DE112006003899T5

DE112006003899T5 - Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie Leiterplatte

Info

Publication number: DE112006003899T5
Application number: DE112006003899T
Authority: DE
Inventors: Yasuo Kaneda; Munetoshi Irisawa; Yuji Toyoda; Toyokazu Komuro; Katsuya Nagano-shi Fukase; Toyoaki Nagano-shi Sakai
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Mitsubishi Paper Mills Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date: 2006-05-17
Filing date: 2006-05-17
Publication date: 2009-04-30
Also published as: US8143533B2; CN101438636B; CN101438636A; WO2007132533A1; US20090236137A1

Abstract

Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, das die folgenden Stufen umfasst:
Bilden einer Harzschicht und einer Maskenschicht auf einer ersten Oberfläche eines Substrats mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen und
Entfernen der Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die Harzschicht von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche des Substrats.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, auf ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie auf eine Leiterplatte. Spezieller bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur Bildung eines lötaugenfreien Resistmusters oder eines Resistmusters mit geringer Lötaugenbreite, das zur Realisierung einer Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte und eines feinen Verdrahtungsmusters auf einer Leiterplatte geeignet ist, auf ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie auf eine Leiterplatte.
Hintergrund des Stands der Technik
Da elektronische Geräte in den letzten Jahren hinsichtlich ihrer Größe reduziert worden sind und mit vielfältigen Funktionen versehen worden sind, sind auch eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte sowie ein feines Verdrahtungsmusters auf einer Leiterplatte realisiert worden. Ein Mittel zur Erzielung derartiger Gegebenheiten ist eine mehrschichtige Leiterplatte. Wie in 45 gezeigt ist, werden in einer Leiterplatte, die durch Stapeln mehrerer Verdrahtungsschichten ausgebildet ist, die Schichten miteinander durch eine Pore bzw. ein kleines Loch wie z. B. eine Durchgangsbohrung oder eine Nicht-Durchgangsbohrung (im Folgenden kollektiv als „Loch" bezeichnet) mit einer Innenwand, die mit einer leitfähigen Schicht bedeckt ist oder mit einer leitfähigen Schicht gefüllt wird, was allgemein als eine Durchgangsbohrung 31, ein Durchgangsloch („via hole") 32 oder ein interstitielles Durchgangsloch 33 (Zwischendurchgangsloch) bezeichnet wird, verbunden.
46 ist eine schematische Ansicht einer Durchgangsbohrung von oben. Eine als Lötauge 18 bezeichnete Leitungsschicht ist um eine Durchgangsbohrung 3 herum ausgebildet. Es gibt verschiedene Arten von Lötaugen, wie z. B. eckige, runde, ovale und deformierte Lötaugen. Ein rundes Lötauge wird jedoch wegen des dadurch belegten Bereichs und der Einfachheit beim Design häufig verwendet. Eine lötaugenfreie Durchgangsbohrung oder eine Durchgangsbohrung mit geringer Lötaugenbreite wird für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte benötigt. Hierbei bedeutet die Lötaugenbreite (Lw) eine minimale Breite eines ringförmigen Leiters um eine Durchgangsbohrung im Falle eines runden Lötauges. Wenn der Durchmesser einer Durchgangsbohrung bei der Bildung der Bohrung D₀ ist und der Durchmesser eines ringförmigen Leiters eines runden Lötauges D ist, dann bedeutet der Begriff „lötaugenfrei" eine Lötaugenbreite Lw = (D – D₀)/2 von 0 und der Begriff „mit geringer Lötaugenbreite" bedeutet eine Lötaugenbreite mit Lw = (D – D₀)/2 von mehr als 0 und 40 μm oder weniger.
Ein subtraktives Verfahren, ein additives Verfahren und ein semi-additives Verfahren sind als Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte bekannt. Das additive Verfahren ist ein Verfahren, bei dem eine Metallisierungsresistschicht in einem Nicht-Schaltkreisteil auf der Oberfläche eines isolierenden Substrats aufgebracht wird und eine leitende Schicht in einem Teil, der einem Schaltkreisteil entspricht, durch stromloses Metallisieren oder dergleichen gebildet wird. Das Verfahren ist zur Bildung eines feinen Schaltkreises von Vorteil; da jedoch alle leitfähigen Schichten durch stromloses Metallisieren gebildet werden, sind die Produktionskosten hoch, was von Nachteil ist.
Das semi-additive Verfahren ist ein Verfahren, in dem eine Metallisierungsresistschicht auf einem Nicht-Schaltkreisteil eines isolierenden Substrats mit einer dünnen Leitungsschicht auf der Oberfläche aufgebracht wird, eine leitende Schicht in einem Teil, der einem Schaltkreisteil entspricht, durch elektrolytisches Metallisieren gebildet wird, die Metallisierungsresistschicht in dem Nicht-Schaltkreisteil entfernt wird und dann die dünne Leitungsschicht in dem Nicht-Schaltkreisteil durch Blitzätzen bzw. Flash-Ätzen unter Bildung eines Schaltkreises entfernt wird. Da elektrolytisches Metallabscheiden verwendet werden kann, was einen Hochgeschwindigkeits betrieb ermöglicht, kann das Verfahren in vorteilhafter Weise als ein Verfahren zur Bildung eines feinen Schaltkreises verwendet werden. Die Produktionskosten sind niedriger als die für das additive Verfahren. Jedoch ist es schwierig, durch elektrolytisches Metallabscheiden sämtliche Verdrahtungsmuster mit einer einheitlichen Dicke zu bilden, und ein Qualitätsmanagement ist schwierig, was von Nachteil ist.
Das substraktive Verfahren ist ein Verfahren, in dem eine Ätzresistschicht in einem Schaltkreisteil einer isolierenden Schicht, die mit einer leitfähigen Schicht auf der Oberfläche versehen ist, versehen wird und die freigelegte leitende Schicht in einem Nicht-Schaltkreisteil durch Ätzen unter Bildung eines Schaltkreises entfernt wird. Da beispielsweise ein Bild durch seitliches Ätzen einer leitfähigen Schicht geschwächt wird, ist das Verfahren im Vergleich zu den anderen beiden Verfahren in Bezug auf die Bildung eines feinen Schaltkreises Beschrän kungen unterworfen. Jedoch kann das Verfahren durch einfache Behandlung eine Leiterplatte herstellen, weist eine hohe Produktivität auf, hat die niedrigsten Herstellungskosten und wird im größten Umfang verwendet.
Eine Ätzresistschicht und eine Metallisierungsresistschicht werden durch Siebdruck, Photofabrikation mit einer Belichtung-Entwicklung-Stufe unter Verwendung eines lichtempfindlichen Materials, Tintenstrahldruck oder dergleichen gebildet. Bei der Herstellung eines lötaugenfreien Lochs oder eines Lochs mit geringer Lötaugenbreite ist es wichtig, in einer Stufe wie der Lochbildung, dem Siebdruck, einer Belichtungsstufe oder dem Tintenstrahldrucken eine Ausrichtung durchzuführen. Insbesondere ein lötaugenfreies Loch oder ein Loch mit geringer Lötaugenbreite, das für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte erforderlich ist, erfordert eine äußerst hohe Genauigkeit der Ausrichtung. Am meisten wünschenswert ist es, dass ein Lötauge eine einheitliche Breite in sämtlichen Richtungen eines Lochs besitzt, d. h. ein Loch und ein Lötauge sind konzentrische Kreise. Wenn die Ausrichtung ungenau ist, sind ein Loch und ein Lötauge keine konzentrischen Kreise, was von Nachteil ist.
Ein Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte durch das semi-additive Verfahren wird nachstehend beschrieben. Zunächst wird eine Durchgangsbohrung 3 (48) auf einem isolierenden Substrat 1 (47) geöffnet und eine dünne erste leitfähige Schicht 12 wird auf die Oberfläche einschließlich einer Innenwand der Durchgangsbohrung aufgebracht (49). Dann wird eine Metallisierungsresistschicht 36 in einem Nicht-Schaltkreisteil ausgebildet (50). Nachfolgend wird eine zweite leitfähige Schicht 13 auf der Oberfläche eines Teils, auf dem die erste leitfähige Schicht 12 freigelegt ist, durch elektrolytische Metallabscheidung gebildet (51). Danach wird die Metallisierungsresistschicht 36 entfernt (52) und die dünne erste leitfähige Schicht 12 unter der Metallisierungsresistschicht 36 wird durch Flash-Ätzen unter Bildung einer Leiterplatte entfernt (53).
Eine Metallisierungsresistschicht wird durch Photofabrikation für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte gebildet. Die Photofabrikation ist allgemein ein Verfahren unter Verwendung eines negativen (photovernetzbaren) oder positiven (photoabbaubaren) Photoresists. In dem semi-additiven Verfahren ist es, weil eine zweite leitfähige Schicht auf der Innenwand einer Durchgangsbohrung durch elektrolytisches Metallisieren aufgetragen wird, notwendig, dass eine Metallisierungsresistschicht nicht auf der Durchgangsbohrung oder auf der Innenwand der Durchgangsbohrung verbleibt.
Wenn ein negativer (photovernetzbarer) Trockenfilm-Photoresist verwendet wird, werden eine Durchgangsbohrung und ein Lötauge durch ein Abschirmungsteil 42, wie in 54 gezeigt, abgeschirmt, um ein Vernetzen eines negativen (photovernetzbaren) Trockenfilm-Photoresists 38 zu verhindern, und der nicht-umgesetzte Trockenfilm-Photoresist wird entfernt, so dass die Metallisierungsresistschicht auf der Durchgangsbohrung und dem Lötauge nicht vorhanden ist. In diesen Stufen ist eine Ausrichtung bei der Bildung der Durchgangsbohrungen oder einer Belichtungsstufe von Bedeutung. Insbesondere benötigt eine lötaugenfreie Durchgangsbohrung oder eine Durchgangsbohrung mit geringer Lötaugenbreite, die für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte erforderlich sind, eine Ausrichtung mit äußerst hoher Genauigkeit.
Wenn beispielsweise die Lötaugenbreite groß ist, wie in 55(b) gezeigt, wird, sogar wenn eine Fehlausrichtung um einen Abstand x während der Ausrichtung einer Belichtungsmaske auftritt, eine Durchgangsbohrung voll ständig abgeschirmt und ein negativer (photovernetzbarer) Trockenfilm-Photoresist wird nicht verletzt. Wenn jedoch die Lötaugenbreite gering ist, wie in 55(a) gezeigt, wird, wenn eine Fehlausrichtung um denselben Abstand x während der Ausrichtung einer Belichtungsmaske auftritt, eine Durchgangsbohrung außerhalb eines Lötauges platziert, was es unmöglich macht, ein enges Lötauge an der gesamten äußeren Peripherie der Durchgangsbohrung zu bilden, was von Nachteil ist.
Zur Herstellung einer lötaugenfreien Durchgangsbohrung ist ein Verfahren bekannt, in dem ein Abschirmteil 42, wie es in 56 gezeigt ist, so bereitgestellt wird, dass nur das Zentrum auf einer Durchgangsbohrung eines negativen (photovernetzbaren) Trockenfilm-Photoresists 38 nicht belichtet wird und man eine Metallisierungsresistschicht 36 so in Richtung des Zentrums auf der Durchgangsbohrung hervorstehen lässt, wie es in 57 gezeigt ist, um die Toleranz der Genauigkeit der Ausrichtung zu erhöhen (z. B. Patentdokument 1). Wenn eine Durchgangsbohrung 3 einen großen Durchmesser aufweist, wie es in 58(b) gezeigt ist, wird ein Teil der Durchgangsbohrung 3 sogar dann abgeschirmt, wenn ein Abschirmteil 42 um einen Abstand y fehlausgerichtet ist. Wenn jedoch eine Durchgangsbohrung einen geringen Durchmesser aufweist, wie es in 58(a) gezeigt ist, wird ein Abschirmteil 42 außerhalb der Durchgangsbohrung 3 platziert, wenn das Abschirmteil 42 um denselben Abstand y fehlausgerichtet wird. Daher wird ein negativer (photovernetzbarer) Trockenfilm-Photoresist 38 auf der Durchgangsbohrung vernetzt und eine Metallisierungsresistschicht 36 auf der Durchgangsbohrung wird nicht entfernt, was von Nachteil ist.
Tatsächlich bestehen für eine Genauigkeit der Ausrichtung aufgrund der Genauigkeit bei der Lochbildung, des Streckens eines Substrats, einer Dimensionsänderung einer Belichtungsphotomaske und dergleichen Einschränkun gen der Ausrichtungsgenauigkeit. Durchgangsbohrungen mit verschiedenen Durchmessern werden auf einer Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte gebildet und die Anzahl der Löcher ist auch überaus hoch. Daher ist es äußerst schwierig, eine exakte Ausrichtung für sämtliche Durchgangsbohrungen durchzuführen. Dementsprechend muss, obwohl eine lötaugenfreie Durchgangsbohrung oder eine Durchgangsbohrung mit geringer Lötaugenbreite für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte erforderlich ist, eine Durchgangsbohrung mit geringer Lötaugenbreite so erzeugt werden, dass sie eine hohe Lötaugenbreite aufweist, so dass die Durchgangsbohrung sicher abgeschirmt wird und ein negativer (photovernetzbarer) Trockenfilm-Photoresist nicht vernetzt wird, was von Nachteil ist (z. B. Patentdokument 2). Bei einer lötaugenfreien Durchgangsbohrung muss ein Abschirmteil so erzeugt sein, dass es klein ist, so dass die Durchgangsbohrung sicher abgeschirmt wird und ein negativer (photovernetzbarer) Trockenfilm-Photoresist nicht vernetzt wird. Aus diesem Grund ist es für eine Metallisierungslösung schwierig, in die Durchgangsbohrung einzudringen, und ein Metallisieren wird nicht durchgeführt, was von Nachteil ist.
Ein Verfahren unter Verwendung eines Galvanisierungsphotoresists ist ebenso als ein Verfahren zur Bildung einer Metallisierungsresistschicht bekannt. Dies ist ein Verfahren, in dem eine Galvanisierungsphotoresistschicht einheitlich auf einer leitfähigen Schicht einschließlich der Innenwand einer Durchgangsbohrung durch ein Galvanisierungsbeschichten gebildet wird und die Schicht dann durch Belichtung durch eine Photomaske entwickelt wird, um eine Metallisierungsresistschicht aufzubringen.
Ein Galvanisierungsphotoresist kann negativ (photovernetzbar) oder positiv (photoabbaubar) sein. Ein positiver (photoabbaubarer) Galvanisierungsphotoresist muss durch Belichtung abgebaut werden; jedoch kann das In nere einer säulenförmigen Durchgangsbohrung nicht vollständig belichtet werden. Daher kann der Galvanisierungsphotoresist in der Durchgangsbohrung nicht vollständig abgebaut werden und er kann nicht als eine Metallisierungsresistschicht verwendet werden.
Andererseits sagt man, dass ein negativer (photovernetzbarer) Galvanisierungsphotoresist als ein Mittel zur Bildung einer lötaugenfreien Durchgangsbohrung unter Verwendung einer Photomaske, die nur ein lötaugenfreies Muster besitzt, effektiv ist, weil es nicht notwendig ist, das Innere einer Durchgangsbohrung zu belichten. Da Licht nicht in eine säulenförmige Durchgangsbohrung eindringt, ist es möglich, eine negative (photovernetzbare) Photoresistschicht auf der Innenwand der Durchgangsbohrung zu entfernen. Wenn jedoch die Ecke einer Durchgangsbohrung eine verjüngte Form besitzt, tritt teilweise Licht in die Durchgangsbohrung ein und eine Metallisierungsresistschicht auf der Innenwand der Durchgangsbohrung kann nicht vollständig entfernt werden, was von Nachteil ist.
Wenn eine Leiterplatte durch das subtraktive Verfahren hergestellt wird, muss eine auf der Innenwand eines Lochs aufgebrachte leitfähige Schicht durch eine Ätzresistschicht geschützt werden, so dass die leitfähige Schicht auf der Innenwand des Lochs in einer Ätzstufe nicht entfernt wird. Wenn die Ätzresistschicht unter Verwendung eines negativen (photovernetzbaren) Trockenfilm-Photoresists gebildet wird, wird die leitfähige Schicht auf der Innenwand des Lochs durch „Tenting" geschützt, wobei ein Loch und ein Lötauge belichtet werden, um das Loch mit einem vernetzten Trockenfilm-Photoresist abzudecken, so dass ein Ätzmittel nicht in das Loch eindringen kann.
Wenn ein Loch durch „Tenting" geschützt wird, ist eine Ausrichtung bei der Lochbildung oder in einer Belichtungsstufe von Bedeutung. Insbesondere erfordert ein lötaugenfreies Loch oder ein Loch mit geringer Lötaugenbreite, das für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte erforderlich ist, eine überaus hohe Genauigkeit der Ausrichtung. Speziell wenn die Lötaugenbreite groß ist, wie es in 55(b) gezeigt ist, kann eine Resistabdeckung auf einem Loch sogar dann vollständig gebildet werden, wenn eine Fehlausrichtung um einen Abstand x auftritt. Wenn die Lötaugenbreite jedoch gering ist, wie es in 55(a) gezeigt ist, wird, wenn ein Loch von einem Lötauge um den gleichen Abstand x fehlausgerichtet ist, das Lötauge außerhalb des Lochs platziert und ein Ätzmittel dringt in das Loch ein, was nachteilhafterweise zu einem Leitungsversagen führt. Aufgrund der Lochbildungsgenauigkeit, des Streckens eines Substrats, einer Dimensionsänderung einer Belichtungsphotomaske und dergleichen gibt es jedoch tatsächlich Einschränkungen hinsichtlich der Genauigkeit der Ausrichtung. Löcher mit verschiedenen Durchmessern werden auf einer Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte gebildet und die Anzahl der Löcher ist ebenfalls überaus groß. Daher ist es überaus wichtig, eine akkurate Ausrichtung für sämtliche Löcher durchzuführen. Obwohl ein lötaugenfreies Loch oder ein Loch mit geringer Lötaugenbreite für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte benötigt wird, muss die Lötaugenbreite dementsprechend so gestaltet sein, dass sie hoch ist, um ein sicheres Tenting durchzuführen, was einen Nachteil darstellt.
In Bezug auf die Dicke eines Trockenfilm-Photoresists zur sichereren Durchführung eines Tenting muss der Trockenfilm-Photoresist dick sein, um eine stärkere Überspannung („tent") des Lochs zu bilden. Wenn ein Oberflächenverdrahtungsmuster durch Ätzen in dem subtraktiven Verfahren gebildet wird, kann, wenn eine Ätzresistschicht, die durch einen Trockenfilm-Photoresist gebildet wird, dick ist, ein Ätzmittel während des Ätzens nur schlecht eindringen und ein feines Muster kann nicht gebildet werden, was von Nachteil ist.
Es ist ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte vorgeschlagen worden, welches die Probleme der Fehlausrichtung zwischen einem Lötauge und einem Loch, die durch Ausrichtung verursacht werden, löst und einem lötaugenfreien Loch oder einem Loch mit geringer Lötaugenbreite entspricht, das für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte erforderlich ist (Patentdokument 3). Dies ist eine Technologie, indem eine erste Harzschicht auf einem Substrat mit einem Loch gebildet wird, nachfolgend eine zweite Harzschicht auf der Oberfläche der ersten Harzschicht, nicht jedoch auf dem Loch gebildet wird und die erste Harzschicht auf dem Loch unter Verwendung eines Entwicklers für die erste Harzschicht, der die zweite Harzschicht nicht löst, aufgelöst und entfernt wird, um eine Öffnung auf dem Loch akkurat zu bilden. Bei dieser Technologie kann ein lötaugenfreies Loch oder ein Loch mit geringer Lötaugenbreite akkurat gebildet werden. Andererseits wird jedoch ein Nasstoner oder dergleichen dazu verwendet, eine zweite Harzschicht zu bilden. Jedoch muss eine Entwicklungsapparatur für eine Tonerelektroabscheidung neu für eine Tonerelektroabscheidung unter Verwendung eines Nasstoners eingeführt werden, weil die Herstellung nicht allein durch eine existierende Herstellungsvorrichtung durchgeführt werden kann. Dementsprechend ist es schwierig, das Verfahren durchzuführen, wenn keine Geldmittel vorhanden sind oder kein Installationsraum für die Einführung neuer Geräte vorhanden sind. Sogar wenn die Geräte eingeführt werden können, ist eine Führung zur Durchführung einer stabilen Tonerelektroabscheidung erforderlich und es besteht ein Risiko eines Kurzschlusses oder eines unterbrochenen Schaltkreises aufgrund einer abnormalen Haftung oder einer unzureichenden Haftung des Toners.

