DE10331068A1 - Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein - Google Patents

Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein Download PDF

Info

Publication number
DE10331068A1
DE10331068A1 DE10331068A DE10331068A DE10331068A1 DE 10331068 A1 DE10331068 A1 DE 10331068A1 DE 10331068 A DE10331068 A DE 10331068A DE 10331068 A DE10331068 A DE 10331068A DE 10331068 A1 DE10331068 A1 DE 10331068A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
error information
memory cells
memory
line group
error
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10331068A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Beer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10331068A priority Critical patent/DE10331068A1/de
Priority to US10/888,649 priority patent/US7038956B2/en
Priority to CNB2004100698255A priority patent/CN100492546C/zh
Publication of DE10331068A1 publication Critical patent/DE10331068A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/3193Tester hardware, i.e. output processing circuits with comparison between actual response and known fault free response
    • G01R31/31935Storing data, e.g. failure memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/1208Error catch memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/4402Internal storage of test result, quality data, chip identification, repair information

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformation aus einem integrierten Speicherbaustein mit dynamischen Speicherzellen, die an Wortleitungen und Bitleitungen angeordnet sind, DOLLAR A wobei eine Wortleitungsgruppe mit einer Anzahl von Wortleitungen durch eine redundante Wortleitungsgruppe ersetzbar ist und/oder eine Bitleitung durch eine redundante Bitleitung ersetzbar ist, um fehlerhafte Speicherzellen zu ersetzen, DOLLAR A wobei zum Testen der Speicherzellen Testdaten in die Speicherzellen des Speicherbausteins geschrieben werden, DOLLAR A wobei die geschriebenen Daten ausgelesen werden und mit den zuvor geschriebenen Testdaten verglichen werden, um abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens erste Fehlerinformationen zu generieren, DOLLAR A wobei die erste Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn die geschriebenen Testdaten und die ausgelesenen Daten unterschiedlich sind, DOLLAR A wobei die Speicherzellen entlang einer der Bitleitungen nacheinander ausgelesen werden, DOLLAR A wobei für jede der ausgelesenen Speicherzellen jeweils die erste Fehlerinformation generiert wird, DOLLAR A wobei die ersten Fehlerinformationen beim Testen der Speicherzellen an der Wortleitungsgruppe zwischengespeichert werden, DOLLAR A wobei eine zweite Fehlerinformation generiert wird, so dass die zweite Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn mindestens eine der ersten Fehlerinformationen einen Fehler angibt, DOLLAR A wobei nach dem Beenden des Auslesens der Speicherzellen der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung die ...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformation aus einem integrierten Speicherbaustein. Die Erfindung betrifft weiterhin einen integrierten Speicherbaustein, aus dem Fehlerinformationen ausgelesen werden können.
  • Bei der Herstellung von DRAM-Speicherbausteinen treten nahezu unvermeidbar Fehler auf, die einzelne Speicherzellen bzw. Gruppen von Speicherzellen betreffen. Um die Ausbeute an verwendbaren Speicherbausteinen nach der Produktion von Speicherbausteinen zu erhöhen, werden üblicherweise redundante Speicherzellen in dem Speicherbaustein vorgesehen. Nach der Herstellung des Speicherbausteins wird der gesamte Baustein mitsamt den redundanten Speicherzellen getestet und die als fehlerhaft erkannten Speicherzellen durch redundante Speicherzellen ersetzt.
  • Um die fehlerhaften Speicherzellen zu ersetzten, müssen diese in dem Speicherbaustein zunächst abgeschaltet und anschließend redundante Speicherzellen an der entsprechenden Speicheradresse vorgesehen werden. Dazu sind in dem Speicherbaustein Fuses, d.h. programmierbare Schalter, vorgesehen, die nach der Fertigstellung und vor dem Einhäusen des Speicherbausteins betätigt werden können. Meistens werden Laserfuses verwendet, die in einem entsprechenden Laser-Trimming-Prozess mit Hilfe eines Laserstrahls durchtrennt oder nicht durchtrennt werden. Die Information darüber, welche der Laserfuses durchtrennt oder nicht durchtrennt werden soll, wird aufgrund von von dem jeweiligen Baustein übermittelten Fehlerinformationen in einem Testsystem ermittelt.
  • Die Fehlerinformationen geben an, in welchem Bereich, d.h. in welcher Adresse, auf dem Speicherbaustein sich eine fehler hafte Speicherzelle bzw. ein fehlerhafter Speicherbereich befindet. Die Fehlerinformationen müssen von dem Speicherbaustein zum Testsystem übertragen werden. Diese Übertragung der Fehlerinformationen benötigt Testzeit.
  • Häufig werden nicht einzelne Speicherzellen durch redundante Speicherzellen ersetzt. Vielmehr werden redundante Speicherbereiche mit mehreren redundanten Speicherzellen vorgesehen, die einen entsprechenden Speicherbereich, in dem mehrere fehlerhafte Speicherzellen vorhanden sind, vollständig ersetzt. Üblicherweise sind dazu redundante Wortleitungsgruppen mit mehreren Wortleitungen zum Ersetzen eines Wortleitungsgruppe mit einem oder mehreren fehlerhaften Speicherzellen und redundante Bitleitungsgruppen mit mehreren Bitleitungen zum Ersetzen einer fehlerhaften Bitleitungsgruppe vorgesehen. Für die Reparatur ist es also nicht notwendig zu wissen, auf welcher der Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe oder auf welcher der Bitleitungen einer Bitleitungsgruppe der Fehler aufgetreten ist, da diese Gruppe bei Auftreten eines Fehlers ohnehin durch eine Wortleitungs- oder Bitleitungsgruppe ersetzt werden würde.
  • Es ist allgemein bekannt, beim Testen erkannte Fehler im Speicherbaustein zwischenzuspeichern und diese während oder nach dem Testen an das Testsystem zu übertragen. Testsysteme haben nur eine begrenzte Anzahl von Testerkanälen, so dass die Fehlerinformationen jeweils über möglichst wenige Testerkanäle von dem Speicherbaustein an das Testsystem übertragen werden sollten, um möglichst viele Speicherbausteine gleichzeitig mit einem Testsystem testen zu können.
