DE1032787B - Schaltmatrize - Google Patents
SchaltmatrizeInfo
- Publication number
- DE1032787B DE1032787B DES49848A DES0049848A DE1032787B DE 1032787 B DE1032787 B DE 1032787B DE S49848 A DES49848 A DE S49848A DE S0049848 A DES0049848 A DE S0049848A DE 1032787 B DE1032787 B DE 1032787B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistors
- loads
- output lines
- transistor
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/64—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6221—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6285—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors with several outputs only combined with selecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M7/00—Conversion of a code where information is represented by a given sequence or number of digits to a code where the same, similar or subset of information is represented by a different sequence or number of digits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Schaltmatrizen oder Koordinatenschaltungen und betrifft insbesondere
Anlagen, bei denen Transistoren zur wahlweisen Steuerung des elektrischen Stroms für eine Vielzahl
von Belastungen Verwendung finden. Die Erfindung gibt hierfür eine neue Schaltung von Eingangs- und
Ausgangsleitungen, die durch eine Anzahl von Transistoren so miteinander verbunden sind, daß sich eine
Koordinatenschaltung mit besseren Arbeitscharakteristiken als bisher bei der Verwendung von Dioden
ergibt.
Schaltmatrizen finden für die verschiedensten Schaltanordnungen, insbesondere beispielsweise für
Ziffernrechenanlagen, vorteilhaft Verwendung. Meistens
werden für solche Schaltmatrizen oder Koordinatenschaltungen Dioden benutzt, und Antriebsquellen dienen zum wahlweisen, über die Dioden erfolgenden
Anschalten der aus einer Vielzahl von Belastungen enthaltenden Ausgangsleitungen ausgewählten
an eine Energiequelle. Infolge der Verwendung von Diodenelementen ergeben die bisher bekannten
Schaltmatrizen eine Energieverminderung der Stromquellen, wodurch ein Energieminimum der Antriebsquelle erforderlich und der Anwendungsbereich des
Gesamtsystems beschränkt wird.
Nach der Erfindung werden diese Schwierigkeiten vermieden, und es wird eine neue Schaltmatrizenanordnung
unter Verwendung in geeigneter Weise eingeschalteter Transistorelemente zum wahlweisen
Einschalten von Ausgangsleitungen in Abhängigkeit von vorgewählten Eingangsimpulsen oder -Signalen
geschaffen, wodurch an der Schaltmatrize statt des bisherigen Energieverlustes ein Energiegewinn eintritt.
Durch dieses Charakteristikum der Erfindung ist es möglich, eine neue Schaltung mit sehr
schwachen Impulsen bzw. Impulsen von niedrigem Pegel zu betreiben, wobei außerdem der geringere
Energieverlust einen besseren Wirkungsgrad ermöglicht. Bei einigen Ausführungsformen der Erfindung
ist zudem eine wesentliche Einsparung an Schaltelementen dadurch möglich, daß mehrere Elektroden
der Transistoren zum Steuern der gewünschten Schaltvorgänge gesteuert werden.
Die Erfindung bezweckt demnach die Schaffung neuer Schaltmatrizen oder Koordinatenschaltungen
unter Verwendung von Transistorelementen.
Auch soll nach der Erfindung eine neue Koordinatenschaltung geschaffen werden, die an
Stelle der Dämpfungscharakteristiken der bisher üblichen Schaltungen einen Energiezuwachs ergibt und
infolgedessen auf Eingangssignale geringerer Energie ansprechen kann, als es bisher möglich war.
Eie weiteres Ziel der Erfindung liegt in der Einsparung von Schaltelementen gegenüber den bisher
Anmelder:
Sperry Rand Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr. phil. G. B. Hagen, Patentanwalt,
München 22, Widenmayerstr. 38
München 22, Widenmayerstr. 38
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 5. August 1955
V. St. v. Amerika vom 5. August 1955
Theodore Hertz Bonn, Merion Station, Pa. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
bekannten Anordnungen, wobei gegebenenfalls mehr als eine Elektrode der Transistorelemente selektiv
betrieben werden kann.
Schließlich bezweckt die Erfindung eine Verbesserung des Wirkungsgrades von Schaltmatrizen gegenüber
den bisher bekannten derartigen Vorrichtungen.
Eine Schaltmatrize nach der Erfindung kann eine Vielzahl Eingangs- und Ausgangsleitungen aufweisen,
die über eine Vielzahl von Energiegewinn ergebenden Transistorelementen miteinander verbunden sind.
An die Eingangsleitungen kann entsprechend eine Vielzahl von Belastungen angeschlossen und hinsichtlich
der Transistoren so geschaltet sein, daß beim Ändern der Leitfähigkeit bestimmter Transistoren
durch Eingangssignale bestimmte Lasten unter Strom gesetzt werden. Bei einigen Ausführungsformen der
Erfindung kann das Schalten und Steuern durch Eingangssignale, durch Steuerung von nur einer Elektrode
der Transistoren erfolgen. Bei anderen Ausführungen kann jedoch auch mehr als eine Elektrode
der Transistoren durch Signale gesteuert werden.
Eine erfindungsgemäße Schaltmatrize besitzt in an sich bekannter Weise eine Anzahl Eingangsleitungen
und eine Anzahl Ausgangsleitungen und eine Anzahl mit den Ausgangsleitungen verbundener Belastungen
und mit den Ausgangsleitungen verbundener Mittel für die Zufuhr elektrischer Energie und ist dadurch
gekennzeichnet, daß eine Anzahl von an die Ausgangsleitungen angeschlossenen Transistoren und
an die Ausgangsleitungen angeschlossenen Signalsteuerungen vorhanden sind und daß die Signal-
809 558/172
steuerung die Impedanz bestimmter Transistoren selektiv steuern, derart, daß bestimmte Lasten an die
Energiequelle angeschlossen werden.
