DE102019207866A1 - Method for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate and ohmic contact - Google Patents

Method for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate and ohmic contact Download PDF

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Abstract

Verfahren (100) zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats mit den Schritten Aufbringen (110) eines Schichtenstapels die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats, wobei der Schichtenstapel mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht umfasst, und Erzeugen (120) einer punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird.Method (100) for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate with the steps of applying (110) a layer stack to the rear side of the silicon carbide substrate, the layer stack comprising at least one semiconducting layer and at least one metallic layer, and producing (120) a point-wise, liquid phase of the stack of layers, a surface of the stack of layers being scanned with the aid of laser beams.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats und einen ohmschen Kontakt auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats.The invention relates to a method for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate and an ohmic contact on the rear side of the silicon carbide substrate.

Stand der TechnikState of the art

Das Dokument US 8440524 B2 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere Mosfets, bei denen auf einer Seite des Halbleitersubstrats ein ohmscher Kontakt durch Erhitzen einer Metallschicht, die auf der Seite des Halbleitersubstrats angeordnet ist, mit Hilfe eines Lasers erzeugt wird.The document US 8440524 B2 describes a method for producing semiconductor components, in particular MOSFETs, in which an ohmic contact is produced on one side of the semiconductor substrate by heating a metal layer, which is arranged on the side of the semiconductor substrate, with the aid of a laser.

Bei der Erzeugung ohmscher Kontakte auf Siliziumkarbidsubstraten werden somit eine oder mehrere Metallschichten auf das Halbleitersubstrat aufgebracht. Anschließend werden die Metallschichten mit Hilfe eines Lasers erhitzt, wobei die ohmschen Kontakte entstehen.When producing ohmic contacts on silicon carbide substrates, one or more metal layers are thus applied to the semiconductor substrate. The metal layers are then heated with the aid of a laser, creating the ohmic contacts.

Nachteilig ist hierbei, dass sich bei der Erzeugung der ohmschen Kontakte Kohlenstoffbereiche durch die Reaktion von Siliziumkarbid und Metall unter Wärmezufuhr bilden. Dadurch wird die Anhaftung und die Zuverlässigkeit der ohmschen Kontakte beeinträchtigt.The disadvantage here is that when the ohmic contacts are produced, carbon areas are formed by the reaction of silicon carbide and metal with the supply of heat. This affects the adhesion and the reliability of the ohmic contacts.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, diese Nachteile zu überwinden.The object of the invention is to overcome these disadvantages.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats umfasst das Aufbringen eines Schichtenstapels auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats, wobei der Schichtenstapel mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht umfasst, und das Erzeugen einer punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird.The method according to the invention for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate comprises applying a layer stack to the rear side of the silicon carbide substrate, the layer stack comprising at least one semiconducting layer and at least one metallic layer, and producing a punctiform, liquid phase of the layer stack, wherein a surface of the stack of layers is scanned with the aid of laser beams.

Der Vorteil ist hierbei, dass der ohmsche Kontakt eine gute Anhaftung auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufweist.The advantage here is that the ohmic contact adheres well to the silicon carbide substrate.

In einer Weiterbildung werden halbleitende Schichten und metallische Schichten alternierend auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats aufgebracht.In a further development, semiconducting layers and metallic layers are applied alternately to the rear side of the silicon carbide substrate.

In einer weiteren Ausgestaltung werden als halbleitende Schichten Silizium und als metallische Schichten Nickel oder Titan aufgebracht.In a further embodiment, silicon is applied as semiconducting layers and nickel or titanium is applied as metallic layers.

Der Vorteil ist hierbei, dass die Schmelztemperatur niedrig ist.The advantage here is that the melting temperature is low.

In einer Weiterbildung werden als metallische Schichten Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufgebracht. Mit anderen Worten es gibt mindestens eine metallische Schicht, die Nickel oder Titan umfasst und zusätzlich metallische Schichten die Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufweisen.In a further development, vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum, tungsten or an alloy of these metals with nickel or titanium are applied as metallic layers. In other words, there is at least one metallic layer comprising nickel or titanium and additional metallic layers comprising vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum, tungsten or an alloy of these metals with nickel or titanium.

