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Die
Erfindung betrifft
- – einen beschichteten Körper, insbesondere
ein Werkzeug
- – eine
Vorrichtung zur Beschichtung eines Körpers,
- – und
ein Verfahren zur Beschichtung eines Körpers.
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Zur
Verbesserung der mechanischen Eigenschaften ist es bekannt, die
Oberfläche
von Körpern zu
beschichten. Insbesondere für
Werkzeuge, beispielsweise Bohrer, Fräser oder Wendeschneidplatten
ist es bekannt, auf einem Substrat-Material, beispielsweise HSS-Stahl oder Hartmetall
eine oder mehrere Schichten aufzubringen.
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Eine
Klasse der hierfür
verwendeten Beschichtungsverfahren sind PVD(Physical Vapor Deposition)-Verfahren.
Beispielsweise in der
DE 3825399
C2 ist ein PVD-Verfahren beschrieben. Eines der PVD-Verfahren
ist das Magnetronsputtern. Hierbei werden Targets zerstäubt und
eine Beschichtungsatmosphäre
als Plasma erzeugt, deren Bestandteile auf der Oberfläche des
Körpers
abgeschieden werden. Bekannt sind außerdem andere PVD-Verfahren wie Elektronenstrahlverdampfen oder
Lichtbogenaufdampfen.
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Hierfür ist die
Verwendung von verschiedenen Materialien bzw. Materialsystemen aus
verschiedenen Elementen bekannt. Die Abscheidung von α-kristallinem
Al
2O
3 mittels thermischem
CVD ist z. B. im
US
Patent 4,180,400 A ausführlich
beschrieben. In den
US
Patenten 4,790,920 A ,
5,693,417 A und
6,210,726 B1 wird über die PVD-Abscheidung von γ-Al
2O
3 berichtet.
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Für die PVD-Abscheidung
von Schichten aus Al
2O
3 ist
es bekannt, nicht herkömmliche
Gleichstromplasmen zu verwenden, sondern die Elektroden mit Wechselspannung
zu betreiben.
US Patente 4,046,659
A und
4,013,532
A wie das Deutsche Patent
DD 252 205 B5 beschreiben Beschichtungsvorrichtungen
und – verfahren,
bei denen die Elektroden nicht mit Gleichspannung, sondern mit Wechselspannung
betrieben werden (gepulste Plasmen).
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In
der
DE-OS 2718647 A1 ist
ein Mischüberzug
aus Aluminiumoxid und Titanoxid sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
angegeben. Dem Verschleiß ausgesetzte
Teile wie Maschinenteile, Werkzeuge und Gesenke aus verschiedenen
Materialien wie z. B. gehärtetem
Stahl oder Hartmetall werden beschichtet mit einer Schicht aus Aluminiumoxid
und Titanoxid. Die Struktur der Schicht entspricht einem dichten,
nicht porösen
und sehr festen Überzugsmaterial
aus α-Aluminiumoxid
mit darin vollständig
dispergiertem hexagonalem α-Titanoxid. Die Konzentration
des Titanoxids ist dabei bevorzugt mit 4–5% angegeben. Zur Herstellung
der Schicht werden Wasserdampf und ein Aluminiumhalogenid gasförmig zusammen
mit einem Argon-Trägergas
einem geheizten Gefäß zugeführt, in
dem sich die zu beschichtenden Substrate befinden. Hierdurch bildet
sich eine fest mit der dem Verschleiß ausgesetzten Oberflächen verbundene
Schicht.
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In
der
EP 45 291 B1 sind
ein beschichteter Hartmetallkörper
und ein Verfahren zu seiner Herstellung offenbart. Der Körper ist
mit einer Aluminiumoxidbeschichtung gleichmäßiger Dicke versehen, wobei
diese Beschichtung direkt auf dem Substrat oder auf verschleißbeständigen Zwischenschichten in
Form von Carbiden, Nitriden, Carbonitriden, Oxiden oder Boriden
von Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si gebildet sein können. Die
Schichten werden im CVD-Verfahren erzeugt, wobei durch eine Reaktion gasförmiger Komponenten
eine Beschichtung auf einem heißen
Substrat erzeugt wird. Beim Beschichtungsvorgang wird eine vorgegebene
Menge Schwefel, Selen und/oder Tellur zugegeben, um eine deutliche
Erhöhung
der Schichtrate des Aluminiumoxids zu erreichen. Hierbei enthält die Beschichtung und/oder
die Oberfläche
des Substrats geringe Mengen von mehr als 0,1 Gew.-% Schwefel, Selen
oder Tellur.
