DE112017006858T5

DE112017006858T5 - Referenzspannungserzeugungsschaltung

Info

Publication number: DE112017006858T5
Application number: DE112017006858.4T
Authority: DE
Inventors: Haruhiko Yoshida
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Nisshinbo Micro Devices Inc Jp
Priority date: 2017-01-18
Filing date: 2017-12-19
Publication date: 2019-09-26
Also published as: CN110192164B; US10684637B2; CN110192164A; JP6873827B2; US20190317543A1; JP2018116673A

Abstract

Eine Referenzspannungserzeugungsschaltung umfasst, einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil (10), der konfiguriert ist, um eine im Wesentlichen konstante Referenzspannung bei Raumtemperatur zu erzeugen, eine Hochtemperatur-Korrekturschaltung (30), die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteils erzeugte Referenzspannung bei einer hohen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit steigender Temperatur zunehmender Hochtemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird, eine Niedertemperatur-Korrekturschaltung (40), die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer niedrigen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit abnehmender Temperatur zunehmender Niedertemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird, und eine Vorspannungsschaltung (20), die konfiguriert ist, um eine Vorspannung entsprechend der Temperatur zu erzeugen, um so den Hochtemperatur-Korrekturstrom und den Niedertemperatur-Korrekturstrom gleichzeitig zu steuern.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltung, die eine bei Temperaturänderungen stabile Referenzspannung erzeugt.
HINTERGRUND
Eine Referenzspannungserzeugungsschaltung 50, wie in 4 dargestellt, ist als Beispiel für eine Referenzspannungserzeugungsschaltung in dem betreffenden Gebiet. Die Referenzspannungserzeugungsschaltung 50 wird als Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltung bezeichnet und beinhaltet: npn-Transistoren Q1, Q2, deren Basen gemeinsam mit einer Ausgangsklemme 1 verbunden sind; stromspiegelgeschaltete pnp-Transistoren Q3, Q4, die als aktive Lasten mit Kollektoren der Transistoren Q1, Q2 verbunden sind; ein pnp-Transistor Q5, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors Q1 verbunden ist, wobei der Kollektor mit der Ausgangsklemme 1 und den Basen der Transistoren Q1, Q2 verbunden ist, und der Emitter des Transistors Q5 mit einer Stromversorgungsklemme verbunden ist; und Widerstände R1, R2, die in Reihe geschaltet sind. Der Widerstand R1 ist zwischen einem Emitter des Transistors Q1 und einem Emitter des Transistors Q2 geschaltet, und der Widerstand R2 ist zwischen dem Emitter des Transistors Q2 und der Masse geschaltet.
Eine an der Ausgangsklemme 1 abgegebene Referenzspannung VBG wird durch die folgende Formel dargestellt, wenn ein Flächenverhältnis der Transistoren Q1, Q2 gleich Q1 : Q2 = n : 1 ist, ein Flächenverhältnis der Transistoren Q3, Q4 gleich Q3 : Q4 = 1 : 1 ist, und eine Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q2 Vbe2 ist.
Formel 1 $V B G = V b e 2 + 2 \times V t \times ln (n) \times \frac{R 2}{R 1}$
Hier ist Vt eine thermische Spannung (= kT/q, k: Boltzmann'sche Konstante, T: absolute Temperatur, q: Elektronenladung), und hat einen positiven Temperaturkoeffizienten von im Wesentlichen 0,0086 mV/°C. Die Spannung Vbe2 zwischen der Basis und dem Emitter des Bipolartransistors Q2 hat einen negativen Temperaturkoeffizienten von im Wesentlichen 2 mV.
Daher ist es möglich, die Referenzspannung VBG temperaturstabil zu erzeugen, indem man die beiden Arten von Temperaturkoeffizienten verwendet, um sich gegenseitig auszugleichen, und die Werte von n, R1 und R2 einzustellen.
Eine Spannung Vbe zwischen einer Basis und einem Emitter eines Bipolartransistors hat jedoch tatsächlich einen leichten Temperaturkoeffizienten zweiter Ordnung. Dementsprechend weist eine Temperaturkennlinie der Referenzspannung VBG, wie in 5 dargestellt, eine Temperaturabhängigkeit zweiter Ordnung auf, bei der die Referenzspannung VBG von einem Raumtemperaturbereich A zu einem Hochtemperaturbereich B und einem Niedertemperaturbereich C hin sinkt. Aus diesem Grund kann die geringe Temperaturabhängigkeit ein Problem in einer Anwendung wie einer Automobilanwendung sein, in der Stabilität für einen weiten Temperaturbereich erforderlich ist.
Das Patentdokument 1 hat ein Verfahren zum Ausgleich einer solchen Temperaturcharakteristik zweiter Ordnung vorgeschlagen.
LITERATUR ZUM STAND DER TECHNIK
PATENTDOKUMENT
Patentdokument 1: JP-A-2009-59149
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHE PROBLEME
Die in Patentdokument 1 beschriebene Temperaturkennlinie der Ausgangsspannung ist jedoch möglicherweise nicht ausreichend für die Verwendung in Industrieanlagen und Automobilanwendungen.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Referenzspannungserzeugungsschaltung bereitzustellen, die in der Lage ist, eine in einem vorbestimmten Betriebstemperaturbereich stabile Referenzspannung zu erzeugen.
