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HINTERGRUND
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1. Technisches Gebiet
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die einen Lichtextraktionswirkungsgrad verbessern kann.
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2. Diskussion des verwandten Gebiets
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In letzter Zeit sind Flachbildschirmanzeigen mit ausgezeichneten Eigenschaften wie etwa, dass sie dünn sind, dass sie leicht sind und dass sie einen niedrigen Leistungsverbrauch aufweisen, umfassend entwickelt und auf verschiedene Gebiete angewendet worden.
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Unter den Flachbildschirmanzeigen ist eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung eine Vorrichtung, in der in eine Emissionsschicht, die zwischen einer Katode, die eine Elektronen injizierende Elektrode ist, und einer Anode, die eine Löcher injizierende Elektrode ist, gebildet ist, eine Ladung injiziert wird, so dass durch Elektronen und Löcher Excitonen gebildet werden und daraufhin eine Strahlungsrekombination der Excitonen auftritt, so dass Licht emittiert wird.
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Eine solche Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung besitzt Vorteile dahingehend, dass sie nicht nur sogar auf einem biegsamen Substrat wie etwa Kunststoff gebildet sein kann, sondern auch ein hohes Kontrastverhältnis aufweist, da sie von einem selbstemittierenden Typ ist, ein dynamisches Bild leicht verwirklichen kann, da sie eine Ansprechzeit von etwa mehreren Mikrosekunden (µs) aufweist, keine Beschränkung hinsichtlich des Betrachtungswinkels aufweist, selbst bei niedriger Temperatur stabil ist und mit einer verhältnismäßig niedrigen Gleichspannung von 5 V bis 15 V angesteuert werden kann, so dass eine Ansteuerschaltung leicht herzustellen und zu entwerfen ist.
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1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer herkömmlichen Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung.
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Wie in 1 dargestellt ist, enthält eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 1 ein Substrat 10, einen Dünnfilmtransistor Tr, der auf dem Substrat 10 angeordnet ist, und eine Leuchtdiode D, die über dem Substrat 10 angeordnet ist und mit dem Dünnfilmtransistor Tr verbunden ist, wobei über der Leuchtdiode D eine Kapselungsschicht (nicht gezeigt) angeordnet sein kann.
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Die Leuchtdiode D enthält eine erste Elektrode 41, eine Emissionsschicht 42 und eine zweite Elektrode 43, wobei Licht von der Emissionsschicht 42 durch die erste Elektrode 41 nach außen ausgegeben wird.
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Das Licht, das von der Emissionsschicht 42 emittiert wird, geht durch verschiedene Konfigurationen der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 1 und tritt aus der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 1 aus.
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Allerdings wird durch eine Oberflächenplasmonenkomponente, die bei einer Begrenzung zwischen einem Metall und der Emissionsschicht 42 erzeugt wird, eine Betriebsart eines optischen Wellenleiters konfiguriert, wobei die Emissionsschicht 42, die auf beiden Seiten in reflektierende Schichten eingefügt ist, für 60 bis 70 % des emittierten Lichts verantwortlich ist.
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Dementsprechend sind unter dem von der Emissionsschicht 42 emittierten Licht Lichtstrahlen vorhanden, die in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 1 eingefangen werden, anstatt aus der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 1 auszutreten. Somit gibt es ein Problem, dass der Lichtextraktionswirkungsgrad der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 1 verschlechtert ist.
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DE 10 2016 116 269 A1 betrifft eine OLED-Anzeigevorrichtung. Die OLED-Anzeigevorrichtung weist eine erste isolierende Schicht, die auf einem Substrat angeordnet ist und einen ersten Brechungsindex aufweist, eine Brechung-induzierende Schicht, die auf der ersten isolierenden Schicht angeordnet ist und einen zweiten Brechungsindex aufweist, eine zweite isolierende Schicht, die auf der Brechung-induzierenden Schicht angeordnet ist und einen dritten Brechungsindex aufweist, eine erste Elektrode, die auf der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist und einen vierten Brechungsindex aufweist, und eine organische lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode, die auf der ersten Elektrode angeordnet sind, auf. Die zweite isolierende Schicht, die erste Elektrode, die organische lichtemittierende Schicht und zweite Elektrode weisen eine Mehrzahl von konvexen Teilen und eine Mehrzahl von konkaven Teilen auf.
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US 2010/0176717 A1 betrifft eine OLED-Anzeigevorrichtung. Die OLED-Anzeigevorrichtung umfasst eine erste Isolierschicht, die auf einem Substrat gebildet ist; eine Vielzahl von Mustern, die auf der ersten Isolierschicht gebildet sind, wobei die Muster und die erste Isolierschicht zusammen eine Oberfläche mit einem gewellten Querschnitt bilden; eine erste Elektrode, die auf den Mustern und der ersten Isolierschicht gebildet ist, wobei die erste Elektrode eine Dicke aufweist, die geringer ist als eine Höhe der Muster; eine organische lichtemittierende Schicht, die auf der ersten Elektrode in einem lichtemittierenden Bereich gebildet ist; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen lichtemittierenden Schicht gebildet ist.
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US 2017/0213882 A1 betrifft eine Anzeigevorrichtung, umfassend ein Substrat, einen ersten isolierenden Film mit einem Vertiefungsabschnitt, eine erste Elektrode auf dem Vertiefungsabschnitt, einen zweiten isolierenden Film auf der ersten Elektrode, eine lichtemittierende Schicht, und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung zu schaffen, in der unter einer ersten Elektrode ein Muster mit geringem Brechungsindex (low refractive) angeordnet ist und auf einer geneigten Oberfläche der ersten Elektrode ein Lichtextraktionsmuster gebildet ist, so dass der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert ist.
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Die Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst. Durch die abhängigen Ansprüche sind bevorzugte Ausführungsformen gegeben.