  • Bislang werden mehrere Testerkanäle für die Übertragung von Fehlerinformationen verwendet. Dabei werden Fehlerinformationen häufig bereits intern im Speicherbaustein so komprimiert, dass keine für die Reparatur der fehlerhaften Speicherzellen benötigte Information verloren geht. Dies ist beispielsweise möglich, indem die Speicherzellen, die an einer Bitleitungs gruppe liegen, zu einer einzigen Fehlerinformation verknüpft werden und als eine einzige Fehlerinformation zum Testsystem übertragen werden können. Bei einer Bitleitungsgruppe mit vier Bitleitungen kann man beispielsweise so die Anzahl der benötigten Testerkanäle um den Faktor 4 reduzieren.
  • Es ist auch möglich, die Fehlerinformation bausteinintern zu bearbeiten, und somit schon im Baustein zu erkennen, welche Elemente sicher repariert werden müssen. Damit kann die Datenmenge, die übertragen werden muss, reduziert werden. Ohne die Übertragungszeit zu erhöhen, kann man mit diesem Verfahren die Kanalanzahl auf einen einzigen Testerkanal reduzieren. Dazu benötigt man jedoch interne Logikschaltungen, die die Berechnung, die üblicherweise im Testsystem durchgeführt werden würde, bausteinintern durchzuführen. Diese benötigen eine erhebliche Chipfläche, worauf aus Kostengründen verzichtet wird.
  • Bislang wurde aus Zeitgründen darauf verzichtet, bei der Ermittlung von fehlerhaften Speicherzellen, Speicherzellen entlang einer Bitleitung oder entlang einer Bitleitungsgruppe zu testen, um herauszufinden, ob gemeinsam zu reparierende Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe auf derselben Bitleitung bzw. in derselben Bitleitungsgruppe Fehler aufweisen. Um dies mit einer einfachen Schaltung zu detektieren, muss entlang der Bitleitung bzw. Bitleitungsgruppe ausgelesen werden. Dies ist jedoch sehr langsam, da für jedes Auslesen einer Adresse die bisherige Wortleitung deaktiviert und eine neue Wortleitung aktiviert werden muss, wodurch eine Auslesepause entsteht. Dagegen ist es am schnellsten die Speicherzellen entlang einer Wortleitung auszulesen, da nach Aktivierung einer Wortleitung die Speicherzellen entlang der gesamten Wortleitung ohne Unterbrechung ausgelesen werden können. Um möglichst ohne größere Pausen Fehlerdaten an das Testsystem übertragen zu können, wird daher üblicherweise auf das Auslesen von Speicherzellen entlang einer Bitleitung oder Bitleitungsgruppe verzichtet.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren und eine verbesserte integrierte Schaltung zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Speicherbaustein zur Verfügung zu stellen. Es ist weiterhin Aufgabe der Erfindung ein Verfahren und eine integrierte Schaltung zur Verfügung zu stellen, um Fehlerinformationen auf effektive Weise einem Testsystem zur Verfügung zu stellen.
  • Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 sowie durch den integrierten Speicherbaustein nach Anspruch 6 gelöst.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Speicherbaustein vorgesehen. Der integrierte Speicherbaustein weist dynamische Speicherzellen auf, die an Wortleitungen und Bitleitungen angeordnet sind. Eine Wortleitungsgruppe mit einer Anzahl von Wortleitungen ist durch eine redundante Wortleitungsgruppe und/oder eine Bitleitung durch eine redundante Bitleitung ersetzbar, um fehlerhafte Speicherzellen zu ersetzen. Zum Testen der Speicherzellen werden Testdaten in die Speicherzellen des Speicherbausteins geschrieben. Die geschriebenen Daten werden ausgelesen und mit den zuvor gelesenen Testdaten verglichen, um abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens erste Fehlerinformationen zu generieren. Die erste Fehlerinformation gibt einen Fehler an, wenn die geschriebenen Testdaten und die ausgelesenen Testdaten unterschiedlich sind. Die Speicherzellen entlang einer der Bitleitungen werden nacheinander ausgelesen, wobei für jede der ausgelesenen Speicherzellen jeweils die erste Fehlerinformation generiert wird. Die ersten Fehlerinformationen werden beim Testen der Speicherzellen an der Wortleitungsgruppe zwischengespeichert, wobei eine zweite Fehlerinforma tion generiert wird, so dass die zweite Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn mindestens eine der Fehlerinformationen einen Fehler angibt. Nach dem Beenden des Auslesens der Speicherzellen der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung werden die zweiten Fehlerinformationen ausgegeben.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, zunächst die Fehlerinformationen von Speicherzellen entlang einer Bitleitung, die durch das nacheinander erfolgende Aktivieren und Deaktivieren von Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe ermittelt werden, zunächst zwischenzuspeichern, um anschließend eine komprimierte Fehlerinformation an das Testsystem ausgeben zu können. Die komprimierte Fehlerinformation ermöglicht es dann, im Testsystem einfacher festzustellen, d.h. mit vereinfachter Berechnung im Testsystem, ob Fehler an Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe durch eine gemeinsame Wortleitungsgruppe ersetzt werden können.
  • Um dies mit einer einfachen Schaltung zu erkennen, müssen die Speicherzellen nacheinander entlang einer Bitleitung ausgelesen werden. Um durch diese langsame Art des Auslesens den Datenfluss an das Testsystem nicht zu verlangsamen, werden die Fehlerinformationen für die Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe zunächst gesammelt und erst nach dem Ermitteln der einzelnen Fehlerinformationen der Speicherzellen entlang der Bitleitungen und an den Wortleitungen der Wortleitungsgruppe als komprimierte Fehlerinformation ausgegeben. Die Komprimierung erfolgt, indem die zweite (komprimierte) Fehlerinformation dann einen Fehler angibt, wenn mindestens eine der ersten Fehlerinformationen, die beim Auslesen der Speicherzellen entlang der Bitleitung in einer Wortleitungsgruppe ermittelt worden sind, einen Fehler angibt.
  • Dadurch, dass das nacheinander erfolgende Aktivieren und Reaktivieren der Wortleitungen eine erhebliche Zeit benötigt, ohne dass an das Testsystem zu übertragende relevante zweite Fehlerdaten zur Verfügung stehen, ist es möglich, während dieser Zeit den Testerkanal für die Übertragung von anderen Fehlerinformationen oder sonstigen Informationen zur Verfügung zu stellen.
