DE112013005951T5

DE112013005951T5 - Suszeptor für epitaktisches Wachstum und Verfahren für epitaktisches Wachstum

Info

Publication number: DE112013005951T5
Application number: DE112013005951.7T
Authority: DE
Inventors: Yu-Jin Kang
Original assignee: LG Siltron Inc
Current assignee: SK Siltron Co Ltd
Priority date: 2012-10-16
Filing date: 2013-10-16
Publication date: 2015-09-24
Also published as: WO2014062002A1; JP6092403B2; KR20140049474A; JP2015535142A; US20150275395A1; CN104756244A; KR101496572B1

Abstract

Die vorliegende Offenlegung betrifft einen Suszeptor für epitaktisches Wachstum, der zur Herstellung eines epitaktischen Wafers ausgelegt ist, welcher durch die Durchführung einer Reaktion an einem Wafer und mit einem Quellgas im Inneren einer Kammer hergestellt wird, umfassend: eine epitaktische Schicht, umfassend: eine Tasche, die mit einer Öffnung vorgesehen ist, auf der der Wafer angeordnet ist; einen Kantenbereich zum Stützen des Wafers; und ein Gaskontrollelement, das am äußeren Umfangsabschnitt der oberen Fläche der Suszeptoröffnung angeordnet ist, wobei das Gaskontrollelement ein erstes Gaskontrollelement, das auf einem vorbestimmten Bereich gegenüber einer Kristallrichtung des Wafers (110) ausgebildet ist, ein zweites Gaskontrollelement, das auf einem vorbestimmten Bereich gegenüber einer Kristallrichtung des Wafers (100) ausgebildet ist, und ein drittes Gaskontrollelement, das zwischen dem ersten Gaskontrollelement und dem zweiten Gaskontrollelement ausgebildet ist, wobei das erste Gaskontrollelement, das zweite Gaskontrollelement und das dritte Gaskontrollelement so ausgebildet sind, dass die Größe eines entlang dem Umfang des Wafers ausgebildeten Bereichs voneinander verschieden ist, wobei das erste, zweite und dritte Gaskontrollelement so ausgebildet sind, dass die Neigungswinkel davon vom Mittelpunkt des Wafers in Richtung einer Suszeptorrichtung zum Ändern der Strömung des Gases voneinander verschieden sind. Als Ergebnis kann ein Gasstrom durch unterschiedliches Ausbilden des Bereichs, auf dem die Vorrichtungen zum Erhöhen/Verringern des Gasstroms um den äußeren Umfangsteil des Suszeptors (Gaskontrollelement) positioniert sind, kontrolliert werden, wodurch der Unterschied in einer epitaktischen Schicht auf den Kantenbereichen des Wafers reduziert wird, wenn die epitaktische Schicht auf dem Halbleiterwafer ausgebildet wird.

Description

FACHGEBIET
Die vorliegende Offenlegung betrifft einen Suszeptor zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, und spezieller einen Suszeptor zur Kontrolle der Flachheit eines Kantenbereichs eines Wafers.
HINTERGRUNDTECHNIK
Ein epitaktischer Siliciumwafer wird durch Gasphasenwachstum einer epitaktischen Siliciumschicht auf einem Siliciumwafer hergestellt, wobei der Siliciumwafer mit Verunreinigungen wie Bor (B) dotiert ist, um einen geringen spezifischen Widerstand aufzuweisen, und die epitaktische Siliciumschicht mit weniger Verunreinigungen dotiert ist, um einen hohen spezifischen Widerstand aufzuweisen. Ein solcher epitaktischer Siliciumwafer hat eine hohe Sammelkraft, eine geringe Latchup-Charakteristik und eine Antirutsch-Charakteristik bei einer hohen Temperatur und wird somit zur Herstellung nicht nur einer MOS-Vorrichtung, sondern auch einer LSI-Vorrichtung breit eingesetzt. Qualitätsbewertungskriterien für einen solchen epitaktischen Wafer können Flachheit und ein Teilchenkontaminationsniveau zur Bewertung einer Oberfläche des epitaktischen Wafers, die ein Substrat und eine epitaktische Schicht einschließt, und Gleichmäßigkeit der Dicke, spezifischer Widerstand, dessen Gleichmäßigkeit, Metallkontamination und Gleitversetzung der epitaktischen Schicht zur Bewertung der epitaktischen Schicht selbst umfassen.
Obgleich eine Halbleitervorrichtung mit einem epitaktischen Wafer hergestellt wird, beeinflusst die Flachheit sehr stark ein Fotolithografieverfahren, ein chemisch-mechanisches Polierverfahren (CMP) und ein Bondingverfahren für einen Silicium-auf-Isolator(SOI)-Wafer. Insbesondere beeinflusst ein Kantenabrollphänomen, wobei eine Kante eines Wafers auf- oder abgerollt wird, sehr stark die Defokussierung im Fotolithografieverfahren, die Poliergleichmäßigkeit im CMP-Verfahren und das Defekt-Bonding im SOI-Bondingverfahren. Wenn ein Durchmesser eines Wafers bis auf mindestens 300 mm zunimmt, wird die Flachheit einer Kante eines Wafers für die Qualitätsbewertungskriterien eines epitaktischen Wafers wichtiger. Darum ist es notwendig, eine Ursache für die Verkrümmung der Flachheit einer Kante eines epitaktischen Wafers zu finden.
Ein Halbleiterwafer, der ein Substrat sein soll, wird in einer Kammer aufgestellt und wird mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit gedreht, während sich eine epitaktische Schicht bildet, so dass eine gleichmäßige Gesamtdicke einer Schicht erzielt wird. Daher wird eine Kristallorientierung eines Wafers bezogen auf eine epitaktische Herstellungsvorrichtung beständig geändert. D.h., da der Wafer an einem Suszeptor mit einer Tasche befestigt ist, ist die Kristallorientierung des Wafers bezogen auf den Suszeptor beständig fixiert.
Da der Wafer gedreht wird, während er auf dem Suszeptor angeordnet ist, kann die Dicke einer Kante des Wafers je nach Kristallorientierung periodisch zu- oder abnehmen.
1 ist ein Diagramm, das eine Kristallorientierung eines Wafers erläutert, und 2 ist ein Graph, der eine Dicke einer abgeschiedenen epitaktischen Schicht gemäß einer Orientation eines typischen Wafers in dem Fall erläutert, in dem ein Suszeptor mit einer für jede Orientierung konstanten Taschenhöhe verwendet wird, wenn auf dem Wafer eine epitaktische Schicht abgeschieden wird.
