DE1028616B - Einrichtung mit einer Anzahl durch Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente - Google Patents

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung mit einer Anzahl durch Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente. Bei bekannten Einrichtungen dieser Art werden z. B. Magnetkerne verwendet, bei denen unter dem Einfluß eines Steuerimpulses (Zeitimpulses) das Vorzeichen des remanenten Magnetismus geändert werden kann, so daß in einer »Ablese«-Wicklung entsprechend dem ursprünglichen Magnetisierungszustand gegebenenfalls ein Impuls erzeugt wird. Auch hat man bereits zum gleichen Zweck Kristallgleichrichter verwendet, bei denen die Anwesenheit oder Abwesenheit freier Ladungsträger als Speicherkennzeichen gilt.

Diesen Einrichtungen haftet der Nachteil an, daß, obwohl von den Zeitimpulsen Energie für das Umkippen von dem einen in den anderen Speicherzustand geliefert wird, die Ablese-Impulse immer einen geringeren Energieinhalt bzw. eine geringere Stromamplitude als die sogenannten »Speicher«-Impulse haben, mit denen die Speicherelemente in einen bestimmten Speicherzustand geführt werden. Infolgedessen sind vielfach zusätzliche Verstärkerelemente bzw. Transformatoren erforderlich, wenn man z. B. den erzeugten Ableseimpuls unmittelbar als Speicherimpuls eines folgenden Speicherelementes zu verwenden wünscht, wie es z. B. bei Verschiebungsregistern und Zählschaltungen elektrischer Rechenmaschinen zutrifft.

Auch verwendet man vielfach elektrische Kippschaltungen als Speicherelemente. Diese können z. B. mit Elektronenröhren, Spitzenkontakt- bzw. Schichttransistoren ausgerüstet sein. In der Praxis haben sich Spitzenkontakttransistoren für das verfolgte Ziel oft nicht bewährt. Der Verwendung von Elektronenröhren haftet der Nachteil eines höheren Energieverlustes an, und Schichttransistoren weisen den Nachteil auf, daß die Schaltfrequenz auf einen Wert beschränkt ist, der niedriger als der bei der Einrichtung nach der Erfindung zulässige ist.

Die Erfindung schafft eine Speichereinrichtung, bei der wesentliche Vorteile gegenüber bekannten Einrichtungen erhalten werden und die demgegenüber auf vollkommen verschiedenen Grundsätzen beruht. Sie ist durch Transistoren gekennzeichnet, deren Emitter-Kollektor-Kreise von den Steuerimpulsen so gespeist werden, daß entsprechend dem Vorhandensein eines als Speichermerkmal fungierenden freien Ladungsinhaltes in der Basiszone eines jeden Transistors ein Stromimpuls erzeugt wird, der in Reihe über eine die Basiselektrode auf schwebendem Potential haltenden Gleichrichter mit der gleichen Durchlaßrichtung wie diese Basiselektrode durch die Basiselektrode eines folgenden Transistors hindurchgeführt

Einrichtung mit einer Anzahl

durch Steuerimpulse gesteuerter

elektrischer Speicherelemente

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 7. Dezember 1955

Heine Andries Rodrigues de Miranda,

Theodoras Joannes TuIp
und Wilhelmus Antonius Joseph Marie Zwijsen,

Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden

wird und einen freien Ladungsinhalt in der Basiszone dieses folgenden Transistors erzeugt.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß in der Basiszone der Transistoren eine beträchtliche Speicherung freier Ladungen mit einem verhältnismäßig geringen Energie- und Stromaufwand erfolgen kann. Dieser Ladungsinhalt frei beweglicher Elektronen und Löcher wird eine verhältnismäßig lange Zeit, z. B. etwa 50 MikroSekunden, beibehalten, und zwar um so länger, je geringer die Rekombinationsgeschwindigkeit der Elektronen- und Löcherpaare in der Basiszone ist. Wird nun dem Kollektor eines Transistors mit einem solchen freien Ladungsinhalt in der Basiszone ein Steuerimpuls zugeführt, so wird der Transistor stromführend, aber nur zu einem sehr geringen Teil auf Kosten des freien Ladungsinhaltes in der Basiszone, weil der Emitter des Transistors während dieser Stromführung neue freie Ladungen in die Basiszone emittiert. Dieser »Ablesestromimpuls« ist also beträchtlich größer als der »Speicherstromimpuls«, mit dessen Hilfe der freie Ladungsinhalt in der Basiszone erzeugt wurde, und die Zeit zwischen diesen zwei Impulsen ist durch die Rekombinationszeit der Elektronen- und Löcherpaare in der Basiszone, also z. B. 50 Mikrosekunden, beschränkt, was

