DE102017220211A1 - Halbleitervorrichtung und verfahren zur fertigung derselben - Google Patents

Halbleitervorrichtung und verfahren zur fertigung derselben Download PDF

Info

Publication number
DE102017220211A1
DE102017220211A1 DE102017220211.4A DE102017220211A DE102017220211A1 DE 102017220211 A1 DE102017220211 A1 DE 102017220211A1 DE 102017220211 A DE102017220211 A DE 102017220211A DE 102017220211 A1 DE102017220211 A1 DE 102017220211A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
external connection
semiconductor device
connection terminal
end portion
conductive pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102017220211.4A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102017220211B4 (de
Inventor
Takuro Mori
Hayato NAGAMIZU
Yoshitaka Otsubo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE102017220211A1 publication Critical patent/DE102017220211A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102017220211B4 publication Critical patent/DE102017220211B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4875—Connection or disconnection of other leads to or from bases or plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/57—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/58—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals terminals for insertion into holes
    • H01R12/585—Terminals having a press fit or a compliant portion and a shank passing through a hole in the printed circuit board

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung (100) weist auf: eine Basisplatte (4); ein isolierendes Substrat (2), das auf einer oberen Oberfläche der Basisplatte (4) vorgesehen ist; ein leitfähiges Muster (1), das auf einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats (2) vorgesehen ist; einen Halbleiter-Chip (3), der auf einer oberen Oberfläche des leitfähigen Musters (1) angebracht ist; ein Gehäuse (5), das die Basisplatte (4), das isolierende Substrat (2), das leitfähige Muster (1) und den Halbleiter-Chip (3) umgibt; ein Versiegelungsharz (7), das ein Inneres des Gehäuses (5) versiegelt; und einen externen Verbindungsanschluss (6), der an dem Gehäuse (5) vorgesehen ist. Ein Endbereich des externen Verbindungsanschlusses (6) ist mit dem leitfähigen Muster (1) verbunden, das Gehäuse (5) weist einen Anschlusseinführbereich (5c), der ein Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses (6) ermöglicht, in einem Umfangswandbereich (5a) davon auf, und ein anderer Bereich des externen Verbindungsanschlusses (6) als der andere Endbereich ist durch das Versiegelungsharz (7) versiegelt, wobei der andere Endbereich in dem Anschlusseinführbereich (5c) eingeführt ist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Fertigung derselben.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Eine Halbleitervorrichtung weist eine Basisplatte, ein isolierendes Substrat, das auf einer oberen Oberfläche der Basisplatte vorgesehen ist, einen Halbleiter-Chip, der auf einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats angebracht ist, und ein Gehäuse, das die Basisplatte, die isolierende Schicht und den Halbleiter-Chip umgibt, auf. Das Innere des Gehäuses ist durch ein Versiegelungsharz versiegelt.
  • Das japanische Patent Nr. 4985116 offenbart eine Halbleitervorrichtung, in welcher zum Beispiel eine mehrschichtige Anordnung eines Halbleiter-Chips, einer isolierenden Schaltungsplatte, auf welcher der Halbleiter-Chip angebracht ist, und einer Metallbasis zur Wärmeableitung mit einem umgebenden Harzgehäuse kombiniert sind. In dieser Halbleitervorrichtung ist ein Bond-Draht zwischen Beinbereichen von externen Anschlüssen, die in einem Umfangswandbereich des umgebenden Harzgehäuses angeordnet sind, und einem Leitermuster der isolierenden Schaltungsplatte oder zwischen den Beinbereichen und dem Halbleiter-Chip vorgesehen, während die Beinbereiche in das Innere des umgebenden Harzgehäuses gezogen werden. Die externen Anschlüsse sind durch Presspassen von einer Metallbasisseite an Anschlussmontagelöchern befestigt, die vorher in dem Umfangswandbereich des umgebenden Harzgehäuses ausgebildet worden sind. Eine Lücke zwischen den L-förmigen Beinbereichen der externen Anschlüsse und der Metallbasis ist mit einem Anschlusshalterahmen gefüllt, um die externen Anschlüsse an vorbestimmten Befestigungspositionen zu unterstützen.