LÖSUNG DES PROBLEMS
(1) Um das vorstehende Ziel zu erreichen, stellt die vorliegende Erfindung eine Referenzspannungserzeugungsschaltung zur Verfügung, die Folgendes beinhaltet:

einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der konfiguriert ist, um eine im Wesentlichen konstante Referenzspannung bei Raumtemperatur und eine Referenzspannung zu erzeugen, die niedriger ist als die Referenzspannung bei Raumtemperatur, wenn die Temperatur steigt, durch Ausgleichen eines negativen Temperaturkoeffizienten einer Spannung zwischen einer Basis und einem Emitter eines Transistors mit einem positiven Temperaturkoeffizienten eines Widerstands; eine Hochtemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer hohen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit steigender Temperatur ansteigender Hochtemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; und eine Vorspannungsschaltung, die konfiguriert ist, um eine Vorspannung entsprechend der Temperatur zu erzeugen, um den Hochtemperatur-Korrekturstrom durch Zuführen der Vorspannung an die Hochtemperatur-Korrekturschaltung zu steuern.

(2) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (1) wird im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil ein Teil des Widerstandes durch eine Reihenschaltung eines ersten Widerstandes, eines zweiten Widerstandes und eines dritten Widerstandes gebildet, und der Hochtemperatur-Korrekturstrom wird von der Hochtemperatur-Korrekturschaltung an einen gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstandes und des zweiten Widerstandes geliefert.
(3) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (2) beinhaltet die Hochtemperatur-Korrekturschaltung einen zehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einen elften Transistor und einen zwölften Transistor, bei denen ein Ausgangsstrom des zehnten Transistors verzweigt und zu Emittern des elften Transistors und des zwölften Transistors fließt, wobei ein Kollektor des elften Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des zwölften Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstandes und des zweiten Widerstandes im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist. Die Vorspannungsschaltung steuert einen Kollektorstrom des elften Transistors, sodass er bei Raumtemperatur größer als ein Kollektorstrom des zwölften Transistors ist, und steuert den Kollektorstrom des zwölften Transistors, sodass er bei hoher Temperatur größer als der Kollektorstrom des elften Transistors ist.
(4) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (3) beinhaltet die Vorspannungsschaltung einen sechsten Transistor und einen siebten Transistor, denen eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, einen fünften Widerstand, einen sechsten Widerstand und einen siebten Widerstand, die in Reihe zwischen einem Kollektor des sechsten Transistors und der Masse geschaltet sind, und einen diodenverbundenen neunten Transistor, zu dem ein Kollektorstrom des siebten Transistors fließt. Eine Spannung an einem gemeinsamen Anschlusspunkt des sechsten Widerstands und des siebten Widerstands wird einer Basis des elften Transistors als dritte Vorspannung zugeführt, und eine Kollektorspannung des siebten Transistors wird einer Basis des zwölften Transistors als vierte Vorspannung zugeführt.
(5) Ein zweiter Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt eine Referenzspannungserzeugungsschaltung dar, die Folgendes beinhaltet: einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der konfiguriert ist, um durch Ausgleichen eines negativen Temperaturkoeffizienten einer Spannung zwischen einer Basis und einem Emitter eines Transistors mit einem positiven Temperaturkoeffizienten eines Widerstandes eine Referenzspannung, die bei Raumtemperatur im Wesentlichen konstant ist, und eine Referenzspannung zu erzeugen, die niedriger ist als die Referenzspannung bei Raumtemperatur bei sinkender Temperatur; eine Niedertemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer niedrigen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit abnehmender Temperatur ansteigender Niedertemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; und eine Vorspannungsschaltung, die konfiguriert ist, um eine Vorspannung entsprechend der Temperatur zu erzeugen, um den Niedertemperatur-Korrekturstrom durch Zuführen der Vorspannung an die Niedertemperatur-Korrekturschaltung zu steuern.
(6) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (5) wird im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil ein Teil des Widerstandes durch eine Reihenschaltung eines ersten Widerstandes, eines zweiten Widerstandes und eines dritten Widerstandes gebildet, und der Niedertemperatur-Korrekturstrom wird von der Niedertemperatur-Korrekturschaltung an einen gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes geliefert.
(7) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (6) beinhaltet die Niedertemperatur-Korrekturschaltung einen dreizehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einen vierzehnten Transistor und einen fünfzehnten Transistor, bei denen ein Ausgangsstrom des dreizehnten Transistors verzweigt und zu den Emittern des vierzehnten Transistors und des fünfzehnten Transistors fließt, einen Kollektor des vierzehnten Transistors, der mit einer Masse verbunden ist, und einen Kollektor des fünfzehnten Transistors, der mit dem gemeinsamen Anschlusspunkt des zweiten und dritten Widerstandes im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist. Die Vorspannungsschaltung steuert einen Kollektorstrom des vierzehnten Transistors, sodass er bei Raumtemperatur größer als ein Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors ist, und steuert den Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors, sodass er bei niedriger Temperatur größer als der Kollektorstrom des vierzehnten Transistors ist.