Im Allgemeinen ist bei einer herkömmlichen Leiterplatte die Oberfläche eines Substrats mit einem Lötstopplack bedeckt und eine Durchgangsbohrung wird mit dem Lötstopplack gefüllt, um das Löten eines Lötauges, einer Schaltkreis-Leitungsschicht und dergleichen mit Ausnahme eines Pads, das zum Löten notwendig ist, zu verhindern und die Isolierungseigenschaften der Schaltkreisoberfläche aufrecht zu erhalten und die Schaltkreis-Leitungsschicht zu schützen. In diesem Fall ist die Oberseite des Lötstofflacks, wenn die Oberseite einer Lötaugen-Leitungsschicht eine spitzwinklige Form aufweist, aufgrund der Oberflächenspannung und des Härtungsschrumpfens des Lötstopplacks überaus dünn, was von Nachteil ist.

Patentdokument 1:	Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. Hei 10-178031
Patentdokument 2:	Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. Hei 07-007265
Patentdokument 3:	WO 2005/086552

Offenbarung der Erfindung
Durch die vorliegende Erfindung zu lösende Probleme
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Verfahrens zur Bildung eines Resistmusters und eines Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte, die die Probleme der Fehlausrichtung zwischen einem Lötauge und einem Loch, die durch Ausrichtung verursacht werden, lösen, wobei diese einem lötaugenfreien Loch oder einem Loch mit geringer Lötaugenbreite entsprechen, die für eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte erforderlich sind. Insbesondere stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters und ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte zur Verfügung, in dem eine Leiterplatte mit einem lötaugenfreien Loch oder einem Loch mit geringer Löt augenbreite durch eine Reihe von Stufen erzeugt werden kann, wobei eine Verschließungstintenstufe, eine Einfüllstufe für leitfähige Tinte, eine Elektroabscheidungstufe, eine Metallisierungsstufe, eine Resistbildungsstufe, sowie eine Ätzstufe in geeigneter Weise kombiniert werden, ohne dass die Einführung neuer Geräte für die Tonerelektroabscheidung oder dergleichen erforderlich wird. Die vorliegende Erfindung stellt des Weiteren ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie eine Leiterplatte zur Verfügung, die in vorteilhafter Weise einen Lötstopplack aufbringen können. In der vorliegenden Erfindung bedeutet eine lötaugenfreie Durchgangsbohrung oder eine Durchgangsbohrung mit geringer Lötaugenbreite eine derartige Durchgangsbohrung, wie sie voranstehend definiert ist.
Mittel zur Lösung der Probleme
Als eine Erfindung umfangreicher Studien zur Lösung der voranstehend genannten Probleme haben die benannten Erfinder die folgende Erfindung gefunden.
Verfahren zur Bildung eines Resistmusters

(1) Ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, das die Stufen der Bildung einer Harzschicht und einer Maskenschicht auf einer ersten Oberfläche eines Substrats mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen und des Entfernens der Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für eine Harzschicht von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche des Substrats umfasst;
(2) das Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß (1) voranstehend, wobei die Harzschicht und die Maskenschicht integral gebildet werden;
(3) das Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß (1) oder (2) voranstehend, wobei die Harzschicht eine photovernetzbare Harzschicht ist; und
(4) das Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß einem aus (1) bis (3) voranstehend, wobei das Substrat mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen ein isolierendes Substrat ist, das eine leitfähige Schicht auf der Oberfläche des Substrats und auf der Innenwand einer Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen aufweist.

Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren

(5) Ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (a) Herstellen eines isolierenden Substrats mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen, das eine erste leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen aufweist, (b) Bedecken der ersten leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (c) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht an der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche, (d) Unterziehen der photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung, (e) Bedecken der ersten leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (f) Entfernen der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (g) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der ersten leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche, (h) Unterziehen der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche einer Musterbelichtung, (i) Entfernen der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (j) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche, (k) Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht auf der ersten leitfähigen Schicht, die an der Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche freigelegt worden ist, durch elektrolytisches Metallisieren, (l) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche durch Entfernen der gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche sowie (m) Entfernen der freigelegten ersten leitfähigen Schicht durch Flash-Ätzen in dieser Reihenfolge;
(6) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (5) voranstehend, wobei die Stufe (f) vor der Stufe (e) durchgeführt wird;
(7) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (5) voranstehend, wobei die Stufe (f) vor der Stufe (d) durchgeführt wird; und
(8) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (5) voranstehend, wobei die Stufe (g) die folgenden Stufen umfasst: (g1) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche durch Zuführen der Entfernungslösung für das photovernetzbare Harz von der ersten Oberfläche und Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und (g2) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen an der zweiten Oberfläche durch Zuführen der Entfernungslösung für das photovernetzbare Harz von der ersten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche und die Stufe (e) zwischen der Stufe (g1) und der Stufe (g2) durchgeführt wird.

Leiterplatte

(9) Eine Leiterplatte, die eine Lötaugen-Leitungsschicht, die an einer Peripherie einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen eines isolierenden Substrats mit der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen gebildet worden ist, eine Schaltkreis-Leitungsschicht, die eine Schaltkreisverdrahtung auf einer Oberfläche des isolierenden Substrats bildet, und eine leitende Schicht an einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen umfasst, wobei eine äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in einem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, einen Neigungswinkel von weniger als 90 Grad besitzt;
(10) die Leiterplatte gemäß (9) voranstehend, wobei die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in dem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, einen Neigungswinkel von 60 bis 80 Grad besitzt;
(11) die Leiterplatte gemäß (9) oder (10) voranstehend, wobei ein Unterschied zwischen dem Durchmesser, der durch die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht gebildet wird, und einem Durchmesser der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen, wenn die Bohrung/die Bohrungen gebildet wird/werden, 0 bis 80 μm beträgt;
(12) die Leiterplatte gemäß einem aus (9) bis (11) voranstehend, wobei der Neigungswinkel der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in dem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, kleiner als der Neigungswinkel der Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht ist;
(13) die Leiterplatte gemäß einem aus (9) bis (12) voranstehend, wobei eine Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht den Neigungswinkel von etwa 90 Grad besitzt; und
(14) die Leiterplatte gemäß einem aus (9) bis (13) voranstehend, wobei die Lötaugen-Leitungsschicht konzentrisch zu der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen ausgebildet ist.

Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch das subtraktive Verfahren-1

(15) Ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst:
(A) Herstellen eines isolierenden Substrats mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen, das eine leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen aufweist, (B) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit einer ersten Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der ersten Harzschicht und der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (C) Freilegen der leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen an der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen der ersten Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche, (D) Durchführen einer Behandlung der Harzschicht auf der ersten Oberfläche, um diese mit einer Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht zu versehen, (E) Entfernen der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (F) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit einer zweiten Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der zweiten Harzschicht und der Maskenschicht an der zweiten Oberfläche, (G) Freilegen der leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen an der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen der zweiten Harzschicht an der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche und (H) Entfernen der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche in dieser Reihenfolge;
(16) ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (I) Bilden einer Ätzresistschicht auf der freigelegten leitfähigen Schicht, (J) Entfernen der ersten Harzschicht und der zweiten Harzschicht, (K) Bilden von photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, (L) photovernetzendes Härten der photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung, (M) Freilegen der leitfähigen Schicht in einem Muster durch Entfernen von nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, (N) Entfernen der freigelegten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche durch Ätzen mit einem Ätzmittel und (O) Entfernen der Ätzresistschicht und der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschicht, in dieser Reihenfolge, nach den Stufen (A) bis (H) gemäß (15) voranstehend;
(17) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (15) oder (16) voranstehend, wobei die erste Harzschicht ein photovernetzbares Harz ist und die Behandlung, um mit Beständigkeit zu versehen, eine Belichtungsbehandlung ist;
(18) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (16) oder (17) voranstehend, wobei die Ätzresistschicht eine Metallschicht ist, die in dem Ätzmittel für die leitfähige Schicht unlöslich ist, und durch Mustermetallisieren gebildet wird;
(19) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem aus (15) bis (18) voranstehend, wobei die Stufe (E) vor der Stufe (D) durchgeführt wird; und
(20) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem aus (15) bis (18) voranstehend, wobei die Stufe (E) nach der Stufe (F) durchgeführt wird.

Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch das subtraktive Verfahren-2

(21) Ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (α) Herstellen eines isolierenden Substrats mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen, das eine leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und an einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen besitzt, (β) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (γ) Freilegen der leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche, (δ) photovernetzendes Härten der photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung, (ε) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (ζ) Entfernen der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (η) Freilegen der leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche, (θ) photovernetzendes Härten der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung, (τ) Entfernen der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (κ) Freilegen der leitfähigen Schicht an der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche, (λ) Bilden einer Ätzresistschicht auf der leitfähigen Schicht, die an der Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche freigelegt worden ist, (μ) Freilegen der leitfähigen Schicht an der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche durch Entfernen der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, (ν) Entfernen der freigelegten leitfähigen Schicht durch Ätzen und (ξ) Entfernen der Ätzresistschicht in dieser Reihenfolge;
(22) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (21) voranstehend, wobei die Stufe (ζ) vor der Stufe (ε) durchgeführt wird;
(23) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß (21) voranstehend, wobei die Stufe (ζ) vor der Stufe (δ) durchgeführt wird; und
(24) das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem aus (21) bis (23) voranstehend, wobei die Stufe (η) die Stufen (η1) des Freilegens der leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und (η2) des Freilegens der leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche umfasst und die Stufe (ε) zwischen der Stufe (η1) und der Stufe (η2) durchgeführt wird.

