durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 385) in der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 (d. h. der zweiten Polplatte CC2 des Kondensators C) in der ersten leitenden Schicht 320 verbunden. Ein Ende des Verbindungsabschnitts 342 ist durch ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 386) in der zweiten Isolierschicht mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1 verbunden, und das andere Ende des Verbindungsabschnitts 342 ist durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 387) in der Gate-Isolierschicht, der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht mit dem Drain-Bereich des zweiten Rücksetztransistors T7 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden. Die erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 ist durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 352) in der Gate-Isolierschicht, der ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht mit dem Drain-Bereich des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden. Es ist zu beachten, dass der Source-Bereich und der Drain-Bereich des in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erwähnten Transistors in der Struktur gleich sein können, so dass der Source-Bereich und der Drain-Bereich des Transistors in der Struktur nicht unterscheidbar sind. Daher sind die beiden je nach Bedarf austauschbar.
Beispielsweise ist, wie in 2 bis 7 gezeigt, die erste Stromversorgungssignalleitung VDD1 durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 3832) in der zweiten Isolierschicht zwischen der zweiten leitenden Schicht 330 und der Source-Drain-Metallschicht 340 mit der ersten Polplatte CC1 des Kondensators C in der zweiten leitenden Schicht 330 verbunden.
Beispielsweise erstreckt sich, wie in 2 bis 7 gezeigt, die Abschirmleitung 344 entlang der zweiten Richtung X, wobei sich ihre orthographische Projektion auf dem Basissubstrat zwischen einer orthographischen Projektion des Treibertransistors auf dem Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der Datenleitung auf dem Basissubstrat befindet. Beispielsweise kann die Abschirmleitung in der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe den Einfluss des über die Datenleitung in der Pixelschaltung des Subpixels der zweiten Farbe übertragenen Signals auf die Leistung des Schwellenwertkompensationstransistors T3 des Subpixels der ersten Farbe verringern und weiterhin den Einfluss der Kopplung zwischen der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe und der Datenleitung des Subpixels der zweiten Farbe verringern, wodurch das Problem des Übersprechens abgeschwächt wird.
Beispielsweise ist, wie in 2 bis 7 gezeigt, die Abschirmleitung 344 durch mindestens ein Durchgangsloch (z. B. das Durchgangsloch 332) in der zweiten Isolierschicht mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1 verbunden, so dass nicht nur die Abschirmleitung ein festes Potenzial aufweist, sondern auch die Spannung des über die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung übertragenen Initialisierungssignals stabiler ist, was sich positiv auf die Arbeitsleistung der Pixeltreiberschaltung auswirkt.
Beispielsweise ist, wie in 2 bis 7 gezeigt, die Abschirmleitung 344 elektrisch mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung verbunden, so dass die Abschirmleitung ein festes Potenzial aufweist. Die Abschirmleitung 344 kann elektrisch mit zwei Rücksetz-Stromversorgungssignalleitungen Init1 verbunden sein, die sich entlang der Y-Richtung erstrecken, und die beiden Rücksetz-Stromversorgungssignalleitungen Init1 befinden sich jeweils auf zwei Seiten der Abschirmleitung 344 entlang der X-Richtung. Beispielsweise entsprechen die beiden Rücksetz-Stromversorgungssignalleitungen jeweils den Pixelschaltungen der n-ten Zeile bzw. der (n+1)-ten Zeile.
Beispielsweise kann es sich bei der Abschirmleitung 344 in derselben Spalte um eine gesamte Abschirmleitung handeln, wobei die gesamte Abschirmleitung mehrere Sub-Teile umfasst, die sich zwischen zwei benachbarten Rücksetz-Stromversorgungssignalleitungen befinden, wobei sich jeder Sub-Teil innerhalb des Bereichs jeder Pixelschaltung in dieser Spalte befindet.
Zusätzlich zur Kopplung der Abschirmleitung 344 mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung kann die Abschirmleitung 344 beispielsweise auch mit der ersten Stromversorgungssignalleitung gekoppelt werden, so dass die Abschirmleitung 344 das gleiche feste Potenzial wie das über die erste Stromversorgungssignalleitung übertragene Stromversorgungssignal aufweist.
Beispielsweise befindet sich eine orthographische Projektion der Abschirmleitung 344 auf dem Basissubstrat zwischen einer orthographischen Projektion des Schwellenwertkompensationstransistors T3 auf dem Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der Datenleitung Vd auf dem Basissubstrat, so dass die Abschirmleitung 344 den Einfluss der über die Datenleitung übertragenen Signaländerung auf die Leistung des Schwellenwertkompensationstransistors T3 verringern und weiterhin den Einfluss der Kopplung zwischen der Gate-Elektrode des Treibertransistors und der Datensignalleitung Vd(n+1) verringern kann, wodurch das Problem des vertikalen Übersprechens gelöst wird, damit das Anzeigesubstrat bei der Verwendung für die Anzeige einen besseren Anzeigeeffekt erreichen kann.
Beispielsweise kann sich die orthographische Projektion der Abschirmleitung 344 auf dem Basissubstrat zwischen der orthographischen Projektion der Verbindungsstruktur 341 auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Datenleitung auf dem Basissubstrat befinden. Die orthographische Projektion der Abschirmleitung 344 auf dem Basissubstrat befindet sich zwischen der orthographischen Projektion des Treibertransistors T1 auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Datenleitung auf dem Basissubstrat.
Die oben erwähnte Konfiguration kann ein erstes Übersprechen, das zwischen der Datenleitung und dem Schwellenwertkompensationstransistor erzeugt wird, und ein zweites Übersprechen, das zwischen der Datenleitung und der Verbindungsstruktur erzeugt wird, gut reduzieren, wodurch indirektes Übersprechen auf den Treibertransistor aufgrund des ersten Übersprechens und des zweiten Übersprechens reduziert wird. Darüber hinaus kann die oben genannte Konfiguration auch direktes Übersprechen reduzieren, das zwischen der Datenleitung und dem Treibertransistor erzeugt wird, wodurch die Arbeitsleistung des Anzeigesubstrats besser gewährleistet wird.
Beispielsweise ist die Abschirmleitung 344 nicht auf die oben erwähnte Konfiguration beschränkt, und die Abschirmleitung 344 kann auch nur mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung entsprechend der Pixelschaltung in der n-ten Zeile oder nur mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung entsprechend der Pixelschaltung in der (n+1)-ten Zeile gekoppelt sein. Außerdem kann die Erstreckungslänge der Abschirmleitung 344 in der zweiten Richtung X auch entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen eingestellt werden.
Beispielsweise umfasst die Pixelschaltung eines Subpixels jeder Farbe ferner einen Lichtabschirmungsabschnitt S. Der Lichtabschirmungsabschnitt S und die Abschirmleitung 344 sind in unterschiedlichen Schichten angeordnet, und eine orthographische Projektion des Lichtabschirmungsabschnitts S auf dem Basissubstrat überlappt sich mit einer orthographischen Projektion der Abschirmleitung 344 auf dem Basissubstrat. Die Abschirmleitung 344 ist durch das Durchgangsloch 331 in der zweiten Isolierschicht mit dem Lichtabschirmungsabschnitt S in der zweiten leitenden Schicht 330 verbunden, so dass der Lichtabschirmungsabschnitt S ein festes Potenzial aufweist, wodurch der Kopplungseffekt zwischen dem Schwellenwertkompensationstransistor T3 und einem anderen leitenden Muster in der Nähe besser reduziert wird, damit die Arbeitsleistung des Anzeigesubstrats stabiler wird.
Beispielsweise überlappt sich der Lichtabschirmungsabschnitt S mit der aktiven Halbleiterschicht 310 zwischen den beiden Gate-Elektroden des Schwellenwertkompensationstransistors T3, um zu verhindern, dass die aktive Halbleiterschicht 310 zwischen den beiden Gate-Elektroden beleuchtet wird und dadurch Eigenschaften geändert werden, beispielsweise zu verhindern, dass sich die Spannung dieses Teils der aktiven Halbleiterschicht ändert, um ein Übersprechen zu verhindern.
Dieses Beispiel zeigt schematisch, dass der Lichtabschirmungsabschnitt mit der Abschirmleitung verbunden ist, es ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die beiden können auch nicht miteinander verbunden sein.
Beispielsweise ist, wie in 2 bis 7 gezeigt, die zweite Stromversorgungssignalleitung VDD3 durch mindestens ein Durchgangsloch 351 in der dritten Isolierschicht und der vierten Isolierschicht mit der ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1 verbunden, und die zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 ist durch das Durchgangsloch 354 in der dritten Isolierschicht und der vierten Isolierschicht mit der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 verbunden.