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Zur Lösung der oben beschriebenen Aufgabe schafft die vorliegende Offenbarung eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die eine Überzugsschicht auf einem Substrat; mehrere Muster mit geringem Brechungsindex, die aus einem anorganischen Stoff gebildet sind und auf der Überzugsschicht angeordnet sind; eine erste Elektrode auf der Überzugsschicht und auf den mehreren Mustern mit geringem Brechungsindex; eine Dammschicht, die auf der Überzugsschicht und auf der ersten Elektrode angeordnet ist und die eine Öffnung enthält, die dafür konfiguriert ist, die erste Elektrode freizulegen; eine Emissionsschicht, die auf der ersten Elektrode angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die auf der Emissionsschicht angeordnet ist, enthält, wobei jedes der mehreren Muster mit geringem Brechungsindex eine erste flache Oberfläche, die die erste Elektrode berührt, eine zweite flache Oberfläche mit einer größeren Fläche als die erste flache Oberfläche und die die Überzugsschicht berührt, und eine erste und eine zweite geneigte Oberfläche, die die erste flache Oberfläche und die zweite flache Oberfläche verbinden, enthält, und wobei ein Brechungsindex jedes der mehreren Muster mit geringem Brechungsindex geringer als jene der Überzugsschicht und der ersten Elektrode ist.
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Die erste Elektrode ist entlang Formen der oberen Oberflächen der mehreren Muster mit geringem Brechungsindex und der Überzugsschicht angeordnet und enthält eine dritte und eine vierte geneigte Oberfläche, die der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche entsprechen.
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Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung umfasst ferner ein Lichtextraktionsmuster, das zwischen der dritten und der vierten geneigten Oberfläche und der Emissionsschicht angeordnet ist.
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Vorzugsweise liegt ein Winkel zwischen der zweiten flachen Oberfläche und sowohl der ersten als auch der zweiten geneigten Oberfläche in einem Bereich von etwa 20° bis 70°.
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Vorzugsweise sind die mehreren Muster mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet angeordnet.
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Vorzugsweise liegt ein Verhältnis einer Länge der ersten flachen Oberfläche zu einer Entfernung zwischen den mehreren Mustern mit geringem Brechungsindex in einem Bereich von etwa 0,3 bis 5.
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Vorzugsweise liegt ein Verhältnis einer Dicke der Überzugsschicht zu einer Dicke der mehreren Muster mit geringem Brechungsindex in einem Bereich von 0,3 bis 1.
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Vorzugsweise sind das Lichtextraktionsmuster und die Dammschicht aus demselben Material gebildet.
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Vorzugsweise sind die Emissionsschicht und die zweite Elektrode entlang Formen der oberen Oberflächen der ersten Elektrode und des Lichtextraktionsmusters angeordnet.
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Selbstverständlich sind sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung Beispiele und erläuternd und sollen sie eine weitere Erläuterung der wie beanspruchten Erfindung geben.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu schaffen, und die in diese Patentschrift integriert sind und einen Bestandteil von ihr bilden, stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
- 1 ist eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung schematisch darstellt.
- 2 ist ein Stromlaufplan, der einen einzelnen Subpixelbereich einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
- 3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
- 4 ist eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts A aus 3.
- 5 ist eine Ansicht, die einen optischen Weg der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
- 6A bis 6D sind Draufsichten, die Muster mit geringem Brechungsindex der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsfoim der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellen.
- 7A bis 7C sind Ansichten, die optische Wege in Übereinstimmung mit einem zwischen einer zweiten flachen Oberfläche und einer ersten und einer zweiten geneigten Oberfläche der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gebildeten Winkel in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellen.
- 8A bis 8C sind Ansichten, die optische Wege in Übereinstimmung mit einem Verhältnis einer Länge einer ersten flachen Oberfläche zu einer Entfernung zwischen den mehreren Mustern mit geringem Brechungsindex der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellen.
- 9A bis 9C sind Ansichten, die optische Wege in Übereinstimmung mit einem Verhältnis einer Dicke einer Überzugsschicht zu einer Dicke der mehreren Muster mit geringem Brechungsindex der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellen.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
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2 ist ein Stromlaufplan, der einen einzelnen Subpixelbereich einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
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Wie in 2 dargestellt ist, enthält die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Gate-Leitung GL und eine Datenleitung DL, die sich schneiden und die einen Subpixelbereich SP bilden, wobei in jedem Pixelbereich P ein Schaltdünnfilmtransistor Ts, ein Ansteuerdünnfilmtransistor Td, ein Speicherkondensator Cst und eine Leuchtdiode D gebildet sind.
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Genauer ist eine Gate-Elektrode des Schaltdünnfilmtransistors Ts mit der Gate-Leitung GL verbunden und ist eine Source-Elektrode mit der Datenleitung DL verbunden. Eine Gate-Elektrode des Ansteuerdünnfilmtransistors Td ist mit einer Drain-Elektrode des Schaltdünnfilmtransistors Ts verbunden und eine Source-Elektrode ist mit einer Spannung VDD auf hohem Potential verbunden. Eine Anode der Leuchtdiode D ist mit der Source-Elektrode des Ansteuerdünnfilmtransistors Td verbunden und eine Katode ist mit einer Spannung VSS auf niedrigem Potential verbunden. Der Speicherkondensator Cst ist mit der Gate-Elektrode und mit der Source-Elektrode des Ansteuerdünnfilmtransistors Td verbunden.
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In einer Bildanzeigeoperation einer solchen Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung wird der Schaltdünnfilmtransistor Ts in Übereinstimmung mit einem durch die Gate-Leitung GL angelegten Gate-Signal eingeschaltet, wobei in diesem Fall ein an die Datenleitung DL angelegtes Datensignal über den Schaltdünnfilmtransistor Ts an die Gate-Elektrode des Ansteuerdünnfilmtransistors Td und an eine Elektrode des Speicherkondensators Cst angelegt wird.
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Der Ansteuerdünnfilmtransistor Td wird in Übereinstimmung mit dem Datensignal eingeschaltet und steuert einen Strom, der in der Leuchtdiode D fließt, um ein Bild anzuzeigen. Die Leuchtdiode D emittiert wegen eines Stroms der Spannung VDD auf hohem Potential, der über den Ansteuerdünnfilmtransistor Td geleitet wird, Licht.