Vorteilhaft ist hierbei, dass diese metallischen Elemente den Kohlenstoff binden.It is advantageous here that these metallic elements bind the carbon.

In einer weiteren Ausgestaltung werden Schichtdicken der halbleitenden Schichten und Schichtdicken der metallischen Schichten von 10 nm bis 100 nm aufgebracht.In a further embodiment, layer thicknesses of the semiconducting layers and layer thicknesses of the metallic layers of 10 nm to 100 nm are applied.

Der Vorteil ist hierbei, dass ein zuverlässiger und langlebiger Kontakt zum SiC erzeugt wird. Des Weiteren ist die Einkopplung des Laserlichts optimal.The advantage here is that a reliable and long-lasting contact to the SiC is created. Furthermore, the coupling of the laser light is optimal.

In einer Weiterbildung wird zuerst eine halbleitende Schicht auf das Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht.In a further development, a semiconducting layer is first applied to the silicon carbide substrate.

Vorteilhaft ist hierbei, dass die Abscheidung der nachfolgenden Metallschicht einfacher zu kontrollieren ist.The advantage here is that the deposition of the subsequent metal layer is easier to control.

In einer weiteren Ausgestaltung weisen die Laserstrahlen zum Erzeugen der punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels einen Durchmesser von 10 µm bis 100 µm auf.In a further embodiment, the laser beams for generating the punctiform, liquid phase of the layer stack have a diameter of 10 μm to 100 μm.

Der Vorteil ist hierbei, dass der Durchsatz trotz moderater Laserleistungen hoch ist, da das Abstasten der Oberfläche mit grösseren Durchmessern schneller erfolgen kann.The advantage here is that the throughput is high despite moderate laser power, since the scanning of the surface with larger diameters can take place more quickly.

In einer Weiterbildung übertragen die Laserstrahlen mindestens eine Energiedichte von 1 J/cm2 auf eine Oberfläche des Schichtenstapels.In a further development, the laser beams transmit at least an energy density of 1 J / cm2 to a surface of the layer stack.

In einer weiteren Ausgestaltung liegt die Pulswiederholungsfrequenz der Laserstrahlen zwischen 10 kHz und 50 kHz.In a further embodiment, the pulse repetition frequency of the laser beams is between 10 kHz and 50 kHz.

Der Vorteil ist hierbei, dass die Anlagenkosten gering sind.The advantage here is that the system costs are low.

Der ohmsche Kontakt ist auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats angeordnet. Erfindungsgemäß ist infolge einer Laserbehandlung eine Schicht auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats angeordnet, die halbleitende Elemente und metallische Elemente umfasst.The ohmic contact is arranged on a rear side of a silicon carbide substrate. According to the invention, as a result of a laser treatment, a layer is arranged on the back of the silicon carbide substrate, which layer comprises semiconducting elements and metallic elements.

Der Vorteil ist hierbei, dass der ohmsche Kontakt eine gute Anhaftung auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufweist und zuverlässig ist.The advantage here is that the ohmic contact adheres well to the silicon carbide substrate and is reliable.

In einer Weiterbildung sind die halbleitenden Elemente Silizium und die metallischen Elemente umfassen Nickel oder Titan.In a further development, the semiconducting elements are silicon and the metallic elements include nickel or titanium.

Vorteilhaft ist hierbei, dass die Schmelztemperatur des Gemischs niedrig ist.It is advantageous here that the melting temperature of the mixture is low.

In einer weiteren Ausgestaltung umfassen die metallischen Elemente Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän oder Wolfram.In a further embodiment, the metallic elements include vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum or tungsten.

Vorteilhaft ist hierbei, dass diese metallischen Elemente den Kohlenstoff binden. Mit anderen Worten diese Metalle fungieren als Getterelemente für den Kohlenstoff.It is advantageous here that these metallic elements bind the carbon. In other words, these metals act as getter elements for the carbon.

In einer Weiterbildung weist ein Kontaktwiderstand zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat und der Schicht einen Wert kleiner 300 µΩ/cm2 auf.In one development, a contact resistance between the silicon carbide substrate and the layer has a value of less than 300 μΩ / cm 2.