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In
der
EP 84 525 B1 sind
ein beschichteter Hartmetallkörper
und ein Verfahren zu seiner Herstellung offenbart. Aluminiumoxidbeschichtungen werden
im CVD-Verfahren erzeugt, wobei beim Beschichtungsvorgang eine vorgegebene
Menge Phosphor, Arsen, Antimon und/oder Wismut zugegeben wird, um
eine deutliche Erhöhung
der Schichtrate des Aluminiumoxids zu erreichen.
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In
der
EP 659 903 B1 sind
ein mit Aluminiumoxid beschichtetes spanabhebendes Werkzeug und ein
Verfahren zu seiner Herstellung beschrieben. Durch Auswahl eines
Substrats mit einem bestimmten Wärmeausdehnungskoeffizienten
soll das Problem der Rissbildung bei durch CVD-Verfahren hergestellten
Aluminiumoxidschichten gelöst
werden. Die Schicht wird in einem CVD-Verfahren bei einer Temperatur
von 850–1110°C hergestellt,
wobei zusätzlich
zu den Reaktionsgasen CO
2, CO und AlCl
3 eine Schwefel-Halogen-Verbindung zur Bildung
der Schicht verwendet wird. Die so gebildete Schicht besteht aus α-Al
2O
3.
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In
der
WO 99/24634 A1 sind
ein beschichtetes Werkzeug für
die Metallbearbeitung und ein Herstellungsverfahren hierfür offenbart.
Die Beschichtung enthält
mindestens eine Schicht aus Aluminiumoxid der γ-Phase mit einer Korngröße von weniger als
0,1 μm.
Zur Herstellung der Schicht wird ein bipolar gepulstes Dual-Magnetron
Bestäubungsverfahren angewendet,
mit dem bei Substrattemperaturen von 450–700°C die Schicht gebildet wird.
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Es
ist Aufgabe der Erfindung, einen Körper und ein Herstellungsverfahren
anzugeben, bei denen eine gewünschte
Kristallinität
auf einfache Weise erreicht wird. Diese Aufgabe wird gelöst durch
einen Körper
nach Anspruch 1, ein Verfahren nach Anspruch 5 und eine Vorrichtung
nach Anspruch 6. Abhängige
Ansprüche
beziehen sich auf vorteilhafte Weiterbildungen.
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In
einigen der obengenannten Schriften ist die Abscheidung von Al
2O
3-Schichten mittels PVD-Verfahren
beschrieben. In der
US
6,210,726 B1 wird detailliert über die verschiedenen Phasen
berichtet, in den Al
2O
3 kondensiert.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß für vorteilhafte mechanische
Eigenschaften, insbesondere hohe Härte, eine reine Kristallinität anzustreben
ist. Deshalb werden Maßnahmen
vorgeschlagen, um eine möglichst
reine α-Kristallinität zu erreichen.
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Dies
kann erreicht werden, indem nicht die reine α-Al2O3-Phase, sondern Mischungen aus α-Al2O3 und Katalysator-Elementen
abgeschieden werden. Diese wirken als Kristallisationskeime für die Bildung
von Kristallen in α-Phase.
Bereits geringe Mengen reichen aus, μm die Bildung kristalliner Schichten
zu katalysieren.
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α-Al2O3 gehört der Raumgruppe
R-3c an. In dieser Struktur kondensieren nach „Pearson's Handbook of Crystallographic Data
for Intermetallic Phases”,
American Society for Metals, Metals Park, Ohio 44073, USA” 11 weitere
Phasen, von denen 9 Oxide und 4 Sulfide sind.
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Als
Katalysator-Elemente werden solche Elemente vorgeschlagen, deren
Oxide oder Sulfide in hexagonaler R-3c Struktur kondensierenden.
Von besonderem Interesse für
die PVD-Abscheidung von Verschleißschutz-schichten sind hier
die Oxide des Elemente Fe, V, Cr, Ti und Rh. Alle diese Systeme zeigen
vollständige
Löslichkeit
mit α-Al2O3, so daß sie als
Katalysator für
die Entstehung einer α-Phase wirken.
Erfindungsgemäß enthält die Schicht
daher mindestens ein die Ausbildung der kristallinen Phase begünstigtes
Element, das aus der Gruppe umfassend Fe, Lu, V, Ga, Rh, Cr, Ti
ausgewählt
ist, und zwar zu einem Gehalt von 0,1–1 At.-%.
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Die
bevorzugt für
die Abscheidung der Schichten verwendeten Materialsysteme sind (Al,Fe)2O3, (Al,V)2O3, (Al,Cr)2O3, (Al,Ti)2O3, (Al,Rh)2O3. Es können aber
auch mehrere der obengenannten Katalysator-Elemente kombiniert werden, so
daß beispielsweise
die Materialsysteme (Al,Fe,Cr)2O3, (Al,Fe,Ti)2O3 verwendet werden. In diesen Materialsystemen
wird ein hoher Al-Gehalt und ein geringer Anteil der Katalysatorelemente
bevorzugt.