Beispielsweise kann die dritte Isolierschicht eine Passivierungsschicht sein, die vierte Isolierschicht kann eine Planarisierungsschicht sein und die dritte Isolierschicht befindet sich zwischen der vierten Isolierschicht und dem Basissubstrat. Die vierte Isolierschicht kann eine organische Schicht sein, und die Dicke der organischen Schicht ist größer als die der anorganischen Schichten, wie beispielsweise der Passivierungsschicht.
Beispielsweise sind das Durchgangsloch 351 und das Durchgangsloch 354 jeweils ineinander verschachtelte Durchgangslöcher. Das heißt, das Durchgangsloch 351 umfasst ein erstes Durchgangsloch in der dritten Isolierschicht und ein zweites Durchgangsloch in der vierten Isolierschicht, wobei die Position des ersten Durchgangslochs in der dritten Isolierschicht der Position des zweiten Durchgangslochs in der vierten Isolierschicht gegenüberliegt und sich eine orthographische Projektion des zweiten Durchgangslochs in der vierten Isolierschicht auf dem Basissubstrat innerhalb einer orthographischen Projektion des ersten Durchgangslochs in der dritten Isolierschicht auf dem Basissubstrat befindet.
Beispielsweise sind die zweiten Stromversorgungssignalleitungen VDD3 in einer Gitterform verteilt. Eine orthographische Projektion der sich entlang der X-Richtung erstreckenden zweiten Sub-Stromversorgungsleitung VDD32 der zweiten Stromversorgungssignalleitung VDD3 auf dem Basissubstrat stimmt im Wesentlichen mit einer orthographischen Projektion der ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1 auf dem Basissubstrat überein, oder die orthographische Projektion der ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1 auf dem Basissubstrat befindet sich innerhalb der orthographischen Projektion der zweiten Sub-Stromversorgungsleitung VDD32 auf dem Basissubstrat. Außerdem kann die elektrische Verbindung der zweiten Stromversorgungssignalleitung VDD3 mit der ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1 den Spannungsabfall der ersten Stromversorgungssignalleitung VDD1 reduzieren, wodurch die Gleichmäßigkeit eines Anzeigegeräts verbessert wird.
Beispielsweise kann die zweite Stromversorgungssignalleitung VDD3 aus demselben Material wie die Source-Drain-Metallschicht bestehen.
Beispielsweise sind, wie in 5 gezeigt, die ersten Sub-Elektrodenverbindungsstrukturen 343 des Subpixels der ersten Farbe, des Subpixel der zweiten Farbe und des Subpixel der dritten Farbe jeweils Blockstrukturen. Die anschließend gebildete erste Elektrode eines Subpixels jeder Farbe wird durch ein Durchgangsloch mit der entsprechenden zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 verbunden, um so mit dem Drain-Bereich des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 verbunden zu werden.
Diese Ausführungsform beinhaltet, ist jedoch nicht darauf beschränkt, dass die Position der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur in einem Subpixel jeder Farbe gemäß der Anordnungsregel der organischen lichtemittierenden Elemente und der Position des lichtemittierenden Bereichs bestimmt wird.
Beispielsweise ist 8 ein schematisches Diagramm einer teilweisen Querschnittsstruktur des in 7 gezeigten Anzeigesubstrats, wobei 7 nur einige Filmschichten in 8 veranschaulicht. Wie in 7 und 8 gezeigt, ist in der aktiven Halbleiterschicht in der Pixelschaltung des Subpixels der zweiten Farbe 120 auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der zweiten Elektrode (z. B. der Drain-Elektrode T5d) des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 eine Gate-Isolierschicht 103 angeordnet, auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der Gate-Isolierschicht 103 ist eine Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 angeordnet, auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 ist eine erste Isolierschicht 104 angeordnet, auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der ersten Isolierschicht 104 ist eine dritte Stromversorgungssignalleitung VDD2 angeordnet, auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der dritten Stromversorgungssignalleitung VDD2 ist eine zweite Isolierschicht 105 angeordnet, und auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der zweiten Isolierschicht 105 ist eine erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 angeordnet. Die erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 des Subpixels der zweiten Farbe 120 ist durch das Durchgangsloch 352 in der Gate-Isolierschicht 103, der ersten Isolierschicht 104 und der zweiten Isolierschicht 105 mit der zweiten Elektrode T5d des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden. Die erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 überlappt sich sowohl mit der dritten Stromversorgungssignalleitung VDD2 als auch mit der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM 1. Auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 sind nacheinander eine dritte Isolierschicht 106 und eine vierte Isolierschicht 107 angeordnet, und auf einer vom Basissubstrat 100 entfernten Seite der vierten Isolierschicht 107 sind eine zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 und eine zweite Stromversorgungssignalleitung VDD3 angeordnet. Die zweite Stromversorgungssignalleitung VDD3 überlappt sich mit der dritten Stromversorgungssignalleitung VDD2. Die zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 ist durch ein verschachteltes Durchgangsloch 354 in der dritten Isolierschicht 106 und der vierten Isolierschicht 107 mit der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 verbunden, um so mit dem zweiten Lichtemissions-Steuertransistor verbunden zu werden.
Beispielsweise ist, wie in 8 gezeigt, die Datenleitung Vd durch das Durchgangsloch 381 in der Gate-Isolierschicht 103, der ersten Isolierschicht 104 und der zweiten Isolierschicht 105 mit der Source-Elektrode T2s des Datenschreibtransistors T2 verbunden. Ein Ende der Verbindungsstruktur 341 ist durch das Durchgangsloch 384 in der Gate-Isolierschicht 103, der ersten Isolierschicht 104 und der zweiten Isolierschicht 105 mit der Drain-Elektrode T3d des Schwellenwertkompensationstransistors T3 verbunden, und das andere Ende der Verbindungsstruktur 341 ist durch das Durchgangsloch 385 in der ersten Isolierschicht 104 und der zweiten Isolierschicht 105 mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 (d. h. der zweiten Polplatte CC2 des Kondensators C) verbunden. Der Kanal T1 c des Treibertransistors T1 befindet sich auf einer dem Basissubstrat 100 zugewandten Seite seiner Gate-Elektrode und überlappt sich nicht mit dem Durchgangsloch 385. Die Source-Elektrode T1d des Treibertransistors T1 überlappt sich sowohl mit seiner Gate-Elektrode als auch mit der ersten Polplatte CC1 des Kondensators C.
Beispielsweise ist 9 ein schematisches Diagramm einer teilweisen Querschnittsstruktur des in 7 gezeigten Anzeigesubstrats, wobei 7 nur einige Filmschichten in 9 veranschaulicht. Wie in 7 bis 9 gezeigt, besteht der Unterschied zwischen dem Subpixel der ersten Farbe 110 und dem Subpixel der zweiten Farbe 120 darin, dass sich eine orthographische Projektion der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 im Subpixel der zweiten Farbe 120 auf dem Basissubstrat 100 nicht mit einer orthographischen Projektion der zweiten Elektrode T5d des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 desselben auf dem Basissubstrat 100 überlappt, während sich eine orthographische Projektion der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 im Subpixel der ersten Farbe 130 auf dem Basissubstrat 100 mit einer orthographischen Projektion der zweiten Elektrode T5d des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 desselben auf dem Basissubstrat 100 überlappt. Im Subpixel der ersten Farbe 110 überlappt sich die erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 weder mit der dritten Stromversorgungssignalleitung VDD2 noch mit der Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1. Im Subpixel der ersten Farbe 110 befindet sich der Kanal T1 c des Treibertransistors T1 auf einer dem Basissubstrat 100 zugewandten Seite seiner Gate-Elektrode und überlappt sich mit dem Durchgangsloch 385. Daraus ist zu erkennen, dass die Breite des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe größer ist als die Breite des Kanals des Subpixels der zweiten Farbe.
Beispielsweise befinden sich, wie in 2 bis 7 gezeigt, in der zweiten Richtung X, die Abtastsignalleitung Ga1, die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 und die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1 jeweils auf einer ersten Seite der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe, und die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 befindet sich auf einer zweiten Seite des Treibertransistors T1 der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe.
Beispielsweise erstrecken sich die Abtastsignalleitung Ga1, die Rücksetzsteuersignalleitung Rst1, die Lichtemissions-Steuersignalleitung EM1 und die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung Init1 jeweils entlang der ersten Richtung Y, und die Datenleitung Vd erstreckt sich entlang der zweiten Richtung X.
