DE112011102499T5

DE112011102499T5 - Hochfrequenzmodul

Info

Publication number: DE112011102499T5
Application number: DE112011102499T
Authority: DE
Inventors: Takanori Uejima
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-07-27
Filing date: 2011-07-06
Publication date: 2013-06-20
Also published as: CN103026622A; US20130141180A1; JPWO2012014643A1; US9071227B2; JP5516738B2; CN103026622B; WO2012014643A1

Abstract

Ein Hochfrequenzmodul mit einer Struktur, die symmetrische Anschlüsse umfasst, mit hoher Entwurfsflexibilität und guten Übertragungscharakteristika wird erzielt. Verdrahtungsstrukturen (101, 102, 201, 202, 301, 302, 401, 402), die mit symmetrischen Anschlüssen von SAW-Filtern von SAW-Duplexern (S1, S2) verbunden werden sollen, sind in einer Mehrzahl bestimmter Schichten von der zweiten Schicht (PL2) bis sechsten Schicht (PL6) eines geschichteten Körpers (900) gebildet. In diesem Fall sind die charakteristischen Impedanzen von Verdrahtungsstrukturen (101, 102), die ein Paar paralleler Leitungen bilden, zusammenpassend gemacht, die charakteristischen Impedanzen von Verdrahtungsstrukturen (201, 202), die ein Paar paralleler Leitungen bilden, sind zusammenpassend gemacht, die charakteristischen Impedanzen von Verdrahtungsstrukturen (301, 302), die ein Paar paralleler Leitungen bilden, sind zusammenpassend gemacht und die charakteristischen Impedanzen von Verdrahtungsstrukturen (401, 402), die ein Paar paralleler Leitungen bilden, sind zusammenpassend gemacht.

Description

Technisches Gebiet
Diese Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenzmodul, das eine Mehrzahl von Kommunikationssignalen mit unterschiedlichen Frequenzbändern unter Verwendung einer gemeinsamen Antenne sendet und empfängt, und insbesondere auf ein Hochfrequenzmodul, dessen Empfangssignal-Ausgangsanschlüsse für die jeweiligen Kommunikationssignale durch symmetrische Anschlüsse gebildet sind.
Hintergrundtechnik
In der verwandten Technik wurden bereits verschiedene Hochfrequenzmodule entwickelt, die eine Mehrzahl von Kommunikationssignalen mit unterschiedlichen Frequenzbändern unter Verwendung einer gemeinsamen Antenne senden und empfangen. In derartigen Hochfrequenzmodulen ist beispielsweise, wie in Patendokument 1 beschrieben ist, ein gemeinsamer Anschluss einer Schalt-IC mit einer gemeinsamen Antenne verbunden und ein Sendesignal-Eingangsanschluss und ein Empfangssignal-Ausgangsanschluss eines Hochfrequenzmoduls sind mit einer Mehrzahl einzelner Anschlüsse der Schalt-IC verbunden.
Einige der Hochfrequenzmodule des Stands der Technik besitzen eine Struktur, bei der ein SAW-Duplexer mit einem einzelnen Anschluss der Schalt-IC verbunden ist. Bei einem Hochfrequenzmodul dieses Typs werden Empfangssignale, die zwei Typen von Kommunikationssignalen sind, aus einem einzelnen Anschluss ausgegeben und werden durch einen SAW-Duplexer getrennt, sodass ein Empfangssignal, das jedes Kommunikationssignal ist, aus einem unterschiedlichen Anschluss des Hochfrequenzmoduls ausgegeben wird.
Bei einem Hochfrequenzmodul mit einer derartigen Ausbildung (Konfiguration) werden symmetrische Anschlüsse oft gemäß der Ausbildung oder dergleichen einer Signalverarbeitungsschaltung in einer nachfolgenden Stufe als Empfangssignal-Ausgangsanschlüsse verwendet.
In einem derartigen Fall, in dem symmetrische Anschlüsse verwendet werden, ist eine Verdrahtungsstruktur so eingestellt, dass die Phasendifferenz zwischen Signalen, die aus zwei Anschlüssen ausgegeben werden, die die symmetrischen Anschlüsse bilden, 180° wird. In der verwandten Technik wurde deshalb bisher eine Verdrahtungsstruktur, wie sie in 1(A) dargestellt ist, verwendet. 1(A) ist ein Diagramm, das eine Verdrahtungsstruktur für einen SAW-Duplexer in einem Hochfrequenzmodul der verwandten Technik darstellt, und 1(B) umfasst Graphen, die die Amplitudencharakteristika und Phasencharakteristika eines SAW-Duplexers alleine in einem Hochfrequenzmodul mit einer Struktur der verwandten Technik und des Moduls darstellen. 1(B) stellt die Charakteristika eines GSM 900-Kommunikationssignals dar, wobei die Phasencharakteristika „0” sind, wenn die Phasendifferenz zwischen Signalen, die aus zwei symmetrischen Ausgangsanschlüssen ausgegeben werden, 180° beträgt.
Wie in 1(A) dargestellt ist, weisen Verdrahtungsstrukturen 101P und 102P, die einen symmetrischen Ausgang aus einem SAW-Duplexer S2 bilden, die gleiche Leitungsbreite und die gleiche Leitungslänge auf und sind parallel gebildet. Außerdem weisen Verdrahtungsstrukturen 201P und 102P, die den anderen symmetrischen Ausgang aus dem SAW-Duplexer S2 bilden, die gleiche Leitungsbreite und die gleiche Leitungslänge auf und sind parallel gebildet. Zusätzlich weisen Verdrahtungsstrukturen 301P und 302P, die einen symmetrischen Ausgang aus einem SAW-Duplexer S1 bilden, die gleiche Leitungsbreite und die gleiche Leitungslänge auf und sind parallel gebildet. Außerdem weisen Verdrahtungsstrukturen 401P und 402P, die den anderen symmetrischen Ausgang aus dem SAW-Duplexer S1 bilden, die gleiche Leitungsbreite und die gleiche Leitungslänge auf und sind parallel gebildet.
Zitatliste
Patentliteratur

Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2009-124746

Zusammenfassung der Erfindung
Technisches Problem
In der verwandten Technik jedoch ist, wenn ein Paar von Verdrahtungsstrukturen, die Leitungsstrukturen für einen symmetrischen Ausgang sind, was sowohl Leitungslänge als auch Leitungsbreite anbetrifft, in der gleichen Form gebildet sind, das Paar von Verdrahtungsstrukturen Entwurfseinschränkungen unterworfen und deshalb ist die Entwurfsflexibilität vermindert. So ist es schwierig, das Hochfrequenzmodul kompakt zu machen. Zusätzlich könnte die Entwurfsbelastung erhöht sein.