Der Vorteil ist hierbei, dass ein vertikales Bauelement, z.B. ein MOSFET, mit solch einem Kontakt auf der Rückseite einen kleinen Widerstand im Durchlassfall aufweist.The advantage here is that a vertical component, e.g. a MOSFET, with such a contact on the back, has a small resistance in the case of passage

Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. den abhängigen Patentansprüchen.Further advantages emerge from the following description of exemplary embodiments and the dependent claims.

FigurenlisteFigure list

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen und beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

  • 1 ein Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats, und
  • 2 einen ohmschen Kontakt auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats.
The present invention is explained below with reference to preferred embodiments and accompanying drawings. Show it:
  • 1 a method for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate, and
  • 2 an ohmic contact on the back of the silicon carbide substrate.

1 zeigt ein Verfahren 100 zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats. Das Verfahren startet mit einem Schritt 110, in dem ein Schichtenstapel auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats aufgebracht wird. Der Schichtenstapel umfasst mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht. Dabei werden die halbleitenden Schichten und die metallischen Schichten abwechselnd auf das Siliziumsubstrat aufgebracht. Mit anderen Worten der Schichtenstapel weist eine alternierende Folge von halbleitenden Schichten und metallischen Schichten auf. Dabei kann die Anzahl der halbleitenden Schichten und der metallischen Schichten verschieden sein. Die halbleitenden Schichten sind aus Silizium und die metallischen Schichten umfassen zumindest Nickel oder Titan. Mit anderen Worten weist mindestens eine der metallischen Schichten Nickel oder Titan auf. Zusätzlich können die metallischen Schichten Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufweisen. Die Schichtdicken der halbleitenden Schichten und Schichtdicken der metallischen Schichten umfassen 10 nm bis 100 nm. Die Dicke des Schichtenstapels beträgt zwischen 20 nm und 300 nm. 1 shows a procedure 100 for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate. The process starts with one step 110 , in which a stack of layers is applied to the back of the silicon carbide substrate. The layer stack comprises at least one semiconducting layer and at least one metallic layer. The semiconducting layers and the metallic layers are alternately applied to the silicon substrate. In other words, the layer stack has an alternating sequence of semiconducting layers and metallic layers. The number of semiconducting layers and metallic layers can be different. The semiconducting layers are made of silicon and the metallic layers comprise at least nickel or titanium. In other words, at least one of the metallic layers has nickel or titanium. In addition, the metallic layers can have vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum, tungsten or an alloy of these metals or an alloy of these metals with nickel or titanium. The layer thicknesses of the semiconducting layers and layer thicknesses of the metallic layers range from 10 nm to 100 nm. The thickness of the layer stack is between 20 nm and 300 nm.

In einem ersten Ausführungsbeispiel ist eine halbleitende Schicht unmittelbar auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht. Auf der halbleitenden Schicht ist eine metallische Schicht aufgebracht. Mit anderen Worten der Schichtenstapel weist eine halbleitende Schicht aus Silizium und eine metallische Schicht beispielsweise aus Nickel auf.In a first exemplary embodiment, a semiconducting layer is applied directly to the silicon carbide substrate. A metallic layer is applied to the semiconducting layer. In other words, the layer stack has a semiconducting layer made of silicon and a metallic layer made, for example, of nickel.

In einem zweiten Ausführungsbeispiel ist eine halbleitende Schicht unmittelbar auf dem Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht. Auf dieser halbleitenden Schicht werden abwechselnd metallische Schichten und halbleitende Schichten aufgebracht. Der Schichtenstapel weist beispielsweise eine erste halbleitende Schicht aus Silizium, eine erste metallische Schicht aus Nickel, eine zweite halbleitende Schicht aus Silizium und eine zweite metallische Schicht aus Vanadium auf. Dabei können die erste metallische Schicht und die zweite metallische Schicht vertauscht sein. Das bedeutet es ergibt sich eine Schichtenfolge aus Silizium, Vanadium, Silizium und Nickel. Alternativ kann die erste metallische Schicht eine Nickel-Vanadium-Legierung und die zweite metallische Schicht eine Vanadium-Nickel-Legierung aufweisen.In a second exemplary embodiment, a semiconducting layer is applied directly to the silicon carbide substrate. Metallic layers and semiconducting layers are applied alternately to this semiconducting layer. The layer stack has, for example, a first semiconducting layer made of silicon, a first metallic layer made of nickel, a second semiconducting layer made of silicon and a second metallic layer made of vanadium. The first metallic layer and the second metallic layer can be interchanged. This means that there is a sequence of layers made of silicon, vanadium, silicon and nickel. Alternatively, the first metallic layer can have a nickel-vanadium alloy and the second metallic layer can have a vanadium-nickel alloy.

