DE112010001453T5 - Leiterplatte, Hochfrequenzmodul und Radarvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte. Die Leiterplatte (10) umfasst ein Substrat (1), eine Wellenleiterleitung (2) und einen laminierten Wellenleiter (3). Die Wellenleiterleitung (2) ist zumindest teilweise auf einer ersten Oberfläche des Substrats (1) angeordnet. Die Wellenleiterleitung (2) überträgt ein Hochfrequenzsignal. Der laminierte Wellenleiter (3) ist innerhalb des Substrats (1) ausgebildet. Der laminierte Wellenleiter (3) ist mit der Wellenleiterleitung (2) elektromagnetisch gekoppelt und weist einen Ausleitungsabschnitt (3a) auf, der vom Inneren des Substrats (1) zu einer anderen Oberfläche als der ersten Oberfläche ausgeleitet ist. Der laminierte Wellenleiter (3) umfasst eine dielektrische Schicht (31), zwei Hauptleiterschichten (32) und eine Durchgangsleitergruppe (33). Die zwei Hauptleiterschichten (32) legt die dielektrische Schicht (31) in einer Dickenrichtung davon ein. In der Durchgangsleitergruppe (34) sind mehrere Durchgangsleiter (33) entlang einer Hochfrequenzsignal-Übertragungsrichtung angeordnet. Die mehreren Durchgangsleiter (33) verbinden die zwei Hauptleiterschichten (32) elektrisch.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte, ein Hochfrequenzmodul und eine Radarvorrichtung.
  • Stand der Technik
  • Es werden Systeme vorgeschlagen, auf die Kommunikationstechniken angewendet werden, die Hochfrequenzsignale in einem Hochfrequenzbereich wie z. B. einem Mikrowellenbereich mit 1 bis 30 GHz oder einem Millimeterwellenbereich mit 30 bis 300 GHz verwenden. Beispiele solcher Systeme umfassen Datenkommunikationssysteme und Radarsysteme.
  • Einige Hochfrequenzschaltungen, die Hochfrequenzsignale verwenden, weisen eine Schaltungskonfiguration auf, in der ein Hochfrequenzelement wie z. B. eine MMIC (monolithische integrierte Mikrowellenschaltung) auf einer Leiterplatte mit einer Wellenleiterleitung wie z. B. einer Mikrostreifenleitung montiert ist. Auf der Hochfrequenzelement-Montageoberfläche sind nicht nur die Wellenleiterleitung, sondern auch verschiedene Elementschaltungen, die für das System verwendet werden, ausgebildet. Diese Elementschaltungen und Hochfrequenzsignale, die durch die Wellenleiterleitung abgestrahlt werden, können gegenseitig beeinflusst werden. Folglich kann eine Antennenplatine mit einer Antenne an einer hinteren Oberfläche der Leiterplatte angeordnet sein. Es gibt eine Technik zum direkten Verbinden der Leiterplatte und der Antennenplatine über einen Löthöcker. Diese Technik ist beispielsweise in der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung JP-A 2004-254068 beschrieben.
  • Im in JP-A 2004-254068 beschriebenen Hochfrequenzmodul sind ein Eingangs/Ausgangs-Anschluss einer Leiterplatte und ein Eingangs/Ausgangs-Anschluss einer Antennenplatine auf gegenseitig gegenüberliegenden Oberflächen der Platinen angeordnet. In einem solchen Hochfrequenzmodul nimmt in dem Fall, in dem mehrere Öffnungen von Wellenleitern ausgebildet sind, die Größe der Leiterplatte zu.
  • Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Leiterplatte, deren Größe verringert werden kann, ein Hochfrequenzmodul und eine Radarvorrichtung zu schaffen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Leiterplatte der Erfindung umfasst ein Substrat mit mehreren Oberflächen, eine Wellenleiterleitung und einen laminierten Wellenleiter. Die Wellenleiterleitung ist zumindest teilweise auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet. Die Wellenleiterleitung überträgt ein Hochfrequenzsignal. Der laminierte Wellenleiter ist innerhalb des Substrats ausgebildet. Der laminierte Wellenleiter ist mit der Wellenleiterleitung elektromagnetisch gekoppelt und weist einen Ausleitungsabschnitt auf, der vom Inneren des Substrats zu einer anderen Oberfläche als der ersten Oberfläche ausgeleitet ist. Der laminierte Wellenleiter umfasst ein Dielektrikum, zwei Hauptleiterschichten, zwischen die das Dielektrikum eingelegt ist, und eine Durchgangsleitergruppe. In der Durchgangleitergruppe sind mehrere Durchgangsleiter entlang einer Signalübertragungsrichtung angeordnet. Die mehreren Durchgangsleiter verbinden die zwei Hauptleiterschichten elektrisch. Gemäß der Erfindung ist es möglich, eine Leiterplatte zu schaffen, deren Größe verringert ist.
  • Ein Hochfrequenzmodul und eine Radarvorrichtung der Erfindung umfassen die vorstehend beschriebene Leiterplatte. Gemäß der Erfindung ist es möglich, ein Hochfrequenzmodul und eine Radarvorrichtung zu schaffen, deren Größe verringert ist.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration einer Leiterplatte 10 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die die Konfiguration der Leiterplatte 10 zeigt;
  • 3A ist eine Draufsicht, die die Konfiguration eines laminierten Wellenleiters 3 zeigt;
  • 3B ist eine Seitenansicht, die aus der Hochfrequenzsignal-Übertragungsrichtung im laminierten Wellenleiter 3 gezeigt ist;
  • 4A ist eine perspektivische Ansicht in auseinandergezogener Anordnung, die die Konfiguration eines Hochfrequenzmoduls 50 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 4B ist eine perspektivische Ansicht, die die Gesamtkonfiguration des Hochfrequenzmoduls 50 zeigt;
  • 5 ist eine Ansicht, die die Verbindungsstruktur zwischen den Platinen im Hochfrequenzmodul 50 zeigt;
  • 6A ist eine perspektivische Ansicht in auseinandergezogener Anordnung, die die Konfiguration eines Hochfrequenzmoduls 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 6B ist eine perspektivische Ansicht, die die Gesamtkonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 zeigt;
  • 7 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines Senders 60 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 8 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines Empfängers 70 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt; und
  • 9 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines Senders/Empfängers 80 und einer Radarvorrichtung 90 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Beschreibung der Ausführungsform
  • Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Eine in 1 und 2 gezeigte Leiterplatte 10 umfasst ein Substrat 1, das mehrere Oberflächen, mehrere Wellenleiterleitungen 2 und mehrere laminierte Wellenleiter 3, die innerhalb des Substrats 1 ausgebildet sind, aufweist. Die Leiterplatte 10 weist eine Hochfrequenzschaltung auf, die derart konfiguriert ist, dass die mehreren Wellenleiterleitungen 2 und die mehreren laminierten Wellenleiter 3 elektromagnetisch miteinander gekoppelt sind. Das Substrat 1 ist ein Abschnitt, der als Basismaterial in der Leiterplatte 10 ausgelegt ist. In der Leiterplatte 10 bilden die Wellenleiterleitungen 2 und die laminierten Wellenleiter 3 eine Hochfrequenzschaltung, und folglich kann die Toleranz gegenüber einer abweichenden Anordnung weiter sein als in dem Fall, in dem die Wellenleiterleitungen 2 und Resonatoren miteinander verbunden sind. Beispiele dieser abweichenden Anordnung umfassen eine Verlagerung zwischen Schichten in der Leiterplatte 10 und eine Verlagerung zwischen der Leiterplatte 10 und einer zweiten Leiterplatte 51 (später beschrieben).