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in der Praxis oft reichlich genügt. Um diese Wirkungen auszunutzen, soll sich die Basiselektrode aber, insbesondere während des Auftretens des Steuerimpulses, auf schwebendem Potential befinden; dies bewirkt der genannte Basis-Reihengleichrichter, über den der Speicherstromimpuls geführt wird.

Die Erfindung wird an Hand einiger in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.

g g , g g

Fig. 5 zeigt eine Abwandlung der Schaltung ge-

mäß Fig. 4;

Fig. 6 zeigt ein anderes für ein Verschiebungs-

register geeignetes Beispiel der Erfindung;

zum Kollektor des Transistors 2, wodurch ein Spannungsabfall am Emitterwiderstand 6 erzeugt wird, der dem Zeitimpuls K₂ im wesentlichen entspricht, so daß ein entsprechender Stromimpuls über den Gleich5 richter 10 die Basis des Transistors 3 durchfließt.

Der erst in der Basiszone des Transistors 1 vorhandene freie Ladungsinhalt hat deshalb nach dem Auftreten des Zeitimpulses K₁ einen freien Ladungsinhalt in der Basiszone des Transistors 2 und dieser Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung io seinerseits, nach dem Auftreten des Zeitimpulses K₂, für ein Verschiebungsregister; einen freien Ladungsinhalt in der Basiszone des Tran-

Fig. 2 und 3 zeigen gegenüber Fig. 1 verbesserte sistors 3 verursacht. Nach dem Auftreten des überdies Verschiebungsregister; ■ dem Kollektor des Transistors 3 zugeführten Zeit-

Fig. 4 zeigt eine Variante des Verschiebungs- impulses K₁ wird somit ein freier- Ladungsinhalt in registers von Fig. 1, die sich als Ringzähler eignet; 15 der Basiszone des Transistors 4 erzeugt, usw. Dieser F A Shl als positives Speichermerkmal fungierende freie La-

dungsinhalt in den Basiszonen wird somit nach jedem Zeitimpuls dem folgenden Transistor weitergegeben.

gg p Haben einer oder einige der Transistoren keinen

Fig. 7 zeigt eine Abwandlung der Schaltungen der 20 freien Ladungsinhalt in den Basiszonen, so wird auch Fig. 4 und 5 mit Transistoren von entgegengesetztem kein Stromimpuls zur Basis des nächsten Transistors Leitfähigkeitstyp. zugeführt, so daß auch dieses negative Speicher-

Das Verschiebungsregister nach Fig. 1 enthält als merkmal dem nächsten Transistor weitergegeben wird. Speicherelemente eine Anzahl p-n-p-Transistoren 1, 2, Diese Einrichtung eignet sich somit als Verschie-

3,4 usw., z. B. von der Art O.A. 72, deren Kollektor- 25 bungsregister.

elektroden abwechselnd von in ungleichen Zeitpunkten Wird der Basis des Transistors 1 gemäß einer beauftretenden negativen Steuerimpulsen (Zeitimpul- stimmten Kodierung gegebenenfalls ein freier Lasen) K₁ und K₂ gespeist werden. Diese Zeitimpulse dungsinhalt in Reihenfolge aufgedrückt, so wird dieses werden von Generatoren mit einem vernachlässig- Signal zufolge der Zeitimpulse zu den folgenden baren inneren Widerstand geliefert. Dabei fehlt eine 30 Speicherelementen weitergeschoben. Auch kann gegewöhnlich bei Transistorschaltungen verwendete wünschtenfalls gemäß einer bestimmten Kodierung Speisegleichspannungsquelle. z. B. den Basiselektroden einer Anzahl Transistoren

Die Emitter der Transistoren liegen über Wider- gleichzeitig ein freier Ladungsinhalt aufgedrückt stände 5., 6, 7 bzw. 8 von z. B. 100 Ω an Erde und sind werden, z.B. dadurch, daß den betreffenden Basisüber Gleichrichter 9, 10 und 11, z. B. von der Art 35 elektroden ein negativer Impuls zugeführt wird; an-O.A. 71 oder O.A. 81, mit den Basiselektroden folgen- schließend rückt das in dieser Weise im Register ge-

speicherte Signal nach jedem Zeitimpuls um ein Speicherelement weiter auf.