Zusätzlich könnte, selbst wenn die Leitungslängen und die Leitungsbreiten gleich sind, wie in 1(B) dargestellt ist, die Phasenverschiebung in Wirklichkeit von 180° abweichen, was zu dem Auftreten eines Übertragungsverlusts führt.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Hochfrequenzmodul mit einer Struktur, die symmetrische Anschlüsse umfasst, mit hoher Entwurfsflexibilität und guten Übertragungscharakteristika zu schaffen.
Lösung für das Problem
Diese Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenzmodul, das ein Hochfrequenzbauelement mit symmetrischen Anschlüssen und einen geschichteten Körper, an dem das Hochfrequenzbauelement befestigt ist und das Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe aufweist, die mit den symmetrischen Anschlüssen verbunden sein sollen, umfasst. Der geschichtete Körper des Hochfrequenzmoduls umfasst eine erste Leitungsstruktur und eine zweite Leitungsstruktur, die die symmetrischen Anschlüsse und die Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe miteinander verbinden. Die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur sind in derartigen Formen gebildet, dass deren charakteristische Impedanzen gleich sind.
Bei dieser Ausbildung sind die charakteristischen Impedanzen zweier Übertragungsleitungen, die die symmetrischen Anschlüsse und die Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe miteinander verbinden, gleich. So tritt, wie in 5 dargestellt und unten beschrieben ist, keine Amplitudendämpfung oder Phasenabweichung aufgrund einer Übertragung auf. In diesem Fall besteht, im Gegensatz zu der verwandten Technik, kein Bedarf, zwei Leitungsstrukturen so herzustellen, dass sie die gleiche Leitungsbreite und die gleiche Leitungslänge aufweisen. Deshalb können die Leitungsstrukturen mit größerer Flexibilität entworfen werden. Da die Entwurfsflexibilität verbessert ist, kann das Hochfrequenzmodul leichter kompakt gemacht werden.
Ferner sind in dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung zumindest ein Teil der ersten Leitungsstruktur und zumindest ein Teil der zweiten Leitungsstruktur in unterschiedlichen Schichten des geschichteten Körpers gebildet.
Bei dieser Ausbildung ist eine spezifische Ausbildung der ersten Leitungsstruktur und der zweiten Leitungsstruktur gegeben. Auf diese Weise sind zumindest Teile derselben in unterschiedlichen Schichten gebildet, was zu einer weiter verbesserten Entwurfsflexibilität führt und eine Verminderung der Größe ohne weiteres möglich macht.
Ferner sind in dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur so gebildet, dass sie unterschiedliche Strukturbreiten aufweisen.
Bei dieser Ausbildung ist eine spezifische Ausbildung der ersten Leitungsstruktur und der zweiten Leitungsstruktur gegeben. Auf diese Weise sind die Strukturbreiten der jeweiligen Leitungsstrukturen unterschiedlich gemacht und so können die charakteristischen Impedanzen der Strukturen selbst dann ohne weiteres gleich gemacht werden, wenn die Strukturen unterschiedliche Längen besitzen.
Ferner sind bei dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur auf einer Befestigungsoberfläche gebildet, an der das Hochfrequenzbauelement befestigt ist. Elektrodenstrukturen, die andere Schaltungselemente und andere Verdrahtungsstrukturen bilden, die das Hochfrequenzmodul ausmachen, sind auf einer Hauptoberfläche, die der Befestigungsoberfläche zugewandt ist, gebildet.
Bei dieser Ausbildung sind die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur von Elektrodenstrukturen, die andere Schaltungselemente und andere Verdrahtungsstrukturen bilden, die das Hochfrequenzmodul ausmachen, in dem geschichteten Körper beabstandet. Deshalb kann die elektromagnetische Kopplung zwischen der ersten Leitungsstruktur und der zweiten Leitungsstruktur und den Elektrodenstrukturen, die andere Schaltungselemente und die anderen Verdrahtungsstrukturen ausmachen, die das Hochfrequenzmodul bilden, unterdrückt werden.
Ferner sind bei dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur zwischen der Befestigungsoberfläche, an der das Hochfrequenzbauelement befestigt ist, und einer ersten Innenschicht-Masseelektrode gebildet, die in dem geschichteten Körper gebildet ist.
Bei dieser Ausbildung sind die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur zwischen der Befestigungsoberfläche, an der das Hochfrequenzbauelement befestigt ist, und der ersten Innenschicht-Masseelektrode gebildet, was den Entwurf der Kapazität der ersten Leitungsstruktur und der zweiten Leitungsstruktur erleichtert und den Entwurf der charakteristischen Impedanzen weiter erleichtert.
Ferner ist bei dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung an dem geschichteten Körper eine Schalt-IC befestigt, die einen gemeinsamen Anschluss und einzelne Anschlüsse aufweist, sodass Verbindungen des gemeinsamen Anschlusses zu den einzelnen Anschlüssen geschaltet werden. Das Hochfrequenzbauelement ist ein SAW-Bauelement mit einer Unsymmetrisch-Symmetrisch-Umwandlungsfunktion, wobei das SAW-Bauelement einen unsymmetrischen Anschluss, der mit einem der einzelnen Anschlüsse verbunden ist, aufweist und die symmetrischen Anschlüsse aufweist. Die Elektrodenstrukturen, die andere Schaltungselemente und die anderen Verdrahtungsstrukturen bilden, machen eine Filterschaltung aus, die mit einem einzelnen Anschluss verbunden ist, der sich von dem einzelnen Anschluss unterscheidet, mit dem das SAW-Bauelement verbunden ist. In dem Hochfrequenzmodul ist ferner die Filterschaltung eine Sendeschaltung, das SAW-Bauelement ist eine Empfangsschaltung und eine antennenseitige Schaltung befindet sich auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses der Schalt-IC.
Bei dieser Ausbildung ist eine spezifischere beispielhafte Ausbildung des Hochfrequenzmoduls gegeben, bei der ein Hochfrequenz-Schaltmodul, das eine Mehrzahl von Kommunikationssignalen durch Schalten derselben unter Verwendung einer gemeinsamen Antenne sendet und empfängt, erzielt wird.
Ferner sind bei dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung zwei Eingangs-/Ausgangselektroden, die die symmetrischen Anschlüsse des Hochfrequenzbauelements ausmachen, entlang einer bestimmten Seitenoberfläche des Hochfrequenzbauelements gebildet, um so parallel zu und nahe an der Seitenoberfläche zu sein. In dem Hochfrequenzmodul sind ferner zwei Externverbindungselektroden, die die Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe ausmachen, entlang einer bestimmten Seitenoberfläche des geschichteten Körpers gebildet, um so parallel zu und nahe an der Seitenoberfläche zu sein.
