DE102017115879B4 - Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronischen Submoduls mittels eines Schweißenverfahrens - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronischen Submoduls (1) mit einem elektrisch isolierenden Schaltungsträger (20), einer metallischen Leiterbahn (22) und einem hiermit elektrisch leitend verbundenen Anschlusselement (5) mit den Verfahrensschritten:a. Bereitstellen des Schaltungsträgers (20) mit einer auf einer ersten Hauptfläche angeordneten metallischen Leiterbahn (22), die eine erste Kontaktfläche (220) aufweist, die dafür vorgesehen ist mit einer zweiten Kontaktfläche (520) des Anschlusselements (5) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden zu werden, wobei die Leiterbahn (22) im Bereich der ersten Kontaktfläche (220) ausgebildet ist durch eine Metall-Folie mit einer Dicke zwischen 200µm und 500µm und mit einem Masse-Anteil von mindestens 80% Kupfer;b. Anordnen des Anschlusselements (5) zur Leiterbahn (22), wobei sich die erste und zweite Kontaktfläche (220, 520) berühren oder einen Abstand (620) von weniger als 300µm voneinander aufweisen;c. Beaufschlagung einer Teilfläche (540) der abgewandten, also der zweiten Kontaktfläche (520) gegenüberliegenden, Oberfläche (54) des Anschlusselements (5) mit Laserstrahlung unter Ausbildung einer Schweißverbindung zwischen der Leiterbahn (22) und dem Anschlusselement (5), wobei die Leiterbahn (22) nur bis zu einer Tiefe (620) von maximal 90% ihrer Dicke (210) lokal aufgeschmolzen wird, wobei die Wellenlänge des Lasers zwischen 900nm und 1300nm beträgt und wobei der Fokusdurchmesser (D) des Laserstrahls (6) der Bedingung 3λ < D < 10A, gehorcht.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronischen Submoduls, wie es als Grundbaustein eines Stromrichtersystems, beispielhaft zum Einsatz in vollständig oder teilweise elektrisch betriebenen Fahrzeugen Einsatz findet. Das leistungselektronischen Submodul kann auch die Basis eines ansonsten fachüblichen Leistungshalbleitermoduls ausbilden. Wesentlich ist, dass hierbei mindestens eines, bevorzugt alle Anschlusselemente mittels eine Schweißverfahrens mit einem Substrat verbunden werden.
  • Fachüblich und seit langem bekannt ist es Anschlusselement, insbesondere Lastanschlusselement aber auch Hilfsanschlusselemente, zur externen elektrischen Kontaktierung mittels fachüblicher Reibschweißverfahren mit einem Substrat, allgemeiner einem Schaltungsträger, eines Leistungshalbleitermoduls zu verbinden. Nachteilig ist hierbei häufig die schwierige Positionierung der Schweißsonotrode oder auch die Krafteinwirkung auf das Substrat, die zu Schädigungen des Substratgrundmaterials, häufig eine Keramikplatte, führen kann.
  • Aus der DE 10 2015 114 188 A1 ist ein leistungselektronisches Submodul bekannt, das ausgebildet ist mit einem Substrat, mit einem Leistungshalbleiterbauelement, mit einer Verbindungseinrichtung, mit einer Anschlusseinrichtung und mit einem Isolierstoffkörper. Hierbei weist das Substrat gegeneinander elektrisch isolierte Leiterbahnen auf, wobei auf einer Leiterbahn das Leistungshalbleiterbauelement angeordnet und damit elektrisch leitend verbunden ist. Die Verbindungseinrichtung ist als Folienverbund ausgebildet und bildet somit eine erste dem Leistungshalbleiterbauelement und dem Substrat zugewandten Hauptfläche und eine, der ersten gegenüberliegende, zweite Hauptfläche aus, wobei das Submodul mittels der Verbindungseinrichtung intern schaltungsgerecht verbunden ist. Der Isolierstoffkörper weist einen ersten Teilkörper auf, der mit einem Rand des Substrats verbunden ist und weist weiterhin eine erste Ausnehmung für das Anschlusselement auf. Der Isolierstoffkörper weist ebenfalls einen zweiten Teilkörper auf, der als ein Druckkörper ausgebildet ist und eine zweite Ausnehmung aufweist aus der ein Druckelement hervorstehend angeordnet ist. Der erste Teilkörper ist mit dem zweiten Teilkörper derart verbunden, dass dieser zweite Teilkörper gegenüber dem ersten Teilkörper in Richtung zum Substrat beweglich angeordnet ist um mit dem Druckelement auf einen Abschnitt der zweiten Hauptfläche des Folienverbunds zu drücken, wobei dieser Abschnitt in Projektion entlang der Normalenrichtung des Leistungshalbleiterbauelements innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist.