  • Wie in der Halbleitervorrichtung, die in dem japanischen Patent Nr. 4985116 offenbart ist, sind herkömmliche Außenanschlüsse mit der isolierenden Schaltungsplatte durch ein leitfähiges Material wie den Bond-Draht verbunden. Mit dieser Struktur ist eine Wärmeableitung der Anschlüsse abhängig von einer Wärmeableitung des leitfähigen Materials und ist unzureichend, da eine Wärmeableitung des leitfähigen Materials aufgrund einer extrem kleinen Breite des leitfähigen Materials unzureichend ist. Außerdem müssen die Anschlüsse beim Verbinden des leitfähigen Materials stabil mit dem Gehäuse verbunden sein. Dies erfordert ein Anbringen eines haftenden Materials, Einpassen einer Befestigungsabdeckung oder dergleichen, was zu Teilen und Fertigungsprozessen hinzukommt, sodass Fertigungskosten ansteigen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Technologie eines Reduzierens eines Anstiegs von Fertigungskosten und eines Ermöglichens, dass eine Halbleitervorrichtung einen Anschluss aufweist, der eine günstige Wärmeableitung aufweist.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Basisplatte, ein isolierendes Substrat, ein leitfähiges Muster, einen Halbleiter-Chip, ein Gehäuse, ein Versiegelungsharz und einen externen Verbindunganschluss auf. Das isolierende Substrat ist auf einer oberen Oberfläche der Basisplatte vorgesehen. Das leitfähige Muster ist auf einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats vorgesehen. Der Halbleiter-Chip ist auf einer oberen Oberfläche des leitfähigen Muster angebracht. Das Gehäuse umgibt die Basisplatte, das isolierende Substrat, das leitfähige Muster und den Halbleiter-Chip. Das Versiegelungsharz versiegelt das Innere des Gehäuses. Der externe Verbindungsanschluss ist an dem Gehäuse vorgesehen. Ein Endbereich des externen Verbindungsanschlusses ist mit dem leitfähigen Muster verbunden. Das Gehäuse weist in einem Umfangswandbereich davon einen Anschlusseinführbereich auf, der ein Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses ermöglicht. Mit dem anderen Endbereich des externen Verbindungsanschlusses, der in den Anschlusseinführbereich eingeführt ist, ist ein anderer Bereich des externen Verbindungsanschlusses als der andere Endbereich durch das Versiegelungsharz versiegelt.
  • Ein Endbereich des externen Verbindungsanschlusses ist mit dem leitfähigen Muster verbunden, das Gehäuse weist in dem Umfangswandbereich davon den Anschlusseinführbereich auf, der ein Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses ermöglicht, und der andere Bereich als der andere Endbereich des externen Verbindungsanschlusses ist durch das Versiegelungsharz versiegelt, wobei der andere Endbereich des externen Verbindungsanschlusses in den Anschlusseinführbereich eingeführt ist.
  • Der externe Verbindungsanschluss kann somit nur durch Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses in den Anschlusseinführbereich an dem Gehäuse befestigt werden, was zu einer Reduzierung eines Ansteigens von Fertigungskosten der Halbleitervorrichtung führt. Ein Endbereich des externen Verbindungsanschlusses ist mit dem leitfähigen Muster verbunden, und der externe Verbindungsanschluss weist eine größere Breite auf als das leitfähige Material wie der Bond-Draht, sodass Wärme, die in dem anderen Endbereich des externen Verbindungsanschlusses erzeugt wird, einfach an die Basisplatte abgeleitet wird. Dies ermöglicht, dass die Halbleitervorrichtung den externen Verbindungsanschluss aufweist, der eine günstige Wärmeableitung aufweist.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher, wenn sie im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen gesehen wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die die innere Struktur der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 darstellt;
    • 3 ist ein Flussdiagramm zum Beschreiben eines Verfahrens zur Fertigung der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die die innere Struktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 darstellt;
    • 5 ist eine perspektivische Ansicht, die die innere Struktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 darstellt;
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht, die die innere Struktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 4 darstellt;
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die die innere Struktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 5 darstellt;
    • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die die innere Struktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 6 darstellt;
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • <Ausführungsform 1>
  • Eine Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 1. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die die interne Struktur der Halbleitervorrichtung 100 darstellt. Die nachfolgende Beschreibung wird durch Definieren einer horizontalen Richtung, einer vertikalen Richtung, einer Vorwärtsrichtung und einer Rückwärtsrichtung mit Bezug auf die Ebene von 1 jeweils als eine horizontale Richtung, eine vertikale Richtung, eine Vorwärtsrichtung und eine Rückwärtsrichtung gegeben.
  • Wie in 1 dargestellt, weist die Halbleitervorrichtung 100 eine Basisplatte 4, ein isolierendes Substrat 2, ein leitfähiges Muster 1, einen Halbleiter-Chip 3, ein Gehäuse 5, einen externen Verbindungsanschluss 6 und ein Versiegelungsharz 7 auf.
  • Die Basisplatte 4 ist zum Beispiel aus einem Metall wie Kupfer in einer rechteckigen Form in einer Draufsicht ausgebildet. Das isolierende Substrat 2 ist zum Beispiel aus einem Epoxidharz ausgebildet und über der gesamten oberen Oberfläche der Basisplatte 4 vorgesehen. Das leitfähige Muster 1 ist zum Beispiel aus Kupfer ausgebildet und auf einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats 2 vorgesehen. Der Halbleiter-Chip 3 ist auf einer oberen Oberfläche des leitfähigen Musters 1 angebracht.