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Das heißt, da ein Betrag des Stroms, der in der Leuchtdiode D fließt, proportional zu einer Amplitude des Datensignals ist, und da eine Intensität des durch die Leuchtdiode D emittierten Lichts proportional zu dem Betrag des in der Leuchtdiode D fließenden Stroms ist, zeigt der Pixelbereich P eine Graustufe an, die sich in Übereinstimmung mit der Amplitude des Datensignals unterscheidet, und zeigt die Elektrolumineszenzanzeigevonichtung im Ergebnis ein Bild an.
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Der Speicherkondensator Cst dient dazu, eine Ladung, die dem Datensignal entspricht, während eines Einzelbilds aufrechtzuerhalten, um zu veranlassen, dass ein Betrag des in der Leuchtdiode D fließenden Stroms konstant ist, und um eine Graustufe, die die Leuchtdiode D anzeigt, konstant zu halten.
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Ferner können in dem Subpixelbereich SP außer dem Schalt- und dem Ansteuerdünnfilmtransistor Ts und Td und dem Speicherkondensator Cst ein anderer Transistor und/oder Kondensator hinzugefügt sein.
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3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
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Wie in 3 dargestellt ist, enthält eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, einen Dünnfilmtransistor 120, ein Farbfiltermuster 150, eine Überzugsschicht 160 und eine Leuchtdiode D, die mit dem Dünnfilmtransistor 120 elektrisch verbunden ist.
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Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist als ein Unterseitenemissionstyp dargestellt, in dem Licht von einer Emissionsschicht 142 durch eine erste Elektrode 141 nach außen ausgegeben wird, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Das heißt, die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ebenfalls ein Oberseitenemissionstyp sein, in dem das Farbfiltermuster 150 dem Substrat 110 gegenüberliegend angeordnet ist und Licht von der Emissionsschicht 142 durch eine zweite Elektrode 143 nach außen ausgegeben wird.
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Wenn die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 der Oberseitenemissionstyp ist, kann ferner unter der ersten Elektrode 141 eine reflektierende Elektrode oder eine reflektierende Schicht gebildet sein. Die reflektierende Elektrode oder die reflektierende Schicht kann z. B. aus einer Aluminium-Palladium-Kupfer-Legierung (APC-Legierung) gebildet sein. In diesem Fall kann die zweite Elektrode 143 eine verhältnismäßig kleine Dicke aufweisen, damit Licht durch sie durchgeht.
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Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann auf dem Substrat 110 einen Dünnfilmtransistor 120 enthalten, der eine Gate-Elektrode 121, eine aktive Schicht 122, eine Source-Elektrode 123 und eine Drain-Elektrode 124 enthält.
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Genauer können die Gate-Elektrode 121 des Dünnfilmtransistors 120 und ein Gate-Isolierfilm 131 auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
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Die aktive Schicht 122, die die Gate-Elektrode 121 überlappt, kann auf dem Gate-Isolierfilm 131 angeordnet sein.
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Auf der aktiven Schicht 122 kann eine Ätzsperre 132 angeordnet sein, um einen Kanalbereich der aktiven Schicht 122 zu schützen.
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Auf der aktiven Schicht 122 können die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 angeordnet sein, die mit der aktiven Schicht 122 in Kontakt gelangen.
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Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100, auf die die Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung anwendbar ist, ist nicht auf die in 3 dargestellte beschränkt. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 kann ferner eine Pufferschicht enthalten, die zwischen dem Substrat 110 und der aktiven Schicht 122 angeordnet ist, und die Ätzsperre 132 kann darauf nicht angeordnet sein.
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Zur Zweckmäßigkeit der Beschreibung ist unter verschiedenen Dünnfilmtransistoren, die in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 enthalten sein können, nur der Ansteuerdünnfilmtransistor dargestellt. Obwohl die Dünnfihntransistoren 120 als mit einer umgekehrt gestapelten Struktur oder mit einer Unterseiten-Gatter-Struktur beschrieben werden, in der die Gate-Elektrode 121 in Bezug auf die aktive Schicht 122 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 gegenüberliegend angeordnet ist, ist dies lediglich ein Beispiel und kann ebenfalls ein Dünnfilmtransistor verwendet werden, der eine koplanare Struktur oder eine Oberseiten-Gate-Struktur aufweist, in der die Gate-Elektrode 121 in Bezug auf die aktive Schicht 122 kollinear mit der Source-Elektrode 123 und mit der Drain-Elektrode 124 angeordnet ist.
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Auf der Drain-Elektrode 124 und auf der Source-Elektrode 123 kann eine Schutzschicht 133 angeordnet sein und auf der Schutzschicht 133 kann das Farbfiltermuster 150 angeordnet sein.
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Obwohl die Schutzschicht 133 in der Weise dargestellt ist, dass sie einen oberen Abschnitt des Dünnfilmtransistors 120 glättet, kann die Schutzschicht 133 in diesem Fall ebenfalls entlang der Formen der Oberflächen der Konfigurationen, die sich unter der Schutzschicht 133 befinden, angeordnet sein, anstatt den oberen Abschnitt des Dünnfilmtransistors 120 zu glätten.
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Das Farbfiltermuster 150 ist dafür konfiguriert, Licht, das von der Emissionsschicht 142 emittiert wird, in Übereinstimmung mit einer Wellenlänge selektiv durchzulassen, und kann ein rotes Farbfiltermuster oder ein grünes Farbfiltermuster oder ein blaues Farbfiltermuster sein.
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Das Farbfiltermuster 150 kann auf der Schutzschicht 133 an Stellen, die einem Emissionsbereich EA entsprechen, angeordnet sein und kann nur in Abschnitten des Emissionsbereichs EA angeordnet sein.