  • Hier sind in der Leiterplatte 10 dieser Ausführungsform mehrere Wellenleiterleitungen 2 und mehrere laminierte Wellenleiter 3 angeordnet, aber die Anzahl von Wellenleiterleitungen 2 und die Anzahl von laminierten Wellenleitern 3 können eins sein.
  • Die Wellenleiterleitungen 2 sind zumindest teilweise auf einer ersten Oberfläche des Substrats 1 angeordnet. Unter Leitungen, die ein Hochfrequenzsignal übertragen, sollen die Wellenleiterleitungen 2 ein Hochfrequenzsignal zu einem Leiter übertragen. Beispiele des Hochfrequenzsignals umfassen Signale in Hochfrequenzbereichen, wie z. B. einem Mikrowellenbereich mit 1 bis 30 GHz und einem Millimeterwellenbereich mit 30 bis 300 GHz. Die Wellenleiterleitungen 2 können beispielsweise Mikrostreifenleitungen, koplanare Leitungen und Streifenleiter (Triplate-Leitungen) sein. Es ist bevorzugt, Mikrostreifenleitungen zu verwenden.
  • Der in 3A und 3B gezeigte laminierte Wellenleiter 3 umfasst eine dielektrische Schicht 31, zwei Hauptleiterschichten 32 und eine Durchgangleitergruppe 34. Die zwei Hauptleiterschichten 32 legen die dielektrische Schicht 31 dazwischen in einer Dickenrichtung davon ein und sie liegen einander in der Dickenrichtung davon gegenüber. Die Durchgangsleitergruppe 34 umfasst mehrere Durchgangsleiter 33, die die zwei Hauptleiterschichten 32 in der Dickenrichtung davon elektrisch verbinden. Die mehreren Durchgangsleiter 33 sind in zwei Linien entlang der Hochfrequenzsignal-Übertragungsrichtung angeordnet. Insbesondere ist im laminierten Wellenleiter 3 die dielektrische Schicht 31 von den zwei Hauptleiterschichten 32 und der Durchgangsleitergruppe 34, die die Hauptleiterschichten 32 elektrisch verbindet, umgeben. Unter Leitungen, die ein Hochfrequenzsignal übertragen, sollen die laminierten Wellenleiter 3 ein Hochfrequenzsignal zu einem Dielektrikum übertragen.
  • In der Durchgangsleitergruppe 34 werden in dem Fall, in dem das Intervall, in dem die Durchgangsleiter 33 entlang der Hochfrequenzsignal-Übertragungsrichtung angeordnet sind, kleiner ist als eine halbe Wellenlänge des Hochfrequenzsignals, elektromagnetische Wellen reflektiert und in der Hochfrequenzsignal-Übertragungsrichtung im laminierten Wellenleiter 3 ohne Austritt durch einen Spalt zwischen den Durchgangsleitern ausgebreitet. Die in einer Linie angeordneten Durchgangsleiter 33 sind derart festgelegt, dass in jeder Linie das Intervall zwischen benachbarten Durchgangsleitern 33 im Wesentlichen konstant ist. Die Durchgangsleiter 33 sind in einem Intervall angeordnet, das kleiner ist als die halbe Wellenlänge eines Hochfrequenzsignals, das übertragen werden soll. Ein Intervall kann geeignet festgelegt werden, solange das Intervall kleiner ist als die Hälfte.
  • Die dielektrische Schicht 31 dieser Ausführungsform besteht angesichts der Genauigkeit beim Ausbilden einer Übertragungsleitung und der leichten Herstellung aus Keramik.
  • Eine solche dielektrische Schicht 31 wird beispielsweise in den folgenden Prozessen hergestellt. Zuerst werden organische Lösungsmittel und organisches Flussmittel zu einem Keramikrohmaterialpulver zugegeben und damit vermischt, um eine Aufschlämmung zu bilden. Beispiele von Keramik umfassen Glaskeramik, Aluminiumoxidkeramik und Aluminiumnitridkeramik. Als nächstes wird diese Aufschlämmung zu Platten geformt und folglich werden mehrere ungebrannte Keramikplatten erhalten. Des Verfahren zum Formen einer Aufschlämmung zu Platten kann beispielsweise ein Rakelverfahren und ein Kalanderwalzenverfahren sein. Als nächstes werden diese ungebrannten Keramikplatten gestanzt, um Durchgangslöcher auszubilden. Diese Durchgangslöcher werden mit einer leitfähigen Paste gefüllt, um die Durchgangsleitergruppe 34 auszubilden. Außerdem werden verschiedene Leitermuster auf die ungebrannten Keramikplatten gedruckt. Die so verarbeiteten ungebrannten Keramikplatten werden laminiert. Die laminierten ungebrannten Keramikplatten werden gebrannt, um ein Dielektrikum auszubilden. Die Brenntemperatur ist 850 bis 1000°C für Glaskeramik, 1500 bis 1700°C für Aluminiumoxidkeramik und 1600 bis 1900°C für Aluminiumnitridkeramik.
  • Hier kann die dielektrische Schicht 31 auch aus einem Harzmaterial bestehen. Beispiele eines Harzmaterials, das für die dielektrische Schicht 31 verwendet werden kann, umfassen ein Flüssigkristallpolymer, ein Fluorkohlenstoffharz und ein Fluorkohlenstoffharz oder Epoxidharz mit einem Glasbasismaterial. Insbesondere ist des Epoxidharz mit einem Glasbasismaterial vorzugsweise ein FR4-(Flammschutzmittel Typ 4)Epoxidharz. Ferner kann ein gemischtes Material, in dem ein Harz mit Keramik vermischt ist, verwendet werden. Ein Metallleiter kann in diesem Fall ausgebildet werden, beispielsweise indem eine gebondete Kupferfolie oder ein Kupferplattierungsfilm strukturiert wird. Beispiele der Strukturierung umfassen Ätzen.
  • Ein Harzsubstrat wird als dielektrische Schicht 31 verwendet und die inneren Oberflächen der Durchgangslöcher werden mit Kupfer plattiert, um Durchgangsleiter auszubilden, oder Leiter werden in die Durchgangslöcher eingebettet, um eingebettete Leiter auszubilden, und folglich wird eine Durchgangsleitergruppe ausgebildet. Eine Öffnung eines Kopplungsabschnitts wird in einer vorbestimmten Position an dem Harzsubstrat unter Verwendung von verschiedenen Verfahren mit einem Bohrer, einem Laser, Ätzen oder dergleichen ausgebildet. Die Harzsubstrate, an denen verschiedene Leitermuster ausgebildet werden, werden aufeinander gestapelt und aneinander gebunden, um ein Hochfrequenzsubstrat auszubilden.