Es ist zu beachten, dass die Positionsbeziehung der Treiberschaltung, der ersten Lichtemissions-Steuerschaltung, der zweiten Lichtemissions-Steuerschaltung, der Datenschreibschaltung, der Speicherschaltung, der Schwellenwertkompensationsschaltung und der Rücksetzschaltung in jeder Pixelschaltung nicht auf die in 2 bis 7 gezeigten Beispiele beschränkt ist. Entsprechend den tatsächlichen Anwendungsanforderungen können die Positionen der Treiberschaltung, der ersten Lichtemissions-Steuerschaltung, der zweiten Lichtemissions-Steuerschaltung, der Datenschreibschaltung, der Speicherschaltung, der Schwellenwertkompensationsschaltung und der Rücksetzschaltung speziell eingestellt werden.
Beispielsweise ist, wie in 2 bis 9 gezeigt, die erste Elektrode 11 des Subpixels der ersten Farbe durch das Durchgangsloch (nicht gezeigt) der fünften Isolierschicht mit der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 verbunden, um so mit dem Drain-Bereich des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 verbunden zu werden. In ähnlicher Weise ist die erste Elektrode 13 des organischen lichtemittierenden Elements des Subpixels der dritten Farbe durch das Durchgangsloch (nicht gezeigt) der fünften Isolierschicht mit der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 verbunden, um so mit dem Drain-Bereich des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 verbunden zu werden. Die erste Elektrode 12 des Subpixels der zweiten Farbe ist durch das Durchgangsloch der fünften Isolierschicht mit der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 verbunden und dann mit der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 verbunden, um so mit dem Drain-Bereich des zweiten Lichtemissions-Steuertransistors T5 verbunden zu werden.
Die Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung stellt eine neuartige Pixelanordnung bereit, die im Folgenden vorgestellt wird. Wie in 7 gezeigt, überlappt sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung 21 des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat. Eine orthographische Projektion der Pixelöffnung 22 des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat. Eine orthographische Projektion der Pixelöffnung 23 des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat. Die oben erwähnte Pixelanordnung unterscheidet sich von der Pixelanordnung im vorhandenen Anzeigefeld.
In einer Ausführungsform sind die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen unterteilt, wobei jede der Pixelgruppen ein Subpixel einer ersten Farbe, ein Subpixel einer zweiten Farbe und ein Subpixel einer dritten Farbe umfasst. Mindestens eine der Pixelgruppen umfasst zwei Zeilen von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, wobei eine Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, Subpixel der ersten Farbe und Subpixel der dritten Farbe umfasst, die abwechselnd angeordnet sind, und die andere Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, Subpixel der zweiten Farbe umfasst. Dabei bezieht sich eine Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, darauf, dass die organischen lichtemittierenden Elemente der Subpixel entlang der ersten Richtung angeordnet sind.
In einer Ausführungsform kann die erste Elektrode oder die Pixelöffnung des Subpixels als Referenz verwendet werden, um die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen zu unterteilen. In anderen Ausführungsformen kann auch die Pixelschaltung des Subpixels als Referenz verwendet werden, um die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen zu unterteilen. 7A ist ein schematisches Diagramm einiger Filmschichten der mehreren Pixelgruppen 101 in dem in 7 gezeigten Anzeigesubstrat und veranschaulicht die Anordnung der Pixelöffnungen der mehreren Pixelgruppen 101. Unter Bezugnahme auf 7A sind die Pixelöffnungen derselben Pixelgruppe 101 in zwei Zeilen unterteilt, wobei eine Zeile erster Elektroden, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, Pixelöffnungen 21 der Subpixel der ersten Farbe und Pixelöffnungen 23 der Subpixel der dritten Farbe umfasst, die abwechselnd angeordnet sind, und die andere Zeile erster Elektroden, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, Pixelöffnungen 22 der Subpixel der zweiten Farbe umfasst. In der in 7A gezeigten Ausführungsform befinden sich die Pixelschaltungen derselben Pixelgruppe 101 in derselben Zeile. In anderen Ausführungsformen können sich die Pixelschaltungen derselben Pixelgruppe 101 auch in unterschiedlichen Zeilen befinden.
In einer Ausführungsform kann, unter Bezugnahme auf 7, sich eine der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 21 des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 22 des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 23 des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer der orthographischen Projektion des Kanals 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, der orthographischen Projektion des Kanals 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Kanals 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt.
Bei der Anzeige bei hoher Temperatur ist die Lebensdauer des vorhandenen Anzeigefelds kurz und während der Anzeige tritt ein Farbverschiebungsphänomen auf. Der Erfinder hat herausgefunden, dass der Grund für dieses Problem darin liegt, dass bei der Anzeige des Anzeigefelds der Strom des Treibertransistors des blauen Subpixels relativ groß ist. Beispielsweise beträgt der Strom des Treibertransistors des blauen Subpixels das 2,15-fache des Stroms des Treibertransistors des grünen Subpixels. Der Kanal des Treibertransistors des blauen Subpixels überlappt sich mit dem organischen lichtemittierenden Element des grünen Subpixels, was zu einem starken Temperaturanstieg des organischen lichtemittierenden Elements des grünen Subpixels führt, was wiederum dazu führt, dass das grüne Subpixel zu schnell verfällt und die Lebensdauer verkürzt wird, und dass die Helligkeitsabfallgeschwindigkeiten der Subpixel verschiedener Farben sehr unterschiedlich sind, so dass das Farbverschiebungsphänomen auf dem Bildschirm auftritt. Die oben genannte Anordnung der Subpixel kann verhindern, dass die Temperatur des organischen lichtemittierenden Elements des Subpixels der ersten Farbe oder des Subpixels der dritten Farbe durch den Treibertransistor des Subpixels der zweiten Farbe zu stark ansteigt und infolgedessen ein zu schneller Helligkeitsabfall des organischen lichtemittierenden Elements und ein Problem der verkürzten Lebensdauer auftreten. Dadurch kann die Lebensdauer von Subpixeln verbessert werden und der Unterschied in der Helligkeitsabfallgeschwindigkeit von Subpixeln unterschiedlicher Farben verringert werden und das Farbverschiebungsproblem des Anzeigesubstrats gelindert werden. Da sich die Pixelöffnungen der Subpixel einzelner Farben jeweils nicht mit den Kanälen des Treibertransistors überlappen, können die Temperaturen der organischen lichtemittierenden Elemente der Subpixel einzelner Farben jeweils relativ niedrig werden, was hilfreicher ist, um die Lebensdauer des Anzeigefelds zu verbessern und das Farbverschiebungsproblem zu beseitigen.
In einer Ausführungsform liegt in mindestens einer Pixelgruppe ein Abstand zwischen dem Kanal des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung X im Bereich von 1 µm bis 50 µm. Insbesondere liegt ein Abstand zwischen dem Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe und der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung im Bereich von 1 µm bis 50 µm. Ein Abstand zwischen dem Kanal 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe und der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung liegt im Bereich von 1 µm bis 50 µm. Ein Abstand zwischen dem Kanal 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe und der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung liegt im Bereich von 1 µm bis 50 µm.
Darüber hinaus liegt in mindestens einer Pixelgruppe der Abstand zwischen dem Kanal des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung im Bereich von 10 µm bis 50 µm. Beispielsweise beträgt der Abstand zwischen dem Kanal des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung 10 µm, 15 µm, 20 µm, 25 µm, 30 µm, 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm und so weiter.
In einer Ausführungsform überlappt sich, wie in 7 gezeigt, in mindestens einer der Pixelgruppen die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion einer Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat, oder die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat, wobei das Verhältnis einer Fläche des überlappenden Bereichs zu einer Fläche der Gate-Elektrode nicht mehr als 10% beträgt. Wenn die Temperatur des Treibertransistors ansteigt, wird die davon erzeugte Wärme hauptsächlich über die Gate-Elektrode auf das organische lichtemittierende Element des Subpixels übertragen. Indem sich die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion einer Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat überlappt, oder eine Fläche eines Überlappungsbereichs zwischen der orthographischen Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat relativ klein ist, kann die Menge der an das organische lichtemittierende Element übertragenen Wärme, die vom Treibertransistor erzeugt wird, wirksam reduziert werden, und es kann verhindert werden, dass die Temperatur des organischen lichtemittierenden Elements zu stark ansteigt und infolgedessen das organische lichtemittierende Element zu schnell verfällt und die Lebensdauer verkürzt wird. Dadurch kann die Lebensdauer von Subpixeln verbessert werden und das Farbverschiebungsproblem des Anzeigesubstrats gelindert werden.