  • Das Gehäuse 5 weist einen Umfangswandbereich 5a auf, welcher in einer Draufsicht eine Form eines rechteckigen Rahmens aufweist und die Basisplatte 4, das isolierende Substrat 2, das leitfähige Muster 1 und den Halbleiter-Chip 3 umgibt. Ein unterer Bereich des Umfangswandbereichs 5a steht nach innen vor. Ein unterer Endbereich des Umfangswandbereichs 5a weist über die gesamte innere Peripherie davon eine Vertiefung 5b auf, in welche ein oberer Teilbereich der Basisplatte 4 und des isolierenden Substrats 2 eingepasst werden können.
  • Wie in 1 und 2 dargestellt, ist der externe Verbindungsanschluss 6 zum Beispiel aus einer dünnen Kupferplatte ausgebildet und weist ein Rumpfteil 6a, ein Verbindungsteil 6b, ein Anschlussteil 6c und ein externes Verbindungsteil 6d auf. Das Rumpfteil 6a ist aus einem horizontalen Bereich, der sich in der horizontalen Richtung erstreckt, und einem vertikalen Bereich, der sich von einem Endbereich des horizontalen Bereiches nach unten erstreckt, zusammengesetzt und ist in einem Querschnitt L-förmig. Das Rumpfteil 6a ist so angeordnet, dass seine Hauptoberfläche vorwärts weist. In 2 sind die Basisplatte 4, das isolierende Substrat 2, das Versiegelungsharz 7 und ein Frontbereich des Gehäuses 5 zur Klarheit weggelassen. Das Gleiche gilt für die nach 2 folgenden Zeichnungen.
  • Das Anschlussteil 6b ist an einem Endbereich des Rumpfteils 6a vorgesehen, als wenn es vorwärts gebogen worden wäre. Das Verbindungsteil 6b ist so angebracht, dass seine Hauptoberfläche nach oben weist, und ist mit dem leitfähigen Muster 1 über eine Verbindungsoberfläche gegenüber der Hauptoberfläche verbunden.
  • Das Anschlussteil 6c ist an dem anderen Endbereich des Rumpfteils 6a vorgesehen. Ein Spitzenbereich des Anschlussteils 6c ist so ausgebildet, als wenn er vorwärts gebogen worden wäre, und das Anschlussteil 6c ist in einer Draufsicht L-förmig. Eine Mehrzahl von Anschlusseinführbereichen 5c, die ein Einführen der Anschlussteile 6c ermöglichen, sind in einem oberen Bereich des Umfangswandbereichs 5a vorgesehen. Die Anschlusseinführbereiche 5c sind jeweils aus einem Vorder-zu-Rückseiten-Bereich, der sich in einer Richtung von der Vorderseite zu der Rückseite erstreckt, und einem Horizontalbereich, der sich in der in der horizontalen Richtung von einem rückseitigen Endbereich des Vorder-zu-Rückseiten-Bereichs erstreckt, aufgebaut und sind jeweils in einer Draufsicht L-förmig.
  • Das Anschlussteil 6c ist in den Anschlusseinführbereich 5c eingeführt worden, sodass er über das Rumpfteil 6a und das Verbindungsteil 6b elektrisch mit dem leitfähigen Muster 1 verbunden ist. Ein oberer Bereich des Anschlussteils 6c und das externe Anschlussteil 6d, das an einem oberen Endbereich des Anschlussteils 6c vorgesehen ist, stehen hierbei von dem Anschlusseinführbereich 5c nach oben vor. Das Anschlussteil 6b ist in einem Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 enthalten, und das Anschlussteil 6c ist in dem anderen Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 enthalten.
  • Das Versiegelungsharz 7 ist zu Beispiel ein aushärtbares Harz und versiegelt das Innere des Gehäuses 5. Mit dem anderen Endbereich, und zwar dem Anschlussteil 6c des externen Verbindungsanschlusses 6, das in den Anschlusseinführbereich 5c eingeführt ist, ist ein anderer Bereich des externen Verbindungsanschlusses 6 als der andere Endbereich durch das Versiegelungsharz 7 umschlossen. Genauer sind das Rumpfteil 6a und das Verbindungsteil 6b durch das Versiegelungsharz 7 versiegelt. Nicht nur das Rumpfteil 6a und das Verbindungsteil 6b sondern auch das Anschlussteil 6c ist dadurch durch das Versiegelungsharz 7 befestigt.
  • Ein charakteristischer Prozess des Verfahrens zur Fertigung der Halbleitervorrichtung 100 wird als Nächstes mit Bezug auf 3 beschrieben. 3 ist ein Flussdiagramm zum Beschreiben des Verfahrens zur Fertigung der Halbleitervorrichtung 100.