Diese Ausbildung ergibt eine spezifische Ausbildung des Hochfrequenzbauelements und des geschichteten Körpers. Selbst bei dieser Ausbildung ist die Flexibilität der Leitungsstrukturen groß. So können die Richtung, in der die beiden Eingangs-/Ausgangselektroden, die die symmetrischen Anschlüsse des Hochfrequenzbauelements ausmachen, angeordnet sind, und die Richtung, in der die beiden Externverbindungselektroden, die die Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe ausmachen, angeordnet sind, wie erwünscht eingestellt werden. Deshalb wird die Flexibilität bei der Form des Hochfrequenzmoduls verbessert und das Hochfrequenzmodul kann kompakt gemacht werden und dergleichen.
Ferner umfasst in dem Hochfrequenzmodul dieser Erfindung das Hochfrequenzbauelement einen ersten symmetrischen Anschluss und einen zweiten symmetrischen Anschluss, die sich voneinander unterscheiden. Eine Richtung, in der sich ein Hauptleitungsabschnitt einer Leitungsstruktur, die mit dem ersten symmetrischen Anschluss verbunden ist, erstreckt, ist senkrecht zu einer Richtung, in der sich ein Hauptleitungsabschnitt einer Leitungsstruktur, die mit dem zweiten symmetrischen Anschluss verbunden ist, erstreckt.
Bei dieser Ausbildung ist eine spezifische Ausbildung des Hochfrequenzbauelements, das in dem Hochfrequenzmodul eingesetzt wird, gegeben. Unter Verwendung der verbesserten Flexibilität der Leitungsstrukturen, wie oben beschrieben wurde, sind, wenn das Hochfrequenzbauelement einen ersten symmetrischen Anschluss und einen zweiten symmetrischen Anschluss umfasst, die Richtungen, in denen sich die Hauptleitungsabschnitte der Leitungsstrukturen für die jeweiligen symmetrischen Anschlüsse erstrecken, senkrecht gemacht, was dazu führt, dass die elektromagnetische Kopplung zwischen den Leitungsstrukturen unterdrückt wird und die Isolierung zwischen den Leitungsstrukturen verbessert wird.
Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
Gemäß dieser Erfindung kann ein Hochfrequenzmodul, das zu einer symmetrischen Ausgabe in der Lage ist, mit hoher Entwurfsflexibilität und guten Übertragungscharakteristika geschaffen werden.
Figurenkurzbeschreibung
1 umfasst ein Diagramm, das Verdrahtungsstrukturen für SAW-Duplexer eines Hochfrequenzmoduls der verwandten Technik darstellt, und Diagramme, die die Amplitudencharakteristika und Phasencharakteristika des Hochfrequenzmoduls der verwandten Technik darstellen.
2 ist ein Schaltungsdiagramm eines Hochfrequenzschaltmoduls dieses Ausführungsbeispiels.
3 ist ein Schichtdiagramm eines Hochfrequenzmoduls dieses Ausführungsbeispiels.
4 umfasst ein Diagramm der Ausbildung, die auf der oberen Oberfläche eines geschichteten Körpers 900 befestigt ist, und ein Ausbildungsdiagramm von Externverbindungsanschlussbereichen auf der unteren Oberfläche des geschichteten Körpers 900.
5 umfasst Diagramme, die die Amplitudencharakteristika und Phasencharakteristika eines SAW-Duplexers (SAW-Filter) für ein GSM 900-Empfangssignal und die Amplitudencharakteristika und Phasencharakteristika des Hochfrequenzmoduls, wenn die Ausbildung dieses Ausführungsbeispiels eingesetzt wird, darstellen.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Ein Hochfrequenzmodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein Hochfrequenzmodul in dem Zusammenhang von beispielhaft einem Hochfrequenzschaltmodul beschrieben, das einen SAW-Duplexer mit einer Unsymmetrisch-Symmetrisch-Umwandlungsfunktion umfasst und das GSM 850-, GSM 900-, GSM 1800- und GSM 1900-Kommunikationssignale sendet und empfängt. 2 ist ein Schaltungsdiagramm des Hochfrequenzschaltmoduls dieses Ausführungsbeispiels.
Ein Hochfrequenzmodul 10 umfasst eine Schalt-IC 11, SAW-Duplexer S1 und S2 und einzelanschlussseitige Filter 13A und 13B und ist durch Schaltungselemente, die in einem geschichteten Körper gebildet sind, sowie durch Schaltungselemente, die auf der oberen Oberfläche des geschichteten Körpers befestigt sind, gebildet. Die Schalt-IC 11 und die SAW-Duplexer S1 und S2 sind Befestigungstyp-Schaltungselemente und sind auf der oberen Oberfläche des geschichteten Körpers befestigt. Hier entspricht jeder der SAW-Duplexer S1 und S2 einem „Hochfrequenzbauelement” der beanspruchten Erfindung. Die einzelanschlussseitigen Filter 13A und 13B sind schematisch durch Induktoren und Kondensatoren gebildet.
Die Schalt-IC 11 umfasst einen gemeinsamen Anschluss PIC0 und eine Mehrzahl von (bei diesem Ausführungsbeispiel 9) einzelnen Anschlüssen PIC11 bis PIC19. Die Schalt-IC 11 wird mit einer Treiberspannung Vdd und Steuerspannungen Vc1, Vc2, Vc3 und Vc4 versorgt. Die Schalt-IC 11 wird durch die Treiberspannung Vdd, die an dieselbe angelegt wird, getrieben, um den gemeinsamen Anschluss PIC0 gemäß einer Kombination von hohen und niedrigen Pegeln der Steuerspannungen Vc1, Vc2, Vc3 und Vc4 mit einem der einzelnen Anschlüsse PIC11 bis PIC19 zu verbinden.
Der gemeinsame Anschluss PIC0 der Schalt-IC 11 ist mit einem Antennentor Pan des Hochfrequenzmoduls 10 über eine ESD-Schutzschaltung verbunden, die auch als eine Phasenanpassungsschaltung dient, und die einen Induktor L2, einen Induktor L1 und einen Kondensator C1 umfasst.
Der einzelne Anschluss PIC11 der Schalt-IC 11 ist mit einem ersten Sendesignal-Eingangstor PtL des Hochfrequenzmoduls 10 über das einzelanschlussseitige Filter 13A verbunden. Ein GSM 850-Sendesignal oder ein GSM 900-Sendesignal wird in das erste Sendesignal-Eingangstor PtL eingegeben.
Der einzelne Anschluss PIC12 der Schalt-IC 11 ist mit einem zweiten Sendesignal-Eingangstor PtH des Hochfrequenzmoduls 10 über das einzelanschlussseitige Filter 13B verbunden. Ein GSM 1800-Sendesignal oder ein GSM 1900-Sendesignal wird in das zweite Sendesignal-Eingangstor PtH eingegeben.