Angenommen worden ist, daß der freie Ladungs-

Die Wirkungsweise der Einrichtung ist folgende: ₄₀ inhalt eines jeden Transistors bereits in dem Zeitraum Angenommen, daß in der Basiszone des Transistors 1 zwischen zwei einem Transistor zugeführten Zeitein freier Ladungsinhalt erzeugt worden ist, z. B. in- impulsen verschwunden ist. Dies würde bedeuten, daß dem die Basis kurzzeitig negativ in bezug auf den dieser Zeitabstand etwa der genannten Rekombina-Emitter gemacht wird, so wird im Augenblick, in dem tionszeit entsprechen sollte. Vielfach ist es aber erder Zeitimpuls K₁ auftritt, ein Strom von dem Emitter 45 wünscht, diesen freien Ladungsinhalt bereits früher zum Kollektor durchgelassen. Dieser Strom erzeugt aufzuheben. Zu diesem Zweck können innerhalb der über dem Emitterwiderstand 5 einen Spannungsabfall, genannten Zeitabstände positive Radier- oder Löschder über den Gleichrichter 9 einen Stromimpuls durch impulse über Trenngleichrichter zu den Basiselektrodie Basis des Transistors 2 fließen läßt. Da der KoI- den der Transistoren zugeführt \verden. Eine geeignete lektor des Transistors 2 dann Erdpotential hat (der 50 Weise, um dies zu bewirken, ist in Fig. 2 veranschau-Zeitimpuls K₂ tritt ja in anderen Zeitpunkten als der licht. Die Rückflanken der Zeitimpulse K₁ bzw. K₂ Zeitimpuls K₁ auf), durchfließt dieser Basisstrom- werden dabei mittels Kondensatoren 15,16,17, z.B. impuls den Emitter und zu einem bedeutenden Teil von 4000 pF, und Widerständen 18,19, 20, z. B. von auch den Kollektor des Transistors 2. Der genannte 1 kQ, differenziert und über Trenngleichrichter 21, 22, Stromimpuls löst in der Basiszone des Transistors 2 55 23 den unterschiedlichen Basiselektroden zugeleitet, freie Ladungsträger in Form von Elektronenlöcher- Die einem Zeitimpuls K₁ zugeordneten Widerstandspaaren aus.

Nach Ablauf des Zeitimpulses K₁ endet außerdem
der Stromimpuls durch die Basis des Transistors 2, so
daß die Basis dann infolge der Sperrwirkung des 60
Gleichrichters 9 ein weitgehend beliebiges negatives
Potential anzunehmen vermag; mit anderen Worten,
diese Basis befindet sich auf schwebendem Potential;
der freie Ladungsinhalt der Basiszone wird dabei
aber während der Rekombinationszeit der Elektronen- 65 gewandelt werden, daß der Ausgang der Transistorlöcherpaare beibehalten. kaskade mit seinem Eingang gekoppelt wird. Ein ein-Im Augenblick des Auftretens des Zeitimpulses K₂, faches Beispiel eines solchen Ringzählers stellt die in so daß der Kollektor des Transistors 2 negativ ge- Fig. 4 dargestellte Kippschaltung mit zwei Transimacht wird, ermöglicht dieser freie Ladungsinhalt in stören dar. Die Transistoren 31 und 32 sind dabei der Basiszone einen Stromdurchgang von dem Emitter 70 über Gleichrichter 33 und 34 zwischen der Basis des

der Transistoren verbunden. Die Polaritäten der Gleichrichter entsprechen dabei denen der ihnen zugeordneten Basiselektroden.

Kapazitäts-Kombinationen 15-18 und 17-20 können dabei, wie in Fig. 3 dargestellt, zu einer Kombination 27-28 vereinigt werden.

Bei einer praktischen Ausbildung mit den vorgenannten Werten betrug die Impulswiederholungsfrequenz 50 kHz, die Impulsbreite 5 Mikrosekunden.