  • Aus der US 2010 / 0 295 187 A1 ist ein Halbleitermodul bekannt umfassen ein über eine isolierende Platte ausgebildetes Schaltungsmuster; einen mit dem Schaltungsmuster verbundenen Halbleiterchip; einen Verbindungsleiter, der mit dem Schaltungsmuster und/oder dem Halbleiterchip verbunden ist; ein Isolierharz, das einen Schweißabschnitt des Verbindungsleiters freilegt und das Schaltungsmuster und den Halbleiterchip bedeckt; und einen äußeren Anschluss, der einen elektrischen Hauptstrom durch eine Hauptelektrode des Halbleiterchips führt und mit dem Schweißabschnitt des Verbindungsleiters durch Laserschweißen verbunden ist.
  • Aus der US 2015 / 0 179 539 A1 ist ein Laserschweißverfahren bekannt, wobei ein Spalt zwischen ersten und zweiten zu verschweißenden Elementen höchstens 300µm beträgt und wobei das zweite Element mittels Klauen einer Laserschweißvorrichtung gegen das erste Element gepresst wird, und wobei das zweite Element an einer Stelle zwischen den Klauen wird mit Laserlicht bestrahlt wird, um das erste Element und das zweite Element zu verschweißen.
  • Aus der US 5 306 891 A ist bekannt ein Metallblech an einem Keramiksubstrat anzubringen, wobei ein Schweißkissen verwendet wird, das aus einer Wolframschicht gebildet ist, die auf dem Substrat vorgeformt ist und eine mit einem Goldfilm beschichtete Passfläche aufweist. Das Blatt wird auf den Goldfilm gelegt und mit einem Laserstrahl abgetastet, um das Blatt und das Gold zu verschmelzen, ohne das Wolfram zu verschmelzen, wodurch ein Abplatzen des Metalls und Mikrorisse der Keramik vermieden werden.
  • In Kenntnis des genannten Standes der Technik, liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronisches Submodul mit einem Schaltungsträger mit einer metallischen Leiterbahn und einem hiermit elektrisch leitend verbundenen Anschlusselement vorzustellen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronisches Submodul mit einem elektrisch isolierenden Schaltungsträger, einer metallischen Leiterbahn und einem hiermit elektrisch leitend verbundenen Anschlusselement weist die folgenden Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge auf:
    1. a. Bereitstellen des Schaltungsträgers mit einer auf einer ersten Hauptfläche angeordneten metallischen Leiterbahn, die eine erste Kontaktfläche aufweist, die dafür vorgesehen ist mit einer zweiten Kontaktfläche des Anschlusselements stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden zu werden, wobei die Leiterbahn (22) im Bereich der ersten Kontaktfläche (220) ausgebildet ist durch eine Metall-Folie mit einer Dicke zwischen 200µm und 500µm und mit einem Masse-Anteil von mindestens 80% Kupfer oder wobei die Leiterbahn (22) im Bereich der ersten Kontaktfläche (220) ausgebildet ist durch eine Metallfolie mit einem hierauf angeordneten Aufdoppelkörper (222) mit einer Dicke zwischen 500µm und 2mm;
    2. b. Anordnen des Anschlusselements zur Leiterbahn, wobei sich die erste und zweite Kontaktfläche berühren oder einen Abstand von weniger als 300µm voneinander aufweisen;
    3. c. Beaufschlagung einer Teilfläche der abgewandten, also der zweiten Kontaktfläche gegenüberliegenden, Oberfläche des Anschlusselements mit Laserstrahlung unter Ausbildung einer Schweißverbindung zwischen der Leiterbahn und dem Anschlusselement, wobei die Leiterbahn nur bis zu einer Tiefe von maximal 90% ihrer Dicke lokal aufgeschmolzen wird, wobei die Wellenlänge des Lasers zwischen 900nm und 1300nm beträgt und wobei der Fokusdurchmesser (D) des Laserstrahls der Bedingung 3λ < D < 10A, gehorcht.