  • Ferner werden die Hauptleiterschichten 32, die durch die Durchgangsleitergruppe 34 verbunden sind, vorzugsweise aus den folgenden leitfähigen Pasten gemäß dem Material der dielektrischen Schicht 31 hergestellt. In dem Fall, in dem die dielektrische Schicht 31 beispielsweise aus Aluminiumoxidkeramik besteht, wird eine leitfähige Paste verwendet, in der ein Oxid, organische Lösungsmittel, organisches Flussmittel und dergleichen zu einem Metallpulver von Wolfram, Molybdän oder dergleichen zugegeben und damit vermischt werden. Beispiele des Oxids umfassen Aluminiumoxid, Siliziumdioxid und Magnesiumoxid. Ferner ist im Fall von Glaskeramik das Metallpulver beispielsweise vorzugsweise Kupfer, Gold oder Silber. Im Fall von Aluminiumoxidkeramik und Aluminiumnitridkeramik ist das Metallpulver ferner vorzugsweise beispielsweise Wolfram oder Molybdän. Diese leitfähigen Pasten werden unter Verwendung eines Dickfilmdruckverfahrens oder dergleichen auf die dielektrische Schicht 31 gedruckt. Nach dem Druckprozess wird ein Brennprozess bei einer hohen Temperatur von ungefähr 1600°C durchgeführt. Dieser Druckprozess wird derart durchgeführt, dass die Dicke nach dem Brennprozess ungefähr 5 bis 50 μm ist.
  • In der Leiterplatte 10 sind die mehreren laminierten Wellenleiter 3 jeweils zu verschiedenen Oberflächen des Substrats 1 ausgeführt. Folglich sind Ausleitungsabschnitte 3a der laminierten Wellenleiter 3 auf Oberflächen des Substrats 1 ausgebildet. Die Ausleitungsabschnitte 3a fungieren als Anschlüsse zum Durchführen der Ausgabe und/oder Eingabe eines Hochfrequenzsignals. Das heißt, der Ausleitungsabschnitt 3a kann nur ein Hochfrequenzsignal ausgeben, kann nur ein Hochfrequenzsignal eingeben oder kann ein Hochfrequenzsignal ausgeben und eingeben. In dieser Weise sind in der Leiterplatte 10 die Ausleitungsabschnitte 3a der laminierten Wellenleiter 3 auf verschiedenen Hauptoberflächen des Substrats 1 ausgebildet. Diese Leiterplatte 10 ermöglicht die Verbindung an mehreren Oberflächen im Gegensatz zu dem Fall, in dem Anschlüsse von mehreren Wellenleitern auf derselben Oberfläche der Leiterplatte ausgebildet sind. In dem Fall, in dem eine Verbindung an mehreren Oberflächen möglich ist, kann die Größe dieser Leiterplatte 10 verringert werden.
  • In der Leiterplatte 10 dieser Ausführungsform sind die mehreren laminierten Wellenleiter 3 jeweils zu verschiedenen Außenseitenoberflächen des Substrats 1 verlängert. Das heißt, die Ausleitungsabschnitte 3a sind auf mehreren Außenseitenoberflächen des Substrats 1 ausgebildet. In dem Fall, in dem die Ausleitungsabschnitte 3a auf verschiedenen Außenseitenoberflächen des Substrats 1 in dieser Weise ausgebildet sind, kann die Größe der Leiterplatte 10 weiter verringert werden.
  • Ferner sind Hochfrequenzelemente auf einer Oberfläche des Substrats 1 in der Dickenrichtung davon montiert (nächstehend als ”Hauptoberfläche” bezeichnet), und die Leiterplatte 10, die die Hochfrequenzelemente daran montiert, fungiert als Hochfrequenzmodul. In dieser Ausführungsform werden Halbleiterelemente 5 als Hochfrequenzelemente verwendet. Die Halbleiterelemente 5 können beispielsweise monolithische integrierte Mikrowellenschaltungen (MMIC) sein. Die Halbleiterelemente 5 führen die Ausgabe und/oder Eingabe eines Hochfrequenzsignals durch. Das heißt, das Halbleiterelement 5 kann nur ein Hochfrequenzsignal ausgeben, kann nur ein Hochfrequenzsignal eingeben oder kann ein Hochfrequenzsignal ausgeben und eingeben. Die Halbleiterelemente 5 sind so konfiguriert, dass sie jeweils mit den Wellenleiterleitungen 2 elektromagnetisch gekoppelt sind.
  • Ferner sind in der Leiterplatte 10 dieser Ausführungsform Koppler 4 auf der Hauptoberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Die Koppler 4 fungieren als Kopplungsabschnitte, die die Wellenleiterleitung 2 und den laminierten Wellenleiter 3 elektromagnetisch koppeln. Das heißt, ein Hochfrequenzsignal, das durch die Wellenleiterleitung 2 übertragen wird, wird über den Umsetzer 4 in den laminierten Wellenleiter 3 eingegeben. Ferner wird ein durch den laminierten Wellenleiter 3 übertragenes Hochfrequenzsignal über den Umsetzungsabschnitt 4 in die Wellenleiterleitung 2 eingegeben.
  • Hier kann in der Leiterplatte 10 ein elektronisches Element an der Hauptoberfläche des Substrats 1 montiert sein. Beispiele des elektronischen Elements umfassen ein aktives Element und ein passives Element. Beispiele des aktiven Elements und des passiven Elements umfassen einen Kondensator, einen Widerstand, einen Induktor, ein Hochfrequenz-LRC-Netz, verschiedene Sensoren, eine Zener-Diode und ein Halbleiterelement mit einer Logikschaltung. Der Kondensator und die Zener-Diode unterstützen vorzugsweise EDS. Diese passiven Elemente können Elemente in Form von Chips sein oder können direkt auf der Oberfläche ausgebildet sein. In der Leiterplatte 10 sind die mehreren laminierten Wellenleiter 3 jeweils zu verschiedenen Außenseitenoberflächen des Substrats 1 ausgeleitet und folglich kann die Montagefläche für ein elektronisches Element auf der Hauptoberfläche des Substrats 1 vergrößert werden.
  • Das Halbleiterelement 5 und die Wellenleiterleitung 2 sind über einen Bonddraht 6 elektrisch miteinander verbunden. In dem Fall, in dem das Halbleiterelement 5 ein Ausgangselement ist, wird ein aus dem Halbleiterelement 5 ausgegebenes Hochfrequenzsignal durch den Banddraht 6 übertragen und in die Wellenleiterleitung 2 eingegeben. In dem Fall, in dem das Halbleiterelement 5 ein Empfangselement ist, wird ein aus der Wellenleiterleitung 2 ausgegebenes Hochfrequenzsignal durch den Bonddraht 6 übertragen und in das Halbleiterelement 5 eingegeben. Hier ist die Verbindung zwischen dem Halbleiterelement 5 und der Wellenleiterleitung 2 nicht auf die Verbindung über den Banddraht 6 begrenzt. Das Halbleiterelement 5 und die Wellenleiterleitung 2 können mittels Flip-Chip-Bonden über leitfähige Höcker miteinander verbunden sein.
  • Ferner sind in der Leiterplatte 10 Dichtungsstrukturen 7 auf der Hauptoberflächenseite des Substrats 1 angeordnet. Die Dichtungsstruktur 7 bedeckt das Halbleiterelement 5 und den Umsetzer 4 auf der Hauptoberflächenseite des Substrats 1. Die Dichtungsstruktur 7 schützt das Halbleiterelement 5 und den Umsetzungsabschnitt 4. Dieser Schutz kann ein Schutz vor Temperatur, Feuchtigkeit und/oder mechanischer Beschädigung sein. Die Dichtungsstrukturen 7 bestehen aus einem leitfähigen Material. In dieser Ausführungsform umfassen Beispiele des leitfähigen Materials ein Metallmaterial wie z. B. Aluminium. In dem Fall, in dem die Dichtungsstrukturen 7, die die Halbleiterelemente 5 bedecken, in dieser Weise aus einem Metallmaterial bestehen, kann die durch die Halbleiterelemente 5 erzeugte Wärme nach außen abgeleitet werden. Wenn Wärme der Halbleiterelemente 5 so abgeleitet werden kann, können die Halbleiterelemente 5 mit Eigenschaften arbeiten, die nahe den ursprünglich entworfenen liegen.