Die in den Fig. 1 und 2 dargestellten Verschiebungsregister können dadurch in einen Ringzähler um-

5 6

einen und dem Emitter des anderen Transistors mit- Zeitimpuls K₁ abgeleitet werden, wie an Hand von

einander gekoppelt. Ihren Kollektoren werden wieder Fig. 3 beschrieben.

in ungleichen Zeitpunkten die ZeItImPuISeX₁ und K₂ Die Wirkungsweise der Einrichtung ist folgende:

zugeleitet. Besitzt der Transistor 45 einen freien Ladungsinhalt

Die Wirkungsweise ist folgende: Angenommen, daß 5 in seiner Basiszone, so wird beim Auftreten des ZeitdieBasiszone des Transistors 31 einen freienLadungs- impulses K₁ ein Strom die Wicklung 46 durchfließen, inhalt besitzt, so wird beim Auftreten des Zeit- der den Magnetkern 47 in einen entsprechenden Maimpulses K₁ dieser freie Ladungsinhalt einen Strom- gnetisierungs'zustand bringt. Im Zeitpunkt, in dem durchgang durch den Transistor 31 mit seinem der Zeitimpuls K₂ auftritt, wird das Vorzeichen dieses Emitterwiderstand 35 ermöglichen, so daß über io Magnetisierungszustandes geändert, so daß in der Gleichrichter 34 ein freier Ladungsinhalt in der Basis- Wicklung 49 ein entsprechender Impuls erzeugt wird, zone des Transistors 32 erzeugt wird. Infolgedessen der über Gleichrichter 50 einen freien Ladungsinhalt wird zur Zeit, während der der Zeitimpuls K₂ auftritt, in der Basiszone des Transistors 51 erzeugt. Im Zeitder Transistor 32 leitend, und durch den Spannungs- punkt, in dem wieder der Zeitimpuls K₁ auftritt, wird abfall an seinem Emitterwiderstand 36 und Gleich- 15 die Kollektorwicklung 53 des Transistors 51 von einem richter 33 wird er seinerseits einen freien Ladungs- Strom durchflossen, der den entsprechenden Magnetinhalt in der Basiszone des Transistors 31 bewirken. kern 54 in einen entsprechenden Magnetisierungs-Die Transistoren 31 und 32 werden also abwechselnd zustand bringt. Der darauffolgende Zeitimpuls K₃ leitend. hebt anschließend über den Gleichrichter 52 den freien

Fig. 5 zeigt eine solche Kippschaltung mit einer 20 Ladungsinhalt des Transistors 51 wieder auf. Auf Kollektor-Basis-Kopplung zwischen den Transistoren dem Kern 54 sind wieder gleiche Wicklungen wie auf 31 und 32 über Gleichrichter 39 und 40; beim Vor- dem Kern 47 angeordnet, so daß die Einrichtung als handensein eines freien Ladungsinhaltes in der Basis- ein Verschiebungsregister für Signale fungiert,
zone des Transistors 31 wird ein Strom von diesem Durch Einschaltung eines Regelwiderstandes par-Transistor durchgelassen, der an dem Kollektor- 25 allel zur Emitter-Kollektor-Strecke der Transistoren widerstand 41 einen annähernd dem Wert des Zeit- 45., 51 ... (nicht dargestellt) wird beim Auftreten des impulses K₁ entsprechenden Spannungsabfall bewirkt, Zeitimpulses K₁ ein Vorstrom in den Kernen 47, 54 so daß der Basis des Transistors 32 ein vernachlässig- erzeugt, der an und für sich nicht so groß sein darf, bar kleiner Impuls zugeführt wird, der somit nicht um den Kern umzumagnetisieren, jedoch die Umimstande ist, einen bedeutenden freien Ladungsinhalt 30 Schaltempfindlichkeit beträchtlich steigert,
in der Basiszone des Transistors 32 zu erzeugen. Die geschilderten Einrichtungen können auch Kom-Nötigenfalls kann mittels einer kleinen positiven binationen von n-p-n- und p-n-p-Transistoren ent-Schwellwertspannung einer Quelle 42 dieser Impuls halten. In Fig. 7 ist eine Kippschaltung mit einer solvöllig unterdrückt werden. Hätte dagegen der Transi- chen Kombination dargestellt. Diese besitzt einen stör 31 keinen freien Ladungsinhalt in seiner Basis- 35 Transistor 58 von der p-n-p-Art, dem negative Zeitzone, so würde der Zeitimpuls K₁ über den Gleich- impulse K₁ zugeführt werden, sowie einen Transistor richter 39 einen freien Ladungsinhalt in der Basiszone . 59 vom n-p-n-Typ, dem in anderen Zeitpunkten aufdes Transistors 32 erzeugen, wonach der Zeitimpuls K₂ tretende positive Zeitimpulse K₂ zugeleitet werden, keine weitere Änderung dieses Zustandes bewirken Die Emitter der beiden Transistoren sind mittels würde. Zum Unterschied von den üblichen Kipp- +0 eines gemeinsamen Emitterwiderstandes 60 miteinschaltungen mit einer Kollektor-Basis-Kopplung bleibt ander gekoppelt; die Basiselektroden liegen über hier also gerade beim Auftreten der Impulse immer Gleichrichter 61 bzw. 62, deren Durchlaßrichtungen nur ein Transistor leitend. denen der ihnen zugeordneten Basiselektroden ent-