  • Hierbei kann es bevorzugt sein, wenn der Laser beim Verfahrensschritt c) gepulst einzelne, vorzugsweise mindestens zehn, Stellen der Teilfläche mit Strahlung punktuell beaufschlagt. Alternativ oder auch zusätzlich kann es bevorzugt sein, wenn der Laserstrahl beim Verfahrensschritt c) mäanderförmig, insbesondere mit sich überlappenden oder sich nicht überlappenden Schleifen, die Teilfläche, vorzugsweise kontinuierlich, überstreicht.
  • Vorzugsweise beträgt der Abstand beim Verfahrensschritt b) zwischen 5µm und 300µm, bevorzugt zwischen 10µm und 150µm und besonders bevorzugt zwischen 15µm und 75µm.
  • Vorteilhaft ist es, wenn die Tiefe, in der die Leiterbahn aufgeschmolzen wird, maximal 70%, insbesondere maximal 50% ihrer Dicke und mindestens 10% bevorzugt 25% ihrer Dicke beträgt.
  • Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Wellenlänge des Lasers zwischen 900nm und 1100nm beträgt. Diese Werte sind insbesondere dann bevorzugt, wenn das Anschlusselement einen Masse-Anteil von mindestens 80% Kupfer aufweist.
  • Vorteilhafte Werte für den Fokusdurchmesser (D) des Laserstrahls, fachüblich gemessen bei dem Wert von e-2 der Intensität, gehorchen der Bedingung 5λ < D < 8λ.
  • Es ist insbesondere von Vorteil, wenn der Fokus des Laserstrahls beim Verfahrensschritt c) zwischen der abgewandten Oberfläche des Anschlusselements und 80% der Dicke des Anschlusselements liegt. Unabhängig davon kann es bevorzugt sein, wenn der Fokus beim Verfahrensschritt c) in seiner Tiefe relativ zur abgewandten Oberfläche des Anschlusselements variiert wird.
  • Es kann es vorteilhaft sein, wenn der Aufdoppelkörper aus Kupfer oder Aluminium besteht.
  • Anschlusselemente, insbesondere Lastanschlusselemente, werden vorteilhafterweise gebildet durch eine Metall-, vorzugsweise Kupfer-, oder Aluminium-Folie, vorzugsweise mit einer Dicke zwischen 200µm und 2mm, insbesondere bevorzugt zwischen 500µm und 1mm. Diese Anschlusselemente können auch eine fachübliche Beschichtung der Oberfläche, beispielhaft durch ein Metall, insbesondere Nickel, aufweisen.
  • Anschlusselemente, insbesondere Hilfsanschlusselemente, werden vorteilhafterweise gebildet durch ein Stift- oder Pressfitkontaktelement, vorzugsweise mit einer Dicke zwischen 100µm und 1mm, insbesondere bevorzugt zwischen 200µm und 500µm.
  • Selbstverständlich können, sofern dies nicht explizit oder per se ausgeschlossen ist oder dem Gedanken der Erfindung widerspricht, die jeweils im Singular genannten Merkmale, insbesondere das Anschlusselement, mehrfach im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet werden.
  • Weitere Erläuterungen der Erfindung, vorteilhafte Einzelheiten und Merkmale, ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der in den 1 bis 6 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele der Erfindung, oder von jeweiligen Teilen hiervon.
    • 1 zeigt ein erstes leistungselektronisches Submodul bei Anwendung eines erfindungsgemäßen Verfahrensschritts in Schnittansicht.
    • 2 zeigt ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes zweites leistungselektronisches Submodul, angeordnet auf einer Kühleinrichtung, in Schnittansicht.
    • 3 zeigt ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes drittes leistungselektronisches Submodul in Draufsicht.
    • 4 zeigt eine Komponente des dritten leistungselektronischen Submoduls.
    • 5 und 6 zeigen Ausführungsvarianten nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Schweißverbindungen in Schnittansicht.
