DE1058103B - Schaltung zur Umwandlung von einem Transistorkreis zugefuehrten Eingangsimpulsen in Ausgangsimpulse mit praktisch unveraenderlicher Breite und Amplitude - Google Patents
Schaltung zur Umwandlung von einem Transistorkreis zugefuehrten Eingangsimpulsen in Ausgangsimpulse mit praktisch unveraenderlicher Breite und AmplitudeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung
zur Umwandlung einer Reihe von einem Transistorkreis zugeführten Eingangsimpulsen mit
einem einen bestimmten Wert überschreitenden Energieinhalt, wobei die Impulse z. B. durch das Umkippen
von Gedächtniskernen erzeugt werden, in eine entsprechende oder komplementäre Reihe von Ausgangsimpulsen
mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude.
Es sind viele Formen solcher »Impulsbildner« bekannt, die gewöhnlich einen Eingangsschwellwert und
eine Ausgangsbegrenzung haben oder die eine regenerative Rückkopplung benutzen, z. B. Schaltungen mit
einem normalerweise gesperrten Sperrschwinger oder mit einer gesteuerten, bistabilen oder monostabilen
Kippschaltung.
Die Erfindung bezweckt, eine besonders einfache Impulsbildnerschaltung zu schaffen, bei der auf geeignete
Weise die anderweitig bereits beschriebene Erscheinung der Speicherung freier Ladungsträger in ao
der Basiszone eines Grenzschichttransistors benutzt wird. Dabei werden die Eingangsimpulse zwischen
der Basis- und der Emitterelektrode dieses Transistors zugeführt, und sein Kollektor wird mit solchen Prüfimpulsen
gespeist, daß jeder Eingangsimpuls vor einem entsprechenden Prüfimpuls anfängt und vor
diesem Impuls endet, während die mit den entsprechenden Prüfimpulsen anfangenden Ausgangsimpulse dem
Kollektorkreis des Transistors entnommen werden.
Es ist bekannt, daß die Zeit T, während der die von einem Eingangsimpuls erzeugte Ladung gespeicherter
freier Ladungsträger in der Basiszone eines Transistors bestehenbleibt, mit der Diffusionszeitkonstante
Td der Minderheitsladungsträger in der Basiszone zusammenhängt,
welche Zeitkonstante ihrerseits in enger Beziehung zu der Grenzkreisfrequenz des Stromverstärkungsfaktors
des angewandten Transistors steht. Bei einer Schaltungsanordnung mit geerdeter Emitterelektrode
ist also z. B. die Zeit Td von der gleichen Größenordnung wie der Reziprokwert der Grenzkreisfrequenz
des Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktors a des verwendeten Transistors.
Um Ausgangsimpulse mit einer unveränderlichen Amplitude zu erzeugen, müssen die Prüfimpulse jedenfalls
kurzer sein als die Speicherzeitkonstante T des Transistors in der angewandten Grundschaltung. Da
die Eingangsimpulse erheblich kürzer und gegebenenfalls auch langer als die Prüfimpulse sein können, bedeutet
dies, daß die Prüfimpulse kurzer sein müssen als die genannte Zeitkonstante. So
Demgemäß hat die Schaltungsanordnung nach der Erfindung das Merkmal, daß ein Transistor mit einem
Stromverstärkungsfaktor angewandt wird, dessen Grenzfrequenz kleiner ist als diejenige Frequenz,
Schaltung zur Umwandlung
von einem Transistorkreis zugeführten
Eingangsimpulsen in Ausgangsimpulse
mit praktisch unveränderlicher Breite
und Amplitude
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 1. Februar 1957
Niederlande vom 1. Februar 1957
Herman Jacob Heijn, Johannes Arnoldus Samwel
und Theodorus Joannes TuIp,
und Theodorus Joannes TuIp,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
welche dem Reziprokwert der Breite der Prüfimpulse entspricht, und daß ein Trenngleichrichter mit derselben
Durchlaßrichtung wie die der Emitter-Basis-Diodenstrecke des Transistors im Eingangskreis in
Reihe eingefügt ist. Unter diesen Umständen und infolge der durch jeden Eingangsimpuls hervorgerufenen
Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone des Transistors endet jeder Ausgangsimpuls erst mit
dem entsprechenden Prüfimpuls.