Hier wird die Ausbildung der einzelanschlussseitigen Filter 13A und 13B beschrieben.
Das einzelanschlussseitige Filter 13A umfasst Induktoren GLt1 und GLt2, die in Serie zwischen den einzelnen Anschluss PIC11 und das erste Sendesignal-Eingangstor PtL geschaltet sind. Ein Kondensator GCc1 ist parallel zu dem Induktor GLt1 geschaltet und ein Kondensator GCc2 ist parallel zu dem Induktor GLt2 geschaltet. Die Seite des Induktors GLt1, die nahe an dem einzelnen Anschluss PIC11 ist, ist über einen Kondensator GCu1 mit Masse verbunden. Ein Verbindungsknoten zwischen dem Induktor GLt1 und dem Induktor GLt2 ist über einen Kondensator GCu2 mit Masse verbunden. Die Seite des Induktors GLt2, die nahe an dem ersten Sendesignal-Eingangstor PtL ist, ist über einen Kondensator GCu3 mit Masse verbunden.
Mit der oben beschriebenen Ausbildung fungiert das einzelanschlussseitige Filter 13 als ein Tiefpassfilter. In diesem Fall sind die Formen der jeweiligen Schaltungselemente, nämlich der Induktoren GLt1 und GLt2 und der Kondensatoren GCc1, GCc2, GCu1, GCu2 und GCu3, geeignet eingestellt und die Werte der Elemente werden bestimmt, um die erwünschten Werte bereitzustellen. So kann ein Tiefpassfilter gebildet werden, das die zweiten, dritten und höheren Harmonischen des GSM 850-Sendesignals und des GSM 900-Sendesignals dämpft und das ein Durchlaufen der Grundfrequenz des GSM 850-Sendesignals und des GSM 900-Sendesignals durch dasselbe erlaubt. Deshalb werden Harmonische des GSM 850-Sendesignals und des GSM 900-Sendesignals, die von dem ersten Sendesignal-Eingangstor PtL eingegeben werden, blockiert und nur die Grundfrequenzsignale des GSM 850-Sendesignals und des GSM 900-Sendesignals werden in den einzelnen Anschluss PIC11 der Schalt-IC 11 eingegeben.
Das einzelanschlussseitige Filter 13B umfasst Induktoren DLt1 und DLt2, die in Serie zwischen den einzelnen Anschluss PIC12 und das zweite Sendesignal-Eingangstor PtH geschaltet sind. Ein Kondensator DCc1 ist parallel zu dem Induktor DLt1 geschaltet. Ein Verbindungsknoten zwischen dem Induktor DLt1 und dem Induktor DLt2 ist über einen Kondensator DCu2 mit Masse verbunden. Die Seite des Induktors DLt2, die nahe an dem zweiten Sendesignal-Eingangstor PtH ist, ist über einen Kondensator DCu3 mit Masse verbunden.
Mit der oben beschriebenen Ausbildung fungiert das einzelanschlussseitige Filter 13B als ein Tiefpassfilter. In diesem Fall sind die Formen der jeweiligen Schaltungselemente, nämlich der Induktoren DLt1 und DLt2 und der Kondensatoren DCc1, DCu2 und DCu3, geeignet eingestellt und die Werte der Elemente werden bestimmt, um die erwünschten Werte bereitzustellen. So kann ein Tiefpassfilter gebildet werden, das die zweiten, dritten und höheren Harmonischen des GSM 1800-Sendesignals und des GSM 1900-Sendesignals dämpft und das ein Durchlaufen der Grundfrequenz des GSM 1800-Sendesignals und des GSM 1900-Sendesignals durch dasselbe erlaubt. Deshalb werden Harmonische des GSM 1800-Sendesignals und des GSM 1900-Sendesignals, die von dem zweiten Übertragungssignal-Eingangstor PtH eingegeben werden, blockiert und nur die Grundfrequenzsignale des GSM 1800-Sendesignals und des GSM 1900-Sendesignals werden in den einzelnen Anschluss PIC12 der Schalt-IC 11 eingegeben.
Die einzelnen Anschlüsse PIC13 und PIC15 der Schalt-IC 11 sind mit dem Massepotential verbunden.
Ein unsymmetrischer Anschluss des SAW-Duplexers S2 ist mit dem einzelnen Anschluss PIC14 der Schalt-IC 11 verbunden. Ein Anpassungsinduktor L3 ist zwischen eine Leitung, die den einzelnen Anschluss PIC14 und den unsymmetrischen Anschluss des SAW-Duplexers S2 miteinander verbindet, und das Massepotential geschaltet.
Der SAW-Duplexer S2 wird durch ein erstes SAW-Filter mit einem Durchlassband eines GSM 850-Empfangssignalbands und ein zweites SAW-Filter mit einem Durchlassband eines GSM 900-Empfangssignalbands gebildet, wobei jedes derselben eine Unsymmetrisch-Symmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. In dem SAW-Duplexer S2 wird ein GSM 850-Empfangssignal, das von dem unsymmetrischen Anschluss eingegeben wird, aus symmetrischen Anschlüssen des ersten SAW-Filters ausgegeben und durch das zweite SAW-Filter gedämpft. In dem SAW-Duplexer S2 wird ein GSM 900-Empfangssignal, das von dem unsymmetrischen Anschluss eingegeben wird, durch das erste SAW-Filter gedämpft und wird aus symmetrischen Anschlüssen des zweiten SAW-Filters ausgegeben.
Zwei Anschlüsse, die die symmetrischen Anschlüsse des ersten SAW-Filters des SAW-Duplexers S2 ausmachen, sind mit ersten Empfangssignal-Ausgangstoren PrL11 und PrL12 des Hochfrequenzmoduls 10 über Verdrahtungsstrukturen 101 bzw. 102 verbunden. Die ersten Empfangssignal-Ausgangstore PrL11 und PrL12 entsprechen „Externverbindungstoren einer symmetrischen Ausgabe” der vorliegenden Erfindung. Die Verdrahtungsstrukturen 101 und 102 sind so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen derselben zusammenpassen, deren detaillierte Struktur wird unten beschrieben.
Zwei Anschlüsse, die die symmetrischen Anschlüsse des zweiten SAW-Filters des SAW-Duplexers S2 ausmachen, sind mit zweiten Empfangssignal-Ausgangstoren PrL21 und PrL22 des Hochfrequenzmoduls 10 über Verdrahtungsstrukturen 201 bzw. 202 verbunden. Die zweiten Empfangssignal-Ausgangstore PrL21 und PrL22 entsprechen außerdem den „Externverbindungstoren einer symmetrischen Ausgabe” der vorliegenden Erfindung. Die Verdrahtungsstrukturen 201 und 202 sind so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen derselben zusammenpassen, deren detaillierte Struktur wird unten beschrieben.