  • 1 zeigt ein erstes leistungselektronisches Submodul 1 bei Anwendung eines erfindungsgemäßen Verfahrensschritts in Schnittansicht. Dargestellt ist ein elektrisch isolierender Schaltungsträger 20, hier fachüblich bestehend aus einer Keramikplatte, mit metallischen Leiterbahnen 22, in Form von Metallfolien, auf einer ersten Hauptfläche. Auf der zweiten Hauptfläche ist hier eine durchgehende metallische Schicht 24 gleicher Dicke, im fachüblichen Bereich von 200µm bis 400µm, wie die Leiterbahnen 22 angeordnet. Der Schaltungsträger 20 bildet zusammen mit den Leiterbahnen 22 und der metallischen Schicht 24 ein fachübliche Leistungshalbleitersubstrat 2 aus. Auf einer der Leiterbahnen 22 ist ein Leistungshalbleiterbauelement 4 angeordnet und elektrisch leitend damit verbunden.
  • Die interne, schaltungsgerechte Verbindung des Submoduls 1 ist fachüblich, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, mittels eines Folienstapels 3 aus elektrisch leitenden Folien 22, 24 und elektrisch isolierenden Folien 20 ausgebildet.
  • Eine der Leiterbahnen 22 weist eine erste Kontaktfläche 220 auf, die dafür vorgesehen ist mit einem Anschlusselement 5 stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden zu werden.
  • Dargestellt ist weiterhin ein derartiges Anschlusselement 5 des leistungselektronischen Submoduls 1, und ist hier ausgebildet als ein Formkörper aus einer Kupferfolie mit einer Dicke 510 im Bereich von 500µm bis 700µm. Dieses Anschlusselement 5 weist auf einer ersten Oberfläche 52 eine zweite Kontaktfläche 520 auf, die der ersten Kontaktfläche 220 der Leiterbahn 22 zugeordnet ist.
  • In dem hier dargestellten Verfahrensschritt ist das Anschlusselement 5 von der Leiterbahn 22 beabstandet, mit einem bevorzugten Abstand 620 im Bereich von 10µm bis 25µm. Dies ist auch die bevorzugte Anordnung zur Ausbildung einer Schweißverbindung zwischen dem Anschlusselement 5 und der Leiterbahn 22, jeweils im Bereich der einander zugeordneten Kontaktflächen 220, 520.
  • Zur Ausbildung der Schweißverbindung wird die Teilfläche 540 der zweiten Kontaktfläche 520 abgewandte Oberfläche 54 des Anschlusselements 5 mit einem Strahl 6 eines frequenzverdoppelten Nd:YAG-Lasers oder alternativ eines Yb:YAG-Scheiben-Lasers oder alternativ eines Faserlasers, jeweils mit einer Wellenlänge im Bereich von 900nm bis 1100nm beaufschlagt. Der Fokus 60 des Laserstrahls 6 wird derart eingestellt, dass dieser, zumindest zu Beginn der Ausbildung der Schweißverbindung, direkt an der abgewandten Oberfläche 54, genauer eines Punktes der Teilfläche 540, des Anschlusselements 5 liegt. Dies ist besonders vorteilhaft, da hiermit der beste lokale Wärmeeintrag in das Anschlusselement 5 erfolgt und somit der Aufschmelz- und damit der Schweißprozess effektiv gestartet wird.
  • Nach Beginn des Schweißprozesses, wenn bereits ein Teil des Anschlusselements 5 beginnend mit der abgewandten Oberfläche 54 aufgeschmolzen ist, kann der Fokus in Richtung auf die Leiterbahn hin verschoben werden. Im weiteren Verlauf des Schweißprozesses ist es besonders vorteilhaft, wenn der Fokus in der Tiefe zwischen der abgewandten Oberfläche 54 und 50% der Dicke 510 des Anschlusselements 5 variiert wird.
  • Unabhängig davon wird der Laserstrahl 6 mäanderförmig, mit sich überlappenden Schleifen 600, vgl. 3, und kontinuierlich, also ohne Unterbrechung der Beaufschlagung, über die Teilfläche 540 bewegt.