Im folgenden sind einige Beispiele von Koordinatenschaltungen nach der Erfindung an Hand schematischer
Zeichnungen näher erläutert; es zeigt
Fig. 1 ein Schaltschema einer Ausführungsform einer Schalttafel nach der Erfindung, bei der jeweils
nur eine Belastung mit Energie versorgt wird,
den. So ist die Eingangsleitung 14 mit den Ausgangsleitungen 10 und 11 durch Transistorelemente 24 und
25 verbunden; die Eingangsleitung 15 ist mit den Ausgangsleitungen 12 und 13 durch Transistorelemente
26 und 27 verbunden; die Eingangsleitung 16 ist durch Transistorelemente 28 und 29 mit den
Ausgangsleitungen 10 und 12 verbunden, und schließlich ist die Eingangsleitung 17 durch Transistorelemente
30 und 31 mit den Ausgangsleitungen 11
Fig. 2 eine Abwandlung der Schaltung nach Fig. 1, io und 13 verbunden.
wobei die Belastungen anders angeordnet sind, so daß Bei nach der Anordnung nach Fig. 1 sowie den
jeweils alle außer einer unter Strom stehen, Fig. 3 eine andere Ausführungsform
eine
findungsgemäßen Schaltung
findungsgemäßen Schaltung
zum
einer erwahlweisen EinAnordnungen nach Fig. 2 bis 4 sind in den Ausführungsbeispielen
NPN-Transistoren benutzt, obgleich die Erfindung sich natürlich auch mit PNP-
schalten einer Belastung, wobei jedoch weniger 15 oder sonstigen Transistoren verwirklichen ließe.
Gleichfalls ist gemäß Fig. 1 der Emitter jedes Transistors 24 bis 31 geerdet; aber es könnte natürlich
auch eine geerdete Basis oder ein geerdeter Kollektor bei den Transistoren vorgesehen sein.
Im Betrieb können die verschiedenen Transistoren 24 bis 31 je nach den Steuerimpulsen von den Schaltern
22 und 23 hohe oder niedrige Impedanz besitzen. Da die Belastungen 18 bis 21 jeweils an das der konstanten
Stromquelle gegenüberliegende Ende der
Schaltelemente benötigt werden als bei der Ausführung nach Fig. 1,
Fig. 3 A eine weitere Ausführungsform zum Einschalten aller Belastungen bis auf eine und mit
weniger Schaltelementen als bei der Ausführung nach Fig. 2,
Fig. 4 eine weitere Ausführungsform, bei der mehrere Elektroden der Transistoren von Signalen steuerbar
sind, wodurch sich eine weitere Einsparung an
Schaltelementen ergibt, und zwar beim Einschalten 25 Ausgangsleitungen angeschlossen sind, wird den Bealler
Belastungen bis auf eine, lastungen nur dann Strom zugeführt, wenn alle an
die zugehörige Ausgangsleitung angeschlossenen Transistoren sich im Zustand hoher Impedanz befinden.
Wird infolge eines entsprechenden Eingangssignals mindestens einer der einer bestimmten Ausgangsleitung
zugeordneten Transistoren auf niedrige Impedanz umgeschaltet, so fließt der Strom von der
zugehörigen konstanten Stromquelle durch diesen Transistor nach Erde und erreicht die Last nicht. In-
10 bis 13 enthalten, die von einer Anzahl Eingangs- 35 soweit NPN-Transistoren verwendet sind, befindet
leitungen 14 bis 17 wahlweise steuerbar sind. Bei dem sich jeder gegebene Transistor im Zustand niedriger
in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel werden
insgesamt vier Ausgangsleitungen wahlweise über
vier Eingangsleitungen gesteuert; es können aber
natürlich im Rahmen der Erfindung auch mehr oder 4°
weniger Eingangsleitungen oder Ausgangsleitungen
benutzt werden. Das eine Ende jeder Ausgangsleitung
10 bis 13 ist an eine Belastung 18, 19, 20 bzw. 21 angeschlossen, und das andere Ende ist jeweils mit einer
insgesamt vier Ausgangsleitungen wahlweise über
vier Eingangsleitungen gesteuert; es können aber
natürlich im Rahmen der Erfindung auch mehr oder 4°
weniger Eingangsleitungen oder Ausgangsleitungen
benutzt werden. Das eine Ende jeder Ausgangsleitung
10 bis 13 ist an eine Belastung 18, 19, 20 bzw. 21 angeschlossen, und das andere Ende ist jeweils mit einer
konstanten Stromquelle mit einem Potential V und 45 26, 27, 28 und 29 den Zustand niedriger Impedanz
einem Widerstand R1, R2, R3 bzw. i?4, aus denen sich ein, wenn die Leitungen 15 und 16 positiv geschaltet
Ströme I1, J2,I3 und J4 ergeben, verbunden. sind, so daß dann nur der Belastung 19 Strom zufließt,
Weiter enthält jede der Leitungen 10 bis 13 eine
Fig. 4 A eine weitere Ausführungsform, bei der mehrere Elektroden jedes Schaltelementes zur Steuerung
benutzt werden und wobei jeweils eine einzige Belastung unter Strom gesetzt wird, und
Fig. 5 eine weitere, als Entschlüsselungsvorrichtung dienende Koordinatenschaltung nach.der Erfindung.
