DE102019207866A1 - Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats und ohmscher Kontakt - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats und ohmscher Kontakt Download PDF

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Abstract

Verfahren (100) zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats mit den Schritten Aufbringen (110) eines Schichtenstapels die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats, wobei der Schichtenstapel mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht umfasst, und Erzeugen (120) einer punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats und einen ohmschen Kontakt auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats.
  • Stand der Technik
  • Das Dokument US 8440524 B2 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere Mosfets, bei denen auf einer Seite des Halbleitersubstrats ein ohmscher Kontakt durch Erhitzen einer Metallschicht, die auf der Seite des Halbleitersubstrats angeordnet ist, mit Hilfe eines Lasers erzeugt wird.
  • Bei der Erzeugung ohmscher Kontakte auf Siliziumkarbidsubstraten werden somit eine oder mehrere Metallschichten auf das Halbleitersubstrat aufgebracht. Anschließend werden die Metallschichten mit Hilfe eines Lasers erhitzt, wobei die ohmschen Kontakte entstehen.
  • Nachteilig ist hierbei, dass sich bei der Erzeugung der ohmschen Kontakte Kohlenstoffbereiche durch die Reaktion von Siliziumkarbid und Metall unter Wärmezufuhr bilden. Dadurch wird die Anhaftung und die Zuverlässigkeit der ohmschen Kontakte beeinträchtigt.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist es, diese Nachteile zu überwinden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats umfasst das Aufbringen eines Schichtenstapels auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats, wobei der Schichtenstapel mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht umfasst, und das Erzeugen einer punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass der ohmsche Kontakt eine gute Anhaftung auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufweist.
  • In einer Weiterbildung werden halbleitende Schichten und metallische Schichten alternierend auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats aufgebracht.
  • In einer weiteren Ausgestaltung werden als halbleitende Schichten Silizium und als metallische Schichten Nickel oder Titan aufgebracht.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass die Schmelztemperatur niedrig ist.
  • In einer Weiterbildung werden als metallische Schichten Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufgebracht. Mit anderen Worten es gibt mindestens eine metallische Schicht, die Nickel oder Titan umfasst und zusätzlich metallische Schichten die Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufweisen.
  • Vorteilhaft ist hierbei, dass diese metallischen Elemente den Kohlenstoff binden.
  • In einer weiteren Ausgestaltung werden Schichtdicken der halbleitenden Schichten und Schichtdicken der metallischen Schichten von 10 nm bis 100 nm aufgebracht.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass ein zuverlässiger und langlebiger Kontakt zum SiC erzeugt wird. Des Weiteren ist die Einkopplung des Laserlichts optimal.
  • In einer Weiterbildung wird zuerst eine halbleitende Schicht auf das Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht.
  • Vorteilhaft ist hierbei, dass die Abscheidung der nachfolgenden Metallschicht einfacher zu kontrollieren ist.
  • In einer weiteren Ausgestaltung weisen die Laserstrahlen zum Erzeugen der punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels einen Durchmesser von 10 µm bis 100 µm auf.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass der Durchsatz trotz moderater Laserleistungen hoch ist, da das Abstasten der Oberfläche mit grösseren Durchmessern schneller erfolgen kann.
  • In einer Weiterbildung übertragen die Laserstrahlen mindestens eine Energiedichte von 1 J/cm2 auf eine Oberfläche des Schichtenstapels.
  • In einer weiteren Ausgestaltung liegt die Pulswiederholungsfrequenz der Laserstrahlen zwischen 10 kHz und 50 kHz.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass die Anlagenkosten gering sind.
  • Der ohmsche Kontakt ist auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats angeordnet. Erfindungsgemäß ist infolge einer Laserbehandlung eine Schicht auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats angeordnet, die halbleitende Elemente und metallische Elemente umfasst.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass der ohmsche Kontakt eine gute Anhaftung auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufweist und zuverlässig ist.
  • In einer Weiterbildung sind die halbleitenden Elemente Silizium und die metallischen Elemente umfassen Nickel oder Titan.
  • Vorteilhaft ist hierbei, dass die Schmelztemperatur des Gemischs niedrig ist.
  • In einer weiteren Ausgestaltung umfassen die metallischen Elemente Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän oder Wolfram.
  • Vorteilhaft ist hierbei, dass diese metallischen Elemente den Kohlenstoff binden. Mit anderen Worten diese Metalle fungieren als Getterelemente für den Kohlenstoff.
  • In einer Weiterbildung weist ein Kontaktwiderstand zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat und der Schicht einen Wert kleiner 300 µΩ/cm2 auf.
  • Der Vorteil ist hierbei, dass ein vertikales Bauelement, z.B. ein MOSFET, mit solch einem Kontakt auf der Rückseite einen kleinen Widerstand im Durchlassfall aufweist.
  • Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. den abhängigen Patentansprüchen.
  • Figurenliste
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen und beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
    • 1 ein Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats, und
    • 2 einen ohmschen Kontakt auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats.