  • In dem Fall, in dem die Dichtungsstruktur 7 eine große Leiterplatte bedeckt, kann hier ein Resonanzphänomen in einem Innenraum der Dichtungsstruktur 7 auftreten. Wenn ein Resonanzphänomen im Innenraum der Dichtungsstruktur 7 auftritt, kann die Hochfrequenzschaltung im Innenraum nicht die ursprünglich entworfenen Eigenschaften ausüben. In dem Fall, in dem die MMIC eine Oszillationsfunktion aufweist, können ein Signal, das sich aus der Oszillation ergibt, und ein Signal, das sich aus der Resonanz ergibt, miteinander interferieren, was Probleme wie z. B. Ausgangsleistungsverringerung verursacht. In der Leiterplatte 10 wird überdies ein Teil der Hochfrequenzsignale von der Wellenleiterleitung 2 in den Innenraum der Dichtungsstruktur 7 abgestrahlt. Die abgestrahlten Hochfrequenzsignale tragen zu einem unerwünschten Resonanzphänomen im Innenraum der Dichtungsstruktur 7 bei.
  • Die Leiterplatte 10 dieser Ausführungsform ist eine Platine, deren Größe verringert werden kann. In der Leiterplatte 10 kann folglich das Auftreten von Resonanzphänomenen im Innenraum der Dichtungsstruktur 7 verringert werden und die Halbleiterelemente 5 können mit Eigenschaften arbeiten, die nahe den ursprünglich entworfenen liegen.
  • Ferner sind in der Leiterplatte 10 Steuersignalkontaktstellen 8 auf der Hauptoberfläche des Substrats 1 angeordnet. Die Steuersignalkontaktstellen 8 weisen eine elektrische Verbindung mit einer zweiten Leiterplatte 51 auf, die in einem später beschriebenen Hochfrequenzmodul 50 vorgesehen ist.
  • Als nächstes wird das mit der Leiterplatte 10 versehene Hochfrequenzmodul 50 mit Bezug auf 4A und 4B beschrieben. Des Hochfrequenzmodul 50 umfasst die Leiterplatte 10, auf der die Halbleiterelemente 5 montiert sind, und eine zweite Leiterplatte 51. Die Leiterplatte 10 und die zweite Leiterplatte 51 sind kombiniert, um eine Wellenleiterstruktur zu bilden. Innerhalb der zweiten Leiterplatte 51 sind mehrere Wellenleiter 51a als Wellenleiter zum Übertragen von Hochfrequenzsignalen ausgebildet. In dieser Ausführungsform fungiert ein Teil der mehreren Wellenleiter 51a als Antenne. Eine solche zweite Leiterplatte 51 fungiert in dieser Ausführungsform als zweite Leiterplatte 51. Die Leiterplatte 10, die einer der Bestandteile des Hochfrequenzmoduls 50 ist, ist eine Platine, deren Größe verringert werden kann, und folglich kann die Größe des Hochfrequenzmoduls 50 auch verringert werden.
  • Die zweite Leiterplatte 51, die im Hochfrequenzmodul 50 vorgesehen ist, weist einen Aussparungsabschnitt 53 auf, der in einer Dickenrichtung davon vertieft ist. In der zweiten Leiterplatte 51 sind die Wellenleiter 51a zu Innenseitenoberflächen des Aussparungsabschnitts 53 ausgeleitet. Folglich sind zweite Ausleitungsabschnitte 52 an Oberflächen der zweiten Leiterplatte 52 ausgebildet. Die Ausleitungsabschnitte 3a der laminierten Wellenleiter 3, die in der Leiterplatte 10 ausgebildet sind, sind in den Aussparungsabschnitt 53 der zweiten Leiterplatte 51 so eingefügt, dass sie den zweiten Ausleitungsabschnitten 52 der Wellenleiter 51a gegenüberliegen. Folglich sind die laminierten Wellenleiter 3 und die Wellenleiter 51a elektromagnetisch miteinander gekoppelt. Folglich kann die Dicke des Hochfrequenzmoduls 50 kleiner gemacht werden als in dem Fall, in dem die Leiterplatte 10 auf einer Oberfläche der zweiten Leiterplatte 51 angeordnet ist. Da die Leiterplatte 10 in den Aussparungsabschnitt 53 der zweiten Leiterplatte 51 eingefügt ist, wird eine gute Ausrichtung zwischen den an der Leiterplatte 10 ausgebildeten Ausleitungsabschnitten 3a und den zweiten Ausleitungsabschnitten 52 der zweiten Leiterplatte 51 erreicht. Da die Leiterplatte 10 in den Aussparungsabschnitt 53 der zweiten Leiterplatte 51 eingefügt ist, kann überdies durch die Leiterplatte 10 erzeugte Wärme von den Seitenoberflächen und einer unteren Oberfläche der Leiterplatte 10 auf die zweite Leiterplatte 51 übertragen werden und folglich kann eine gute Wärmeableitung erhalten werden.
  • Um ein Hochfrequenzsignal zwischen dem laminierten Wellenleiter 3 und dem Wellenleiter 51a zu übertragen, kann bewirkt werden, dass eine Komponente des elektrischen Feldes des Hochfrequenzsignals für den Ausleitungsabschnitt 3a jener für den zweiten Ausleitungsabschnitt 52 entspricht. Folglich kann ein Hochfrequenzsignal, das durch den laminierten Wellenleiter 3 im TE10-Modus übertragen wird, effektiv mit dem zweiten Ausleitungsabschnitt 52 des Wellenleiters 51a gekoppelt werden. Zu diesem Zeitpunkt kann eine bessere Übertragung des Hochfrequenzsignals verwirklicht werden, indem die Öffnungsform des Ausleitungsabschnitts 3a im Wesentlichen gleich jener des zweiten Ausleitungsabschnitts 52 gemacht wird oder indem der Ausleitungsabschnitt 3a und der zweite Ausleitungsabschnitt 52 miteinander in Kontakt gebracht werden.
  • In dieser Ausführungsform wird der Wellenleiter 51a als Wellenleiter der zweiten Leiterplatte 51 verwendet, aber es besteht keine Begrenzung darauf. Beispiele des Wellenleiters der zweiten Leiterplatte 51 umfassen nicht nur den Wellenleiter, sondern auch einen laminierten Wellenleiter, eine Wellenleiterleitung und eine Koaxialleitung.
  • In dem Fall, in dem ein Ausgangselement, das ein Hochfrequenzsignal ausgibt, als Halbleiterelement 5, das auf dem Substrat 1 der Leiterplatte 10 montiert ist, in diesem Hochfrequenzmodul 50 verwendet wird, wird zuerst ein Hochfrequenzsignal aus dem Halbleiterelement 5 ausgegeben. Das aus dem Halbleiterelement 5 ausgegebene Hochfrequenzsignal wird durch den laminierten Wellenleiter 3 übertragen. Das durch den laminierten Wellenleiter 3 übertragene Hochfrequenzsignal wird vom Ausleitungsabschnitt 3a über den zweiten Ausleitungsabschnitt 52 zum Wellenleiter der zweiten Leiterplatte 51 übertragen. Das zum Wellenleiter der zweiten Leiterplatte 51 übertragene Hochfrequenzsignal wird von der zweiten Leiterplatte 51 abgestrahlt.