  • Der Fokusdurchmesser D des Fokus 60 des Laserstrahls 6 beträgt hierbei ca. 6λ.
  • 2 zeigt ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes zweites leistungselektronisches Submodul 1, angeordnet auf einer Kühleinrichtung 70, in Schnittansicht. Das Substrat des leistungselektronischen Submoduls 1 ist gleich demjenigen gemäß 1 aufgebaut und in dieser Ausgestaltung, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, direkt auf der Kühleinrichtung 70, hier einer Wasserkühleinrichtung, angeordnet und thermisch leitend damit verbunden.
  • Die Leiterbahn 22 ist ausgebildet durch die o.g. Metallfolie mit einem hierauf im Bereich der ersten Kontaktfläche 220 angeordneten Aufdoppelkörper 222, der dazu vorgesehen ist ist lokal die Dicke der Leiterbahn 224, vgl. 6, zu erhöhen. Dieser Aufdoppelkörper 222 besteht hier aus Kupfer mit einer Dicke von 1mm und ist mit der Metallfolie, genauer mit der Kupferfolie, stoffschlüssig verbunden. Diese stoffschlüssige Verbindung ist hier als Drucksinterverbindung oder als Lötverbindung ausgebildet.
  • Mit diesem Aufdoppelkörper 222, genauer der ersten Kontaktfläche 220 der metallischen Leiterbahn 22, zu der der Aufdoppelkörper 222 integral gehört, ist die zweite, der ersten Kontaktfläche 220 zugewandte, Kontaktfläche 520 des Anschlusselements 5 stoffschlüssig mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens verbunden.
  • In seinem Verlauf ist das Anschlusselement 5 auf einem Gehäuseteil 10 des leistungselektronischen Submoduls 1 angeordnet. Dort ist ein externer Anschlussbereich des Anschlusselements 5 mit einem Verbindungselement 74. Dieses Verbindungselement 74 verbindet das Submodul 1 beispielhaft mit einer elektrischen Maschine, also einem Elektromotor, der durch das Submodul oder eine Mehrzahl von Submodulen angetrieben wird.
  • Zur elektrisch leitenden, druckinduzierten Verbindung zwischen dem Anschlusselement 5 und dem Verbindungselement 74 reicht eine Schraube 72 elektrisch isoliert 720 gegen das Anschluss- und Verbindungselement durch diese und durch das Gehäuseteil 10 bis in ein Widerlager 700 der Kühleinrichtung 70.
  • Die stoffschlüssige Verbindung zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche 220, 520 ist im Grunde wie unter 1 beschrieben mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgebildet.
  • 3 zeigt ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes drittes leistungselektronisches Submodul 1 in Draufsicht. Dargestellt ist ein Schaltungsträger 20, ausgebildet als Keramikkörper, und hierauf angeordnet einer Mehrzahl von Leiterbahnen 22. Auf einer dieser Leiterbahnen 22 ist ein Leistungshalbleiterbauelement 4 angeordnet und elektrisch leitend mit der Leiterbahn 22 verbunden. Interne Verbindungseinrichtungen sind hier aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt.
  • Weiterhin dargestellt sind verschiedene Ausbildungen von Anschlusselementen 5. Eines der Anschlusselemente ist ausgebildet als ein Wechselspannungsanschlusselement 5a, zwei Anschlusselemente bilden die beiden Gleichspannungsanschlusselemente 5b, 5c und eines ist ausgebildet als ein Pressfitkontaktelement 5d. Das leistungselektronische Submodul 1 bildet hier eine Halbbrückenschaltung aus.
  • Das Wechselspannungsanschlusselement 5a ist mit seiner zweiten Kontaktstelle mit einer zugeordneten Leiterbahn 22 mittels des erfindungsgemäßen Laserschweißverfahrens verbunden. Hierbei wurde die Teilfläche 540 der abgewandten Oberfläche gepulst an einzelnen, sich teilweise überlappenden Stellen mit Laserstrahlung punktuell beaufschlagt, wie in der zugeordneten Ausschnittsvergrößerung dargestellt.