  • 1 zeigt ein Verfahren 100 zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats. Das Verfahren startet mit einem Schritt 110, in dem ein Schichtenstapel auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats aufgebracht wird. Der Schichtenstapel umfasst mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht. Dabei werden die halbleitenden Schichten und die metallischen Schichten abwechselnd auf das Siliziumsubstrat aufgebracht. Mit anderen Worten der Schichtenstapel weist eine alternierende Folge von halbleitenden Schichten und metallischen Schichten auf. Dabei kann die Anzahl der halbleitenden Schichten und der metallischen Schichten verschieden sein. Die halbleitenden Schichten sind aus Silizium und die metallischen Schichten umfassen zumindest Nickel oder Titan. Mit anderen Worten weist mindestens eine der metallischen Schichten Nickel oder Titan auf. Zusätzlich können die metallischen Schichten Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufweisen. Die Schichtdicken der halbleitenden Schichten und Schichtdicken der metallischen Schichten umfassen 10 nm bis 100 nm. Die Dicke des Schichtenstapels beträgt zwischen 20 nm und 300 nm.
  • In einem ersten Ausführungsbeispiel ist eine halbleitende Schicht unmittelbar auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht. Auf der halbleitenden Schicht ist eine metallische Schicht aufgebracht. Mit anderen Worten der Schichtenstapel weist eine halbleitende Schicht aus Silizium und eine metallische Schicht beispielsweise aus Nickel auf.
  • In einem zweiten Ausführungsbeispiel ist eine halbleitende Schicht unmittelbar auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht. Auf dieser halbleitenden Schicht werden abwechselnd metallische Schichten und halbleitende Schichten aufgebracht. Der Schichtenstapel weist beispielsweise eine erste halbleitende Schicht aus Silizium, eine erste metallische Schicht aus Nickel, eine zweite halbleitende Schicht aus Silizium und eine zweite metallische Schicht aus Vanadium auf. Dabei können die erste metallische Schicht und die zweite metallische Schicht vertauscht sein. Das bedeutet es ergibt sich eine Schichtenfolge aus Silizium, Vanadium, Silizium und Nickel. Alternativ kann die erste metallische Schicht eine Nickel-Vanadium-Legierung und die zweite metallische Schicht eine Vanadium-Nickel-Legierung aufweisen.
  • In einem dritten Ausführungsbeispiel umfasst der Schichtenstapel drei Schichten, zwei metallische Schichten und eine halbleitende Schicht. Eine metallische Schicht umfasst Nickel, die halbleitende Schicht Silizium und die andere metallische Schicht beispielsweise Vanadium. Dabei kann entweder die Nickelschicht oder die Vanadiumschicht unmittelbar auf dem Siliziumkarbidsubstrat angeordnet sein. Alternativ weist die andere metallische Schicht eine Nickel-Vanadium-Legierung auf.
  • In einem vierten Ausführungsbeispiel umfasst der Schichtenstapel drei Schichten, zwei metallische Schichten und eine halbleitende Schicht. Eine metallische Schicht umfasst Nickel, die halbleitende Schicht Silizium und die andere metallische Schicht beispielsweise Vanadium. Die einzelnen Schichten können dabei in beliebiger Reihenfolge aufeinander angeordnet sein. Mit anderen Worten die Schichtenreihenfolge des Schichtenstapels ergibt sich durch Permutation dieser drei Schichten. Das bedeutet, dass die beiden metallischen Schichten auch unmittelbar aufeinander folgen können. Somit weist der Schichtenstapel beispielsweise als Schichtreihenfolge Nickel, Vanadium und Silizium oder Silizium, Nickel und Vanadium auf. Die Reihenfolge der Nickelschicht und der Vanadiumschicht kann ebenfalls vertauscht sein.
  • In einem folgenden Schritt 120 wird punktuell eine flüssige Phase des Schichtenstapels erzeugt, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird. Dabei weisen die Laserstrahlen einen Durchmesser von 10 µm bis 100 µm auf. Die Pulswiederholungsfrequenz der Laserstrahlen liegt zwischen 10 kHz und 50 kHz. Die Pulsdauer des Laserstrahls liegt zwischen 10 und 100 ns. Die typische maximale Ausgangsleistung des dafür notwendigen Lasers liegt zwischen 1 und 100 W. Der Laser wird derart eingestellt, dass die Laserstrahlen mindestens eine Energiedichte von 1 J/cm2 pro Puls auf eine Oberfläche des Schichtenstapels übertragen. Dabei reagieren die metallischen Elemente Nickel oder Titan mit dem Silizium des Siliziumkarbidsubstrats. Die zusätzlichen metallischen Elemente wie Vanadium fungieren als Bindeelement für den Kohlenstoff, der sich durch die chemische Reaktion des Siliziumkarbids mit Nickel oder Titan unter Lasereinstrahlung bildet. Durch die Laserbehandlung vermischen sich die einzelnen Elemente aus dem Schichtenstapel, sodass eine gemischte Schicht auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats entsteht, an deren Übergang zum Siliziumkarbidsubstrat ein ohmscher Kontakt entsteht.
  • 2 zeigt einen ohmschen Kontakt 200 auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats 202. Auf einer Vorderseite des Siliziumkarbidsubstrats 202, die der Rückseite des Siliziumsubstrats gegenüberliegt, sind beispielsweise die aktiven Bereiche eines Leistungstransistors angeordnet. Dies ist in 2 nicht gezeigt. Auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats 202 ist infolge einer Laserbehandlung eine Schicht 201 angeordnet, die halbleitende Elemente und metallische Elemente umfasst. Das bedeutet der ohmsche Kontakt 200 befindet sich am Übergang zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 202 und der Schicht 201. Die halbleitenden Elemente in der Schicht 201 sind aus Silizium. Die Schicht 201 umfasst als metallische Elemente mindestens Nickel oder Titan. Zusätzlich kann die Schicht 201 metallische Elemente wie Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän oder Wolfram umfassen. Diese zusätzlichen metallischen Elemente fungieren als Getterelement bzw. Bindeelement für den Kohlenstoff, der sich durch die chemische Reaktion des Siliziumkarbids mit Nickel oder Titan unter Lasereinstrahlung bildet. Der Kontaktwiderstand zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 202 und der Schicht 201 weist einen Wert kleiner 300 µΩ/cm2 auf.
  • Leistungstransistoren wie Mosfets können die erfindungsgemäßen ohmschen Kontakte aufweisen. Diese Leistungstransistoren finden Anwendung in leistungselektronischen Bauelementen wie Invertern für Elektrofahrzeuge oder Hybridfahrzeuge, Invertern für Photovoltaikanlagen und Windkraftanlagen, sowie in Zugantrieben und Hochspannungsgleichrichtern.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 8440524 B2 [0002]