In einem dritten Ausführungsbeispiel umfasst der Schichtenstapel drei Schichten, zwei metallische Schichten und eine halbleitende Schicht. Eine metallische Schicht umfasst Nickel, die halbleitende Schicht Silizium und die andere metallische Schicht beispielsweise Vanadium. Dabei kann entweder die Nickelschicht oder die Vanadiumschicht unmittelbar auf dem Siliziumkarbidsubstrat angeordnet sein. Alternativ weist die andere metallische Schicht eine Nickel-Vanadium-Legierung auf.In a third exemplary embodiment, the layer stack comprises three layers, two metallic layers and one semiconducting layer. One metallic layer comprises nickel, the semiconducting layer comprises silicon and the other metallic layer, for example, vanadium. Either the nickel layer or the vanadium layer can be arranged directly on the silicon carbide substrate. Alternatively, the other metallic layer has a nickel-vanadium alloy.

In einem vierten Ausführungsbeispiel umfasst der Schichtenstapel drei Schichten, zwei metallische Schichten und eine halbleitende Schicht. Eine metallische Schicht umfasst Nickel, die halbleitende Schicht Silizium und die andere metallische Schicht beispielsweise Vanadium. Die einzelnen Schichten können dabei in beliebiger Reihenfolge aufeinander angeordnet sein. Mit anderen Worten die Schichtenreihenfolge des Schichtenstapels ergibt sich durch Permutation dieser drei Schichten. Das bedeutet, dass die beiden metallischen Schichten auch unmittelbar aufeinander folgen können. Somit weist der Schichtenstapel beispielsweise als Schichtreihenfolge Nickel, Vanadium und Silizium oder Silizium, Nickel und Vanadium auf. Die Reihenfolge der Nickelschicht und der Vanadiumschicht kann ebenfalls vertauscht sein.In a fourth exemplary embodiment, the layer stack comprises three layers, two metallic layers and one semiconducting layer. One metallic layer comprises nickel, the semiconducting layer comprises silicon and the other metallic layer, for example, vanadium. The individual layers can be arranged on top of one another in any order. In other words, the sequence of layers in the stack of layers results from the permutation of these three layers. That means the two metallic layers too can follow one another directly. The layer stack thus has nickel, vanadium and silicon or silicon, nickel and vanadium, for example, as the layer sequence. The order of the nickel layer and the vanadium layer can also be reversed.

In einem folgenden Schritt 120 wird punktuell eine flüssige Phase des Schichtenstapels erzeugt, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird. Dabei weisen die Laserstrahlen einen Durchmesser von 10 µm bis 100 µm auf. Die Pulswiederholungsfrequenz der Laserstrahlen liegt zwischen 10 kHz und 50 kHz. Die Pulsdauer des Laserstrahls liegt zwischen 10 und 100 ns. Die typische maximale Ausgangsleistung des dafür notwendigen Lasers liegt zwischen 1 und 100 W. Der Laser wird derart eingestellt, dass die Laserstrahlen mindestens eine Energiedichte von 1 J/cm2 pro Puls auf eine Oberfläche des Schichtenstapels übertragen. Dabei reagieren die metallischen Elemente Nickel oder Titan mit dem Silizium des Siliziumkarbidsubstrats. Die zusätzlichen metallischen Elemente wie Vanadium fungieren als Bindeelement für den Kohlenstoff, der sich durch die chemische Reaktion des Siliziumkarbids mit Nickel oder Titan unter Lasereinstrahlung bildet. Durch die Laserbehandlung vermischen sich die einzelnen Elemente aus dem Schichtenstapel, sodass eine gemischte Schicht auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats entsteht, an deren Übergang zum Siliziumkarbidsubstrat ein ohmscher Kontakt entsteht.In a following step 120 a liquid phase of the stack of layers is produced selectively, with a surface of the stack of layers being scanned with the aid of laser beams. The laser beams have a diameter of 10 µm to 100 µm. The pulse repetition frequency of the laser beams is between 10 kHz and 50 kHz. The pulse duration of the laser beam is between 10 and 100 ns. The typical maximum output power of the laser required for this is between 1 and 100 W. The laser is set in such a way that the laser beams transmit at least an energy density of 1 J / cm2 per pulse to a surface of the stack of layers. The metallic elements nickel or titanium react with the silicon of the silicon carbide substrate. The additional metallic elements such as vanadium act as a binding element for the carbon, which is formed by the chemical reaction of silicon carbide with nickel or titanium under laser radiation. The laser treatment mixes the individual elements from the stack of layers, so that a mixed layer is created on the rear side of the silicon carbide substrate, at whose transition to the silicon carbide substrate an ohmic contact is created.