Diese Schaltungsanordnung ermöglicht es, eine gute Diskrimmation in bezug auf den Energieinhalt der
Eingangsimpulse zu erzielen. Wenn ein Störimpuls mit umgekehrter Polarität oder mit geringerem
Energieinhalt zwischen den Basis- und Emitterelektroden des Transistors zugeführt wird, wird die Basiszone
tatsächlich nicht oder nicht mit der vollen »Ladung« gespeicherter freier Ladungsträger versehen,
und der entsprechende Ausgangsimpuls wird stark geschwächt und/oder gekürzt und bei hinreichender
Verzögerung des Prüfimpulses gegenüber dem Eingangsimpuls praktisch vollkommen unterdrückt.
Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung eignet sich vorzüglich zum Ablesen der Information in min-
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destens einem Gedächtniskern mittels eines durch eine
Wicklung des Kernes geleiteten Ableseimpulses, der in einer zweiten Wicklung des Speicherkernes einen
Eingangsimpuls mit einem von dem magnetischen Zustand des Kernes abhängigen Energieinhalt erzeugt.
Für diese Anwendung ist die zweite Wicklung des Kernes mit dem Gleichrichter und dem Basis-Emitter-Kreis
des Transistors vorzugsweise über einen Transformator gekoppelt, wodurch die Quelle der Ableseimptilse
beim Übergang des Kernes von einer Sättigungslage in die andere an den Eingangskreis angepaßt
ist. Bei Sättigung des Kernes ist diese Quelle mit dem Eingangskreis jedoch verhältnismäßig schwach
gekoppelt, so daß die Amplitude der Eingangsimpulse, die durch Ableseimpulse erzeugt werden, die den Kern
nicht von einem Sättigungszustand in den anderen überführen, erheblich geschwächt wird. Man kann somit
mittels des Anpassungstransformators und im Falle des Ablesens von Speicherkernen eine noch bessere
Diskrimination in bezug auf systematisch oder nicht systematisch erzeugte Störimpulse erzielen.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung nach der Erfindung schematisch darstellt,
Fig. 2 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Ausführungsbeispiele nach Fig. 1 und 3
zeigt,
Fig. 3 schematisch ein zweites Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung nach der Erfindung zeigt und
Fig. 4 eine Abart der Ausführungsbeispiele der Fig. 1 und 3 zeigt.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 dient zum Ablesen der Information in mindestens einem magnetisehen
Speicherkern. Fig. 1 zeigt einen magnetischen Kern 1, in dem Nachrichten mittels einer nicht dargestellten
Wicklung in Form eines bestimmten magnetischen Zustands aufgezeichnet werden können. Um
diese Information wieder abzulesen und außerdem zu löschen, ist eine Wicklung 2 durch den Speicherkern
geführt. Durch diese Wicklung wird ein sogenannter Ableseimpuls geschickt, beispielsweise und wie links
in Fig. 1 dargestellt, ein positiver Impuls hinreichender Amplitude, um den Speicherkern 1 von einem bestimmten
magnetischen Sättigungszustand in den entgegengesetzten magnetischen Sättigungszustand überzuführen.
Der Kern 1 ist mit einer zweiten Wicklung 3 versehen, die an die Primärwicklung 4 eines Transformators
5 angeschlossen ist. Die Sekundärwicklung 6 dieses Transformators ist einerseits über einen Gleichrichter
7 an die Basiselektrode eines p-n-p-Transistors 8 angeschlossen und andererseits über eine
Schwellwertspannungsquelle mit der Emitterelektrode dieses Transistors verbunden. Die Schwellwertspannungsquelle
enthält eine Batterie 9, deren Minusklemme unmittelbar mit der Emitterelektrode und mit
Erde verbunden ist. während ihre Plusklemme mit dem nicht geerdeten Ende eines regelbaren Spannringstellers
10 verbunden ist. Das andere Ende dieses Spannungsteilers ist geerdet, und seine Anzapfung ist mit
der Sekundärwicklung 6 des Transformators 5 verbunden und durch einen Kondensator 11 entkoppelt.