Effekt der Erfindung
Effekt des Verfahrens zur Bildung eines Harzmusters gemäß der vorliegenden Erfindung
In dem Verfahren zur Bildung eines Harzmusters (1) gemäß der vorliegenden Erfindung werden eine Harzschicht und eine Maskenschicht auf einer Oberfläche (erste Oberfläche) eines Substrats mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen aufgetragen, um die Durchgangsbohrung/die Durchgangsbohrungen zu verschließen, und die Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen wird durch eine Entfernungslösung für die Harzschicht entfernt, die von der gegenüber liegenden Oberfläche (zweite Oberfläche) zugeführt wird.
Die Entfernungslösung für die Harzschicht, die von der zweiten Oberfläche zugeführt worden ist, läuft durch die Durchgangsbohrung/die Durchgangsbohrungen und erreicht die Harzschicht auf der ersten Oberfläche, um die Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsboh rungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu lösen und zu entfernen. Die Maskenschicht ist aus einer Komponente aufgebaut, die in der Entfernungslösung für die Harzschicht unlöslich ist. Dementsprechend kann die Entfernungslösung für die Harzschicht nur die Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen präzise und selektiv entfernen. Daher kann die Harzschicht überaus exakt gebildet werden, wobei das Substrat nur auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen freigelegt wird, und ein lötaugenfreies Muster oder ein Muster mit geringer Lötaugenbreite kann durch die nachfolgende Stufe leicht gebildet werden.
In dem Verfahren zur Bildung eines Resistmusters (2) gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Harzschicht und die Maskenschicht integral gebildet, so dass die Stufen vereinfacht sein können. Ein überaus stabiles Verfahren zur Bildung eines Resistmusters kann einfach dadurch realisiert werden, dass vorher ein Film mit der Harzschicht und der Maskenschicht gestapelt gebildet wird und der Film integral mit dem Substrat durch eine Maßnahme wie Laminieren gebildet wird.
In dem Verfahren zur Bildung eines Resistmusters (3) gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Harzschicht eine photovernetzbare Harzschicht. Dementsprechend wird nicht nur die Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen entfernt, sondern es kann auch ein Resistmuster auf der Oberfläche des Substrats durch Musterbelichtung gebildet werden und die nachfolgende Stufe des Bildens eines Schaltkreismusters auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und der Oberfläche des Substrats kann einfach durchgeführt werden.
In dem Verfahren zur Bildung eines Resistmusters (4) gemäß der vorliegenden Erfindung ist das Substrat mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen ein isolierendes Substrat, das eine leitfähige Schicht auf der Oberfläche und auf der Innenwand einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen aufweist. Daher ist es möglich, ein Resistmuster zur Bildung einer zuverlässigeren Leiterplatte zu bilden.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (5) gemäß der vorliegenden Erfindung werden eine photovernetzbare Harzschicht und eine Maskenschicht auf einer ersten Oberfläche eines isolierenden Substrats mit einer ersten leitfähigen Schicht auf der Oberfläche und auf der Innenwand einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen gebildet. Danach wird die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen durch eine Entfernungslösung für eine photovernetzbare Harzschicht, die von einer zweiten Oberfläche zugeführt wird, entfernt. Dementsprechend kann die erste leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen akkurat freigelegt werden, ohne dass eine Ausrichtung erforderlich ist. Durch Kontrollieren des Entfernungsverfahrens unter Verwendung der Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht ist es möglich, den Zustand des Entfernens der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu kontrollieren sowie die Breite der freigelegten Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu kontrollieren. Danach wird das photovernetzbare Harz in einem Nicht-Schaltkreisteil gehärtet, indem die photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen wird. Nach den Stufen des Bildens einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche und des Entfernens der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche wird dann eine Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche zugeführt, um eine nicht-gehärtete photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche und die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche zu entfernen. Da hier das gehärtete photovernetzbare Harz in der Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht unlöslich ist, wird durch das gehärtete photovernetzbare Harz ein Resistmuster auf der ersten Oberfläche gebildet. Die erste leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche wird akkurat auf dieselbe Art und Weise freigelegt. Durch die Stufen des Unterziehens der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche einer Musterbelichtung, des Entfernens der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche und des Zuführens einer Entfernungslösung für eine photovernetzbare Harzschicht, um eine nicht-gehärtete photovernetzbare Harzschicht auf der zweiten Oberfläche zu entfernen, kann danach ein Resistmuster, das durch das gehärtete photovernetzbare Harz gebildet wird und als eine Metallisierungsresistschicht fungiert, sowohl auf der ersten Oberfläche als auch auf der zweiten Oberfläche gebildet werden. Nachfolgend wird durch die Stufen der Bildung einer zweiten leitfähigen Schicht auf der freigelegten ersten leitfähigen Schicht durch elektrolytisches Metallisieren, des Entfernens der gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche und des Entfernens der freigelegten ersten leitfähigen Schicht durch Flash-Ätzen eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite hergestellt.
Die erste leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen wird an einer aus der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche vor der Stufe des Unterziehens der photovernetzbaren Harzschicht einer Musterbelichtung freigelegt. Daher kann eine günstige Lötaugenform unabhängig davon gewährleistet werden, ob die Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen in der Musterbelichtungsstufe belichtet wird oder nicht. Eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite kann nämlich ohne Ausrichtung akkurat und sicher gebildet werden und die Toleranz für die Ausrichtung während der Musterbelichtung wird erhöht, was hochgradig von Vorteil ist.
In dem Verfahren zur Bildung eines Resistmusters und dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Lötaugenbreite frei eingestellt werden, indem die Menge des Entfernens einer photovernetzbaren Harzschicht in der Stufe des Entfernens der photovernetzbaren Harzschicht mit einer Maskenschicht kontrolliert wird. Gemäß diesen Verfahren hat ein Lötauge an der Peripherie einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen eine einheitliche Breite, wie es in 46 gezeigt ist.
Wie voranstehend beschrieben worden ist, kann in dem Verfahren zur Bildung eines Resistmusters und dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte ein Zustand, in dem eine Metallisierungsresistschicht nicht vorhanden ist, präzise und selektiv auf einer Durchgangsbohrung/auf Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen gebildet werden und die Lötaugenbreite kann allein durch die Stufen frei kontrol liert werden, ohne dass eine Ausrichtung erforderlich ist, was hochgradig vorteilhaft ist.
Effekt der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung
Die Leiterplatte (9) gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Leiterplatte, die eine Lötaugen-Leitungsschicht, die an einer Peripherie einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen eines isolierenden Substrats mit der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen gebildet worden ist, eine Schaltkreis-Leitungsschicht, die eine Schaltkreisverdrahtung an einer Oberfläche des isolierenden Substrats bildet, und eine leitfähige Schicht auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen umfasst, wobei die Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung durch die Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (5) bis (8) gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wird, wobei die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in einem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, einen Neigungswinkel von weniger als 90 Grad aufweist. Die Leiterplatten (10) bis (14) gemäß der vorliegenden Erfindung sind die Leiterplatte gemäß (9) voranstehend, wobei die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in dem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, einen Neigungswinkel von 60 bis 80 Grad besitzt; die Leiterplatte gemäß (9) oder (10) voranstehend, wobei ein Unterschied zwischen dem Durchmesser, der durch die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht gebildet wird, und einem Durchmesser der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen, wenn die Bohrung/die Bohrungen gebildet wird/werden, 0 bis 80 μm beträgt; die Leiterplatte gemäß einem aus (9) bis (11) voranstehend, wobei der Neigungswinkel der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in dem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, kleiner ist als der Neigungswinkel der Seitenfläche der Schalt kreis-Leitungsschicht; die Leiterplatte gemäß einem aus (9) bis (12) voranstehend, wobei eine Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht den Neigungswinkel von etwa 90 Grad besitzt; oder die Leiterplatte gemäß einem aus (9) bis (13) voranstehend, wobei die Lötaugen-Leitungsschicht konzentrisch zu der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen ausgebildet ist. Daher kann eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite realisiert werden und insbesondere kann ein Lötstopplack danach in überaus günstiger Weise aufgetragen werden, was von Vorteil ist.
Speziell ist bei der Leiterplatte die Substratoberfläche mit einem Lötstopplack bedeckt und die Durchgangsbohrung/die Durchgangsbohrungen ist/sind mit dem Lötstopplack gefüllt, um ein Verlöten des Lötauges, des Schaltkreisteils und dergleichen mit Ausnahme eines zum Löten notwendigen Lötpads zu verhindern, und die isolierenden Eigenschaften der Schaltkreisoberfläche aufrecht zu erhalten und das Leitungsmuster zu schützen. Da die Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht hier eine Form mit einem stumpfen Winkel von über 90 Grad aufweist, kann ein günstiger Lötstopplack ohne das Auftreten des Problems einer überaus dünnen Oberseite des Lötstopplacks aufgrund der Oberflächenspannung und eines Schrumpfens des Lötstopplacks beim Härten aufgetragen werden. Man nimmt typischerweise an, dass die Querschnittsform einer Schaltkreis-Leitungsschicht vorzugsweise rechtwinklig ist, um eine günstige Signalübertragungsgeschwindigkeit zu erhalten. In einem herkömmlichen Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte ist es schwierig, die Oberseite einer Lötaugen-Leitungsschicht mit einer Form mit einem stumpfen Winkel herzustellen, während die Form einer Schaltkreis-Leitungsschicht rechtwinklig gemacht wird. Jedoch kann in der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung die Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht eine Form mit einem stumpfen Winkel aufweisen; die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht kann nämlich einen Neigungswinkel von weniger als 90 Grad besitzen, wobei die Schaltkreis-Leitungsschicht eine rechtwinklige Querschnittsform aufweist, d. h. während die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht den Neigungswinkel von etwa 90 Grad besitzt. Daher ist die Leiterplatte nicht nur eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite, sondern es ist auch möglich, ein Problem eines überaus dünnen Lötstopplacks auf dem Lötauge aufgrund der Oberflächenspannung und des Schrumpfens des Lötstopplacks beim Härten zu vermeiden, was vorteilhaft ist.
Effekt des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein subtraktives Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (15) gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein isolierendes Substrat mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen hergestellt, das eine leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen aufweist. Nachfolgend werden eine erste Harzschicht und eine Maskenschicht auf der ersten Oberfläche gebildet, um die leitfähige Schicht und eine Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit der ersten Harzschicht und der Maskenschicht zu bedecken. Dann wird eine Entfernungslösung für die erste Harzschicht von der zweiten Oberfläche zugeführt, um die erste Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche zu entfernen und die leitfähige Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche freizulegen.
Dementsprechend kann die leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen exakt freigelegt werden, ohne dass eine Ausrichtung erforderlich ist. Durch Kontrollieren der Entfernungsbedingungen unter Verwendung der Entfernungslösung für die erste Harzschicht ist es möglich, den Zustand des Entfernens der ersten Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu kontrollieren und die Breite der freigelegten leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf einen gewünschten Wert zu kontrollieren.
Danach wird der ersten Harzschicht auf der ersten Oberfläche eine Behandlung zugeführt, die für eine Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht sorgt. Dementsprechend wird die erste Harzschicht auf der ersten Oberfläche nicht durch eine Entfernungslösung für die zweite Harzschicht für eine spätere Behandlung beeinträchtigt und ein günstiger Öffnungszustand, der bereits gebildet worden ist, kann aufrechterhalten werden. Danach wird die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche entfernt und eine zweite Harzschicht und eine Maskenschicht werden auf der zweiten Oberfläche gebildet, um die leitende Schicht und eine Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit der zweiten Harzschicht und der Maskenschicht zu beschichten.
Nachfolgend wird eine Entfernungslösung für die zweite Harzschicht von der ersten Oberfläche zugeführt, um die zweite Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche zu entfernen und die leitfähige Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche freizulegen. Dementsprechend kann auch die leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche exakt freigelegt werden, ohne dass eine Ausrichtung erforderlich ist, so dass der günstige Öffnungszustand in der ersten Harzschicht, der bereits gebildet worden ist, an der ersten Oberfläche nicht beeinträchtigt wird. Durch Kontrollieren der Entfernungsbedingungen unter Verwendung der Entfernungslösung für die zweite Harzschicht ist es möglich, den Zustand des Entfernens der zweiten Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu kontrollieren und die Breite der freigelegten leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf einen gewünschten Wert zu kontrollieren.
Danach wird die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt, um ein Substrat herzustellen, das eine Öffnung aufweist, die durch Entfernen der Harzschichten in der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche erzeugt worden ist (im Folgenden als „mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat" bezeichnet). Eine Leiterplatte, die eine Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen mit einem Lötauge mit beliebiger einheitlicher Breite aufweist, kann hergestellt werden, indem eine Reihe von Stufen einschließlich dieser Stufe durchgeführt werden, wobei eine Verschließungstintenstufe, eine Leitungstinteneinfüllstufe, eine Elektroabscheidungsstufe, eine Metallplattierungsstufe, eine Resistbildungsstufe, eine Ätzstufe und dergleichen in geeigneter Weise kombiniert werden.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (16) gemäß der vorliegenden Erfindung wird das mit Harz behaftete Öffnungssubstrat durch das Verfahren (15) hergestellt und eine Ätzresistschicht wird auf der freigelegten leitfähigen Schicht auf dem Substrat gebildet. Dementsprechend kann die Ätzresistschicht stabil auf der Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen gebildet werden. Die Ätzresistschicht wird auf der Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen separat von einem Oberflächenverdrahtungsmuster gebildet, so dass die notwendige und hinreichende Ätzresistschicht in der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen gebildet werden kann und Leitungsverlässlichkeit und strukturelle Festigkeit der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen gewährleistet sind. Da die Dicke der Ätzresistschicht zur Bildung eines Oberflächenverdrahtungsmusters und dergleichen gemäß der für die Leiterplatte erforderlichen Qualität gewählt werden können, kann ein Oberflächenverdrahtungsmuster in günstiger Weise gebildet werden.
Danach werden die erste Harzschicht und die zweite Harzschicht entfernt und dann wird eine photovernetzbare Harzschicht zur Bildung eines Verdrahtungsmusters auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche gebildet. Nachfolgend werden die photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung photovernetzend gehärtet. Dann werden die nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche entfernt, um die leitfähige Schicht in einem Muster freizulegen, und die freigelegte leitfähige Schicht auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche wird durch Ätzen mit einem Ätzmittel entfernt. Nachfolgend werden die Ätzresistschicht in der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und die photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche entfernt. Durch diese Stufen kann eine Leiterplatte, die eine Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen mit einem Lötauge mit einer einheitlichen Breite aufweist, in günstiger Weise durch das subtraktive Verfahren hergestellt werden. Die leitfähige Schicht kann so eingestellt werden, dass sie eine gewünschte Dicke in der Stufe der Herstellung des Substrats besitzt, eine ausreichende Kupferschaltkreisdicke kann gewährleistet werden und eine Leiterplatte mit einer zuverlässigen Verdrahtung kann hergestellt werden.
Die Ätzresistschicht wird auf der leitfähigen Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf einer aus der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche vor der Stufe gebildet, in der die photovernetzbare Harzschicht einer Musterbelichtung unterzogen wird. Daher kann eine günstige Lötaugenform unabhängig davon gewährleistet werden, ob die Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen in der Musterbelichtungsstufe belichtet wird oder nicht. Ein lötaugenfreier Zustand oder ein Zustand mit geringer Lötaugenbreite kann nämlich akkurat und sicher ohne Ausrichtung gebildet werden und die Toleranz für die Ausrichtung während der Musterbelichtung wird erhöht, was hochgradig vorteilhaft ist.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (17) gemäß der vorliegenden Erfindung sind die erste Harzschicht und die zweite Harzschicht photovernetzbare Harze und die Behandlung, die für eine Beständigkeit sorgt, ist eine Belichtungsbehandlung, so dass die Leiterplatte unter Verwendung vorliegender Geräte hergestellt werden kann.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (18) gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine in dem Ätzmittel unlösliche Metallschicht in dem Verdrahtungsteil durch Mustermetallisieren gebildet, so dass die Metallschicht als eine günstige Ätzresistschicht fungiert, und ein günstiges Verdrahtungsmuster wird durch nachfolgendes Ätzen gebildet.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (19) gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche entfernt, bevor der ersten Harzschicht eine Behandlung zugeführt wird, um für Beständigkeit zu sorgen. Dementsprechend wird ein Risikofaktor von der Maskenschicht eliminiert, wenn es notwendig wird, eine zusätzliche Behandlung wie ein Waschen oder Trocknen in der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen nach der Stufe des Entfernens der ersten Harzschicht durchzuführen, oder wenn die Maskenschicht die Behandlung, um für Beständigkeit zu sorgen, nachteilig beeinträchtigen kann.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (20) gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche nach der Bildung der zweiten Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt. Dementsprechend besitzt die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche auch eine Schutzfunktion, wenn Kratzer, ein Anhaften von Fremdsubstanz und dergleichen aufgrund eines Kontakts auf der ersten Oberfläche bei der Bildung der zweiten Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche auftreten können.
Wie voranstehend beschrieben worden ist, kann in den Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (15) bis (20) gemäß der vorliegenden Erfindung eine Ätzresistschicht präzise und stabil auf einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durch gangsbohrung/der Durchgangsbohrungen gebildet werden und die Lötaugenbreite kann auch sogar durch einfaches Verfahren wie das subtraktive Verfahren unter Verwendung vorliegender Produktionsgeräte frei kontrolliert werden, ohne dass die Einführung neuer Geräte erforderlich ist, was hochgradig vorteilhaft ist. Des Weiteren kann ein Ätzresistfilm, für den es herkömmlicherweise erforderlich war, dass er für das „Tenting" dick ist, dünn sein und ein feines Muster wird auch in vorteilhafter Weise gebildet, was von Vorteil ist.
Effekt des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte durch das subtraktive Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung-2
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (21) gemäß der vorliegenden Erfindung werden eine photovernetzbare Harzschicht- und eine Maskenschicht auf einer ersten Oberfläche eines isolierenden Substrats mit einer leitfähigen Schicht auf der Oberfläche und auf der Innenwand einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen gebildet. Danach wird die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen durch eine Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht, die von einer zweiten Oberfläche zugeführt wird, entfernt. Dementsprechend kann die erste leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen exakt freigelegt werden, ohne dass eine Ausrichtung erforderlich ist. Durch Änderung der Entfernungsbedingungen unter Verwendung der Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht ist es möglich, die Menge der entfernten photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu kontrollieren und die Breite der freigelegten Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen zu kontrollieren. Danach wird die photovernetzbare Harzschicht in einem Nicht-Schaltkreisteil photovernetzend gehärtet, indem die photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen wird. Nach den Stufen des Bildens einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche und des Entfernens der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche wird dann eine Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche zugeführt, um eine nicht-gehärtete photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche und die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche zu entfernen. Da hierbei die photovernetzend gehärtete photovernetzbare Harzschicht in der Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht unlöslich oder schlecht löslich ist, wird die photovernetzend gehärtete photovernetzbare Harzschicht in einem Muster auf der ersten Oberfläche gebildet. Die leitfähige Schicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche wird akkurat in derselben Art und Weise exakt freigelegt. Durch die Stufen des Unterziehens der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche einer Musterbelichtung, des Entfernens der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche und des Zuführens einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht zum Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche kann danach die photovernetzend gehärtete photovernetzbare Harzschicht in einem Muster sowohl auf der ersten Oberfläche als auch auf der zweiten Oberfläche gebildet werden. Nachfolgend wird durch die Stufen des Bildens einer Ätzresistschicht auf der freigelegten leitfähigen Schicht, des Entfernens der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zwei ten Oberfläche, des Entfernens der freigelegten leitfähigen Schicht durch Ätzen und des Entfernens der Ätzresistschicht eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite erzeugt.
Die leitfähige Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen wird auf einer aus der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche vor der Stufe des Unterziehens der photovernetzbaren Harzschicht auf jeder Oberfläche einer Musterbelichtung freigelegt und sie ist durch die Ätzresistschicht in der nachfolgenden Stufe sicher geschützt. Daher kann eine günstige Lötaugenform unabhängig davon gewährleistet werden, ob die Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen in der Musterbelichtungsstufe belichtet wird oder nicht. Eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite kann nämlich akkurat und sicher ohne Ausrichtung gebildet werden und die Toleranz für die Ausrichtung während der Musterbelichtung wird erhöht, was hochgradig vorteilhaft ist.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (21) gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Lötaugenbreite frei eingestellt werden, indem die Menge der entfernen photovernetzbaren Harzschicht in der Stufe des Entfernens der photovernetzbaren Harzschicht mit der Maskenschicht kontrolliert wird. Gemäß diesem Verfahren hat ein Lötauge an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen eine einheitliche Breite, wie es in 46 gezeigt ist.