  • Durch die o. a. Vorgehensweise ist die Diskrepanz zwischen Zeitdauer zum Übertragen der Fehlerinformation und Zeitdauer zum Erhalten der jeweiligen Fehlerinformation sehr groß, so dass vorzugsweise das nacheinander erfolgende Auslesen von Speicherzellen entlang einer Bitleitung an einer Wortleitungsgruppe möglichst mehrfach parallel innerhalb eines integrierten Speicherbausteins durchgeführt werden sollte, um nach jedem vollständigen Auslesen der betreffenden Speicherzellen so viele Fehlerinformationen zu erhalten, dass während eines nächsten Auslesens von Speicherzellen entlang der Bitleitung oder einer anderen Bitleitung und/oder einer weiteren Wortleitungsgruppe gleichzeitig die bereits ermittelten zweiten Fehlerinformationen übertragen werden können.
  • Diesbezüglich kann beispielsweise vorgesehen sein, dass die integrierte Speicherschaltung mehrere Speicherfelder aufweist, die jeweils Speicherzellen umfassen, die an Wortleitungen und Bitleitungen angeordnet sind. Die Speicherzellen der Wortleitungsgruppe in den mehreren Speicherfelder werden dabei im wesentlichen gleichzeitig ausgelesen. Das Generieren der zweiten Fehlerinformationen wird für jeden der mehreren Speicherfelder durchgeführt, wobei die zweiten Fehlerinformationen zwischengespeichert werden und nach dem Beenden des Auslesens der Speicherzellen der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung die zweiten Fehlerinformationen nacheinander ausgegeben werden. Die Speicherfelder werden üblicherweise Speicherbänke genannt und sind im wesentlichen durch die Adressdaten unabhängig voneinander, also auch gleichzeitig adressierbar. Dadurch ist es möglich, das erfindungsgemäße Verfahren gleichzeitig in den mehreren Speicherfelder auszuführen, so dass als Ergebnis zweite Fehlerinformationen für die Speicherzellen entlang einer Bitleitung und an einer Wortleitungsgruppe für jeden der Speicherfelder zur Verfügung ge stellt wird. Bei üblicherweise in einem Speicherbaustein vorgesehenen vier Speicherbänken stehen also nach einem nacheinander erfolgenden Auslesen der Speicherzellen an den Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe vier zweite Fehlerinformationen zur Verfügung, die anschließend gleichzeitig mit dem Testen von weiteren Speicherzellen an das Testsystem ausgegeben werden können. Dies ermöglicht es, dass sich die Testzeit nicht vergrößert, obwohl Speicherzellen entlang einer Bitleitung nacheinander getestet werden, was üblicherweise so langsam erfolgt, dass ein direktes Übertragen der dadurch ermittelten ersten Fehlerinformationen die Testzeit erheblich verlängern würde.
  • Es kann vorgesehen sein, dass eine Bitleitungsgruppe mit mehreren Bitleitungen durch eine redundante Bitleitungsgruppe ersetzbar ist, um fehlerhafte Speicherzellen zu ersetzen. Im nacheinander erfolgenden Auslesen der Speicherzellen an den Wortleitungen der Wortleitungsgruppe und entlang der Bitleitungsgruppe werden abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens für jede der entsprechenden Speicherzellen dritte Fehlerinformationen generiert, die angeben, ob ein Fehler in einer der Speicherzellen der Bitleitungsgruppe aufgetreten ist. Aus den dritten Fehlerinformationen werden durch eine Kompression die ersten Fehlerinformationen generiert, so dass die erste Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn eine der dritten Fehlerinformationen einen Fehler angibt. Auf diese Weise lässt sich eine weitere Kompression der Fehlerinformationen erreichen, wobei lediglich eine Fehlerinformation für einen durch die Adresse einer Wortleitungsgruppe und die Adresse einer Bitleitungsgruppe definierten Speicherabschnitt erhaltene Fehlerinformation bereitgestellt wird, um an das Testsystem übertragen zu werden. Bei Wortleitungsgruppen mit vier Wortleitungen und Bitleitungsgruppe mit vier Bitleitungen lässt sich somit für einen Speicherabschnitt aus 16 Speicherzellen eine Fehlerinformation der Größe eines Bits erzeugen, so dass eine Kompression der Fehlerinformationen um den Faktor 16 erreicht werden kann.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine integrierte Speicherschaltung mit an Wortleitungen und Bitleitungen angeordneten Speicherzellen vorgesehen. Die Speicherschaltung weist eine Testschaltung auf, um gemäß eines Testmodus Testdaten in die Speicherzellen der Speicherschaltung zu schreiben. Die Speicherschaltung weist eine redundante Wortleitungsgruppe auf, um im Fehlerfall eine Wortleitungsgruppe mit einer Anzahl von Wortleitungen zu ersetzen. Die Speicherschaltung weist weiterhin eine redundante Bitleitung auf, um eine Bitleitung im Fehlerfall zu ersetzen. Mithilfe einer Schreibschaltung werden zum Testen der Speicherzellen zur Verfügung gestellte Testdaten in die Speicherzellen der Speicherschaltung geschrieben. Eine Ausleseschaltung ist vorgesehen, um die geschriebenen Daten auszulesen. Mithilfe einer Vergleicherschaltung werden die ausgelesenen Daten mit dem ausgelesenen Testdaten verglichen, um abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens erste Fehlerinformationen zu generieren. Die ersten Fehlerinformation gibt einen Fehler an, wenn die geschriebenen Testdaten und die ausgelesenen Daten unterschiedlich sind. Die Testschaltung ist so vorgesehen, um die Speicherzellen in einer Wortleitungsgruppe und entlang der Bitleitung nacheinander auszulesen, und um jeder der ausgelesenen Speicherzellen eine der ersten Fehlerinformationen zuzuordnen. Die ermittelten ersten Fehlerinformationen werden in einem Zwischenspeicher zwischengespeichert. Die Testschaltung ist weiterhin so gestaltet, um eine zweite Fehlerinformation zu generieren und zum Ausgeben bereit zu stellen, wobei die zweite Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn mindestens eine der ersten Fehlerinformationen der Wortleitungsgruppe einen Fehler angibt.