Unter Bezugnahme auf 1, mit der Maßgabe, dass eine Drei-Uhr-Richtung eines Wafers 100 0 Grad beträgt, ist eine Richtung von 0 Grad eine <110> Kristallorientierung, und eine um 45 Grad gedrehte Richtung bezogen auf die <110> Kristallorientierung ist eine <100> Kristallorientierung. D.h. alle 90 Grad treten die gleichen Kristallorientierungen wie die <110> und <100> Kristallorientierungen auf.
2 zeigt einen Teil, wobei eine Abweichung der Dicke der gemäß der Orientation des Wafers von 1 abgeschiedenen epitaktischen Schicht maximiert ist. Gemäß einem Bewertungsergebnis bezogen auf einen Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm, ist die Dicke der epitaktischen Schicht eines Kantenbereichs in einem Abstand von 149 mm von einem Mittelpunkt des Wafers in der <110> Orientierung in der Nähe von 180 Grad des Wafers am größten, und in der <100> Orientierung in der Nähe von 135 Grad und 225 Grad am kleinsten.
Eine Wachstumsgeschwindigkeit der epitaktischen Schicht variiert je nach Waferorientierung mit einer Charakteristik einer Kristallfläche, und es tritt eine Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers auf.
Als Ergebnis ist die Wachstumsgeschwindigkeit der epitaktischen Schicht in der <110> Kristallorientierung des Wafers relativ erhöht, aber in der <100> Kristallorientierung des Wafers relativ verringert.
Daher weist der Kantenbereich des Wafers einen Abschnitt auf, in dem die Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht in Intervallen von 45 Grad auftritt. Wenn die Abweichung der Dicke stärker wird, nimmt die Qualität des Wafers stärker ab, und im Hinblick auf die Bildung einer Halbleitervorrichtung treten Probleme auf.
OFFENLEGUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHES PROBLEM
Die Ausführungsformen stellen einen Suszeptor zur gleichmäßigen Kontrolle einer Dicke eines Kantenbereichs eines epitaktische Wafers zur Verbesserung der Flachheit einer Oberfläche des epitaktischen Wafers bereit.
TECHNISCHE LÖSUNG
In einer Ausführungsform umfasst ein Suszeptor für epitaktisches Wachstum zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, auf dem eine epitaktische Schicht durch Reaktion zwischen einem Wafer und einer Gasquelle in einer Kammer wachsen gelassen wird, eine Tasche mit einer darin ausgebildeten Öffnung, wobei der Wafer in der Öffnung angeordnet ist, einen vorspringenden Teil, der den Wafer stützt, und ein auf einem äußeren Umfangsabschnitt einer oberen Fläche der Öffnung des Suszeptors ausgebildetes Gasregulierungselement, wobei das Gasregulierungselement ein erstes Gasregulierungselement, das auf einem vorbestimmten Bereich ausgebildet ist, der in Richtung einer <110> Kristallorientierung des Wafers zeigt, ein zweites Gasregulierungselement, das auf einem vorbestimmten Bereich ausgebildet ist, der in Richtung einer <100> Kristallorientierung des Wafers zeigt, und ein drittes Gasregulierungselement, das zwischen dem ersten Gasregulierungselement und dem zweiten Gasregulierungselement ausgebildet ist, umfasst, wobei das erste bis dritte Gasregulierungselement so ausgebildet ist, dass Bereiche davon, die entlang eines Umfangs des Wafers ausgebildet sind, unterschiedliche Größen aufweisen, wobei das erste bis dritte Gasregulierungselement so ausgebildet ist, dass sie in einer Richtung von einem Mittelpunkt des Wafers bis zum Suszeptor unterschiedliche Neigungen aufweisen, um eine Gasströmungsgeschwindigkeit zu ändern.
VORTEILHAFTE AUSWIRKUNGEN
Gemäß der vorliegenden Offenlegung kann, da Gasströmungsgeschwindigkeitserhöhungs- oder -erniedrigungsvorrichtungen (Gasregulierungselemente) in verschiedenen Bereichen auf den zirkumferentiellen Abschnitt des Suszeptors ausgebildet sind, die Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers reduziert werden, wenn die epitaktische Schicht auf dem Halbleiterwafer ausgebildet wird.
Da weiterhin Gasströmungsgeschwindigkeitserhöhungs- oder -erniedrigungsvorrichtungen (Gasregulierungselemente) in verschiedenen Bereichen auf dem Umfangsabschnitt des Suszeptors ausgebildet sind, kann die Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers reduziert werden, wenn die epitaktische Schicht auf dem Halbleiterwafer ausgebildet wird.
Da zudem die Höhe oder der Winkel des Gasregulierungselements gemäß der Kristallorientierung des Wafers geändert wird, kann die Strömungsgeschwindigkeit eines Gases für jeden Abschnitt des Wafers exakt kontrolliert werden, und somit kann die Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers gleichmäßig gemacht werden.
Zusätzlich kann gemäß dem mit dem Gasregulierungselement einer Ausführungsform bereitgestellten Suszeptor ein Halbleiterwafer mit einer gleichmäßigen Flachheit bereitgestellt werden, so dass die Qualität und die Herstellungsausbeute eines Halbleiterwafers verbessert werden können.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Diagramm, das eine Kristallorientierung eines Halbleiterwafers erläutert.
2 ist ein Diagramm, das eine Dicke eines Teils einer epitaktischen Schicht gemäß einer Kristallorientierung eines Wafers in dem Fall der Verwendung eines typischen Suszeptors erläutert.
3 ist eine Draufsicht, die einen Bereich erläutert, in dem eine Dicke einer epitaktischen Schicht eines Wafers gemäß einer Kristallorientierung eines Wafers zu- oder abnimmt.
4 ist ein Diagramm, das eine Struktur eines Suszeptors zur Herstellung eines epitaktischen Wafers erläutert.
5 ist ein Graph, der eine gemessen Dicke einer epitaktischen Schicht eines Kantenbereichs eines Wafers gemäß Vergleichsbeispiel 1 erläutert.
6 ist eine Draufsicht, die einen Bereich erläutert, in dem ein Gasregulierungselement auf einem Suszeptor gemäß Vergleichsbeispiel 2 ausgebildet ist.
7 ist ein Graph, der eine Dicke einer epitaktischen Schicht eines Wafers bezogen auf einen gesamten Abschnitt auf einem Kantenbereich gemäß Vergleichsbeispiel 2 erläutert.
