DE102017107707A1

DE102017107707A1 - Method for producing an electronic component and electronic component

Info

Publication number: DE102017107707A1
Application number: DE102017107707.3A
Authority: DE
Inventors: Simon Schicktanz; Johannes Rosenberger; Julia Grosser; Philipp Schwamb
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2017-04-10
Filing date: 2017-04-10
Publication date: 2018-10-11

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) angegeben, bei dem auf einem Substrat (1) mit einem aktiven elektronischen Element (2) eine Verkapselung (3) zum Schutz des aktiven elektronischen Elements (2) vor schädigenden äußeren Einflüssen aufgebracht wird mit den Schritten:
- Aufbringen einer ersten anorganischen Verkapselungsschicht (11) mittels Atomlagenabscheidung,
- Aufbringen einer zweiten anorganischen Verkapselungsschicht (12) auf der ersten Verkapselungsschicht (11) mittels chemischer Gasphasenabscheidung, wobei in einem vollständig umlaufenden Randbereich (201) die erste Verkapselungsschicht (11) frei von der zweiten Verkapselungsschicht (12) bleibt, und
- Aufbringen einer dritten anorganischen Verkapselungsschicht (13) auf der ersten und zweiten Verkapselungsschicht (11, 12) mittels Atomlagenabscheidung, so dass die zweite Verkapselungsschicht (12) und der umlaufende Randbereich (201) von der dritten Verkapselungsschicht (13) bedeckt sind.
Weiterhin wird ein elektronisches Bauelement (100) angegeben.

The invention relates to a method for producing an electronic component (100), in which an encapsulation (3) for protecting the active electronic element (2) from damaging external influences is applied to a substrate (1) having an active electronic element (2) with the steps:
Applying a first inorganic encapsulation layer (11) by means of atomic layer deposition,
Depositing a second inorganic encapsulation layer (12) on the first encapsulation layer (11) by means of chemical vapor deposition, the first encapsulation layer (11) remaining free of the second encapsulation layer (12) in a completely peripheral edge region (201), and
Depositing a third inorganic encapsulation layer (13) on the first and second encapsulation layers (11, 12) by means of atomic layer deposition, such that the second encapsulation layer (12) and the peripheral edge region (201) are covered by the third encapsulation layer (13).
Furthermore, an electronic component (100) is specified.

Description

Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements und ein elektronisches Bauelement angegeben.A method for producing an electronic component and an electronic component are specified.

Bei Bauelementen mit mehreren Schichten aus unterschiedlichen Materialien wie beispielsweise organische Licht emittierende Dioden (OLEDs), die üblicherweise im Verbund hergestellt und anschließend vereinzelt werden, kann es zu unterschiedlichen Spannungen in den Schichten aufgrund der unterschiedlichen Materialeigenschaften kommen, beispielsweise im Hinblick auf die individuelle Schichthaftung und/oder im Hinblick auf die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Dadurch können an den Grenzflächen zwischen Schichten mit unterschiedlichen Materialien Probleme auftreten. So kann es etwa in Automotive-Robustheitstests zu Delaminationsproblemen kommen, die durch Risse oder Brüche in Schichten hervorgerufen werden können. Solche Delaminationsprobleme können beispielsweise bei mehrschichtigen Verkapselungsanordnungen, insbesondere solchen mit unterschiedlich hergestellten Schichten, zumindest in Randbereichen Undichtigkeiten und somit Bauteilausfälle bewirken.For devices with multiple layers of different materials, such as organic light-emitting diodes (OLEDs), which are usually produced in a composite and then separated, there may be different stresses in the layers due to the different material properties, for example, with respect to the individual layer adhesion and / or with regard to the different thermal expansion coefficients. This can cause problems at the interfaces between layers of different materials. For example, in automotive robustness tests, delamination problems can occur, which can be caused by cracks or breaks in layers. Such delamination problems can, for example in the case of multilayer encapsulation arrangements, in particular those with differently produced layers, cause leaks at least in peripheral areas and thus component failures.

Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein elektronisches Bauelement anzugeben.At least one object of certain embodiments is to provide a method for producing an electronic component. At least another object of certain embodiments is to provide an electronic component.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren und einen Gegenstand gemäß der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands und des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.These objects are achieved by a method and an object according to the independent claims. Advantageous embodiments and further developments of the subject matter and of the method are characterized in the dependent claims and furthermore emerge from the following description and the drawings.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements auf einem Substrat mit einem aktiven elektronischen Element eine Verkapselung aufgebracht, die dem Schutz des aktiven elektronischen Elements vor schädigenden äußeren Einflüssen dient. Die schädigenden äußeren Einflüsse können beispielsweise für das aktive elektronische Element schädliche korrosive Gase wie Sauerstoff oder Schwefelwasserstoff oder auch Feuchtigkeit sein. Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform weist ein elektronisches Bauelement ein Substrat auf, auf dem ein aktives elektronisches Element und eine Verkapselung zum Schutz des aktiven elektronischen Elements vor schädigenden äußeren Einflüssen angeordnet sind. Die nachfolgenden Merkmale und Ausführungsformen gelten gleichermaßen für das Verfahren wie auch für das elektronische Bauelement.In accordance with at least one embodiment, in a method for producing an electronic component on a substrate having an active electronic element, an encapsulation is applied which serves to protect the active electronic element from damaging external influences. For example, the damaging external influences can be harmful corrosive gases such as oxygen or hydrogen sulfide for the active electronic element or even moisture. In accordance with at least one further embodiment, an electronic component has a substrate on which an active electronic element and an encapsulation for protecting the active electronic element from damaging external influences are arranged. The following features and embodiments apply equally to the method as well as to the electronic component.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das aktive elektronische Element mit der Verkapselung beschichtet. Die Verkapselung kann insbesondere unmittelbar auf dem aktiven elektronischen Element aufgebracht werden. Weiterhin kann die Verkapselungsanordnung auch in lateraler Richtung neben dem aktiven elektronischen Element, insbesondere auf dem Substrat, auf dem das aktive elektronische Element angeordnet ist, aufgebracht werden. Als „lateral“ wird eine Richtung bezeichnet, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Substrats verläuft. Senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Substrats und damit senkrecht zu allen lateralen Richtungen verläuft eine vertikale Richtung, die auch der Anordnungsrichtung des aktiven elektronischen Elements auf dem Substrat entspricht. Zumindest in einigen Bereichen kann die Verkapselung lateral neben dem aktiven elektronischen Element unmittelbar auf dem Substrat aufgebracht werden. Weiterhin kann die Verkapselung lateralen bis an zumindest einen oder mehrere Ränder des Substrats heranreichen. Die Verkapselung kann eine Mehrzahl von Verkapselungsschichten aufweisen oder daraus bestehen, so dass das aktive elektronische Element nach der Fertigstellung des elektronischen Bauelements durch die Verkapselung in Form einer mehrschichtigen Beschichtung bedeckt sein kann.According to a further embodiment, the active electronic element is coated with the encapsulation. In particular, the encapsulation can be applied directly to the active electronic element. Furthermore, the encapsulation arrangement can also be applied in the lateral direction next to the active electronic element, in particular on the substrate on which the active electronic element is arranged. The term "lateral" refers to a direction that is parallel to the main plane of extension of the substrate. Perpendicular to the main extension plane of the substrate and thus perpendicular to all lateral directions is a vertical direction, which also corresponds to the arrangement direction of the active electronic element on the substrate. At least in some areas, the encapsulation may be applied laterally adjacent to the active electronic element directly on the substrate. Furthermore, the encapsulation can reach lateral to at least one or more edges of the substrate. The encapsulation may comprise or consist of a plurality of encapsulation layers, such that after the completion of the electronic component the encapsulation may cover the active electronic element in the form of a multilayer coating.