  • Wie in 3 gezeigt, wird in Schritt S1 ein Gehäuse 5 an die Basisplatte 4 geklebt, über welcher das isolierende Substrat 2 und das leitfähige Muster 1 bereitgestellt worden sind. Bei dem Kleben des Gehäuses 5 wird ein Siliziumhaftmittel oder dergleichen auf die Vertiefung 5b des Gehäuses 5 gegeben, und zum Beispiel der obere Bereich des Basisplatte 4 und das isolierende Substrat 2 werden an die Vertiefung 5b geklebt. Nach dem Schritt S1 fährt der Prozess zu Schritt S2 fort. In Schritt S2 wird das Anschlussteil 6c als der andere Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 in den Anschlusseinführbereich 5c des geklebten Gehäuses 5 eingeführt, sodass sich das Verbindungsteil 6b auf dem leitfähigen Muster 1 befindet. Nach dem Schritt S2 fährt der Prozess bei Schritt S3 fort.
  • In Schritt S3 wird das Verbindungsteil 6b als der eine Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6, der sich auf der oberen Oberfläche des leitfähigen Musters 1 befindet, mit dem leitfähigen Muster 1 verbunden. Das Verbindungsteil 6b und das leitfähige Muster 1 sind miteinander zum Beispiel durch Platzieren oder Anbringen eines Lötmittels als ein Bond-Material auf die obere Oberfläche des leitfähigen Musters 1, Platzieren des Verbindungsteils 6b auf dem Lötmittel und Erhitzen und dann Abkühlen des Lötmittels verbunden.
  • Ultraschall-Bonding kann anstelle einer Verbindung unter Verwendung des Lötmittels verwendet werden. Nach dem Platzieren des Verbindungsteils 6b auf dem leitfähigen Muster 1 wird das Verbindungsteil 6b mit Ultraschall von der oberen Oberfläche des Verbindungsteils unter Verwendung eines Werkzeugs zum Ultraschall-Bonding gerüttelt. Reibungswärme, die bei dem Ultraschallvibrieren erzeugt wird, schweißt das Verbindungsteil 6b und das leitfähige Muster 1, sodass das Verbindungsteil 6b und das leitfähige Muster 1 verbunden werden. Das Ultraschall-Bonding beseitigt die Notwendigkeit für den Prozess eines Erhitzens und Abkühlens des Bond-Materials wie dem Lötmittel, was zu einer Reduzierung einer Fertigungszeit der Halbleitervorrichtung 100 führt.
  • Nach dem Schritt S3 fährt der Prozess zu Schritt S4 fort. Im Schritt S4 wird das Versiegelungsharz 7, welches das aushärtende Harz ist, in das Gehäuse 5 eingespritzt, sodass es das leitfähige Muster 1 bedeckt, das mit dem Verbindungsteil 6b verbunden ist, und wird erwärmt und dann abgekühlt, um die Halbleitervorrichtung 100 zu versiegeln und den externen Verbindungsanschluss 6 zu befestigen.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist in der Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 1 der eine Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 mit dem leitfähigen Muster 1 verbunden, das Gehäuse 5 weist in dem Umfangswandbereich 5a davon den Anschlusseinführbereich 5c auf, der ein Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses 6 ermöglicht, und der andere Bereich des externen Verbindungsanschlusses 6 als der andere Endbereich ist durch das Versiegelungsharz 7 versiegelt, wobei der andere Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 in den Anschlusseinführbereich 5c eingeführt ist.
  • Der Prozess des Einsteckens des Anschlusses in das Gehäuse mit einem Haftmittel oder dergleichen oder der Prozess des Einpassens einer Befestigungsabdeckung zum Befestigen ist herkömmlicherweise ausgeführt worden, um den Anschluss stabil zu befestigen. Die Halbleitervorrichtung 100 beseitigt die Notwendigkeit für einen solchen Prozess und kann ein Ansteigen von Fertigungskosten der Halbleitervorrichtung 100 reduzieren, da der externe Verbindungsanschluss 6 an dem Gehäuse 5 nur durch Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses 6 in den Anschlusseinführbereich 5c befestigt werden kann.
  • Das leitfähige Material wie der Bond-Draht ist herkömmlicherweise benötigt worden, um zwischen dem Anschluss und dem leitfähigen Muster verbunden zu werden, und der Anschluss musste herkömmlicherweise stabil befestigt worden sein, um das leitfähige Material zu verbinden. Die Halbleitervorrichtung 100 beseitigt jedoch die Notwendigkeit für den Prozess des Verbindens des leitfähigen Materials, und somit braucht der andere Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 nicht stabil befestigt zu sein.
  • Der Prozess des Presspassens des Anschlusses in das Gehäuse ist herkömmlicherweise ausgeführt worden, um den Anschluss stabil zu befestigen, und es hat ein Risiko eine Beschädigung des Anschlusses oder des Gehäuses bei dem Presspassen des Anschlusses in das Gehäuse, das aus einem biegesteifen Material ausgebildet ist, bestanden. Die Halbleitervorrichtung 100 beseitigt jedoch die Notwendigkeit für ein Presspassen, und somit kann ein Gehäuse, das aus einem biegesteifen Material ausgebildet ist wie Polyphenylensulfid (PPS) ohne ein Risiko einer Beschädigung verwendet werden.