8 ist ein Graph, der einen bestimmten Bereich von 7 erläutert.
9 ist ein Diagramm, das einen Bereich erläutert, in dem ein Gasregulierungselement auf einem Suszeptor gemäß Vergleichsbeispiel 2 ausgebildet ist.
10 ist ein Diagramm, das einen Bereich erläutert, in dem ein Gasregulierungselement auf einem Suszeptor gemäß einer Ausführungsform ausgebildet ist.
11 ist eine Draufsicht, die einen Bereich erläutert, in dem ein Gasregulierungselement auf einem Suszeptor gemäß einer Ausführungsform ausgebildet ist.
12 ist ein Graph, der eine Dicke eines Kantenbereichs eines Wafers erläutert, die gemessen wird, wenn ein Gasregulierungselement gemäß einer Ausführungsform ausgebildet ist.
13 ist ein Graph, der einen bestimmten Bereich von 12 erläutert.
14 ist eine Ansicht von vorne eines oberen Bereichs einer Tasche eines Suszeptors gemäß einer Ausführungsform.
15 ist eine Ansicht von vorne eines oberen Bereichs einer Tasche eines Suszeptors gemäß einer anderen Ausführungsform.
16 ist eine Ansicht im Querschnitt eines Suszeptors gemäß einer anderen Ausführungsform.
ART UND WEISE ZUR DURCHFÜHRUNG DER ERFINDUNG
Hierin werden im Folgenden Ausführungsformen im Einzelnen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, jedoch ist die vorliegende Offenlegung nicht darauf beschränkt. Ausführliche Beschreibungen bekannter Funktionen oder Konfigurationen können hierin im Folgenden zur Klärung der Absicht der vorliegenden Offenlegung nicht bereitgestellt werden.
Ein Halbleiterwafer wird mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit gedreht, während er von einem Suszeptor in einer epitaktischen Herstellungsvorrichtung gestützt wird, so dass überall eine gleichmäßige Dicke erzielt wird. Im Allgemeinen hängt eine Wachstumsgeschwindigkeit einer epitaktischen Schicht von einer Strömungsgeschwindigkeit eines Gases für epitaktisches Wachstum, einer Konzentration eines Siliciumelements, einer Temperatur oder dergleichen ab. Daher ist es erwünscht, ein Element zur Änderung der vorhergehenden Faktoren in der Nachbarschaft einer inneren Umfangsfläche einer Öffnung einer Tasche, die einen Wafer trägt, bereitzustellen. Die vorliegende Ausführungsform betrifft die Bereitstellung einer Vorrichtung und eines Verfahrens zur Kontrolle einer Dicke einer epitaktischen Schicht für jede Kristallorientierung unter Verwendung eines Gasregulierungselements, das auf einer oberen Fläche eines Suszeptors angrenzend an eine Öffnung davon ausgebildet ist, um eine Strömungsgeschwindigkeit eines Gases zu kontrollieren, das entlang einer Kante eines Wafers strömt, um die Flachheit einer Peripherie des Wafers zu verbessern. Weiterhin wird ein Bereich des für jede Kristallorientierung verschieden ausgebildeten Gasregulierungselements auf der Grundlage von Vergleichsbeispielen kontrolliert.
Im Hinblick auf einen Silicium-Einkristall mit einer <110> Kristallorientierung ist bekannt, dass eine Wachstumsgeschwindigkeit einer epitaktischen Schicht von einer Kristallorientierung abhängt und dass diese Abhängigkeit in einem Kantenbereich stärker ausgeprägt ist und die Wachstumsgeschwindigkeit geändert wird. Daher nimmt in einer Peripherie eines Wafers die Dicke der epitaktischen Schicht in Intervallen von 90 Grad zu oder ab.
3 ist eine Draufsicht, die einen Bereich erläutert, in dem eine Dicke einer epitaktischen Schicht eines Wafers gemäß einer Kristallorientierung des Wafers zu- oder abnimmt.
Unter Bezugnahme auf 3 ist unter der Annahme, dass eine 3-Uhr-Richtung mit einer <110> Kristallorientierung bezogen auf einen Mittelpunkt eines Wafers 0 Grad beträgt, die Dicke der epitaktischen Schicht des Wafers in Bereichen innerhalb eines vorbestimmten Winkels bezogen auf etwa 0 Grad, etwa 90 Grad, etwa 180 Grad und etwa 270 Grad relativ groß, und die Dicke der epitaktischen Schicht des Wafers ist in Bereichen innerhalb eines vorbestimmten Winkel bezogen auf etwa 45 Grad, etwa 135 Grad, etwa 225 Grad und 315 Grad relativ klein. Hier können die vorhergehenden Winkel mit einer Kristallorientierung variieren, da der Wafer gedreht wird.
Hierin in der Folge werden die Bereiche innerhalb eines vorbestimmten Bereichs bezogen auf etwa 0 Grad, etwa 90 Grad, etwa 180 Grad und etwa 270 Grad als ein höherer Bereich bezeichnet, die Bereiche innerhalb eines vorbestimmten Bereichs bezogen auf etwa 45 Grad, etwa 135 Grad, etwa 225 Grad und 315 Grad werden als ein niedrigerer Bereich bezeichnet, und ein Bereich zwischen dem höheren Bereich und dem niedrigeren Bereich wird als ein Pufferbereich bezeichnet. Im Einzelnen stellen die höheren Bereiche, die niedrigeren Bereiche und die Pufferbereiche Bereiche auf einem Suszeptor dar, auf dem ein Gasregulierungselement ausgebildet ist, um die Flachheit eines Kantenbereichs des Wafers zu kontrollieren. D.h. der niedrigere Bereich kann als ein Bereich definiert werden, der innerhalb eines vorbestimmten Winkels bezogen auf eine <110> Kristallorientierung des Wafers ausgebildet ist, der höhere Bereich kann als ein Bereich definiert werden, der innerhalb eines vorbestimmten Winkels bezogen auf eine <110> Kristallorientierung ausgebildet ist, und der Pufferbereich kann als ein Bereich zwischen dem niedrigeren Bereich und dem höheren Bereich definiert werden.
