DE1035280B - Image storage screen for Braun tubes and process for the production of the storage screen - Google Patents

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung bezieht sich auf einen Bildspeicherschirm für Braunsche Röhren, bestehend aus einem elektrisch leitenden, optisch durchlässigen Gitter mit einer einseitigen' Schicht aus dielektrischem Stoff. Solche Speicherschirme werden in geringer Entfernung vor dem Lumineszenzschirm angeordnet, auf dem das optisch sichtbare Bild entsteht. Die optisch durchlässige dielektrische Schicht befindet sich auf der dem Lumineszenzschirm abgewandten Seite des Gitters. Während bei speicherlosen Röhren das Bild dadurch erzeugt wird, daß der nach einem Programm in beiden Koordinaten abgelenkte und in seiner Intensität modulierte, optisch konzentrierte Schreibstrahl unmittelbar auf den Lumineszenzschirm fällt, erzeugt dieser Schreibstrahl bei Speicherrohren auf dem Dielektrikum des Speichers elektrische Ladungen, die an jeder getroffenen Stelle von der Intensität des Schreibstrahles abhängen, so daß auf dem Dielektrikum ein Ladungsbild entsteht, das dem zu erzeugenden Bild entspricht. Um die so auf dem Bildspeicher hergestellte Ladungsverteilung auf dem Lumineszenzschirm entsprechend sichtbar abzubilden, wird auf den Bildspeicher ständig ein ausgebreitetes Bündel verhältnismäßig langsamer Elektronen gerichtet. Diese Elektronen· treten durch die Öffnungen des Bildspeichers auf den Lumineszenzschirm und sind die Erreger der Lumineszenz. Die Stärke der durch jede Öffnung des Bildspeichers tretenden Elektronen hängt von der in der Umgebung der jeweiligen Öffnung herrschenden Ladung ab, so daß die auf den Lumineszenzschirm treffenden Elektronen ein der Ladungsverteilung entsprechendes sichtbares Bild hervorrufen¹. Die langsamen, in einem ausgebreiteten Bündel auf den Bildspeicher gerichteten Elektronen werden als Flutelektronen bezeichnet.The invention relates to an image storage screen for Braun tubes, consisting of an electrically conductive, optically transparent grid with a one-sided 'layer of dielectric material. Such storage screens are arranged a short distance in front of the luminescent screen on which the optically visible image is created. The optically transparent dielectric layer is located on the side of the grating facing away from the luminescent screen. While in storage tubes the image is generated by the optically concentrated writing beam, deflected in both coordinates and modulated in its intensity by a program, falling directly on the luminescent screen, in storage tubes this writing beam generates electrical charges on the dielectric of the storage device The point struck depends on the intensity of the write beam, so that a charge image is created on the dielectric which corresponds to the image to be generated. In order to display the charge distribution thus produced on the image memory in a correspondingly visible manner on the luminescent screen, a spread out bundle of relatively slow electrons is constantly directed onto the image memory. These electrons pass through the openings of the image memory onto the luminescent screen and are the exciters of the luminescence. The strength of the electrons passing through each opening of the image memory depends on the charge prevailing in the vicinity of the respective opening, so that the electrons hitting the luminescent screen produce a visible image corresponding to the charge distribution ¹ . The slow electrons directed in a spread out bundle onto the image memory are called flood electrons.

Jedes Loch im Bildspeicher hat eine Charakteristik, die die Abhängigkeit der durch das Loch tretenden Menge von Flutelektronen von der umgebenden Ladung des Dielektrikums darstellt. Eine solche Ab-Bildspeicherschirm für Braunsche Röhren und Verfahren zur HerstellungEach hole in the image memory has a characteristic that is dependent on the person passing through the hole Represents amount of flood electrons from the surrounding charge of the dielectric. Such an image storage screen for Braun tubes and methods of manufacture

des Speicherschirmesof the storage screen

Anmelder:Applicant:

Hughes Aircraft Company,
Culver City, Calif. (V. St. A.)Hughes Aircraft Company,
Culver City, Calif. (V. St. A.)