  • Der eine Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 ist mit dem leitfähigen Muster 1 verbunden, und der externe Verbindungsanschluss 6 weist eine größere Breite auf als das leitfähige Material wie der Bond-Draht, sodass Wärme, die in dem anderen Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 erzeugt wird, einfach an die Basisplatte 4 abgeleitet werden kann. Dies ermöglicht, dass die Halbleitervorrichtung 100 den externen Verbindungsanschluss 6 aufweist, der eine günstige Wärmeableitung aufweist.
  • Der andere Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 wird in den Anschlusseinführbereich 5c eingeführt, nachdem die Basisplatte 4 an das Gehäuse 5 geklebt ist, sodass verschiedene Arten einer Pin-Anordnung während der Fertigung der Halbleitervorrichtung 100 gewählt werden können, was eine flexible Reaktion auf die Nachfrage nach verschiedenen Arten einer Pin-Anordnung ermöglicht.
  • Das Bonden des Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses 6 an das leitfähige Muster 1 durch Ultraschall-Bonding beseitigt die Notwendigkeit für den Prozess eines Erwärmens und Abkühlens des Bond-Materials wie des Lötmittels, was zu einer Reduzierung einer Fertigungszeit der Halbleitervorrichtung 100 führt.
  • In einem Fall, in welchem der eine Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 unter Verwendung des Bond-Materials wie des Lötmittels anstelle der Verwendung von Ultraschall-Bonding mit dem leitfähigen Muster verbunden wird, kann ein Ansteigen von Fertigungskosten der Halbleitervorrichtung 100 weiter reduziert werden, da es keine Notwendigkeit gibt, neue Ausrüstung einzuführen.
  • Als die Basisplatte können die Basisplatte 4, das isolierende Substrat 2 und das leitfähige Muster 1 als ein Stück ausgebildet werden. Genauer kann die Halbleitervorrichtung 100 eine isolierende Harzbasisplatte aufweisen, die die Basisplatte 4, das isolierende Substrat 2 und das leitfähige Muster 1 aufweist, die als ein Stück ausgebildet worden sind. Dies beseitigt den Prozess des Verbindens des isolierenden Substrats und der Basisplatte, was zu einer Verbesserung einer Vereinfachung eines Zusammenbaus und weiter zu einer Reduzierung einer Fertigungsdauer der Halbleitervorrichtung 100 führt.
  • <Ausführungsform 2>
  • Eine Halbleitervorrichtung 100A gemäß einer Ausführungsform 2 wird als Nächstes beschrieben. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die die interne Struktur der Halbleitervorrichtung 100A gemäß der Ausführungsform 2 darstellt. In der Ausführungsform 2 tragen die gleichen Komponenten wie die Komponenten, die in der Ausführungsform 1 beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen, und eine Beschreibung davon ist weggelassen.
  • Wie in 4 dargestellt, weist der externe Verbindungsanschluss 6 in der Ausführungsform 2 eine Mehrzahl von externen Verbindungsteilen 6d an dem anderen Endbereich auf. Genauer sind zum Beispiel zwei externe Verbindungsteile 6d an dem oberen Endbereich des Anschlussteils 6c vorgesehen. Die zwei externen Verbindungsteile 6d sind mit der gleichen externen Steuerplatine und dergleichen verbunden. In diesem Fall weist der externe Verbindungsanschluss 6 aufgrund des Anstiegs der Zahl der Kontaktstellen mit der externen Steuerplatine und dergleichen eine weiter verbesserte Wärmeableitung verglichen mit einem Fall, in welchem die Anzahl der externen Verbindungsteile 6d eins ist. Die Anzahl der externen Verbindungsteile 6d ist nicht auf zwei beschränkt und kann zwei oder mehr sein.
  • <Ausführungsform 3>
  • Eine Halbleitervorrichtung 100B gemäß einer Ausführungsform 3 wird als Nächstes beschrieben. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die die interne Struktur der Halbleitervorrichtung 100B gemäß der Ausführungsform 3 darstellt. In der Ausführungsform 3 tragen die gleichen Komponenten wie die Komponenten, die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen, und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
  • Wie in 5 dargestellt, weist der externe Verbindungsanschluss 6 in dem anderen Endbereich ein Befestigungsloch 6e auf, das ein Einführen eines Schafts einer Schraube in der Ausführungsform 3 ermöglicht. Genauer ist das Anschlussteil 6c U-förmig, wobei sich seine Spitze nach unten erstreckt, und das Befestigungsloch 6e ist in dem oberen Endbereich des Anschlussteils 6c vorgesehen. Dies ermöglicht, dass der externe Verbindungsanschluss 6d an die externe Steuerplatine und dergleichen unter Verwendung der Schraube angeschlossen wird, was zu einer Verbesserung einer Zweckmäßigkeit des externen Verbindungsanschlusses 6 führt.
