DE102017209122A1 - A process for producing a powdered, amorphous silicon carbide and silicon-containing mixture - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Gemisches, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält, bei dem man in einem Heißwandreaktor einen Gasstrom enthaltend wenigstens eine Ausgangsverbindung, welche aus Si, C und H besteht bei einer Temperatur von 950 - 1200°C zur Reaktion bringt, das Reaktionsgemisch abkühlt oder abkühlen lässt und das pulverförmige Gemisch von gasförmigen Stoffen abtrennt.A process for producing a powdery mixture containing amorphous silicon carbide and silicon comprising reacting in a hot wall reactor a gas stream containing at least one starting compound consisting of Si, C and H at a temperature of 950-1200 ° C, the reaction mixture cools or allowed to cool and separates the powdery mixture of gaseous substances.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Gemisches, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält.The invention relates to a method for producing a powdery mixture containing amorphous silicon carbide and silicon.

Siliciumcarbid zeichnet sich aus durch eine geringe Dichte, niedrige thermische Ausdehnung, gute Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit und hohe Festigkeit, hohe Kriechfestigkeit, niedrigen Reibungskoeffizienten und großer Härte. Siliciumcarbid eignet sich infolgedessen als keramischer Hochleistungswerkstoff für Anwendungen im Hochtemperaturbereich.Silicon carbide is characterized by low density, low thermal expansion, good oxidation and corrosion resistance and high strength, high creep resistance, low coefficient of friction and high hardness. As a result, silicon carbide is suitable as a high performance ceramic material for high temperature applications.

Formteile aus Siliciumcarbid können durch Sintern hergestellt werden. Allerdings hat Siliziumcarbid nur eine geringe Neigung zur Sinterung, da es eine hohe freie Bildungsenergie und eine exakte tetraedrische Koordination im Gitter zeigt. Sintern zu einer Dichte größer als 95 % der theoretischen Dichte ist nur mit dem Zusatz von Sinterhilfsmitteln bei hohen Temperaturen von 1900 bis 2200°C möglich.Silicon carbide moldings can be made by sintering. However, silicon carbide has little tendency to sinter because it shows high free energy of formation and exact tetrahedral coordination in the lattice. Sintering to a density greater than 95% of the theoretical density is only possible with the addition of sintering aids at high temperatures of 1900 to 2200 ° C.

Als Sinterhilfsmittel kommen Bor-, Aluminium- und Yttriumverbindungen in Frage, sowie Kohlenstoff. Der Einsatz der Sinterhilfsmittel führt unter anderem zu einer verringerten Festigkeit des Siliciumcarbid-Formkörpers und einer Verunreinigung durch die Sinterhilfsmittel selbst. Die Sinterhilfsmittel werden gewöhnlich dem Siliciumcarbid-Pulver vor dem Sintern beigemischt.Suitable sintering aids are boron, aluminum and yttrium compounds, as well as carbon. Among other things, the use of the sintering aids leads to a reduced strength of the silicon carbide molding and contamination by the sintering aids themselves. The sintering aids are usually admixed with the silicon carbide powder before sintering.

Weiterhin bekannt ist die Herstellung des Siliciumcarbid-Formkörpers durch Infiltrieren von Silizium in flüssigem Zustand in den porösen Siliciumcarbid- und Kohlenstoffformkörper. Bei der Flüssigsilizierung von Siliciumcarbid wird flüssiges Silizium in einen porösen Siliciumcarbid-Körper eingebracht. Zur Verbesserung der Siliziuminfiltration wird pulverförmiges Kohlenstoff zusätzlich eingebracht. Alternativ werden vor der Siliziuminfiltrierung kohlenstoffhaltige Verbindungen, welche durch Pyrolyse eine Kohlenstoffschicht auf Siliciumcarbid-Partikel bilden, verwendet. Die Infiltration dieses Körpers mit flüssigem Silicium führt zu einem dichten, aus Siliciumcarbid und Silicium bestehenden Körper. Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es, ein Verfahren bereitzustellen, welches die Vorteile der Sinterhilfsmittel bei der Herstellung von Siliciumcarbid-Formkörpern aufnimmt, es jedoch erlaubt deren Anteil im Formkörper zu minimieren.Also known is the production of the silicon carbide molding by infiltrating silicon in the liquid state into the porous Siliziumcarbid- and carbon moldings. In the liquid silicon silicon carbide silicon nitride liquid silicon is introduced into a porous silicon carbide body. To improve the silicon infiltration powdered carbon is additionally introduced. Alternatively, prior to silicon infiltration, carbonaceous compounds which form a carbon layer on silicon carbide particles by pyrolysis are used. The infiltration of this body with liquid silicon results in a dense body of silicon carbide and silicon. The object of the present invention was to provide a method which absorbs the advantages of the sintering aids in the production of silicon carbide moldings, but it allows to minimize their proportion in the molding.