Vertreter: Dr.-Ing. G. Eichenberg, Patentanwalt,
Düsseldorf, Cecilienallee 76Representative: Dr.-Ing. G. Eichenberg, patent attorney,
Düsseldorf, Cecilienallee 76

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 1. Juli 1955Claimed priority:
V. St. v. America July 1, 1955

Nobuo J. Koda, Culver City, Calif.,Nobuo J. Koda, Culver City, Calif.,

und Sidney T. Smith, Pacific Palisades, Calif. (V. St. Α.),and Sidney T. Smith, Pacific Palisades, Calif. (V. St. Α.),

sind als Erfinder genannt wordenhave been named as inventors

praktisch gleichzumachen, dann kann die Größe eines Bildelementes, das optisch getreu wiedergegeben wird, von der Größenordnung eines Loches sein.practically equal, then the size of a picture element that is reproduced optically true, be of the order of a hole.

Es wurde nun¹ gefunden, daß man bei Bildspeichern, die aus einem elektrisch leitenden, optisch durchlässigen Gitter mit einseitiger Schicht aus dielektrischem Material bestehen, sowohl hinsichtlich der Charakteristik der Löcher als auch hinsichtlich ihrer Gleichförmigkeit wesentlich bessere Verhältnisse erzielt, wenn erfindungsgemäß die elektrische Schicht nur auf den Gitterstegen und gegen die Gitteröffnungen nach innen zurückgesetzt angeordnet ist.It has now ¹ found that, obtained in image memories, which consist of an electrically conductive, optically transmissive grid with single layer of dielectric material, both in terms of the characteristic of the holes as well as with regard to their uniformity much better conditions when the present invention the electrical layer only is arranged set back inwardly on the grid bars and against the grid openings.

Bei einem solchen Bildspeicherschirm erstreckt sichIn such an image storage screen,

hängigkeit besteht nicht unbegrenzt. Sie ist bei be- 40 die Abhängigkeit der durchtretenden Menge von Flutkannten¹ Bildspeichern stark beschränkt, so daß es elektronen vom Ladungszustand an jedem Loch über nur in einem kleinen Bereich möglich ist, auf dem einen erheblich größeren Bereich als bei bekannten Lumineszenzschirm ein getöntes Bild zu erhalten. Für Bauarten. Damit erweitert sich die Möglichkeit der die Erzeugung des Bildes auf dem Lumineszenzschirm Tönung des Bildes. Darüber hinaus hat der beschriebene wirkt es sich außerdem ungünstig aus, wenn zwischen 45 Bildspeicherschirm wertvolle Eigenschaften, soweit es den einzelnen Löchern Unterschiede bestehen, die sich um die Löschung des Bildes handelt. Bekanntlich Löcher also nicht sämtlich quantitativ gleich auf die kann man das Ladungsbild dadurch löschen, daß man Flutelektronen steuernd einwirken, also nicht samt- das Dielektrikum mit verhältnismäßig langsamen lieh die gleiche Charakteristik haben. Denn dann kann Elektronen auflädt, für die die Sekundäremissionsman sich bei der Bildauflösung nur auf den mittleren 50 ziffer kleiner als Eins ist. Die gleiche Maßnahme Einfluß mehrerer Löcher verlassen, also nur solche kann, nebenbei bemerkt, dazu dienen, einen negativen Bildelemente getreu auf dem Lumineszenzschirm Hintergrund für gute Kontrastwirkung zu schaffen, wiedergeben, die mindestens etwa zehn Löcher über- Nun erstreckt sich aber das vom Lumineszenzschirm decken. Gelingt es indessen, die Wirkung aller Löcher ausgehende elektrische Feld durch die Öffnungen desdependency is not unlimited. It is very limited in the dependence of the amount of flood edges penetrating ¹ image memories, so that electrons from the state of charge at each hole are only able to produce a tinted image in a much larger area than with known luminescent screens obtain. For types. This expands the possibility of tinting the image on the luminescent screen. In addition, the described one also has an unfavorable effect if there are valuable properties between the image storage screen, as far as there are differences between the individual holes that are concerned with the deletion of the image. As is well known, holes are not all quantitatively the same. The charge image can be erased by controlling the flood electrons, i.e. not together with the relatively slow dielectric having the same characteristics. Because then electrons can be charged, for which the secondary emission is only less than one in the middle 50 digits in the image resolution. The same measure leave the influence of several holes, so only those can, incidentally, serve to create a negative image elements faithfully on the luminescent screen background for a good contrast effect, reproduce the at least about ten holes but now cover the luminescent screen . If it succeeds, however, the action of all holes outgoing electric field through the openings of the