Daher kann in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (21) gemäß der vorliegenden Erfindung eine Leiterplatte mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen mit einem Lötauge mit beliebiger einheitlicher Breite in günstiger Weise durch das subtraktive Verfahren hergestellt werden. Die leitfähige Schicht kann so eingestellt werden, dass sie in der Stufe der Herstellung des Substrats eine gewünschte Dicke aufweist, eine ausreichende Dicke der leitfähigen Schicht kann gewährleistet werden und eine Leiterplatte mit einem zuverlässigen Verdrahtungsmuster kann hergestellt werden.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (22) gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche vor der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt. Dementsprechend kann die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche vor der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt werden, wenn keine Kratzer, kein Anhaften von Fremdmaterial und dergleichen aufgrund eines Kontakts auf der ersten Oberfläche bei der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche auftreten.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (23) gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche entfernt, bevor die photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen wird. Ein Risikofaktor wie eine verringerte Auflösung, die durch die Maskenschicht verursacht wird, wird durch das Entfernen der Maskenschicht vor der Musterbelichtung eliminiert, wenn es notwendig ist, eine zusätzliche Behandlung wie ein Waschen oder Trocknen in der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen nach der Stufe des Entfernens der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durchzuführen, oder wenn die Maskenschicht die Musterbelichtung nachteilig beeinträchtigen kann.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (24) gemäß der vorliegenden Erfindung wird die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche entfernt, nachdem die photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen worden ist und dann die ungehärtete photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche entfernt worden ist. Wenn es dementsprechend keine Entfernungsbedingungen gibt, die sowohl als Bedingungen zum Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche als auch als Bedingungen zum Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche zufriedenstellend sind, kann eine Behandlung in separaten Stufen in günstiger Weise durchgeführt werden, indem die Bedingungen optimal in Bezug auf die jeweiligen Entfernungsbedingungen ausgewählt werden.
Wie voranstehend beschrieben worden ist, kann in den Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (21) bis (24) gemäß der vorliegenden Erfindung eine Ätzresistschicht präzise und stabil auf einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und in einem Verdrahtungsmuster auf der Oberfläche gebildet werden und die Lötaugenbreite kann ebenso durch das subtraktive Verfahren unter Verwendung vorhandener Produktionsgeräte ohne das Erfordernis der Einführung neuer Geräte frei kontrolliert werden, was hochgradig vorteilhaft ist. Es ist möglich, einen Vorteil zu erzielen, der herkömmlicherweise unmöglich ohne die Einführung neuer Geräte, wie eine Entwicklungsapparatur für die Tonerelektroabscheidung, zu erzielen gewesen ist, und es ist möglich, ein Risiko eines Auftretens von Fehlern durch abnormale Tonerelektroabschei dung oder dergleichen zu vermeiden. Des Weiteren kann ein Ätzresistfilm, für den es herkömmlicherweise erforderlich gewesen ist, für das „Tenting" dick zu sein, dünn sein und ein feines Muster wird ebenso in vorteilhafter Weise gebildet, was von Vorteil ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
2 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 1 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
3 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 2 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
4 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 3 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
5 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 4 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
6 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 5 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
7 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 6 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
8 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 7 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
9 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 8 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
10 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 9 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
11 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 10 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
12 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 11 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
13 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 12 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
14 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 13 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
15 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 14 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
16 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 5 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
17 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 16 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
18 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 17 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
19 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 18 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
20 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 19 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
21 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 20 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
22 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 21 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
23 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 22 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
24 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 23 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
25 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 24 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
26 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 25 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
27 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 26 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
28 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 27 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
29 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 5 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
30 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 29 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
31 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 30 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
32 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 31 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
33 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 32 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
34 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 33 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
35 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 34 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
36 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 35 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
37 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 36 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
38 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 37 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
39 ist eine Querschnittansicht, die eine auf 38 folgende Stufe in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
40 ist ein Grundriss, der ein Bohrungslötauge in der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
41 ist eine Querschnittansicht von 40 entlang der Linie B.
42 ist eine Querschnittansicht von 40 entlang der Linie C.
43 ist eine Querschnittsansicht, die einen Durchmesser einer Durchgangsbohrung zeigt, wenn die Bohrung gebildet wird, einen Durchmesser einer Durchgangsbohrung, wenn diese metallisiert ist, sowie einen Durchmesser eines Teils, von dem eine photovernetzbare Harzschicht in dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung entfernt ist.
44 ist eine Querschnittsansicht, die ein Bohrungslötauge in der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
45 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer mehrschichtigen Leiterplatte zeigt.
46 ist ein schematischer Grundriss, der eine Durchgangsbohrung und ein Lötauge zeigt.
47 ist eine Querschnittsansicht, die eine Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
48 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 47 folgende Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
49 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 48 folgende Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
50 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 49 folgende Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
51 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 50 folgende Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
52 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 51 folgende Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
53 ist eine Querschnittsansicht, die eine auf 52 folgende Stufe in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren zeigt.
54 ist eine Querschnittsansicht, die eine Belichtungsstufe in einem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte unter Verwendung eines photovernetzbaren Trockenfilm-Photoresists gemäß dem Stand der Technik zeigt.
55 ist eine schematische Ansicht, die eine Fehlausrichtung zwischen einer Durchgangsbohrung und einem Lötauge zeigt.
56 ist eine Querschnittsansicht, die eine Belichtungsstufe in einem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte unter Verwendung eines photovernetzbaren Trockenfilm-Photoresists gemäß dem Stand der Technik zeigt.
57 ist eine Querschnittsansicht, die eine Stufe in einem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte unter Verwendung eines photovernetzbaren Trockenfilm-Photoresists gemäß dem Stand der Technik zeigt.
58 ist eine schematische Ansicht, die eine Fehlausrichtung zwischen einer Durchgangsbohrung und einem Photomasken-Abschirmteil zeigt.
Beste Art und Weise zur Durchführung der Erfindung
Das Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie die Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachstehend im Detail beschrieben.
Verfahren zur Bildung eines Resistmusters
In dem Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß der vorliegenden Erfindung werden eine erste Harzschicht 21 und eine erste Oberflächenmaskenschicht 6 auf einer Oberfläche (erste Oberfläche) eines Substrats mit einer Durch gangsbohrung 3 aufgebracht, um die Durchgangsbohrung 3 zu verschließen, wie es in 4 gezeigt ist, und die Harzschicht auf der Durchgangsbohrung 3 und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche wird durch eine Entfernungslösung für eine Harzschicht, die von einer Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche (zweite Oberfläche) zugeführt wird, entfernt (5).
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semi-additives Verfahren
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (5) gemäß der vorliegenden Erfindung werden Resistmuster nacheinander auf beiden Oberflächen folgendermaßen gebildet und eine Leiterplatte wird durch das semi-additive Verfahren hergestellt. Als ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters wird ein beliebiges der Verfahren (1) bis (4) gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet.
Zunächst wird eine Durchgangsbohrung 3 (2) auf einem isolierenden Substrat 1 (1) gebildet. Dann wird eine erste leitfähige Schicht 12 auf die Oberfläche des isolierenden Substrats 1 und auf die Innenwand der Durchgangsbohrung 3 (3) aufgetragen. Danach wird eine photovernetzbare Harzschicht 25 der ersten Oberfläche auf einer ersten Oberfläche gebildet, um die Durchgangsbohrung 3 zu überspannen (4). Hierbei wird eine Maskenschicht 6 auf und in Kontakt mit der photovernetzbaren Harzschicht 25 gebildet. Dann wird eine Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche zugeführt, um die photovernetzbare Harzschicht 25 auf der Durchgangsbohrung 3 und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen (5). Die Menge der entfernten photovernetzbaren Harzschicht 25 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 kann eingestellt werden und die Breite der freigelegten ersten leitfähigen Schicht 12 kann kontrolliert werden, indem die Entfernungsbedingungen wie Art und Konzentration der Entfernungslösung, die Entfernungszeit und -temperatur, sowie der Sprühdruck und die Abgabemenge der Entfernungslösung, wenn ein Spray verwendet wird, eingestellt werden. Dementsprechend kann die Lötaugenbreite kontrolliert werden, um eine lötaugenfreie Bohrung, eine Bohrung mit engem Lötauge oder eine Bohrung mit breitem Lötauge danach zu bilden. Nötigenfalls werden ein Waschen und Trocknen durchgeführt und dann wird die photovernetzbare Harzschicht 25 der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen. Die photovernetzbare Harzschicht in einem Nicht-Schaltkreisteil wird durch die Musterbelichtung gehärtet (6).
Eine photovernetzbare Harzschicht 26 der zweiten Oberfläche und eine Maskenschicht 7 der zweiten Oberfläche werden ebenso auf der zweiten Oberfläche durch dasselbe Verfahren gebildet, wie es für die erste Oberfläche verwendet worden ist (7). Nach dem Entfernen der Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche (8) wird wiederum eine Behandlung unter Verwendung einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht durchgeführt. Die Entfernungslösung wird zumindest von der ersten Oberfläche durch die Durchgangsbohrung 3 zugeführt (9), um die ungehärtete photovernetzbare Harzschicht 25 auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen und die photovernetzbare Harzschicht 26 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Hierbei kann die Menge der entfernten photovernetzbaren Harzschicht 26 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche eingestellt werden und die Breite der freigelegten ersten leitfähigen Schicht 12 kann auf dieselbe Art und Weise wie bei der Behandlung der ersten Oberfläche kontrolliert werden. Ein Waschen und Trocknen werden nötigenfalls durchgeführt und dann wird die photovernetzbare Harzschicht 26 der zweiten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen, um das photovernetzbare Harz in einem Nicht-Schaltkreisteil zu härten (10).
Die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche kann vor der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht 26 der zweiten Oberfläche und der Maskenschicht 7 entfernt werden, wenn das Entfernen nach der Stufe des Entfernens der photovernetzbaren Harzschicht 25 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche durchgeführt wird. Wenn die erste Oberfläche bei der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht 26 der zweiten Oberfläche und der Maskenschicht 7 beschädigt oder verunreinigt werden kann, ist es bevorzugt, die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche nach der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht 26 der zweiten Oberfläche und der Maskenschicht 7 zu entfernen, weil die erste Oberfläche nach der Musterbelichtung durch die Maskenschicht 6 geschützt werden kann. Andererseits ist es auch möglich, die Maskenschicht 6 zu entfernen und dann eine Trocknung, Belichtung oder dergleichen nach der Stufe des Entfernens der photovernetzbaren Harzschicht 25 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche durchzuführen. Des Weiteren ist es möglich, die photovernetzbare Harzschicht 26 und die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche zu bilden und dann die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche nach dem Entfernen der ungehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche zu entfernen.
Nach dem Entfernen der musterbelichteten Maskenschicht 7 der zweiten Oberfläche (11) wird eine Behandlung unter Verwendung einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht durchgeführt. Die Entfernungslösung wird zumindest von der zweiten Oberfläche zu geführt, um eine ungehärtete photovernetzbare Harzschicht 26 auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen (12).
Dementsprechend können Resistmuster, die durch gehärtete photovernetzbare Harze 27 und 28 gebildet worden sind, die als Metallisierungsresistschichten fungieren, sowohl auf der ersten Oberfläche als auch auf der zweiten Oberfläche gebildet werden. Dann wird eine zweite leitfähige Schicht 13 auf der freigelegten ersten leitfähigen Schicht 12 durch elektrolytisches Metallisieren gebildet (13). Danach werden die photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschichten 27 und 28 auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche entfernt (14). Die freigelegte erste leitfähige Schicht 12 wird Flashgeätzt, so dass eine lötaugenfreie Leiterplatte oder eine Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite hergestellt werden kann (15).
Leiterplatte
40 ist ein schematischer Grundriss, der ein Lötauge und einen Schaltkreisteil der Leiterplatte (9) gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Leiterplatte (9) gemäß der vorliegenden Erfindung wird durch die Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (5) bis (8) gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt. Die Lötaugen-Leitungsschicht gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine leitfähige Schicht, die ein Lötauge bildet, und ist ein Bereich, der in 40 durch das Bezugszeichen „18" bezeichnet wird. Die Schaltkreis-Leitungsschicht gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine leitfähige Schicht, die eine Verdrahtung bildet, die einen Schaltkreis auf der anderen Oberfläche als die Oberfläche einer Durchgangsbohrung 3 und das Lötauge bildet, und ist ein Bereich, der in 40 durch das Bezugszeichen „19" bezeichnet wird.
Der Teil des Lötauges, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 gemäß der vorliegenden Erfindung verbunden ist, ist ein Bereich in der Lötaugen-Leitungsschicht 18, der sich nicht in Kontakt mit der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 befindet.
Der Neigungswinkel der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 und der Neigungswinkel der Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 gemäß der vorliegenden Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 40 bis 42 beschrieben werden.
41(a) ist eine schematische Querschnittansicht von 40 entlang der Linie B. 42(a) ist eine schematische Querschnittansicht von 40 entlang der Linie C. 41(a) zeigt einen Querschnitt der Lötaugen-Leitungsschicht 18 in dem Teil des Lötauges, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist. Der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 bedeutet einen Winkel, der durch eine Linie, die eine Lötaugen-Leitungsschichtoberseite 18a mit einer Lötaugen-Leitungsschichtunterseite 18b verbindet, und der Oberfläche eines isolierenden Substrats 1 gebildet wird, also der Winkel an der Seite, an der die leitfähige Schicht geschnitten wird. Wie es in 41(a) gezeigt ist, ist hierbei die Lötaugen-Leitungsschichtunterseite 18b eine äußere periphere Kontur der Oberfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 in Kontakt mit dem isolierenden Substrat 1.
42(a) zeigt einen Querschnitt der Schaltkreis-Leitungsschicht 19. Der Neigungswinkel Y der Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 bedeutet einen Winkel, der durch eine Linie, die eine Schaitkreis-Leitungsschichtoberseite 19a mit einer Schaltkreis-Leitungsschichtunterseite 19b verbindet, und der Oberfläche des isolierenden Substrats 1 gebildet wird, also der Win kel an der Seite, an der die Leitungsschicht geschnitten wird. Wie in 42(a) gezeigt ist, ist hierbei die Schaltkreis-Leitungsschichtunterseite 19b hierbei eine Kontur der Oberfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 in Kontakt mit dem isolierenden Substrat 1.
41 zeigt auch einen Querschnitt der Lötaugen-Leitungsschicht 18 in dem Fall, in dem die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 einen Neigungswinkel von etwa 90 Grad besitzt (41(b)), und in dem Fall, in dem die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 einen Neigungswinkel X von über 90 Grad aufweist (41(c)) zum Vergleich, und zusätzlich dazu einen Querschnitt für den Fall, in dem die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 einen Neigungswinkel X von weniger als 90 Grad aufweist (41(a)). 42 zeigt auch eine Querschnittsansicht der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 in dem Fall, in dem die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 einen Neigungswinkel Y von über 90 Grad aufweist (42(b)), und für den Fall, in dem die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 einen Neigungswinkel Y von unter 90 Grad aufweist (42(c)) zum Vergleich, und zusätzlich dazu einen Querschnitt für den Fall, in dem die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 einen Neigungswinkel Y von etwa 90 Grad aufweist (42(a)). Hierbei bedeutet der Begriff "etwa 90 Grad" 85 bis 95 Grad.
Typischerweise nimmt man an, dass die Querschnittsform der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 vorzugsweise rechtwinklig ist, um eine günstige Signalübertragungsgeschwindigkeit zu erhalten. In einem herkömmlichen Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte ist es jedoch schwierig, die Form der Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht 18 zu ändern, während die Form der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 rechtwinklig gemacht wird. Daher hat in der Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung die äu ßere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18, die konzentrisch zu der Durchgangsbohrung 3 und kontinuierlich zu der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 ausgebildet ist, in dem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 verbunden ist, einen Neigungswinkel X von unter 90 Grad, wie es in 41(a) gezeigt ist, wobei die Schaltkreis-Leitungsschicht 19 einen rechtwinkligen Querschnitt aufweist, wobei speziell die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 den Neigungswinkel von etwa 90 Grad aufweist.
Die Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung ist nämlich eine Leiterplatte, bei der sich der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 von dem Neigungswinkel Y der Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 unterscheidet, die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 einen Neigungswinkel Y von etwa 90 Grad aufweist und die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 einen Neigungswinkel X von weniger als 90 Grad besitzt. Da die Lötaugen-Leitungsschicht und die Schaltkreis-Leitungsschicht 19 der Leiterplatte derartige Querschnittsformen besitzen, kann eine günstige Signalübertragungsgeschwindigkeit in der Schaltkreis-Leitungsschicht 19 aufrecht erhalten werden, während ein günstiger Lötstopplack ohne das Auftreten eines Problems einer überaus dünnen Oberseite des Lötstopplacks aufgrund der Oberflächenspannung und des Härtungsschrumpfens des Lötstopplacks aufgetragen werden kann, was vorteilhaft ist. Der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 liegt vorzugsweise im Bereich von 30 Grad bis 80 Grad und stärker bevorzugt im Bereich von 60 Grad bis 80 Grad.
Der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 variiert gemäß der Metallisierungsdicke durch elektrolytisches Metallisieren, der Dicke der photovernetzbaren Harzschicht und den Bedingun gen zum Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht unter Verwendung einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht. Beispielsweise ist unter denselben Bedingungen für das Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht die Metallisierungsdicke durch elektrolytisches Metallisieren umso größer, je kleiner der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht ist. Unter denselben Bedingungen für das Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht ist die Dicke der photovernetzbaren Harzschicht umso größer, je kleiner der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche von 18 ist. Jedoch ist eine Optimierung der Bedingungen für das Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auch zur Verringerung des Neigungswinkels X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 effektiv. Wenn die Lötaugenbreite erhöht wird, indem die durch die Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht entfernte Menge erhöht wird, wird der Neigungswinkel der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 vergrößert und näher an 90 Grad abgeändert. Der Neigungswinkel X der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 ist unter den Bedingungen kleiner, unter denen die gebildete Lötaugenbreite geringer ist. Wie voranstehend beschrieben worden ist, wird die Menge der entfernten photovernetzbaren Harzschicht kontrolliert, indem die Bedingungen, wie die Art und Konzentration der Entfernungslösung, die Entfernungszeit und -temperatur und der Sprühdruck und die Abgabemenge der Entfernungslösung, wenn ein Spray verwendet wird, eingestellt werden. Ein lötaugenfreier Zustand oder ein Zustand mit geringer Lötaugenbreite wird durch das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung erzeugt, was es ermöglicht, eine Leiterplatte mit einem günstigen Neigungswinkel äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht 18 zu erhalten. In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung hängen die Bedingungen für das Entfernen der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht von der Dicke einer derartigen Harzschicht ab. Wenn beispielsweise die photovernetzbare Harzschicht eine Dicke von 20 bis 30 μm aufweist, ist die verwendete Entfernungslösung eine 1 Gew.-%ige Natriumcarbonatlösung, die Entfernungstemperatur beträgt 30°C, die Behandlungszeit beträgt 20 bis 60 Sekunden und der Sprühdruck beträgt 0,1 bis 0,3 MPa unter bevorzugten Entfernungsbedingungen.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein subtraktives Verfahren-1