Schließlich enthält der Eingangskreis der Schaltung noch einen sehr großen Ableitungswiderstand 12^ der
zwischen der Basis des Transistors 8 und der Anzapfung des Spannungsteilers 10 eingeschaltet ist. Die
Durchlaßrichtungen der miteinander in Reihe geschalteten Emitter-Basis-Diodenstrecke des Transistors 8
und der Diode 7 sind dieselben, und die Basis des Transistors 8 wird durch die Schwellwertspannungsquelle
9, 10 in der Sperrichtung polarisiert. Wenn ein Leckstrom durch den Basis-Emitter- und/oder Kollektorelektrodenweg
des Transistors 8 fließt, wird die Diode 7 infolge des Spannungsabfalles über den Ableitwiderstand
12 auch in der Sperrichtung polarisiert. Der Kollektorkreis des Transistors 8 enthält einen Belastungswiderstand
13 in Reihe mit einer Quelle von Prüfimpulsen 15. Die Ausgangsklemmen 17 der Schaltung
sind über einen Trennkondensator 16 mit der Kollektorelektrode des Transistors 8 bzw. direkt mit
Erde verbunden.
Die Quellen der Ablese- und der Prüfimpulse sind derart synchronisiert, daß jeder Eingangs- oder Ableseimpuls
vor einem entsprechenden Prüfimpuls anfängt und endet. Mit entsprechenden Prüfimpulsen anfangende
Ausgangsimpulse können den Ausgangsklemmen 17 entnommen werden.
In Abhängigkeit von der Richtung der Magnetisierung des Speicherkernes wird dieser Kern von einem
Ableseimpuls durch die Wicklung 2 weitergesättigt, wobei der Kern am Ende des Ableseimpulses in seinen
ursprünglichen Zustand zurückkehrt oder hingegen ummagnetisiert und in den entgegengesetzten magnetischen
Sättigungszustand übergeführt wird. Im ersteren Falle treten nur sehr kleine Flußänderungen
auf, so daß ein Paar sehr kleine Spannungsimpulse entgegengesetzter Polarität über der Wicklung 3 erzeugt
werden. Im zweiten Falle ist die Änderung des Flusses in dem magnetischen Speicherkern praktisch
gleich dem Zweifachen des Sättigungsflusses, so daß ein einziger Spannungsimpuls erheblich größerer
Amplitude über der Wicklung 3 erzeugt wird. Dieser Stromimpuls durchfließt die Primärwicklung 4 des
Transformators 5. Er wird von diesem Transformator etwas verschärft übertragen, so daß ein Eingangsimpuls Vi der auf der oberen Zeile der Fig. 2 gezeigten
Form an den Klemmen der Sekundärwicklung 6 auftritt. Diese Zeile fängt links an mit einem großen Ummagnetisierungsimpuls,
dem zwei kleine Störimpulspaare folgen, die durch Ableseimpulse erzeugt werden, die den Kern nicht ummagnetisieren, und endet mit
zwei weiteren, größeren Ummagnetisierungsimpulsen. Ein großer Impuls bedeutet also, daß der Speicherkern
sich in einem solchen Zustand befindet, daß er von dem Ableseimpuls ummagnetisiert wird, während das
Fehlen eines großen Impulses der Information entspricht, daß der Speicherkern sich in einem solchen
magnetischen Zustand befindet, daß er von dem Ableseimpuls nicht ummagnetisiert wird. Während der
Ummagnetisierung weist der Kern zeitlich eine große Permeabilität auf, so daß die Ablesewicklung 2 mit
der zweiten Wicklung 3 stark gekoppelt ist. Wird der Speicherkern hingegen nicht ummagnetisiert, so ist die
Kopplung zwischen der Wicklung2 und der Wicklung 3 sehr schwach, da während des Ableseimpulses
die Permeabilität des Kernes sehr gering bleibt. Das Verhältnis zwischen den betreffenden Anzahlen der
Windungen der Wicklungen 4 und 6 des Transformators 5 ist derart gewählt, daß, falls der Speicherkern
von einem Ableseimpuls von einem Sättigungszustand in den anderen überführt wird, die Quelle der
Ableseimpulse angepaßt ist an den Eingangskreis, der die Reihenschaltung des Emitter-Basis-Elektrodenweges
des Transistors 8, der Diode 7 und der Schwellwert-Spannungsquelle