Selbstverständlich kann auch bei diesen Schaltungs- sprechen, an Erde. Hat der Transistor 58 einen freien anordnungen nach den Fig. 4 und 5 nach Ablauf eines 45 Ladungsinhalt, so wird beim Auftreten des Zeitjeden Zeitimpulses der verbleibende freie Ladungs- impulses K₁ der am Widerstand 60 erzeugte Spaninhalt mittels eines entgegengesetzten Impulses an der nungsabfall über den Gleichrichter 62 in der Basis Basis aufgehoben werden. des Transistors 59 einen freien Ladungsinhalt in seiner

Die geschilderten Schaltungsanordnungen haben die Basiszone erzeugen. Demnach wird beim Auftreten

Eigenschaft, daß sich die Speicherung nur eine be- 5° des Zeitimpulses K₂ in entsprechender Weise ein freier

schränkte Zeit hält. Wünscht man diese Speicherung Ladungsinhalt in der Basiszone des Transistors 58

eine im wesentlichen unbestimmte Zeit zu halten, so erzeugt, usw. Die Transistoren 58 und 59 sind somit

können z.B. statische magnetische Kippschaltelemente wieder abwechselnd leitend bzw. vollständig nicht-

verwendet werden, z. B. wie in Fig. 6 dargestellt. Der leitend, wenn kein anfänglicher freier Ladungsinhalt

Kollektor des Transistors 45 ist dabei über eine Wick- 55 da wäre.

lung 46 mit einem Magnetkern 47 mit einer Quelle Neben den geschilderten Schichttransistoren, die verbunden, der ein negativer Zeitimpuls K₁ zugeführt nach Umkehrung der Polaritäten sämtlicher Gleichwird. Auf diesem Kern 47 ist außerdem eine Wick- richter und sämtlicher Spannungen auch von Transilung 48 angeordnet, der ein Zeitimpuls K₂ zugeführt stören von entgegengesetztem Typ ersetzt werden wird, und weiter ist eine dritte Wicklung 49 auf dem ⁶° können, kommen auch Transistoren von dem Strom-Kern 47 über einen Gleichrichter 50 mit der Basis verstärkungstyp (Kollektor-Emitter-Stromverstäreines folgenden Transistors 51 der Schaltungsanord- kungsgrad größer als 1) in Betracht. Die gegen nung verbunden. Zu dieser Basis wird weiter über Spitzenkontakttransistoren bestehenden Bedenken sind einen Gleichrichter 52 ein positiver Zeitimpuls K₃ dabei viel weniger schwerwiegend als bei üblichen zugeführt, dessen Bezugspotential zweckmäßig negativ 65 Kippschaltungen, weil der sie durchfließende Strom ist, so daß also ein Schwellwert für den Gleichrichter nach jedem Zeitimpuls wieder zu Null wird. Der Vor-52 vorhanden ist. Die Zeitimpulse K₀, K₁ und K₃ teil stromverstärkender Transistoren besteht in der treten nacheinander in der erwähnten Reihenfolge auf. hohen Schaltempfindlichkeit, weil die schwebende Ba-Der Zeitimpuls K₃ kann gewünschtenfalls wieder sis bekanntlich eine starke Mitkopplung bewirkt und mittels eines differenzierenden Netzwerkes aus dem 70 den Transistor dabei sinngemäß in ein bistabiles Kipp-

element umwandelt. Gewünschtenfalls können auch Phototransistoren Anwendung finden, bei denen der anfängliche freie Ladungsinhalt z. B. durch Lichtimpulse erzeugt wird.