  • Auf diese Weise kann eine integrierte Speicherschaltung zur Verfügung gestellt werden, die es ermöglicht, Speicherzellen entlang einer Bitleitung nacheinander zu testen und eine komprimierte Fehlerinformation zur Verfügung zu stellen, die angibt, ob die Speicherzelle an einer Wortleitungsgruppe oder entlang einer Bitleitung fehlerhaft sind. Die in der integrierten Speicherschaltung erfolgende Kompression ermöglicht es, die Zeit des Auslesens der Speicherzellen an der Wortleitungsgruppe und entlang der Bitleitung zu nutzen, um weitere Fehlerinformationen, die bereits ermittelt worden sind, oder andere Informationen über den Testerkanal an das Testsystem zu übermitteln. Gleichzeitig wird in dem Testsystem Zeit eingespart, da dort eine Berechnung, ob ein Fehler in einem durch eine Wortleitungsgruppe und eine Bitleitung definierten Speicherbereich aufgetreten ist und um die entsprechende Wortleitungsgruppe im Fehlerfall durch eine redundante Wortleitungsgruppe zu ersetzen, eingespart bzw. erheblich vereinfacht werden kann.
  • Vorzugsweise weist die Speicherschaltung mehrere Speicherfelder auf, in denen Speicherzellen mithilfe einer gemeinsamen Adresse gleichzeitig adressiert werden können. Die Testschaltung ist so gestaltet, um die Speicherfelder im wesentlichen gleichzeitig zu aktivieren, so dass in jedem der Speicherfelder im wesentlichen gleichzeitig zweite Fehlerinformationen bereit gestellt werden. Die Testschaltung weist dazu einen weiteren Zwischenspeicher auf, um die zweiten Fehlerinformationen der mehreren Speicherfelder zwischenzuspeichern, wobei die Testschaltung so geschaltet ist, um nach Beenden des Auslesens der Speicherzellen der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung die zweiten Fehlerinformationen nacheinander auszulesen. Auf diese Weise können zweite Fehlerinformationen für die Speicherfelder parallel ermittelt werden, die vorzugsweise an das Testsystem ausgegeben werden können, während Fehlerinformationen für eine weitere Wortleitungsgruppe ermittelt werden.
  • Vorzugsweise ist die Speicherschaltung so gestaltet, dass eine Bitleitungsgruppe mit mehreren Bitleitungen durch eine redundante Bitleitungsgruppe ersetzt. Die Testschaltung generiert die erste Fehlerinformation für jede der Wortleitungsgruppe, wobei die erste Fehlerinformation einen Fehler an gibt, wenn mindestens eine von den dritten Fehlerinformationen einen Fehler angibt. Die dritten Fehlerinformationen entsprechen den Ergebnissen der Vergleiche der Inhalte der Speicherzellen an der Bitleitungsgruppe und an der jeweiligen Wortleitung mit den eingeschriebenen Testdaten.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung wird im folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:
  • 1 eine erfindungsgemäße integrierte Speicherschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform.
  • In 1 ist schematisch eine integrierte Speicherhaltung dargestellt, die vier Speicherbänke 1 aufweist. In den Speicherbänken 1 sind jeweils Speicherzellen 2 an Wortleitungen 3 und Bitleitungen 4 angeordnet. In der Darstellung der 1 ist der Üblichersichtlichkeit halber jeweils nur eine Wortleitung und eine Bitleitung, an deren Kreuzungspunkten sich die Speicherzelle befindet, dargestellt. In der Realität sind in den Speicherbänken eine größere Anzahl von Wortleitungen und Bitleitungen vorhanden.
  • Die Bitleitungen 4 sind über geeignete Ausleseverstärker (nicht gezeigt), sekundäre Ausleseverstärker (nicht gezeigt) und Schalteinrichtungen (nicht gezeigt) mit einem Datenbus 5 verbunden, über den Daten ausgelesen oder Daten geschrieben werden können. Der Datenbus 5 weist beispielsweise eine Breite von 64 Bit auf, so dass 64 Bit Daten parallel ausgelesen oder geschrieben werden können.
  • Wird die Speicherschaltung in einem Testmodus betrieben, sind die Datenbusse für jeden der Speicherbänke 1 mit einer Testschaltung 6 verbunden. Die Testschaltung 6 ist aktiviert, wenn sich die integrierte Speicherschaltung in einem Testmodus befindet. Im Normalbetrieb der Speicherschaltung wird die Testschaltung 6 im wesentlichen nicht verwendet.
  • Die Testschaltung 6 weist für jeden der Speicherbänke 1 eine Kompressionseinheit 7 auf, die mit dem Datenbus 5 verbunden ist. Beim Testen der Speicherzellen werden auf den betreffenden Datenbus 5 die aus den Speicherzellen ausgelesenen Daten jeweils einer Vergleichereinheit 8 zugeführt, die die ausgelesenen Daten mit den zuvor eingeschriebenen Daten vergleicht. Der Ausgang der Vergleichereinrichtung 8 ist mit der Kompressionseinheit 7 verbunden. Am Ausgang der Vergleichereinrichtung 8 liegt die Fehlerinformation an, die angibt, welche der ausgelesenen Speicherzellen nicht das zuvor hineingeschriebene Testdatum aufweist und somit fehlerhaft ist.
  • Üblicherweise werden die Speicherzellen nicht einzeln durch redundante Speicherzellen, sondern es werden Speicherabschnitte, in denen sich mindestens eine fehlerhafte Speicherzelle befindet, durch einen entsprechenden redundanten Speicherabschnitt ersetzt. Ist beispielsweise eine Speicherzelle an einer bestimmten Wortleitung und an einer bestimmten Bitleitung fehlerhaft, so kann diese Speicherzelle durch Ersetzen mit einer redundanten Wortleitung oder durch Ersetzen mit einer redundanten Bitleitung repariert werden. Üblicherweise werden mehrere zu einer Wortleitungsgruppe zusammengefasste Wortleitungen durch eine redundante Wortleitungsgruppe und mehrere zu einer Bitleitungsgruppe zusammengefasste Bitleitung durch eine redundante Bitleitungsgruppe ersetzt. Bei Auslesen von Daten entlang einer Wortleitung liest man üblicherweise die Speicherzellen an Bitleitungen von mehreren Bitleitungsgruppen aus. Da es nicht notwendig ist, die Fehlerinformation für jede der ausgelesenen Speicherzellen an das Testsystem zu übertragen, kann bereits intern in der integrierten Speicherschaltung ermittelt werden, ob in einer Speicherzelle einer Bitleitungsgruppe, die gerade ausgelesen worden ist, ein Fehler aufgetreten ist. Da es nicht notwendig ist, zu wissen, an welcher Position innerhalb der Bitleitungsgruppe der Fehler aufgetreten ist, können die Fehlerinformationen der Speicherzellen einer Bitleitungsgruppe und an einer Wortleitung zu einer einzigen Fehlerinformation zusammengefasst werden, indem die Fehlerinformation einen Fehler anzeigt, wenn eine der Speicherzellen der Bitleitungsgruppe und der Wortleitung fehlerhaft ist. Dadurch lässt sich eine Kompression der Fehlerdaten um einen Faktor erreichen, der sich aus der Größe einer Bitleitungsgruppe ergibt. Dies wird durch die Kompressionseinheit 7 durchgeführt. Die Kompressionseinheit 7 komprimiert die so ermittelten Fehlerinformationen um einen Faktor, der sich aus der Anzahl der gleichzeitig zu reparierenden Bitleitungen ergibt.