9,10 und weiter den Ableitungswiderstand 12 enthält. Demgegenüber ist, falls ein Ableseimpuls
den Speicherkern 1 nicht ummagnetisiert, die auf die Klemmen der Wicklung 4 transformierte
Eigenimpedanz der Quelle von Ableseimpulsen verhältnismäßiggroß. Infolgedessen werden die schwachen
Störimpulse bei Übertragung über den Transformator 5 noch stark geschwächt, so daß sie unterhalb des
Schwellwertes der Spannungsquelle 9, 10 liegen. Die zweite Zeile der Fig. 2 zeigt die Stromimpulse I0
durch den Basiskreis des Transistors 8. Es ist ersichtlich, daß nur die verhältnismäßig großen Eingangsimpulse Vi über der Sekundärwicklung 6 des Transformators
5 Stromimpulse I0 erzeugen. Die dritte Zeile zeigt die regelmäßigen, negativen Prüfimpulse Vt, die
von der Quelle 15 von Prüfimpulsen erzeugt werden. Wie gesagt, fängt jeder Ableseimpuls V11 vor einem
entsprechenden Prüfimpuls Vt an und endet auch vor
diesem Impuls. Die Ausgangsimpulse am Kollektor des Transistors 8 sind auf der fünften Zeile der Fig. 2
angegeben. In Anwesenheit eines Eingangsimpulses Vi
hat der entsprechende Ausgangsimpuls V0 nur eine
sehr kleine Amplitude, während bei Abwesenheit eines solchen Eingangsimpulses und bei etwaiger Anwesenheit
eines kleinen Störeingangsimpulses ein großer negativer Ausgangsimpuls erzeugt wird; die Reihe
von Ausgangsimpulsen ist also komplementär zu der Reihe von Eingangsimpulsen. Die vierte Zeile der
Fig. 2 zeigt noch die Stromimpulse durch den Kollektorkreis, der aus dem Widerstand 13 und der Prüfimpulsquelle
15 besteht. Es ist ersichtlich, daß die Reihe von Stromimpulsen Ic zu der Reihe von Eingangsimpulsen
nicht komplementär ist, sondern mit dieser übereinstimmt. Die kleinen Ausgangsimpulse
V0, die bei Anwesenheit eines Eingangsimpulses V1
erzeugt werden, sind auf die Tatsache zurückzuführen, daß sogar, wenn er von einem Eingangsimpuls leitend
gemacht wird, der Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 8 dennoch eine geringe Impedanz aufweist,
über der ein Spannungsabfall auftritt.
Die Eingangsstromimpulse I0, die an der Basis des
Transistors 8 angelegt werden, sind nur kurze, negative Spitzen, und es ist erwünscht, Ausgangsimpulse
konstanter Breite zu erzeugen. Dazu wird eine von jedem Eingangsimpuls mit hinreichendem Energieinhalt
hervorgerufene Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone des Transistors benutzt. Die
Diode 7 bezweckt, ein Wegfließen dieser Ladung durch die niederohmige Sekundärwicklung des Transformators
5 zu verhindern. Diese Ladung kann jedoch nach einer verhältnismäßig langen Zeit über den Widerstand
12 und einen Teil des Spannungsteilers 10 abfließen und wird normalerweise von dem erzeugten Kollektorstromimpuls
weggesogen. Für bestimmte Zwecke, z. B. wenn das Anlegen eines Prüfimpulses an den Kollektor
des Transistors von irgendeiner Funktion abhängig gemacht wird, ist es gewünscht, den Widerstand 12
derart zu bemessen, daß die von einem Eingangsimpuls in der Basiszone des Transistors 8 erzeugte Ladung
vor dem Anfang des, auf den entsprechenden Prüfimpuls folgenden, etwaigen Prüfimpulses über diesen
Widerstand praktisch vollkommen abgeleitet ist; wird diese Bedingung nicht erfüllt, so kann ein Eingangsimpuls auch in Abwesenheit eines entsprechenden
Prüfimpulses einen Ausgangsimpuls zur Zeit des nachfolgenden Prüfimpulses erzeugen und somit die Anwesenheit
eines etwa fehlenden, weiteren Eingangsimpulses vortäuschen. Die gespeicherte Menge freier
Ladungsträger muß jedoch möglichst groß sein, um eine sehr zweckdienliche Steuerung des Transistors zu
erzielen und durch Kollektorstromsättigung begrenzte Stromimpulse Ic mit praktisch flachem Scheitel zu erzeugen.