  • Das erste Gleichspannungsanschlusselement 5b, dasjenige negativen Potentials, ist mit seiner zweiten Kontaktstelle mit einer zugeordneten Leiterbahn 22, auf der sich kein Leistungshalbleiterbauelement befindet, mittels des erfindungsgemäßen Laserschweißverfahrens verbunden. Hierbei wurde die zugeordnete Teilfläche 540 der abgewandten Oberfläche mäanderförmig und kontinuierlich mit Laserstrahlung beaufschlagt, wie in der zugeordneten Ausschnittsvergrößerung dargestellt.
  • Das zweite Gleichspannungsanschlusselement 5c, dasjenige positiven Potentials, ist mit seiner zweiten Kontaktstelle mit einer zugeordneten Leiterbahn 22, auf der sich das Leistungshalbleiterbauelement 4 befindet, mittels des erfindungsgemäßen Laserschweißverfahrens verbunden. Hierbei wurde die zugeordnete Teilfläche 540 der abgewandten Oberfläche schleifenförmig, dargestellt sind zwei Alternativen mit und ohne Überlappung der Schleifen, und kontinuierlich mit Laserstrahlung beaufschlagt, wie in der zugeordneten Ausschnittsvergrößerung dargestellt.
  • Zwischen den beiden Gleichspannungsanschlusselementen 5b, 5c ist eine elektrisch isolierende Folie 56 angeordnet.
  • Das Pressfitkontaktelement 5d ist mit seiner zweiten Kontaktstelle mit einer zugeordneten Leiterbahn 22 mittels des erfindungsgemäßen Laserschweißverfahrens verbunden. Hierbei wurde die zugeordnete Teilfläche 540 der abgewandten Oberfläche schleifenförmig und kontinuierlich mit Laserstrahlung beaufschlagt, wie in der zugeordneten Ausschnittsvergrößerung dargestellt. Zur Verwendung wird das Pressfitkontaktelement 5d noch im Bereich der Einschnürung im rechten Winkel aus der Ebene der Leiterbahn 22 abgewinkelt und steht dann mit seinem Kontaktabschnitt senkrecht auf der zugeordneten Leiterbahn 22.
  • 4 zeigt eine Komponente, nämlich den Stapel aus den beiden Gleichspannungsanschlusselementen 5b, 5c und der dazwischen angeordneten elektrisch isolierenden Folie 56, des dritten leistungselektronischen Submoduls nebeneinander.
  • 5 und 6 zeigen Ausführungsvarianten nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Schweißverbindungen in Schnittansicht. In 5 ist eine Leiterbahn 22 ohne Aufdoppelkörper wie auch ein Anschlusselement 5 dargestellt. Beide sind mittels einer erfindungsgemäß ausgeführten Laserschweißverbindung im Bereich ihrer jeweiligen Kontaktflächen stoffschlüssig und elektrisch leitend miteinander verbunden.
  • Dargestellt ist weiterhin derjenige Bereich 602, der während des Laserschweißvorgangs lokal aufgeschmolzen wurde. Wesentlich für das erfindungsgemäße Verfahren ist es, dass hierbei die Leiterbahn 22 bis zu einer maximalen Tiefe 610 von 90% ihrer Dicke 210 aufgeschmolzen wird. Es ist sogar bevorzugt die Tiefe 610 des Aufschmelzens auf maximal 50% der Dicke 210 und mindestens 25% der Dicke 210 der Leiterbahn 22 einzugrenzen. Ein zu tiefes Aufschmelzen könnte die unter der Leiterbahn 22 liegende Schicht, hier den nicht dargestellten Keramikkörper beschädigen. Andererseits würde eine zu geringe Tiefe 610 des Aufschmelzens zu einer nicht ausreichend dauerhaltbaren Verbindung zum Anschlusselement 5 führen.
  • In 6 ist eine Leiterbahn 22 mit Aufdoppelkörper 222 wie auch ein Anschlusselement 5 dargestellt. Beide sind mittels einer erfindungsgemäß ausgeführten Laserschweißverbindung im Bereich ihrer jeweiligen Kontaktflächen 220, 520 stoffschlüssig und elektrisch leitend miteinander verbunden.