Claims (13)

PatentANSPKüCHE:

1. Einrichtung mit einer Anzahl durch Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente, gekennzeichnet durch Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Kreise von den Steuerimpulsen so ge- ίο speist werden, daß entsprechend dem Vorhandensein eines als Speichermerkmal fungierenden freien Ladungsinhaltes in der Basiszone eines jeden Transistors ein Stromimpuls erzeugt wird, der in Reihe über einen die Basiselektrode auf schwebendem Potential haltenden Gleichrichter mit der gleichen Durchlaßrichtung wie diese Basiselektrode durch die Basiselektrode eines folgenden Transistors hindurchgeführt wird und einen freien Ladungsinhalt in der Basiszone dieses folgenden Transistors erzeugt.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach Ablauf eines jeden Steuerimpulses bei einem Transistor zur Basis dieses Transistors ein den freien Ladungsinhalt vertreibender Löschimpuls zugeführt wird.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Löschimpuls mittels eines differenzierenden Netzwerkes von dem Steuerimpuls abgeleitet wird.

4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerimpuls mittels eines gemeinsamen differenzierenden Netzwerkes· (27-28) einen Löschimpuls für 'einer gleichen Steuerimpulsleitung zugeordnete Transistoren erzeugt, der über Trenngleichrichter den unterschiedlichen Transistoren zugeführt wird (Fig. 3).

5. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Löschimpuls (K₃) über Gleichrichter den betreffenden Basiselektroden zugeleitet wird und ein Bezugspotential hat, dem ein Schwell wert für die genannten Gleichrichter entspricht (Fig. 6).

6. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter über Widerstände mit Erde und über die betreffenden Gleichrichter mit den Basiselektroden des folgenden Transistors verbunden sind und daß die Kollektoren aufeinanderfolgender Transistoren abwechselnd von einem Steuerimpuls gespeist werden (Fig. 1, 2 und 3).

7. Einrichtung nach Anspruch 6 mit zwei Transistoren, gekennzeichnet durch Kreuzverbindungen zwischen den Emitter- und den Basiselektroden über die betreffenden Gleichrichter (Fig. 4).

8. Einrichtung nach einem der Ansprüche Ibis 5 mit zwei Transistoren, gekennzeichnet durch Kreuzverbindungen zwischen den Kollektor- und den Basiselektroden der Transistoren über die betreffenden Gleichrichter, wobei die Emitter der Transistoren an Erde liegen und den Kollektoren abwechselnd auftretende Steuerimpulse über Widerstände zugeleitet werden (Fig. 5).

9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kreis der genannten Gleichrichter (39 und 40) eine geringe Schwellwertspannung (42) zugeführt wird.

10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Transistoren von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp verwendet sind.

11. Einrichtung nach Anspruch 10 mit zwei Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter über einen gemeinsamen Widerstand an Erde liegen und die Basiselektroden über die betreffenden Gleichrichter ebenfalls an Erde liegen, wobei den Kollektoren abwechselnd Steuerimpulse zugeführt werden (Fig. 7).

12. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Kopplung mit statischen Speicherelementen, insbesondere statischen magnetischen Kippschaltelementen, in denen ein Speichersignal dauernd aufspeicherbar ist.

13. Einrichtung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch zwischen die Transistoren geschaltete statische magnetische Kippschaltelemente, denen ein Impuls (K₂) zugeführt wird, der den Magnetkreis eines Kippschaltelementes in den einen Remanenzzustand führt, und bei denen eine dem jeweiligen Magnetkreis zugeordnete Speicherwicklung mit dem Ausgang eines vorangehenden Transistors verbunden ist und eine ebenfalls diesem Kreis zugeordnete Ablesewicklung über den betreffenden Gleichrichter mit der Basis eines folgenden Transistors verbunden ist (Fig. 6).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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