Dies wird dadurch erzielt, daß ein Transistor 8 mit einem Stromverstärkungsfaktor verwendet wird,
dessen Grenzkreisfrequenz kleiner ist als diejenige Frequenz, welche dem Reziprokwert der Breite des
Prüfimpulses Vt entspricht. Anders gesagt ist der
Transistor 8 ein solcher mit verhältnismäßig niedriger Grenzfrequenz des Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktors
a. Ein derartiger Transistor kann die kurzen Eingangsstromimpulse I0 nicht unverformt
wiedergeben. Jeder solcher Eingangsimpulse erzeugt in der Basiszone eine Speicherung freier Ladungsträger,
wodurch der Transistor kurzzeitig als Gedächtnis arbeitet, bis der Ladungsinhalt der Basiszone
durch einen Ausgangsstromimpuls weggesogen wird oder abgeflossen ist. Dieses Wegsaugen erfolgt jeweils
kurzzeitig nach dem Eintreffen eines Eingangsimpulses mittels eines Prüfimpulses der den Kollektor in die
Sperrichtung polarisiert. Dies hat zur Folge, daß jeder Ausgangsstromimpuls erst mit dem entsprechenden
Prüfimpuls endet, so daß an den Ausgangsklemmen 17 eine komplementäre Reihe von Ausgangsimpulsen
mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude erzeugt wird.
Das zweite, in Fig. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel ist eine »Und«-Schaltung. Die Ablesewicklung 2
ist durch zwei Gedächtniskerne 1 und 1' gezogen, wobei die bezüglichen zweiten Wicklungen 3 und 3' miteinander
in Reihe geschaltet sind. Anstatt der Basis des Transistors 8 ist die Diode 7 mittels der Schwellwertquelle
9, 10 polarisiert, und ein Kondensator 18 ist zwischen der Basis- und der Emitterelektrode des
Transistors eingeschaltet. Dieser Kondensator dient dazu, eine größere Basiskapazität des Transistors 8
nachzuahmen, wodurch die Gedächtniswirkung langer dauert. Die Polarisation der Diode 7 mit einer
Schwellwertspannung statt einer Polarisation des Basis-Emitter-Kreises des Transistors 8 führt keinen
großen Unterschied in der Wirkungsweise der Schaltung herbei. Auch in diesem Falle wird die Basis-Emitter-Diodenstrecke
des Transistors 8 beim Auftreten eines etwaigen Leckstromes über die Diode 7 durch den Spannungsfall über den Widerstand 12 in
der Sperrichtung polarisiert. Um eine noch bessere Diskrimination gegenüber etwaigen scharfen und
kurzen Störimpulsen mit verhältnismäßig geringem Energieinhalt zu erzielen, können Kondensatoren 19
bzw. 20 mit der Primärwicklung 4 des Transformators 5 und/oder mit der Sekundärwicklung 6 dieses
Transformators parallel geschaltet werden. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel enthält der Kollektorkreis
des Transistors 8 auch einen Belastungswiderstand 13 in Reihe mit der Sekundärwicklung 23 eines
Prüfimpulstransformators 22, dessen Primärwicklung 21 an die Prüfimpulsquelle 15 angeschlossen ist. Der
Widerstand 13 ist einerseits an Erde angeschlossen, so daß die über diesem Widerstand erzeugten Ausgangsspannungsimpulse
V0 (s. sechste Zeile von Fig. 2) mit den Stromimpulsen I0 übereinstimmen. Man erhält somit
eine der Reihe von Eingangsimpulsen entsprechende Reihe von Ausgangsimpulsen mit praktisch
unveränderlicher Breite und Amplitude.
Eine Abart der Schaltungen der Fig. 1 und 3 ist in Fig. 4 veranschaulicht. Bei dieser Abart ist der Transistor
8 mit geerdeter Basis geschaltet, und die Eingangsimpulse werden über die Diode 7 der Emitterelektrode
zugeführt. Dabei sind die Durchlaßrichtung der Diode 7 und die Polarität der Eingangsimpulse V{
und Ie gegenüber V1 und I0 umgewechselt. Außerdem
ist die Schwellwertspannungsquelle 9, 10 weggelassen. Mit dieser Schaltung ist die Speicherung freier
Ladungsträger in der Basiszone bedeutend weniger wirksam, da die Zeit T, während der die von einem
lngangsimpuls erzeugte Ladung freier Ladungsträger
estehen bleibt, in diesem Falle von gleicher Größenrdnung ist wie der Reziprokwert der Grenzkreisrequenz
des Emitter-Kollektor-Stromverstärkungsaktors ζ des angewandten Transistors. Bei einem S
irenzschichttransistor liegt diese Grenzfrequenz bedeutend
höher als die Grenzkreisfrequenz seines Basis- ^ollektor-Stromverstärkungsfaktors a, so daß sich
lie Abart nach Fig. 4 nur für kurze Eingangsimpulse ignet und nur zur Erzeugung verhältnismäßig kurzer
^.usgangsimpulse anwendbar ist. Außerdem ist sie beleutend
weniger empfindlich als die Schaltung mit geerdeter Emitterelektrode; sie kann jedoch durch sehr
;urze Eingangsimpulse gesteuert werden und kann .omit unter Umständen besser geeignet sein als die
schaltung mit geerdetem Emitter, z. B. in Rechennaschinen mit sehr hoher Arbeitsfrequenz oder bei
;ehr hoher Wiederholungsfrequenz der Prüfimpulse.