  • In dem Fall, in dem ein Eingangselement, das ein Hochfrequenzsignal eingibt, als Halbleiterelement 5 verwendet wird, wird ein von der Antenne der zweiten Leiterplatte 51 empfangenes Hochfrequenzsignal ferner zuerst durch den Wellenleiter 51a der zweiten Leiterplatte 51 übertragen. Als nächstes wird das durch den Wellenleiter 51a übertragene Hochfrequenzsignal vom zweiten Ausleitungsabschnitt 52 über den Ausleitungsabschnitt 3a zum laminierten Wellenleiter 3 übertragen. Das zum laminierten Wellenleiter 3 übertragene Hochfrequenzsignal wird in das Halbleiterelement 5 eingegeben.
  • Ferner ist die zweite Leiterplatte 51 des Hochfrequenzmoduls 50 weiterhin mit einer Steuerplatine 55 versehen. Die Steuerplatine 55 steuert den Betrieb des Hochfrequenzmoduls 50. Die Steuerplatine 55 steuert das Halbleiterelement 5, um ein Hochfrequenzsignal auszugeben oder zu empfangen. Die Steuerplatine 55 und die Leiterplatte 10 sind über die Steuersignalkontaktstellen 8 elektrisch miteinander verbunden und die zweite Leiterplatte 51 und die Leiterplatte 10 sind miteinander verbunden.
  • Die Verbindungsstruktur zwischen der Leiterplatte 10, der zweiten Leiterplatte 51 und der Steuerplatine 55 im Hochfrequenzmodul 50 wird mit Bezug auf 5 beschrieben. 5 ist eine Ansicht, die die Verbindungsstruktur zwischen den Platinen im Hochfrequenzmodul 50 zeigt.
  • Auf einer Oberfläche der Steuerplatine 55, die über die Steuersignalkontaktstellen 8 mit der Leiterplatte 10 elektrisch verbunden ist, sind beispielsweise ein Chipwiderstand 55a, ein Chipkondensator 55b und eine Signalverarbeitungs-IC/Steuer-IC 55c montiert. Eine Signalleitung 55d, der für ein Steuersignal der Signalverarbeitungs-IC/Steuer-IC 55c verwendet wird, ist innerhalb der Steuerplatine 55 ausgebildet.
  • Ferner ist die Leiterplatte 10 über eine leitfähige Klebstoffschicht 56 an eine Bodenoberfläche des Aussparungsabschnitts 53 der zweiten Leiterplatte 51 gebondet. Ein thermisches Durchgangsloch 57 ist innerhalb der Leiterplatte 10 ausgebildet. Das thermische Durchgangsloch 57 überträgt Wärme, die durch die Leiterplatte 10 erzeugt wird, in Richtung der zweiten Leiterplatte 51. Die durch die Leiterplatte 10 erzeugte Wärme wird über die Klebstoffschicht 56 zur zweiten Leiterplatte 51 übertragen. In dieser Ausführungsform wird eine leitfähige Schicht mit einer hohen Wärmeableitung als Klebstoffschicht 56 verwendet.
  • Der Wellenleiter 51a der zweiten Leiterplatte 51 kann zur Außenseitenoberfläche der zweiten Leiterplatte 51 ausgeleitet sein oder kann zur hinteren Oberfläche der zweiten Leiterplatte 51 ausgeleitet sein. In dieser Ausführungsform ist der Wellenleiter 51a so konfiguriert, dass er zur hinteren Oberfläche der zweiten Leiterplatte 51 ausgeleitet ist.
  • 6A und 6B sind perspektivische Ansichten, die die Konfiguration eines Hochfrequenzmoduls 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigen. 6A ist eine perspektivische Ansicht des Hochfrequenzmoduls 100 in auseinandergezogener Anordnung und 6B ist eine perspektivische Ansicht, die die Gesamtkonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 zeigt. Das Hochfrequenzmodul 100 ist zum vorstehend beschriebenen Hochfrequenzmodul 50 ähnlich und folglich sind die entsprechenden Abschnitte mit denselben Bezugszeichen bezeichnet und auf eine Beschreibung davon wird verzichtet.
  • Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst eine Leiterplatte 101, eine zweite Leiterplatte 103, die Steuerplatine 55 und ein Abdeckungselement 104.
  • Wie in der im vorstehend beschriebenen Hochfrequenzmodul 50 vorgesehenen Leiterplatte 10 weist die Leiterplatte 101 mehrere laminierte Wellenleiter auf, die jeweils zu verschiedenen Außenseitenoberflächen des Substrats 1 ausgeleitet sind. In der Leiterplatte 101 sind die Ausleitungsabschnitte 3a der mehreren laminierten Wellenleiter auf verschiedenen Außenseitenoberflächen des Substrats 1 ausgebildet. Überdies sind in der Leiterplatte 101 Positionierungsmarkierungen 102, die jeweils den Ausleitungsabschnitten 3a entsprechen, auf der Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Mit diesen Markierungen können die Positionen, in denen die Ausleitungsabschnitte 3a ausgebildet wurden, von der Hauptoberflächenseite des Substrats 1 aus erkannt werden. Wenn die Leiterplatte 101 an der zweiten Leiterplatte 103 montiert wird, kann folglich die Ausrichtung zwischen den Ausleitungsabschnitten 3a, die an der Leiterplatte 101 ausgebildet sind, und den zweiten Ausleitungsabschnitten 52 der zweiten Leiterplatte 103 leicht erreicht werden.
  • Wie in der zweiten Leiterplatte 51, die im vorstehend beschriebenen Hochfrequenzmodul 50 vorgesehen ist, weist die zweite Leiterplatte 103 einen Aussparungsabschnitt auf, der in einer Dickenrichtung davon vertieft ist. In der zweiten Leiterplatte 103 sind die Wellenleiter zu Innenseitenoberflächen des Aussparungsabschnitts ausgeleitet. An den inneren Umfangsoberflächen des Aussparungsabschnitts in der zweiten Leiterplatte 103 sind die zweiten Ausleitungsabschnitte 52 der Wellenleiter ausgebildet. Die Leiterplatte 101 ist in den Aussparungsabschnitt der zweiten Leiterplatte 103 derart eingefügt, dass die Ausleitungsabschnitte 3a der laminierten Wellenleiter den zweiten Ausleitungsabschnitten 52 der Wellenleiter gegenüberliegen.
  • Im Hochfrequenzmodul 100 sind Drosselstrukturen 103a auf der Seite der zweiten Leiterplatte 103 oder der Seite der Leiterplatte 101 am Verbindungsabschnitt zwischen den Ausleitungsabschnitten 3a der Leiterplatte 101 und den zweiten Ausleitungsabschnitten 52 der zweiten Leiterplatte 103 ausgebildet. Im Hochfrequenzmodul 100 verringern die Drosselstrukturen 103a den Austritt von Hochfrequenzsignalen, der durch die Verbindung zwischen den Ausleitungsabschnitten 3a und den zweiten Ausleitungsabschnitten 52 verursacht wird. Die Größe der Drosselstrukturen 103a ist ein ganzzahliges Vielfaches von 1/4 der Wellenlänge λ eines Hochfrequenzsignals.