809 579/388809 579/388

3 43 4

Bildspeichers hindurch und beeinflußt so die Ladung. Bildes dienen, nicht anwendbar. Denn dazu ist es not-Image memory through and thus affects the charge. Image serve, not applicable. Because for this it is necessary

Während des Löschens werden daher unter der Wir- wendig, daß die in solchen Röhren auf den SpeicherDuring the erasure, therefore, the fact that the tubes in such tubes reach the memory

kung dieses Feldes einige der langsamen Flutelektro- gerichteten Flutelektronen durch die dielektrischeThis field causes some of the slow flood electrons directed through the dielectric

nen, die sonst auf das Dielektrikum treffen wurden, Schicht auf den Lumineszenzschirm treffen,
in die Löcher hinein abgelenkt, so daß sie auf den 5 Die Zeichnung veranschaulicht ein Ausführungs-nen, which would otherwise hit the dielectric, hit the layer on the luminescent screen,
deflected into the holes so that they are on the 5 The drawing illustrates an embodiment

Lumineszenzschirm treffen. Das ist der Grund für die beispiel. Es zeigenHit luminescent screen. That is the reason for the example. Show it

unerwünschte grelle Leuchterscheinung auf dem Lu- Fig. 1 und 2 eine Ansicht auf die Stirnseite und mineszenzschirm, die man häufig beim Löschen beob- einen Querschnitt durch einen Bildspeicher nach der achtet. Beim beschriebenen Bildspeicherschirm ist das Erfindung in vergrößertem Maßstab,
Dielektrikum durch die Zurücksetzung gegen die io Fig. 3 und 4 in Ansicht und Schnitt ein Metall-Kanten der Gitterstege gut gegen den Einfluß des vom gitter, das das Gerüst des Bildspeichers bildet, und Lumineszenzschirm ausgehenden elektrischen Feldes Fig. 5 bis 10 die einzelnen Verfahrensschritte bei abgeschirmt, so daß derartige Erscheinungen nicht der Herstellung eines Bildspeichers nach Fig. 1 und 2. auftreten. Der Bildspeicher nach Fig. 1 und 2 besteht ausunwanted glaring luminous phenomenon on the Lu Fig. 1 and 2 a view of the front and minescent screen, which one often observes when erasing a cross-section through an image memory after the. In the image storage screen described, the invention is on an enlarged scale,
Dielectric by setting back against the io Fig. 3 and 4 in view and section a metal edge of the lattice webs well against the influence of the electric field emanating from the lattice, which forms the frame of the image memory, and luminescent screen Fig. 5 to 10 the individual process steps at shielded, so that such phenomena do not occur in the manufacture of an image memory according to FIGS. The image memory according to FIGS. 1 and 2 consists of