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Der Emissionsbereich EA bezieht sich auf einen Bereich, in dem die Emissionsschicht 142 wegen der ersten Elektrode 141 und der zweiten Elektrode 143 Licht emittiert, wobei die Tatsache, dass das Farbfiltermuster 150 an einer Stelle angeordnet ist, die dem Emissionsbereich EA entspricht, bedeutet, dass das Farbfiltermuster 150 so angeordnet ist, dass es eine Unschärfeerzeugungserscheinung und eine Geisterbilderscheinung, die wegen Mischen des von benachbarten Emissionbereichen EA emittierten Lichts verursacht werden, verhindert.
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Das Farbfiltermuster 150 kann z. B. in der Weise angeordnet sein, dass es den Emissionsbereich EA überlappt und eine kleinere oder gleiche Größe wie der Emissionsbereich EA aufweist.
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Allerdings können die Anordnungsstelle und die Größe des Farbfiltermusters 150 durch verschiedene Faktoren wie etwa eine Entfernung zwischen dem Farbfiltermuster 150 und der ersten Elektrode 141, eine Entfernung zwischen dem Farbfiltermuster 150 und der Überzugsschicht 160 und eine Entfernung zwischen einem Emissionsbereich EA und einem Nichtemissionsbereich sowie durch die Größe und die Stelle des Emissionsbereichs bestimmt sein.
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Ein Pixel der vorliegenden Offenbarung kann ein oder mehrere Subpixel enthalten. Zum Beispiel kann ein einzelnes Pixel zwei bis vier Subpixel enthalten.
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Subpixel bezieht sich auf eine Einheit, in der ein spezifischer Typ des Farbfiltermusters 150 gebildet ist oder in der die Leuchtdiode D eine bestimmte Farbe emittieren kann, ohne dass das Farbfiltermuster 150 gebildet ist.
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Die in einem Subpixel definierten Farben enthalten Rot, Grün, Blau und optional Weiß, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die Überzugsschicht 160 kann auf dem Farbfiltermuster 150 und auf der Schutzschicht 133 angeordnet sein.
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Die Schutzschicht 133 kann weggelassen sein. Das heißt, die Überzugsschicht 160 kann auf dem Dünnfilmtransistor 120 angeordnet sein.
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Das Farbfiltermuster 150 ist in der Weise dargestellt, dass es auf der Schutzschicht 133 angeordnet ist, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind. Das Farbfiltermuster 150 kann an irgendeiner Stelle zwischen der Überzugsschicht 160 und dem Substrat 110 angeordnet sein.
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Die Überzugsschicht 160 kann aus einem organischen Material mit einem Brechungsindex in einem Bereich von etwa 1,5 bis 1,55 gebildet sein, wobei Ausführungsfonnen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Auf der Überzugsschicht 160 kann eine Leuchtdiode D angeordnet sein, die mehrere Muster LP mit geringem Brechungsindex, die erste Elektrode 141, ein Lichtextraktionsmuster EP, die Emissionsschicht 142 und die zweite Elektrode 143 enthält.
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Die Leuchtdiode D der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsfonn der vorliegenden Offenbarung kann einen ersten flachen Abschnitt F1 und einen zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, und einen Verbindungsabschnitt CP, der dafür konfiguriert ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2 zu verbinden, enthalten.
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Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex enthalten, die auf der Überzugsschicht 160 angeordnet sind.
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Die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex können voneinander beabstandet angeordnet sein. Folglich kann die Überzugsschicht 160 in einem Bereich, in dem die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet sind, freiliegen.
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Jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann einen trapezförmigen Querschnitt aufweisen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Ein Brechungsindex jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann niedriger als jene der Überzugsschicht 160 und der ersten Elektrode 141 sein.
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Ein Brechungsindex jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann in einem Bereich von 1,3 bis 1,49 liegen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann aus einem anorganischen Stoff gebildet sein. Zum Beispiel kann jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex aus Siliciumoxid (SiO2) gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die erste Elektrode 141 kann auf den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex und auf der Überzugsschicht 160 angeordnet sein.
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Die erste Elektrode 141 kann in einer Form angeordnet sein, die der Morphologie der oberen Oberflächen der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex und der Überzugsschicht 160 folgt.
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Das heißt, in der ersten Elektrode 141 können abwechselnd flache Oberflächen mit unterschiedlichen Höhen in Übereinstimmung mit den oberen Oberflächen der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex und mit der oberen Oberfläche der Überzugsschicht 160 angeordnet sein und kann eine geneigte Oberfläche angeordnet sein, die dafür konfiguriert ist, die flachen Oberflächen mit unterschiedlichen Höhen zu verbinden.
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Um eine Ausbreitung des Ausgasens von der Überzugsschicht 160 zu der Leuchtdiode D zu sperren, kann zwischen der Überzugsschicht 160 und der ersten Elektrode 141 eine zweite Schutzschicht (nicht gezeigt) angeordnet sein, die eine isolierende Eigenschaft aufweist.
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In diesem Fall kann die erste Elektrode 141 eine Anode oder eine Katode sein, um der Emissionsschicht 142 Elektronen oder Löcher zuzuführen.
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Als ein Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem die erste Elektrode 141 der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anode ist.
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Die erste Elektrode 141 kann ein amorphes Metalloxid enthalten. Das amorphe Metalloxid kann z. B. irgendeines enthalten, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Indiumzinkoxid (IZO), Zinkzinnoxid (ZTO), Zinnoxid (ZnO2), Zinkoxid (ZnO), Indiumoxid (In2O3), Galliumindiumzinnoxid (GITO), Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), Zinkindiumzinnoxid (ZITO), Indiumgalliumoxid (IGO), Galliumoxid (Ga2O3), Aluminiumzinkoxid (AZO) und Galliumzinkoxid (GZO) besteht.
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Die erste Elektrode 141 kann durch ein in der Überzugsschicht 160 gebildetes Kontaktloch mit der Source-Elektrode 123 des Dünnfilmtransistors 120 verbunden sein und kann in jedem Pixelbereich getrennt gebildet sein.
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Obwohl die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Verwendung eines Beispiels beschrieben worden ist, das annimmt, dass der Dünnfilmtransistor 120 ein N-Dünnfilmtransistor ist, in dem die erste Elektrode 141 mit der Source-Elektrode 123 verbunden ist, sind Ausführungsformen darauf nicht beschränkt.