  • Das Abdeckungselement 10.4 ist auf der Oberfläche der zweiten Leiterplatte 103 so angeordnet, dass es die Grenze zwischen der Leiterplatte 101 und der zweiten Leiterplatte 103 von oben in einem Zustand abdeckt, in dem die Leiterplatte 101 in den Aussparungsabschnitt der zweiten Leiterplatte 103 eingefügt ist. Das Abdeckungselement 104 ist beispielsweise eine rahmenförmige Metallplatte. Folglich kann der Austritt der Hochfrequenzsignale an der Grenze zwischen der Leiterplatte 101 und der zweiten Leiterplatte 103 verringert werden.
  • Als nächstes werden ein Sender, ein Empfänger, ein Sender/Empfänger und eine Radarvorrichtung, die mit dem Hochfrequenzmodul 50 versehen sind, beschrieben.
  • 7 ist ein Diagramm, das die Konfiguration eines Senders 60 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der Sender 60 dieser Ausführungsform ist mit dem Hochfrequenzmodul 50 versehen und umfasst einen Oszillator 61, der an einer Oberfläche der Leiterplatte 10 montiert ist. Der Oszillator 61 ist mit der Wellenleiterleitung 2 verbunden und erzeugt ein Hochfrequenzsignal. Der Sender 60 strahlt das Hochfrequenzsignal, das durch den Oszillator 61 erzeugt wird, der mit dem laminierten Wellenleiter 3 verbunden ist, von der zweiten Leiterplatte 51 ab.
  • 8 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines Empfängers 70 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der Empfänger 70 dieser Ausführungsform ist mit dem Hochfrequenzmodul 50 versehen und umfasst einen Wellendetektor 71, der an einer Oberfläche der Leiterplatte 10 montiert ist. Der Wellendetektor 71 detektiert ein Hochfrequenzsignal, das durch die zweite Leiterplatte 51 erfasst wird, die mit dem laminierten Wellenleiter 3 verbunden ist.
  • 9 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines Senders/Empfängers 80 und einer Radarvorrichtung 90 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Die Radarvorrichtung 90 dieser Ausführungsform umfasst den Sender/Empfänger 80, der mit dem Hochfrequenzmodul 50 versehen ist, und einen Detektor 91. Der Detektor 91 detektiert einen Abstand oder eine relative Geschwindigkeit in Bezug auf ein zu detektierendes Objekt auf der Basis eines Zwischenfrequenzsignals von einem Mischer 83, der im Sender/Empfänger 80 vorgesehen ist.
  • Der Sender/Empfänger 80 dieser Ausführungsform ist mit dem Hochfrequenzmodul 50 versehen und umfasst den Oszillator 61, der an einer Oberfläche der Leiterplatte 10 montiert ist, und eine Verzweigung 81. Der Oszillator 61 gibt ein Hochfrequenzsignal aus. Der Oszillator 61 wird als Hochfrequenzelement verwendet, das mit der Wellenleiterleitung 2 verbunden ist und ein Hochfrequenzsignal in die Wellenleiterleitung 2 eingibt. Die Verzweigung 81 ist an der Wellenleiterleitung 2 angeordnet und verzweigt das durch den Oszillator 61 ausgegebene Hochfrequenzsignal. Die zweite Leiterplatte 51 im Sender/Empfänger 80 strahlt davon über einen Teller 82 einen Teil des Hochfrequenzsignals, das durch die Verzweigung 81 verzweigt wird, ab. Ferner ist der Wellenleiter 51a wie die Antenne der zweiten Leiterplatte 51 mit dem laminierten Wellenleiter 3 verbunden und empfängt ein Hochfrequenzsignal. Der Sender/Empfänger 80 umfasst ferner den Mischer 83. Der Mischer 83 mischt den restlichen Teil des Hochfrequenzsignals, das durch die Verzweigung 81 verzweigt wird, mit dem Hochfrequenzsignal, das von der Antenne empfangen und durch den Teiler 82 übertragen wird, und gibt ein Zwischenfrequenzsignal aus.
  • Gemäß dem Sender 60, dem Empfänger 70 und dem Sender/Empfänger 80 und der Radarvorrichtung 90 dieser Ausführungsform ist das Hochfrequenzmodul 50 vorgesehen, der Oszillator 61, der Wellendetektor 71 oder dergleichen ist an einer Oberfläche der Leiterplatte 10 montiert und die zweite Leiterplatte 51 oder dergleichen zum Senden und Empfangen von Signalen ist mit der Leiterplatte 10 verbunden. Folglich können die Hochfrequenzsignale, die durch die Hochfrequenzschaltung verarbeitet werden, die einen Abschnitt auf der Leiterplatte 10 bildet, effektiv zur zweiten Leiterplatte 51 übertragen und von der zweiten Leiterplatte 51 abgestrahlt werden, und dagegen können die von der zweiten Leiterplatte 51 empfangenen Hochfrequenzsignale effektiv zur Hochfrequenzschaltung übertragen werden, die einen Abschnitt auf der Seite der Leiterplatte 10 bildet. Folglich kann die Größe verringert werden und eine gute Sende- und Empfangsleistung kann verwirklicht werden.
  • Es ist zu beachten, dass der Sender 60, der Empfänger 70, der Sender/Empfänger 80 so konfiguriert sein können, dass sie mit dem vorstehend beschriebenen Hochfrequenzmodul 100 anstelle des Hochfrequenzmoduls 50 versehen sind.
  • Mehrere Leiterplatten 10 können auf einer einzelnen zweiten Leiterplatte 51 oder 103 angeordnet sein. Ferner können mehrere Leiterplatten 10 nebeneinander angeordnet sein und ein laminierter Wellenleiter 3 einer Leiterplatte 10 und ein laminierter Wellenleiter 3 einer weiteren Leiterplatte 10 können elektromagnetisch miteinander gekoppelt sein.
  • Die laminierten Wellenleiter 3 der Leiterplatte 10 und die Wellenleiter der zweiten Leiterplatten 51 und 103 sind nicht auf jene, die Hochfrequenzsignale mit einem Hochfrequenzelement austauschen, oder jene, die als Antennen fungieren, begrenzt. Die laminierten Wellenleiter 3 der Leiterplatte 10 und die Wellenleiter der zweiten Leiterplatten 51 und 103 können jene, die Eingangshochfrequenzsignale von einer anderen Position ausgeben, oder jene, die Eingangshochfrequenzsignale abschließen, sein.