Wie Fig. 1 zeigt, kann eine Koordinatenschaltung nach der Erfindung eine Anzahl Ausgangsleitungen
Impedanz, wenn seine Basis durch einen der mit der zugehörigen Eingangsleitung verbundenen Flip-Flop-Schalter
22 oder 23 positiv geschaltet ist.
So ist die Impedanz jedes Transistors 24, 25, 28 und 29 niedrig, wenn die Leitungen 14 und 16 durch
die Schalter 22 und-23 positiv sind, und es fließt dann Strom lediglich zu der Belastung 21 aus der Quelle
mit V und Rx. Entsprechend nehmen die Transistoren
Klemmdiode D1, D2, D3 und D4, deren jede an eine
und zwar von der Spannungsquelle V über den Widerstand R2. Entsprechend liegen die Verhältnisse für die
Spannungsquelle +E gelegt ist, so daß die Ausgangs- 5o anderen Schaltungsmöglichkeiten der Eingangsleitunleitungen
an das Potential + E angeschlossen sind. gen; jedenfalls wird bei der Anordnung nach Fig. 1
Für den vorliegenden Fall ist mit + E das äußerste für jede beliebige Stellung der Schalter 22 und 23
sichere Arbeitspotential der verschiedenen, noch zu jeweils nur eine einzige der Belastungen 18 bis 21 von
beschreibenden Transistoren bezeichnet, wobei zu be- der ihr zugeordneten Quelle aus mit Strom versorgt,
merken ist, daß die Klemmdioden D1 bis D4 hier nur 55 Dank der Verwendung von Transistoren wird außerder
Vollständigkeit halber eingezeichnet sind, während dem die Auswahl der jeweils unter Strom zu setzensie
in vielen Fällen nicht erforderlich sind oder ihre
Funktionen von weiteren, beispielsweise an den Ausgang der Koordinatenschaltung angeschlossenen
Stromkreisen übernommen werden können.
Funktionen von weiteren, beispielsweise an den Ausgang der Koordinatenschaltung angeschlossenen
Stromkreisen übernommen werden können.
Die Eingangsleitungen 14 und 15 sind an einen Flip-Flop-Schalter 22 angeschlossen und die Eingangsleitungen
16 und 17 in gleicher Weise an einen solchen Schalter 23. Jeder Schalter 22 und 23 hat
zwei Ausgangspotentiale, die so liegen, daß bei posi- °5 Belastung unter Strom steht, alle anderen Lasten
tiver Leitung 14 die Leitung 15 negativ ist, undumge- stromlos sind. In vielen Fällen ist jedoch eine gerade
kehrt; ebenso ist Leitung 16 positiv, wenn Leitung 17 umgekehrte Charakteristik erwünscht, so daß auf
negativ ist, und umgekehrt. Die verschiedenen Ein- einen gegebenen Steuerimpuls hin sämtliche Lasten
gangsleitungen sind mit den verschiedenen Ausgangs- mit Ausnahme von einer einzigen unter Strom stehen,
leitungen, wie dargestellt, durch Transistoren verbun- 70 Eine solche Charakteristik läßt sich mit einer An
den Belastung von der verhältnismäßig niedrigen Leistungsabgabe der Flip-Flop-Schalter 22 und 23 gesteuert,
so daß die gesamte Koordinatenschaltung statt der bei solchen Schaltungen bisher üblichen
Dämpfung einen Energiegewinn ermöglicht.
Wie an Hand der Fig. 1 beschrieben wurde, sind den einzelnen Belastungen eigene Energiequellen zugeordnet,
und die Schaltung ist derart, daß, wenn eine
Ordnung nach Fig. 2 erreichen, wobei ein Vergleich der Fig. 1 und 2 ergibt, daß die Lage der verschiedenen
Transistoren relativ zu den Eingangs- und Ausgangsleitungen sowie zu den konstanten Stromquellen
und zu den Klemmdioden dieselbe wie im Falle der Fig. 1 sein kann. Infolgedessen wurden in Fig. 1
und 2 die gleichen, entsprechenden Bezugszeichen verwendet, und die Arbeitsweise der Anordnung nach
Fig. 2 ist die gleiche, wie sie an Hand der Fig. 1 beschrieben wurde, lediglich mit Ausnahme der Lage
der Belastungen.
So sind gemäß Fig. 2 Belastungen 32 bis 35 mit Steuertransistoren 24 bis 30 in Reihe geschaltet anstatt
parallel, wie dies bei den Lasten 18 bis 21 der Fig. 1 der Fall ist. Infolge dieser Schaltung der Belastungen
in Fig. 2 fließt Strom von einer gegebenen Quelle nur dann durch die Belastung, wenn wenigstens
einer der mit der entsprechenden Ausgangsleitung_gekoppelten Transistoren im Zustand niedriger Impedanz
ist. Dies ist also eine direkte Umkehr der Arbeitsweise gemäß Fig. 1, da dort die Belastung
stromlos war, wenn wenigstens einer der mit der betreffenden Ausgangsleitung gekoppelten Transistoren
sich im Zustand geringer Impedanz befand.