  • Üblicherweise werden diese Fehlerinformationen nun direkt an das Testsystem übertragen, wobei das Testsystem die so ermittelten Fehlerinformationen speichert und danach ermittelt, wie die gefundenen Fehler ersetzt werden sollen. Das Übertragen dieser Fehlerinformationen an das Testsystem ist zeitaufwendig, und auch die Berechnung einer geeigneten Reparaturlösung zum Reparieren der fehlerhaften Speicherzelle benötigt Zeit.
  • Erfindungsgemäß ist nun vorgesehen, Speicherzellen an zu Wortleitungsgruppen zusammengefassten Wortleitungen nacheinander auszulesen und die so ermittelten zweiten Fehlerinformationen zunächst in einem jeweiligen Zwischenspeicher 9 für die Speicherbänke 1 zwischenzuspeichern. Der Zwischenspeicher 9 ist als Schieberegister ausgebildet und weist eine Anzahl von Registerelementen 10 auf, wobei die Registerelemente 10 jeweils eine Breite von 16 Bit aufweisen. Die Breite von 16 Bit ergibt sich aus der Breite der zweiten Fehlerinformation. Die Anzahl der Registerelemente 10 ist durch die Anzahl der Wortleitungen einer Wortleitungsgruppe bestimmt. Im dargestellten Beispiel umfasst die Wortleitungsgruppe vier Wortleitungen.
  • Die vier Registerelemente 10 des Schieberegisters 9 werden beim nacheinander erfolgenden Auslesen der Speicherzellen an den Wortleitungen der betreffenden Wortleitungsgruppe ge füllt. Die Ausgänge der Registerelemente 10 sind jeweils mit einem UND-Gatter 11 verbunden. Aufgrund der Breite der Fehlerinformation von 16 Bit sind 16 UND-Gatter 11 für jede Speicherbank 1 vorgesehen.
  • Nachdem die Daten aus der letzten Wortleitung der Wortleitungsgruppe ausgelesen worden sind und die entsprechende Fehlerinformation in dem Schieberegister vorhanden ist, liegen an den UND-Gattern 11 entsprechende zweite Fehlerinformationen an, die in ein Latch 12 übernommen werden können. In dem Latch 12, das ebenfalls eine Breite von 16 Bit aufweist, sind somit Fehlerinformationen auslesbar, die angeben, ob in der betreffenden Wortleitungsgruppe ein Fehler aufgetreten ist.
  • Letztendlich werden durch die zweiten Fehlerinformationen Fehler in der jeweiligen Speicherbank 1 gekennzeichnet, wobei jeweils nur ein Fehlerdatum für einen Speicherabschnitt, der über eine Wortleitungsgruppe und eine Bitleitungsgruppe adressierbar ist, zur Verfügung gestellt wird. Im vorliegenden Fall wird ein Kompressionsfaktor von 16 erreicht, da ein Speicherabschnitt, der durch vier Bitleitungen und vier Wortleitungen definiert ist, d.h. ein Speicherabschnitt mit 16 Speicherzellen, durch jeweils eine Fehlerinformation als fehlerfrei oder fehlerbehaftet gekennzeichnet werden kann.
  • Da das Nacheinander-Aktivieren der Wortleitungen zum Auslesen der Speicherzellen erheblich länger dauert, als das Auslesen der Speicherzellen an einer gesamten Wortleitung, können auf diese Weise die entsprechenden Fehlerinformationen deutlich langsamer zur Verfügung gestellt werden als dies beim gleichzeitigen Auslesen aller Speicherzellen entlang einer Wortleitung der Fall ist. Um dennoch eine ausreichende Zahl von Fehlerinformationen bereit zu stellen, die an das Testsystem in einer fortlaufenden Folge übertragen werden können, wird das Auslesen von Speicherzellen entlang einer Bitleitung bzw. entlang einer Bitleitungsgruppe gleichzeitig für mehrere Speicherbänke durchgeführt.
  • Im dargestellten Beispiel werden alle vier Speicherbänke 1 durch die gemeinsame Adresse adressiert und über die entsprechende Vergleichereinrichtung 8, die entsprechende Kompressionseinheit 7, das entsprechende Schieberegister 9 und das entsprechende UND-Gatter 11 dem entsprechenden Latch 12 zur Bereitstellung der zweiten Fehlerinformationen zur Verfügung gestellt.
  • Die Latche 12 sind mit ihren Ausgängen mit einem weiteren Schieberegister 13 verbunden, wobei das weitere Schieberegister 13 eine weitere Anzahl von weiteren Registerelementen 14 umfasst. Die weitere Anzahl von weiteren Registerelementen 14 ist durch die Anzahl der Speicherbänke 1, im dargestellten Beispiel Fall vier, bestimmt. Nach dem Auslesen der Speicherzellen an den Wortleitungen der Wortleitungsgruppe und entlang einer Bitleitungsgruppe stehen an den Ausgängen der Latche 12 die Fehlerinformationen für die getesteten Speicherabschnitte in den gleichzeitig getesteten Speicherbänken 1 zur Verfügung. Diese werden in die weiteren Registerelemente 14 des weiteren Schieberegisters 13 geschrieben. Sind die Speicherzellen an den Wortleitungen der Wortleitungsgruppe ausgelesen und die entsprechende zweite Fehlerinformation generiert, so wird das Testen von Speicherzellen an den Wortleitungen einer weiteren Wortleitungsgruppe auf die vorbeschriebene Weise fortgesetzt. Währen die Speicherzellen an der weiteren Wortleitungsgruppe getestet werden, werden die in dem weiteren Schieberegister 13 gespeicherten Fehlerdaten an das (nicht gezeigte) Testsystem über einen Ausgang 15 ausgegeben.