Darüber hinaus liegt in der in 7 gezeigten Ausführungsform der Abstand zwischen der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung im Bereich von 2 µm bis 10 µm. Der Abstand zwischen der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung beträgt beispielsweise 2 µm, 4 µm, 6 µm, 8 µm, 10 µm und so weiter.
In einer Ausführungsform überlappt sich, unter Bezugnahme auf 10, in mindestens einer Pixelgruppe die orthographische Projektion der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung X mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels in der zweiten Richtung X, wobei die zweite Richtung X senkrecht zur ersten Richtung Y steht. Dabei beziehen sich die orthographischen Projektionen der Abtastsignalleitung und der Gate-Elektrode des Treibertransistors in der zweiten Richtung X auf deren orthographischen Projektionen in einer geraden Linie, die sich entlang der zweiten Richtung X erstreckt. Wie in 10 gezeigt, überlappt sich die orthographische Projektion der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung X mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode 321 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung X. Die orthographische Projektion der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung X überlappt sich mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode 322 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe in der zweiten Richtung X. Die orthographische Projektion der Abtastsignalleitung Ga1 in der zweiten Richtung X überlappt sich mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode 323 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung X. Mit einer solchen Konfiguration können die Strukturen im Anzeigesubstrat relativ dicht angeordnet werden, was dazu beiträgt, die Dichte der Subpixel im Anzeigesubstrat zu erhöhen.
In einer Ausführungsform umfasst die Abtastsignalleitung Ga1, wie in 10 gezeigt, einen Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt Ga11 und einen Vorsprungabschnitt P, der von einer Seite des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 hervorsteht. Der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt Ga11 erstreckt sich insgesamt entlang der ersten Richtung Y und der Vorsprungabschnitt P erstreckt sich entlang der zweiten Richtung X. Der Schwellenwertkompensationstransistor T3 des Subpixels umfasst eine erste Gate-Elektrode und eine zweite Gate-Elektrode. Im Schwellenwertkompensationstransistor ist die erste Gate-Elektrode ein Teil des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt, und die zweite Gate-Elektrode ist ein Teil des Vorsprungabschnitts P, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Darüber hinaus umfasst der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt Ga11, wie in 10 und 10A gezeigt, eine erste Sub-Abtastleitung 324, eine zweite Sub-Abtastleitung 326 und einen Verbindungsabschnitt 325. Die erste Sub-Abtastleitung 324 ist durch den Verbindungsabschnitt 325 mit der zweiten Sub-Abtastleitung 326 verbunden. Die erste Sub-Abtastleitung 324 und die zweite Sub-Abtastleitung 326 erstrecken sich im Wesentlichen entlang der ersten Richtung Y. In derselben Abtastsignalleitung befinden sich in der ersten Richtung der Vorsprungabschnitt P und der Verbindungsabschnitt 325 auf beiden Seiten der ersten Sub-Abtastleitung 324. In der dargestellten Ausführungsform befindet sich der Vorsprungabschnitt P auf einer nahe an der ersten Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 liegenden Seite der ersten Sub-Abtastleitung 324 und der Verbindungsabschnitt 325 befindet sich auf einer der ersten Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 abgewandten Seite der ersten Sub-Abtastleitung 324. In anderen Ausführungsformen kann sich der Verbindungsabschnitt 325 auf einer nahe an der ersten Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 liegenden Seite der ersten Sub-Abtastleitung 324 befinden und sich der Vorsprungabschnitt P auf einer der ersten Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 abgewandten Seite der ersten Sub-Abtastleitung 324 befinden.
Die erste Sub-Abtastleitung 324 ist mit der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe verbunden, die zweite Sub-Abtastleitung 326 ist mit der Pixelschaltung des Subpixels der zweiten Farbe verbunden, und die Erstreckungsrichtung eines Teils des Verbindungsabschnitts 325 schneidet sich mit der Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung 324. Im Schwellenwertkompensationstransistor ist die erste Gate-Elektrode ein Teil des Verbindungsabschnitts 325, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Darüber hinaus überlappt sich die orthographische Projektion des Verbindungsabschnitts 325 in der zweiten Richtung X mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels in der zweiten Richtung X. Wie in 10 gezeigt, überlappt sich die orthographische Projektion des Verbindungsabschnitts 325 in der zweiten Richtung X jeweils mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode 321 des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung X, der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode 322 des Subpixels der zweiten Farbe in der zweiten Richtung X und der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode 323 des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung X.
In einer Ausführungsform umfasst der Verbindungsabschnitt 325, wie in 10 und 10A gezeigt, einen ersten Sub-Verbindungsabschnitt 3251, einen zweiten Sub-Verbindungsabschnitt 3252 und einen dritten Sub-Verbindungsabschnitt 3253, die nacheinander miteinander verbunden sind. Die Erstreckungsrichtung des ersten Sub-Verbindungsabschnitts 3251 bzw. des dritten Sub-Verbindungsabschnitts 3253 schneidet sich mit der Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung 324, und die Erstreckungsrichtung des zweiten Sub-Verbindungsabschnitts 3252 ist gleich wie die Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung 324. Der dritte Sub-Verbindungsabschnitt 3253 ist mit der ersten Sub-Abtastleitung 324 verbunden, und der erste Sub-Verbindungsabschnitt 3251 ist mit der zweiten Sub-Abtastleitung 326 verbunden. Im Schwellenwertkompensationstransistor ist die erste Gate-Elektrode ein Teil des zweiten Sub-Verbindungsabschnitts 3252, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
In einer Ausführungsform umfasst die aktive Halbleiterschicht 310, wie in 2 und 2A gezeigt, einen ersten Abschnitt 311, einen zweiten Abschnitt 312, einen dritten Abschnitt 313 und einen vierten Abschnitt 314, die nacheinander miteinander verbunden sind. Der zweite Abschnitt 312, der vierte Abschnitt 314 und der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt Ga11 erstrecken sich entlang der ersten Richtung Y, der erste Abschnitt 311 und der dritte Abschnitt 313 erstrecken sich entlang der zweiten Richtung X. Die zweite Gate-Elektrode des Schwellenwertkompensationstransistors T3 ist ein Teil des Vorsprungabschnitts P, der sich mit der orthographischen Projektion des vierten Abschnitts 314 auf dem Basissubstrat überlappt. Die Gate-Elektrode des Rücksetztransistors umfasst einen Teil der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1, der sich mit der orthographischen Projektion des ersten Abschnitts 311 auf dem Basissubstrat überlappt. Insbesondere umfasst der erste Rücksetztransistor T6 zwei Gate-Elektroden, von denen eine einen Teil der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 umfasst, der sich mit der orthographischen Projektion des ersten Abschnitts 311 auf dem Basissubstrat überlappt. Durch eine solche Anordnung können der Schwellenwertkompensationstransistor T3 und der erste Rücksetztransistor T6 einfach eine Doppel-Gate-Struktur bilden.
Darüber hinaus überlappt sich, wie in 10 gezeigt, in mindestens einer Pixelgruppe die orthographische Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors von mindestens einem Subpixel auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion seiner entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat. Insbesondere überlappt sich die orthographische Projektion der Gate-Elektrode 321 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion seiner entsprechenden Pixelöffnung 21 auf dem Basissubstrat. Die orthographische Projektion der Gate-Elektrode 323 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion seiner entsprechenden Pixelöffnung 23 auf dem Basissubstrat.
Darüber hinaus liegt eine Größe eines Teils, in dem sich die orthographische Projektion der Gate-Elektrode von mindestens dem Subpixel auf dem Basissubstrat mit der entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat überlappt, in der zweiten Richtung X im Bereich von 0 µm bis 30 µm. In der in 10 gezeigten Ausführungsform ist eine Größe eines Teils, in dem sich die orthographische Projektion der Gate-Elektrode des Subpixels der ersten Farbe, der Gate-Elektrode des Subpixels der zweiten Farbe bzw. der Gate-Elektrode des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat mit der entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat überlappt, in der zweiten Richtung X größer als 0.