Ein pulverförmiges Gemisch, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält, ist zur Herstellung kompakter Formkörper aus Siliciumcarbid ohne Zusatz von Sinterhilfsmitteln besonders geeignet, da dieses Gemisch auf Sinterprozesse, Diffusionsprozesse, Schmelzprozesse und/oder Kriechprozesse, die bei Sinter- bzw. Heißpressprozessen stattfinden fördernd wirkt und/oder diese hervorruft. Insbesondere das in dem Gemisch enthaltene Silicium wirkt auf Sinter- bzw. Heißpressverfahren vorteilhaft, da Silicium oberhalb von 1400 °C in flüssigem Zustand vorliegt und somit Sinterprozesse und Diffusionsprozesse während der Siliciumcarbid-Formkörperherstellung fördert und somit Herstellung von dichten Siliciumcarbid-Formkörpern ermöglicht.A powdery mixture which contains amorphous silicon carbide and silicon is particularly suitable for the production of compact silicon carbide molded articles without the addition of sintering aids, since this mixture has a promoting effect on sintering processes, diffusion processes, melting processes and / or creep processes taking place in sintering and hot pressing processes, respectively / or causes them. In particular, the silicon contained in the mixture has an advantageous effect on sintering or hot pressing processes, since silicon is in a liquid state above 1400 ° C. and thus promotes sintering processes and diffusion processes during the production of silicon carbide molded bodies, thus enabling production of dense silicon carbide shaped bodies.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Gemisches, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält,
bei dem man in einem Heißwandreaktor einen Gasstrom enthaltend wenigstens eine Ausgangsverbindung, welche aus Si, C und H besteht bei einer Temperatur von 950 - 1200°C zur Reaktion bringt, das Reaktionsgemisch abkühlt oder abkühlen lässt und das pulverförmige Gemisch von gasförmigen Stoffen abtrennt.The invention relates to a process for the preparation of a powdery mixture containing amorphous silicon carbide and silicon,
in which in a hot wall reactor, a gas stream containing at least one starting compound, which consists of Si, C and H at a temperature of 950 - 1200 ° C to the reaction, the reaction mixture is cooled or allowed to cool and the powdery mixture separated from gaseous substances.

Das pulverförmige Gemisch enthält bevorzugt mindestens 60 Vol.-% amorphes Siliciumcarbid und maximal 40 Vol.-% Si. Silicium kann sowohl im kristallinen als auch in amorphen Zustand vorliegen. Besonders bevorzugt beträgt der Anteil an amorphem Siliciumcarbid und Silicium im pulverförmigen Gemisch wenigstens 98 Vol.-%, besonders bevorzugt wenigstens 99 Vol.-%. Die BET-Oberfläche des pulverförmigen Gemisches kann 10-100 m2/g betragen. Es liegt bevorzugt in Form verwachsener Aggregate mit einem mittleren Aggregatdurchmesser von 10 - 500 nm vor.The pulverulent mixture preferably contains at least 60% by volume of amorphous silicon carbide and not more than 40% by volume of Si. Silicon can be in both crystalline and amorphous states. The proportion of amorphous silicon carbide and silicon in the pulverulent mixture is particularly preferably at least 98% by volume, particularly preferably at least 99% by volume. The BET surface area of the powdery mixture may be 10-100 m 2 / g. It is preferably in the form of fused aggregates with a mean aggregate diameter of 10 - 500 nm.

Als amorph wird hier eine Phase bezeichnet, deren Röntgendiffraktogramm mindestens ein breites Maximum, ein sogenanntes amorphes Halo, aufweist.Here, a phase is referred to as amorphous, whose X-ray diffractogram has at least one broad maximum, a so-called amorphous halo.