  • <Ausführungsform 4>
  • Eine Halbleitervorrichtung 100C gemäß einer Ausführungsform 4 wird als Nächstes beschrieben. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die die interne Struktur der Halbleitervorrichtung 100C gemäß der Ausführungsform 4 darstellt. In der Ausführungsform 4 tragen die gleichen Komponenten wie die Komponenten, die in den Ausführungsformen 1 bis 3 beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen, und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
  • Wie in 6 dargestellt, ist in der Ausführungsform 4 eine Mehrzahl von externen Verbindungsanschlüssen 6 vorgesehen, eine Mehrzahl von Anschlusseinführbereichen 5c ist angrenzend aneinander vorgesehen, und andere Bereiche der Mehrzahl von externen Verbindungsanschlüssen 6 als die anderen Endbereiche sind durch das Versiegelungsharz 7 versiegelt (siehe 1), wobei die anderen Endbereiche der Mehrzahl von externen Verbindungsanschlüssen 6 in die Mehrzahl von Anschlusseinführbereiche 5c eingeführt sind.
  • Zwei externe Verbindungsanschlüsse 6 sind angrenzend aneinander angeordnet, und somit liegen zwei Rumpfteile 6a nah beieinander. Dies reduziert Induktivitätskomponenten der externen Verbindungsanschlüsse 6. Obwohl die externen Verbindungsanschlüsse 6, die die Befestigungslöcher 6e aufweisen, in 6 dargestellt sind, sind die Befestigungslöcher 6e keine essentiellen Komponenten, und die externen Verbindungsanschlüsse 6 können zum Beispiel die externen Verbindungsteile 6d aufweisen, wie in 2 und 4 dargestellt.
  • <Ausführungsform 5>
  • Eine Halbleitervorrichtung 100D gemäß einer Ausführungsform 5 wird als Nächstes beschrieben. 7 ist eine perspektivische Ansicht, die die interne Struktur der Halbleitervorrichtung 100D gemäß der Ausführungsform 5 darstellt. In der Ausführungsform 5 tragen die gleichen Komponenten wie die Komponenten, die in den Ausführungsformen 1 bis 4 beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen, und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
  • Wie in 7 dargestellt, weist der externe Verbindungsanschluss 6 in der Ausführungsform 5 ein Presspassteil 6f in dem anderen Endbereich auf. Das Presspassteil 6f ist ein externes Verbindungsteil, das an dem oberen Endbereich des Anschlussteils 6c vorgesehen ist und einen Lückenbereich aufweist. Mit dem Presspassteil 6f, das sich über dem Lückenbereich ausdehnt und zusammenzieht, können die Steuerplatine und dergleichen, die von oben eingeführt werden, verbunden werden, ohne ein Bearbeiten wie ein Lötmittel-Bonding auszuführen. Dies verbessert die Zweckmäßigkeit des externen Verbindungsanschlusses 6.
  • <Ausführungsform 6>
  • Eine Halbleitervorrichtung 100E gemäß einer Ausführungsform 6 wird als Nächstes beschrieben. 8 ist eine perspektivische Ansicht, die die interne Struktur der Halbleitervorrichtung 100E gemäß der Ausführungsform 6 darstellt. In der Ausführungsform 6 tragen die gleichen Komponenten wie die Komponenten, die in den Ausführungsformen 1 bis 5 beschrieben sind, die gleichen Bezugszeichen, und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
  • Wie in 8 dargestellt, weist der externe Verbindungsanschluss 6 in der Ausführungsform 6 ein Steckverbinderteil 6g in dem anderen Endbereich auf. Genauer ist das Steckverbinderteil 6g in dem oberen Endbereich des Anschlussteils 6c vorgesehen, um eine Steckverbindung zu ermöglichen. Dies verbessert die Zweckmäßigkeit des externen Verbindungsanschlusses 6.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können frei miteinander kombiniert werden und können innerhalb des Gültigkeitsumfangs der Erfindung geeignet modifiziert oder weggelassen werden.