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Um
in PVD-Technik derartige Schichten auf ein Substrat abzuscheiden,
werden die erfindungsgemäße Vorrichtung
und das erfindungsgemäße Verfahren
vorgeschlagen. Hierbei handelt es sich um ein Verfahren bzw. eine
Vorrichtung, bei dem mindestens ein Target zerstäubt wird, das mindestens teilweise, bevorzugt überwiegend,
aus Al besteht. Bevorzugt wird das Magnetronsputtern, d. h. daß mindestens
einer der Elektroden ein Magnetsystem zugeordnet ist, so daß die Ionisation
des Plasmas im Bereich vor den Elektroden erhöht wird. Durch die Zuführung von gasförmigem Sauerstoff
als reaktives Gas wird eine Beschichtungsatmosphäre erzeugt, aus der Al2O3 auf ein Substrat
abgeschieden wird.
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Um
auf dem Substrat eine Schicht in α-Phase
zu erhalten, enthält
die erzeugte Beschichtungsatmosphäre mindestens ein die Ausbildung
dieser kristallinen Phase begünstigendes
Element. Dies ist erfindungsgemäß eines
oder mehrere der Elemente Fe, V, Cr, Ti und Rh, die fest als Teil
mindestens eines der Targets vorgesehen sind.
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Ausführungsbeispiel
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1 zeigt
in symbolischer Darstellung ein Beispiel von Bestandteilen einer
PVD-Beschichtungsanlage 10.
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In
einer Beschichtungskammer 12 unter niedrigen Druck sind
eine Anode 14 und eine Anzahl von, im dargestellten Beispiel
vier Kathoden 16 sowie ein Substrat-Halter 18 (bestehend
aus einem rotierenden Substrattisch 20 mit einer Anzahl
von ihrerseits drehenden Halte-Aufbauten 22) angeordnet. Über einen
Gaseinlaß 24 wird
ein Arbeitsgas (Inertgas, bspw. Ar) zugeleitet.
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Die
Kathoden 16 sind als Magnetron-Kathoden ausgebildet und
weisen jeweils Targets auf, die als Platten aus zu zerstäubendem
Material ausgebildet sind. Für
das System (Al,Ti)2O3 beispielsweise, besteht
das Material der Platten aus Al und Ti. Hierbei kann das Titan-Material in Form
von Stopfen in Bohrungen einer Aluminium-Platte eingesetzt oder Verbundtargets
aus den beiden Materialien verwendet werden.
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Im
Betrieb der Anlage 10 liegt eine bipolar gepulste Spannung
von beispielsweise etwa 500 Volt zwischen jeweils zwei Kathoden 16.
Die gezeigte Anode 14 wird hierbei nicht verwendet. Ionen
des Arbeitsgases werden wechselweise zwischen jeweils zwei Targets
beschleunigt und zerstäuben
diese. Zusätzlich
wird als reaktives Gas gasförmiger
Sauerstoff durch den Gaseinlaß zugeführt. Unter
dem Einfluß der
elektrischen und magnetischen Felder im Bereich vor den Kathoden 16 kommt
es zur Ausbildung einer Beschichtungsatmosphäre in Form eines Plasmas. Die
Beschichtungsatmosphäre
enthält
die zugeführten
gasförmigen
Bestandteile, darunter Sauerstoff sowie die zerstäubten Bestandteile
der Targets.
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Die
jeweilige Zusammensetzung der Beschichtungsatmosphäre ist hierbei
von den Zerstäubungsraten
der Targetmaterialien sowie vom eingestellten Gasfluß abhängig. Sie
kann beeinflußt
werden durch geeignete Wahl des Materials der Targets (freie Oberfläche der
jeweiligen Target-Materialien unter Berücksichtigung der Zerstäubungsrate),
aber auch durch unterschiedliche Zugabe gasförmiger Bestandteile. Beispielsweise
ist bekannt, daß sich
bei Sauerstoffzufluß eine
sog. „Vergiftung” (d. h.
Bildung eines Oxids bereits auf dem festen Target-Material) eines
Targets aus Al ergibt. Da die Zerstäubungsrate auch vom Grad der
Vergiftung abhängt
(bei vergifteten Targets kommt es zu einem dramatischen Rückgang der
Sputterrate) kann so durch Einstellung des Zuflusses eines gasförmigen Bestandteils
(hier: O) auch der Al-Anteil der Beschichtungsatmosphäre gezielt
eingestellt werden.