Es empfiehlt sich, für die dielektrische Schicht ein 15 einem metallenen Gitter 10 mit etwa zehn Maschen der Sekundärelektronenemission fähiges Dielektrikum pro mm, einer Dicke von etwa 0,025 mm und einer zu verwenden und die Dicke dieser Schicht klein Lichtdurchlässigkeit von annähernd 40%. Auf die gegen die Dicke des elektrisch leitenden Gitters zu mittleren Flächenteile der Stege des Gitters 10 ist eine wählen. Was das Maß der Zurücksetzung der dielek- Schicht 12 aus dielektrischem Material, etwa Magnetischen Schicht gegen die Gitteröffnungen betrifft, 20 siumfluorid, aufgebracht. Die Breite, in der das Diso hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, die elektrikum die Stege des Gitters bedeckt, ist etwa Außenfläche der dielektrischen Schicht angenähert halb so groß wie die Breite der Stege. Die Dicke der gleich der Projektion des von der Schicht unbedeckten Schicht 12 ist an sich nicht von entscheidender Be-Flächenteiles der Gitterstege auf eine zum Gitter deutung. Sie kann etwa zwischen 1 und 10 Mikron parallele, der Schichtseite gegenüberliegende Ebene 25 liegen,
zu machen. Bei der Herstellung eines Bildspeichers nach Fig. 1For the dielectric layer, it is advisable to use a dielectric which is capable of emitting secondary electrons per mm, a thickness of about 0.025 mm and the thickness of this layer is small, light transmission of approximately 40%. One is to be selected for the surface parts of the webs of the grid 10 that are in the middle against the thickness of the electrically conductive grid. As for the degree of recession of the dielectric layer 12 of dielectric material, such as magnetic layer against the grid openings, 20 silicon fluoride is applied. The width in which the disco has been found to be particularly advantageous for the electrical element to cover the webs of the grid is approximately the outer surface of the dielectric layer approximately half as large as the width of the webs. The thickness of the same as the projection of the layer 12 uncovered by the layer is in itself not of decisive importance. It can be between 1 and 10 microns parallel to the layer side opposite plane 25,
close. When producing an image memory according to FIG. 1

Die Herstellung eines Bildspeichers nach der Er- und 2 geht man von einem Metallgitter 14 aus Nickel findung ist deswegen nicht einfach, weil streng darauf (Fig. 2 bis 4) aus, das die nötige Anzahl von Maschen geachtet werden muß, daß das Dielektrikum nicht auf pro mm hat und etwa 0,015 mm dick ist. Die Stegdie Teile der Stirnflächen der Gitterstege gelangt, die 30 breite des Gitters 14 wird ungefähr gleich der Stegmetallisch freiliegen sollen. Diese Schwierigkeiten breite des später aufzubringenden Dielektrikums 12 werden überwunden, wenn man nach dem Aufbringen gemacht. Das in der Fig. 3 und 4 in Ansicht und der dielektrischen Schicht auf die eine Seite des Git- Schnitt gezeigte Gitter 14 wird in· einer Einspannters einen Metallüberzug auf den von der Schicht un- vorrichtung 16 gemäß Fig. 6 straff gespannt,
bedeckten Seitenflächen der Gitterstege herstellt, der 35 Der erste wesentliche Schritt bei der Herstellung die ursprüngliche Breite der Gitterstege vergrößert. des Bildspeichers besteht in der Aufbringung einer Man braucht dann beim Aufbringen der dielektrischen dielektrischen Schicht auf die eine Seite der Stege Schicht nicht auf den Abstand zu achten, den sie von des Gitters 14, ohne dabei dielektrisches Material auf den Gitterstegen schließlich haben soll, kann vielmehr die innere, die öffnungen des Schirmes umgrenzenden die ganze Außenfläche des Gitters mit der Schicht 40 Flächenteile gelangen zu lassen. Die üblichen Aufüberziehen. Dabei empfiehlt sich Kupfer als Material dampfverfahren haben sich für diesen Zweck als unfür den Metallüberzug. zureichend erwiesen, da es sich nicht vermeiden läßt,The production of an image memory according to the invention and 2 is based on a metal grid 14 made of nickel making is not easy because strictly on it (Fig. 2 to 4) that the necessary number of meshes must be observed that the dielectric is not on per mm and is about 0.015 mm thick. The bar reaches the parts of the end faces of the grid bars, the width of the grid 14 will be exposed roughly equal to the bar metallic. These difficulties with the dielectric 12 to be applied later are overcome if one does after application. The grid 14 shown in a view in FIGS. 3 and 4 and the dielectric layer on one side of the grid section is stretched tightly in a clamping device with a metal coating on the device 16 of the layer according to FIG. 6,
covered side surfaces of the lattice bars, the 35 The first essential step in the production increases the original width of the lattice bars. When applying the dielectric dielectric layer to one side of the webs layer, it is not necessary to pay attention to the distance that it can ultimately have from the grating 14 without dielectric material on the grating webs to allow the inner, the entire outer surface of the grid with the layer 40 area parts to border the openings of the screen. The usual pulling on. It is recommended that copper be used as a material. sufficiently proven, since it cannot be avoided