Die an den Flip-Flop-Schaltern 22 und 23 auftretenden Potentiale sind genau die gleichen wie bei der
Anordnung nach Fig. 1, so daß auf Grund der besonderen Lage der Belastungen in Fig. 2 für eine bestimmte
Situation der Eingangssignale jeweils nur eine Last stromlos anstatt — wie vorher — unter
Strom ist. Wenn also beispielsweise die Eingangsleitungen 14 und 16 positiv sind, so· befinden sich die
Transistoren 24, 25, 28 und 29 im Zustand niedriger Impedanz, so daß Ströme I1, I2 und I3 durch die
Lasten 32, 33 und 34 in den Ausgangsleitungen 10, 11 und 12 fließen. Da jedoch die Transistoren 27 und
31 hohe Impedanz haben, fließt in der Ausgangsleitung 13 und damit durch die Last 35 kein Strom.
Bei jeder Anordnung nach Fig. 1 und 2 werden insgesamt acht Transistoren zum Schalten von insgesamt
vier Ausgangsleitungen über vier mit den Flip-Flop-Schaltern verbundene Eingangsleitungen benutzt. Bei
einer anderen Anordnung der Transistorelemente kann man jedoch mit etwas weniger Elementen auskommen,
ohne die Arbeitsweise der Anordnung zu beeinträchtigen. So zeigt Fig. 3 eine Anordnung mit insgesamt
nur sechs Transistoren zum Schalten von vier Ausgangsleitungen. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind
die Ausgangsleitungen von 40 bis 43 bezeichnet, und jede dieser Leitungen ist mit einem Ende an eine konstante
Stromquelle mit Potential V und Widerständen R5 bis R8 angeschlossen, wobei Klemmdioden in
gleicher Weise wie bei den Anordnungen nach Fig. 1 und 2 vorgesehen sind.
Die Ausgangsleitungen 40 bis 43 enthalten Belastungen 44 bis 47 und sind mit ihren anderen Enden
an Transistoren 48 bis 51 angeschlossen. Zwei weitere Transistoren 52 und 53 sind außerdem in der dargestellten
Weise mit den Transistoren 48 bis 51 verbunden. Steuersignale werden über Flip-Flop-Schalter
54 und 55 selektiv vier Eingangsleitungen 56 bis 59 zugeführt. Die Eingangsleitung 56 ist an die Basis der
Transistoren 49 und 51 angeschlossen und die Eingangsleitung 57 an die Basis der Transistoren 48 und
50. Die Eingangsleitung 58 steuert die Basis von dem Transistor 53 und die Eingangsleitung 59 die des
Transistors 52. Die Emitterelektroden der Transistoren 48 und 49 liegen parallel am Kollektor des
Transistors 52, während die Emitter der Transistoren 50 und 51 in gleicher Weise parallel am Kollektor
des Transistors 53 liegen; die Emitter der Transistoren 52 und 53 sind — wie dargestellt — geerdet.
Während des Betriebes kann eine bestimmte Last nur dann unter Strom stehen, wenn über einen der
Transistoren 48 bis 53 die Rückleitung nach Erde frei ist. Durch die relative Lage der verschiedenen Transistoren
zueinander besteht jedoch für jede gegebene Signaleinstellung der Flip-Flop-Schalter 54 und 55
jeweils nur ein einziger Weg nach Erde, der einen Stromfluß durch jeweils eine einzige der Belastungen
44 bis 47 freigibt, während die anderen Lasten stromlos sind. Angenommen beispielsweise, die Leitungen
56 und 58 seien positiv und damit die Impedanzen der Transistoren 51, 49 und 53 niedrig. Bei einem solchen
Steuerimpuls fließt ein Strom /8 über die Leitung 43, die Last 47 und die Transistoren 51 und 53 nach Erde.
Für die anderen Lasten 44, 45 und 46 besteht jedoch keine Erdung, so daß diese stromlos bleiben. In
gleicher Weise fließt, wenn die Leitungen 57 und 58 positiv geschaltet sind, ein Strom I1 über die Belastung
46 und weiter über die Transistoren 50 und 53 nach Erde, so daß also lediglich die Belastung 46
unter Strom steht, während alle anderen Lasten stromlos sind. Entsprechende Resultate ergeben sich
für die anderen Möglichkeiten von Signalkombinationen an den Flip-Flop-Schaltern 54 und 55.
Bei der Anordnung gemäß Fig. 3 werden verschiedene Lasten einzeln unter Strom gesetzt,
während jeweils alle anderen Lasten stromlos sind. In manchen Fällen ist jedoch eine genau umgekehrte
Charakteristik in der Weise erwünscht, daß auf ein gegebenes Steuersignal hin alle Belastungen mit Ausnahme
von nur einer unter Strom gesetzt werden. Eine derartige Charasteristik läßt sich mit der Anordnung
nach Fig. 3 A erreichen, wobei — wie ersichtlich — die Lage der verschiedenen Transistoren
relativ zu den Eingangs- und Ausgangsleitungen und auch relativ zu den konstanten Spannungsquellen und
zu den Klemmdioden die gleiche sein kann wie in Fig. 3. Infolgedessen sind auch die gleichen Bezeichnungen
wie in Fig. 3 für diese Teile verwendet; auch die Arbeitsweise nach Fig. 3 A ist, abgesehen
von der unterschiedlichen Anordnung der verschiedenen Belastungen, die gleiche wie bei Fig. 3.