2 zeigt einen ohmschen Kontakt 200 auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats 202. Auf einer Vorderseite des Siliziumkarbidsubstrats 202, die der Rückseite des Siliziumsubstrats gegenüberliegt, sind beispielsweise die aktiven Bereiche eines Leistungstransistors angeordnet. Dies ist in 2 nicht gezeigt. Auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats 202 ist infolge einer Laserbehandlung eine Schicht 201 angeordnet, die halbleitende Elemente und metallische Elemente umfasst. Das bedeutet der ohmsche Kontakt 200 befindet sich am Übergang zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 202 und der Schicht 201. Die halbleitenden Elemente in der Schicht 201 sind aus Silizium. Die Schicht 201 umfasst als metallische Elemente mindestens Nickel oder Titan. Zusätzlich kann die Schicht 201 metallische Elemente wie Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän oder Wolfram umfassen. Diese zusätzlichen metallischen Elemente fungieren als Getterelement bzw. Bindeelement für den Kohlenstoff, der sich durch die chemische Reaktion des Siliziumkarbids mit Nickel oder Titan unter Lasereinstrahlung bildet. Der Kontaktwiderstand zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat 202 und der Schicht 201 weist einen Wert kleiner 300 µΩ/cm2 auf. 2 shows an ohmic contact 200 on a back side of a silicon carbide substrate 202 . On a front side of the silicon carbide substrate 202 , which is opposite the rear side of the silicon substrate, the active areas of a power transistor are arranged, for example. This is in 2 Not shown. On the back of the silicon carbide substrate 202 is a layer as a result of laser treatment 201 arranged, which includes semiconducting elements and metallic elements. This is what the ohmic contact means 200 is located at the transition between the silicon carbide substrate 202 and the layer 201 . The semiconducting elements in the layer 201 are made of silicon. The layer 201 comprises at least nickel or titanium as metallic elements. In addition, the layer 201 metallic elements such as vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum or tungsten. These additional metallic elements act as a getter element or binding element for the carbon, which is formed by the chemical reaction of silicon carbide with nickel or titanium under laser radiation. The contact resistance between the silicon carbide substrate 202 and the layer 201 has a value less than 300 µΩ / cm2.

Leistungstransistoren wie Mosfets können die erfindungsgemäßen ohmschen Kontakte aufweisen. Diese Leistungstransistoren finden Anwendung in leistungselektronischen Bauelementen wie Invertern für Elektrofahrzeuge oder Hybridfahrzeuge, Invertern für Photovoltaikanlagen und Windkraftanlagen, sowie in Zugantrieben und Hochspannungsgleichrichtern.Power transistors such as MOSFETs can have the ohmic contacts according to the invention. These power transistors are used in power electronic components such as inverters for electric vehicles or hybrid vehicles, inverters for photovoltaic systems and wind turbines, as well as in train drives and high-voltage rectifiers.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • US 8440524 B2 [0002]US 8440524 B2 [0002]

Claims (13)