Es besteht beim Aufbringen der dielektrischen daß mindestens einige Moleküle des aufgedampften Schicht des weiteren die Möglichkeit, daß das Di- Dielektrikums in die öffnungen des Gitters gelangen, elektrikum in die Gitteröffnungen und damit an die 45 _wo sie später Unregelmäßigkeiten in den Eigenschaf-Seitenflächen der Stege gelangt. Es würde großen ten des Bildspeichers hervorrufen. Dies kann jedoch Aufwand an Sorgfalt und Mühe erfordern, dies zu vermieden werden, wenn man zunächst die gesamte verhindern. Solche Schwierigkeiten bestehen nicht, Oberfläche des Gitters 14 gemäß Fig. 5 mit einer wenn in weiterer Ausbildung des Verfahrens das Schicht 18 eines photochemisch hergestellten ÜberGitter zunächst bei Dunkelheit mit einem Überzug 50 zuges versieht, wie er gelegentlich als Schutzüberzug aus einem photochemisch reagierenden Stoff versieht, verwendet wird. Dieser Überzug wird bei Dunkelheit der bei Belichtung erhärtet, hierauf die eine Fläche aufgebracht. Er kann aus lichtempfindlichem Lack des Gitters und die die öffnungen begrenzenden oder lichtempfindlicher Gelatine bestehen und muß Flächen belichtet und unter Auflösung der belichte- die Eigenschaft haben, bei Bildung zu erhärten. Zuten Teile des Überzuges entwickelt, worauf die di- 55 vor kann das Material in einer Flüssigkeit aufgelöst elektrische Schicht auf die nunmehr freiliegenden werden. Je nach der Art des verwendeten Materials Flächen des Gitters aufgedampft wird und die erhär- dient dazu entweder Wasser oder Alkohol. Die phototeten Teile der photochemischen Schicht entfernt chemische Schicht kann nach der Belichtung ganz werden. oder teilweise dadurch entfernt werden, daß man sieWhen the dielectric is applied, at least some molecules of the vapor-deposited layer also have the possibility of the dielectric getting into the openings of the grid, electricity into the grid openings and thus to the areas _where later irregularities in the property side surfaces of the webs are found got. It would create a large amount of image memory. However, this may require a great deal of care and effort to avoid it if you first prevent the whole. Such difficulties do not exist, the surface of the grating 14 according to FIG. 5 with a layer 18 of a photochemically produced overlattice initially provided in the dark with a coating 50, as is occasionally provided as a protective coating made of a photochemically reactive substance, in a further development of the method, is used. This coating is hardened in the dark and when exposed to light, and one surface is applied to it. It can consist of light-sensitive varnish of the grid and the or light-sensitive gelatine delimiting the openings and must be exposed to light and have the property of hardening as it forms, dissolving the light-emitting agent. Zuten parts of the coating developed, whereupon the di- 55 before the material can be dissolved in a liquid electrical layer on the now exposed. Depending on the type of material used, surfaces of the grid are vaporized and the hardening is used either water or alcohol. The phototeten parts of the photochemical layer removed chemical layer can become whole after exposure. or partially removed by removing them