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Wenn der Dünnfilmtransistor 120 ein P-Dünnfilmtransistor ist, kann die erste Elektrode 141 ebenfalls mit der Drain-Elektrode 124 verbunden sein.
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Die erste Elektrode 141 kann ebenfalls dadurch mit der Emissionsschicht 142 elektrisch verbunden sein, dass sie mit der Emissionsschicht 142 mit einem leitfähigen Material dazwischen in Kontakt gelangt.
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Die erste Elektrode 141 kann einen Brechungsindex von etwa 1,8 oder höher aufweisen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Auf der Überzugsschicht 160 und auf der ersten Elektrode 141 kann eine Dammschicht 136 angeordnet sein.
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Die Dammschicht 136 kann eine Öffnung 136a enthalten, die dafür konfiguriert ist, die erste Elektrode 141 freizulegen.
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Die Dammschicht 136 kann zwischen benachbarten Pixelbereichen (oder Subpixelbereichen) angeordnet sein und dazu dienen, die benachbarten Pixelbereiche (oder Subpixelbereiche) zu unterscheiden.
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Die Dammschicht 136 kann aus einem organischen Fotoacrylmaterial mit einem Brechungsindex von etwa 1,6 oder geringer gebildet sein, wobei Ausführungsfonnen darauf aber nicht beschränkt sind.
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In der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Lichtextraktionsmuster EP angeordnet sein, das einer geneigten Oberfläche der ersten Elektrode 141 entspricht.
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Das heißt, das Lichtextraktionsmuster EP kann unter einer vorgegebenen Neigung angeordnet sein, die der geneigten Oberfläche der ersten Elektrode 141 entspricht.
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Das Lichtextraktionsmuster EP kann aus demselben Material wie die Dammschicht 136 gebildet sein.
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Das heißt, da das Lichtextraktionsmuster EP auf der geneigten Oberfläche der ersten Elektrode 141 unter Verwendung eines Prozesses zum Bilden der Dammschicht 136 ohne einen getrennten Prozess gebildet werden kann, ist kein getrennter Prozess erforderlich. Zum Beispiel können die Dammschicht 136 und das Lichtextraktionsmuster EP unter Verwendung einer transflektiven Maske gebildet werden.
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Dadurch, dass das Lichtextraktionsmuster EP bei der geneigten Oberfläche der ersten Elektrode 141 angeordnet ist, wird eine Emission von dem ersten und von dem zweiten flachen Abschnitt F1 und F2 ausschließlich des Verbindungsabschnitt CP der Leuchtdiode D erzeugt, während ermöglicht wird, dass von dem ersten und von dem zweiten flachen Abschnitt F1 und F2 ausgegebenes Licht effizient nach außen ausgegeben wird.
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Die Emissionsschicht 142 kann auf der ersten Elektrode 141 und auf dem Lichtextraktionsmuster EP angeordnet sein.
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Die Emissionsschicht 142 kann eine Tandemweißstruktur aufweisen, in der mehrere Emissionsschichten gestapelt sind, um weißes Licht zu emittieren.
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Die Emissionsschicht 142 kann z. B. eine erste Emissionsschicht, die dafür konfiguriert ist, blaues Licht zu emittieren, und eine zweite Emissionsschicht, die auf der ersten Emissionsschicht angeordnet ist und dafür konfiguriert ist, Licht mit einer Farbe, die weiß wird, wenn sie mit blau gemischt wird, zu emittieren, enthalten.
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Die zweite Emissionsschicht kann eine Emissionsschicht sein, die dafür konfiguriert ist, gelbgrünes Licht zu emittieren.
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Die Emissionsschicht 142 kann nur Emissionsschichten enthalten, die blaues Licht oder rotes Licht oder grünes Licht emittieren. In diesem Fall kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 das Farbfiltermuster 150 nicht enthalten.
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Außerdem kann die Emissionsschicht 142 entlang der Form angeordnet sein, die der Morphologie der ersten Elektrode 141 und des Lichtextraktionsmusters EP folgt.
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Die Emissionsschicht 142 kann aus einem organischen Stoff mit einem Brechungsindex von etwa 1,8 oder höher gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die zweite Elektrode 143 zum Zuführen von Elektronen oder Löchern zu der Emissionsschicht 142 kann auf der Emissionsschicht 142 angeordnet sein.
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In diesem Fall kann die zweite Elektrode 143 eine Anode oder eine Katode sein.
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Als Beispiel wird ein Fall beschrieben, in dem die zweite Elektrode 143 der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Katode ist.
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Die zweite Elektrode 143 kann aus einem leitfähigen Material gebildet sein, dessen Austrittsarbeitswert verhältnismäßig klein ist, das sich auf einer vorderen Oberfläche des Anzeigebereichs befindet. Die zweite Elektrode 143 kann z. B. aus Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung davon gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die zweite Elektrode 143 kann in der Form angeordnet sein, die der Morphologie der Emissionsschicht 142 folgt.
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Wie oben beschrieben ist, bilden die Muster LP mit geringem Brechungsindex, die erste Elektrode 141, das Lichtextraktionsmuster EP, die Emissionsschicht 142 und die zweite Elektrode 143 die Leuchtdiode D.
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Das heißt, die Leuchtdiode D kann den ersten flachen Abschnitt F1, der den Mustern LP mit geringem Brechungsindex in Übereinstimmung mit den Mustern LP mit geringem Brechungsindex, die voneinander beabstandet sind, entspricht, den zweiten flachen Abschnitt F2, der einem Bereich, in dem die Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet sind, (einem Bereich, in dem die Überzugsschicht freiliegt) entspricht, und den Verbindungsabschnitt CP, der dafür konfiguriert ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2 zu verbinden, enthalten, wobei das Lichtextraktionsmuster EP zwischen der Emissionsschicht 142 des Verbindungsabschnitts CP der Leuchtdiode D und der ersten Elektrode 141 angeordnet sein kann.