(8) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (7) beinhaltet die Vorspannungsschaltung einen sechsten Transistor und einen siebten Transistor, denen eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, einen fünften Widerstand, einen sechsten Widerstand und einen siebten Widerstand, die in Reihe zwischen einem Kollektor des sechsten Transistors und der Masse geschaltet sind, und einen diodenverbundenen neunten Transistor, zu dem ein Kollektorstrom des siebten Transistors fließt. Eine Kollektorspannung des sechsten Transistors wird einer Basis des fünfzehnten Transistors als erste Vorspannung zugeführt, und eine Kollektorspannung des siebten Transistors wird einer Basis des vierzehnten Transistors als vierte Vorspannung zugeführt.
(9) Ein dritter Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt eine Referenzspannungserzeugungsschaltung dar, die Folgendes beinhaltet: einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der konfiguriert ist, um durch Ausgleichen eines negativen Temperaturkoeffizienten einer Spannung zwischen einer Basis und einem Emitter eines Transistors mit einem positiven Temperaturkoeffizienten eines Widerstandes eine im Wesentlichen konstante Referenzspannung bei Raumtemperatur und eine Referenzspannung zu erzeugen, die bei Raumtemperatur etwas niedriger ist als die Referenzspannung bei Raumtemperatur, wenn die Temperatur steigt und sinkt; eine Hochtemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung, die bei einer hohen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit steigender Temperatur zunehmender Hochtemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; eine Niedertemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung, bei einer niedrigen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit abnehmender Temperatur ansteigender Niedertemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; und eine Vorspannungsschaltung, die konfiguriert ist, um eine Vorspannung entsprechend der Temperatur zu erzeugen, um den Hochtemperatur-Korrekturstrom durch Zuführen der Vorspannung an die Hochtemperatur-Korrekturschaltung zu steuern, und um den Niedertemperatur-Korrekturstrom durch gleichzeitiges Zuführen der Vorspannung an die Niedertemperatur-Korrekturschaltung zu steuern.
(10) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (9) wird im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil ein Teil des Widerstandes durch eine Reihenschaltung eines ersten Widerstandes, eines zweiten Widerstandes und eines dritten Widerstandes gebildet, der Hochtemperatur-Korrekturstrom wird von der Hochtemperatur-Korrekturschaltung an einen gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstandes und des zweiten Widerstandes geliefert, und der von der Niedertemperatur-Korrekturschaltung gelieferte Niedertemperatur-Korrekturstrom wird an einen gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes geliefert.
(11) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (10) beinhaltet die Hochtemperatur-Korrekturschaltung einen zehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einen elften Transistor und einen zwölften Transistor, bei denen ein Ausgangsstrom des zehnten Transistors verzweigt und zu Emittern des elften Transistors und des zwölften Transistors fließt, wobei ein Kollektor des elften Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des zwölften Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstandes und des zweiten Widerstandes im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist. Die Vorspannungsschaltung steuert einen Kollektorstrom des elften Transistors, dass er bei Raumtemperatur und niederer Temperatur größer als ein Kollektorstrom des zwölften Transistors ist, und steuert den Kollektorstrom des zwölften Transistors, dass er bei hoher Temperatur größer als der Kollektorstrom des elften Transistors ist. Die Niedertemperatur-Korrekturschaltung beinhaltet einen dreizehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und vierzehnten und fünfzehnten Transistoren, bei denen ein Ausgangsstrom des dreizehnten Transistors verzweigt und zu den Emittern des vierzehnten Transistors und des fünfzehnten Transistors fließt, wobei ein Kollektor des vierzehnten Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des fünfzehnten Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist. Die Vorspannungsschaltung steuert einen Kollektorstrom des vierzehnten Transistors, dass er bei Raumtemperatur und hoher Temperatur größer als ein Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors ist, und steuert den Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors, dass er bei niedriger Temperatur größer als der Kollektorstrom des vierzehnten Transistors ist.
(12) Gemäß der Referenzspannungserzeugungsschaltung in (11) beinhaltet die Vorspannungsschaltung einen sechsten Transistor und einen siebten Transistor, denen eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, einen fünften Widerstand, einen sechsten Widerstand und einen siebten Widerstand, die in Reihe zwischen einem Kollektor des sechsten Transistors und der Masse geschaltet sind, und einen diodenverbundenen neunten Transistor, zu dem ein Kollektorstrom des siebten Transistors fließt. Eine Kollektorspannung des sechsten Transistors wird einer Basis des fünfzehnten Transistors als erste Vorspannung zugeführt, und eine Spannung an einem gemeinsamen Anschlusspunkt des sechsten Widerstands und des siebten Widerstands wird einer Basis des elften Transistors als dritte Vorspannung zugeführt, und eine Kollektorspannung des siebten Transistors wird den Basen des zwölften Transistors und des vierzehnten Transistors als vierte Vorspannung zugeführt.
(13) In der Referenzspannungserzeugungsschaltung gemäß (4) ist ein diodengesteuerter achter Transistor parallel zum sechsten Widerstand und zum siebten Widerstand geschaltet.
(14) In der Referenzspannungserzeugungsschaltung gemäß (12) ist ein diodengesteuerter achter Transistor parallel zum sechsten Widerstand und zum siebten Widerstand geschaltet.