Es ist bekannt, bei Braunschen Röhren, die nicht mit 60 auf eine höhere Temperatur bringt, deren Betrag sich einem Lumineszenzschirm zur Erzeugung eines sieht- wiederum nach der Art des verwendeten Materials baren Bildes ausgerüstet sind, einen Bildspeicher vor- richtet. Doch kann die Entfernung auch einfach durch zusehen, der aus einem elektrisch leitenden, optisch Auflösung in einem geeigneten Chemikal stattfinden, durchlässigen Gitter mit einer einseitigen Schicht Die Teile der photochemischen Schicht 18, die nunaus dielektrischem Stoff besteht. Dabei erstreckt sich 65 mehr auf der einen Seite des Nickelschirmes 14 und jedoch die dielektrische Schicht zusammenhängend an den inneren Flächenteilen in der Umgebung der über die ganze Fläche des Bildspeichers. Trotz des Schirmöffnungen haften, werden hierauf durch Beoptisch durchlässigen Gitters ist daher dieser Bild- lichtung zum Erhärten gebracht. Das kann in der speicher nicht optisch durchlässig. Er ist damit für Weise geschehen, daß man gemäß Fig. 6 Licht auf die Röhren, die der direkten Erzeugung eines sichtbaren 70 eine Seite des mit der Schicht versehenen Nickel-It is known that in the case of Braun tubes, which do not bring them to a higher temperature at 60, their amount increases a luminescent screen for generating a looks - again depending on the type of material used are equipped with an image memory device. But the distance can also be easily done watch that take place from an electrically conductive, optical resolution in a suitable chemical, permeable grating with a single-sided layer The parts of the photochemical layer 18 that are now made up dielectric material. 65 extends more on one side of the nickel screen 14 and however, the dielectric layer is contiguous on the inner surface parts in the vicinity of the over the entire area of the image memory. In spite of the screen openings sticking to it, beop table permeable lattice, this image exposure is therefore hardened. That can be done in the storage not optically transparent. It has thus been done for ways that according to FIG. 6 light on the Tubes that allow the direct production of a visible 70 one side of the coated nickel

Claims (5)