In einer Ausführungsform umfasst die Verbindungsstruktur 341, wie in 11 gezeigt, einen ersten Teil 3411 und einen zweiten Teil 3412, der mit dem ersten Teil 3411 verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des ersten Teils 3411 auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion des Vorsprungabschnitts P auf dem Basissubstrat auf derselben Seite wie eine orthographische Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 auf dem Basissubstrat befinden; und wobei eine Länge des ersten Teils 3411 in der zweiten Richtung X größer ist als eine Länge des Vorsprungabschnitts P in der zweiten Richtung X. In der zweiten Richtung X umfasst die orthographische Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 auf dem Basissubstrat zwei gegenüberliegende Seiten (zum Beispiel eine obere Seite und eine untere Seite). Die Anordnung der orthographischen Projektion des ersten Teils 3411 auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Vorsprungabschnitts P auf dem Basissubstrat auf derselben Seite der orthographischen Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 auf dem Basissubstrat bezieht sich darauf, dass sich die orthographische Projektion des ersten Teils 3411 auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion des Vorsprungabschnitts P auf dem Basissubstrat jeweils auf der oberen Seite oder der unteren Seite der orthographischen Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 auf dem Basissubstrat befinden. In der dargestellten Ausführungsform befinden sich die orthographische Projektion des ersten Teils 3411 auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion des Vorsprungabschnitts P auf dem Basissubstrat jeweils auf der oberen Seite der orthographischen Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 auf dem Basissubstrat. Mit einer solchen Anordnung kann das Ende des ersten Teils 3411 einfach mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 verbunden sein.
Darüber hinaus liegt die Größe der Verbindungsstruktur 341 in der zweiten Richtung X im Bereich von 35 µm bis 70 µm. Mit einer solchen Anordnung kann gewährleistet werden, dass beide Enden der Verbindungsstruktur 341 jeweils elektrisch mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 der ersten leitenden Schicht 320 und den Source- und Drain-Bereichen des Schwellenwertkompensationstransistors T3 in der aktiven Halbleiterschicht 310 verbunden sind. In einigen Ausführungsformen beträgt die Größe der Verbindungsstruktur 341 in der zweiten Richtung X 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm, 65 µm, 70 µm und so weiter.
In einer Ausführungsform überlappt sich, wie in 7 und 10 gezeigt, die orthographische Projektion der ersten Elektrode 12 von mindestens einem der Subpixel der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Abtastsignalleitung Ga1 auf dem Basissubstrat. In einigen Ausführungsformen überlappt sich die orthographische Projektion der ersten Elektrode 12 jedes Subpixels der zweiten Farbe des Anzeigefelds auf dem Basissubstrat jeweils mit der orthographischen Projektion einer Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion einer Abtastsignalleitung Ga1 auf dem Basissubstrat. Eine solche Anordnung trägt dazu bei, die Pixeldichte des Anzeigesubstrats zu erhöhen.
In einer Ausführungsform liegt eine Größe des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung Y im Bereich von 35 µm bis 110 µm und dessen Größe in der zweiten Richtung X liegt im Bereich von 20 µm bis 60 µm; eine Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der ersten Richtung Y liegt im Bereich von 35 µm bis 120 µm und dessen Größe in der zweiten Richtung X liegt im Bereich von 20 µm bis 80 µm; und eine Größe des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung Y liegt im Bereich von 35 µm bis 70 µm und dessen Größe in der zweiten Richtung X liegt im Bereich von 20 µm bis 60 µm. Die Größe des Subpixels in der ersten Richtung bezieht sich auf seine maximale Größe in der ersten Richtung Y, und die maximale Größe des Subpixels in der ersten Richtung Y bezieht sich auf die maximale Größe eines überlappenden Teils der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion seiner ersten Elektrode auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung Y. Die Größe des Subpixels in der zweiten Richtung X bezieht sich auf seine maximale Größe in der zweiten Richtung X, und die maximale Größe des Subpixels in der zweiten Richtung X bezieht sich auf die maximale Größe eines überlappenden Teils der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion seiner ersten Elektrode auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung Y.
In einigen beispielhaften Ausführungsformen beträgt die Größe des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung Y beispielsweise 35 µm, 45 µm, 55 µm, 65 µm, 75 µm, 85 µm, 95 µm, 105 µm, 110 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung X beträgt beispielsweise 20 µm, 25 µm, 30 µm, 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der ersten Richtung Y beträgt beispielsweise 35 µm, 45 µm, 55 µm, 65 µm, 75 µm, 85 µm, 95 µm, 105 µm, 115 µm, 120 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der zweiten Richtung X beträgt beispielsweise 20 µm, 30 µm, 40 µm, 50 µm, 60 µm, 70 µm, 80 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung Y beträgt 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm, 65 µm, 70 µm. Die Größe des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung X beträgt beispielsweise 20 µm, 25 µm, 30 µm, 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm und so weiter.
Darüber hinaus ist die Fläche des Subpixels der zweiten Farbe größer als die Fläche des Subpixels der ersten Farbe und die Fläche des Subpixels der ersten Farbe ist größer als die Fläche des Subpixels der dritten Farbe. Eine solche Anordnung trägt dazu bei, den Unterschied in der Lebensdauer der Subpixel jeder Farbe zu verringern.
Die Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung stellt auch eine weitere neue Pixelanordnung bereit. Unter Bezugnahme auf 12 bis 16 überlappt sich die orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat, und die orthographische Projektion der Pixelöffnung 22 von mindestens einem der Subpixel der zweiten Farbe in der ersten Richtung überlappt sich mit der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 21 des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung Y und der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 23 des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung Y, und die orthographische Projektion der Pixelöffnung 22 von mindestens einem der Subpixel der zweiten Farbe in der zweiten Richtung X überlappt sich jeweils nicht mit der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 21 des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung X und der orthographischen Projektion der Pixelöffnung 23 des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung X, wobei sich die erste Richtung Y mit der zweiten Richtung X schneidet. Die in der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt Pixelanordnung unterscheidet sich von der Pixelanordnung in dem vorhandenen Anzeigefeld.
Die orthographische Projektion der Pixelöffnung in der ersten Richtung Y bezieht sich auf die orthographische Projektion der Pixelöffnung in einer geraden Linie, die sich entlang der ersten Richtung Y erstreckt.
In einer Ausführungsform überlappt sich, wie in 16 gezeigt, die orthographische Projektion der Pixelöffnung 21 des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals 301 seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat, die orthographische Projektion der Pixelöffnung 23 des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion des Kanals 303 seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat, und die orthographische Projektion der Pixelöffnung 22 des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich mit der orthographischen Projektion des Kanals 302 seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat.
Darüber hinaus fällt, wie in 16 gezeigt, die orthographische Projektion des Kanals 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat in die orthographische Projektion der Pixelöffnung 21 auf dem Basissubstrat, die orthographische Projektion des Kanals 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat fällt in die orthographische Projektion der Pixelöffnung 22 auf dem Basissubstrat, und die orthographische Projektion des Kanals 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat fällt in die orthographische Projektion der Pixelöffnung 23 auf dem Basissubstrat.
In anderen Ausführungsformen überlappen sich in dem Subpixel der ersten Farbe, dem Subpixel der zweiten Farbe und dem Subpixel der dritten Farbe lediglich orthographische Projektionen der Pixelöffnungen der Subpixel einer Farbe oder der Subpixel zweier Farben auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat.
In einer Ausführungsform überlappt sich, wie in 16 gezeigt, die orthographische Projektion der Pixelöffnung 21 des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat jeweils nicht mit der orthographischen Projektion des Kanals 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Kanals 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat; die orthographische Projektion der Pixelöffnung 22 des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich jeweils nicht mit der orthographischen Projektion des Kanals 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Kanals 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat; die orthographische Projektion der Pixelöffnung 23 des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt sich jeweils nicht mit der orthographischen Projektion des Kanals 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Kanals 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat. Bei einer solchen Anordnung überlappt sich die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors jedes Subpixels auf dem Basissubstrat nur mit der orthographischen Projektion seiner Pixelöffnung auf dem Basissubstrat und überlappt sich nicht mit der orthographischen Projektion der Pixelöffnung anderer Subpixel auf dem Basissubstrat. Dies ist hilfreicher, um den Unterschied in der Helligkeitsabfallgeschwindigkeit der organischen lichtemittierenden Elemente jedes Subpixels zu verringern und dadurch das Farbverschiebungsproblem des Anzeigesubstrats zu lindern.