Die aus Si, C und H bestehende Ausgangsverbindung wird bevorzugt aus der Gruppe bestehend aus CH3SiH3, (CH3)2SiH2, (CH3)3SiH, C2H5SiH3, (C2H5)2SiH2, (C2H5)3SiH, (CH3)4Si, (C2H5)4Si, C3H7SiH3, (C3H7)4Si, C4H9SiH3, (C4H9)2SiH2, (C4H9)3SiH, (C4H9)4Si, C5H11SiH3, (C5H11)2SiH2, (C5H11)3SiH, (C5H11)4Si, C6H13SiH3, (C6H13)4Si, (C7H15)SiH3, (C7H15)2SiH2, (C7H15)3SiH, (C7H15)4Si, (C6H5)4Si (Siliciumtetraphenyl), (C7H7)4Si (Siliciumtetra-m-tolyl oder tetra-p-tolyl), (C6H5CH2)4Si (Siliciumtetrabenzyl), (C12H9)4Si (Siliciumtetraxenyl), (CH3)3C6H5Si (Trimethylphenylsilan), (CH3)2(C6H5)2Si (Dimethyldiphenylsilan), CH3(C6H5)3Si (Methyltriphenylsilan), (C2H5)3C6H5Si (Triethylphenylsilan), (C2H5)2(C6H5)2Si (Diethyldiphenylsilan), C2H5(C6H5)3Si (Ethyltriphenylsilan), (CH3)(C2H5)(nC3H7)(C6H5)Si (Methylethylpropylsilan), (C2H5)(nC3H7)(iC4H9)(CH2C6H5Si (Ethyl-n-propyl-i-butylbenzylsilan), (C6H5)3SiH (Triphenylsilan), (C6H5CH2)3SiH (Tribenzylsilan) oder Mischungen hieraus ausgewählt. Gegebenenfalls kann die Ausgangsverbindung vor dem Einbringen in den Heißwandreaktor extern verdampft werden. Besonders bevorzugt können CH3SiH3, (CH3)2SiH2 und (CH3)3SiH eingesetzt werden.The starting compound consisting of Si, C and H is preferably selected from the group consisting of CH 3 SiH 3 , (CH 3 ) 2 SiH 2 , (CH 3 ) 3 SiH, C 2 H 5 SiH 3 , (C 2 H 5 ) 2 SiH 2 , (C 2 H 5 ) 3 SiH, (CH 3 ) 4 Si, (C 2 H 5 ) 4 Si, C 3 H 7 SiH 3 , (C 3 H 7 ) 4 Si, C 4 H 9 SiH 3 , C 4 H 9 ) 2 SiH 2 , (C 4 H 9 ) 3 SiH, (C 4 H 9 ) 4 Si, C 5 H 11 SiH 3 , (C 5 H 11 ) 2 SiH 2 , (C 5 H 11 ) 3 SiH, (C 5 H 11 ) 4 Si, C 6 H 13 SiH 3 , (C 6 H 13 ) 4 Si, (C 7 H 15 ) SiH 3 , (C 7 H 15 ) 2 SiH 2 , (C 7 H 15 ) 3 SiH, (C 7 H 15 ) 4 Si, (C 6 H 5 ) 4 Si (silicon tetraphenyl), (C 7 H 7 ) 4 Si (silicon tetra-m-tolyl or tetra-p-tolyl), ( C 6 H 5 CH 2 ) 4 Si (silicon tetrabenzyl), (C 12 H 9 ) 4 Si (silicon tetraxenyl), (CH 3 ) 3 C 6 H 5 Si (trimethylphenylsilane), (CH 3 ) 2 (C 6 H 5 ) 2 Si (dimethyldiphenylsilane), CH 3 (C 6 H 5 ) 3 Si (methyltriphenylsilane), (C 2 H 5 ) 3 C 6 H 5 Si (triethylphenylsilane), (C 2 H 5 ) 2 (C 6 H 5 ) 2 Si (diethyldiphenylsilane), C 2 H 5 (C 6 H 5 ) 3 Si (ethyltriphenylsilane), (CH 3 ) (C 2 H 5 ) (nC 3 H 7 ) (C 6 H 5 ) Si (methylethylpropylsilane), (C 2 H 5 ) (nC 3 H 7 ) (iC 4 H 9 ) (CH 2 C 6 H 5 Si (ethyl-n-) propyl-i-butylbenzylsilane), (C 6 H 5 ) 3 SiH (triphenylsilane), (C 6 H 5 CH 2 ) 3 SiH (tribenzylsilane), or mixtures thereof. Optionally, the starting compound may be externally evaporated prior to introduction into the hot wall reactor. Particularly preferably, CH 3 SiH 3 , (CH 3 ) 2 SiH 2 and (CH 3 ) 3 SiH can be used.