gittere unter einem kleinen Winkel zu einer auf der Gitterebene stehenden Senkrechten projiziert, und zwar entweder gleichzeitig mit mehreren Lichtquellen oder unter Drehung der Einspannvorrichtung 16, so daß Licht auf sämtliche inneren, die Schirmöffungen umgrenzenden Flächenteile des Schirmes fällt. In Fig. 7 sind die durch die Belichtung erhärteten Teile 20 der photochemischen Schicht 18 durch Schraffierung, die nicht belichteten Teile 22 dagegen durch Punktierung hervorgehoben. Nach der Belichtung wird die photochemische Schicht 18 dadurch entwickelt, daß man das Gitter 14 in eine Flüssigkeit bringt, die die nicht gehärteten Teile löst. Die gepunkteten Flächen 22 der Schicht 18 werden dadurch fortgewaschen, so daß gemäß Fig. 8 nur noch die gehärteten Teile 20 übrigbleiben. Danach trägt nur die eine Seite der Gitterstege keinen Überzug. Nun kann die dünne dielektrische Schicht 12, die etwa aus Magnesiumfluorid besteht, auf die freiliegende Seite der Stege aufgedampft werden. Bei Magnesiumfluorid empfiehlt es sich währenddessen, das Gitter auf 150 und 300° C zu erhitzen, um eine gute Bindung zwischen diesem Stoff und dem Nickel zu erhalten. Da die photochemische Schicht 18 eine gewisse Dicke hat, gelangt einiges dielektrisches Material auch auf die freiliegenden Flächen der noch vorhandenen gehärteten Teile 20, wie in Fig. 9 deutlich gemacht ist. Nach dem Aufdampfen der dielektrischen Schicht 12 wird das Nickelgitter 14 in einem geeigneten Medium auf eine Temperatur erhitzt, die genügt, die gehärteten Teile 20 der photochemischen Schicht 18 wegzubrennen. Doch können stattdessen die gehärteten Teile auch in einer geeigneten Flüssigkeit aufgelöst werden. Welche Art von Medium oder Flüssigkeit verwendet wird und bei welcher Temperatur diese Prozesse ausgeführt werden, hängt von der Art des photochemischen Materials ab. Teile der dielektrischen Schicht 12 befinden sich, wie erwähnt, auch auf der Außenfläche der gehärteten Teile 20 der photochemischen Schicht 18, die nunmehr weggebrannt oder aufgelöst worden ist. Diesen Teilen ist damit die mechanische Stütze entzogen. Es ist daher leicht möglich, sie einfach wegzubrechen, da die dielektrische Schicht 12 nur 1 bis 10 Mikron dick ist. Das Wegbrechen kann dadurch geschehen, daß man das Gitter 14 in einer Flüssigkeit, etwa Wasser, bewegt oder Luft auf den Schirm und durch die Löcher bläst. Hiernach befindet sich gemäß Fig. 10 auf dem Gitter 14 eine dielektrische Schicht, die sich auf die eine Seite der Stege beschränkt. Ein Metallüberzug 24 (Fig. 1 und 2) wird nun auf das Gitter 14 aufplattiert, um eine das Dielektrikum umgebende leitende Fläche zu schaffen. In welcher Dicke Metall aufplattiert wird, ist im allgemeinen das Ergebnis eines Kompromisses zwischen dem gewünschten Prozentsatz leitender Fläche, bezogen auf die vorhandene Fläche dielektrischer Schicht 12 einerseits und der resultierenden Lichtdurchlässigkeit des Bildspeichers andererseits. Das Aufplattieren kann elektrolytisch geschehen. Soll beispielsweise auf die noch freiliegenden leitenden Flächen des Nickelgitters 14 Kupfer aufgebracht werden, so wird das noch von der Einspannvorrichtung 16 gehaltene Nickelgitter in eine gesättigte Kupfersulfatlösung getaucht, und zwar so, daß die Schicht 12 der Anode gegenüber und zu ihr parallel liegt. An die Anode und das Gitter 14 wird eine Gleichspannung von der Größenordnung 1 Volt gelegt. Hat das Gitter einen Durchmesser von etwa 125 mm, so erzeugt 1 Volt einen Strom von etwa 3 Ampere. Während der Galvanisierung wird das Gitter 14 periodisch mit Wasser gespült und außerdem in einer zur Anode parallelen Ebene gedreht. Der Elektrolyt kann außerdem in Bewegung gehalten oder gerührt werden, um die Gleichförmigkeit der Plattierung zu erhöhen. Der Prozeß wird fortgesetzt, bis die Stege des Gitters 14 in dem gewünschten Maße verstärkt worden sind. Damit ist der Bildspeicher, wie er in Fig. 1 und 2 erscheint, fertiggestellt. Pa te ν τ α n· s γ η 0 c η ε?Lattere is projected at a small angle to a perpendicular on the lattice plane, either simultaneously with several light sources or with rotation of the clamping device 16 so that light falls on all inner surface parts of the screen that border the screen openings. In FIG. 7, the parts 20 of the photochemical layer 18 hardened by the exposure are highlighted by hatching, whereas the unexposed parts 22 are highlighted by dots. After exposure, the photochemical layer 18 is developed by placing the grid 14 in a liquid which will dissolve the uncured parts. The dotted areas 22 of the layer 18 are washed away, so that, according to FIG. 8, only the hardened parts 20 remain. Thereafter, only one side of the bars has no coating. The thin dielectric layer 12, which consists for example of magnesium fluoride, can now be vapor-deposited onto the exposed side of the webs. In the case of magnesium fluoride, it is advisable to heat the grid to 150 and 300 ° C in order to obtain a good bond between this substance and the nickel. Since the photochemical layer 18 has a certain thickness, some dielectric material also gets onto the exposed surfaces of the hardened parts 20 that are still present, as is made clear in FIG. After the vapor deposition of the dielectric layer 12, the nickel grid 14 is heated in a suitable medium to a temperature which is sufficient to burn away the hardened parts 20 of the photochemical layer 18. Instead, the hardened parts can also be dissolved in a suitable liquid. The type of medium or liquid used and the temperature at which these processes are carried out depends on the type of