4 ist ein Diagramm, das eine Struktur eines Suszeptors zur Herstellung eines epitaktischen Wafers erläutert. Unter Bezugnahme auf 4 wird ein Halbleiterwafer 5 von einem vorspringenden Teil 41 gestützt, der in einer Tasche 20 ausgebildet ist, die eine Öffnung eines Suszeptors 10 ist. Die Tasche 20 kann allgemein in der Form einer kreisförmigen Aussparung mit einer flachen unteren Fläche ausgebildet sein und kann den vorspringenden Teil 41 und einen Bodenteil 42 umfassen, wobei die kreisförmige Aussparung im Inneren der Tasche 20 einen Wafer aufnehmen kann. D.h. die Form der Tasche ist durch eine innere Umfangsfläche 21 und die untere Fläche definiert, und der vorspringende Teil 41 ist auf der unteren Fläche entlang eines Umfangs der Öffnung ausgebildet, wobei der Kantenteil 41 eine spitz zulaufende obere Fläche aufweist, die sich um so viel wie eine vorbestimmte Länge von der inneren Umfangsfläche 21 in Richtung einer inneren Umfangseite erstreckt. Der vorspringenden Teil 41 weist eine spitz zulaufende obere Fläche auf, die als untere Fläche der Tasche dient, so dass der Halbleiterwafer 5 sicher abgestützt ist, während ein Kontakt mit dem Halbleiterwafer 5 minimiert wird.
Der Suszeptor ist in einer Reaktionskammer (nicht gezeigt) angeordnet, und eine epitaktische Schicht ist auf dem Wafer 5 ausgebildet, während ein Gas für epitaktisches Wachstum in die Reaktionskammer injiziert wird. Hier ist ein Gasstrahlbohrloch für eine äußere Umfangsseite (nicht gezeigt) des Suszeptors vorgesehen, und ein Quellgas strömt von einem äußeren Umfang des Suszeptors in Richtung des inneren Umfangs davon, wo sich der Wafer befindet. D.h. das Quellgas strömt entlang einer oberen Fläche 22 der Öffnung des Suszeptors und trifft auf den Wafer. Eine Länge der inneren Umfangsfläche der Tasche, bei der die Öffnung geneigt ist, kann als eine Höhe H der Tasche definiert werden, wobei die Höhe H der Tasche ein Faktor ist, der das Strömen des Gases beeinflusst.
Die vorliegende Offenlegung schlägt eine Suszeptorstruktur vor, in der das Gasregulierungselement auf der oberen Fläche 22 der Öffnung des Suszeptors ausgebildet ist, so dass die Strömungsgeschwindigkeit des Gases, das vom äußeren Umfang des Suszeptors in Richtung des Wafers strömt, reguliert wird, um dadurch die Abweichung der Dicke des Kantenbereichs des Wafers zu reduzieren.
Hierin im Folgenden wird eine bevorzugte Struktur eines Suszeptors durch Vergleich zwischen einem Beispiel und einer Ausführungsform beschrieben.
(Vergleichsbeispiel 1)
Vergleichsbeispiel 1 ist der Fall, wobei die Höhe H der Tasche des Suszeptors für jede Kristallorientierung des Wafers in 4 konstant ist. Die Dicke der epitaktischen Schicht wurde vom Kantenbereich des Wafers aus gemessen, nachdem ein epitaktisches Schichtabscheidungsverfahren auf dem Wafer durchgeführt wurde.
5 ist ein Graph, der die Dicke des Kantenbereichs des Wafers gemäß Vergleichsbeispiel 1 erläutert. Dieser Graph stellt Daten zur Bewertung dar und zeigt eine Änderung in der Dicke der epitaktischen Schicht bezogen auf einen gesamten Abschnitt mit einem Durchmesser von etwa 149 mm des Kantenbereichs des Wafers mit einem Durchmesser von etwa 300 mm.
Aus 5 kann verstanden werden, dass die Dicke der epitaktischen Schicht in der <110> Kristallorientierung, i.e. etwa 0 Grad, etwa 90 Grad, etwa 180 Grad und etwa 270 Grad, dazu neigt zuzunehmen und in der <100> Kristallorientierung, i.e. etwa 45 Grad, etwa 135 Grad, etwa 225 Grad und etwa 315 Grad, dazu neigt abzunehmen. Bezogen auf den gesamten Abschnitt des Kantenbereichs des Wafers an einer Position mit einem Durchmesser von 149 mm betrug eine maximale Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht etwa 173,44 mm.
(Vergleichsbeispiel 2)
6 ist eine Draufsicht, die einen Bereich erläutert, in dem das Gasregulierungselement auf dem Suszeptor gemäß Vergleichsbeispiel 2 ausgebildet ist.
Unter Bezugnahme auf 6 kann ein erstes Gasregulierungselement zum Reduzieren eines Gasstroms für den höheren Bereich vorgesehen sein, der innerhalb eines vorbestimmten Winkels bezogen auf die <110> Kristallorientierung des Wafers ausgebildet ist, und ein zweites Gasregulierungselement zum Erhöhen eines Gasstroms kann für den niedrigeren Bereich vorgesehen sein, der innerhalb eines vorbestimmten Winkels bezogen auf die <110> Kristallorientierung des Wafers ausgebildet ist. Weiterhin kann ein drittes Gasregulierungselement für den Pufferbereich zwischen dem niedrigeren Bereich und dem höheren Bereich vorgesehen sein und kann eine unterschiedliche Höhe aufweisen, so dass ein Gas fluide zwischen dem ersten und zweiten Gasregulierungselement strömt.
Für Vergleichsbeispiel 2 wurde ein Bereich auf dem Suszeptor, der innerhalb etwa 35 Grad bezogen auf den Mittelpunkt des Wafers ausgebildet ist, als der höhere Bereich eingestellt, ein Bereich, der innerhalb etwa 315 Grad bezogen auf den Mittelpunkt des Wafers ausgebildet ist, wurde als der niedrigere Bereich eingestellt, und ein Bereich, der innerhalb etwa 10 Grad zwischen dem höheren Bereich und dem niedrigeren Bereich ausgebildet ist, wurde als der Pufferbereich eingestellt, und die Gasregulierungselemente wurden für die jeweiligen Bereiche ausgebildet. Die Dicke der epitaktischen Schicht wurde vom Kantenbereich des Wafers nach Durchführung des epitaktischen Abscheidungsverfahrens mit dem Wafer gemessen. D.h. für Vergleichsbeispiel 2, wurden die höheren Bereiche und die niedrigeren Bereiche so ausgebildet, dass sie den gleichen Umfang aufwiesen und bezogen auf den Pufferbereich symmetrisch zueinander waren.