  • Obwohl die Erfindung detailliert gezeigt und beschrieben worden ist, ist die vorstehende Beschreibung in allen Aspekten darstellend und nicht einschränkend. Es wird deshalb verstanden, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen entworfen werden können, ohne den Gültigkeitsumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Zusammengefasst weist eine Halbleitervorrichtung 100 auf: eine Basisplatte 4; ein isolierendes Substrat 2, das auf einer oberen Oberfläche der Basisplatte 4 vorgesehen ist; ein leitfähiges Muster 1, das auf einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats 2 vorgesehen ist; einen Halbleiter-Chip 3, der auf einer oberen Oberfläche des leitfähigen Musters 1 angebracht ist; ein Gehäuse 5, das die Basisplatte 4, das isolierende Substrat 2, das leitfähige Muster 1 und den Halbleiter-Chip 3 umgibt; ein Versiegelungsharz 7, das ein Inneres des Gehäuses 5 versiegelt; und einen externen Verbindungsanschluss 6, der an dem Gehäuse 5 vorgesehen ist. Ein Endbereich des externen Verbindungsanschlusses 6 ist mit dem leitfähigen Muster 1 verbunden, das Gehäuse 5 weist einen Anschlusseinführbereich 5c, der ein Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses 6 ermöglicht, in einem Umfangswandbereich 5a davon auf, und ein anderer Bereich des externen Verbindungsanschlusses 6 als der andere Endbereich ist durch das Versiegelungsharz 7 versiegelt, wobei der andere Endbereich in dem Anschlusseinführbereich 5c eingeführt ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    leitfähiges Muster
    2
    isolierendes Substrat
    3
    Halbleiter-Chip
    4
    Basisplatte
    5
    Gehäuse
    5a
    Umfangswandbereich
    5b
    Vertiefung
    5c
    Anschlusseinführbereich
    6
    externer Verbindungsanschluss
    6a
    Rumpfteil
    6b
    Verbindungsteil
    6c
    Anschlussteil
    6d
    Verbindungsteil
    6e
    Befestigungsloch
    6f
    Presspassteil
    6g
    Steckverbinderteil
    7
    Versiegelungsharz
    100
    Halbleitervorrichtung
    100A - 100E
    Halbleitervorrichtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 4985116 [0003, 0004]

Claims (9)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Basisplatte (4); ein isolierendes Substrat (2), das auf einer oberen Oberfläche der Basisplatte (4) vorgesehen ist; ein leitfähiges Muster (1), das auf einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats (2) vorgesehen ist; einen Halbleiter-Chip (3), der auf einer oberen Oberfläche des leitfähigen Musters (1) angebracht ist; ein Gehäuse (5), das die Basisplatte (4), das isolierende Substrat (2), das leitfähige Muster (1) und den Halbleiter-Chip (3) umgibt; ein Versiegelungsharz (7), das ein Inneres des Gehäuses (5) versiegelt; und einen externen Verbindungsanschluss (6), der an dem Gehäuse (5) vorgesehen ist, wobei ein Endbereich des externen Verbindungsanschlusses (6) mit dem leitfähigen Muster (1) verbunden ist, das Gehäuse (5) einen Anschlusseinführbereich (5c) in einem Umfangswandbereich (5a) davon aufweist, wobei der Anschlusseinführbereich ein Einführen des anderen Endbereichs des externen Verbindungsanschlusses (6) ermöglicht, und mit dem anderen Endbereich des externen Verbindungsanschlusses (6), der in den Anschlusseinführbereich (5c) eingeführt ist, ein anderer Bereich des externen Verbindungsanschlusses (6) als der andere Endbereich durch das Versiegelungsharz (7) versiegelt ist.
  2. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Basisplatte (4), das isolierende Substrat (2) und das leitfähige Muster (1) als ein Stück ausgebildet worden sind.
  3. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der externe Verbindungsanschluss (6) eine Mehrzahl von externen Verbindungsteilen (6d) in dem anderen Endbereich aufweist.
  4. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der externe Verbindungsanschluss (6) ein Befestigungsloch (6e) in dem anderen Endbereich aufweist, wobei das Befestigungsloch ein Einführen eines Schafts einer Schraube ermöglicht.
  5. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der externe Verbindungsanschluss (6) eine Mehrzahl von externen Verbindungsanschlüssen aufweist, der Anschlusseinführbereich (5c) eine Mehrzahl von Anschlusseinführbereichen aufweist, die aneinander angrenzend vorgesehen sind, und mit den anderen Endbereichen der Mehrzahl von externen Verbindungsanschlüssen (6), die in die Mehrzahl von Anschlusseinführbereichen (5c) eingeführt sind, andere Bereiche der Mehrzahl von externen Verbindungsanschlüssen (6) als die anderen Endbereiche durch das Versiegelungsharz (7) versiegelt sind.
  6. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der externe Verbindungsanschluss (6) ein Presspassteil (6f) in dem anderen Endbereich aufweist.
  7. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der externe Verbindungsanschluss (6) ein Steckverbinderteil (6g) in dem anderen Endbereich aufweist.
  8. Verfahren zur Fertigung der Halbleitervorrichtung (100, 100A, 100B, 100C, 100D und 100E) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der eine Endbereich des externen Verbindunganschlusses (6) durch Ultraschall-Bonding an das leitfähige Muster (1) gebondet wird.
  9. Verfahren zur Fertigung der Halbleitervorrichtung (100, 100A, 100B, 100C, 100D und 100E) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der eine Endbereich des externen Verbindunganschlusses (6) unter Verwendung eines Bond-Materials an das leitfähige Muster (1) gebondet wird.