  • Insbesondere bei einem Double-Data-Rate-II-Speicherbaustein benötigen vier Zugriffe auf Wortleitungen intern 28 Taktzyklen. Da von jeder Speicherbank 1 16 Bit Fehlerinformationen zur Verfügung gestellt werden, wäre ein paralleles Bearbeiten von zwei Speicherbänken optimal, womit man 32 Bit-Fehlerinformationen erhält, die während den 28 Taktzyklen für die Zugriffe auf die vier Wortleitungen einer weiteren Wort leitungsgruppe benötigt werden. Die 32 Fehlerinformationen können dann über einen einzigen Testerkanal während 32 Taktzyklen an das Testsystem übertragen werden. Dadurch kann man einen ununterbrochenen Fehlerinformationsfluss bei einer internen 16-fachen Fehlerkompression erreichen.
  • Die Idee der Erfindung besteht darin, eine Fehlerinformation im Testsystem zur Verfügung zu stellen, die angibt, ob entlang einer Bitleitungsgruppe ein Fehler in einer Speicherzelle in einer Wortleitungsgruppe aufgetreten ist. Dies spart Zeit bei der Berechnung der Reparaturlösung in dem angeschlossenen Testsystem. Dies kann jedoch bei geringem zusätzlichem Schaltungsaufwand nur dann erreicht werden, wenn nacheinander die Speicherzellen entlang derselben Bitleitungsgruppe ausgelesen werden, wobei die Wortleitungen der Wortleitungsgruppe nacheinander aktiviert werden.
  • Da das Adressieren von Speicherzellen an verschiedenen Wortleitungen deutlich längere Zeit benötigt als das Adressieren von Speicherzellen entlang einer Wortleitung, stehen insbesondere nach der Kompression der Fehlerinformationen weniger Fehlerinformationen zum Übertragen an das Testsystem zur Verfügung als in der Zeit, die zum Auslesen der Speicherzellen entlang einer Bitleitungsgruppe übertragen werden könnten. Daher ist vorgesehen, das erfindungsgemäße Verfahren in mehreren Speicherbänken 1 zugleich stattfinden zu lassen, so dass Fehlerinformationen im wesentlichen gleichzeitig aus den mehreren gleichzeitig getesteten Speicherbänken 1 zur Verfügung gestellt werden können. Diese können dann in dem weiteren Schieberegister 13 zwischengespeichert werden und während des Testens von Speicherzellen in einem weiteren Speicherabschnitt ausgegeben werden.
  • Das Ausgeben der Fehlerinformationen kann über einen Testerkanal oder mehrere Testerkanäle erfolgen, je nachdem, woraus sich ein optimales Verhältnis zwischen Testzeit eines einzelnen Speicherbausteins und Anzahl von gleichzeitig zu teste tenden Speicherbausteinen an einem Testsystem ergibt.
  • 1
    Speicherbank
    2
    Speicherzelle
    3
    Wortleitung
    4
    Bitleitung
    5
    Datenbus
    6
    Testschaltung
    7
    Kompressionseinheit
    8
    Vergleichereinheit
    9
    Schieberegister
    10
    Registerelement
    11
    UND-Gatter
    12
    Latch
    13
    weiteres Schieberegister
    14
    weiteres Registerelement
    15
    Ausgang

Claims (8)

  1. Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformation aus einem integrierten Speicherbaustein mit dynamischen Speicherzellen, die an Wortleitungen (3) und Bitleitungen (4) angeordnet sind, wobei eine Wortleitungsgruppe mit einer Anzahl von Wortleitungen (3) durch eine redundante Wortleitungsgruppe ersetzbar ist und/oder eine Bitleitung durch eine redundante Bitleitung ersetzbar ist, um fehlerhafte Speicherzellen zu ersetzen, wobei zum Testen der Speicherzellen (2) Testdaten in die Speicherzellen des Speicherbausteins geschrieben werden, wobei die geschriebenen Daten ausgelesen werden und mit den zuvor geschriebenen Testdaten verglichen werden, um abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens erste Fehlerinformationen zu generieren, wobei die erste Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn die geschriebenen Testdaten und die ausgelesenen Daten unterschiedlich sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherzellen (2) entlang einer der Bitleitungen (4) nacheinander ausgelesen werden, wobei für jede der ausgelesenen Speicherzellen (2) jeweils die erste Fehlerinformation generiert wird, wobei die ersten Fehlerinformationen beim Testen der Speicherzellen an der Wortleitungsgruppe zwischengespeichert werden, wobei eine zweite Fehlerinformation generiert wird, wobei die zweite Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn mindestens eine der ersten Fehlerinformationen einen Fehler angibt, wobei nach dem Beenden des Auslesens der Speicherzellen (2) an der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung (4) die zweite Fehlerinformation ausgegeben wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Speicherschaltung mehrere Speicherfelder (1) aufweist, die jeweils Speicherzellen (2) umfassen, die an Wortleitungen (3) und Bitleitungen (4) angeordnet sind, wobei Speicherzellen der Wortleitungsgruppe in den mehreren Speicherfeldern (1) im wesentlichen gleichzeitig ausgelesen werden, wobei das Generieren der zweiten Fehlerinformation für jeden der mehreren Speicherfelder (1) durchgeführt wird, wobei die zweiten Fehlerinformationen zwischengespeichert werden und nach dem Beenden des Auslesens der Speicherzellen (2) der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung die zweiten Fehlerinformationen nacheinander ausgegeben werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgeben der zweiten Fehlerinformationen durchgeführt wird, während die Speicherzellen (2) einer weiteren Wortleitungsgruppe aus den Speicherfeldern (1) zum Testen der Speicherzellen (2) ausgelesen werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Wortleitungen (3) der Wortleitungsgruppe in jedem der Speicherfelder (1) für das nacheinander erfolgende Auslesen der betreffenden Speicherzelle(n) (2) aktiviert und anschließend deaktiviert wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Bitleitunggruppe mit mehreren Bitleitungen (4) durch eine redundante Bitleitungsgruppe ersetzbar ist, um fehlerhafte Speicherzelle (2) zu ersetzen, wobei beim nacheinander erfolgenden Auslesen der Speicherzellen (2) an den Wortleitungen (3) der Wortleitungsgruppe und in der Bitleitungsgruppe abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens für jede der entsprechenden Speicherzellen (2) dritte Fehlerinformationen gene riert werden, die angeben, ob ein Fehler einer der Speicherzellen (2) der Bitleitungsgrupe aufgetreten ist, wobei aus den dritten Fehlerinformationen die erste Fehlerinformation generiert wird, so dass die erste Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn eine der dritten Fehlerinformationen einen Fehler angibt.