In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung befinden sich die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat innerhalb der orthographischen Projektion der dem Subpixel der zweiten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat; und die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors der dritten Farbe auf dem Basissubstrat befindet sich innerhalb der orthographischen Projektion der dem Subpixel der dritten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat. Eine solche Anordnung kann verhindern, dass der Treibertransistor des Subpixels der zweiten Farbe mit einem größeren Treiberstrom die Temperatur des organischen lichtemittierenden Elements des Subpixels der ersten Farbe zu stark erhöht und infolgedessen ein zu schneller Helligkeitsabfall des Subpixels der ersten Farbe und ein Problem der verkürzten Lebensdauer auftreten. Dadurch kann vermieden werden, dass der Unterschied zwischen der Helligkeitsabfallgeschwindigkeit des Subpixels der ersten Farbe und der Helligkeitsabfallgeschwindigkeit des Subpixels der zweiten Farbe bzw. des Subpixels der dritten Farbe groß ist, damit das Farbverschiebungsphänomen des Anzeigesubstrats gelindert werden kann.
In noch einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung überlappt sich die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat jeweils nicht mit der orthographischen Projektion der dem Subpixel der ersten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat, der orthographischen Projektion der dem Subpixel der zweiten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat und der orthographischen Projektion der dem Subpixel der dritten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat. In einer solchen Anordnung haben die Treibertransistoren der Subpixel der zweiten Farbe mit größeren Treiberströmen jeweils weniger Einfluss auf die organischen lichtemittierenden Elemente der Subpixel der jeweiligen Farben, was hilfreicher ist, um die Lebensdauer des Anzeigesubstrats zu verbessern und das Farbverschiebungsproblem des Anzeigesubstrats zu lindern.
Darüber hinaus befinden sich die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat und die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors der dritten Farbe auf dem Basissubstrat jeweils innerhalb der orthographischen Projektion der dem Subpixel der zweiten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat. Alternativ befindet sich die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat innerhalb der orthographischen Projektion der dem Subpixel der zweiten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat, und die orthographische Projektion des Kanals des Treibertransistors der dritten Farbe auf dem Basissubstrat befindet sich innerhalb der orthographischen Projektion der dem Subpixel der dritten Farbe entsprechenden Pixelöffnung auf dem Substrat.
In einer Ausführungsform sind die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen unterteilt, wobei jede der Pixelgruppen Subpixel der ersten Farbe, Subpixel der zweiten Farbe und Subpixel der dritten Farbe umfasst; wobei mindestens eine der Pixelgruppen zwei Zeilen von Subpixeln umfasst, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, wobei eine Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, die Subpixel der ersten Farbe und die Subpixel der dritten Farbe umfasst, die abwechselnd angeordnet sind, und die andere Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, die Subpixel der zweiten Farbe umfasst.
In einer Ausführungsform unterscheidet sich, wie in 16 gezeigt, in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung X der Abstand vom Kanal 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 von dem Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1. Darüber hinaus kann in der zweiten Richtung X der Abstand vom Kanal 303 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 im Wesentlichen gleich wie der Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 sein. Eine solche Anordnung ist hilfreicher, um zu vermeiden, dass sich die orthographischen Projektionen des Kanals 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe und der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat miteinander überlappen.
Darüber hinaus ist in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung X der Abstand vom Kanal 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 größer als der Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1. Eine solche Anordnung ist hilfreicher, um zu vermeiden, dass ein zu schneller Helligkeitsabfall des Subpixels der zweiten Farbe und ein Problem der verkürzten Lebensdauer aufgrund der vom Treibertransistor des Subpixels der zweiten Farbe erzeugten Wärme auftreten.
Darüber hinaus liegt in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung X der Abstand vom Kanal 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 im Bereich von 1 µm bis 60 µm, und der Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 liegt im Bereich von 1 µm bis 50 µm, und der Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 liegt im Bereich von 1 µm bis 50 µm. In der zweiten Richtung X beträgt der Abstand vom Kanal 302 des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 beispielsweise 1 µm, 10 µm, 20 µm, 30 µm, 40 µm, 50 µm, 60 µm, und der Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 sowie der Abstand vom Kanal 301 des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe zur Abtastsignalleitung Ga1 betragen beispielsweise 1 µm, 10 µm, 20 µm, 30 µm, 40 µm, 50 µm und so weiter.
In einer Ausführungsform ist, unter Bezugnahme auf 13, die Fläche der zweiten Polplatte CC12 des Subpixels der zweiten Farbe größer als die Fläche der zweiten Polplatte CC11 des Subpixels der ersten Farbe, die Fläche der zweiten Polplatte CC12 des Subpixels der zweiten Farbe ist größer als die Fläche der zweiten Polplatte CC13 des Subpixels der dritten Farbe. Im Allgemeinen ist ein Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe größer als ein Verhältnis von Breite zu Länge des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe oder des Subpixels der zweiten Farbe, um das Phänomen einer unzureichenden Helligkeit von Licht der zweiten Farbe zu verhindern, wenn das vom Anzeigesubstrat angezeigte weiße Licht in der höchsten Graustufe liegt, was dazu führt, dass die Weißabgleich-Farbkoordinaten des weißen Lichts mit der höchsten Graustufe vom Einstellwert abweichen. Indem die Fläche der zweiten Polplatte CC12 des Subpixels der zweiten Farbe größer als die Fläche der zweiten Polplatte CC11 des Subpixels der ersten Farbe und die Fläche der zweiten Polplatte CC13 des Subpixels der dritten Farbe eingestellt wird, kann sichergestellt werden, dass die zweite Polplatte CC12 des Subpixels der zweiten Farbe den Kanal seines Treibertransistors abdeckt.
In einer Ausführungsform sind die Flächen der Elektrodenverbindungsstrukturen von mindestens zwei der Subpixel unterschiedlich.
Darüber hinaus umfasst die Elektrodenverbindungsstruktur unter Bezugnahme auf 14 und 15 eine erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 und eine zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353. Die Flächen der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 343 und/oder der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 353 von mindestens zwei der Subpixel sind unterschiedlich.
Darüber hinaus ist, wie in 15 gezeigt, die Fläche der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 3532 des Subpixels der zweiten Farbe kleiner als die Fläche der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 3531 des Subpixels der ersten Farbe und die Fläche der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 3532 des Subpixels der zweiten Farbe ist kleiner als die Fläche der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur 3533 des Subpixels der dritten Farbe.
In einer Ausführungsform überlappt sich unter Bezugnahme auf 16 die orthographische Projektion der ersten Elektrode 12 von mindestens einem der Subpixel der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion der Rücksetzsteuersignalleitung Rst1 auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Abtastsignalleitung Ga1 auf dem Basissubstrat.
In einer Ausführungsform umfasst die Verbindungsstruktur 341 einen ersten Teil und einen zweiten Teil, der mit dem ersten Teil verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des ersten Teils auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion des Vorsprungabschnitts P auf dem Basissubstrat auf derselben Seite wie eine orthographische Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts Ga11 auf dem Basissubstrat befinden; und wobei eine Länge des ersten Teils in der zweiten Richtung X größer ist als eine Länge des Vorsprungabschnitts P in der zweiten Richtung X. Eine solche Anordnung erleichtert die Verbindung eines Endes des ersten Teils mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1.
Darüber hinaus liegt die Größe der Verbindungsstruktur 341 in der zweiten Richtung X im Bereich von 35 µm bis 70 µm. Eine solche Anordnung kann eine elektrische Verbindung der beiden Enden der Verbindungsstruktur 341 mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors T1 in der ersten leitenden Schicht 320 bzw. den Source- und Drain-Bereichen des Schwellenwertkompensationstransistors T3 in der aktiven Halbleiterschicht 310 sicherstellen. In einigen Ausführungsformen beträgt die Größe der Verbindungsstruktur 341 in der zweiten Richtung X 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm, 65 µm, 70 µm und so weiter.
In einer Ausführungsform liegt die Größe des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung Y im Bereich von 35 µm bis 110 µm und die Größe in der zweiten Richtung X im Bereich von 20 µm bis 60 µm; die Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der ersten Richtung Y liegt im Bereich von 35 µm bis 120 µm und die Größe in der zweiten Richtung X im Bereich von 20 µm bis 80 µm; die Größe des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung Y liegt im Bereich von 35 µm bis 70 µm und die Größe in der zweiten Richtung X im Bereich von 20 µm bis 60 µm. Die Größe des Subpixels in der ersten Richtung bezieht sich auf seine maximale Größe in der ersten Richtung Y, und die maximale Größe des Subpixels in der ersten Richtung Y bezieht sich auf die maximale Größe eines überlappenden Teils der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion seiner ersten Elektrode auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung Y. Die Größe des Subpixels in der zweiten Richtung X bezieht sich auf seine maximale Größe in der zweiten Richtung X, und die maximale Größe des Subpixels in der zweiten Richtung X bezieht sich auf die maximale Größe eines überlappenden Teils der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion seiner ersten Elektrode auf dem Basissubstrat in der ersten Richtung Y.