Claims (13)

  1. Verfahren (100) zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats mit den Schritten: • Aufbringen (110) eines Schichtenstapels die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats, wobei der Schichtenstapel mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht umfasst, und • Erzeugen (120) einer punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird.
  2. Verfahren (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass halbleitende Schichten und metallische Schichten alternierend auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats aufgebracht werden.
  3. Verfahren (100) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als halbleitende Schichten Silizium und als metallische Schichten Nickel oder Titan aufgebracht werden.
  4. Verfahren (100) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass als metallische Schichten Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufgebracht werden.
  5. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Schichtdicken der halbleitenden Schichten und Schichtdicken der metallischen Schichten von 10 nm bis 100 nm aufgebracht werden.
  6. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zuerst eine halbleitende Schicht auf das Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht wird.
  7. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlen zum Erzeugen der punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels einen Durchmesser von 10 µm bis 100 µm aufweisen.
  8. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlen mindestens eine Energiedichte von 1 J/cm2 auf eine Oberfläche des Schichtenstapels übertragen.
  9. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulswiederholungsfrequenz der Laserstrahlen zwischen 10 kHz und 50 kHz liegt.
  10. Ohmscher Kontakt (200) auf einer Rückseite (201) eines Siliziumkarbidsubstrats (202), dadurch gekennzeichnet, dass infolge einer Laserbehandlung eine Schicht (201) auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats angeordnet ist, die halbleitende Elemente und metallische Elemente umfasst.
  11. Ohmscher Kontakt (200) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass dass die halbleitenden Elemente Silizium sind und die metallischen Elemente Nickel oder Titan umfassen.
  12. Ohmscher Kontakt (200) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallischen Elemente Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän oder Wolfram umfassen.
  13. Ohmscher Kontakt (200) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kontaktwiderstand zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat (202) und der Schicht (201) einen Wert kleiner 300 µΩ/cm2 aufweist.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980265A (en) * 1994-06-03 1999-11-09 Advanced Technology Materials, Inc. Low resistance, stable ohmic contacts to silicon carbide, and method of making the same
US20080099769A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Infineon Technologies Austria Ag PRODUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ELECTRICAL CONTACT ON SiC
US7875545B2 (en) * 2004-07-06 2011-01-25 Cree, Inc. Silicon-rich nickel-silicide ohmic contacts for SiC semiconductor devices
US8916462B2 (en) * 2011-12-02 2014-12-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9972499B2 (en) * 2014-04-18 2018-05-15 Fuji Electric Co., Ltd. Method for forming metal-semiconductor alloy using hydrogen plasma
US20180323261A1 (en) * 2016-04-27 2018-11-08 Denso Corporation Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980265A (en) * 1994-06-03 1999-11-09 Advanced Technology Materials, Inc. Low resistance, stable ohmic contacts to silicon carbide, and method of making the same
US7875545B2 (en) * 2004-07-06 2011-01-25 Cree, Inc. Silicon-rich nickel-silicide ohmic contacts for SiC semiconductor devices
US20080099769A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Infineon Technologies Austria Ag PRODUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ELECTRICAL CONTACT ON SiC
US8916462B2 (en) * 2011-12-02 2014-12-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9972499B2 (en) * 2014-04-18 2018-05-15 Fuji Electric Co., Ltd. Method for forming metal-semiconductor alloy using hydrogen plasma
US20180323261A1 (en) * 2016-04-27 2018-11-08 Denso Corporation Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

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