Ein unsymmetrischer Anschluss des SAW-Duplexers S1 ist mit dem einzelnen Anschluss PIC16 der Schalt-IC 11 verbunden. Ein Anpassungsinduktor L4 ist zwischen eine Leitung, die den einzelnen Anschluss PIC16 und den unsymmetrischen Anschluss des SAW-Duplexers S1 miteinander verbindet, und das Massepotential geschaltet.
Der SAW-Duplexer S1 umfasst ein drittes SAW-Filter mit einem Durchlassband eines GSM 1800-Empfangssignalbands und ein viertes SAW-Filter mit einem Durchlassband eines GSM-1900-Empfangssignalbands, die jeweils eine Unsymmetrisch-Symmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweisen. In dem SAW-Duplexer S1 wird ein GSM 1800-Empfangssignal, das von dem unsymmetrischen Anschluss eingegeben wird, aus symmetrischen Anschlüssen des dritten SAW-Filters ausgegeben und wird durch das vierte SAW-Filter gedämpft. In dem SAW-Duplexer S1 wird ein GSM 1900-Empfangssignal, das aus dem unsymmetrischen Anschluss eingegeben wird, durch das dritte SAW-Filter gedämpft und wird aus symmetrischen Anschlüssen des vierten SAW-Filters ausgegeben.
Zwei Anschlüsse, die die symmetrischen Anschlüsse des dritten SAW-Filters des SAW-Duplexers S1 ausmachen, sind mit dritten Empfangssignal-Ausgangstoren PrH11 und PrH12 des Hochfrequenzmoduls 10 über Verdrahtungsstrukturen 301 bzw. 302 verbunden. Die dritten Empfangssignal-Ausgangstore PrH11 und PrH12 entsprechen außerdem den „Externverbindungstoren einer symmetrischen Ausgabe” der vorliegenden Erfindung. Die Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 sind so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen derselben zusammenpassen, deren detaillierte Struktur ist unten beschrieben.
Zwei Anschlüsse, die die symmetrischen Anschlüsse des vierten SAW-Filters des SAW-Duplexers S1 ausmachen, sind mit vierten Empfangssignal-Ausgangstoren PrH21 und PrH22 des Hochfrequenzmoduls 10 über Verdrahtungsstrukturen 401 bzw. 402 verbunden. Die vierten Empfangssignal-Ausgangstore PrH21 und PrH22 entsprechen außerdem den „Externverbindungstoren einer symmetrischen Ausgabe” der vorliegenden Erfindung. Die Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 sind so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen derselben zusammenpassen, deren detaillierte Struktur ist unten beschrieben.
Die einzelnen Anschlüsse PIC17, PIC18 und PIC19 der Schalt-IC 11 sind mit einem ersten, zweiten und dritten Eingangs-/Ausgangstor Pumt1, Pumt2 bzw. Pumt3 verbunden.
Beschreibung der Struktur des Hochfrequenzmoduls 10
Das Hochfrequenzmodul 10 mit der oben beschriebenen Schaltungsausbildung umfasst einen geschichteten Körper 900, der durch Stapeln einer Mehrzahl dielektrischer Schichten PL1 bis PL19 gebildet ist, sowie verschiedene Befestigungstyp-Schaltungselemente, die auf der oberen Oberfläche des geschichteten Körpers 900 befestigt sind. 3 ist ein Schichtdiagramm des Hochfrequenzmoduls dieses Ausführungsbeispiels. 3 ist ein Diagramm, das eine Elektrodenstruktur in Draufsicht von unten darstellt, wobei die obere Schicht, die sich auf der oberen Oberflächenseite des geschichteten Körpers 900 befindet, durch eine erste Schicht PL1 dargestellt ist und die untere Schicht durch eine 19. Schicht PL19 dargestellt ist. In 3 stellen Kreise, die in jeder Schicht angezeigt sind, leitfähige Durchgangslöcher, die Schichten verbinden, dar. 4(A) ist ein Diagramm der Ausbildung, die auf der oberen Oberfläche des geschichteten Körpers 900 befestigt ist, und 4(B) ist ein Diagramm der Ausbildung von Externverbindungsanschlussbereichen auf der unteren Oberfläche des geschichteten Körpers 900.
Auf der ersten Schicht PL1 (dielektrischen Schicht 901) sind Befestigungsanschlussbereiche gebildet, an denen die Schalt-IC 11, die SAW-Duplexer S1 und S2 und die Induktoren L1, L3 und L4 befestigt werden sollen. Die Befestigungsanschlussbereiche sind auf der oberen Oberflächenseite der dielektrischen Schicht 901 gebildet.
Hier sind die Befestigungsanschlussbereiche für die SAW-Duplexer S1 und S2 so gebildet, dass die Richtung einer kurzen Seite der SAW-Duplexer S1 und S2 parallel zu der Richtung einer langen Seite des geschichteten Körpers 900 ist. Ferner sind die Befestigungsanschlussbereiche für die SAW-Duplexer S1 so gebildet, dass Anschlussbereiche eines symmetrischen Anschlusses P111 und P112 mit Anschlussbereichen eines symmetrischen Anschlusses P121 und P122 parallel zu der Richtung der kurzen Seite des geschichteten Körpers 900 sind. Außerdem sind die Befestigungsanschlussbereiche für die SAW-Duplexer S2 so gebildet, dass Anschlussbereiche eines symmetrischen Anschlusses P211 und P212 und Anschlussbereiche eines symmetrischen Anschlusses P221 und P222 parallel zu der Richtung der kurzen Seite des geschichteten Körpers 900 sind.
Mit der oben beschriebenen Ausbildung sind die SAW-Duplexer S1 und S2 so an dem geschichteten Körper 900 befestigt, dass die Richtung der kurzen Seite jedes der SAW-Duplexer S1 und S2 parallel zu der Richtung der langen Seite des geschichteten Körpers 900 ist.
So kann die Fläche der SAW-Duplexer S1 und S2 in Draufsicht kleiner gemacht werden als diejenige der verwandten Technik, wenn, wie in 1(A) dargestellt ist, die SAW-Duplexer S1 und S2 so an dem geschichteten Körper 900 befestigt sind, dass die Richtung einer langen Seite der SAW-Duplexer S1 und S2 parallel zu der Richtung einer langen Seite des geschichteten Körpers 900 ist. Deshalb kann das Hochfrequenzmodul 10 kompakt gemacht werden. Der Grund, weshalb die Flexibilität der Anordnung der SAW-Duplexer S1 und S2 erhöht werden kann, besteht darin, dass, wie unten beschrieben ist, die Flexibilität der Leitung der SAW-Duplexer S1 und S2 von den Anschlussbereichen eines symmetrischen Anschlusses P111, P112, P121, P122, P211, P212, P221 und P222 verbessert ist.