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Da die Leuchtdiode D der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie oben beschrieben ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, und den Verbindungsabschnitt CP, bei dem das Lichtextraktionsmuster EP freiliegt, aufweist, kann eine Menge des emittierten Lichts erhöht sein und kann ein optischer Weg des Lichts, das eingefangen wird, ohne nach außen ausgegeben zu werden, geändert sein, um zu ermöglichen, dass das Licht nach außen ausgegeben wird. Auf diese Weise kann der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert sein.
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Im Folgenden wird der optische Weg der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausführlicher beschrieben.
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4 ist eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts A aus 3.
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Wie in 4 dargestellt ist, kann auf der Überzugsschicht 160 eine Leuchtdiode D angeordnet sein, die mehrere Muster LP mit geringem Brechungsindex, eine erste Elektrode 141, einen Lichtextraktionsabschnitt EP, eine Emissionsschicht 142 und eine zweite Elektrode 143 enthält.
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Die Leuchtdiode D der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann einen ersten flachen Abschnitt F1 und einen zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, und einen Verbindungsabschnitt CP, der dafür konfiguriert ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2 zu verbinden, enthalten.
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Jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann eine erste flache Oberfläche S1, die mit der ersten Elektrode 141 in Kontakt gelangt, eine zweite flache Oberfläche S2, die mit der Überzugsschicht 160 in Kontakt gelangt, und eine erste und eine zweite geneigte Oberfläche S3 und S4, die dafür konfiguriert sind, die erste flache Oberfläche S1 und die zweite flache Oberfläche S2 zu verbinden, enthalten.
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Ein Bereich der zweiten flachen Oberfläche S2 kann größer als ein Bereich der ersten flachen Oberfläche S1 sein.
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Ein Winkel θ, der zwischen der zweiten flachen Oberfläche S2 und der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 gebildet ist, kann ein spitzer Winkel sein.
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Der spitze Winkel kann in einem Bereich von 20° bis 70° liegen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Das heißt, jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann einen trapezförmigen Querschnitt aufweisen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex können in einer vorgegebenen Entfernung G angeordnet sein.
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Folglich kann die Überzugsschicht 160 in einem Bereich, in dem die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet sind, freiliegen.
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Ein Verhältnis d/G einer Länge d der ersten flachen Oberfläche S1 zu der Entfernung G zwischen den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex kann in einem Bereich von 0,3 bis 5 liegen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Ein Verhältnis einer Dicke H1 der Überzugsschicht 160 zu einer Dicke H2 der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann in einem Bereich von 1 bis 3 liegen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die Dicke H2 der Muster LP mit geringem Brechungsindex bezieht sich auf eine Entfernung zwischen der ersten flachen Oberfläche S1 und der zweiten flachen Oberfläche S2.
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Ein Brechungsindex jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann niedriger als jene der Überzugsschicht 160 und der ersten Elektrode 141 sein.
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Ein Brechungsindex jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann in einem Bereich von 1,3 bis 1,49 liegen, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann aus einem anorganischen Stoff gebildet sein. Zum Beispiel kann jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex aus SiO2 gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die Überzugsschicht 160 kann aus einem organischen Material mit einem Brechungsindex in einem Bereich von etwa 1,5 bis 1,55 gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die erste Elektrode 141 kann auf den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex und auf der Überzugsschicht 160 angeordnet sein.
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Die erste Elektrode 141 kann aus einem amorphen Metalloxid mit einem Brechungsindex von etwa 1,8 oder höher gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die erste Elektrode 141 kann in der Form angeordnet sein, die der Morphologie der oberen Oberflächen der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex und der Überzugsschicht 160 folgt.
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Das heißt, die erste Elektrode 141 kann so angeordnet sein, dass sie die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex und die Überzugsschicht 160 bedeckt.
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Dementsprechend kann die erste Elektrode 141 flache Oberflächen aufweisen, deren Höhen sich entsprechend der ersten flachen Oberfläche S1 der Muster LP mit geringem Brechungsindex und der oberen Oberfläche der Überzugsschicht 160, die innerhalb der Entfernung G zwischen den Mustern LP mit geringem Brechungsindex freiliegt, unterscheiden.
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In der ersten Elektrode 141 können eine dritte und eine vierte geneigte Oberfläche 141a und 141b gebildet sein, die der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 der Muster LP mit geringem Brechungsindex entsprechen.
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Das heißt, in der ersten Elektrode 141 können abwechselnd flache Oberflächen mit unterschiedlichen Höhen in Übereinstimmung mit den Formen der ersten flachen Oberfläche S1 der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex und der oberen Oberfläche der Überzugsschicht 160 angeordnet sein und können die dritte und die vierte geneigte Oberfläche 141a, 141b, die dafür konfiguriert sind, die flachen Oberflächen mit unterschiedlichen Höhen zu verbinden, angeordnet sein.
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Insbesondere kann in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf der dritten und auf der vierten geneigten Oberfläche 141a und 141b der ersten Elektrode 141 ein Lichtextraktionsmuster EP angeordnet sein.
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Das heißt, das Lichtextraktionsmuster EP kann mit einer vorgegebenen Neigung angeordnet sein, die der dritten und der vierten geneigten Oberfläche 141a und 141b der ersten Elektrode 141 entspricht.
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Das Lichtextraktionsmuster EP kann aus demselben Material wie die Dammschicht 136 gebildet sein.
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Das heißt, da das Lichtextraktionsmuster EP bei der dritten und bei der vierten geneigten Oberfläche 141a und 141b der ersten Elektrode 141 unter Verwendung eines Prozesses zum Bilden der Dammschicht 136 ohne einen getrennten Prozess gebildet werden kann, ist kein getrennter Prozess erforderlich. Die Dammschicht 136 und das Lichtextraktionsmuster EP können z. B. unter Verwendung einer transreflektiven Maske gebildet werden.
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Die Emissionsschicht 142 kann auf der ersten Elektrode 141 und auf dem Lichtextraktionsmuster EP angeordnet sein.