  • Die vorangehenden Ausführungsformen sind in allen Aspekten lediglich erläuternd. Der Schutzbereich der Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche begrenzt.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Substrat
    2
    Wellenleiterleitung
    3
    Laminierter Wellenleiter
    3a
    Ausleitungsabschnitt
    4
    Umsetzungsabschnitt
    5
    Halbleiterelement
    10, 101
    Leiterplatte
    31
    Dielektrische Schicht
    32
    Hauptleiterschicht
    33
    Durchgangsleiter
    34
    Durchgangsleitergruppe
    50, 100
    Hochfrequenzmodul
    51, 103
    Zweite Leiterplatte
    52
    Zweiter Ausleitungsabschnitt
    53
    Aussparungsabschnitt
    60
    Sender
    61
    Oszillator
    70
    Empfänger
    71
    Wellendetektor
    80
    Sender/Empfänger
    81
    Verzweigung
    82
    Teiler
    83
    Mischer
    90
    Radarvorrichtung
    91
    Detektor
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2004-254068 A [0003, 0004]

Claims (10)

  1. Leiterplatte, die umfasst: ein Substrat mit mehreren Oberflächen; eine Wellenleiterleitung, die zumindest teilweise auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist und dazu konfiguriert ist, ein Hochfrequenzsignal zu übertragen; und einen laminierten Wellenleiter, der innerhalb des Substrats ausgebildet ist, ist mit der Wellenleiterleitung elektromagnetisch gekoppelt ist und einen Ausleitungsabschnitt aufweist, der vom Inneren des Substrats zu einer anderen Oberfläche als der ersten Oberfläche ausgeleitet ist, wobei der laminierte Wellenleiter umfasst: ein Dielektrikum; zwei Hauptleiterschichten, zwischen die das Dielektrikum eingelegt ist; und eine Durchgangsleitergruppe mit mehreren Durchgangsleitern, die die zwei Hauptleiterschichten elektrisch verbinden und entlang einer Signalübertragungsrichtung angeordnet sind.
  2. Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei der Ausleitungsabschnitt auf mehreren Seitenoberflächen des Substrats ausgebildet ist.
  3. Leiterplatte nach Anspruch 1, die ferner einen Kopplungsabschnitt umfasst, der die Wellenleiterleitung und den laminierten Wellenleiter elektromagnetisch koppelt.
  4. Wellenleiterstruktur, die umfasst: eine erste Leiterplatte, die umfasst: ein erstes Substrat mit mehreren Oberflächen; eine Wellenleiterleitung, die zumindest teilweise auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist und dazu konfiguriert ist, ein Hochfrequenzsignal zu übertragen; und einen laminierten Wellenleiter, der innerhalb des ersten Substrats ausgebildet ist, mit der Wellenleiterleitung elektromagnetisch gekoppelt ist und einen Ausleitungsabschnitt aufweist, der vom Inneren des ersten Substrats zu einer anderen Oberfläche als der ersten Oberfläche ausgeleitet ist, wobei der laminierte Wellenleiter ein erstes Dielektrikum, zwei erste Hauptleiterschichten, zwischen die das erste Dielektrikum eingelegt ist, und eine erste Durchgangsleitergruppe mit mehreren ersten Durchgangsleiter umfasst, die die zwei ersten Hauptleiterschichten elektrisch verbinden, entlang einer Signalübertragungsrichtung angeordnet sind; und eine zweite Leiterplatte, die umfasst: ein zweites Substrat; und einen Wellenleiter, der innerhalb des zweiten Substrats ausgebildet ist und mit dem laminierten Wellenleiter der ersten Leiterplatte elektromagnetisch gekoppelt ist.
  5. Wellenleiterstruktur nach Anspruch 4, wobei das zweite Substrat auf einer Oberflächenseite davon einen Aussparungsabschnitt aufweist, der innen zumindest einen Teil der ersten Leiterplatte aufnimmt, und der Wellenleiter einen zweiten Ausleitungsabschnitt aufweist, der vom Inneren des zweiten Substrats zu einer Innenseitenoberfläche des Aussparungsabschnitts ausgeleitet ist und der mit dem Ausleitungsabschnitt der ersten Leiterplatte elektromagnetisch gekoppelt ist.
  6. Wellenleiterstruktur nach Anspruch 4, wobei mehrere erste Leiterplatten vorgesehen sind.
  7. Wellenleiterstruktur nach Anspruch 4, wobei der Wellenleiter umfasst: ein zweites Dielektrikum; zwei zweite Hauptleiterschichten, zwischen die das zweite Dielektrikum eingelegt ist; und eine zweite Durchgangsleitergruppe mit mehreren zweiten Durchgangsleitern, die die zwei zweiten Hauptleiterschichten elektrisch verbinden, entlang der Signalübertragungsrichtung angeordnet sind.
  8. Hochfrequenzmodul, das umfasst: die Wellenleiterstruktur nach Anspruch 4; und ein Hochfrequenzelement, das mit dem laminierten Wellenleiter elektromagnetisch gekoppelt ist.
  9. Hochfrequenzmodul nach Anspruch 8, wobei die zweite Leiterplatte ferner eine Antenne umfasst, die mit dem Wellenleiter elektromagnetisch gekoppelt ist und zum Senden und/oder Empfangen des Hochfrequenzsignals ausgelegt ist. 3
  10. Radarvorrichtung, die umfasst: das Hochfrequenzmodul nach Anspruch 8, wobei die Antenne eine Sendeantenne und eine Empfangsantenne umfasst, wobei der laminierte Wellenleiter eine Verzweigung umfasst, die dazu konfiguriert ist, das Hochfrequenzsignal in mehrere verzweigte Signale zu verzweigen und eines der mehreren verzweigten Signals an die Sendeantenne auszugeben, und wobei das Hochfrequenzelement aufweist ein Ausgangselement, das dazu konfiguriert ist, das Hochfrequenzsignal an die Verzweigung auszugeben, und einen Mischer, der dazu konfiguriert ist, das eine der mehreren verzweigten Signale mit einem empfangenen Signal, das von der Empfangsantenne empfangen wird, zu mischen, um ein Zwischenfrequenzsignal zu erzeugen und das Zwischenfrequenzsignal auszugeben; und einen Detektor, der dazu konfiguriert ist, einen Abstand und/oder eine relative Geschwindigkeit in Bezug auf ein zu detektierendes Objekt auf der Basis des Zwischenfrequenzsignals vom Mischer zu detektieren.