An der zweiten Schicht PL2 (dielektrischen Schicht 902) sind lineare Leitungselektroden gebildet, die die Verdrahtungsstrukturen 101, 201, 202, 301, 401 bzw. 402 ausmachen. Die Verdrahtungsstruktur 101 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P211 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 201 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P221 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 202 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P222 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 301 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P111 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 401 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P121 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 402 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P122 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden.
An der dritten Schicht PL3 (dielektrischen Schicht 903) sind lineare Leitungselektroden gebildet, die die Verdrahtungsstrukturen 102, 202 bzw. 302 ausmachen. Die Verdrahtungsstruktur 102 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P212 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 202 ist mit der Verdrahtungsstruktur 202 in der zweiten Schicht PL2 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 302 ist mit dem Anschlussbereich eines symmetrischen Anschlusses P121 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden.
Die vierte Schicht PL4 (dielektrische Schicht 904) weist eine Innenschicht-Masseelektrode GND auf, die im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche derselben gebildet ist.
An der fünften Schicht PL5 (dielektrischen Schicht 905) ist eine Leitungselektrode für eine antennenseitige Schaltung gebildet.
An der sechsten Schicht PL6 (dielektrischen Schicht 906) ist eine lineare Leitungselektrode gebildet, die die Verdrahtungsstruktur 201 ausmacht. Eine Verdrahtungsstruktur 402 ist mit der Verdrahtungsstruktur 402 in der zweiten Schicht PL2 durch ein leitfähiges Durchgangsloch verbunden. An der sechsten Schicht (dielektrischen Schicht 906) sind ferner Leitungselektroden für Steuerspannungen gebildet.
Die siebte Schicht PL7 (dielektrische Schicht 907) weist eine Innenschicht-Masseelektrode GND auf, die im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche derselben gebildet ist.
Die einzelanschlussseitigen Filter 13A und 13B, die oben beschrieben sind, und die jeweiligen Schaltungselemente, die die Komponenten auf der Antennenseite ausmachen, außer dem Induktor L1 zum ESD-Schutz, der auch als eine Phasenanpassungsschaltung dient, sind durch Verwenden von Innenschicht-Elektrodenstrukturen in den Schichten von der achten Schicht PL8 (dielektrischen Schicht 908) bis siebzehnten Schicht PL17 (dielektrischen Schicht 917) gebildet.
Die achtzehnte Schicht PL18 (dielektrische Schicht 918) weist eine Innenschicht-Masseelektrode GND auf, die im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche derselben gebildet ist.
Die neunzehnte Schicht PL19 (dielektrische Schicht 919), die die untere Oberfläche des geschichteten Körpers 900 ausmacht, weist verschiedene Externverbindungsanschlussbereiche auf, die auf der unteren Oberflächenseite derselben gebildet sind. Wie in 4(B) dargestellt ist, sind Externverbindungs-Masseelektroden GNDo in Draufsicht in der Mitte der dielektrischen Schicht 919 gebildet.
Externverbindungsanschlussbereiche einer symmetrischen Ausgabe PmR111, PmR112, PmR211, PmR212, PmR311, PmR312, PmR411 und PmR412, die den jeweiligen Externverbindungstoren einer symmetrischen Ausgabe entsprechen, sind nahe an einer Seite gebildet, die sich entlang der Richtung einer langen Seite der dielektrischen Schicht 919 erstreckt, um so entlang der Richtung der langen Seite angeordnet zu sein. Die Externverbindungsanschlussbereiche PmR111, PmR112, PmR211, PmR212, PmR311, PmR312, PmR411 und PmR412 sind Externverbindungsanschlussbereiche, die jeweils den ersten Empfangssignal-Ausgangstoren PrL11 und PrL12, den zweiten Empfangssignal-Ausgangstoren PrL21 und PrL22, den dritten Empfangssignal-Ausgangstoren PrH11 und PrH12 und den vierten Empfangssignal-Ausgangstoren PrH21 und PrH22 in 2 entsprechen.
Die Externverbindungsanschlussbereiche einer symmetrischen Ausgabe PmR111, PmR112, PmR211, PmR212, PmR311, PmR312, PmR411 und PmR412 sind mit den Verdrahtungsstrukturen 101, 102, 201, 202, 301, 302, 401 bzw. 402 durch leitfähige Durchgangslöcher verbunden, um die Schaltung in 2 zu schaffen.
Externverbindungsanschlussbereiche PmVD, PmVc1, PmVc2, PmVc3, PmVc4 und PmA sind nahe an der anderen Seite, die sich entlang der Richtung der langen Seite der dielektrischen Schicht 919 erstreckt, gebildet, um so entlang der Richtung der langen Seite angeordnet zu sein. Die Externverbindungsanschlussbereiche PmVD, PmVc1, PmVc2, PmVc3 und PmVc4 sind Externverbindungsanschlussbereiche (entsprechend Vdd, Vc1, Vc2, Vc3 und Vc4 aus 2) zum Anlegen der Treiberspannung Vdd und der Steuerspannungen Vc1 bis Vc4 und der Externverbindungsanschlussbereich PmA ist ein Externverbindungsanschlussbereich, der dem Antennentor Pan in 2 entspricht.
Externverbindungsanschlussbereiche PmTL und PmTH sind nahe an einer Seite gebildet, die sich entlang der Richtung der kurzen Seite der dielektrischen Schicht 919 erstreckt, um so entlang der Richtung der kurzen Seite angeordnet zu sein. Die Externverbindungsanschlussbereiche PmTL und PmTH sind Externverbindungsanschlussbereiche, die dem ersten Sendesignal-Eingangstor PtL und dem zweiten Sendesignal-Eingangstor PtH entsprechen.
Externverbindungsanschlussbereiche PmU1, PmU2 und PmU3 nahe an der anderen Seite, die sich entlang der Richtung der kurzen Seite der dielektrischen Schicht 919 erstreckt, sind so gebildet, um entlang der Richtung der kurzen Seite angeordnet zu sein. Die Externverbindungsanschlussbereiche PmU1, PmU2 und PmU3 sind Externverbindungsanschlussbereiche, die dem ersten, zweiten und dritten Eingangs-/Ausgangstor Pumt1, Pumt2 und Pumt3 entsprechen.
Mit der oben beschriebenen Struktur ist das Hochfrequenzmodul 10 mit dem geschichteten Körper 900 und den Befestigungsschaltungskomponenten, die an dem geschichteten Körper 900 befestigt werden sollen, gebildet.
Bei dieser Struktur weist das Hochfrequenzmodul 10 dieses Ausführungsbeispiels ferner das folgende Merkmal auf.
Die jeweiligen Leitungselektroden, die die Verdrahtungsstrukturen 101 und 102 ausmachen, sind so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen 101 und 102 zusammenpassen, indem die Verdrahtungselektrodenlängen und Verdrahtungselektrodenbreiten der Leitungselektroden wie erwünscht eingestellt werden.