VORTEILHAFTE EFFEKTE DER ERFINDUNG
Nach der Erfindung in (1) bis (4) kann die Temperaturkorrektur der Referenzspannung im Hochtemperaturbereich durchgeführt werden. Nach der Erfindung in (5) bis (8) kann die Temperaturkorrektur der Referenzspannung im Niedertemperaturbereich durchgeführt werden. Nach der Erfindung in (9) bis (12) kann die Temperaturkorrektur der Referenzspannung sowohl im Niedertemperaturbereich als auch im Hochtemperaturbereich durchgeführt werden. Daher kann eine Referenzspannungskennlinie in einem gewünschten Temperaturbereich flach sein, und entsprechend kann ein Anwendungsbereich einer integrierten Schaltung einschließlich der Referenzspannungserzeugungsschaltung vergrößert werden.
Figurenliste

1 ist ein Blockdiagramm der prinzipiellen Konfigurationen einer Referenzspannungserzeugungsschaltung der vorliegenden Erfindung.
2 (a) ist ein Temperaturkennfeld einer Referenzspannung, die von einem Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugt wird, 2(b) ist ein Temperaturkennfeld eines Korrekturstroms i1, der von einer Hochtemperatur-Korrekturschaltung erzeugt wird, und 2(c) ist ein Temperaturkennfeld eines Korrekturstroms i2, der von einer Niedertemperatur-Korrekturschaltung erzeugt wird.
3 ist ein Schaltplan einer bestimmten Schaltung einer Referenzspannungserzeugungsschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
4 ist ein Schaltplan einer bestimmten Schaltung einer Referenzspannungserzeugungsschaltung in dem betreffenden Gebiet.
5 ist ein Temperaturkennfeld einer Referenzspannung, die von der Referenzspannungserzeugungsschaltung in 4 erzeugt wird.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
GRUNDLEGENDE KONFIGURATIONEN
1 zeigt die prinzipielle Konfiguration einer Referenzspannungserzeugungsschaltung der vorliegenden Erfindung. Bezugszeichen 10 bezeichnet einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der dem in 4 entspricht, Bezugszeichen 20 bezeichnet eine Vorspannungsschaltung, die eine Vorspannung mit einer Temperaturcharakteristik erzeugt, Bezugszeichen 30 bezeichnet eine Hochtemperatur-Korrekturschaltung und Bezugszeichen 40 bezeichnet eine Niedertemperatur-Korrekturschaltung.
In der vorliegenden Erfindung wird, wie in 2(a) dargestellt, ein Betriebstemperaturbereich einer vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 erzeugten Referenzspannung in drei Bereiche eines Raumtemperaturbereichs A, eines Hochtemperaturbereichs B und eines Niedertemperaturbereichs C unterteilt. Der Raumtemperaturbereich A beträgt etwa von 0 bis 100°C, der Hochtemperaturbereich B von etwa 100 bis 150°C und der Niedertemperaturbereich C beträgt von etwa -50 bis 0°C. Die Hochtemperaturkorrekturschaltung 30 erzeugt den Strom i1 (2(b)), der die Referenzspannung VBG im Hochtemperaturbereich B nur durch eine Hochtemperatur-Vorspannung erhöht und korrigiert, die von der Vorspannungsschaltung 20 bei einer hohen Temperatur (100 bis 150°C) erzeugt wird, und gibt den Strom i1 an den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 aus. Die Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 erzeugt den Strom i2 (2(c)), der die Referenzspannung VBG im Niedertemperaturbereich C nur durch eine Niedertemperatur-Vorspannung erhöht und korrigiert, die von der Vorspannungsschaltung 20 bei einer niedrigen Temperatur (-50 bis 0°C) erzeugt wird, und gibt den Strom i2 an den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 aus. Dementsprechend kann die vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 erzeugte Referenzspannung VBG als flache stabile Spannung über einen gesamten Temperaturbereich dienen, wie durch eine gestrichelte Linie in 2(a) angezeigt.
ERSTE AUSFÜHRUNGSFORM
3 zeigt eine Referenzspannungserzeugungsschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 beinhaltet drei Widerstände R21, R22, R23, die den Widerstand R2 mit einer Konfiguration in der Referenzspannungserzeugungsschaltung 50 in 4 bilden. Das heißt, die Widerstandswerte der Widerstände R21, R22, R23 stehen in einer Beziehung von R21 + R22 + R23 = R2.
Die Vorspannungsschaltung 20 beinhaltet pnp-Transistoren Q6, Q7, deren Basen gemeinsam mit den Transistoren Q3, Q4 verbunden sind, Widerstände R5, R6, R7, die in Reihe zwischen einem Kollektor des Transistors Q6 und einer Masse GND geschaltet sind, einen diodenverbundenen npn-Transistor Q8, der zwischen einem gemeinsamen Verbindungspunkt der Widerstände R5, R6 und der Masse GND geschaltet ist, und eine npn-Transistor Q9-Diode, die mit einem Kollektor des Transistors Q7 diodenverbunden ist.