Bei der Anordnung nach Fig. 3 A sind vier Belastungen 36 bis 39 parallel zu den Steuertransistoren
48 bis 53 geschaltet, an Stelle der gemäß Fig. 3 vorgesehenen Reihenschaltung der dort vorhandenen Belastungen
44 bis 47. Bei der Anordnung nach Fig. 3 A fließt nur dann ein Strom durch eine Belastung, wenn
wenigstens einer der mit der zugehörigen Ausgangsleitung verbundenen, hintereinandergeschalteten Transistoren
hohen Widerstandhat. Dies ist natürlich wieder die Umkehrung der an Hand von Fig. 3 beschriebenen
Arbeitsweise insofern, als dort eine Last stromlos war, wenn einer der zugehörigen Transistoren hohen
Widerstand besaß. Die an den Flip-Flop-Schaltern 54 und 55 auftretenden Potentiale sind bei Fig. 3 A
genau die gleichen wie bei Fig. 3, und nur die Anordnungen der Lasten bewirken, daß in Fig. 3 für eine
bestimmte Signalgabel nur eine der Lasten stromlos ist, statt, wie bei Fig. 3, unter Strom zu stehen. Durch
Gleichrichter D5 bis D8 wird ein Stromfluß in umgekehrter
Richtung durch die stromlosen Belastungen verhindert. Beispielsweise haben die Transistoren 49,
51 und 53 hohen Widerstand, wenn die Eingangsleitungen 56 und 58 negativ sind, so daß dann
Ströme /6, I1 und /8 durch die Belastungen 37, 38 und
39 fließen. Da die Transistoren 48 und 52 geringen Widerstand haben, wählt der Strom I5 diesen Weg,
I 032
und die Belastung 36 bleibt stromlos. Entsprechendes ergibt sich für die übrigen möglichen Konstellationen
der Flip-Flop-Schalter 54 und 55.
Eine noch größere Einsparung an Transistoren läßt sich dadurch erreichen, daß mehr als eine Elektrode
der Sehalttransistoren selektiv gesteuert wird. So werden beispielsweise bei der Anordnung nach
Fig. 4 die Basen und die Emitterelektroden der verschiedenen Transistoren selektiv gesteuert, so daß
jeder Transistor als Tor mit zwei Eingängen wirkt und daß nur halb soviel Transistoren für die Koordinatenschaltung
wie bei der Verwendung von Dioden oder bei den Anordnungen nach Fig. 1 oder 2
erforderlich sind. Natürlich können beliebige zwei Steuerelemente der verschiedenen Transistoren auf
diese Weise gesteuert werden, so daß dem Fachmann ohne erfinderisches Zutun auch noch andere Abwandlungen
möglich sind. Auch ist zu beachten, daß die Einsparung von Transistorelementen durch Aussteuerung
von jeweils zwei Elektroden statt nur einer wie in den vorausgegangenen Ausführungsbeispielen
auf Kosten der Energie geht, da eine größere Steuerkraft erforderlich ist. Trotzdem ergibt die Koordinatenschaltung
nach Fig. 4 beispielsweise noch einen gewissen Energieüberschuß als Folge der Wirtschaftlichkeit
der Schaltelemente, so daß diese Ausführungsform der Erfindung besonders vorteilhaft ist.
Die Matrizenschaltung nach Fig. 4 zeigt eine Anzahl Ausgangsleitungen 60 bis 63, die Belastungen 64
bis 67 enthalten. Die Leitungen 60 bis 63 stehen außerdem mit konstanten Stromquellen in Verbindung,
die jeweils ein Potential E1 und Widerstände R9
bis R12 enthalten. Die Ausgangsleitungen 60 bis 63
werden von Transistoren 68 bis 71 selektiv gesteuert, und es ist bei dieser Ausführungsform für jede Ausgangsleitung
ein einziger Transistor vorgesehen; außerdem sind die Kollektoren der Transistoren 68
bis 71 entsprechend mit den Ausgangsleitungen 60 bis 63 verbunden.
Die Emitter der Transistoren 68 und 69 liegen parallel an einer durch die Eingangsleitung 73 wiedergegebenen
Seite des FHp-Flop-Schalters 73; und die
Emitter der Transistoren 70 bis 71 liegen an der anderen, durch die Eingangsleitung 74 wiedergegebenen
Seite des Schalters 72. Entsprechend sind die Basen der Transistoren 68 und 70 über Widerstände R13 und
R11 mit einer Seite des Flip-Flop-Schalters 75, nämlich
der Eingangsleitung 76, verbunden, während die Basen der Transistoren 69 und 71 über Widerstände
R15 und R1Q mit der anderen Seite des Schalters 75,
nämlich der Eingangsleitung 77, verbunden sind. Bei Betrachtung der Schaltung als Ganzes ergibt sich demnach,
daß ein einziger Transistor zum Schalten jeder der Ausgangsleitungen vorhanden ist und daß jeder
dieser Transistoren über seinen Kollektor mit der zugehörigen Ausgangsleitung verbunden ist, während
die Emitter der verschiedenen Transistoren an einem und die Basen am anderen Flip-Flop-Schalter liegen.
Wenn während des Betriebs der mit einer bestimmten Ausgangsleitung verbundene Transistor hohe Impedanz
hat, entnimmt er der zugehörigen Stromquelle über den ihm zugeordneten der Widerstände R9 bis
R12 keinen Strom, so daß die betreffende Leitung auf
dem Potential + E1 sich befindet. Wird dagegen der
Transistor auf niedrige Impedanz umgeschaltet, so wird er leitend, und das Ausgangspotential der betreffenden
Leitung sinkt dann auf einen charakteristischen Wert unter + E1. Sind beispielsweise die
Eingangsleitungen 73 und 76 an den Flip-Flop-Schaltern 72 und 75 positiv, so ist nur am Transistor
70 die Basis gegenüber dem Emitter positiv, so daß dieser Transistor über den Widerstand R11 der Quelle
+ E1 Strom entnimmt, wobei das Potential der Leitung
62 unter den Wert + E1 absinkt. Die anderen Leitungen 60, 61 und 63 dagegen bleiben auf dem
Potential + -E1. Entsprechendes ergibt sich für die
verschiedenen anderen Schaltungsmöglichkeiten der Flip-Flop-Schalter 72 und 75.