  • Dargestellt sind hier zwei Bereiche 604, 606, die während des Laserschweißvorgangs lokal aufgeschmolzen wurden. Auf der linken Seite dargestellt ist ein Bereich 604 des Aufschmelzens, der ausschließlich innerhalb des Aufdoppelkörpers 222 liegt. Dies ist die schonendste Ausgestaltung, da hier die Metallfolie der Leiterbahn 22 und umso mehr der darunterliegende Keramikkörper beim Laserschweißprozess nicht signifikant erwärmt werden. Auf der rechten Seite dargestellt ist ein Bereich 606 des Aufschmelzens, der bis in die Metallfolie der Leiterbahn 22 reicht. Dies ist die Ausgestaltung mit der höchsten Dauerhaltbarkeit, da hier gesamte Verbindung am innigsten ausgebildet ist. Die allgemeinen Aussagen gemäß 5 zur Tiefe des Aufschmelzens gelten grundsätzlich auch bei dieser Ausgestaltung der Leiterbahn mit einem Aufdoppelkörper.

Claims (13)

  1. Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronischen Submoduls (1) mit einem elektrisch isolierenden Schaltungsträger (20), einer metallischen Leiterbahn (22) und einem hiermit elektrisch leitend verbundenen Anschlusselement (5) mit den Verfahrensschritten: a. Bereitstellen des Schaltungsträgers (20) mit einer auf einer ersten Hauptfläche angeordneten metallischen Leiterbahn (22), die eine erste Kontaktfläche (220) aufweist, die dafür vorgesehen ist mit einer zweiten Kontaktfläche (520) des Anschlusselements (5) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden zu werden, wobei die Leiterbahn (22) im Bereich der ersten Kontaktfläche (220) ausgebildet ist durch eine Metall-Folie mit einer Dicke zwischen 200µm und 500µm und mit einem Masse-Anteil von mindestens 80% Kupfer; b. Anordnen des Anschlusselements (5) zur Leiterbahn (22), wobei sich die erste und zweite Kontaktfläche (220, 520) berühren oder einen Abstand (620) von weniger als 300µm voneinander aufweisen; c. Beaufschlagung einer Teilfläche (540) der abgewandten, also der zweiten Kontaktfläche (520) gegenüberliegenden, Oberfläche (54) des Anschlusselements (5) mit Laserstrahlung unter Ausbildung einer Schweißverbindung zwischen der Leiterbahn (22) und dem Anschlusselement (5), wobei die Leiterbahn (22) nur bis zu einer Tiefe (620) von maximal 90% ihrer Dicke (210) lokal aufgeschmolzen wird, wobei die Wellenlänge des Lasers zwischen 900nm und 1300nm beträgt und wobei der Fokusdurchmesser (D) des Laserstrahls (6) der Bedingung 3λ < D < 10A, gehorcht.
  2. Verfahren zur Herstellung eines leistungselektronischen Submoduls (1) mit einem elektrisch isolierenden Schaltungsträger (20), einer metallischen Leiterbahn (22) und einem hiermit elektrisch leitend verbundenen Anschlusselement (5) mit den Verfahrensschritten: a. Bereitstellen des Schaltungsträgers (20) mit einer auf einer ersten Hauptfläche angeordneten metallischen Leiterbahn (22), die eine erste Kontaktfläche (220) aufweist, die dafür vorgesehen ist mit einer zweiten Kontaktfläche (520) des Anschlusselements (5) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden zu werden, wobei die Leiterbahn (22) im Bereich der ersten Kontaktfläche (220) ausgebildet ist durch eine Metallfolie mit einem hierauf angeordneten Aufdoppelkörper (222) mit einer Dicke zwischen 500µm und 2mm; b. Anordnen des Anschlusselements (5) zur Leiterbahn (22), wobei sich die erste und zweite Kontaktfläche (220, 520) berühren oder einen Abstand (620) von weniger als 300µm voneinander aufweisen; c. Beaufschlagung einer Teilfläche (540) der abgewandten, also der zweiten Kontaktfläche (520) gegenüberliegenden, Oberfläche (54) des Anschlusselements (5) mit Laserstrahlung unter Ausbildung einer Schweißverbindung zwischen der Leiterbahn (22) und dem Anschlusselement (5), wobei die Leiterbahn (22) nur bis zu einer Tiefe (620) von maximal 90% ihrer Dicke (210) lokal aufgeschmolzen wird, wobei die Wellenlänge des Lasers zwischen 900nm und 1300nm beträgt und wobei der Fokusdurchmesser (D) des Laserstrahls (6) der Bedingung 3λ < D < 10A, gehorcht.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Laser beim Verfahrensschritt c) gepulst einzelne, vorzugsweise mindestens zehn, Stellen der Teilfläche (540) mit Strahlung punktuell beaufschlagt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Laserstrahl (6) beim Verfahrensschritt c) mäanderförmig, insbesondere mit sich überlappenden oder sich nicht überlappenden Schleifen (600), die Teilfläche (540), vorzugsweise kontinuierlich, überstreicht.