Im Einzelnen kann die Taschenhöhe H des niedrigeren Bereichs etwa 0,8 mm betragen, die Taschenhöhe H des höheren Bereichs kann etwa 1,0 mm betragen, und die Taschenhöhe H des Pufferbereichs kann ein beliebiger Wert zwischen denjenigen des niedrigeren Bereichs und des höheren Bereichs sein.
Hier kann die Taschenhöhe H eine Höhe eines Gasregulierungselements einschließen. Im Einzelnen kann die Taschenhöhe H eine Höhe des ersten Gasregulierungselements, das auf dem höheren Bereich ausgebildet ist, eine Höhe des zweiten Gasregulierungselements, das auf dem niedrigeren Bereich ausgebildet, oder eine Höhe des dritten Gasregulierungselements, das ausgebildet auf dem Pufferbereich ausgebildet ist, einschließen.
7 ist ein Graph, der die Dicke der epitaktischen Schicht des Wafers bezogen auf den gesamten Abschnitt des Kantenbereichs gemäß Vergleichsbeispiel 2 erläutert. Unter Bezugnahme auf 7 beträgt die Abweichung der Dicke des Wafers an einer Position eines Durchmessers von 149 mm des Kantenbereichs des Wafers etwa 128,75 nm.
8 erläutert einen bestimmten Bereich des Kantenbereichs des in 7 bewerteten Wafers, spezieller eines Abschnitts zwischen etwa 135 Grad und etwa 225 Grad. Aus 8 kann entnommen werden, dass die Dicke des Kantenbereichs des Wafers auf dem höheren Bereich bei einem Winkel von etwa 180 Grad am größten ist und nach Abnahme in Intervallen von etwa 45 Grad dazu neigt zuzunehmen.
In Vergleichsbeispiel 2 sind der höhere Bereich und der niedrigere Bereich, wo das erste und zweite Gasregulierungselement angeordnet ist, um bezogen auf den Pufferbereich symmetrisch zueinander zu sein, während sie einen Winkel von etwa 35 Grad aufweisen, um die epitaktische Schicht auf dem Wafer abzuscheiden. Im Vergleich zu Vergleichsbeispiel 1, in dem das Gasregulierungselement nicht ausgebildet ist, ist die Abweichung der Dicke des gesamten Bereichs des Kantenbereichs des Wafers reduziert, jedoch ist die Qualität bei Abweichung in der Dicke des Kantenbereichs, die aktuell für einen Halbleiterwafer erforderlich ist, immer noch nicht ausreichend.
(Ausführungsform)
Nachstehend ist eine Ausführungsform beschrieben, in der der höhere Bereich, auf dem das erste Gasregulierungselement ausgebildet ist, und der niedrigere Bereich, auf dem das zweite Gasregulierungselement ausgebildet ist, bezogen auf den Pufferbereich asymmetrisch ausgebildet sind.
9 ist ein Diagramm, das einen Bereich erläutert, wo das Gasregulierungselement auf dem Suszeptor gemäß Vergleichsbeispiel 2 ausgebildet ist, und 10 ist ein Diagramm, das einen Bereich erläutert, wo das Gasregulierungselement auf dem Suszeptor gemäß der Ausführungsform ausgebildet ist. Die Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 9 und 10 beschrieben.
9 erläutert die Dicke eines bestimmten Bereichs des Wafers auf dem Suszeptor von Vergleichsbeispiel 2, spezieller eines einem Winkel zwischen etwa 135 Grad und etwa 225 Grad entsprechenden Bereichs, wie in 8 erläutert. Aus 9 kann entnommen werden, dass die Dicke des Kantenbereichs des Wafers im Mittelpunkt des höheren Bereichs der <110> Kristallorientierung am größten ist und an einer Grenze zwischen dem Pufferbereich und dem höheren Bereich am kleinsten ist. Aus dem Graph von 7 kann entnommen werden, dass diese Tendenz über den gesamten Abschnitt von 360 Grad in Intervallen von etwa 90 Grad auftritt.
In der vorliegenden Offenlegung sind, um die Abweichung der Waferdicke auf Grund dieser Tendenz stärker zu reduzieren, Umfänge des höheren Bereichs, des niedrigeren Bereichs und des Pufferbereichs gemäß der Waferdicke von Vergleichsbeispiel 2 eingestellt.
D.h. in einem Mittelteil der <110> Kristallorientierung, wo die Dicke der epitaktischen Schicht des Wafers relativ groß ist, kann der höhere Bereich innerhalb eines Winkels von etwa 0 Grad bis etwa 10 Grad definiert werden, um die Dicke der epitaktischen Schicht zu reduzieren, und das erste Gasregulierungselement zum Reduzieren einer Gasströmungsgeschwindigkeit kann auf dem höheren Bereich ausgebildet sein.
Weiterhin ist auf einem Bereich B, wo die Dicke der epitaktischen Schicht bezogen auf den höheren Bereich reduziert ist, der Pufferbereich, auf dem das dritte Gasregulierungselement auszubilden ist, so eingestellt, dass er die Dicke der epitaktischen Schicht nach und nach erhöht. Weiterhin kann der niedrigere Bereich auf einem äußeren Umfang des Pufferbereichs angeordnet sein. D.h. der höhere Bereich oder der niedrigere Bereich ist innerhalb eines Winkels von etwa 35 Grad gemäß Vergleichsbeispiel 2 ausgebildet, es ist aber erwünscht, dass der Bereich B, der eine Kombination des höheren Bereichs und des Pufferbereichs ist, innerhalb eines Winkels von etwa 35 Grad gemäß der vorliegende Ausführungsform ausgebildet ist.
11 ist eine Draufsicht, die einen Bereich erläutert, wo das Gasregulierungselement auf dem Suszeptor gemäß der Ausführungsform ausgebildet ist.
Unter Bezugnahme auf 11 können die höheren Bereiche, wo das erste Gasregulierungselement ausgebildet ist, auf dem Suszeptor in Intervallen von 90 Grad innerhalb eines Winkels von etwa 0 Grad bis etwa 10 Grad ausgebildet sein. Die Pufferbereiche, die sich an den höheren Bereich anschließen, können auf beiden Seiten des höheren Bereichs innerhalb eines Winkels von etwa 2,5 Grad bis etwa 17,5 Grad ausgebildet sein. Weiterhin können die niedrigeren Bereiche, die sich an die Pufferbereiche anschließen, auf dem Suszeptor in Intervallen von 90 Grad innerhalb eines Winkels von etwa 55 Grad bis etwa 85 Grad ausgebildet sein. D.h. gemäß der vorliegende Ausführungsform sind der höhere Bereich und der niedrigere Bereich bezogen auf den Pufferbereich asymmetrisch ausgebildet.