  6. Integrierte Speicherschaltung mit an Wortleitungen (3) und Bitleitungen (4) angeordneten Speicherzellen (2), mit einer Testschaltung (6), um gemäß eines Testmodus Testdaten in die Speicherzellen (2) der Speicherschaltung zu schreiben, mit einer redundanten Wortleitungsgruppe, um im Fehlerfall eine Wortleitungsgruppe mit einer Anzahl von Wortleitungen (3) zu ersetzen, mit einer redundanten Bitleitung, um eine Bitleitung (4) zu ersetzen, mit einer Schreibschaltung, um zum Testen der Speicherzellen (2) zur Verfügung gestellte Testdaten in die Speicherzellen (2) der Speicherschaltung zu schreiben, mit einer Ausleseschaltung, um die geschriebenen Daten auszulesen, mit einer Vergleicherschaltung (8), um die ausgelesenen Daten mit den geschriebenen Testdaten zu vergleichen, um abhängig von dem Ergebnis des Vergleichens erste Fehlerinformationen zu generieren, wobei die erste Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn die geschriebenen Testdaten und die ausgelesenen Daten unterschiedlich sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Testschaltung (6) so vorgesehen ist, um der Speicherzellen (2) in einer Wortleitungsgruppe und entlang der Bitleitung (4) nacheinander auszulesen und um jeder der ausgelesenen Speicherzellen (2) eine der ersten Fehlerinformationen zuzuordnen und in einem Zwischen speicher (9) zwischenzuspeichern, wobei die Testschaltung weiterhin so gestaltet ist, um eine zweite Fehlerinformation zu generieren und zum Ausgeben bereitzustellen, wobei die zweite Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn mindestens eine der ersten Fehlerinformationen der Wortleitungsgruppe einen Fehler angibt.
  7. Integrierte Speicherschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherschaltung mehrere Speicherfelder (1) mit den Speicherzellen (2) aufweist, wobei die Testschaltung (6) so gestaltet ist, um die Speicherbereiche im wesentlichen gleichzeitig zu testen und die zweiten Fehlerinformationen für die Speicherfeldere bereitzustellen, wobei die Testschaltung einen weiteren Zwischenspeicher (13) aufweist, um die zweiten Fehlerinformationen zwischenzuspeichern, wobei die Testschaltung (6) so gestaltet ist, um nach dem Beenden des Auslesens der Speicherzellen (2) der Wortleitungsgruppe entlang der Bitleitung (4) die zweiten Fehlerinformationen nacheinander auszugeben.
  8. Integrierte Speicherschaltung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherschaltung so gestaltet ist, dass eine Bitleitunggruppe mit mehreren Bitleitungen (4) durch eine redundante Bitleitungsgruppe ersetzbar ist, wobei die Testschaltung (6) so gestaltet ist, um die erste Fehlerinformation für jede der Wortleitungen (3) der Wortleitungsgruppe zu generieren, wobei die erste Fehlerinformation einen Fehler angibt, wenn mindestens eine von dritten Fehlerinformationen einen Fehler angibt, wobei die dritten Fehlerinformationen den Ergebnissen der Vergleiche der Inhalte der Speicherzellen (2) an der Bitleitungsgruppe und an der jeweiligen Wortleitung (3) mit den hineingeschriebenen Testdaten entsprechen.
DE10331068A 2003-07-09 2003-07-09 Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein Withdrawn DE10331068A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10331068A DE10331068A1 (de) 2003-07-09 2003-07-09 Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein
US10/888,649 US7038956B2 (en) 2003-07-09 2004-07-09 Apparatus and method for reading out defect information items from an integrated chip
CNB2004100698255A CN100492546C (zh) 2003-07-09 2004-07-09 自集成芯片读出缺陷信息项之方法及集成存储芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10331068A DE10331068A1 (de) 2003-07-09 2003-07-09 Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10331068A1 true DE10331068A1 (de) 2005-02-17

Family

ID=34071603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10331068A Withdrawn DE10331068A1 (de) 2003-07-09 2003-07-09 Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7038956B2 (de)
CN (1) CN100492546C (de)
DE (1) DE10331068A1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7162669B2 (en) * 2003-06-10 2007-01-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Apparatus and method for compressing redundancy information for embedded memories, including cache memories, of integrated circuits
KR100555532B1 (ko) * 2003-11-27 2006-03-03 삼성전자주식회사 메모리 테스트 회로 및 테스트 시스템
JP2006107590A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Nec Electronics Corp 半導体集積回路装置及びそのテスト方法
US20070022349A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-25 Agilent Technologies, Inc. Test apparatus with tester channel availability identification
US7562271B2 (en) 2005-09-26 2009-07-14 Rambus Inc. Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device
US7464225B2 (en) * 2005-09-26 2008-12-09 Rambus Inc. Memory module including a plurality of integrated circuit memory devices and a plurality of buffer devices in a matrix topology
US11328764B2 (en) 2005-09-26 2022-05-10 Rambus Inc. Memory system topologies including a memory die stack
US20070226553A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Khaled Fekih-Romdhane Multiple banks read and data compression for back end test
US10510431B2 (en) 2017-09-22 2019-12-17 Qualcomm Incorporated Detecting random telegraph noise defects in memory
CN116779016A (zh) * 2022-03-11 2023-09-19 长鑫存储技术有限公司 存储器芯片的测试电路及测试方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4389715A (en) * 1980-10-06 1983-06-21 Inmos Corporation Redundancy scheme for a dynamic RAM
US4627053A (en) * 1983-03-31 1986-12-02 Hitachi, Ltd. Method of repairing semiconductor memory
FR2611301A1 (fr) * 1987-02-24 1988-08-26 Thomson Semiconducteurs Memoire integree avec redondance de colonnes de donnees
US5317573A (en) * 1989-08-30 1994-05-31 International Business Machines Corporation Apparatus and method for real time data error capture and compression redundancy analysis
US5859804A (en) * 1991-10-16 1999-01-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real time two dimensional redundancy allocation