Die Widerstände R13 bis R10 dienen zum Begrenzen
des Basisstroms. Ist beispielsweise der Transistor 70, wie oben beschrieben, leitend, so entnimmt er über
den Widerstand R13 mit seiner Basis so viel Strom,
daß das Basispotential etwa auf das Emitterpotential absinkt, so daß der Basisstrom des Transistors 70 sowohl
durch den Widerstand R13 als auch durch die
Potentialdifferenz der Leitungen 74 und 76 bestimmt wird. Die gleichen Beziehungen bestehen natürlich für
die anderen Transistoren 68, 69 und 71.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung der Schaltung nach Fig. 4 ergibt, wird eine der Ausgangsleitungen durch einen Potentialabfall unter den Wert
4- E1 hervorgehoben bzw. gekennzeichnet. Diese
Arbeitsweise der Schaltung kann natürlich auch so aufgefaßt werden, daß eine Stromabgabe über alle
Ausgangsleitungen mit Ausnahme von einer erfolgt und daß die Abgaben durch das Potential + E1 gekennzeichnet
sind, während keine Abgabe erfolgt, falls das Leitungspotential unter + E1 absinkt.
Gemäß Fig. 4 stehen also für jede Signalkombination alle Belastungen außer einer selektiv unter
Strom. Für bestimmte Anlagen ist jedoch eine Umkehr dieser Arbeitscharakteristik zweckmäßig, indem
für ein bestimmtes Steuersignal nur eine der Belastungen unter Strom stehen soll. Eine solche Charakteristik
kann durch die Schaltung nach Fig. 4A gewonnen werden; wie ersichtlich, ist bei Fig. 4A die
Lage der verschiedenen Transistoren relativ zu den Eingangs- und Ausgangsleitungen und zu den konstanten
Stromquellen gegebenenfalls die gleiche wie bei Fig. 4. Es sind deshalb auch die gleichen Bezugszeichen verwendet, und auch die Arbeitsweise der
Koordinatenschaltung nach Fig. 4 A ist die gleiche, wie sie vorstehend für Fig. 4 geschrieben wurde, mit
Ausnahme der Lage der Belastungen.
So liegen bei der Schaltung nach Fig. 4 A Belastungen 95 bis 98 in Reihe mit den verschiedenen Steuertransistoren
68 bis 71, anstatt parallel zu diesen geschaltet zu sein, wie dies bei den Belastungen 64 bis
67 der Fig. 4 der Fall ist. Infolge der Reihenschaltung der Belastungen fließt bei Fig. 4 A nur dann
Strom von der konstanten Stromquelle aus durch eine der Belastungen, wenn der zugeordnete Transistor
geringen Widerstand hat. Dies ist also eine unmittelbare Umkehr der Arbeitsweise gemäß Fig. 4, bei der
die Belastung stromlos war. falls der zugeordnete Transistor geringen \¥iderstand hatte. Die an den
Flip-Flop-Schaltern 72 und 75 auftretenden Potentiale gemäß Fig. 4 A sind genau die gleichen wie gemäß
Fig. 4, und nur infolge der anderen Anordnung der Belastungen ist bei Fig. 4A für ein gegebenes Eingangssignal
jeweils eine der Belastungen unter Strom statt, wie bei Fig. 4, stromlos. Beispielsweise wenn
Eingangsleitung 73 negativ und Eingangsleitung 77 positiv ist, befindet sich nur der Transistor 68 im
Zustand niedriger Impedanz, so daß nur die Belastung unter Strom steht. Da gleichzeitig die Transistoren
69, 70, 71 hohe Impedanz haben, sind die Belastungen 96, 97, 98 stromlos. Entsprechendes gilt für
die anderen Kombinationsmöglichkeiten der Eingangssignale an den Flip-Flop-Schaltern 72 und 75.
Fig. 5 zeigt eine weitere, Transistoren verwendende
Koordinatenschaltung für Entschlüsselungen, und zwar werden bei diesem Ausführungsbeispiel PNP-Transistoren
benutzt als Beispiel für eine Variante des für die verschiedenen Ausführungsformen der Erfmdung
in Betracht kommenden Transistortyps. Die Schaltung nach Fig. 5 zeigt wiederum eine Anzahl
Ausgangsleitungen 80 bis 83 und eine Anzahl Eingangsleitungen 84 bis 87. Die Eingangsleitung 84 ist
über einen Transistor 88 mit der Ausgangsleitung 80 und die Eingangsleitung 85 ist über die Transistoren
89 und 90 mit den Ausgangsleitungen 81 und 82 verbunden. Weiter ist die Eingangsleitung 86 über einen
Transistor 91 mit der Ausgangsleitung 83 und die Eingangsleitung 87 über Transistoren 92 und 93 mit
den Ausgangsleitungen 80 und 83 verbunden. Außerdem sind die einzelnen Ausgangsleitungen 80 bis 83
an je einem Ende mit einem Negativpotential — E über Widerstände R17 bis R.,o verbunden, und die verschiedenen
Transistoren haben, dies jedoch nur beispielsweise, geerdete Emitterelektroden. Infolge der
Verwendung von PNP-Transistoren ist während des Betriebs ein Transistor dann niedrig in der Impedanz,
wenn seine Basis gegenüber seinem Emitter negativ ist. Wird ein an eine bestimmte Ausgangsleitung
angeschlossener Transistor in dieser Weise auf niedrige Impedanz geschaltet, so fließt Strom von
Erde durch die Geberelektrode des Transistors und über einen der Widerstände R17 bis R20 zum negativen
Potential — E, wodurch die zugehörige Ausgangsleitung
80 bis 83 im Potential positiv gegenüber der Spannung — E wird und ein charakteristisches Potential
hat. Bei negativer Schaltung der Eingangsleitung 84, während die Leitungen 85 bis 87 positiv sind,
wird die Leitung 80 positiv gegenüber — E, während die übrigen Ausgangsleitungen 81 bis 83 auf dem
Potential — E verharren. Würde dagegen die Leitung 85 negativ bei positiven übrigen Eingangsleitungen,
so werden die Ausgangsleitungen 81 und 82 positiv gegenüber — E, während die Leitungen 80 und 83
negativ auf — E bleiben. Entsprechendes gilt für das Negativschalten der Leitung 86 und der Leitung 87.