12 ist ein Graph, der die Dicke des Kantenbereichs des Wafers im Falle des Ausbildens des Gasregulierungselements gemäß der Ausführungsform erläutert.
Unter Bezugnahme auf 12 beträgt die Abweichung der Dicke etwa 83,62 nm bezogen auf den gesamten Abschnitt mit einem Durchmesser von 149 mm des Kantenbereichs des Wafers. Dies gibt an, dass die Dicke des Kantenbereichs des Wafers kontrolliert werden kann, um kleiner als etwa 128 nm zu sein, d.h. die Abweichung der Dicke von Vergleichsbeispiel 2 und die Abweichung der Dicke der Position mit einem Durchmesser von 149 mm können kontrolliert werden, um im Vergleich zur Gesamtdicke des Wafers geringer als etwa 3,25% zu sein.
13 ist ein Graph, der einen Bereich innerhalb eines Winkels von etwa 135 Grad bis etwa 225 Grad des Suszeptors von 12 erläutert. Aus 13 kann entnommen werden, dass die Dicke des Wafers in einem Kantenbereich auf Grund des höheren Bereichs, des niedrigeren Bereichs und des Pufferbereichs der Ausführungsform im Vergleich zu derjenigen von Vergleichsbeispiel 2 gleichmäßiger ist, und die Abweichung in der Dicke in einem 90-Grad-Bereich beträgt etwa 44,28 nm.
Die Abweichung der Dicke des Kantenbereichs des Wafers beträgt etwa 173 nm gemäß Vergleichsbeispiel 1, in dem die Höhe der Tasche des Suszeptors konstant ist, und die Abweichung der Dicke des Kantenbereichs des Wafers beträgt etwa 128 nm gemäß Vergleichsbeispiel 2, in dem die Höhe der Tasche des Suszeptors von Abschnitt zu Abschnitt variiert. D.h. die Abweichung der Dicke des Kantenbereichs von Vergleichsbeispiel 2 ist im Vergleich zu derjenigen von Vergleichsbeispiel 1 um etwa 26% verbessert.
Weiterhin kann entnommen werden, dass die Abweichung der Dicke des Kantenbereichs der Ausführungsform, die etwa 83 nm beträgt, im Vergleich zu derjenigen von Vergleichsbeispiel 1 um mindestens etwa 52% verbessert ist. Daher wird in der gemäß der vorliegenden Offenlegung vorgeschlagene Ausführungsform die Tendenz der Variation der Waferdicke gemäß einer Kristallorientierung geprüft, und ein Bereich, auf dem das Gasregulierungselement auszubilden ist, wird entsprechend bestimmt, so dass die Dicke des Kantenbereichs des Wafers gleichmäßiger kontrolliert werden kann.
14 und 15 sind Diagramme, die eine Ansicht von vorne eines oberen Teils der Tasche des Suszeptors gemäß der Ausführungsform erläutern. D.h. 14 und 15 zeigen einen vorderen Umriss des Suszeptors gemäß einer Winkeländerung eines höheren Bereichs A1.
Unter Bezugnahme auf 14 ist der höhere Bereich A1 des Suszeptors innerhalb eines Winkels von etwa 10 Grad mit einer Taschenhöhe H2 ausgebildet, und ein niedrigerer Bereich C1 ist innerhalb eines Winkels von etwa 55 Grad mit einer Taschenhöhe H1 ausgebildet. Weiterhin kann ein Pufferbereich B1 zum Verbinden des höheren Bereichs und des niedrigeren Bereichs innerhalb eines Winkels von etwa 2,5 Grad bis etwa 17,5 Grad mit einer vorbestimmten Neigung ausgebildet sein.
15 erläutert speziell ein Beispiel, in dem der höhere Bereich mit einem Winkel von 0 Grad ausgebildet ist. D.h. in diesem Beispiel existiert in der <110> Kristallorientierung der höhere Bereich nicht, und es braucht nur ein Pufferbereich B2 mit einem vorbestimmten geneigten Teil ausgebildet sein, so dass ein Gas gleichmäßig strömen kann.
Wie vorstehend beschrieben, können die Umfänge des höheren Bereichs, des niedrigeren Bereichs und des Pufferbereichs eingestellt sein, so dass die Abweichung der epitaktischen Schicht auf dem Kantenbereich des Wafers reduziert werden kann.
Unterdessen neigt, da die Dicke der auf dem Wafer abgeschiedenen epitaktischen Schicht zunimmt, die Abweichung der Dicke der epitaktischen Schicht auf dem Kantenbereich des Wafers dazu zuzunehmen. Da die Dicke der epitaktischen Schicht zunimmt, nimmt die rückseitige Abscheidung, die ein weiterer Qualitätsfaktor ist, zu, kann aber durch Erhöhen der Höhe der Tasche reduziert werden. Daher kann gemäß der Dicke der auszubildenden epitaktischen Schicht die Höhe der Tasche für jeden auszubildenden Bereich allgemein erhöht oder verringert werden.
Die Höhe der Tasche des höheren Bereichs kann durch Beschichten des Suszeptors mit Silicium eingestellt werden. Silicium wird auf dem niedrigeren Bereich, dem Pufferbereich und dem höheren Bereich auf dem Suszeptor gemäß der Dicke der auszubildenden epitaktischen Schicht abgeschieden, und, um die Dicke wieder einzustellen, kann das abgeschiedene Silicium durch HCl-Ätzen entfernt werden.
Die vorliegende Offenlegung schlägt verschiedene Beispiele des Gasregulierungselements vor, die für jeden Kristallorientierungsabschnitt eines Wafers ausgebildet werden, wovon eine Kristallorientierung in Abschnitte unterteilt wird, um die Höhe der Tasche und eine Bereichsgröße einzustellen.
16 ist eine Ansicht im Querschnitt eines Suszeptors gemäß einer anderen Ausführungsform.