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Die
Elemente der Beschichtungsatmosphäre lagern sich auf den Substraten,
d. h. auf am Substrat-Halter 18 angebrachten Werkstücken wie
Bohrer, Wendeschneidplatten etc., ab. Hierbei wird zwischen den
Substraten und dem Plasma eine Potentialdifferenz erzeugt, beispielsweise
durch eine Spannungsquelle zwischen dem Substrat-Halter 18 und
der Wandung der Kammer 12. Aufgrund der Bias-Spannung kommt
es auch auf dem Substrat zu einem Bombardement mit Ionen des Arbeitsgases,
was zum teilweisen Abtrag der Schicht und im Ergebnis zu einer Verbesserung
der abgelagerten Schicht führt.
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Das
beschriebene Ionensputtern sowie verschiedene andere PVD-Beschichtungstechniken sind
dem Fachmann grundsätzlich
bekannt, so daß er
in der Lage ist, mit den hier gegebenen Informationen auf einem
Substrat eine Schicht aus den Elementen eines jeweils gewählten Systems
abzuscheiden und dabei die Parameter des Verfahrens, beispielsweise
Zusammensetzung der Beschichtungsatmosphäre, Substrattemperatur, Bias-Spannung etc.
so einzustellen, daß ein
Schichtaufbau mit jeweils gewünschter
Schichtrate erfolgt.
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Beispiel: (Al,Fe)2O3-Schicht
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Auf
Hartmetall-Wendeschneidplatten soll eine (Al,Fe)2O3-Schicht im PVD-Verfahren abgeschieden werden.
Bei einer Anlage des Typs CC800 wird ein Argon-Fluß von 250
ml pro Minute, ein Sauerstofffluß von 40 ml pro Minute, und
eine Heizleistung von 10 KW eingestellt. Die Kathoden 16 werden mit
Targets in Form einer Aluminiumplatte mit Fe-Einsätzen
(Stopfen, die in Bohrungen der Aluminiumplatte eingesetzt werden)
bestückt.
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Die
Kathoden 16 werden bipolar zwischen jeweils einer Kathode 16 und
einer weiteren im Plasma angeordneten Elektrode (nicht dargestellt)
bei einer Frequenz von 50 kHz im Pulsbetrieb betrieben.
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Es
wird eine Leistung von 8 kW für
jede der vier Kathoden 16, d. h. insgesamt 32 kW eingestellt. Es
stellt sich eine Substrattemperatur von 480°C ein, bei der kristalline (Al,Fe)2O3-Schichten in
R-3c Raumstruktur abgeschieden werden. Aus den eingestellten Parametern
resultiert eine Schichtrate von etwa 1 μm/h.
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Die
Größe der Körner der
(Al,Fe)2O3-Schicht beträgt etwa
50–100
nm. Die Schichtdicke beträgt nach
2,5 Stunden ca. 2,5 μm.
Die Härte
der hergestellten Schicht beträgt
ca. 2000 HV. Die Schicht weist einen Gehalt von ca, 0,6 At.-% Fe
auf.
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Von
den abgeschiedenen Schichten wurde jeweils ein Röntgendiffraktogramm erstellt.
Aufgrund des nur geringen Fe- bzw. S-Gehalts stimmt das die Intensitätsverteilung
des Röntgendiffraktogramms fast
vollständig
mit der des ICDD-Pulverdiffraktogramms für α-Al
2O
3 überein,
das nachfolgend wiedergegeben ist. Hierbei sind die Intensitätswerte
(gemessen mit Cu-Strahlung) unter den verschiedenen Winkeln auf
die höchste
Intensität
(1) normiert:
Winkel | I | hkl |
25,60 | 0,7 | 012 |
35,18 | 0,97 | 104 |
37,82 | 0,42 | 110 |
41,72 | 0,01 | 006 |
43,40 | 1 | 113 |
46,22 | 0,01 | 202 |
52,61 | 0,42 | 024 |
57,56 | 0,82 | 116 |
59,83 | 0,02 | 211 |
61,19 | 0,05 | 122 |
61,36 | 0,07 | 018 |
66,58 | 0,3 | 214 |
68,27 | 0,45 | 300 |
70,49 | 0,01 | 125 |
74,37 | 0,01 | 208 |
76,96 | 0,13 | 10–10 |
77,31 | 0,06 | 119 |
80,51 | 0,02 | 217 |
80,77 | 0,05 | 220 |
83,30 | 0,01 | 306 |
84,45 | 0,04 | 223 |
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Generell,
d. h. nicht nur für
dieses Beispiel wird angestrebt, daß das Röntgendiffraktogramm der gebildeten
Schicht vom ICDD-Pulverdiffraktogramm für α-Al2O3 unter jedem aufgeführten Winkel um nicht mehr
als +/– 0,3
abweicht, bevorzugt um weniger als +/– 0,1, besonders bevorzugt
um weniger als +/– 0,05.