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Abstand (620) beim Verfahrensschritt b) zwischen 5µm und 300µm, bevorzugt zwischen 10µm und 150µm und besonders bevorzugt zwischen 15µm und 75µm beträgt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Tiefe (610) in dem die Leiterbahn (22) aufgeschmolzen wird maximal 70%, insbesondere maximal 50% ihrer Dicke (210) und mindestens 10% bevorzugt 25% ihrer Dicke (210) beträgt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wellenlänge des Lasers zwischen 900nm und 1100nm beträgt.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Fokusdurchmesser (D) des Laserstrahls (6) der Bedingung 5λ < D < 8λ gehorcht.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Fokus (60) des Laserstrahls (6) beim Verfahrensschritt c) zwischen der abgewandten Oberfläche (54) des Anschlusselements (5) und 80% der Dicke (510) des Anschlusselements (5) liegt.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Fokus (60) beim Verfahrensschritt c) in seiner Tiefe relativ zur abgewandten Oberfläche (54) des Anschlusselements (5) variiert wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 2 bis 10, wobei der Aufdoppelkörper (222) aus Kupfer oder Aluminium besteht.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Anschlusselement (5 a/b/c) gebildet wird durch eine Metall-, vorzugsweise Kupfer-, oder Aluminium-Folie, vorzugsweise mit einer Dicke (510) zwischen 200µm und 2mm, insbesondere bevorzugt zwischen 500µm und 1mm.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Anschlusselement (5d) gebildet wird durch ein Stift- oder Pressfitkontaktelement, vorzugsweise mit einer Dicke zwischen 100µm und 1mm, insbesondere bevorzugt zwischen 200µm und 500µm.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019115573B4 (de) * 2019-06-07 2021-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
DE102019211581A1 (de) * 2019-08-01 2021-02-04 Trumpf Laser Gmbh Verfahren zum Schweißen einer Kupfer-Aluminium-Verbindung
CN113839150A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 新普科技股份有限公司 电连接点的接合结构、电连接点的接合方法及电池模块
DE102021130110A1 (de) 2021-11-18 2023-05-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Aufschweißen eines elektrischen Anschlusses auf eine Metall-schicht

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5306891A (en) 1992-04-02 1994-04-26 Motorola, Inc. Laser welding process for attaching metal to ceramic substrate
US20100295187A1 (en) 2007-12-20 2010-11-25 Aisin Aw Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US20150179539A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Fuji Electric Co., Ltd. Laser welding method, laser welding jig, and semiconductor device
DE102015114188A1 (de) 2015-08-26 2017-03-02 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Submodul mit einem zweiteiligen Gehäuse

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4798020B2 (ja) * 2007-02-26 2011-10-19 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2009105266A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法
FR2967846B1 (fr) * 2010-11-23 2012-11-30 Valeo Equip Electr Moteur Procede d'interconnexion de modules electroniques de puissance d'une machine electrique tournante et assemblage de modules de puissance interconnectes obtenu par ce procede
DE102011088418B4 (de) * 2011-12-13 2023-06-22 Robert Bosch Gmbh Bondverbindung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5306891A (en) 1992-04-02 1994-04-26 Motorola, Inc. Laser welding process for attaching metal to ceramic substrate
US20100295187A1 (en) 2007-12-20 2010-11-25 Aisin Aw Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US20150179539A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Fuji Electric Co., Ltd. Laser welding method, laser welding jig, and semiconductor device
DE102015114188A1 (de) 2015-08-26 2017-03-02 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Submodul mit einem zweiteiligen Gehäuse

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