Die Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 beinhaltet: einen pnp-Transistor Q10, dessen Basis gemeinsam mit den Transistoren Q3, Q4 verbunden ist; Widerstände R8, R9, die jeweils mit einem Anschluss mit einem Kollektor des Transistors Q10 verbunden sind; einen pnp-Transistor Q11, dessen Emitter mit einem anderen Anschluss des Widerstands R8 verbunden ist, wobei die Basis mit einem gemeinsamen Verbindungspunkt der Widerstände R6, R7 verbunden ist, und der Kollektor mit der Masse GND verbunden ist; und einen pnp-Transistor Q12, dessen Emitter mit einem anderen Anschluss des Widerstandes R9 verbunden ist, die Basis mit einer Basis des Transistors Q9 verbunden ist, und der Kollektor mit einem gemeinsamen Verbindungsknoten N1 der Widerstände R21, R22 verbunden ist.
Die Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 beinhaltet: einen pnp-Transistor Q13, dessen Basis gemeinsam mit den Transistoren Q3, Q4 verbunden ist; Widerstände R10, R11, die jeweils mit einem Anschluss mit einem Kollektor des Transistors Q13 verbunden sind; einen pnp-Transistor Q14, dessen Emitter mit einem anderen Anschluss des Widerstands R10 verbunden ist, wobei die Basis mit der Basis des Transistors Q9 verbunden ist, und der Kollektor mit der Masse GND verbunden ist; und einen pnp-Transistor Q15, dessen Emitter mit einem anderen Anschluss des Widerstandes R11 verbunden ist, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors Q6 verbunden ist, und dessen Kollektor mit einem gemeinsamen Verbindungsknoten N2 der Widerstände R22, R23 verbunden ist.
Die von der Referenzspannungserzeugungsschaltung in dieser Ausführungsform erzeugte Referenzspannung VBG wird dargestellt durch
Formel 2 $V B G = V b e 2 + 2 \times V t \times ln (n) \times \frac{(R 21 + R 22 + R 23)}{R 1}$
im Raumtemperaturbereich A,
Formel 3 $V B G = V b e 2 + 2 \times V t \times ln (n) \times \frac{(R 21 + R 22 + R 23)}{R 1} + i 1 \times (R 22 + R 23)$
im Hochtemperaturbereich B und
Formel 4 $V B G = V b e 2 + 2 \times V t \times ln (n) \times \frac{(R 21 + R 22 + R 23)}{R 1} + i 2 \times R 23$
im Niedertemperaturbereich C. Auf diese Weise wird die Referenzspannung VBG im Hochtemperaturbereich B um eine Spannung von i1 × (R22 + R23) auf höher als im Raumtemperaturbereich A und im Niedertemperaturbereich C auf höher als im Raumtemperaturbereich A um eine Spannung von i2 × R23 korrigiert.
Dies wird im Folgenden ausführlich beschrieben. Hier werden als in der Vorspannungsschaltung 20 erzeugte Vorspannungen, wenn eine Kollektorspannung des Transistors Q6 V1 ist, eine Spannung am gemeinsamen Anschlusspunkt der Widerstände R5, R6 V2 ist, eine Spannung am gemeinsamen Anschlusspunkt der Widerstände R6, R7 V3 ist und eine Kollektorspannung des Widerstandes Q7 V4 ist, Widerstände der Widerstände R5 bis R7 und Charakteristika der Transistoren Q5 bis Q9 so eingestellt, dass die Vorspannungen V1, V2, V3, V4 aus den folgenden Beziehungen genügen:

Raumtemperaturbereich A : V1 > V2 > V4 > V3
Hochtemperaturbereich B : V1 > V2 > V3 > V4
Niedertemperaturbereich C : V4 > V1 > V2 > V3.

Zunächst werden die Vorspannungen V1 > V2 > V4 > V3 im Raumtemperaturbereich A wie vorstehend beschrieben. Dementsprechend ist in der Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 ein Kollektorstrom des Transistors Q11 größer als der des Transistors Q12 aufgrund von V4 > V3, der größte Teil eines Kollektorstroms des Transistors Q10 fließt zum Transistor Q11, und der Kollektorstrom i1 des Transistors Q12 ist nahezu Null. In der Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 ist ein Kollektorstrom des Transistors Q14 größer als der des Transistors Q15 aufgrund von V1 > V4, der größte Teil eines Kollektorstroms des Transistors Q13 fließt durch den Transistor Q14, und der Kollektorstrom i2 des Transistors Q15 ist nahezu Null. Daher tritt in den Widerständen R22, R23 kein Spannungsanstieg durch Korrektur auf, und die erzeugte Referenzspannung VBG wird durch die Formel (2) dargestellt.
Als nächstes sind die Vorspannungen V1 > V2 > V3 > V4 im Hochtemperaturbereich B wie vorstehend beschrieben. Daher ist in der Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 der Kollektorstrom des Transistors Q12 größer als der des Transistors Q11 aufgrund von V3 > V4, der größte Teil des Kollektorstroms des Transistors Q10 fließt zum Transistor Q12, und der Kollektorstrom i1 vom Transistor Q12 steigt mit zunehmender Temperatur. In der Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 ist der Kollektorstrom des Transistors Q14 größer als der des Transistors Q15 aufgrund von V1 > V4, der größte Teil des Kollektorstroms des Transistors Q13 fließt durch den Transistor Q14, und der Kollektorstrom i2 des Transistors Q15 ist nahezu Null. Daher fließt der Strom i1 durch die Widerstände R22, R23, und entsprechend wird die Referenzspannung VBG durch eine an den Widerständen R22, R23 durch „i1 × (R22 + R23)“ erzeugte Spannung höher korrigiert, wie in Formel (3) dargestellt.