In einigen beispielhaften Ausführungsformen beträgt die Größe des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung Y beispielsweise 35 µm, 45 µm, 55 µm, 65 µm, 75 µm, 85 µm, 95 µm, 105 µm, 110 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung X beträgt beispielsweise 20 µm, 25 µm, 30 µm, 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der ersten Richtung Y beträgt beispielsweise 35 µm, 45 µm, 55 µm, 65 µm, 75 µm, 85 µm, 95 µm, 105 µm, 115 µm, 120 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der zweiten Richtung X beträgt beispielsweise 20 µm, 30 µm, 40 µm, 50 µm, 60 µm, 70 µm, 80 µm und so weiter. Die Größe des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung Y beträgt 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm, 65 µm, 70 µm. Die Größe des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung X beträgt beispielsweise 20 µm, 25 µm, 30 µm, 35 µm, 40 µm, 45 µm, 50 µm, 55 µm, 60 µm und so weiter.
Es ist zu beachten, dass sich die in verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung beschriebenen Merkmale einander ergänzen können, sofern kein Konflikt besteht. Wenn beispielsweise kein Konflikt besteht, können die Merkmale in den in 2 bis 10 gezeigten Ausführungsformen auch die gleichen Merkmale in der in 11 gezeigten Ausführungsform und den in 12 bis 16 gezeigten Ausführungsformen aufweisen und die Merkmale in den in 12 bis 16 gezeigten Ausführungsformen auch die gleichen Merkmale in den in 2 bis 10 gezeigten Ausführungsformen aufweisen.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung stellt ferner ein Anzeigefeld bereit, wobei das Anzeigefeld ein in einer der vorstehenden Ausführungsformen beschriebenes Anzeigesubstrat umfasst.
Das Anzeigefeld kann ferner eine Glasabdeckplatte auf einer vom Substrat abgewandten Seite des Anzeigesubstrats umfassen.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung stellt ferner eine Anzeigevorrichtung bereit, wobei die Anzeigevorrichtung das oben erwähnte Anzeigefeld umfasst. Die Anzeigevorrichtung kann ferner ein Gehäuse umfassen, in das das Anzeigefeld eingebettet werden kann.
Die Anzeigevorrichtung in dieser Ausführungsform kann jedes Produkt oder jede Komponente mit Anzeigefunktion sein, beispielsweise ein elektronisches Papier, ein Mobiltelefon, ein Tablet-Computer, ein Fernseher, ein Notebook, ein digitaler Fotorahmen, ein Fahrzeuganzeigegerät und dergleichen.
Es ist zu beachten, dass in den Zeichnungen die Größen der Schichten und Bereiche aus Gründen der Klarheit der Darstellung übertrieben dargestellt sein könnten. Es versteht sich auch, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht bezeichnet wird, es sich direkt auf dem anderen Element befinden kann oder dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können.
Darüber hinaus versteht es sich, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als „unter“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht bezeichnet wird, dieses direkt unter dem anderen Element liegen kann oder mehr als eine dazwischen liegende Schicht oder ein dazwischen liegendes Element vorhanden sein kann. Darüber hinaus versteht es sich auch, dass, wenn eine Schicht oder ein Element als „zwischen“ zwei Schichten oder Elementen bezeichnet wird, es sich um die einzige Schicht zwischen den beiden Schichten oder Elementen handeln kann, oder auch mehr als eine dazwischen liegende Schicht oder ein dazwischen liegendes Element vorhanden sein kann. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen überall gleiche Elemente.
Der Fachmann kommt aus der Betrachtung der Beschreibung und der Praxis des hierin offenbarten Inhalts leicht auf andere Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung. Die vorliegende Anmeldung soll alle Variationen, Verwendungen oder Anpassungen der vorliegenden Anmeldung abdecken, die den allgemeinen Grundsätzen der vorliegenden Anmeldung folgen und Allgemeinwissen oder herkömmliche technische Mittel auf dem einschlägigen technischen Gebiet enthalten, die in der vorliegenden Anmeldung nicht offenbart werden. Die Beschreibung und die Ausführungsformen sind nur als beispielhaft zu betrachten, wobei der wahre Umfang und Geist der vorliegenden Anmeldung durch die folgenden Ansprüche angegeben wird.
Es versteht sich, dass die vorliegende Anmeldung nicht auf die oben beschriebene und in den beigefügten Zeichnungen dargestellte genaue Struktur beschränkt ist und verschiedene Modifikationen und Änderungen vorgenommen werden können, ohne von ihrem Schutzumfang abzuweichen. Der Umfang der vorliegenden Anmeldung wird nur durch die beigefügten Ansprüche begrenzt.

Claims

Anzeigesubstrat, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ein Basissubstrat und mehrere Subpixel auf dem Basissubstrat umfasst; wobei die mehreren Subpixel mehrere Subpixel einer ersten Farbe, mehrere Subpixel einer zweiten Farbe und mehrere Subpixel einer dritten Farbe umfassen, wobei das menschliche Auge empfindlicher auf die erste Farbe als auf die dritte Farbe reagiert und das menschliche Auge empfindlicher auf die dritte Farbe als auf die zweite Farbe reagiert; wobei das Subpixel ein organisches lichtemittierendes Element und eine Pixelschaltung zum Antreiben des organischen lichtemittierenden Elements umfasst; wobei das organische lichtemittierende Element eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und ein organisches lichtemittierendes Material zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode umfasst; wobei die erste Elektrode des Subpixels elektrisch mit der Pixelschaltung verbunden ist; wobei die Pixelschaltung einen Treibertransistor umfasst; und dass das Anzeigesubstrat ferner eine aktive Halbleiterschicht und eine Pixeldefinitionsschicht umfasst, wobei die aktive Halbleiterschicht Kanäle und Source- und Drain-Bereiche der Treibertransistoren der einzelnen Subpixel umfasst; wobei die Pixeldefinitionsschicht mit Pixelöffnungen versehen ist, die den Subpixeln eins zu eins entsprechen; wobei sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt, sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt, und sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt; oder wobei sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel auf dem Basissubstrat mit einer orthographischen Projektion des Kanals seines Treibertransistors auf dem Basissubstrat überlappt, sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung von mindestens einem Subpixel der zweiten Farbe in einer ersten Richtung mit einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung und einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung überlappt, und sich eine orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe in einer zweiten Richtung nicht mit einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe in der zweiten Richtung oder einer orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe in der zweiten Richtung überlappt, wobei sich die erste Richtung mit der zweiten Richtung schneidet.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt, sich die orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt, und sich die orthographische Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Subpixel in mehrere Pixelgruppen unterteilt sind, wobei jede der Pixelgruppen Subpixel der ersten Farbe, Subpixel der zweiten Farbe und Subpixel der dritten Farbe umfasst; wobei mindestens eine der Pixelgruppen zwei Zeilen von Subpixeln umfasst, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, wobei eine Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, die Subpixel der ersten Farbe und die Subpixel der dritten Farbe umfasst, die abwechselnd angeordnet sind, und die andere Zeile von Subpixeln, die entlang der ersten Richtung angeordnet sind, die Subpixel der zweiten Farbe umfasst.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einer der Pixelgruppen sich die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat nicht mit einer orthographischen Projektion einer Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat überlappt, oder sich die orthographische Projektion der jedem der Subpixel entsprechenden Pixelöffnung auf dem Basissubstrat mit der orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors eines der Subpixel auf dem Basissubstrat überlappt, wobei das Verhältnis einer Fläche des überlappenden Bereichs zu einer Fläche der Gate-Elektrode nicht mehr als 10% beträgt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner mit mehreren Abtastsignalleitungen versehen ist, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen; wobei in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung sich ein Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung von einem Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung unterscheidet.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einer Pixelgruppe in der zweiten Richtung der Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe zur Abtastsignalleitung größer ist als der Abstand vom Kanal des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe zur Abtastsignalleitung.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner mit Abtastsignalleitungen versehen ist, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen; wobei in mindestens einer Pixelgruppe sich eine orthographische Projektion der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung mit einer orthographischen Projektion der Gate-Elektrode des Treibertransistors des Subpixels in der zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zur ersten Richtung verläuft.