Zusätzlich kann ein Strom ein oder mehrerer Gase ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, Methan, Ethan, Propan, Äthylen und Acetylen in den Heißwandreaktor eingebracht werden. Zusätzlich kann Argon in den Heißwandreaktor eingebracht werden.In addition, a stream of one or more gases selected from the group consisting of hydrogen, methane, ethane, propane, ethylene and acetylene may be introduced into the hot wall reactor. In addition, argon can be introduced into the hot wall reactor.

Dabei ist es vorteilhaft, wenn das molekulare Verhältnis Silicium:Kohlenstoff, bezogen auf die Summe der Ausgangverbindung und des Gases 1.5:1 - 1:3 ist.It is advantageous if the molecular ratio silicon: carbon, based on the sum of the starting compound and the gas 1.5: 1 - 1: 3.

Ebenso kann man zusätzlich einen Strom enthaltend ein oder mehrere Gase ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus SiH4, Si2H6 und Si3H8 einleiten.Likewise, one may additionally introduce a stream containing one or more gases selected from the group consisting of SiH 4 , Si 2 H 6 and Si 3 H 8 .

Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers, bei dem man das erfindungsgemäße Gemisch einer Formgebung durch Heißpressen oder Kompaktierung bei Raumtemperatur und nachfolgendem Sintern oder Heißpressen unterzieht, wobei das Sintern oder Heißpressen bevorzugt im Vakuum oder unter Inertgas bei einer Temperatur von wenigstens 1400°C erfolgt.Another object of the invention is a process for the preparation of a shaped article in which subjecting the mixture of the invention to a molding by hot pressing or compaction at room temperature and subsequent sintering or hot pressing, wherein the sintering or hot pressing preferably in vacuo or under inert gas at a temperature of at least 1400 ° C takes place.

Heißpressen ist ein Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers, bei dem ein Pulver oder ein Pulverpressling zwischen zwei Stempeln, die zur Druckerzeugung genutzt werden, eingebracht wird und bei einer Temperatur gehalten wird, die hoch genug ist, um Sinterprozesse, Diffusionsprozesse, Schmelzprozesse und/oder Kriechprozesse hervorzurufen. Die Herstellung eines Formkörpers mittels Heißpressen erfolgt somit durch eine gleichzeitige Anwendung von Wärme und Druck. Bei einem gewöhnlichen Heißpressen wird die Wärme von einer externen Heizvorrichtung erzeugt. Spark Plasma Sintering (SPS) ist eine Variation des Heißpressens, bei der die Wärme nicht von außen zugeführt sondern durch Anlegen von elektrischem Strom erzeugt wird. Die Vorteile von SPS sind kürzere Prozesszeiten und niedrigere Temperaturen, die für die Herstellung von dichten Formkörpern benötigt werden.Hot pressing is a method of making a shaped article in which a powder or powder compact is placed between two dies used for pressure generation and maintained at a temperature high enough to sinter, diffusion, melt and / or creep processes cause. The production of a shaped body by means of hot pressing thus takes place by a simultaneous application of heat and pressure. In ordinary hot pressing, the heat is generated by an external heater. Spark plasma sintering (SPS) is a variation of hot pressing in which the heat is not supplied from the outside but is generated by applying electric current. The advantages of SPS are shorter process times and lower temperatures needed for the production of dense moldings.

Die Konfiguration eines SPS Systems enthält eine Anlage für vertikale uniaxiale Druckerzeugung, eine wassergekühlte Vakuumkammer und einen gepulsten Direktstromgenerator, der mit zwei Elektroden verbunden ist. Der Generator erzeugt eine definierte gepulste Spannung und Strom mit einer typischen Pulsdauer in der Größenordnung von Millisekunden, typischerweise zwischen 1 und 300 ms. Durch Anlegung von elektrischen Spannungen fließen hohe Ströme durch den Pressling. Dies führt zur Erwärmung durch Joule-Heizung. Der uniaxiale Druck für SPS kann durch den oberen und unteren Stempel erzeugt werden. Typische Kräfte betragen dabei 50 bis 360 kN. Das Pulvermaterial bzw. ein Pressling wird in eine Pressmatrize aus Graphit zwischen Graphit-Stempel gefüllt und zwischen den Elektroden gehalten. Unter Druck und durch Anlegen von gepulstem Strom steigt die Temperatur des Materials mit einer Rate von bis zu 1000 K/min. SPS wird unter inerter Atmosphäre (Vakuum oder Inertgas) durchgeführt. Der SPS Prozess wird mittels Temperaturmessung kontrolliert.The configuration of a PLC system includes a unit for vertical uniaxial pressurization, a water cooled vacuum chamber and a pulsed direct current generator connected to two electrodes. The generator generates a defined pulsed voltage and current with a typical pulse duration of the order of milliseconds, typically between 1 and 300 ms. By applying electrical voltages, high currents flow through the compact. This leads to heating by Joule heating. The uniaxial pressure for SPS can be generated by the upper and lower punches. Typical forces are 50 to 360 kN. The powder material or a compact is filled into a graphite press die between graphite punches and held between the electrodes. Under pressure and by applying pulsed current, the temperature of the material increases at a rate of up to 1000 K / min. PLC is performed under inert atmosphere (vacuum or inert gas). The PLC process is controlled by temperature measurement.