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (15) gemäß der vorliegenden Erfindung werden Resistmuster nacheinander auf beiden Oberflächen folgendermaßen gebildet und eine Leiterplatte wird durch das subtraktive Verfahren hergestellt. Als ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters wird ein beliebiges der Verfahren (1) bis (4) gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet. Zunächst wird ein isolierendes Substrat 1 mit einer Durchgangsbohrung 3 hergestellt, wie es in 3 gezeigt ist, wobei das isolierende Substrat 1 eine leitfähige Schicht 12 auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung 3 aufweist. Nachfolgend werden eine erste Harzschicht 21 und eine Maskenschicht 6 auf der ersten Oberfläche gebildet, um die leitfähige Schicht 12 und eine Öffnung der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche mit der ersten Harzschicht 21 und der Maskenschicht 6 zu bedecken (4). Danach wird eine Entfernungslösung für die erste Harzschicht von der Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche (zweite Oberfläche) zugeführt, um die erste Harzschicht 21 auf der Durchgangsbohrung 3 und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche zu entfernen (5). Hierbei kann die Menge der entfernten ersten Harzschicht 21 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche eingestellt werden, und die Breite der freigelegten Leitungsschicht (12) kann kontrolliert werden. Danach wird der ersten Harzschicht 21 eine Behandlung zugeführt, um für Beständigkeit zu sorgen, und eine erste Harzschicht 23 wird nach einer Behandlung, um für Beständigkeit zu sorgen, gebildet, wobei für eine Beständigkeit gegenüber einer nachfolgenden Entfernungslösung für eine zweite Harzschicht gesorgt wird (16).
Eine zweite Harzschicht 22 und eine Maskenschicht 7 werden ebenso auf der zweiten Oberfläche durch dasselbe Verfahren gebildet, wie es für die erste Oberfläche verwendet worden ist (17). Nach Entfernen der Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche (18) wird eine Entfernungslösung von der ersten Oberfläche durch die Durchgangsbohrung 3 zugeführt (19), um die zweite Harzschicht 22 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Hierbei kann die Menge der entfernten zweiten Harzschicht 22 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche eingestellt werden, und die Breite der freigelegten leitfähigen Schicht 12 kann in derselben Art und Weise wie bei der Behandlung der ersten Oberfläche kontrolliert werden. Ein Waschen und Trocknen werden durchgeführt, wenn es erforderlich ist, und dann wird die Maskenschicht 7 der zweiten Oberfläche entfernt (20). Dies ermöglicht es, ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat mit einer auf einen gewünschten Wert kontrollierten Öffnungsbreite herzustellen. Danach kann eine Leiterplatte mit einer lötaugenfreien Bohrung oder einer Bohrung mit geringer Lötaugenbreite durch eine Reihe von Stufen hergestellt werden, wobei eine Verschließungstintenstufe, eine Einfüllstufe leitfähiger Tinte, eine Elektroabscheidungsstufe, eine Metallplattierungsstufe, eine Resistbildungsstufe und eine Ätzstufe in geeigneter Weise kombiniert werden. Wenn die zweite Harzschicht und/oder die erste Harzschicht durch eine Behandlungslösung in der nachfol genden Stufe unterlaufen werden, ist es möglich, die zweite Harzschicht und/oder die erste Harzschicht mit einer Behandlung, die für eine Beständigkeit gegenüber der nachfolgenden Stufe sorgt, wie es erforderlich ist, zu versehen (21).
Die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche kann entfernt werden, bevor eine Behandlung der ersten Maskenschicht, um für Beständigkeit zu sorgen, durchgeführt wird oder nachdem die zweite Harzschicht und die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche gebildet worden sind. Dementsprechend erwartet man, dass eine Unsicherheit aufgrund der Maskenschicht ausgeräumt werden kann, und die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche kann auch eine Schutzfunktion haben, was von Vorteil ist.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (16) gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat durch das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (15) gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt und dann wird eine Leiterplatte durch das subtraktive Verfahren hergestellt.
Eine Ätzresistschicht 14 wird auf der freigelegten leitfähigen Schicht des mit Harz behafteten Öffnungssubstrats gebildet (22). Danach werden die Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche entfernt (23) und dann wird eine photovernetzbare Harzschicht 29 auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche gebildet (24). Nachfolgend wird die photovernetzbare Harzschicht 29 in einem Muster durch Musterbelichtung photovernetzend gehärtet (25). Da hierbei das Lötauge bereits durch die Ätzresistschicht 14 geschützt wird, ist es nicht notwendig, das Lötauge zu belichten. Dementsprechend wird ein nicht-gehärteter Teil durch Entwicklung entfernt, um eine Ätzresistschicht 30 zu bilden, die aus einem photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harz aufgebaut ist (26).
Als Nächstes wird der freigelegte Teil der leitfähigen Schicht 12 durch Ätzen entfernt (27). Schließlich werden die Ätzresistschicht 14 auf der Durchgangsbohrung 3 und die Ätzresistschicht 30, die aus dem photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harz aufgebaut ist, auf der Oberfläche entfernt, um eine Leiterplatte herzustellen (28).
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein subtraktives Verfahren-2
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (21) gemäß der vorliegenden Erfindung werden Resistmuster nacheinander auf beiden Oberflächen folgendermaßen gebildet, und eine Leiterplatte wird durch das subtraktive Verfahren hergestellt. Als ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters wird ein beliebiges der Verfahren (1) bis (4) gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet. Zunächst wird ein isolierendes Substrat 1 mit einer Durchgangsbohrung 3 hergestellt, wie es in 3 gezeigt ist, wobei das isolierende Substrat 1 eine leitfähige Schicht 12 auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung 3 aufweist. Danach wird eine photovernetzbare Harzschicht 25 auf der ersten Oberfläche gebildet, um die Durchgangsbohrung 3 zu überspannen (4). Hierbei wird eine Maskenschicht 6 auf und in Kontakt mit der photovernetzbaren Harzschicht 25 gebildet. Danach wird eine Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche zugeführt, um die photovernetzbare Harzschicht 25 auf der Durchgangsbohrung 3 und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen (5). Die Menge der entfernten photovernetz baren Harzschicht 25 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 kann eingestellt werden, und die Breite der freigelegten leitfähigen Schicht kann kontrolliert werden, indem die Entfernungsbedingungen, wie die Art und Konzentration der Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht, die Entfernungszeit und -temperatur sowie der Sprühdruck und die Abgabemenge der Entfernungslösung, wenn ein Spray verwendet wird, eingestellt werden. Dementsprechend kann die Lötaugenbreite so kontrolliert werden, dass ein lötaugenfreier Zustand, ein Zustand mit engem Lötauge oder ein Zustand mit breitem Lötauge gebildet wird. Ein Waschen und Trocknen werden durchgeführt, wenn es erforderlich ist, und dann wird die photovernetzbare Harzschicht 25 der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen. Die photovernetzbare Harzschicht in einem Nicht-Schaltkreisteil wird durch die Musterbelichtung photovernetzend gehärtet (29).
Eine photovernetzbare Harzschicht 26 und eine Maskenschicht 7 werden auch auf der zweiten Oberfläche durch dasselbe Verfahren gebildet, wie es für die erste Oberfläche verwendet worden ist (30). Nach Entfernen der Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche (31) wird wiederum eine Behandlung unter Verwendung einer Entfernungslösung für eine photovernetzbare Harzschicht durchgeführt. Die Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht wird zumindest von der ersten Oberfläche durch die Durchgangsbohrung 3 zugeführt (32), um eine ungehärtete photovernetzbare Harzschicht 25 auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen und die photovernetzbare Harzschicht 26 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Hierbei kann die Menge der entfernten photovernetzbaren Harzschicht 26 auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche eingestellt werden, und die Breite der freigelegten leitfähigen Schicht 12 kann in derselben Art und Weise wie bei der Behandlung der ersten Oberfläche kontrolliert werden. Wenn es erforderlich ist, werden ein Waschen und Trocknen durchgeführt, und dann wird die photovernetzbare Harzschicht 26 der zweiten Oberfläche einer Musterbelichtung unterzogen, um die photovernetzbare Harzschicht in einem Nicht-Schaltkreisteil photovernetzend zu härten (33).
Die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche kann entfernt werden, bevor die photovernetzbare Harzschicht 25 der ersten Oberfläche der Musterbelichtung unterzogen wird oder bevor die photovernetzbare Harzschicht 26 und die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche gebildet werden, wenn das Entfernen nach dem Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der ersten Oberfläche durchgeführt wird. Wenn die erste Oberfläche bei der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht 26 und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche beschädigt oder verunreinigt werden kann, ist es bevorzugt, die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche nach der Bildung der photovernetzbaren Harzschicht 26 und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche zu entfernen, weil die erste Oberfläche nach der Musterbelichtung durch die Maskenschicht geschützt werden kann. Andererseits ist es möglich, die Maskenschicht 6 der ersten Oberfläche zu entfernen und dann ein Trocknen, eine Belichtung oder dergleichen nach der Behandlung mit der Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche durchzuführen. Des Weiteren ist es möglich, die photovernetzbare Harzschicht und die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche zu bilden und dann die photovernetzbare Harzschicht auf der Durchgangsbohrung 3 und an der Peripherie der Durchgangsbohrung 3 auf der zweiten Oberfläche zu entfernen, nachdem die nicht-gehärtete photovernetzbare Harzschicht auf der ersten Oberfläche entfernt worden ist.
Nach Entfernen der musterbelichteten Maskenschicht 7 der zweiten Oberfläche (34) wird eine Behandlung unter Verwendung einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht durchgeführt. Die Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht wird zumindest von der zweiten Oberfläche zugeführt, um eine nicht-gehärtete photovernetzbare Harzschicht 26 auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen (35).
Dementsprechend können photovernetzend gehärtete photovernetzbare Harzschichten 27 und 28 in einem Muster sowohl auf der ersten Oberfläche als auch auf der zweiten Oberfläche gebildet werden. Dann wird eine Ätzresistschicht 14 auf der freigelegten leitfähigen Schicht 12 gebildet (36). Danach werden die photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschichten 27 und 28 auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche entfernt (37), und die freigelegte leitfähige Schicht 12 wird geätzt, um ein Schaltkreismuster durch die leitfähige Schicht zu bilden (38). Die Ätzresistschicht 14 wird entfernt, um eine Leiterplatte zu erzeugen (39).
Materialien und Stufen
Die (erste) Harzschicht und die zweite Harzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung (im Folgenden gemeinsam als "Harzschicht" bezeichnet) sind keinen speziellen Beschränkungen unterworfen, sofern sie unter Verwendung einer Entfernungslösung für die (erste) Harzschicht und einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht (im Folgenden gemeinsam als "Entfernungslösung für die Harzschicht" bezeichnet) gelöst und entfernt werden können. Es ist möglich, Harze, wie Acrylharze, Vinylacetatharze, Vinylchloridharze, Vinylidenchloridharze, Vinylacetalharze, wie Polyvinylbutyral, Polystyrol, Polyethylen, Polypropylen und deren Chloride, Polyesterharze, wie Polyethylenterephtha lat und Polyethylenisophthalat, Polyamidharze, Vinyl-modifizierte Alkydharze, Phenolharze, Xylolharze, Polyimidharze, Epoxyharze, Gelatine und Celluloseester-Derivate, wie Carboxymethylcellulose, zu verwenden. Die nachstehend beschriebenen photovernetzbaren Harze können ebenso als die Harzschicht verwendet werden. Die Löslichkeit derselben Art des voranstehend genannten Harzes variiert gemäß dem Unterschied in der Art und Menge der in dem Harz enthaltenen funktionellen Gruppe und dem Molekulargewicht.
Wenn eine wässrige alkalische Lösung als eine Entfernungslösung für die Harzschicht verwendet wird, wird ein in einer wässrigen alkalischen Lösung hochgradig lösliches Harz als die Harzschicht verwendet, so dass die Harzschicht unter Verwendung der Entfernungslösung für die Harzschicht gelöst und entfernt werden kann. Wenn eine wässrige alkalische Lösung als eine Entfernungslösung verwendet wird, kann ein Harz mit einer Säurezahl von 1 mg KOH/g oder mehr, und stärker bevorzugt 10 mg KOH/g oder mehr, in geeigneter Weise als die Harzschicht verwendet werden. Wenn eine wässrige alkalische Lösung als die Entfernungslösung verwendet wird, beinhalten Beispiele der Harzschicht ein Copolymer, das ein Monomer mit einer Carbonsäuregruppe, Methacrylamid, einer phenolischen Hydroxylgruppe, einer Sulfonsäuregruppe, einer Sulfonamidgruppe, einer Sulfonimidgruppe oder einer Phosphonsäuregruppe enthält, sowie ein Phenolharz und ein Xylolharz. Spezielle Beispiele beinhalten Copolymere von Styrol, Acrylat, Methacrylat, Vinylacetat oder Vinylbenzoat, und dem Carbonsäure-enthaltenden Monomer, wie z. B. ein Styrol/Monoalkylmaleat-Copolymer, ein Methacrylsäure/Methacrylat-Copolymer, ein Styrol/Methacrylsäure/Methacrylat-Copolymer, ein Acrylsäure/Methacrylat-Copolymer, ein Methacrylsäure/Methacrylat/Acrylat-Copolymer, ein Styrol/Methacrylsäure/Acrylat-Copolymer, ein Styrol/Acrylsäure/Methacrylat-Copolymer, ein Vinylacetat/Crotonsäure-Copolymer, ein Vinylacetat/Crotonsäure/Methacrylat-Copolymer sowie ein Vinylben zoat/Acrylsäure/Methacrylat-Copolymer. Diese Harze können einzeln oder in einem Gemisch von zwei oder mehr verwendet werden. Andere Additive können zugesetzt werden, sofern die Löslichkeit in der Entfernungslösung gewährleistet, ist.
Beispiele der photovernetzbaren Harzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung beinhalten einen photovernetzbaren Trockenfilm-Photoresist zur Herstellung einer Leiterplatte. Beispiele sind nachstehend veranschaulicht, jedoch kann eine beliebige photovernetzbare Harzschicht verwendet werden, sofern sie nicht vom Vorhaben der vorliegenden Erfindung abweicht. Beispielsweise ist es möglich, eine negative photosensitive Harzzusammensetzung zu verwenden, die aus einem Bindemittelpolymer, das eine Carbonsäuregruppe enthält, einem photopolymerisierbaren polyfunktionellen Monomer, einem Photopolymerisationsinitiator, einem Lösungsmittel und anderen Additiven aufgebaut ist. Das Verhältnis dieser zugesetzten Komponenten wird gemäß den geforderten Eigenschaften, wie Empfindlichkeit, Auflösung, Härte und Tenting-Eigenschaften bestimmt. Beispiele der Zusammensetzung sind in "Photopolymer Handbook" (herausgegeben von The Technical Association of Photopolymers, Japan, Kogyo Chosakai Publishing Co., Ltd., 1989), "Photopolymer Technology" (herausgegeben von Tsuguo Xamamoto und Gentaro Nagamatsu, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1988) und dergleichen beschrieben. Als ein kommerziell erhältliches Produkt ist es möglich, Riston von DuPont MRC DryFilm Ltd., PhoTech von Hitachi Chemical Co., Ltd., oder Sunfort von Asahi Kasei EMD Corporation als Beispiele zu verwenden. In einem kommerziell erhältlichen Produkt wird ein photovernetzbarer Harzfilm zwischen einem Trägerfilm, wie einem Polyesterfilm, und einem Schutzfilm, wie einem Polyethylenfilm, gehalten.
Die erste Harzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung (15) kann mit einer Beständigkeit durch eine be liebige Behandlung versehen werden, die die erste Harzschicht in einer Entfernungslösung für eine zweite Harzschicht unlöslich oder schlecht löslich macht. Eine Behandlung zur Härtung des Härtens mit Licht oder Wärme wird wegen ihrer Einfachheit in geeigneter Weise verwendet. Ein photovernetzbares Harz oder ein wärmehärtendes Harz kann als die erste Harzschicht verwendet werden.
In der vorliegenden Erfindung (15) ist, wenn eine wässrige alkalische Lösung als eine Entfernungslösung für die Harzschicht verwendet wird, die verwendete erste Harzschicht ein Alkali-lösliches Harz und ist mit einer photovernetzbaren Komponente versehen, so dass die erste Harzschicht in einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht gelöst werden kann und in einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht nach der Behandlung, um mit einer Beständigkeit zu versehen, unlöslich oder schlecht löslich sein kann. Andererseits ist eine wärmehärtende Komponente, wie ein Epoxyharz, vorgesehen, und die Behandlung, um mit einer Beständigkeit zu versehen, wird durch eine thermische Behandlung durchgeführt, so dass die erste Harzschicht vor der Behandlung, um mit einer Beständigkeit zu versehen, in einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht gelöst wird, nach der Behandlung, um mit einer Beständigkeit zu versehen, in einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht, jedoch unlöslich oder schlecht löslich sein kann. Wenn eine Lösung mit einem pH unter dem einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht als eine Entfernungslösung für die zweite Harzschicht verwendet wird, kann die erste Harzschicht in der Entfernungslösung für die zweite Harzschicht sogar dann unlöslich sein, wenn die Behandlung, um für eine Beständigkeit zu sorgen, der ersten Harzschicht nicht zugeführt wird. In diesem Fall ist es möglich, dass die Behandlung, um für eine Beständigkeit zu sorgen, der ersten Harzschicht nicht zugeführt wird.
Die zweite Harzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung (15) muss ein Harz sein, dass eine Beständigkeit gegenüber einer Behandlungslösung in der Stufe nach dem Herstellen eines mit Harz behafteten Öffnungssubstrats besitzt. Eine Behandlung, um für eine Beständigkeit zu sorgen, wird mittels Bestrahlung, thermischer Behandlung oder dergleichen durchgeführt, wenn dies erforderlich ist. Wenn ein Mustermetallisieren zur Bildung einer Ätzresistschicht verwendet wird, wird ein Harz verwendet, das eine Beständigkeit gegenüber der Metallisierungslösung besitzt.
Es ist möglich, als die Maskenschicht gemäß der vorliegenden Erfindung ein Harz, ein Metall oder dergleichen zu verwenden, das in einer Entfernungslösung für die Harzschicht oder einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht unlöslich oder schlecht löslich ist. Es ist möglich, als das Harz Harze wie Acrylharze, Vinylacetatharze, Vinylchloridharze, Vinylidenchloridharze, Vinylacetalharze, wie Polyvinylbutyral, Polystyrol, Polyethylen, Polypropylen und deren Chloride, Polyesterharze, wie Polyethylenterephthalat und Polyethylenisophthalat, Polyamidharze, Vinyl-modifizierte Alkydharze, Phenolharze, Xylolharze, Polyimidharze, Gelatine und Celluloseester-Derivate, wie Carboxymethylcellulose, zu verwenden. Polyesterharze, Polyimidharze und dergleichen können aufgrund ihrer Allzweckeigenschaften in geeigneter Weise verwendet werden. Kupfer, Aluminium oder dergleichen können als das Metall verwendet werden. Wenn eine Musterbelichtung zur Bildung eines Resistmusters durch eine Maskenschicht durchgeführt wird, wird ein lichtdurchlässiges Harz verwendet, so dass die Musterbelichtung nicht behindert wird. Die Maskenschicht ist vorzugsweise ein mit der Harzschicht integral gebildeter Film auf einem Substrat, weil die Harzschicht und die Maskenschicht in einer einfachen Stufe stabil gebildet werden können. Der voranstehend genannte Trockenfilm-Photoresist wird vorzugsweise als ein photovernetzbares Harz verwendet, weil sein Trägerfilm direkt als die Maskenschicht verwendet werden kann. Die Löslichkeit derselben Art der voranstehend genannten Harze variiert gemäß dem Unterschied in der Art und Menge der funktionellen Gruppen, die in dem Harz enthalten sind, sowie dem Molekulargewicht. Wenn eine wässrige alkalische Lösung als eine Entfernungslösung für die Harzschicht verwendet wird, wird das voranstehend genannte Harz mit einer geringen Löslichkeit in einer wässrigen alkalischen Lösung als die Maskenschicht verwendet, so dass die Maskenschicht in der Entfernungslösung für die Harzschicht unlöslich oder schlecht löslich ist. Wenn eine wässrige alkalische Lösung als eine Entfernungslösung verwendet wird, kann ein Harz, dessen Säurezahl 1/10 oder weniger, und vorzugsweise 1/100 oder weniger, von der der Harzschicht beträgt, in geeigneter Weise als die Maskenschicht verwendet werden.
Als die Entfernungslösung für eine Harzschicht oder die Entfernungslösung für eine photovernetzbare Harzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung (im Folgenden gemeinsam als "Entfernungslösung" bezeichnet), wird eine Lösung verwendet, die die Harzschicht oder die photovernetzbare Harzschicht lösen oder dispergieren kann, und entspricht der Zusammensetzung der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht, die verwendet wird. Die Entfernungslösung entfernt die Harzschicht oder die photovernetzbare Harzschicht auf einer Durchgangsbohrung und an der Peripherie der Durchgangsbohrung und bildet einen Bereich, in dem die Harzschicht oder die photovernetzbare Harzschicht nicht auf der Durchgangsbohrung und an der Peripherie der Durchgangsbohrung vorhanden ist. Das Entfernen der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht auf einer Durchgangsbohrung bedeutet einen Zustand, in dem zumindest ein Teil der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht unmittelbar auf der Durchgangsbohrung entfernt wird und eine Öffnung an der Durchgangsbohrung gebildet wird. Bei der Öffnung der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht kann der Öffnungsdurchmesser in dem oberen Teil der Harzschicht geringer als der Durchmesser der Durchgangsbohrung sein. Die verwendete Entfernungslösung ist eine Lösung, die die Maskenschicht nicht löst, oder eine Lösung, die die Maskenschicht löst, durch die die Maskenschicht unter den Bedingungen nicht quillt oder in ihrer Form verändert wird, unter denen eine angemessene Menge der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht gelöst wird. Im Allgemeinen wird eine wässrige alkalische Lösung in nützlicher Art und Weise verwendet. Beispielsweise ist es möglich, eine wässrige Lösung einer anorganischen basischen Verbindung, wie eines Alkalimetalsilicats, eines Alkalimetallhydroxids, eines Alkalimetallphosphats oder -carbonats oder Ammoniumphosphats oder -carbonats oder einer organischen basischen Verbindung, wie Ethanolamin, Ethylendiamin, Propandiamin, Triethylentetramin oder Morpholin zu verwenden. Die Konzentration, die Temperatur, der Sprühdruck und dergleichen der wässrigen Lösung müssen eingestellt werden, um die Löslichkeit in der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht zu kontrollieren. Die Entfernungslösung kann durch ein beliebiges Verfahren zugeführt werden, sofern sie von einer Oberfläche gegenüber einer Oberfläche mit der Maskenschicht durch die Durchgangsbohrung zugeführt werden kann, um die Entfernungslösung mit der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht in Kontakt zu bringen. Eine Tauchapparatur, eine Zweirohr-Sprühapparatur, eine Einrohr-Sprühapparatur oder dergleichen können verwendet werden. Das Entfernen der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht kann unmittelbar beendet werden, indem ein Waschen oder eine Säurebehandlung nach der Behandlung mit der Entfernungslösung durchgeführt wird.
Als ein Verfahren zur Bildung der Harzschicht oder der photovernetzbaren Harzschicht gemäß der vorliegenden Erfindung integral mit der Maskenschicht ist es möglich, ein Verfahren in geeigneter Weise zu verwenden, in dem ein Trockenfilm mit der Harzschicht oder der photo vernetzbaren Harzschicht zuvor auf einem Filmträger gebildet wird, d. h., die Maskenschicht unter Verwendung einer Laminiervorrichtung auf ein Substrat laminiert wird.
Als das isolierende Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Phenolharz auf Papierbasis oder ein Epoxyharzsubstrat auf Glasbasis, einen Polyesterfilm, einen Polyimidfilm, einen Flüssigkristall-Polymerfilm oder dergleichen zu verwenden. Als die leitfähige Schicht ist es möglich, Kupfer, Silber, Gold, Aluminium, Edelstahl, 42-Legierung, Nichrom, Wolfram, ITO, ein leitfähiges Polymer, verschiedene Metallkomplexe oder dergleichen zu verwenden. Beispiele für diese sind in "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von der Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) beschrieben.
Beispiele des Verfahrens zum Aufbringen der (ersten) leitfähigen Schicht auf das isolierende Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung beinhalten Sputtern, Dampfabscheidung, stromloses Metallisieren, ein Verfahren zum Anbinden einer äußerst dünnen, leitfähigen Schicht, wie einer Metallfolie, an das isolierende Substrat, sowie ein Verfahren zur Bildung eines dünnen Films durch Ätzen einer leitfähigen Schicht eines Laminats mit der gebundenen leitfähigen Schicht. Diese Verfahren können einzeln oder in Kombination verwendet werden. Es ist möglich, eine Durchgangsbohrung auf dem isolierenden Substrat zu öffnen und dann die (erste) leitfähige Schicht auf die Oberfläche des isolierenden Substrats und auf die Innenwand der Durchgangsbohrung aufzubringen. Alternativ dazu ist es möglich, die (erste) leitfähige Schicht auf die Oberfläche des isolierenden Substrats aufzubringen und dann eine Durchgangsbohrung zu öffnen und die (erste) leitfähige Schicht auf die Oberfläche und auf die Innenwand der Durchgangsbohrung erneut aufzubringen. Die zweite leitfä hige Schicht kann durch elektrolytisches Metallisieren für die erste leitfähige Schicht gebildet werden.