Außerdem sind die jeweiligen Leitungselektroden, die die Verdrahtungsstrukturen 201 und 202 ausmachen, so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen 201 und 202 zusammenpassen, indem die Verdrahtungselektrodenlängen und Verdrahtungselektrodenbreiten der Leitungselektroden wie erwünscht eingestellt werden.
Zusätzlich sind ähnlich die jeweiligen Leitungselektroden, die die Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 ausmachen, so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 zusammenpassen, indem die Verdrahtungselektrodenlängen und Verdrahtungselektrodenbreiten der Leitungselektroden wie erwünscht eingestellt werden.
Zusätzlich sind ähnlich die jeweiligen Leitungselektroden, die die Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 ausmachen, so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 zusammenpassen, indem die Verdrahtungselektrodenlängen und Verdrahtungselektrodenbreiten der Leitungselektroden wie erwünscht eingestellt werden.
Auf diese Weise sind die SAW-Duplexer S1 und S2 derart entworfen, dass die charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen, die mit den symmetrischen Anschlüssen verbunden werden sollen, die mit den SAW-Filtern jedes der SAW-Duplexer S1 und S2 verbunden sind, zusammenpassen. So können die Charakteristika, die in 5 dargestellt sind, erzielt werden. 5 stellt die Amplitudencharakteristika und Phasencharakteristika eines SAW-Filters für ein GSM 900-Empfangssignal und die Amplitudencharakteristika und Phasencharakteristika des Hochfrequenzmoduls, wenn die Ausbildung dieses Ausführungsbeispiels eingesetzt wird, dar.
Wie in 5 dargestellt ist, sind die Verdrahtungsstrukturen, wie oben beschrieben wurde, so gebildet, dass die charakteristischen Impedanzen zusammenpassen. So tritt keine Amplitudendämpfung oder Phasenabweichung nach einer Übertragung über die Verdrahtungsstrukturen auf, d. h. zu der Zeit einer Ausgabe aus den Externverbindungstoren einer symmetrischen Ausgabe des Hochfrequenzmoduls 10. Deshalb kann eine symmetrische Ausgabe mit niedrigem Verlust erzielt werden.
Auf diese Weise ist in dem Fall, in dem die SAW-Duplexer S1 und S2 derart entworfen sind, dass die charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen, die mit den symmetrischen Anschlüssen verbunden werden sollen, die mit den SAW-Filtern jedes der SAW-Duplexer S1 und S2 verbunden sind, zusammenpassen, die Flexibilität beim Entwurf verglichen mit dem Fall verbessert, in dem, wie in der verwandten Technik, die Verdrahtungselektrodenlängen und die Verdrahtungselektrodenbreiten vollständig zusammenpassend gemacht sind. Deshalb kann die Entwurfsflexibilität der Verdrahtungsstrukturen in dem geschichteten Körper 900 verbessert werden und der geschichtete Körper 900 kann kompakter gemacht werden. Zusätzlich ist unter Verwendung dieser Ausbildung das Hochfrequenzmodul 10 dieses Ausführungsbeispiels derart ausgebildet, dass Verdrahtungsstrukturen über eine Mehrzahl dielektrischer Schichten hinweg gebildet sind. Deshalb kann die Draufsichtform des geschichteten Körpers 900 weiter miniaturisiert werden.
Ferner ist, wie oben beschrieben ist, eine Innenschicht-Masseelektrode GND in einer Schicht benachbart zu der Schicht, in der eine Leitungselektrode gebildet ist, die eine Verdrahtungsstruktur ausmacht, gebildet, und Schichten, in denen Leitungselektroden gebildet sind, sind zwischen der Oberfläche, auf der die SAW-Duplexer S1 und S2 befestigt sind, und einer Innenschicht-Masseelektrode angeordnet. So kann der Entwurf der Kapazität, die zwischen dem Massepotential und jeder Verdrahtungsstruktur erzeugt wird, erleichtert werden und die charakteristischen Impedanzen können leichter so entworfen werden, dass sie auf die erwünschten Werte eingestellt sind.
Ferner ist, wie in 3 dargestellt ist, die Hauptleitungsrichtung der Verdrahtungsstrukturen 301 und 302, die von den Anschlussbereichen eines symmetrischen Anschlusses P111 und P112 für die jeweiligen SAW-Filter des SAW-Duplexers S1 geleitet sind, parallel zu der Richtung einer kurzen Seite des geschichteten Körpers 900 und die Hauptleitungsrichtung der Verdrahtungsstrukturen 401 und 402, die von den Anschlussbereichen eines symmetrischen Anschlusses P121 und P122 für die jeweiligen SAW-Filter des SAW-Duplexers S1 geführt sind, ist parallel zu der Richtung einer langen Seite des geschichteten Körpers 900. So kann die elektromagnetische Kopplung zwischen den Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 und den Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 unterdrückt werden. Folglich kann die Isolierung zwischen den Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 und den Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 verbessert werden. Ferner kann, da eine Isolierung auf diese Weise sichergestellt werden kann, der Entwurf der charakteristischen Impedanzen der Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 und der Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 erleichtert werden.
Ferner sind, wie in 3 dargestellt ist, die Verdrahtungsstrukturen einer symmetrischen Ausgabe 101, 102, 201, 202, 301, 302, 401 und 402 in der zweiten Schicht PL2 bis sechsten Schicht PL6 des geschichteten Körpers 900 gebildet und die Elektrodenstrukturen der anderen Schaltungselemente, die in dem geschichteten Körper 900 gebildet sein sollen und das Hochfrequenzmodul 10 ausmachen, sind in der achten Schicht PL8 bis achtzehnten Schicht PL18 gebildet. Zusätzlich ist die Innenschicht-Masseelektrode GND in der siebten Schicht PL7 zwischen denselben gebildet. Mit dieser Struktur können die Verdrahtungsstrukturen einer symmetrischen Ausgabe 101, 102, 201, 202, 301, 302, 401 und 402 elektrisch von den anderen Schaltungselementen durch die Innenschicht-Masseelektrode GND getrennt sein. Deshalb kann die elektromagnetische Kopplung zwischen den Verdrahtungsstrukturen einer symmetrischen Ausgabe 101, 102, 201, 202, 301, 302, 401 und 402 und den anderen Schaltungselementen unterdrückt werden und die Isolierung zwischen denselben kann verbessert werden.