Verfahren (100) zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer Rückseite eines Siliziumkarbidsubstrats mit den Schritten: • Aufbringen (110) eines Schichtenstapels die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats, wobei der Schichtenstapel mindestens eine halbleitende Schicht und mindestens eine metallische Schicht umfasst, und • Erzeugen (120) einer punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels, wobei eine Oberfläche des Schichtenstapels mit Hilfe von Laserstrahlen abgetastet wird.Method (100) for producing an ohmic contact on a rear side of a silicon carbide substrate, comprising the steps: • applying (110) a layer stack to the rear side of the silicon carbide substrate, the layer stack comprising at least one semiconducting layer and at least one metallic layer, and • Generating (120) a punctiform, liquid phase of the stack of layers, a surface of the stack of layers being scanned with the aid of laser beams. Verfahren (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass halbleitende Schichten und metallische Schichten alternierend auf die Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats aufgebracht werden.Method (100) according to Claim 1 , characterized in that semiconducting layers and metallic layers are applied alternately to the back of the silicon carbide substrate. Verfahren (100) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als halbleitende Schichten Silizium und als metallische Schichten Nickel oder Titan aufgebracht werden.Method (100) according to one of the Claims 1 or 2 , characterized in that silicon is applied as semiconducting layers and nickel or titanium is applied as metallic layers. Verfahren (100) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass als metallische Schichten Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän, Wolfram oder eine Legierung dieser Metalle mit Nickel oder Titan aufgebracht werden.Method (100) according to Claim 3 , characterized in that vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum, tungsten or an alloy of these metals with nickel or titanium are applied as metallic layers. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Schichtdicken der halbleitenden Schichten und Schichtdicken der metallischen Schichten von 10 nm bis 100 nm aufgebracht werden.Method (100) according to one of the preceding claims, characterized in that layer thicknesses of the semiconducting layers and layer thicknesses of the metallic layers of 10 nm to 100 nm are applied. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zuerst eine halbleitende Schicht auf das Siliziumkarbidsubstrat aufgebracht wird.Method (100) according to one of the preceding claims, characterized in that a semiconducting layer is first applied to the silicon carbide substrate. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlen zum Erzeugen der punktuell, flüssigen Phase des Schichtenstapels einen Durchmesser von 10 µm bis 100 µm aufweisen.Method (100) according to one of the preceding claims, characterized in that the laser beams for generating the punctiform, liquid phase of the layer stack have a diameter of 10 µm to 100 µm. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlen mindestens eine Energiedichte von 1 J/cm2 auf eine Oberfläche des Schichtenstapels übertragen.Method (100) according to one of the preceding claims, characterized in that the laser beams transmit at least an energy density of 1 J / cm2 to a surface of the layer stack. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulswiederholungsfrequenz der Laserstrahlen zwischen 10 kHz und 50 kHz liegt.Method (100) according to one of the preceding claims, characterized in that the pulse repetition frequency of the laser beams is between 10 kHz and 50 kHz. Ohmscher Kontakt (200) auf einer Rückseite (201) eines Siliziumkarbidsubstrats (202), dadurch gekennzeichnet, dass infolge einer Laserbehandlung eine Schicht (201) auf der Rückseite des Siliziumkarbidsubstrats angeordnet ist, die halbleitende Elemente und metallische Elemente umfasst.Ohmic contact (200) on a rear side (201) of a silicon carbide substrate (202), characterized in that, as a result of laser treatment, a layer (201) is arranged on the rear side of the silicon carbide substrate, which layer comprises semiconducting elements and metallic elements. Ohmscher Kontakt (200) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass dass die halbleitenden Elemente Silizium sind und die metallischen Elemente Nickel oder Titan umfassen.Ohmic contact (200) Claim 10 , characterized in that the semiconducting elements are silicon and the metallic elements comprise nickel or titanium. Ohmscher Kontakt (200) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallischen Elemente Vanadium, Tantal, Niob, Zirconium, Molybdän oder Wolfram umfassen.Ohmic contact (200) Claim 11 , characterized in that the metallic elements comprise vanadium, tantalum, niobium, zirconium, molybdenum or tungsten. Ohmscher Kontakt (200) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kontaktwiderstand zwischen dem Siliziumkarbidsubstrat (202) und der Schicht (201) einen Wert kleiner 300 µΩ/cm2 aufweist.Ohmic contact (200) according to one of the Claims 10 to 12 , characterized in that a contact resistance between the silicon carbide substrate (202) and the layer (201) has a value of less than 300 µΩ / cm2.
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