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Das heißt, die Emissionsschicht 142 kann in der Form angeordnet sein, die der Morphologie der ersten Elektrode 141 und des Lichtextraktionsmusters EP folgt.
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Die Emissionsschicht 142 kann aus einem organischen Material mit einem Brechungsindex von etwa 1,8 oder höher gebildet sein, wobei Ausführungsformen darauf aber nicht beschränkt sind.
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Die zweite Elektrode 143 kann auf der Emissionsschicht 142 angeordnet sein.
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Die zweite Elektrode 143 kann in der Form angeordnet sein, die der Morphologie der Emissionsschicht 142 folgt.
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Dementsprechend können in der Leuchtdiode D der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erster flacher Abschnitt F1, der den Mustern LP mit geringem Brechungsindex in Übereinstimmung mit den Mustern LP mit geringem Brechungsindex, die voneinander beabstandet sind, entspricht, ein zweiter flacher Abschnitt F2, der einem Bereich, in dem die Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet sind, (einem Bereich, in dem die Überzugsschicht freiliegt) entspricht, und ein Verbindungsabschnitt CP, der dafür konfiguriert ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2 zu verbinden, gebildet sein.
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Das Lichtextraktionsmuster EP kann zwischen der Emissionsschicht 142 des Verbindungsabschnitts CP und der ersten Elektrode 141 angeordnet sein.
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5 ist eine Ansicht, die einen optischen Weg der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
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Wie in 5 dargestellt ist, kann eine Leuchtdiode D der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen ersten flachen Abschnitt F1 und einen zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, und einen Verbindungsabschnitt CP, der dafür konfiguriert ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2 zu verbinden, enthalten.
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Von einer Emissionsschicht 142 sowohl des ersten flachen Abschnitts F1 als auch des zweiten flachen Abschnitts F2, deren Höhen sich unterscheiden, kann Licht ausgegeben werden.
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Von Licht, das von der Emissionsschicht 142 des ersten flachen Abschnitts F1 ausgegeben wird, kann Licht, das auf die Muster LP mit geringem Brechungsindex vertikal auffällt, über die Muster LP mit geringem Brechungsindex nach außen ausgegeben werden. Von Licht, das von der Emissionsschicht 142 des ersten flachen Abschnitts F1 ausgegeben wird, ist ein optischer Weg des Lichts, das unter einem vorgegebenen Anstieg auf die Muster LP mit geringem Brechungsindex auffällt, geändert, damit seine Richtung näher der vertikalen Richtung ist, so dass das Licht nach außen ausgegeben werden kann.
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Ein Teil des Lichts, das von der Emissionsschicht 142 des zweiten flachen Abschnitts F2 ausgegeben wird, kann über die Überzugsschicht 160 nach außen ausgegeben werden, und ein anderer Teil des Lichts kann nach außen ausgegeben werden, nachdem es totalreflektiert worden ist und innerhalb der Leuchtdiode D gelaufen ist und daraufhin bei der geneigten zweiten Elektrode 143 des Verbindungsabschnitts CP erneut reflektiert worden ist.
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Das heißt, von Licht, das sowohl von dem ersten flachen Abschnitt F1 als auch von dem zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, emittiert worden ist, kann Licht, das innerhalb der Leuchtdiode D totalreflektiert worden ist und nicht nach außen ausgegeben werden konnte, über das Lichtextraktionsmuster EP und die zweite Elektrode 143 des Verbindungsabschnitts CP nach außen extrahiert werden. Auf diese Weise kann der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert sein.
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6A bis 6D sind Draufsichten, die schematisch Muster mit geringem Brechungsindex der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen.
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Wie in 6A bis 6D gezeigt ist, können in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 (siehe 3) in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Muster LP mit geringem Brechungsindex auf der Überzugsschicht 160 angeordnet sein.
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Das heißt, wie in 6A dargestellt ist, kann jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex in der Draufsicht eine Stabform aufweisen, wobei sich die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex schneiden können, um ein Maschennetz zu bilden.
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Wie in 6B dargestellt ist, kann jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex in der Draufsicht eine Kreisform aufweisen und können die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet angeordnet sein.
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Wie in 6C dargestellt ist, kann jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex in der Draufsicht eine Sechseckform aufweisen und können die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet angeordnet sein.
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Wie in 6D dargestellt ist, kann jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex in der Draufsicht eine Viereckform aufweisen und können die mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet angeordnet sein.
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Die Formen der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex in der Draufsicht, die in 6A bis 6D dargestellt sind, sind lediglich Beispiele und jedes der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex kann in der Draufsicht verschiedene andere Formen aufweisen.
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7A bis 7C sind Ansichten, die schematisch optische Wege in Übereinstimmung mit einem Winkel darstellen, der zwischen einer zweiten flachen Oberfläche und einer ersten und einer zweiten geneigten Oberfläche der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet ist.
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7A stellt einen optischen Weg dar, falls ein zwischen der zweiten flachen Oberfläche S2 und der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 gebildeter Winkel θ 30° beträgt, 7B stellt einen optischen Weg dar, falls der zwischen der zweiten flachen Oberfläche S2 und der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 gebildete Winkel θ 45° beträgt, und 7C stellt einen optischen Weg dar, falls der zwischen der zweiten flachen Oberfläche S2 und der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 gebildete Winkel θ 60° beträgt.
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Beim Vergleich von 7A bis 7C ist zu sehen, dass der Lichtextraktionswirkungsgrad in dem in 7A dargestellten Fall, dass der zwischen der zweiten flachen Oberfläche S2 und der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 gebildete Winkel θ 30° beträgt, am höchsten ist.
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Das heißt, von sowohl von dem ersten flachen Abschnitt F1 als auch von dem zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, emittiertem Licht kann eine Menge des Lichts, das innerhalb der Leuchtdiode D totalreflektiert worden ist und nicht nach außen ausgegeben werden konnte, das über das Lichtextraktionsmuster EP und die zweite Elektrode 143 des Verbindungsabschnitts CP nach außen extrahiert wird, am größten sein.