Als das stromlose Metallisieren oder elektrolytische Metallisieren gemäß der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise eine derartige Behandlung verwendet werden, wie sie in "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) beschrieben ist.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren zum Entfernen der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschicht, die als eine Metallisierungsresistschicht oder eine Ätzresistschicht verwendet wird, ein Verfahren des Entfernens der Schicht unter Verwendung einer alkalischen wässrigen Lösung mit hohem pH-Wert, eines organischen Lösungsmittels oder dergleichen sein. Spezielle Beispiele beinhalten eine wässrige, stark alkalische Lösung, die Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Natriummetasilicat oder dergleichen enthält, sowie ein organisches Lösungsmittel, wie einen Alkohol, ein Keton oder dergleichen.
Ein beliebiges Ätzmittel, das die erste leitfähige Schicht 12 lösen und entfernen kann, kann zum Flash-Ätzen der ersten leitfähigen Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Beispielsweise ist es möglich, ein allgemeines Ätzmittel, wie alkalisches Ammoniak, Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid, Kupferchlorid, Persulfat oder Eisen(III)-chlorid zu verwenden. Eine Apparatur oder ein Verfahren, wie horizontales Sprühätzen oder Tauchätzen, kann beispielsweise verwendet werden. Die Details dafür sind in "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von der Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) beschrieben.
Ein Verfahren des Elektroabscheidens oder ein Metallisierungsverfahren kann als ein Verfahren zur Bildung der Ätzresistschicht 14 auf der leitfähigen Schicht gemäß den Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte (16) und (21) gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Wenn Kupfer als die leitfähige Schicht verwendet wird und ein Metallisierungsmetall als die Ätzresistschicht 14 verwendet wird, ist es möglich, Gold, Zinn, eine Zinn-Blei-Lotlegierung, Nickel, eine Zinn-Nickel-Legierung, eine Nickel-Gold-Legierung, Silber, Zink, Palladium, Ruthenium, Rhodium oder dergleichen zu verwenden. Ein Elektroabscheidungsharz kann ebenso als die Ätzresistschicht verwendet werden. In diesem Fall weist das Harz eine Ladung auf, um Elektroabscheidung zu ermöglichen. Speziell kann beispielsweise ein Polyimidharz, ein Epoxyharz, ein Acrylharz, ein Polyesterharz, ein Fluorharz oder eine Siliconharzemulsion verwendet werden. Die beibehaltene Ladung kann anionisch oder kationisch sein. Beispiele der anionischen Ladung beinhalten eine Carboxylgruppe, eine Sulfonsäuregruppe oder eine Anionengruppe davon. Beispiele der kationischen Ladung beinhalten eine Aminogruppe, eine Kationengruppe davon sowie eine quaternäre Ionengruppe davon.
Die Musterbelichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird durch Laser direct imaging, Kontaktbelichtung durch eine Photomaske, Proximity-Belichtung, Projektionsbelichtung oder dergleichen durchgeführt werden. Als eine Lichtquelle ist es möglich, verschiedene Laser-Lichtquellen sowie eine Ultrahochdruck-Quecksilberlampe, eine Hochdruck-Quecksilberlampe, eine Metallhalogenidlampe, eine Xenonlampe und dergleichen zu verwenden. Das photovernetzbare Harz in einem Schaltkreisteil oder einem Nicht- Schaltkreisteil wird durch die Musterbelichtung photovernetzend gehärtet.
Ein beliebiges Ätzmittel, das die leitfähige Schicht 12 lösen und entfernen kann, kann in dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch das substraktive Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Beispielsweise ist es möglich, ein allgemeines Ätzmittel, wie ein alkalisches Ätzmittel, wie alkalisches Ammoniak, Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid, Kupferchlorid, Persulfat oder Eisen(III)-chlorid zu verwenden. Wenn Kupfer als die leitfähige Schicht verwendet wird, wird ein Metallplattierungsätzresist für die Durchgangsbohrung verwendet, und ein Trockenfilm-Photoresist wird in einem Oberflächen-Verdrahtungsmuster als die Ätzresistschicht verwendet; ein kommerziell erhältliches alkalisches Ätzmittel, Ammoniumpersulfat, Wasserstoffperoxid/Schwefelsäure oder dergleichen, gegenüber denen beide Ätzresists resistent sind und die Kupfer günstigerweise ätzen können, wird in geeigneter Weise verwendet. Eine Apparatur oder ein Verfahren, wie horizontales Sprühätzen oder Tauchätzen, können beispielsweise verwendet werden. Die Details dafür sind in "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von der Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) beschrieben.
In dem Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte durch das substraktive Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung kann, wenn ein Metallplattierungsätzresist als die Ätzresistschicht verwendet wird, die Ätzresistschicht durch eine Säurebehandlungslösung, wie Salpetersäure, Schwefelsäure oder eine Cyanidbehandlungslösung, die für das Lötmittel-Strippen kommerziell erhältlich ist, entfernt werden. Wenn ein Elektroabscheidungsharz als die Ätzresistschicht verwendet wird, kann die Ätzresistschicht durch eine wässrige alkalische Lösung, ein organisches Lösungsmittel oder dergleichen entfernt werden.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend stärker im Detail unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben werden; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Beispiele beschränkt.
Beispiele
Beispiele des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein semiadditives Verfahren
(Beispiel 1)
Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,1 mm wurden auf einem Epoxyharzsubstrat mit Glasbasis (Fläche: 340 mm × 510 mm, Basisdicke: 0,1 mm) unter Verwendung einer Bohrmaschine geöffnet. Dann wurde das Substrat einer Desmear-Behandlung unterzogen und dann stromlos metallisiert, um eine stromlos aufgetragene Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von 0,5 μm als eine erste leitfähige Schicht auf der Oberfläche, einschließlich der Innenwand jeder Durchgangsbohrung, aufzubringen. Ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 25 μm dicken photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, wurde mittels Thermokompression mit einer Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung verbunden, um die photovernetzbare Harzschicht und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray ("shower spray") von einer zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 32 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer wässrigen, 1 massen- %igen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an einer Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. In Bezug auf verschiedene Parameter für jede Durchgangsbohrung, die in 19 gezeigt ist, betrug jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L1, als die Bohrung gebildet wurde, 100 μm, jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L2 im metallisierten Zustand betrug 99 μm, der Durchmesser L3 des Teils, von dem die photovernetzbare Harzschicht entfernt wurde, betrug 139 μm, und der Durchmesser L4 des oberen Teils der photovernetzbaren Harzschicht betrug 121 μm. Der Öffnungsdurchmesser des Teils der photovernetzbaren Harzschicht in Kontakt mit der ersten leitfähigen Schicht wurde als der Durchmesser L3 des Teils gemessen, von dem die photovernetzbare Harzschicht entfernt wurde. Die Öffnung des Teils der photovernetzbaren Harzschicht in Kontakt mit der Maskenschicht wurde als der Durchmesser L4 des oberen Teils der photovernetzbaren Harzschicht gemessen.
Eine Photomaske mit einem gezeichneten Schaltkreismuster (Leiterbreite und -abstand: 35 μm) wurde auf die erste Oberfläche des Substrats platziert. Das Substrat wurde einer UV-Musterbeleuchtung für 30 Sekunden unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus besaß (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) unterzogen.
Dann wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe wie der für die erste Oberfläche ist, mittels Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats nach Abschluss der Belichtung unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung gebunden. Auf diese Weise wurden eine photovernetzbare Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht. Danach wurde die Maskenschicht von der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Dann wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 33 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 massen-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um den ungehärteten Teil der photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche zu entfernen und die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche aufzulösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L1, als die Bohrung gebildet wurde, betrug 100 μm, jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L2 im plattierten Zustand betrug 99 μm, der Durchmesser L3 des Teils, von dem die photovernetzbare Harzschicht entfernt wurde, betrug 139 μm, und der Durchmesser L4 des oberen Teils der photovernetzbaren Harzschicht betrug 121 μm.
Eine Photomaske mit einem gezeichneten Schaltkreismuster (Leiterbreite und -abstand: 35 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats aufgesetzt. Das Substrat wurde einer UV-Musterbelichtung für 30 Sekunden unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufwies (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen. Danach wurde die Maskenschicht an der zweiten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Dann wurde ein Berieselungsspray von der zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 25 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 massen-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um den Teil der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche zu entfernen.
Die Ergebnisse des Betrachtens des aus dem photovernetzbaren Harz aufgebauten Resistmusters auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche zeigen, dass das Resistmuster auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde, um die erste leitfähige Schicht konzentrisch und exakt freizulegen, und dass das Resistmuster auf der Oberfläche des Substrats ebenso in günstiger Weise gebildet wurde.
Dann wurde ein elektrolytisches Kupfermetallisieren durchgeführt, um eine elektrolytische Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 12 mm als eine zweite leitfähige Schicht auf der ersten leitfähigen Schicht zu bilden. Nachfolgend wurde eine Behandlung mit einer 3 massen-%igen wässrigen Natriumhydroxidlösung durchgeführt, um den vernetzten Teil der photovernetzbaren Harzschicht, die als eine Metallisierungsresistschicht verwendet worden war, abzulösen und zu entfernen.
Des Weiteren wurde eine Behandlung mit einem Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Ätzmittel (hergestellt von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc., Produktname: CPE, 30°C, Sprühdruck: 0,2 MPa) durchgeführt, um die freigelegte erste leitfähige Schicht zu entfernen. Die resultierende Leiterplatte wurde durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Wie es in 20 gezeigt ist, betrug nach dem Flash-Ätzen jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L5 76 μm, der Lötaugendurchmesser L6 betrug 138 μm und die Lötaugenbreite betrug 19 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden. In günstiger Weise wurde die Leiterplatte mit einem Lötstopplack versehen, ohne dass ein Problem eines überaus dünnen Lötstopplacks an der Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht auftrat.
Der Querschnitt der Leiterplatte wurde betrachtet, und der Lötaugendurchmesser wurde im Detail untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass der Lötaugenrand an der Unterseite des Lötauges (die Oberfläche in Kontakt mit dem isolierenden Substrat) einen Lötaugendurchmesser L6 von 138 μm aufwies, die Lötaugenoberseite an der Oberseite des Lötauges (die Kontur des obersten Teils der Lötaugen-Leitungsschicht) einen Lötaugendurchmesser L7 von 129 μm aufwies und die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht einen Neigungswinkel X von 70 Grad aufwies. Hinsichtlich der Querschnittsform der Schaltkreis-Leitungsschicht betrugen die Oberseitenbreite und die Unterseitenbreite der Verdrahtung jeweils 34 μm. Die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht wies einen Neigungswinkel Y von 90 Grad auf.
(Beispiel 2)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Zeit für die Behandlung mit einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) auf 26 Sekunden für die erste Oberfläche und auf 28 Sekunden für die zweite Oberfläche verkürzt wurde, als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in Beispiel 1 gelöst und entfernt wurde.
Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden unmittelbar vor dem elektrolytischen Kupfermetallisieren mit einem optischen Mikroskop in Bezug auf die erste Oberfläche beziehungsweise die zweite Oberfläche betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L1, als die Bohrung gebildet wurde, betrug 100 μm, jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L2 im plattierten Zustand betrug 99 μm, der Durchmesser L3 des Teils, von dem die photovernetzbare Harzschicht entfernt wurde, betrug 115 μm, und der Durchmesser L4 des oberen Teils der photovernetzbaren Harzschicht betrug 86 μm.
Dieselbe Behandlung wie in Beispiel 1 wurde durchgeführt. Die resultierende Leiterplatte wurde durch ein optisches Mikroskop nach dem Flash-Ätzen betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Nach dem Flash-Ätzen betrug jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L5 76 μm, der Lötaugendurchmesser L6 betrug 114 μm und die Lötaugenbreite betrug 7 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden. Günstigerweise wurde die Leiterplatte mit einem Lötstopplack versehen, ohne dass ein Problem hinsichtlich eines überaus dünnen Lötstopplacks an der Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht auftrat.
Der Querschnitt der Leiterplatte wurde betrachtet, und der Lötaugendurchmesser wurde im Detail untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass der Lötaugenrand an der Unterseite des Lötauges (die Oberfläche in Kontakt mit dem isolierenden Substrat) einen Lötaugendurchmesser L6 von 114 μm aufwies, die Lötaugenoberseite an der Oberseite des Lötauges (die Kontur des obersten Teils der Lötaugen-Leitungsschicht) einen Lötaugendurchmesser L7 von 100 μm aufwies und die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht einen Neigungswinkel X von 60 Grad aufwies. In Bezug auf die Querschnittsform der Schaltkreis-Leitungsschicht betrugen die Oberseitenbreite und die Unterseitenbreite der Verdrahtung jeweils 34 μm. Die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht wies einen Neigungswinkel Y von 90 Grad auf.
(Beispiel 3)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Zeit für die Behandlung mit einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30 Grad) auf 50 Sekunden sowohl für die erste Oberfläche als auch für die zweite Oberfläche verlängert wurde, als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung an der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in Beispiel 1 gelöst und entfernt wurde.
Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurde unmittelbar vor dem elektrolytischen Kupfermetallisieren mit einem optischen Mikroskop für die erste Oberfläche bzw. die zweite Oberfläche betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L1, als die Bohrung gebildet wurde, betrug 100 μm, jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L2 im plattierten Zustand betrug 99 μm, der Durchmesser L3 des Teils, von dem die photovernetzbare Harzschicht entfernt wurde, betrug 149 μm, und der Durchmesser L4 des o beren Teils der photovernetzbaren Harzschicht betrug 140 μm.
Dieselbe Behandlung wie in Beispiel 1 wurde durchgeführt. Die resultierende Leiterplatte wurde nach dem Flash-Ätzen durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Nach dem Flash-Ätzen betrug jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L5 76 μm, der Lötaugendurchmesser L6 betrug 148 μm und die Lötaugenbreite betrug 24 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden. In günstiger Weise wurde die Leiterplatte mit einem Lötstopplack versehen, ohne dass ein Problem hinsichtlich eines überaus dünnen Lötstopplacks an der Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht auftrat.
Der Querschnitt der Leiterplatte wurde betrachtet, und der Lötaugendurchmesser wurde im Detail untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass der Lötaugenrand an der Unterseite des Lötauges (die Oberfläche in Kontakt mit dem isolierenden Substrat) einen Lötaugendurchmesser L6 von 148 μm aufwies, die Lötaugenoberseite an der Oberseite des Lötauges (die Kontur des obersten Teils der Lötaugen-Leitungsschicht) einen Lötaugendurchmesser L7 von 144 μm aufwies und die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht einen Neigungswinkel X von 80 Grad besaß. Hinsichtlich der Querschnittsform der Schaltkreis-Leitungsschicht betrugen die Oberseitenbreite und die Unterseitenbreite der Verdrahtung jeweils 34 μm. Die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht wies einen Neigungswinkel Y von 90 Grad auf.
(Beispiel 4)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, dass ein Trockenfilm-Photoresist für die Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 40 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, verwendet wurde und die Zeit für die Behandlung mit einer Entfernungslösung einer 1 Masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) auf 88 Sekunden sowohl für die erste Oberfläche als auch für die zweite Oberfläche verlängert wurde, als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in Beispiel 1 gelöst und entfernt wurde.
Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden unmittelbar vor dem elektrolytischen Kupfermetallisieren mit einem optischen Mikroskop hinsichtlich der ersten Oberfläche bzw. der zweiten Oberfläche betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L1, als die Bohrung gebildet wurde, betrug 100 μm, jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L2 im metallisierten Zustand betrug 99 μm, der Durchmesser L3 des Teils, von dem die photovernetzbare Harzschicht entfernt wurde, betrug 181 μm, und der Durchmesser L4 des oberen Teils der photovernetzbaren Harzschicht betrug 166 μm.
Dieselbe Behandlung wie in Beispiel 1 wurde durchgeführt. Die resultierende Leiterplatte wurde nach dem Flash-Ätzen durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Nach dem Flash-Ätzen betrug jeder Durchgangsbohrungsdurchmesser L5 76 μm, der Lötaugendurchmesser L6 betrug 180 μm und die Lötaugenbrei te betrug 40 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden. In günstiger Weise wurde die Leiterplatte mit einem Lötstopplack versehen, ohne dass ein Problem hinsichtlich eines überaus dünnen Lötstopplacks auf der Oberseite der Lötaugen-Leitungsschicht auftrat.
Der Querschnitt der Leiterplatte wurde betrachtet, und der Lötaugendurchmesser wurde im Detail untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass der Lötaugenrand an der Unterseite des Lötauges (die Oberfläche in Kontakt mit dem isolierenden Substrat) einen Lötaugendurchmesser L6 von 180 μm aufwies, die Lötaugenoberseite an der Oberseite des Lötauges (die Kontur des obersten Teils der Lötaugen-Leitungsschicht) einen Lötaugendurchmesser L7 von 176 μm aufwies und die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht einen Neigungswinkel X von 80 Grad aufwies. Hinsichtlich der Querschnittsform der Schaltkreis-Leitungsschicht betrugen die Oberseitenbreite und die Unterseitenbreite der Verdrahtung jeweils 34 μm. Die Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht wies einen Neigungswinkel Y von 90 Grad auf.
Beispiel des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein subtraktives Verfahren-1
(Beispiel 5)
Eine Vielzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,1 mm wurden mit einem Bohrer auf einem 200 × 200 × 0,1 mm kupferkaschierten Laminat unter Verwendung einer Kupferfolie mit einer Dicke von 12 μm gebildet. Ein stromloses Kupfermetallisieren wurde durchgeführt, um eine stromlose Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 μm auf der Oberfläche und auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung zu bilden. Danach wurde ein elektrolyti sches Kupfermetallisieren durchgeführt, um eine elektrolytische Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 12 μm auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung und auf dem Kupfer des kupferkaschierten Laminats zu bilden. Auf diese Weise wurde ein isolierendes Substrat mit einer leitfähigen Schicht in jeder Durchgangsbohrung und auf der Oberfläche hergestellt.
Im Folgenden wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 25 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, mittels Thermokompression an eine Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden, um die erste Harzschicht (photovernetzbare Harzschicht) und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von einer zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 50 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und jede Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 110 μm auf.
Daraufhin wurde die gesamte Oberfläche der ersten Harzschicht auf der ersten Oberfläche unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampe-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die erste Harzschicht mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für eine nachfolgende zweite Harzschicht zu sorgen.
Daraufhin wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe ist wie derjenige, der für die erste Oberfläche verwendet wird, durch Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats nach Abschluss des Belichtens unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden. Auf diese Weise wurden eine zweite Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht. Danach wurde die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Dann wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 50 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 Masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die zweite Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Danach wurde die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt, und ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat wurde hergestellt. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurde durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 110 μm auf.
(Beispiel 6)
Eine Vielzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,1 mm wurden durch einen Bohrer an einem 200 × 200 × 0,1 mm großen kupferkaschierten Laminat unter Verwendung einer Kupferfolie mit einer Dicke von 12 μm gebildet. Ein stromloses Kupfermetallisieren wurde durchgeführt, um eine stromlose Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 μm auf der Oberfläche und auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung zu bilden.
Im Folgenden wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 25 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, durch Thermokompression an eine Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden, um die erste Harzschicht (photovernetzbare Harzschicht) und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von einer zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 32 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung für eine erste Harzschicht einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 140 μm auf.
Dann wurde die gesamte Oberfläche der ersten Harzschicht auf der ersten Oberfläche unter Verwendung ei ner Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die Harzschicht mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für eine nachfolgende zweite Harzschicht zu sorgen.
Daraufhin wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe ist wie derjenige, der für die erste Oberfläche verwendet wird, durch Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats nach Abschluss des Belichtens unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden. Auf diese Weise wurden eine zweite Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht. Danach wurde die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 33 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 Masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die zweite Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Danach wurde die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt, und ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat wurde hergestellt. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 140 μm auf.
Dann wurde die gesamte Oberfläche der zweiten Harzschicht auf der zweiten Oberfläche unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die Beständigkeit gegenüber einem nachfolgenden elektrolytischen Kupfermetallisieren erhöht.
Dann wurde ein elektrolytisches Kupfermetallisieren durchgeführt, um eine elektrolytische Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 12 μm auf der Innenwand jeder Bohrung und auf dem freigelegten Kupferteil der Oberfläche zu bilden. Ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat mit einer erhöhten Kupferdicke an der Innenwand jeder Bohrung wurde hergestellt, ohne die Kupferdicke des Schaltkreis-bildenden Teils auf der Oberfläche zu erhöhen.
(Beispiel 7)
Eine Vielzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,1 mm wurden durch einen Bohrer an einem 200 × 200 × 0,1 mm großen, kupferkaschierten Laminat unter Verwendung einer Kupferfolie mit einer Dicke von 12 μm gebildet. Ein stromloses Kupfermetallisieren wurde durchgeführt, um eine stromlose Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 μm auf der Oberfläche und auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung zu bilden. Danach wurde ein elektrolytisches Kupfermetallisieren durchgeführt, um eine elektrolytische Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 12 μm auf der Innenwand jeder Bohrung und auf dem Kupfer des kupferkaschierten Laminats zu bilden. Auf diese Weise wurde ein isolierendes Substrat mit einer leitfähigen Schicht in jeder Durchgangsbohrung und auf der Oberfläche hergestellt.
Nachfolgend wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 25 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, durch Thermokompression an eine Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden, um die erste Harzschicht (photovernetzbare Harzschicht) und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von einer zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 65 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung für eine erste Harzschicht einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 126 μm auf.