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner mit Abtastsignalleitungen versehen ist, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Subpixel bereitzustellen; wobei die Abtastsignalleitung einen Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt und einen Vorsprungabschnitt umfasst, der von einer Seite des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts hervorsteht; wobei der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt eine erste Sub-Abtastleitung, eine zweite Sub-Abtastleitung und einen Verbindungsabschnitt umfasst, wobei die erste Sub-Abtastleitung über den Verbindungsabschnitt mit der zweiten Sub-Abtastleitung verbunden ist; wobei die erste Sub-Abtastleitung mit der Pixelschaltung des Subpixels der ersten Farbe verbunden ist und die zweite Sub-Abtastleitung mit der Pixelschaltung des Subpixels der zweiten Farbe verbunden ist; wobei sich die Erstreckungsrichtung eines Teils des Verbindungsabschnitts mit der Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung schneidet; und dass die Pixelschaltung einen Kompensationstransistor umfasst, wobei der Kompensationstransistor eine erste Gate-Elektrode und eine zweite Gate-Elektrode umfasst; wobei in dem Kompensationstransistor die erste Gate-Elektrode ein Teil des Verbindungsabschnitts ist, der sich mit einer orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt, und die zweite Gate-Elektrode ein Teil des Vorsprungabschnitts ist, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsabschnitt einen ersten Sub-Verbindungsabschnitt, einen zweiten Sub-Verbindungsabschnitt und einen dritten Sub-Verbindungsabschnitt umfasst, die nacheinander miteinander verbunden sind, wobei sich die Erstreckungsrichtung des ersten Sub-Verbindungsabschnitts bzw. des dritten Sub-Verbindungsabschnitts mit der Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung schneidet und die Erstreckungsrichtung des zweiten Sub-Verbindungsabschnitts gleich wie die Erstreckungsrichtung der ersten Sub-Abtastleitung ist; wobei die erste Gate-Elektrode ein Teil des zweiten Sub-Verbindungsabschnitts ist, der sich mit der orthographischen Projektion der aktiven Halbleiterschicht auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Halbleiterschicht einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt, einen dritten Abschnitt und einen vierten Abschnitt umfasst, die nacheinander miteinander verbunden sind; wobei sich der zweite Abschnitt, der vierte Abschnitt und der Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitt entlang der ersten Richtung erstrecken, und sich der erste Abschnitt und der dritte Abschnitt entlang der zweiten Richtung erstrecken, wobei sich die zweite Richtung mit der ersten Richtung schneidet; und dass das Anzeigesubstrat ferner eine Rücksetzsteuersignalleitung umfasst, die sich entlang der ersten Richtung erstreckt und in derselben Schicht wie die Abtastsignalleitung angeordnet ist; und dass die Pixelschaltung einen Rücksetztransistor umfasst, wobei der Rücksetztransistor eine Gate-Elektrode umfasst; wobei die zweite Gate-Elektrode ein Teil des Vorsprungabschnitts ist, der sich mit einer orthographischen Projektion des vierten Abschnitts auf dem Basissubstrat überlappt; und wobei die Gate-Elektrode des Rücksetztransistors einen Teil der Rücksetzsteuersignalleitung umfasst, der sich mit einer orthographischen Projektion des ersten Abschnitts auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Pixelschaltung ferner einen Schwellenwertkompensationstransistor umfasst, wobei der Schwellenwertkompensationstransistor eine Gate-Elektrode umfasst; und dass das Anzeigesubstrat ferner eine Verbindungsstruktur umfasst, wobei ein Ende der Verbindungsstruktur mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors verbunden ist und das andere Ende der Verbindungsstruktur mit Source- und Drain-Bereichen des Schwellenwertkompensationstransistors verbunden ist; wobei die Verbindungsstruktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil umfasst, der mit dem ersten Teil verbunden ist, wobei sich eine orthographische Projektion des ersten Teils auf dem Basissubstrat und eine orthographische Projektion des Vorsprungabschnitts auf dem Basissubstrat auf derselben Seite wie eine orthographische Projektion des Abtastsignalleitungs-Hauptkörperabschnitts auf dem Basissubstrat befinden; und wobei eine Länge des ersten Teils in der zweiten Richtung größer ist als eine Länge des Vorsprungabschnitts in der zweiten Richtung.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Größe der Verbindungsstruktur in der zweiten Richtung im Bereich von 35 µm bis 70 µm liegt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner mit mehreren Abtastsignalleitungen und Rücksetzsteuersignalleitungen versehen ist, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen, und wobei die Rücksetzsteuersignalleitungen konfiguriert sind, um Rücksetzsteuersignale für die Pixelgruppen bereitzustellen; wobei sich eine orthographische Projektion der ersten Elektrode von mindestens einem der Subpixel der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat mit einer orthographischen Projektion der Rücksetzsteuersignalleitung auf dem Basissubstrat und einer orthographischen Projektion der Abtastsignalleitung auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion der Pixelöffnung des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat nicht mit einer der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der ersten Farbe auf dem Basissubstrat, der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der zweiten Farbe auf dem Basissubstrat und der orthographischen Projektion des Kanals des Treibertransistors des Subpixels der dritten Farbe auf dem Basissubstrat überlappt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner mit Abtastsignalleitungen versehen ist, wobei die Abtastsignalleitungen konfiguriert sind, um Abtastsignale für die Pixelgruppen bereitzustellen; wobei ein Abstand zwischen dem Kanal des Treibertransistors des Subpixels und der Abtastsignalleitung in der zweiten Richtung im Bereich von 1 µm bis 50 µm liegt.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Pixelschaltung ferner einen Kondensator umfasst, wobei der Kondensator eine erste Polplatte und eine zweite Polplatte umfasst, die sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Polplatte befindet; wobei eine Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der zweiten Farbe größer ist als eine Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der ersten Farbe, und die Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der zweiten Farbe größer ist als eine Fläche der zweiten Polplatte des Subpixels der dritten Farbe.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner eine erste Stromversorgungsleitung und eine zweite Stromversorgungsleitung umfasst, die sich auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Stromversorgungsleitung befindet; wobei die erste Stromversorgungsleitung und die zweite Stromversorgungsleitung konfiguriert sind, um Stromversorgungssignale für die Pixelschaltung bereitzustellen; und wobei die erste Stromversorgungsleitung elektrisch mit der zweiten Stromversorgungsleitung verbunden ist; wobei die zweite Stromversorgungsleitung eine erste Sub-Stromversorgungsleitung, die sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und eine zweite Sub-Stromversorgungsleitung, die sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, umfasst, wobei sich die erste Sub-Stromversorgungsleitung mit der zweiten Sub-Stromversorgungsleitung schneidet.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Pixelschaltung ferner einen Lichtemissions-Steuertransistor und eine Elektrodenverbindungsstruktur umfasst, wobei die Elektrodenverbindungsstruktur die erste Elektrode des Subpixels elektrisch mit Source- und Drain-Bereichen des Lichtemissions-Steuertransistors verbindet; wobei Flächen der Elektrodenverbindungsstrukturen von mindestens zwei der Subpixel unterschiedlich sind.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrodenverbindungsstruktur zumindest eine erste Sub-Elektrodenverbindungsstruktur und eine zweite Sub-Elektrodenverbindungsstruktur umfasst, die auf einer dem Basissubstrat abgewandten Seite der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur befindet; wobei Flächen der ersten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur und/oder der zweiten Sub-Elektrodenverbindungsstruktur von mindestens zwei der Subpixel unterschiedlich sind.
Anzeigesubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Anzeigesubstrat ferner eine Abschirmleitung und eine Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung umfasst, wobei die Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung konfiguriert ist, um Rücksetz-Stromversorgungssignale für die Subpixel bereitzustellen; wobei die Abschirmleitung elektrisch mit der Rücksetz-Stromversorgungssignalleitung verbunden ist.
Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine Größe des Subpixels der ersten Farbe in der ersten Richtung im Bereich von 35 µm bis 110 µm liegt und dessen Größe in der zweiten Richtung im Bereich von 20 µm bis 60 µm liegt; eine Größe des Subpixels der zweiten Farbe in der ersten Richtung im Bereich von 35 µm bis 120 µm liegt und dessen Größe in der zweiten Richtung im Bereich von 20 µm bis 80 µm liegt; und eine Größe des Subpixels der dritten Farbe in der ersten Richtung im Bereich von 35 µm bis 70 µm liegt und dessen Größe in der zweiten Richtung im Bereich von 20 µm bis 60 µm liegt.
Anzeigefeld, gekennzeichnet durch ein Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 21.
Anzeigevorrichtung, gekennzeichnet durch ein Anzeigefeld nach Anspruch 22.