Je nach Material und Besonderheiten des SPS Systems kann der Temperaturunterschied zwischen dem zum Sintern bestimmten Material und der Matrize beziehungsweise den Stempeln einige Hundert Kelvin betragen (W. Yucheng, F. Zhengyi, Mater. Sci. Eng. B90 (2002) 34 - 37). Der Druck beim Heißpressen beträgt bevorzugt 10 - 600 MPa, besonders bevorzugt 20 - 250 MPa.Depending on the material and special features of the SPS system, the temperature difference between the material intended for sintering and the die or dies may amount to several hundred Kelvin (W. Yucheng, F. Zhengyi, Mater. Sci. Eng. B90 (2002) 34-37). , The pressure during hot pressing is preferably 10 to 600 MPa, more preferably 20 to 250 MPa.

Die Kompaktierung kann durch Verpressen bei Raumtemperatur beim Druck von 10 - 600 MPa, bevorzugt bei 20 - 250 MPa, erfolgen. Die Kompaktierung kann auch aus einer Suspension heraus erfolgen, die das pulverförmige Gemisch enthält.The compaction can be carried out by pressing at room temperature at a pressure of 10 to 600 MPa, preferably at 20 to 250 MPa. The compaction can also be carried out from a suspension containing the powdery mixture.

Die besten Ergebnisse werden erhalten, indem die Formgebung durch Kompaktierung bei Raumtemperatur und nachfolgendem Sintern erfolgt. Unter Raumtemperatur ist ein Temperaturbereich von 25°C ± 10°C zu verstehen.The best results are obtained by shaping by compaction at room temperature followed by sintering. Room temperature is a temperature range of 25 ° C ± 10 ° C.

Claims (6)

Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Gemisches, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält, bei dem man in einem Heißwandreaktor einen Gasstrom enthaltend wenigstens eine Ausgangsverbindung, welche aus Si, C und H besteht bei einer Temperatur von 950 - 1200°C zur Reaktion bringt, das Reaktionsgemisch abkühlt oder abkühlen lässt und das pulverförmige Gemisch von gasförmigen Stoffen abtrennt.A process for producing a powdery mixture containing amorphous silicon carbide and silicon comprising reacting in a hot wall reactor a gas stream containing at least one starting compound consisting of Si, C and H at a temperature of 950-1200 ° C, the reaction mixture cools or allowed to cool and separates the powdery mixture of gaseous substances. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangsverbindung aus der Gruppe bestehend aus CH3SiH3, (CH3)2SiH2, (CH3)3SiH, C2H5SiH3, (C2H5)2SiH2, (C2H5)3SiH, (CH3)4Si, (C2H5)4Si, C3H7SiH3, (C3H7)4Si, C4H9SiH3, (C4H9)2SiH2, (C4H9)3SiH, (C4H9)4Si, C5H11SiH3, (C5H11)2SiH2, (C5H11)3SiH, (C5H11)4Si, C6H13SiH3, (C6H13)4Si, (C7H15)SiH3, (C7H15)2SiH2, (C7H15)3SiH, (C7H15)4Si, (C6H5)4Si (Siliciumtetraphenyl), (C7H7)4Si (Siliciumtetra-m-tolyl oder tetra-p-tolyl), (C6H5CH2)4Si (Siliciumtetrabenzyl), (C12H9)4Si (Siliciumtetraxenyl), (CH3)3C6H5Si (Trimethylphenylsilan), (CH3)2(C6H5)2Si (Dimethyldiphenylsilan), CH3(C6H5)3Si (Methyltriphenylsilan), (C2H5)3C6H5Si (Triethylphenylsilan), (C2H5)2(C6H5)2Si (Diethyldiphenylsilan), C2H5(C6H5)3Si (Ethyltriphenylsilan), (CH3)(C2H5)(nC3H7)(C6H5)Si (Methylethylpropylsilan), (C2H5)(nC3H7)(iC4H9)(CH2C6H5Si (Ethyl-n-propyl-i-butylbenzylsilan), (C6H5)3SiH (Triphenylsilan), (C6H5CH2)3SiH (Tribenzylsilan) oder Mischungen hieraus ausgewählt ist.Method according to Claim 1 , characterized in that the starting compound is selected from the group consisting of CH 3 SiH 3 , (CH 3 ) 2 SiH 2 , (CH 3 ) 3 SiH, C 2 H 5 SiH 3 , (C 2 H 5 ) 2 SiH 2 , C 2 H 5 ) 3 SiH, (CH 3 ) 4 Si, (C 2 H 5 ) 4 Si, C 3 H 7 SiH 3 , (C 3 H 7 ) 4 Si, C 4 H 9 SiH 3 , (C 4 H 9 ) 2 SiH 2 , (C 4 H 9 ) 3 SiH, (C 4 H 9 ) 4 Si, C 5 H 11 SiH 3 , (C 5 H 11 ) 2 SiH 2 , (C 5 H 11 ) 3 SiH , (C 5 H 11 ) 4 Si, C 6 H 13 SiH 3 , (C 6 H 13 ) 4 Si, (C 7 H 15 ) SiH 3 , (C 7 H 15 ) 2 SiH 2 , (C 7 H 15 ) 3 SiH, (C 7 H 15 ) 4 Si, (C 6 H 5 ) 4 Si (silicon tetraphenyl), (C 7 H 7 ) 4 Si (silicon tetra-m-tolyl or tetra-p-tolyl), (C 6 H 5 CH 2 ) 4 Si (silicon tetrabenzyl), (C 12 H 9 ) 4 Si (silicon tetraxenyl), (CH 3 ) 3 C 6 H 5 Si (trimethylphenylsilane), (CH 3 ) 2 (C 6 H 5 ) 2 Si (Dimethyldiphenylsilan) CH 3 (C 6 H 5 ) 3 Si (methyltriphenylsilane), (C 2 H 5 ) 3 C 6 H 5 Si (triethylphenylsilane), (C 2 H 5 ) 2 (C 6 H 5 ) 2 Si (diethyldiphenylsilane), C 2 H 5 (C 6 H 5 ) 3 Si (ethyltriphenylsilane), (CH 3 ) (C 2 H 5 ) (nC 3 H 7 ) (C 6 H 5 ) Si (methylethylpropylsilane), (C 2 H 5 ) (nC 3 H 7 ) (iC 4 H 9 ) (CH 2 C 6 H 5 Si (ethyl-n-propyl-i-butylbenzylsilane), (C 6 H 5 ) 3 SiH (triphenylsilane), (C 6 H 5 CH 2 ) 3 SiH (tribenzylsilane) or mixtures thereof. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass man einen Strom enthaltend ein oder mehrere Gase ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, Methan, Ethan, Propan, Äthylen und Acetylen einleitet.Method according to the Claims 1 or 2 , characterized in that one initiates a stream containing one or more gases selected from the group consisting of hydrogen, methane, ethane, propane, ethylene and acetylene. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass man einen Strom enthaltend ein oder mehrere Gase ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus SiH4, Si2H6 und Si3H8 einleitet.Method according to the Claims 1 to 3 , characterized in that one initiates a stream containing one or more gases selected from the group consisting of SiH4, Si 2 H 6 and Si 3 H 8 . Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das molekulare Verhältnis Silicium : Kohlenstoff, bezogen auf die Summe der Ausgangverbindung und des Gases, 1.5:1 - 1:3 ist.Method according to Claim 3 or 4 , characterized in that the molecular ratio silicon: carbon, based on the sum of the starting compound and the gas, 1.5: 1 - 1: 3. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers, dadurch gekennzeichnet, dass man das gemäß der Ansprüche 1 bis 5 erhältliche Gemisch einer Formgebung durch Heißpressen oder Kompaktierung bei Raumtemperatur und nachfolgendem Sintern oder Heißpressen unterzieht.Process for the production of a shaped body, characterized in that one according to the Claims 1 to 5 obtainable mixture subjected to shaping by hot pressing or compaction at room temperature followed by sintering or hot pressing.
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