Unter Bezugnahme auf 16 ist ein Gasregulierungselement 30 auf der oberen Fläche 22 der Öffnung der in Suszeptor 10 bereitgestellten Tasche 20 ausgebildet. Das Gasregulierungselement 30 ist in einer Richtung von einem Ende einer äußeren Umfangsseite des Suszeptors zu einer Endseite oder einer Kantenseite eines Wafers geneigt und ist ausgebildet, so dass eine Strömungsgeschwindigkeit eines Gases reduziert wird, das vom äußeren Umfang des Suszeptors 10 in Richtung des Wafers strömt. D.h. das Gasregulierungselement 30 kann in der <110> Kristallorientierung ausgebildet sein, wo die epitaktische Schicht bis zu einer relativ hohen Dicke ausgebildet ist, i.e. es kann auf dem höheren Bereich ausgebildet sein. Da eine innere Umfangstaschenhöhe H2 größer ist als eine äußere Umfangstaschenhöhe D2, ist die Strömungsgeschwindigkeit des Gases im Vergleich zu einem anderen Bereich reduziert, so dass die epitaktische Schicht mit einer geringen Dicke ausgebildet werden kann.
Gemäß der in 16 erläuterten Struktur des Gasregulierungselements 30 wird die Taschenhöhe nach und nach geändert, so dass das Gas problemlos strömen kann und somit die Dicke der epitaktischen Schicht exakter eingestellt werden kann.
Weiterhin kann das Gasregulierungselement 30 von 16 gleichzeitig auf dem höheren Bereich und dem niedrigeren Bereich ausgebildet sein. Im Falle des allgemeinen Erhöhens der Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers kann das Gasregulierungselement 30 auf dem höheren Bereich und dem niedrigeren Bereich ausgebildet sein, während es in einer Richtung vom Suszeptor zum Mittelpunkt des Wafers geneigt ist, um die Strömungsgeschwindigkeit des Gases zu erhöhen. Hier kann eine Neigung eines ersten, auf dem höhere Bereich ausgebildeten Gasregulierungselements größer als diejenige eines zweiten auf dem niedrigeren Bereich ausgebildeten Gasregulierungselements gemacht werden, so dass die Abweichung der zu erhöhenden Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers kontrolliert werden kann.
Gleichermaßen kann in dem Fall der allgemeinen Verringerung der Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers das Gasregulierungselement 30 auf dem höheren Bereich und dem niedrigeren Bereich ausgebildet sein, während es in eine Richtung vom Mittelpunkt des Wafers zum Suszeptor geneigt ist, um die Strömungsgeschwindigkeit des Gases zu verringern. Hier kann die Neigung des zweiten auf dem niedrigeren Bereich ausgebildeten Gasregulierungselements größer als diejenige des ersten im höhere Bereich ausgebildeten Gasregulierungselements gemacht werden, so dass die Abweichung der zu verringernden Dicke der epitaktischen Schicht des Kantenbereichs des Wafers kontrolliert werden kann.
Weiterhin kann das Regulierungselement in der Form einer Treppe, eines Trapezes oder eines Dreiecks ausgebildet sein, um die Strömungsgeschwindigkeit des Gases zu erhöhen oder zu verringern.
Die in der vorliegende Offenlegung vorgeschlagenen verschiedenen Beispiele des Gasregulierungselements können angewendet werden, um die Abweichung der Dicke des Kantenteils zu reduzieren, die mit der Orientierung des epitaktischen Wafers variiert. Obwohl beschrieben wurde, dass das Gasregulierungselement auf dem höheren Bereich ausgebildet ist, d.h. in der <110> Kristallorientierung, um die Strömungsgeschwindigkeit des Gases zu verringern, und das Gasregulierungselement auf dem niedrigeren Bereich ausgebildet ist, i.e. in der <110> Kristallorientierung, um die Strömungsgeschwindigkeit des Gases zu erhöhen, braucht nur das Gasregulierungselement für die Verringerung der Strömungsgeschwindigkeit des Gases in der <110> Kristallorientierung ausgebildet zu sein, und das Gasregulierungselement im Pufferbereich und in der <110> Kristallorientierung, oder umgekehrt, braucht nicht ausgebildet sein.
D.h. da es verschiedene Faktoren gibt, die die Flachheit des Kantenbereichs des Wafers beeinflussen, kann das Gasregulierungselement flexibel angeordnet werden, so dass nur eine Stelle, an der die Abweichung der Dicke der auf dem Wafer ausgebildeten epitaktischen Schicht groß ist, exakt kontrolliert zu werden braucht.
Obwohl der Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm als ein Beispiel beschrieben wurde, kann die vorliegende Offenlegung auf Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm oder mehr angewendet werden.
Gemäß dem Suszeptor zum Bilden einer epitaktischen Schicht der vorliegende Offenlegung kann eine Gasströmungsgeschwindigkeitserhöhungs- oder -erniedrigungsvorrichtung (Gasregulierungselement) mit verschiedenen Höhen für jede Kristallorientierung auf einem äußeren Umfangsabschnitt des Suszeptors ausgebildet sein, wenn eine epitaktische Schicht auf einem Halbleiterwafer ausgebildet wird, so dass die Dicke des epitaktischen Wafers entlang dem Durchmesser des Wafers gleichmäßig gemacht werden kann.
Da weiterhin die Höhe oder die Höhendifferenz des Gasregulierungselements gemäß der Kristallorientierung des Wafers geändert wird, kann die Strömungsgeschwindigkeit eines Gases für jeden Abschnitt des Wafers exakt kontrolliert werden, und somit kann die Flachheit des epitaktischen Wafers gleichmäßig gemacht werden.
Darüber hinaus kann gemäß dem Suszeptor einer Ausführungsform ein Halbleiterwafer, von dem ein Kantenbereich eine gleichmäßige Flachheit aufweist, vorgesehen sein, so dass die Qualität und die Herstellungsausbeute eines Halbleiterwafers verbessert werden können.
Obwohl das epitaktische Wachstum auf der Oberfläche des Siliciumwafers 100 als ein Beispiel beschrieben wurde, ist die vorliegende Offenlegung nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die vorliegende Offenlegung auf eine epitaktische Herstellungsvorrichtung für ein beliebiges Material mit einer von der Kristallorientierung abhängigen epitaktischen Wachstumsgeschwindigkeit oder einen dabei verwendeten Suszeptor angewendet werden. Weiterhin, obwohl die <110> und <100> Kristallorientierungen beschrieben wurden, kann die vorliegende Offenlegung auf [110] und [100] Orientierungen mit der gleichen Kristallcharakteristik angewendet werden.
Obwohl Ausführungsformen unter Bezugnahme auf eine Anzahl von erläuternden Ausführungsformen davon beschrieben wurden, sollte verstanden werden, dass durch die Fachwelt zahlreiche weitere Modifikationen und Ausführungsformen erdacht werden können, die in den Geist und Umfang der Prinzipien dieser Offenlegung fallen. Genauer gesagt sind diverse Variationen und Modifikationen in Komponententeilen und/oder Anordnungen der betroffenen kombinierten Anordnung im Umfang der Offenlegung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen in Komponententeilen und/oder Anordnungen sind für die Fachwelt alternative Verwendungen naheliegend.