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Folglich kann der Lichtextraktionswirkungsgrad dadurch, dass der Winkel θ zwischen der zweiten flachen Oberfläche S2 und der ersten und der zweiten geneigten Oberfläche S3 und S4 30° beträgt, weiter verbessert werden.
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8A bis 8C sind Ansichten, die schematisch optische Wege in Übereinstimmung mit einem Verhältnis einer Länge einer ersten flachen Oberfläche zu einer Entfernung zwischen den mehreren Mustern mit geringem Brechungsindex der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. Die Beschreibung wird anhand von 4 und 8A bis 8C gegeben.
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8A stellt einen optischen Weg dar, falls ein Verhältnis d/G einer Länge d der ersten flachen Oberfläche S1 zu einer Entfernung G zwischen den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex 5 ist, 8B stellt einen optischen Weg dar, falls das Verhältnis d/G der Länge d der ersten flachen Oberfläche S1 zu der Entfernung G zwischen den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex 1 ist, und 8C stellt einen optischen Weg dar, falls das Verhältnis d/G der Länge d der ersten flachen Oberfläche S1 zu der Entfernung G zwischen den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex 0,3 ist.
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Beim Vergleich von 8A bis 8C ist zu sehen, dass der Lichtextraktionswirkungsgrad in dem in 8B dargestellten Fall, in dem das Verhältnis d/G der Länge d der ersten flachen Oberfläche S1 zu der Entfernung G zwischen den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex 1 ist, am höchsten ist.
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Das heißt, von Licht, das sowohl von dem ersten flachen Abschnitt F1 als auch von dem zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, emittiert wird, kann eine Menge des Lichts, das innerhalb der Leuchtdiode D totalreflektiert worden ist und das nicht nach außen ausgegeben werden konnte, das über das Extraktionsmuster EP und die zweite Elektrode 143 des Verbindungsabschnitts CP nach außen extrahiert wird, am größten sein.
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Folglich kann der Lichtextraktionswirkungsgrad dadurch, dass das Verhältnis d/G der Länge d der ersten flachen Oberfläche S1 zu der Entfernung G zwischen den mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex als 1 gebildet wird, weiter verbessert werden.
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9A bis 9C sind Ansichten, die schematisch optische Wege in Übereinstimmung mit einem Verhältnis einer Dicke einer Überzugsschicht zu einer Dicke der mehreren Muster mit geringem Brechungsindex der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellen.
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9A stellt einen optischen Weg dar, falls ein Verhältnis H1/H2 einer Dicke H1 der Überzugsschicht 160 zu einer Dicke H2 der mehreren Mustern LP mit geringem Brechungsindex 1 ist, 9B stellt einen optischen Weg dar, falls das Verhältnis H1/H2 der Dicke H1 der Überzugsschicht 160 zu der Dicke H2 der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex 0,5 ist, und 9C stellt einen optischen Weg dar, falls das Verhältnis H1/H2 der Dicke H1 der Überzugsschicht 160 zu der Dicke H2 der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex 0,3 ist.
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Beim Vergleich von 9A bis 9C ist zu sehen, dass der Lichtextraktionswirkungsgrad in dem in 9A dargestellten Fall, dass das Verhältnis H1/H2 der Dicke H1 der Überzugsschicht 160 zu der Dicke H2 der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex 1 ist, am höchsten ist.
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Das heißt, von Licht, das sowohl von dem ersten flachen Abschnitt F1 als auch von dem zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, emittiert wird, kann eine Menge des Lichts, das innerhalb der Leuchtdiode D totalreflektiert worden ist und das nicht nach außen ausgegeben werden konnte, das über das Lichtextraktionsmuster EP und die zweite Elektrode 143 des Verbindungsabschnitts CP nach außen extrahiert wird, am größten sein.
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Folglich kann der Lichtextraktionswirkungsgrad dadurch, dass das Verhältnis H1/H2 der Dicke H1 der Überzugsschicht 160 zu der Dicke H2 der mehreren Muster LP mit geringem Brechungsindex als 1 gebildet wird, weiter verbessert werden.
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Wie oben beschrieben wurde, sind in der Leuchtdiode D der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung 100 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der erste flache Abschnitt F1, der den Mustern LP mit geringem Brechungsindex in Übereinstimmung mit Mustern LP mit geringem Brechungsindex, die voneinander beabstandet sind, entspricht, der zweite flache Abschnitt F2, der dem Bereich, in dem die Muster LP mit geringem Brechungsindex voneinander beabstandet sind, (dem Bereich, in dem die Überzugsschicht freiliegt) entspricht, und der Verbindungsabschnitt CP, der dafür konfiguriert ist, den ersten flachen Abschnitt F1 und den zweiten flachen Abschnitt F2 zu verbinden, gebildet, wobei das Lichtextraktionsmuster EP zwischen der Emissionsschicht 142 des Verbindungsabschnitts CP und der ersten Elektrode 141 angeordnet ist.
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Dementsprechend wird eine Emission von dem ersten und von dem zweiten flachen Abschnitt F1 und F2 der Leuchtdiode D erzeugt, so dass sowohl von dem ersten flachen Abschnitt F1 als auch von dem zweiten flachen Abschnitt F2, deren Höhen sich unterscheiden, Licht emittiert wird. Auf diese Weise kann eine Menge des emittierten Lichts erhöht werden und kann ein optischer Weg von Licht, das eingefangen wird, ohne nach außen ausgegeben zu werden, geändert werden, um zu ermöglichen, dass das Licht nach außen ausgegeben wird, wodurch der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert wird.
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In der vorliegenden Offenbarung ist unter einer ersten Elektrode ein Muster mit geringem Brechungsindex angeordnet und ist auf einer geneigten Oberfläche der ersten Elektrode ein Lichtextraktionsmuster gebildet, so dass ermöglich wird, dass Licht, das in einem Substrat eingefangen wird, ohne nach außerhalb des Substrats ausgegeben zu werden, nach außerhalb ausgegeben wird. Auf diese Weise kann der Lichtextraktionswirkungsgrad wirksam verbessert werden.