DE102017220211.4A 2016-12-28 2017-11-14 Halbleitervorrichtung und verfahren zur fertigung derselben Active DE102017220211B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-255989 2016-12-28
JP2016255989A JP6625044B2 (ja) 2016-12-28 2016-12-28 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102017220211A1 true DE102017220211A1 (de) 2018-06-28
DE102017220211B4 DE102017220211B4 (de) 2022-02-03

Family

ID=62510030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017220211.4A Active DE102017220211B4 (de) 2016-12-28 2017-11-14 Halbleitervorrichtung und verfahren zur fertigung derselben

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10366933B2 (de)
JP (1) JP6625044B2 (de)
CN (1) CN108257940B (de)
DE (1) DE102017220211B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017221427B4 (de) 2017-01-19 2022-08-25 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112086413B (zh) * 2019-06-14 2024-04-23 Jmj韩国株式会社 半导体封装

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4985116A (de) 1972-03-08 1974-08-15
DE102008012703A1 (de) * 2007-03-08 2008-09-11 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
JP2009021286A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
DE102011075154A1 (de) * 2010-05-07 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
DE102010038727A1 (de) * 2010-07-30 2012-02-02 Infineon Technologies Ag Leistungshaltleitermodul, Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und eines Gehäuseelements für ein Leistungshalbleitermodul
US20160225685A1 (en) * 2014-03-19 2016-08-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2720009B2 (ja) * 1993-11-29 1998-02-25 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
JP2001189416A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP2007134572A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Hitachi Appliances Inc パワーモジュール
US7993687B2 (en) * 2006-07-12 2011-08-09 Julianne Marie Kawa Compositions and methods for management of diabetes
JP4890208B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5041798B2 (ja) * 2006-12-15 2012-10-03 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4985116B2 (ja) * 2007-03-08 2012-07-25 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7944033B2 (en) * 2007-10-18 2011-05-17 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
JP5125975B2 (ja) * 2008-10-15 2013-01-23 富士電機株式会社 樹脂ケース製造方法
CN103477429B (zh) * 2011-05-13 2017-04-12 富士电机株式会社 半导体器件及其制造方法
KR101443985B1 (ko) * 2012-12-14 2014-11-03 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지
JP6304974B2 (ja) * 2013-08-27 2018-04-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2015056614A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 半導体装置部品および半導体装置
JP6356550B2 (ja) * 2014-09-10 2018-07-11 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6357394B2 (ja) * 2014-09-30 2018-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9979105B2 (en) * 2015-05-15 2018-05-22 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device
JP6541593B2 (ja) * 2015-05-15 2019-07-10 三菱電機株式会社 電力用半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4985116A (de) 1972-03-08 1974-08-15
DE102008012703A1 (de) * 2007-03-08 2008-09-11 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
JP2009021286A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
DE102011075154A1 (de) * 2010-05-07 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
DE102010038727A1 (de) * 2010-07-30 2012-02-02 Infineon Technologies Ag Leistungshaltleitermodul, Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und eines Gehäuseelements für ein Leistungshalbleitermodul
US20160225685A1 (en) * 2014-03-19 2016-08-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017221427B4 (de) 2017-01-19 2022-08-25 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben

Also Published As

Publication number Publication date
DE102017220211B4 (de) 2022-02-03
US10366933B2 (en) 2019-07-30
JP2018107414A (ja) 2018-07-05
US20180182679A1 (en) 2018-06-28
CN108257940A (zh) 2018-07-06
JP6625044B2 (ja) 2019-12-25
CN108257940B (zh) 2021-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007019809B4 (de) Gehäuste Schaltung mit einem wärmeableitenden Leitungsrahmen und Verfahren zum Häusen einer integrierten Schaltung
DE68928320T2 (de) Randmontierte Packung vom Oberflächen-Montierungstyp, für integrierte Halbleiterschaltungsanordnungen
DE102005024900B4 (de) Leistungsmodul
DE69710248T2 (de) Bondverfahren für integrierte Schaltung
DE2554965A1 (de) Elektrische kompaktschaltungsanordnung
DE102011084803A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102009055882A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102010047646A1 (de) Harz versiegelte elektronische Steuervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102008012703A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102019100106A1 (de) Einpressbares leistungsmodul und zugehörige verfahren
DE102009044485A1 (de) Leistungs-Halbleitereinrichtung
DE102006003137A1 (de) Elektronikpackung und Packungsverfahren
DE102016110659B4 (de) Mold-Gehäusestruktur mit Klebstoff-Auslaufstopper zum Abdichten eines MEMS-Bauelements und Verfahren zum Verpacken eines MEMS-Bauelements
DE69737320T2 (de) Halbleitervorrichtung
DE102007032775B4 (de) Leistungsverstärker
DE102018200830A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE112006001732T5 (de) Bleifreies Halbleitergehäuse
DE102017220211A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zur fertigung derselben
DE102014218389B4 (de) Halbleitermodul
DE102009022221A1 (de) Halbleitervorrichtung mit beidseitiger Wärmeabstrahlungsstruktur und Verfahren zur Fertigung der Vorrichtung
DE602004012215T2 (de) Elektronikmodul mit abtrennbarer Schaltung und Verfahren zur Herstellung
DE2528573A1 (de) Halbleiterschaltungs-verbindungseinrichtung
DE102018207470A1 (de) Gehäuse für eine Kamera und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008012256A1 (de) Elektronik-Komponenten-Montageplatte
DE102010036812A1 (de) Mehrchipmodul und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R084 Declaration of willingness to licence
R020 Patent grant now final