INDUSTRIELLE ANWENDUNGSMÖGLICHKEIT
Die vorliegende Ausführungsform kann auf eine epitaktische Wachstumsvorrichtung zur Herstellung eines epitaktischen Wafers angewendet werden und ist somit industriell anwendbar.

Claims

Suszeptor für epitaktisches Wachstum zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, auf dem eine epitaktische Schicht durch Reaktion zwischen einem Wafer und einer Gasquelle in einer Kammer wachsen gelassen wird, wobei der Suszeptor folgendes umfasst: eine Tasche mit einer darin ausgebildeten Öffnung, wobei der Wafer in der Öffnung angeordnet ist; einen vorspringenden Teil, der den Wafer stützt; und ein auf einem äußeren Umfangsabschnitt einer oberen Fläche der Öffnung des Suszeptors ausgebildetes Gasregulierungselement, wobei das Gasregulierungselement ein erstes Gasregulierungselement, das auf einem vorbestimmten Bereich ausgebildet ist, der in Richtung einer <110> Kristallorientierung des Wafers zeigt, ein zweites Gasregulierungselement, das auf einem vorbestimmten Bereich ausgebildet ist, der in Richtung einer <100> Kristallorientierung des Wafers zeigt, und ein zwischen dem ersten Gasregulierungselement und dem zweiten Gasregulierungselement ausgebildetes drittes Gasregulierungselement umfasst, wobei das erste bis dritte Gasregulierungselement so ausgebildet ist, dass Bereiche davon, die entlang eines Umfangs des Wafers ausgebildet sind, unterschiedliche Größen aufweisen, wobei das erste bis dritte Gasregulierungselement so ausgebildet ist, dass sie in einer Richtung von einem Mittelpunkt des Wafers bis zum Suszeptor unterschiedliche Neigungen aufweisen, um eine Gasströmungsgeschwindigkeit zu ändern.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei die Bereiche des ersten und zweiten Gasregulierungselements asymmetrisch zueinander bezogen auf das dritte Gasregulierungselement sind.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das erste Gasregulierungselement auf einem Bereich ausgebildet ist, in dem die epitaktische Schicht eines Kantenbereichs des Wafers bis auf eine relativ große Dicke abgeschieden und auf dem Suszeptor ausgebildet ist, um einen Winkel von etwa 0 Grad bis etwa 5 Grad bezogen auf die <100> Kristallorientierung aufzuweisen
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das dritte Gasregulierungselement auf einem Bereich ausgebildet ist, in dem eine Dicke der epitaktischen Schicht eines Kantenbereichs des Wafers erhöht oder erniedrigt und innerhalb eines Winkels von etwa 2,5 Grad bis etwa 17,5 Grad zu beiden Seiten des ersten Gasregulierungselements ausgebildet ist.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das zweite Gasregulierungselement auf einem Bereich ausgebildet ist, in dem die epitaktische Schicht eines Kantenbereichs des Wafers bis auf eine relativ geringe Dicke abgeschieden und auf dem Suszeptor ausgebildet ist, um einen Winkel von etwa 55 Grad bis etwa 80 Grad bezogen auf die <100> Kristallorientierung aufzuweisen.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das erste bis dritte Gasregulierungselement bis auf verschiedene Höhen auf dem Suszeptor ausgebildet ist, um die Gasströmungsgeschwindigkeit zu ändern.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das erste und zweite Regulierungselement auf dem Suszeptor in Intervallen von etwa 90 Grad gemäß einer Kristallorientierung des Wafers ausgebildet sind.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das erste Gasregulierungselement eine abgeschiedene Siliciumschicht mit einer vorbestimmten Dicke ist, um die Gasströmungsgeschwindigkeit zu reduzieren, und das zweite Gasregulierungselement eine abgeschiedene Siliciumschicht mit einer vorbestimmten Dicke ist, um die Gasströmungsgeschwindigkeit zu erhöhen.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das erste Gasregulierungselement eine Struktur ist, die in eine Richtung vom Mittelpunkt des Wafers zum Suszeptor geneigt ist, um die Gasströmungsgeschwindigkeit zu reduzieren.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das zweite Gasregulierungselement eine Struktur ist, die in eine Richtung vom Suszeptor zum Mittelpunkt des Wafers geneigt ist, um die Gasströmungsgeschwindigkeit zu reduzieren.
Suszeptor nach Anspruch 1, wobei das erste und zweite Gasregulierungselement Strukturen sind, die in einer Richtung vom Mittelpunkt des Wafers zum Suszeptor geneigt sind, um die Gasströmungsgeschwindigkeit zu reduzieren, wobei ein Neigung des ersten Gasregulierungselements größer ist als diejenige des zweiten Gasregulierungselements.
Suszeptor für epitaktisches Wachstum zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, auf dem eine epitaktische Schicht durch Reaktion zwischen einem Wafer und einer Gasquelle in einer Kammer wachsen gelassen wird, wobei der Suszeptor folgendes umfasst: eine Tasche mit einer darin ausgebildeten Öffnung, wobei der Wafer in der Öffnung angeordnet ist; einen vorspringenden Teil, der den Wafer stützt; und ein auf einem äußeren Umfangsabschnitt einer oberen Fläche der Öffnung des Suszeptors ausgebildetes Gasregulierungselement, wobei das Gasregulierungselement ein erstes Gasregulierungselement, das auf einem vorbestimmten Bereich ausgebildet ist, der in Richtung einer <110> Kristallorientierung des Wafers zeigt, ein zweites Gasregulierungselement, das auf einem vorbestimmten Bereich ausgebildet ist, der in Richtung einer <100> Kristallorientierung des Wafers zeigt, und ein zwischen dem ersten Gasregulierungselement und dem zweiten Gasregulierungselement ausgebildetes drittes Gasregulierungselement umfasst, wobei das erste bis dritte Gasregulierungselement so ausgebildet ist, dass Bereiche davon, die entlang eines Umfangs des Wafers ausgebildet sind, unterschiedliche Größen aufweisen.
Vorrichtung für epitaktisches Wachstum, umfassend einen Suszeptor für epitaktisches Wachstum nach einem der Ansprüche 1 bis 11.