Dann wurde die gesamte Oberfläche der ersten Harzschicht auf der ersten Oberfläche unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die erste Harzschicht mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für eine nachfolgende zweite Harzschicht zu sorgen.
Dann wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe ist wie derjenige, der für die erste Oberfläche verwendet wird, durch Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats nach Abschluss des Belichtens unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden. Auf diese Weise wurden eine zweite Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht. Danach wurde die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 65 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die zweite Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Danach wurde die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt, und ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat wurde hergestellt. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 126 μm auf.
(Beispiel 8)
Eine Vielzahl von Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,1 mm wurden mit einem Bohrer auf einem 200 × 200 × 0,1 mm großen, kupferkaschierten Laminat unter Verwendung einer Kupferfolie mit einer Dicke von 12 μm gebildet. Ein stromloses Kupfermetallisieren wurde durchgeführt, um eine stromlose Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 μm auf der Oberfläche und auf der Innen wand jeder Durchgangsbohrung zu bilden. Danach wurde ein elektrolytisches Kupfermetallisieren durchgeführt, um eine elektrolytische Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 12 μm auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung und auf dem Kupfer des kupferkaschierten Laminats zu bilden. Auf diese Weise wurde ein isolierendes Substrat mit einer leitfähigen Schicht in jeder Durchgangsbohrung und an der Oberfläche hergestellt.
Nachfolgend wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 25 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, durch Thermokompression an eine Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden, um die erste Harzschicht (photovernetzbare Harzschicht) und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von einer zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 80 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung für eine erste Harzschicht einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 138 μm auf.
Dann wurde die gesamte Oberfläche der ersten Harzschicht auf der ersten Oberfläche unter Verwendung ei ner Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die erste Harzschicht mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für eine nachfolgende zweite Harzschicht zu sorgen.
Daraufhin wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe ist wie derjenige, der für die erste Oberfläche verwendet wird, durch Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats nach Abschluss des Belichtens unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden. Auf diese Weise wurden eine zweite Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht. Danach wurde die Maskenschicht an der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Dann wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 80 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die zweite Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Danach wurde die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche entfernt, und ein mit Harz behaftetes Öffnungssubstrat wurde hergestellt. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 138 μm auf.
(Beispiel 9)
Die gesamte zweite Oberfläche des mit Harz behafteten Öffnungssubstrats, das in Beispiel 5 erhalten worden war, wurde unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die zweite Oberfläche mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Behandlungslösung für die nachfolgende Bildung einer Ätzresistschicht zu sorgen. Dann wurde eine Zinnmetallisierung als eine Ätzresistschicht auf der freigelegten Kupferoberfläche unter Verwendung einer Zinnmetallisierungslösung (Solderon SN-2670, hergestellt von Meltex Inc.) gebildet.
Daraufhin wurden die photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren ersten und zweiten Harzschichten mit einer 3 masse-%igen wässrigen Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt.
Im Folgenden wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 15 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, mittels Thermokompression an jede Oberfläche des Substrats angebunden. Eine Photomaske mit einem gezeichneten Verdrahtungsmuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats aufgesetzt. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufweist (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) unterzogen. Danach wurde der Trägerfilm auf jeder Oberfläche entfernt, und dann wurde eine alkalische Entwicklung unter Verwendung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) durchgeführt, um eine Ätzresistschicht, die aus einem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, auf jeder Oberfläche des Substrats zu bilden.
Dann wurde das freigelegte Kupfer unter Verwendung eines Ammoniak-Alkali-Ätzmittels (A-Process, hergestellt von Meltex Inc.) als ein Ätzmittel entfernt. Danach wurde die Ätzresistschicht, die aus dem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt. Im Folgenden wurde die Zinnmetallisierung auf dem Kupfer unter Verwendung einer Behandlungslösung allein für das Ablösen einer Zinnmetallisierung (Enstrip TL, hergestellt von Meltex Inc.) abgelöst, um eine Leiterplatte herzustellen. Die Leiterplatte wurde durch ein Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 5 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 10)
Eine Zinnmetallisierung wurde als eine Ätzresistschicht auf der freigelegten Kupferoberfläche des mit Harz behafteten Öffnungssubstrats, das in Beispiel 6 erhalten worden war, unter Verwendung einer Zinnmetallisierungslösung (Solderon SN-2670, hergestellt von Meltex Inc.) gebildet.
Dann wurden die photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren ersten und zweiten Harzschichten durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt.
Nachfolgend wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 15 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, mittels Thermokompression an jede Oberfläche des Substrats angebunden. Eine Photomaske mit einem gezeichneten Verdrahtungsmuster (Leiterbreite und -abstand: 30 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats platziert. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufwies (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen. Danach wurde der Trägerfilm auf jeder Oberfläche entfernt, und dann wurde eine alkalische Entwicklung unter Verwendung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) durchgeführt, um eine Ätzresistschicht, die aus einem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, auf jeder Oberfläche des Substrats zu bilden.
Dann wurde das freigelegte Kupfer unter Verwendung eines Ammoniak-Alkali-Ätzmittels (A-Process, hergestellt von Meltex Inc.) als ein Ätzmittel entfernt. Danach wurde die Ätzresistschicht, die aus dem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt. Im Folgenden wurde die Zinnmetallisierung auf dem Kupfer unter Verwendung einer Behandlungslösung allein für das Ablösen einer Zinnmetallisierung (Enstrip TL, hergestellt von Meltex Inc.) abgelöst, um eine Leiterplatte herzustellen. Die Leiterplatte wurde durch ein Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 20 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 11)
Die gesamte zweite Oberfläche des mit Harz behafteten Öffnungssubstrats, das in Beispiel 7 erhalten worden war, wurde unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die zweite Oberfläche mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Behandlungslösung für die nachfolgende Bildung einer Ätzresistschicht zu sorgen. Dann wurde eine Zinnmetallisierung als eine Ätzresistschicht auf der freigelegten Kupferoberfläche unter Verwendung einer Zinnmetallisierungslösung (Solderon SN-2670, hergestellt von Meltex Inc.) gebildet.
Dann wurden die photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren ersten und zweiten Harzschichten durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt.
Im Folgenden wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 15 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, mittels Thermokompression an jede Oberfläche des Substrats angebunden. Eine Photomaske mit einem gezeichneten Verdrahtungsmuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats aufgebracht. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufwies (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen. Danach wurde der Trägerfilm an jeder Oberfläche entfernt, und dann wurde eine alkalische Entwicklung unter Verwendung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) durchgeführt, um eine Ätzresistschicht, die aus einem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, auf jeder Oberfläche des Substrats zu bilden.
Dann wurde das freigelegte Kupfer unter Verwendung eines Ammoniak-Alkali-Ätzmittels (A-Process, hergestellt von Meltex Inc.) als ein Ätzmittel entfernt. Danach wurde die Ätzresistschicht, die aus dem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt. Im Folgenden wurde die Zinnmetallisierung auf dem Kupfer unter Verwendung einer Behandlungslösung allein für das Ablösen einer Zinnmetallisierung (Enstrip TL, hergestellt von Meltex Inc.) abgelöst, um eine Leiterplatte herzustellen. Die Leiterplatte wurde durch ein Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 13 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 12)
Die gesamte zweite Oberfläche des mit Harz behafteten Öffnungssubstrats, das in Beispiel 8 erhalten worden war, wurde unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.) 45 Sekunden lang belichtet, um die gesamte Oberfläche photovernetzend zu härten. Auf diese Weise wurde die zweite Oberfläche mit einer Behandlung versehen, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Behandlungslösung für die nachfolgende Bildung einer Ätzresistschicht zu sorgen. Dann wurde eine Zinnmetallisierung als eine Ätzresistschicht auf der freigelegten Kupferoberfläche unter Verwendung einer Zinnmetallisierungslösung (Solderon SN-2670, hergestellt von Meltex Inc.) gebildet.
Daraufhin wurden die photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren ersten und zweiten Harzschichten durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt.
Nachfolgend wurde ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 15 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, mittels Thermokompression an beide Oberflächen des Substrats angebunden. Eine Photomaske mit einem gezeichneten Verdrahtungsmuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats aufgebracht. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufweist (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen. Danach wurde der Trägerfilm an jeder Oberfläche entfernt, und dann wurde eine alkalische Entwicklung unter Verwendung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) durchgeführt, um eine Ätzresistschicht, die aus einem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut ist, auf jeder Oberfläche des Substrats zu bilden.
Dann wurde das freigelegte Kupfer unter Verwendung eines Ammoniak-Alkali-Ätzmittels (A-Process, hergestellt von Meltex Inc.) als ein Ätzmittel entfernt. Danach wurde die Ätzresistschicht, die aus dem photovernetzend gehärteten, photovernetzbaren Harz aufgebaut war, durch eine 3 masse-%ige wässrige Natriumhydroxidlösung (30°C) entfernt. Nachfolgend wurde die Zinnmetallisierung auf dem Kupfer unter Verwendung einer Behandlungslösung allein für das Ablösen einer Zinnmetallisierung (Enstrip TL, hergestellt von Meltex Inc.) abgelöst, um eine Leiterplatte herzustellen. Die Leiterplatte wurde durch ein Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 19 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
Beispiele des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte durch ein subtraktives Verfahren-2
(Beispiel 13)
Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,10 mm wurden an einem kupferkaschierten Laminat (Fläche: 340 mm × 510 mm, Basisdicke: 0,10 mm, Kupferdicke: 12 μm) unter Verwendung einer Bohrmaschine geöffnet. Dann wurde das Laminat einer Desmear-Behandlung unterzogen, und daraufhin stromlos metallisiert, um eine stromlose Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 μm als eine leitfähige Schicht auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung aufzubringen. Dann wurde des Weiteren eine Kupferschicht mit einer Dicke von 12 μm auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung und auf der Oberfläche durch elektrolytisches Metallisieren gebildet. Ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 15 μm dicken, photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, wurde mittels Thermokompression an eine Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden, um die photovernetzbare Harzschicht und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von einer zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 50 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harz schicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 110 μm auf.
Eine Photomaske mit einem gezeichneten Schaltkreismuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die erste Oberfläche des Substrats aufgesetzt. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufweist (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen.
Dann wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe ist wie derjenige für die erste Oberfläche, mittels Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats nach Abschluss der Belichtung unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden. Auf diese Weise wurden eine photovernetzbare Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht. Danach wurde die Maskenschicht an der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 50 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um den nicht gehärteten Teil der photovernetzbaren Harzschicht an der ersten Oberfläche zu entfernen und die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außendurchmesser von 110 μm auf.
Eine Photomaske mit einem gezeichneten Schaltkreismuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats aufgesetzt. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufweist (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen. Danach wurde die Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Dann wurde ein Berieselungsspray von der zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 20 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um den nicht gehärteten Teil der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche zu entfernen.
Die Ergebnisse des Betrachtens der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschicht in einem Muster auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche zeigen, dass das Muster auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde, um die leitfähige Schicht konzentrisch und akkurat freizulegen, und dass das Muster auf der Oberfläche des Substrats auch in günstiger Weise gebildet wurde.
Dann wurde eine Zinnmetallisierung als eine Ätzresistschicht auf der freigelegten Kupferoberfläche unter Verwendung einer Zinnmetallisierungslösung (Solderon SN-2670, hergestellt von Meltex Inc.) gebildet. Im Folgenden wurde eine Behandlung unter Verwendung einer 3 masse-%igen wässrigen Natriumhydroxidlösung durchgeführt, um die photovernetzend gehärtete photovernetzbare Harzschicht abzulösen und zu entfernen und das Kupfer in dem anderen Teil als der Ätzresistschicht freizulegen.
Des Weiteren wurde das freigelegte Kupfer unter Verwendung eines Ammoniak-Alkali-Ätzmittels (A-Process, hergestellt von Meltex Inc.) als ein Ätzmittel entfernt. Danach wurde die Zinnmetallisierung auf dem Kupfer unter Verwendung einer Behandlungslösung allein für das Ablösen einer Zinnmetallisierung (Enstrip TL, hergestellt von Meltex Inc.) abgelöst, um eine Leiterplatte herzustellen.
Die Leiterplatte wurde durch ein Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 5 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 14)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 13 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Zeit für die Behandlung mit einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) sowohl für die erste Oberfläche als auch für die zweite Oberfläche 65 Sekunden betrug, als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in Beispiel 13 gelöst und entfernt wurde.
Als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche gelöst und entfernt war, wies der freigelegte Kupfer teil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung einen Außenseitendurchmesser von 126 μm sowohl für die erste Oberfläche als auch für die zweite Oberfläche auf.
Nach dem Ablösen und Entfernen der Ätzresistschicht wurde die Leiterplatte durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 13 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 15)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 13 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Zeit für die Behandlung mit einer Entfernungslösung für eine Harzschicht einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) sowohl für die erste Oberfläche als auch für die zweite Oberfläche 80 Sekunden betrug, als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche in Beispiel 13 gelöst und entfernt wurde.
Als die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche gelöst und entfernt war, wies der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung einen Außenseitendurchmesser von 138 μm sowohl für die erste Oberfläche als auch für die zweite Oberfläche auf.
Nach dem Ablösen und Entfernen der Ätzresistschicht wurde die Leiterplatte durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Die Löt augenbreite Lw betrug 19 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 16)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 13 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche nach dem Belichten der ersten Oberfläche und vor dem Auflaminieren der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf die zweite Oberfläche in Beispiel 13 entfernt wurde.
Die Leiterplatte wurde durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 5 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 17)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 13 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Maskenschicht auf der ersten Oberfläche nach dem Lösen und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und vor dem Belichten der ersten Oberfläche in Beispiel 13 entfernt wurde.
Die Leiterplatte wurde durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 5 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 18)
Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von 0,1 mm wurden an einem kupferkaschierten Laminat (Fläche: 340 mm × 510 mm, Basisdicke: 0,10 mm, Kupferdicke: 12 μm) unter Verwendung einer Bohrmaschine geöffnet. Dann wurde das Laminat einer Desmear-Behandlung unterzogen und dann stromlos metallisiert, um eine stromlose Kupfermetallisierungsschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 mm als eine leitfähige Schicht auf der Innenwand jeder Durchgangsbohrung aufzubringen. Daraufhin wurde des Weiteren eine Kupferschicht mit einer Dicke von 12 μm an der Innenwand jeder Durchgangsbohrung und an der Oberfläche durch elektrolytisches Metallisieren gebildet. Ein Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der aus einer 15 μm dicken photovernetzbaren Harzschicht und einer 12 μm dicken Maskenschicht (Trägerfilm, Material: Polyester) aufgebaut ist, wurde mittels Thermokompression an eine Oberfläche (erste Oberfläche) des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden, um die photovernetzbare Harzschicht und die Maskenschicht (Trägerfilm) aufzubringen.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von der zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 50 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außendurchmesser von 110 μm auf.
Eine Photomaske mit einem gezeichneten Schaltkreismuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die erste Oberfläche des Substrats platziert. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufweist (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen.
Dann wurde die Maskenschicht an der ersten Oberfläche abgelöst und entfernt. Danach wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 20 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um den ungehärteten Teil der photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche zu entfernen.
Daraufhin wurde derselbe Trockenfilm-Photoresist zur Bildung eines Schaltkreises, der derselbe ist wie derjenige für die erste Oberfläche, mittels Thermokompression an die zweite Oberfläche des Substrats unter Verwendung einer Trockenfilm-Photoresist-Laminiervorrichtung angebunden. Auf diese Weise wurden eine photovernetzbare Harzschicht und eine Maskenschicht aufgebracht.
Daraufhin wurde ein Berieselungsspray von der ersten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 50 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um die photovernetzbare Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche zu lösen und zu entfernen. Jede Durchgangsbohrung und die Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der zweiten Oberfläche wurden durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass die photovernetzbare Harzschicht an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung entfernt wurde. Der freigelegte Kupferteil an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung wies einen Außenseitendurchmesser von 110 μm auf.
Eine Photomaske mit einem gezeichneten Schaltkreismuster (Leiterbreite und -abstand: 40 μm) wurde auf die zweite Oberfläche des Substrats platziert. Das Substrat wurde 40 Sekunden lang einer UV-Musterbelichtung unter Verwendung einer Hochdruck-Quecksilberlampen-Lichtquellenvorrichtung zum Drucken, die einen Saugkontaktmechanismus aufweist (Unirec URM-300, hergestellt von Ushio Inc.), unterzogen. Danach wurde die Maskenschicht an der zweiten Oberfläche abgelöst und entfernt.
Dann wurde ein Berieselungsspray von der zweiten Oberfläche des Substrats bei einem Sprühdruck von 0,2 MPa 20 Sekunden lang unter Verwendung einer Entfernungslösung einer 1 masse-%igen wässrigen Natriumcarbonatlösung (30°C) aufgetragen, um den nicht gehärteten Teil der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche zu entfernen.
Die Ergebnisse des Betrachtens der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschicht in einem Muster auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche zeigen, dass das Muster auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde, um die leitfähige Schicht konzentrisch und akkurat freizulegen, und dass das Muster auf der Oberfläche des Substrats ebenfalls in günstiger Weise gebildet wurde.
Daraufhin wurde eine Zinnmetallisierung als eine Ätzresistschicht auf der freigelegten Kupferoberfläche unter Verwendung einer Zinnmetallisierungslösung (Solderon SN-2670, hergestellt von Meltex Inc.) gebildet. Nachfol gend wurde eine Behandlung unter Verwendung einer 3 masse-%igen wässrigen Natriumhydroxidlösung durchgeführt, um die photovernetzend gehärtete photovernetzbare Harzschicht abzulösen und zu entfernen und das Kupfer in dem anderen Teil als der Ätzresistschicht freizulegen.
Des Weiteren wurde das freigelegte Kupfer unter Verwendung eines Ammoniak-Alkali-Ätzmittels (A-Process, hergestellt von Meltex Inc.) als ein Ätzmittel entfernt. Danach wurde die Zinnmetallisierung auf dem Kupfer unter Verwendung einer Behandlungslösung allein für das Ablösen einer Zinnmetallisierung (Enstrip TL, hergestellt von Meltex Inc.) abgelöst, um eine Leiterplatte herzustellen.
Die Leiterplatte wurde durch ein Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 5 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
(Beispiel 19)
Eine Leiterplatte wurde in derselben Art und Weise wie in Beispiel 18 mit der Ausnahme hergestellt, dass die Maskenschicht an der ersten Oberfläche nach dem Ablösen und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf jeder Durchgangsbohrung und an der Peripherie jeder Durchgangsbohrung auf der ersten Oberfläche und vor dem Belichten der ersten Oberfläche in Beispiel 18 entfernt wurde.
Die Leiterplatte wurde durch ein optisches Mikroskop betrachtet, und man fand, dass das Lötauge konzentrisch zu jeder Durchgangsbohrung gebildet wurde. Die Lötaugenbreite Lw betrug 5 μm. Die Leiterplatte wies keine Fehlverbindung auf, und eine günstige Leiterplatte mit geringer Lötaugenbreite konnte hergestellt werden.
Gewerbliche Anwendbarkeit
Die vorliegende Erfindung kann zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte oder einer Leiterplatte für eine Halbleitervorrichtung oder dergleichen verwendet werden.
ZUSAMMENFASSUNG
Zur Verfügung gestellt werden ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters zur Herstellung einer Leiterplatte mit einer lötaugenfreien Durchgangsbohrung oder mit einer Durchgangsbohrung mit geringer Lötaugenbreite oder mit lötaugenfreien Durchgangsbohrungen oder mit Durchgangsbohrungen mit geringer Lötaugenbreite, um eine Leiterplatte mit hoher Integrationsdichte zu bewerkstelligen, ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte sowie eine Leiterplatte sowie ein Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, das die Stufen des Bildens einer Harzschicht und einer Maskenschicht auf einer ersten Oberfläche eines Substrats mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen und des Entfernens der Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die Harzschicht von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche des Substrats umfasst, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte unter Verwendung des Verfahrens zur Bildung eines Resistmusters und eine Leiterplatte.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- JP 10-178031 [0021]
- JP 07-007265 [0021]
- WO 2005/086552 [0021]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