In den Ausführungsbeispielen wurden nur einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben,
die im übrigen, auf den gleichen Grund-Prinzipien beruhend, auch in verschiedener anderer
Weise verwirklicht werden kann.
Claims (11)
1. Schaltmatrize mit einer Anzahl Eingangsleitungen, einer Anzahl Ausgangsleitungen, einer
Anzahl mit den Ausgangsleitungen verbundener Belastungen und mit den Ausgangsleitungen verbundener
Mittel für die Zufuhr elektrischer Energie, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl
von an die Ausgangsleitungen (10 bis 13) angeschlossenen Transistoren (24 bis 31) und an die
Eingangsleitungen (14 bis 17) angeschlossenen Signalsteuerungen (22,23) vorhanden ist und daß
die Signalsteuerungen die Impedanz bestimmter Transistoren selektiv steuern, derart, daß bestimmte
Lasten (18 bis 21) an die Energiequelle (+ V) angeschlossen werden.
2. Schaltmatrize nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel für die Energiezufuhr
eine konstante Stromquelle (I1) enthalten.
3. Schaltmatrize nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalsteuerungen
eine Anzahl von an die Eingangsleitungen (14 bis 17) angeschlossenen Flip-Flop-Schaltern (22,
23) enthalten.
4. Schaltmatrize nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils eine Elektrode einer
Anzahl von Transistoren (68 bis 71) an eine der Ausgangsleitungen angeschlossen ist und daß die
Impedanz jedes der Transistoren (68 bis 71) durch Signale steuerbar ist, die zwei Elektroden
jedes Transistors zugeführt werden, derart, daß von zwei Flip-Flop-Schaltern (72, 75) einer (72)
mit einer zweiten der Elektroden jedes Transistors und ein anderer mit einer dritten der Elektroden
jedes Transistors verbunden ist (Fig. 4),
5. Schaltmatrize nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Flip-Flop-Schalter (72,
75) zwei Signalausgänge enthalten, die mit verschiedenen Elektroden jedes der Transistoren verbunden
sind (Fig. 4).
6. Schaltmatrize nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrode jedes
Transistors an Erde liegt (Fig. 5).
7. Schaltmatrize nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Signalgeber
(72, 75) je einen Flip-Flop-Schalter enthalten
(Fig. 4).
8. Schaltmatrize nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine
erste Gruppe von Transistoren (48 bis 51) unmittelbar an den Ausgangsleitungen (40 bis 43)
liegt und eine zweite Gruppe von Transistoren (52, 53) über die erste Gruppe mit den Ausgangsleitungen
verbunden ist und daß die Signalsteuerungen getrennte Signalgeber (54, 55) enthalten,
die an die erste bzw. an die zweite Transistorgruppe angeschlossen sind (Fig. 3).
9. Schaltmatrize nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Belastungen
jeweils in Reihe mit den betreffenden Ausgangsleitungen und die Transistoren parallel
zu den Belastungen geschaltet sind.
10. Schaltmatrize nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Belastungen in Serienschaltung in den betreffenden Ausgangsleitungen jeweils zwischen der
Energiequelle und den Transistoren eingeschaltet sind.