Als nächstes sind die Vorspannungen V4 > V1 > V2 > V3 im Niedertemperaturbereich C, wie vorstehend beschrieben. Daher ist in der Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 der Kollektorstrom des Transistors Q11 größer als der des Transistors Q12 aufgrund von V4 > V3, der größte Teil des Kollektorstroms des Transistors Q10 fließt zum Transistor Q11, und der Kollektorstrom i1 des Transistors Q12 ist nahezu Null. In der Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 ist der Kollektorstrom des Transistors Q15 größer als der des Transistors Q14 aufgrund von V4 > V1, der größte Teil des Kollektorstroms des Transistors Q13 fließt zum Transistor Q15, und der Kollektorstrom i2 vom Transistor Q15 steigt mit abnehmender Temperatur. Daher fließt der Strom i2 durch den Widerstand R23, und entsprechend wird die Referenzspannung VBG durch eine Spannung, die am Widerstand R23 durch „i1 × R23“ erzeugt wird, wie in Formel (4) dargestellt, auf höher korrigiert.
Im Hochtemperaturbereich B ist eine Schwellenspannung des Transistors Q8 kleiner als die im Raumtemperaturbereich A oder im Niedertemperaturbereich C. Dementsprechend sinkt ein Innenwiderstand des Transistors Q8 und ein Strom, der zu den Widerständen R6, R7 fließt, wird auf den Transistor Q8 verschoben. Daher sind die Vorspannungen V1 bis V3 niedriger als die, wenn der Transistor Q8 nicht vorhanden ist, und ein durch den Transistor Q11 fließender Strom wird leicht erhöht, so dass ein übermäßiger Stromfluss zum Transistor Q12 verhindert wird. Da die Schwellenspannung des Transistors Q8 im Raumtemperaturbereich A und im Niedertemperaturbereich C ansteigt, werden Einflüsse des Transistors Q8 eliminiert.
Von oben wird die Referenzspannung VBG, die vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 ausgegeben wird, korrigiert und durch die Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 erhöht, wenn sich die Temperatur im Hochtemperaturbereich B befindet, und durch die Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 korrigiert und erhöht, wenn sich die Temperatur im Niedertemperaturbereich C befindet. Dementsprechend kann eine im Wesentlichen flache Temperaturcharakteristik der Referenzspannung VBG über den gesamten Temperaturbereich von einer niedrigen Temperatur bis zu einer hohen Temperatur realisiert werden, wie die gestrichelte Linie in 2(a) zeigt.
ZWEITE AUSFÜHRUNGSFORM
In einer Referenzspannungserzeugungsschaltung in 3 wird die Temperaturkorrektur für den Hochtemperaturbereich B und den Niedertemperaturbereich C durchgeführt. Die Temperaturkorrektur nur für den Hochtemperaturbereich B kann jedoch je nach Anwendung ausreichend sein. Die Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 wird nicht verwendet, wenn nur der Hochtemperaturbereich B der Temperaturkorrektur unterzogen wird. Die der Niedertemperatur-Korrekturschaltung 40 zugeführte Vorspannung V1 ist ebenfalls nicht erforderlich. In diesem Fall können die Widerstände R22, R23 durch einen Widerstand (Widerstandswert = R22 + R23) im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 ersetzt werden.
DRITTE AUSFÜHRUNGSFORM
In einer Referenzspannungserzeugungsschaltung in 3 wird die Temperaturkorrektur für den Hochtemperaturbereich B und den Niedertemperaturbereich C durchgeführt. Die Temperaturkorrektur nur für den Niedertemperaturbereich C kann jedoch je nach Anwendung ausreichend sein. Die Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 wird nicht verwendet, wenn nur der Niedertemperaturbereich C der Temperaturkorrektur unterzogen wird. Weiterhin ist weder die der Hochtemperatur-Korrekturschaltung 30 zugeführte Vorspannung V1 noch der Transistor Q8 in der Vorspannungsschaltung 20 erforderlich. In diesem Fall können die Widerstände R21, R22 durch einen Widerstand (Widerstandswert = R21 + R22) im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil 10 und die Widerstände R6, R7 durch einen Widerstand (Widerstandswert = R6 + R7) in der Vorspannungsschaltung 20 ersetzt werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung mit Bezug auf bestimmte Ausführungsformen ausführlich beschrieben wurde, ist es für den Fachmann offensichtlich, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne vom Geist und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Diese Anmeldung basiert auf der am 18. Januar 2017 eingereichten japanischen Patentanmeldung ( JP-A-2017-006326 ) und der am 31. Mai 2017 eingereichten japanischen Patentanmeldung ( JP-A-2017-107813 ), deren Inhalt durch Verweis hierin aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste

10:: Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil
20:: Vorspannungsschaltung
30:: Hochtemperatur-Korrekturschaltung
40:: Niedertemperatur-Korrekturschaltung
50:: Referenzspannungsgeneratorschaltung in verwandtem Gebiet

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2009059149 A [0008]
JP 2017006326 A [0042]
JP 2017107813 A [0042]

Claims