US6182262B1 (en) * 1997-02-04 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Multi bank test mode for memory devices
US6374378B1 (en) * 1997-11-10 2002-04-16 Advantest Corporation Failure analysis memory for semiconductor memory testing devices and its storage method
US6421794B1 (en) * 2000-03-09 2002-07-16 John T. Chen Method and apparatus for diagnosing memory using self-testing circuits

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5457656A (en) * 1994-08-17 1995-10-10 United Microelectronics Corp. Zero static power memory device redundancy circuitry
JP4519208B2 (ja) * 1998-03-03 2010-08-04 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE19922786B4 (de) * 1999-05-18 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeicher mit Testeinrichtung
JP3822412B2 (ja) * 2000-03-28 2006-09-20 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE10229802B3 (de) * 2002-07-03 2004-01-08 Infineon Technologies Ag Testschaltung und Verfahren zum Testen einer integrierten Speicherschaltung
US6886119B2 (en) * 2002-09-04 2005-04-26 Agere Systems Inc. Method and apparatus for improved integrated circuit memory testing

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4389715A (en) * 1980-10-06 1983-06-21 Inmos Corporation Redundancy scheme for a dynamic RAM
US4627053A (en) * 1983-03-31 1986-12-02 Hitachi, Ltd. Method of repairing semiconductor memory
FR2611301A1 (fr) * 1987-02-24 1988-08-26 Thomson Semiconducteurs Memoire integree avec redondance de colonnes de donnees
US5317573A (en) * 1989-08-30 1994-05-31 International Business Machines Corporation Apparatus and method for real time data error capture and compression redundancy analysis
US5859804A (en) * 1991-10-16 1999-01-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real time two dimensional redundancy allocation
US6182262B1 (en) * 1997-02-04 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Multi bank test mode for memory devices
US6374378B1 (en) * 1997-11-10 2002-04-16 Advantest Corporation Failure analysis memory for semiconductor memory testing devices and its storage method
US6421794B1 (en) * 2000-03-09 2002-07-16 John T. Chen Method and apparatus for diagnosing memory using self-testing circuits

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HAMADA, M.; HIDAKA, H.: "A built-in self-repair analyzer (CRESTA) for embedded DRAMs" Proc. Int. Test Conf. 2000, 567-574
KAWAGOE, T. et al: "A built-in self-repair analyzer (CRESTA) for embedded DRAMs" Proc. Int. Test Conf. 2000, 567-574 *
KAWAGOE, T.; OHTANI, J.; NIIRO, M.; OOISHI, T.
NELSON, R.G.; FISCHER, F.H.; MANTZ, T.F.: "Laser programmable redundancy and yield improvement in a 64K DRAM" IEEE Journal of Solid-State Circuits, Bd. 16, Nr. 5, Okt. 1981, 506-514
SMITH, R.T. et al: "Laser programmable redundancy and yield improvement in a 64K DRAM" IEEE Journal of Solid-State Circuits, Bd. 16, Nr. 5, Okt. 1981, 506-514 *
SMITH, R.T.; CHLIPALA, J.D.; BINDELS, J.F.M.
TANOI, S.: "BIST: required for embedded DRAM" Proc. Int. Test Conf. 1998, 1149 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN100492546C (zh) 2009-05-27
US7038956B2 (en) 2006-05-02
CN1577633A (zh) 2005-02-09
US20050030822A1 (en) 2005-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69125724T2 (de) Ein fehlertolerantes datenspeichersystem
DE4241327C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE4236099A1 (de) Spaltenredundanter Schaltkreis für eine Halbleiter-Speichervorrichtung
EP1113362B1 (de) Integrierter Halbleiterspeicher mit einer Speichereinheit zum Speichern von Adressen fehlerhafter Speicherzellen
EP1008993B1 (de) Schreib/Lesespeicher mit Selbsttestvorrichtung und zugehöriges Testverfahren
DE10206689B4 (de) Integrierter Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten Speichers
DE60011035T2 (de) Verfahren zur logischen Aufteilung einer nichtflüchtigen Speichermatrix
DE10229802B3 (de) Testschaltung und Verfahren zum Testen einer integrierten Speicherschaltung
DE10337284B4 (de) Integrierter Speicher mit einer Schaltung zum Funktionstest des integrierten Speichers sowie Verfahren zum Betrieb des integrierten Speichers
WO2000013087A1 (de) Verfahren zur reparatur von defekten speicherzellen eines integrierten speichers
DE10331068A1 (de) Verfahren zum Auslesen von Fehlerinformationen aus einem integrierten Baustein und integrierter Speicherbaustein
DE102005001520A1 (de) Integrierte Speicherschaltung und Verfahren zum Reparieren eines Einzel-Bit-Fehlers
EP1444699B1 (de) Verfahren zur rekonfiguration eines speichers
EP1055238B1 (de) Testschaltung und verfahren zum prüfen einer digitalen halbleiter-schaltungsanordnung
DE19922786B4 (de) Halbleiterspeicher mit Testeinrichtung
DE10256487B4 (de) Integrierter Speicher und Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers
DE10226585C1 (de) RAM-Speicherschaltung
EP0990236B1 (de) Anordnung mit speicherzellen und verfahren zur funktionsüberprüfung von speicherzellen
DE10035705A1 (de) Verfahren zum Analysieren des Ersatzes fehlerhafter Zellen in einem Speicher und Speichertestvorrichtung mit einem Fehleranalysator, der von dem Verfahren Gebrauch macht
DE19924153B4 (de) Schaltungsanordnung zur Reparatur eines Halbleiterspeichers
DE10016719A1 (de) Integrierter Speicher und Verfahren zur Funktionsprüfung von Speicherzellen eines integrierten Speichers
EP1085523B1 (de) Integrierter Speicher mit Speicherzellen und Referenzzellen
DE102007029371A1 (de) Verfahren zum Verbergen defekter Speicherzellen und Halbleiterspeicher
DE10050212A1 (de) Verfahren und integrierte Schaltung zum Testen eines Speichers mit mehreren Speicherbänken
DE10062404A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Reduzieren der Anzahl von Adressen fehlerhafter Speicherzellen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection
8170 Reinstatement of the former position
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

8139 Disposal/non-payment of the annual fee