photochemical material. As mentioned, parts of the dielectric layer 12 are also located on the outer surface of the hardened parts 20 of the photochemical layer 18, which has now been burned away or dissolved. The mechanical support is removed from these parts. It is therefore easily possible to simply break it off since the dielectric layer 12 is only 1 to 10 microns thick. Breaking away can be done by moving the grid 14 in a liquid, such as water, or by blowing air onto the screen and through the holes. According to FIG. 10, a dielectric layer is located on the grid 14, which is restricted to one side of the webs. A metal coating 24 (Figs. 1 and 2) is now plated onto the grid 14 to create a conductive surface surrounding the dielectric. The thickness to which metal is plated is generally the result of a compromise between the desired percentage of conductive area, based on the existing area of dielectric layer 12, on the one hand, and the resulting light transmission of the image memory on the other. The plating can be done electrolytically. If, for example, copper is to be applied to the conductive surfaces of the nickel grid 14 that are still exposed, the nickel grid still held by the clamping device 16 is immersed in a saturated copper sulfate solution in such a way that the layer 12 is opposite and parallel to the anode. A DC voltage of the order of 1 volt is applied to the anode and the grid 14. If the grid has a diameter of about 125 mm, then 1 volt generates a current of about 3 amps. During the electroplating, the grid 14 is periodically rinsed with water and also rotated in a plane parallel to the anode. The electrolyte can also be kept agitated or stirred to increase plating uniformity. The process continues until the webs of the grid 14 have been reinforced to the desired extent. The image memory as it appears in FIGS. 1 and 2 is thus completed. Pa te ν τ α n · s γ η 0 c η ε? 1. Bildspeicherschirm für Braunsche Röhren, bestehend aus einem elektrisch leitenden, optisch durchlässigen Gitter mit einer einseitigen Schicht aus dielekrischem Stoff, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (12) nur auf den Gitterstegen (14) und gegen die Gitteröffnungen nach innen zurückgesetzt angeordnet ist.1. Image storage screen for Braun tubes, consisting of an electrically conductive, optical permeable grid with a one-sided layer of dielectric material, characterized in that that the dielectric layer (12) only on the grid webs (14) and against the grid openings is arranged set back inward. 2. Speicherschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (12) aus einem der Sekundärelektronenemission fähigen Dielektrikum besteht und ihre Dicke klein gegen die Dicke des elektrisch leitenden Gitters ist.2. Storage screen according to claim 1, characterized in that the layer (12) consists of one the dielectric capable of secondary electron emission and its thickness is small compared to the Thickness of the electrically conductive grid is. 3. Speicherschirm nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenfläche der dielektrischen Schicht (12) angenähert gleich der Projektion des von der Schicht unbedeckten Flächenteiles der Gitterstege (14) auf eine zum Gitter parallele, der Schichtseite gegenüberliegende Ebene ist.3. Storage screen according to claim 2, characterized in that the outer surface of the dielectric Layer (12) approximately equal to the projection of the part of the surface uncovered by the layer the lattice webs (14) on a plane parallel to the lattice and opposite the layer side is. 4. Verfahren zur Herstellung eines Bildspeicherschirms nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß nach Aufbringen der dielektrischen Schicht (12) auf die eine Seite des Gitters ein Metallüberzug (24), insbesondere aus Kupfer, auf den von der Schicht unbedeckten Flächen der Gitterstege (14) hergestellt wird, der die ursprüngliche Breite der Gitterstege vergrößert.4. A method for producing an image storage screen according to claim 1, 2 or 3, characterized in that that after application of the dielectric layer (12) on one side of the grid a metal coating (24), in particular made of copper, on the surfaces uncovered by the layer of Lattice bars (14) is produced, which increases the original width of the grid bars. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gitter zunächst bei Dunkelheit mit einem Überzug (18) aus einem photochemisch reagierenden Stoff versehen wird, der bei Belichtung erhärtet, daß hierauf die eine Fläche des Gitters und die die öffnungen begrenzenden Flächen belichtet und unter Auflösung der unbelichteten Teile des Überzuges (18) entwickelt werden, worauf die dielektrische Schicht (12,) auf die nunmehr freiliegenden Flächen des Gitters aufgedampft wird und die erhärteten Teile (20) der photochemischen Schicht (18) entfernt werden.5. The method according to claim 4, characterized in that the grid initially in the dark is provided with a coating (18) made of a photochemically reactive substance, which upon exposure hardened that thereupon one surface of the grid and the surfaces delimiting the openings exposed and developed with dissolution of the unexposed parts of the coating (18), whereupon the dielectric layer (12,) is vapor-deposited onto the now exposed surfaces of the grid and the hardened parts (20) of the photochemical layer (18) are removed. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2 687 492.References considered: U.S. Patent No. 2,687,492. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings @ 809 579/388 7.58 @ 809 579/388 7.58