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WO (1) WO2010114079A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013112647A1 (de) * 2013-11-15 2015-05-21 Imst Gmbh Hochfrequenzmodule und Hochfrequenzsysteme
DE102014200660A1 (de) * 2014-01-16 2015-07-16 Conti Temic Microelectronic Gmbh Sende- und Empfangseinheit für Radarsignale und Verfahren zur Herstellung derselben
CN107643510A (zh) * 2017-09-22 2018-01-30 上海航天测控通信研究所 一种三明治结构雷达综合信号转接板

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8554136B2 (en) 2008-12-23 2013-10-08 Waveconnex, Inc. Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips
US8901719B2 (en) * 2009-05-08 2014-12-02 Optis Cellular Technology, Llc Transition from a chip to a waveguide port
KR101582395B1 (ko) 2011-03-24 2016-01-11 키사, 아이엔씨. 전자기 통신의 집적회로
US8811526B2 (en) 2011-05-31 2014-08-19 Keyssa, Inc. Delta modulated low power EHF communication link
WO2012174350A1 (en) 2011-06-15 2012-12-20 Waveconnex, Inc. Proximity sensing and distance measurement using ehf signals
TWI562555B (en) 2011-10-21 2016-12-11 Keyssa Inc Contactless signal splicing
JP6435194B2 (ja) 2011-12-14 2018-12-05 ケッサ・インコーポレーテッド 触覚フィードバックを提供するコネクタ
CN107276641B (zh) 2012-03-02 2021-07-02 凯萨股份有限公司 双工通信***和方法
CN104322155B (zh) * 2012-03-28 2018-02-02 凯萨股份有限公司 使用基片结构的电磁信号的重定向
WO2013158786A1 (en) 2012-04-17 2013-10-24 Waveconnex, Inc. Dielectric lens structures for interchip communication
EP2883271B1 (de) 2012-08-10 2020-07-22 Keyssa, Inc. Dielektrische kopplungssysteme für ehf-kommunikation
EP2896135B1 (de) 2012-09-14 2019-08-14 Keyssa, Inc. Drahtlose verbindungen mit virtueller hysterese
KR20150098645A (ko) 2012-12-17 2015-08-28 키사, 아이엔씨. 모듈식 전자장치
WO2014108744A1 (en) * 2013-01-09 2014-07-17 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic high frequency device and manufacturing method
CN105264785B (zh) 2013-03-15 2017-08-11 凯萨股份有限公司 极高频率通信芯片
KR20150132459A (ko) 2013-03-15 2015-11-25 키사, 아이엔씨. Ehf 보안 통신 장치
TWI513589B (zh) * 2013-04-18 2015-12-21 Wistron Neweb Corp 複合電路板及雷達裝置
US9910145B2 (en) 2013-12-19 2018-03-06 Infineon Technologies Ag Wireless communication system, a radar system and a method for determining a position information of an object
DE102014201728A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Conti Temic Microelectronic Gmbh Radarsystem zur Umfelderfassung für ein Fahrzeug
JP5728102B1 (ja) * 2014-02-13 2015-06-03 日本電信電話株式会社 Ｍｍｉｃ集積回路モジュール
US10103447B2 (en) * 2014-06-13 2018-10-16 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit package with radio frequency coupling structure
US9620841B2 (en) 2014-06-13 2017-04-11 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling structure
US9917372B2 (en) 2014-06-13 2018-03-13 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit package with radio frequency coupling arrangement
US10225925B2 (en) * 2014-08-29 2019-03-05 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling and transition structure
US9887449B2 (en) * 2014-08-29 2018-02-06 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling structure and a method of manufacturing thereof
US9444135B2 (en) 2014-09-19 2016-09-13 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit package
JP6429680B2 (ja) * 2015-03-03 2018-11-28 パナソニック株式会社 アンテナ一体型モジュール及びレーダ装置
DE102015215398A1 (de) * 2015-08-12 2017-02-16 Innosent Gmbh Radarsensor
US9852988B2 (en) 2015-12-18 2017-12-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Increased contact alignment tolerance for direct bonding
KR101927576B1 (ko) * 2016-01-18 2018-12-11 한국과학기술원 Em-터널이 내장된 구조를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제작 방법
US11394094B2 (en) * 2016-09-30 2022-07-19 Intel Corporation Waveguide connector having a curved array of waveguides configured to connect a package to excitation elements
US10446487B2 (en) 2016-09-30 2019-10-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interface structures and methods for forming same
US10580735B2 (en) 2016-10-07 2020-03-03 Xcelsis Corporation Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die
KR20190092584A (ko) 2016-12-29 2019-08-07 인벤사스 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 집적된 수동 컴포넌트를 구비한 접합된 구조체
US10276909B2 (en) * 2016-12-30 2019-04-30 Invensas Bonding Technologies, Inc. Structure comprising at least a first element bonded to a carrier having a closed metallic channel waveguide formed therein
US9978698B1 (en) * 2017-01-25 2018-05-22 Raytheon Company Interconnect structure for electrical connecting a pair of microwave transmission lines formed on a pair of spaced structure members
WO2018169968A1 (en) 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications
US10784191B2 (en) 2017-03-31 2020-09-22 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interface structures and methods for forming same
US10516207B2 (en) 2017-05-17 2019-12-24 Nxp B.V. High frequency system, communication link
CN207263916U (zh) * 2017-09-08 2018-04-20 中山市尊宝实业有限公司 定向雷达发射和接收感应板
US10886590B2 (en) * 2017-10-11 2021-01-05 Texas Instruments Incorporated Interposer for connecting an antenna on an IC substrate to a dielectric waveguide through an interface waveguide located within an interposer block
SE541861C2 (en) * 2017-10-27 2019-12-27 Metasum Ab Multi-layer waveguide, arrangement, and method for production thereof
US11169326B2 (en) 2018-02-26 2021-11-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
DE102018203106A1 (de) * 2018-03-01 2019-09-05 Conti Temic Microelectronic Gmbh Radarsystem zur Umfelderfassung eines Kraftfahrzeugs mit einer Kunststoffantenne
US11515291B2 (en) 2018-08-28 2022-11-29 Adeia Semiconductor Inc. Integrated voltage regulator and passive components
DE102018215459A1 (de) * 2018-09-12 2020-03-12 Zf Friedrichshafen Ag Radarsensorarchitektur
US10992017B2 (en) * 2018-11-15 2021-04-27 Intel Corporation Semiconductor package comprising chiplets disposed on a substrate which are electromagnetically coupled by dielectric waveguides and a computing networks formed therefrom
US11901281B2 (en) 2019-03-11 2024-02-13 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structures with integrated passive component
US11721650B2 (en) * 2019-06-11 2023-08-08 Intel Corporation Method for fabricating multiplexed hollow waveguides of variable type on a semiconductor package
TWI732678B (zh) * 2019-09-17 2021-07-01 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
US11762200B2 (en) 2019-12-17 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded optical devices
GB202100255D0 (en) * 2021-01-08 2021-02-24 Res & Innovation Uk Radio frequency module
JPWO2022255194A1 (de) 2021-06-03 2022-12-08

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004254068A (ja) 2003-02-20 2004-09-09 Mitsubishi Electric Corp 高周波送受信モジュール

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174701A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Kyocera Corp 誘電体導波管線路の接続構造
JP3659284B2 (ja) 1997-09-25 2005-06-15 京セラ株式会社 高周波用多層配線基板およびその製造方法
DE19918567C2 (de) * 1998-04-23 2002-01-03 Kyocera Corp Verbindungsanordnung für dielektrische Wellenleiter
TW200520201A (en) * 2003-10-08 2005-06-16 Kyocera Corp High-frequency module and communication apparatus
US7336221B2 (en) * 2004-03-26 2008-02-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High frequency package, transmitting and receiving module and wireless equipment
US7983624B2 (en) * 2005-06-17 2011-07-19 Cts Corporation RF front-end module for picocell and microcell base station transceivers
WO2007091470A1 (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Mitsubishi Electric Corporation 高周波モジュール
JP2008271295A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Kyocera Corp マイクロストリップ線路と積層型導波管線路との接続構造体およびこれを有する配線基板
WO2008152852A1 (ja) 2007-06-14 2008-12-18 Kyocera Corporation 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置
JP5072968B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-14 三菱電機株式会社 導波管の接続構造
WO2009084697A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Kyocera Corporation 高周波伝送線路の接続構造、配線基板、高周波モジュールおよびレーダ装置
JP5269902B2 (ja) * 2008-07-31 2013-08-21 京セラ株式会社 高周波基板および高周波モジュール
WO2010114078A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 京セラ株式会社 導波構造体、ならびに、導波構造体を含む高周波モジュールおよびレーダ装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004254068A (ja) 2003-02-20 2004-09-09 Mitsubishi Electric Corp 高周波送受信モジュール

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013112647A1 (de) * 2013-11-15 2015-05-21 Imst Gmbh Hochfrequenzmodule und Hochfrequenzsysteme
DE102014200660A1 (de) * 2014-01-16 2015-07-16 Conti Temic Microelectronic Gmbh Sende- und Empfangseinheit für Radarsignale und Verfahren zur Herstellung derselben
CN107643510A (zh) * 2017-09-22 2018-01-30 上海航天测控通信研究所 一种三明治结构雷达综合信号转接板

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