Referenzspannungserzeugungsschaltung, aufweisend: einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der konfiguriert ist, eine im Wesentlichen konstante Referenzspannung bei Raumtemperatur und eine Referenzspannung zu erzeugen, die niedriger ist als die Referenzspannung bei Raumtemperatur, wenn die Temperatur steigt, durch Ausgleichen eines negativen Temperaturkoeffizienten einer Spannung zwischen einer Basis und einem Emitter eines Transistors mit einem positiven Temperaturkoeffizienten eines Widerstands; eine Hochtemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer hohen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit steigender Temperatur ansteigender Hochtemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; und eine Vorspannungsschaltung, die konfiguriert ist, um eine Vorspannung entsprechend der Temperatur zu erzeugen, um den Hochtemperatur-Korrekturstrom durch Zuführen der Vorspannung zur Hochtemperatur-Korrekturschaltung zu steuern.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1, wobei im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil ein Teil des Widerstands durch eine Reihenschaltung aus einem ersten Widerstand, einem zweiten Widerstand und einem dritten Widerstand gebildet wird, und wobei der Hochtemperatur-Korrekturstrom von der Hochtemperatur-Korrekturschaltung zu einem gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstands und des zweiten Widerstands zugeführt wird.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 2, wobei die Hochtemperatur-Korrekturschaltung einen zehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einen elften Transistor und einen zwölften Transistor, in denen sich ein Ausgangsstrom des zehnten Transistors verzweigt und zu Emittern des elften Transistors und des zwölften Transistors fließt, aufweist, wobei ein Kollektor des elften Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des zwölften Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstands und des zweiten Widerstands im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist, und wobei die Vorspannungsschaltung einen Kollektorstrom des elften Transistors steuert, damit er größer als ein Kollektorstrom des zwölften Transistors bei Raumtemperatur ist, und den Kollektorstrom des zwölften Transistors steuert, damit er größer als der Kollektorstrom des elften Transistors bei der hohen Temperatur ist.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 3, wobei die Vorspannungsschaltung einen sechsten Transistor und einen siebten Transistor, denen eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, einen fünften Widerstand, einen sechsten Widerstand und einen siebten Widerstand, die in Reihe zwischen einem Kollektor des sechsten Transistors und der Masse geschaltet sind, und einen diodenverbundenen neunten Transistor, zu dem ein Kollektorstrom des siebten Transistors fließt, aufweist, wobei eine Spannung an einem gemeinsamen Verbindungspunkt des sechsten Widerstands und des siebten Widerstands als dritte Vorspannung an eine Basis des elften Transistors angelegt wird, und wobei eine Kollektorspannung des siebten Transistors einer Basis des zwölften Transistors als vierte Vorspannung zugeführt wird.
Referenzspannungserzeugungsschaltung, aufweisend: einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der konfiguriert ist, um eine im Wesentlichen konstante Referenzspannung bei Raumtemperatur und eine Referenzspannung zu erzeugen, die niedriger als die Referenzspannung bei Raumtemperatur ist, wenn die Temperatur sinkt, durch Ausgleichen eines negativen Temperaturkoeffizienten einer Spannung zwischen einer Basis und einem Emitter eines Transistors mit einem positiven Temperaturkoeffizienten eines Widerstands; eine Niedertemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer niedrigen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit abnehmender Temperatur des Widerstands ansteigender Niedertemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; und eine Vorspannungsschaltung, die konfiguriert ist, um eine Vorspannung entsprechend der Temperatur zu erzeugen, um den Niedertemperatur-Korrekturstrom durch Zuführen der Vorspannung zu der Niedertemperatur-Korrekturschaltung zu steuern.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 5, wobei im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil ein Teil des Widerstands durch eine Reihenschaltung aus einem ersten Widerstand, einem zweiten Widerstand und einem dritten Widerstand gebildet wird, und wobei der Niedertemperatur-Korrekturstrom von der Niedertemperatur-Korrekturschaltung zu einem gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes zugeführt wird.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 6, wobei die Niedertemperatur-Korrekturschaltung einen dreizehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einen vierzehnten Transistor und einen fünfzehnten Transistor, zu denen sich ein Ausgangsstrom des dreizehnten Transistors verzweigt und zu Emittern des vierzehnten Transistors und des fünfzehnten Transistors fließt, aufweist, wobei ein Kollektor des vierzehnten Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des fünfzehnten Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist, und wobei die Vorspannungsschaltung einen Kollektorstrom des vierzehnten Transistors steuert, damit er größer als ein Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors bei Raumtemperatur ist, und den Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors steuert, damit er größer als der Kollektorstrom des vierzehnten Transistors bei der niedrigen Temperatur ist.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 7, wobei die Vorspannungsschaltung einen sechsten Transistor und einen siebten Transistor, denen eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, einen fünften Widerstand, einen sechsten Widerstand und einen siebten Widerstand, die in Reihe zwischen einem Kollektor des sechsten Transistors und der Masse geschaltet sind, und einen diodenverbundenen neunten Transistor, zu dem ein Kollektorstrom des siebten Transistors fließt, aufweist wobei eine Kollektorspannung des sechsten Transistors einer Basis des fünfzehnten Transistors als erste Vorspannung zugeführt wird, und wobei eine Kollektorspannung des siebten Transistors einer Basis des vierzehnten Transistors als vierte Vorspannung zugeführt wird.