- "Photopolymer Handbook" (herausgegeben von The Technical Association of Photopolymers, Japan, Kogyo Chosakai Publishing Co., Ltd., 1989) [0144]
- "Photopolymer Technology" (herausgegeben von Tsuguo Xamamoto und Gentaro Nagamatsu, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1988) [0144]
- "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von der Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) [0151]
- "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) [0153]
- "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von der Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) [0155]
- "Print Kairo Gijutsu Binran (Printed Circuit Technology Overview)" (herausgegeben von der Japan Printed Circuit Association, Nikkan Kogyo Shimbun Ltd., 1987) [0158]
- SN-2670 [0210]
- SN-2670 [0214]
- SN-2670 [0218]
- SN-2670 [0222]
- SN-2670 [0234]
- SN-2670 [0256]

Claims

Verfahren zur Bildung eines Resistmusters, das die folgenden Stufen umfasst: Bilden einer Harzschicht und einer Maskenschicht auf einer ersten Oberfläche eines Substrats mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen und Entfernen der Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die Harzschicht von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche des Substrats.
Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß Anspruch 1, wobei die Harzschicht und die Maskenschicht integral gebildet werden.
Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Harzschicht eine photovernetzbare Harzschicht ist.
Verfahren zur Bildung eines Resistmusters gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Substrat mit einer Durchgangsbohrung/Durchgangsbohrungen ein isolierendes Substrat mit einer leitfähigen Schicht an der Oberfläche des Substrats und an der Innenwand einer Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen ist.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (a) Herstellen eines isolierenden Substrats mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen, das eine erste leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen aufweist, (b) Bedecken der ersten leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (c) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche, (d) Unterziehen der photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche einer Musterbelichtung, (e) Bedecken der ersten leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (f) Entfernen der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (g) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der ersten leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche, (h) Unterziehen der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche einer Musterbelichtung, (i) Entfernen der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (j) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche, (k) Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht auf der ersten leitfähigen Schicht, die an der Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche freigelegt worden ist, durch elektrolytisches Metallisieren, (l) Freilegen der ersten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche durch Entfernen der gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche und (m) Entfernen der freigelegten ersten leitfähigen Schicht durch Flash-Ätzen in dieser Reihenfolge.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 5, wobei die Stufe (f) vor der Stufe (e) durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 5, wobei die Stufe (f) vor der Stufe (d) durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 5, wobei die Stufe (g) die Stufen (g1) des Freilegens der ersten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche durch Zuführen der Entfernungs lösung für das photovernetzbare Harz von der ersten Oberfläche und Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und (g2) des Freilegens der ersten leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen der Entfernungslösung für das photovernetzbare Harz von ersten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche umfasst und die Stufe (e) zwischen der Stufe (g1) und der Stufe (g2) durchgeführt wird.
Leiterplatte, umfassend eine Lötaugen-Leitungsschicht, die an einer Peripherie einer Durchgangsbohrung/von Durchgangsbohrungen eines isolierenden Substrats mit der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen gebildet worden ist, eine Schaltkreis-Leitungsschicht, die eine Schaltkreisverdrahtung auf einer Oberfläche des isolierenden Substrats bildet, und eine leitfähige Schicht an einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen, wobei eine äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in einem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, einen Neigungswinkel von weniger als 90 Grad besitzt.
Leiterplatte gemäß Anspruch 9, wobei die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in dem Teil, der nicht mit der. Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, einen Neigungswinkel von 60 bis 80 Grad besitzt.
Leiterplatte gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei ein Unterschied zwischen dem Durchmesser, der durch die äußere Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht gebildet wird, und einem Durchmesser der Durchgangsbohrung/der Durch gangsbohrungen, wenn die Bohrung/die Bohrungen gebildet wird/werden, 0 bis 80 μm beträgt.
Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei der Neigungswinkel der äußeren Seitenfläche der Lötaugen-Leitungsschicht in dem Teil, der nicht mit der Schaltkreis-Leitungsschicht verbunden ist, kleiner als der Neigungswinkel einer Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht ist.
Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei eine Seitenfläche der Schaltkreis-Leitungsschicht den Neigungswinkel von etwa 90 Grad besitzt.
Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei die Lötaugen-Leitungsschicht konzentrisch zu der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen gebildet ist.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (A) Herstellen eines isolierenden Substrats mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen, das eine leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen aufweist, (B) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit einer ersten Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der ersten Harzschicht und der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (C) Freilegen der leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die erste Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen der ersten Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche, (D) Durchführen einer Behandlung, um für eine Beständigkeit gegenüber einer Entfernungslösung für eine zweite Harzschicht zu sorgen, der Harzschicht auf der ersten Oberfläche, (E) Entfernen der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (F) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit einer zweiten Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der zweiten Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (G) Freilegen der leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die zweite Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen der zweiten Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche und (H) Entfernen der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche in dieser Reihenfolge.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (I) Bilden einer Ätzresistschicht auf der freigelegten leitfähigen Schicht, (J) Entfernen der ersten Harzschicht und der zweiten Harzschicht, (K) Bilden von photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, (L) photovernetzendes Härten der photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung, (M) Freilegen der leitfähigen Schicht in einem Muster durch Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, (N) Entfernen der freigelegten leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche durch Ätzen mit einem Ätzmittel und (O) Entfernen der Ätzresistschicht und der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschicht, in dieser Reihenfolge nach den Stufen (A) bis (H) gemäß Anspruch 15.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei die erste Harzschicht ein photovernetzbares Harz ist und die Behandlung, um für Beständigkeit zu sorgen, eine Belichtungsbehandlung ist.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 16 oder 17, wobei die Ätzresistschicht eine Metallschicht ist, die in dem Ätzmittel für die leitfähige Schicht unlöslich ist, und durch Mustermetallisieren gebildet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei die Stufe (E) vor der Stufe (D) durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei die Stufe (E) nach der Stufe (F) durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, das die folgenden Stufen umfasst: (α) Herstellen eines isolierenden Substrats mit einer Durchgangsbohrung/mit Durchgangsbohrungen, das eine leitfähige Schicht auf einer ersten Oberfläche, auf einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche und auf einer Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen aufweist, (β) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (γ) Freilegen der leitfähigen Schicht an einer Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der ersten Oberfläche, (δ) photovernetzendes Härten der photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung, (ε) Bedecken der leitfähigen Schicht und einer Öffnung der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche mit einer photovernetzbaren Harzschicht und einer Maskenschicht durch Bilden der photovernetzbaren Harzschicht und der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (ζ) Entfernen der Maskenschicht auf der ersten Oberfläche, (η) Freilegen der leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangs bohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche, (θ) photovernetzendes Härten der photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche in einem Muster durch Musterbelichtung, (τ) Entfernen der Maskenschicht auf der zweiten Oberfläche, (κ) Freilegen der leitfähigen Schicht auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der zweiten Oberfläche und Entfernen einer nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der zweiten Oberfläche, (λ) Bilden einer Ätzresistschicht auf der leitfähigen Schicht, die auf der Innenwand der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen und auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche freigelegt worden sind, (μ) Freilegen der leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche durch Entfernen der photovernetzend gehärteten photovernetzbaren Harzschichten auf der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, (ν) Entfernen der freigelegten leitfähigen Schicht durch Ätzen und (ξ) Entfernen der Ätzresistschicht in dieser Reihenfolge.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 21, wobei die Stufe (ζ) vor der Stufe (ε) durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß Anspruch 21, wobei die Stufe (ζ) vor der Stufe (δ) durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, wobei die Stufe (η) die Stufen (η1) des Freilegens der leitfähigen Schicht auf der ersten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen der nicht-gehärteten photovernetzbaren Harzschicht auf der ersten Oberfläche und (η2) des Freilegens der leitfähigen Schicht an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche durch Zuführen einer Entfernungslösung für die photovernetzbare Harzschicht von der ersten Oberfläche und Entfernen der photovernetzbaren Harzschicht auf der Durchgangsbohrung/den Durchgangsbohrungen und an der Peripherie der Durchgangsbohrung/der Durchgangsbohrungen auf der zweiten Oberfläche umfasst und die Stufe (ε) zwischen der Stufe (η1) und der Stufe (η2) durchgeführt wird.