Ferner müssen, wie in den 3 und 4 dargestellt ist, die Anschlussbereiche einer symmetrischen Ausgabe P111, P112, P121, P122, P211, P212, P221 und P222 für die SAW-Duplexer S1 und S2 nicht notwendigerweise an Positionen gebildet sein, die die Positionen der Externverbindungsanschlussbereiche einer symmetrischen Ausgabe PmR111, PmR112, PmR211, PmR212, PmR311, PmR312, PmR411 und PmR412 überlappen, wenn der geschichtete Körper 900 im Grundriss betrachtet wird. Dies ist so, da, wie oben beschrieben wurde, die Verdrahtungsstrukturen 101 und 102, die Verdrahtungsstrukturen 201 und 202, die Verdrahtungsstrukturen 301 und 302 und die Verdrahtungsstrukturen 401 und 402 nicht notwendigerweise in der gleichen Form gebildet sein müssen, solange die charakteristischen Impedanzen so entworfen sein können, dass sie auf den erwünschten Wert eingestellt sind.
Deshalb wird die Entwurfsflexibilität bei der Form der Elektrodenstrukturen in den inneren Schichten des geschichteten Körpers 900, den Strukturen zum Bilden und Anordnen der Externverbindungsanschlussbereiche und den Strukturen zum Anordnen der Anschlussbereiche, an denen die SAW-Duplexer S1 und S2 befestigt sind, verbessert und der geschichtete Körper 900 kann kompakter entworfen werden.
Wie oben beschrieben wurde, kann mit Verwendung dieses Ausführungsbeispiels ein kompaktes Hochfrequenzmodul mit niedrigem Verlust mit symmetrischen Ausgangsanschlüssen erzielt werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wurde ein Hochfrequenzmodul beispielhaft in dem Zusammenhang eines Hochfrequenzschaltmoduls beschrieben. Jedes beliebige andere Hochfrequenzmodul mit symmetrischen Ausgangsanschlüssen könnte ebenso die oben beschriebene Ausbildung aufweisen und kann vorteilhafte Auswirkungen erzielen, die den oben beschriebenen ähnlich sind.
In der vorstehenden Beschreibung wurde beispielhaft die Befestigung zweier SAW-Duplexer S1 und S2 als Hochfrequenzbauelemente mit symmetrischer Ausgabe beschrieben. Ein Hochfrequenzmodul, das zumindest ein Hochfrequenzbauelement mit symmetrischen Anschlüssen umfasst, z. B. ein SAW-Filter mit symmetrischen Anschlüssen, könnte jedoch die oben beschriebene Ausbildung aufweisen und kann vorteilhafte Auswirkungen erzielen, die den oben beschriebenen ähnlich sind.
Bezugszeichenliste

10: Hochfrequenzschaltmodul; 11: Schalt-IC; 13A, 13B: einzelanschlussseitiges Filter; 101, 102, 201, 202, 301, 302, 401, 402, 101P, 102P, 201P, 202P, 301P, 302P, 401P, 402P: Verdrahtungsstruktur; 900: geschichteter Körper; 901 bis 919: dielektrische Schicht: S1, S2: SAW-Duplexer

Claims

Ein Hochfrequenzmodul, das folgende Merkmale aufweist: ein Hochfrequenzbauelement mit symmetrischen Anschlüssen; und einen geschichteten Körper, an dem das Hochfrequenzbauelement befestigt ist und der Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe, die mit den symmetrischen Anschlüssen verbunden werden sollen, aufweist, wobei der geschichtete Körper eine erste Leitungsstruktur und eine zweite Leitungsstruktur umfasst, die die symmetrischen Anschlüsse und die Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe miteinander verbinden, und die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur in derartigen Formen gebildet sind, dass charakteristische Impedanzen derselben gleich sind.
Das Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 1, bei dem zumindest ein Teil der ersten Leitungsstruktur und zumindest ein Teil der zweiten Leitungsstruktur in unterschiedlichen Schichten des geschichteten Körpers gebildet sind.
Das Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 1, bei dem die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur so gebildet sind, um unterschiedliche Strukturbreiten aufzuweisen.
Das Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur auf einer Befestigungsoberfläche gebildet sind, auf der das Hochfrequenzbauelement befestigt ist, und Elektrodenstrukturen, die andere Schaltungselemente und andere Verdrahtungsstrukturen bilden, die das Hochfrequenzmodul ausmachen, auf einer Hauptoberfläche gebildet sind, die der Befestigungsoberfläche zugewandt ist.
Das Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 4, bei dem die erste Leitungsstruktur und die zweite Leitungsstruktur zwischen der Befestigungsoberfläche, auf der das Hochfrequenzbauelement befestigt ist, und einer ersten Innenschicht-Masseelektrode gebildet sind, die in dem geschichteten Körper gebildet ist.
Das Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 5, bei dem an dem geschichteten Körper eine Schalt-IC befestigt ist, die einen gemeinsamen Anschluss und einzelne Anschlüsse aufweist, derart, dass Verbindungen des gemeinsamen Anschlusses zu den einzelnen Anschlüssen geschaltet werden, das Hochfrequenzbauelement ein SAW-Bauelement mit einer Unsymmetrisch-Symmetrisch-Umwandlungsfunktion ist, wobei das SAW-Bauelement einen unsymmetrischen Anschluss aufweist, der mit einem der einzelnen Anschlüsse verbunden ist, und die symmetrischen Anschlüsse aufweist, die Elektrodenstrukturen, die andere Schaltungselemente und die anderen Verdrahtungsstrukturen bilden, eine Filterschaltung ausmachen, die mit einem einzelnen Anschluss verbunden ist, der sich von dem einzelnen Anschluss unterscheidet, mit dem das SAW-Bauelement verbunden ist, und die Filterschaltung eine Sendeschaltung ist, das SAW-Bauelement eine Empfangsschaltung ist und eine antennenseitige Schaltung sich auf einer Seite des gemeinsamen Anschlusses der Schalt-IC befindet.
Das Hochfrequenzmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem zwei Eingangs-/Ausgangselektroden, die die symmetrischen Anschlüsse des Hochfrequenzbauelements bilden, entlang einer bestimmten Seitenoberfläche des Hochfrequenzbauelements gebildet sind, um so parallel zu und nahe an der Seitenoberfläche zu sein, und zwei Externverbindungselektroden, die die Externverbindungstore einer symmetrischen Ausgabe ausmachen, entlang einer bestimmten Seitenoberfläche des geschichteten Körpers gebildet sind, um so parallel zu und nahe an der Seitenoberfläche zu sein.
Das Hochfrequenzmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Hochfrequenzbauelement einen ersten symmetrischen Anschluss und einen zweiten symmetrischen Anschluss, die voneinander unterschiedlich sind, umfasst, und eine Richtung, in der sich ein Hauptleitungsabschnitt einer Leitungsstruktur erstreckt, die mit dem ersten symmetrischen Anschluss verbunden ist, senkrecht zu einer Richtung ist, in der sich ein Hauptleitungsabschnitt einer Leitungsstruktur erstreckt, die mit dem zweiten symmetrischen Anschluss verbunden ist.