Referenzspannungserzeugungsschaltung, aufweisend: einen Bandlücken-Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil, der konfiguriert ist, um eine im Wesentlichen konstante Referenzspannung bei Raumtemperatur und eine Referenzspannung, die etwas niedriger als die Referenzspannung bei Raumtemperatur ist, wenn die Temperatur steigt oder sinkt, zu erzeugen, durch Ausgleichen eines negativen Temperaturkoeffizienten einer Spannung zwischen einer Basis und einem Emitter eines Transistors mit einem positiven Temperaturkoeffizienten eines Widerstands; eine Hochtemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer hohen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit steigender Temperatur ansteigender Hochtemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; eine Niedertemperatur-Korrekturschaltung, die konfiguriert ist, um eine durch den Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil erzeugte Referenzspannung bei einer niedrigen Temperatur zu erhöhen, indem ein mit abnehmender Temperatur ansteigender Niedertemperatur-Korrekturstrom dem Widerstand zugeführt wird; und eine Vorspannungsschaltung, die konfiguriert ist, um eine Vorspannung gemäß der Temperatur zu erzeugen, um den Hochtemperatur-Korrekturstrom durch Zuführen der Vorspannung zu der Hochtemperatur-Korrekturschaltung zu steuern, und um den Niedertemperatur-Korrekturstrom durch gleichzeitiges Zuführen der Vorspannung zu der Niedertemperatur-Korrekturschaltung zu steuern.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 9, wobei im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil ein Teil des Widerstands durch eine Reihenschaltung aus einem ersten Widerstand, einem zweiten Widerstand und einem dritten Widerstand gebildet wird, und wobei der Hochtemperatur-Korrekturstrom von der Hochtemperatur-Korrekturschaltung zu einem gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstandes und des zweiten Widerstandes zugeführt wird, und der von der Niedertemperatur-Korrekturschaltung zugeführte Niedertemperatur-Korrekturstrom zu einem gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes zugeführt wird.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 10, wobei die Hochtemperatur-Korrekturschaltung einen zehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einen elften Transistor und einen zwölften Transistor, zu denen sich ein Ausgangsstrom des zehnten Transistors verzweigt und zu Emittern des elften Transistors und des zwölften Transistors fließt, aufweist, wobei ein Kollektor des elften Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des zwölften Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des ersten Widerstands und des zweiten Widerstands im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist, wobei die Vorspannungsschaltung einen Kollektorstrom des elften Transistors steuert, damit er größer als ein Kollektorstrom des zwölften Transistors bei der Raumtemperatur und der niedrigen Temperatur ist, und den Kollektorstrom des zwölften Transistors steuert, der größer als der Kollektorstrom des elften Transistors bei der hohen Temperatur ist, wobei die Niedertemperatur-Korrekturschaltung einen dreizehnten Transistor, dem eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, und einem vierzehnten Transistor und einem fünfzehnten Transistor, zu denen sich ein Ausgangsstrom des dreizehnten Transistors verzweigt und zu Emittern des vierzehnten Transistors und des fünfzehnten Transistors fließt, aufweist, wobei ein Kollektor des vierzehnten Transistors mit einer Masse verbunden ist und ein Kollektor des fünfzehnten Transistors mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstandes im Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil verbunden ist, und wobei die Vorspannungsschaltung einen Kollektorstrom des vierzehnten Transistors steuert, damit er größer als ein Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors bei der Raumtemperatur und der Hochtemperatur ist, und den Kollektorstrom des fünfzehnten Transistors steuert, damit er größer als der Kollektorstrom des vierzehnten Transistors bei der niedrigen Temperatur ist.
Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 11, wobei die Vorspannungsschaltung einen sechsten Transistor und einen siebten Transistor, denen eine Vorspannung vom Referenzspannungserzeugungsschaltungs-Hauptteil zugeführt wird, einen fünften Widerstand, einen sechsten Widerstand und einen siebten Widerstand, die in Reihe zwischen einem Kollektor des sechsten Transistors und der Masse geschaltet sind, und einen diodenverbundenen neunten Transistor, zu dem ein Kollektorstrom des siebten Transistors fließt, aufweist, wobei eine Kollektorspannung des sechsten Transistors einer Basis des fünfzehnten Transistors als erste Vorspannung zugeführt wird, und wobei eine Spannung an einem gemeinsamen Verbindungspunkt des sechsten Widerstands und des siebten Widerstands als dritte Vorspannung einer Basis des elften Transistors zugeführt wird, und wobei eine Kollektorspannung des siebten Transistors den Basen des zwölften Transistors und des vierzehnten Transistors als vierte Vorspannung zugeführt wird.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 4, wobei ein diodengesteuerter achter Transistor parallel zum sechsten Widerstand und zum siebten Widerstand geschaltet ist.
Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 12, wobei ein diodengesteuerter achter Transistor parallel zum sechsten Widerstand und zum siebten Widerstand geschaltet ist.