11. Schaltmatrize nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren
zwischen der Energiequelle und den Belastungen in die Ausgangsleitungen eingeschaltet
sind.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
© 809 558/172 6.58
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US526652A US2960681A (en) | 1955-08-05 | 1955-08-05 | Transistor function tables |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1032787B true DE1032787B (de) | 1958-06-26 |
Family
ID=24098203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES49848A Pending DE1032787B (de) | 1955-08-05 | 1956-08-04 | Schaltmatrize |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2960681A (de) |
CH (1) | CH342384A (de) |
DE (1) | DE1032787B (de) |
FR (1) | FR1166105A (de) |
GB (1) | GB829954A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1106368B (de) * | 1958-11-21 | 1961-05-10 | Shockley Transistor Corp | Verfahren zur Herstellung einer Schaltmatrize |
DE1289549B (de) * | 1966-03-11 | 1969-02-20 | Fairchild Camera Instr Co | Bildwandlersystem |
DE2443521A1 (de) * | 1974-09-11 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Vorrichtung zur elektronischen bildaufzeichnung |
DE2460625A1 (de) * | 1974-12-20 | 1976-06-24 | Siemens Ag | Vorrichtung zur elektronischen bildaufzeichnung |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3312941A (en) * | 1955-11-01 | 1967-04-04 | Rca Corp | Switching network |
NL222944A (de) * | 1956-12-05 | |||
NL227219A (de) * | 1957-04-27 | |||
US3030524A (en) * | 1958-12-17 | 1962-04-17 | Bell Telephone Labor Inc | Balanced transistor swiching circuits |
US3093814A (en) * | 1959-04-29 | 1963-06-11 | Ibm | Tag memory |
US3025411A (en) * | 1960-05-23 | 1962-03-13 | Rca Corp | Drive circuit for a computer memory |
US3210741A (en) * | 1961-05-03 | 1965-10-05 | Sylvania Electric Prod | Drive circuit for magnetic elements |
US3174102A (en) * | 1962-05-31 | 1965-03-16 | Ibm | Signal muting circuit for data transmission systems |
US3500388A (en) * | 1965-11-05 | 1970-03-10 | Westinghouse Air Brake Co | Fail-safe logic speed command decoder |
NL152118B (nl) * | 1966-05-19 | 1977-01-17 | Philips Nv | Halfgeleider-leesgeheugenmatrix. |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE495917A (de) * | 1949-10-21 | |||
US2627039A (en) * | 1950-05-29 | 1953-01-27 | Bell Telephone Labor Inc | Gating circuits |
US2673936A (en) * | 1952-04-28 | 1954-03-30 | Bell Telephone Labor Inc | Diode gate |
US2644892A (en) * | 1952-06-02 | 1953-07-07 | Rca Corp | Transistor pulse memory circuits |
US2773250A (en) * | 1953-05-13 | 1956-12-04 | Int Standard Electric Corp | Device for storing information |
US2695398A (en) * | 1953-06-16 | 1954-11-23 | Bell Telephone Labor Inc | Ferroelectric storage circuits |
US2706811A (en) * | 1954-02-12 | 1955-04-19 | Digital Control Systems Inc | Combination of low level swing flipflops and a diode gating network |
US2722649A (en) * | 1954-08-09 | 1955-11-01 | Westinghouse Electric Corp | Arcless switching device |
US2825889A (en) * | 1955-01-03 | 1958-03-04 | Ibm | Switching network |
-
1955
- 1955-08-05 US US526652A patent/US2960681A/en not_active Expired - Lifetime
-
1956
- 1956-07-31 GB GB23650/56A patent/GB829954A/en not_active Expired
- 1956-08-04 CH CH342384D patent/CH342384A/fr unknown
- 1956-08-04 FR FR1166105D patent/FR1166105A/fr not_active Expired
- 1956-08-04 DE DES49848A patent/DE1032787B/de active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1106368B (de) * | 1958-11-21 | 1961-05-10 | Shockley Transistor Corp | Verfahren zur Herstellung einer Schaltmatrize |
DE1289549B (de) * | 1966-03-11 | 1969-02-20 | Fairchild Camera Instr Co | Bildwandlersystem |
DE2443521A1 (de) * | 1974-09-11 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Vorrichtung zur elektronischen bildaufzeichnung |
DE2460625A1 (de) * | 1974-12-20 | 1976-06-24 | Siemens Ag | Vorrichtung zur elektronischen bildaufzeichnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US2960681A (en) | 1960-11-15 |
FR1166105A (fr) | 1958-11-03 |
GB829954A (en) | 1960-03-09 |
CH342384A (fr) | 1959-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1045450B (de) | Verschiebespeicher mit Transistoren | |
DE1023613B (de) | Binaere Trigger- und Zaehlerkreise unter Verwendung magnetischer Speicher | |
DE1032787B (de) | Schaltmatrize | |
DE1499843B2 (de) | Anordnung mit mindestens einer Speicherzelle mit mehreren Transistoren | |
DE1038315B (de) | Anordnung zur Steuerung von Magnetkernspeichern mit in mehreren Ebenen in Form von Matrizen angeordneten Speicherkernen | |
DE2909222C3 (de) | Josephson-Schaltung zur Polaritätsumschaltung und Verfahren zu deren Betrieb | |
DE2152444C3 (de) | Dreistufige logische Schaltung | |
DE1177682B (de) | Schaltungsanordnung zum wahlweisen Anschliessen von mindestens einer Last an Stromquellen, die Stroeme in entgegengesetzter Richtung liefern | |
DE1537176A1 (de) | Logische Schaltungen mit Feldeffekttransistoren | |
DE1054117B (de) | Elektrische Schaltanordnung mit mehr als zwei stabilen Betriebszustaenden | |
DE1071387B (de) | Wählschaltung für eine Magnetkernmstrix | |
DE1814213C3 (de) | J-K-Master-Slave-Flipflop | |
DE1275608B (de) | Zugriffschaltung fuer Speicheranordnungen | |
DE2855342C2 (de) | Speicherschaltung | |
DE2904231A1 (de) | Elektrischer verstaerker | |
DE1267249B (de) | Eingangstorschaltung fuer eine bistabile Speicherschaltung | |
DE2246756C3 (de) | Elektronischer Datenspeicher | |
DE1638024A1 (de) | Elektrische Bezugsvorrichtung | |
EP0048490B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal | |
DE3801530C2 (de) | ||
DE1201402B (de) | Schaltvorrichtung mit einem rueckgekoppelten Transistor und einer Diode | |
DE1068487B (de) | Schieberegister auls bistabilen Magnetkernen | |
DE3437371A1 (de) | Elektronischer steuerstromkreis | |
EP0848499B1 (de) | Schaltungsanordnung für eine Speicherzelle eines D/A-Wandlers | |
DE1300589B (de) | Elektronisches Geraet zum parallelen Betrieb einer Gruppe von mehreren Ausgangselementen |