Claims (7)
1. Schaltung zur Umwandlung einer Reihe von Eingangsimpulsen mit einem einen bestimmten
Wert überschreitenden Energieinhalt in eine entsprechende oder komplementäre Reihe von Ausgangsimpulsen
mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude, wobei die Eingangsimpulse zwischen der Basis- und der Emitterelektrode eines
Transistors zugeführt werden und der Kollektor dieses Transistors mit solchen Prüfimpulsen gespeist
wird, daß jeder Eingangsimpuls vor einem entsprechenden Prüfimpuls anfängt und endet,
während die mit den entsprechenden Prüfimpulsen anfangenden Ausgangsimpulse dem Kollektorkreis
des erwähnten Transistors entnommen werden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor angewandt
wird, der einen Stromverstärkungsfaktor besitzt, dessen Grenzkreisfrequenz kleiner ist als
diejenige Frequenz, welche dem Reziprokwert der Breite der Prüfimpulse entspricht, und daß ein
Trenngleichrichter mit der gleichen Durchlaßrichtung wie die der Emitter-Basis-Diodenstrecke des
Transistors im Eingangskreis in Reihe eingefügt ist, so daß infolge der durch jeden Eingangsimpuls
hervorgerufenen Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone des Transistors jeder Ausgangsimpuls
erst mit dem entsprechenden Prüfimpuls endet.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des erwähnten
Transistors mit seiner Emitterelektrode verbunden ist über einen Ableitwiderstand (12) solcher Größe,
daß die in der Basiszone des Transistors durch den Eingangsimpuls gespeicherten freien Ladungsträger
vor dem Anfang des auf den entsprechenden Prüfimpuls etwa folgenden Prüfimpulses über
diesen Widerstand praktisch vollkommen abgeflossen sind.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Gleichrichter
oder die erwähnte Emitter-Basis-Diodenstrecke durch eine Schwellwertspannungsquelle (9,10) in
der Sperrichtung derart polarisiert ist, daß die Schaltung gegen Eingangsimpulse mit einer die
Schwellwertspannung unterschreitenden Amplitude unempfindlich wird.
4. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, zum Ablesen der Information
in mindestens einem magnetischen Gedächtniskern mittels eines durch eine Wicklung
des Gedächtniskernes geleiteten Ablesestromimpulses, der in einer zweiten Wicklung des
Gedächtniskernes einen Eingangsimpuls mit einem von dem magnetischen Zustand des Kernes abhängigen
Energieinhalt erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Wicklung des Kernes mit
dem Gleichrichter und dem Basis-Emitter-Kreis des Transistors über einen Transformator (5) gekoppelt
ist, wodurch die Quelle der Ableseimpulse beim Umkippen des Kernes von einem Sättigungszustand
in den anderen an den Eingangskreis angepaßt ist, während sie bei Sättigung des Kernes
mit dem Eingangskreis verhältnismäßig schwach gekoppelt ist, so daß die Amplitude der Eingangsimpulse, die von Ableseimpulsen erzeugt werden,
die den Kern nicht von einem Sättigungszustand in den anderen überführen, ansehnlich geschwächt
wird.
5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (19 bzw. 20) mit
mindestens einer der Wicklungen des erwähnten Transformators parallel geschaltet ist.
6. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der erwähnte Transistor mit geerdetem Emitter geschaltet ist, so daß die Breite der Prüfimpulse
durch den Reziprokwert der Grenzkreisfrequenz seines Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktors beschränkt wird.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erniedrigung der erwähnten
Grenzkreisfrequenz ein Kondensator (18) zwischen der Basis- und der Emitterelektrode des erwähnten
Transistors eingeschaltet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Publication number | Publication date |
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US3053994A (en) | 1962-09-11 |
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