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das aktive elektronische Element ein organisches optoelektronisches Element und/oder ein organisches elektronisches Element auf oder ist ein solches. Beispielsweise ist das elektronische Bauelement ein optoelektronisches Bauelement wie etwa ein Licht emittierendes oder Licht detektierendes Bauelement. In diesem Fall weist das aktive elektronische Element Schichten und/oder Komponenten auf oder wird dadurch gebildet, die im Betrieb die optoelektronische Funktionalität des Bauelements ermöglichen, die also zumindest einen Licht emittierenden oder Licht detektierenden aktiven Bereich aufweisen. Weiterhin kann das elektronische Bauelement auch ein aktives elektronisches Element aufweisen, das keine optoelektronischen Eigenschaften besitzt und beispielsweise einen Transistor oder ein Leistungshalbleiterbauelement bildet. Besonders bevorzugt kann das elektronische Bauelement als organisches elektronisches Bauelement ausgebildet sein, bei dem das aktive elektronische Element einen organischen funktionellen Schichtenstapel aufweist.According to a further embodiment, the active electronic element comprises or is an organic optoelectronic element and / or an organic electronic element. For example, the electronic component is an optoelectronic component, such as a light-emitting or light-detecting component. In this case, the active electronic element has or is formed by layers and / or components which, during operation, enable the optoelectronic functionality of the component, that is, have at least one light-emitting or light-detecting active region. Furthermore, the electronic component can also have an active electronic element which has no optoelectronic properties and forms, for example, a transistor or a power semiconductor component. Particularly preferably, the electronic component can be designed as an organic electronic component, in which the active electronic element has an organic functional layer stack.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das elektronische Bauelement als organisches optoelektronisches Bauelement, also als organisches Licht emittierendes oder organisches Licht detektierendes Bauelement, ausgebildet. Das aktive elektronische Element weist in diesem Fall einen organischen funktionellen Schichtenstapel auf, der zumindest eine organische Licht emittierende oder detektierende Schicht enthält, die dazu vorgesehen und eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements Licht zu erzeugen oder zu detektieren. Weiterhin weist das aktive elektronische Element im Falle eines organischen optoelektronischen Bauelements eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode auf, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb Ladungsträger in den funktionellen Schichtenstapel zu injizieren oder aus diesem abzuleiten. Insbesondere können eine der Elektroden als Anode und die andere der Elektroden als Kathode ausgebildet sein. Im Falle eines organischen Licht emittierenden Bauelements können die Elektroden somit im Betrieb jeweils Löcher beziehungsweise Elektronen, insbesondere von verschiedenen Seiten aus, in die zumindest eine organische Licht emittierende Schicht injizieren. Durch eine Rekombination von Löchern und Elektronen kann in der Licht emittierenden Schicht durch Elektrolumineszenz Licht erzeugt werden. Das organische Licht emittierende Bauelement kann somit insbesondere als organische Licht emittierende Diode (OLED) ausgebildet sein, bei dem der organische funktionelle Schichtenstapel zusammen mit der ersten und zweiten Elektrode, zwischen denen der organische funktionelle Schichtenstapel angeordnet ist, das aktive elektronische Element bildet.According to a further embodiment, the electronic component is designed as an organic optoelectronic component, that is to say as an organic light-emitting or organic-light-detecting component. The active one In this case, the electronic element has an organic functional layer stack which contains at least one organic light-emitting or detecting layer which is provided and arranged to generate or detect light during operation of the component. Furthermore, in the case of an organic optoelectronic component, the active electronic element has a first electrode and a second electrode which are set up to inject charge carriers into the functional layer stack during operation or to discharge them therefrom. In particular, one of the electrodes may be formed as an anode and the other of the electrodes as a cathode. In the case of an organic light-emitting component, the electrodes can thus in operation inject holes or electrons, in particular from different sides, into the at least one organic light-emitting layer. By a recombination of holes and electrons, light can be generated in the light-emitting layer by electroluminescence. The organic light-emitting component can therefore be designed, in particular, as an organic light-emitting diode (OLED), in which the organic functional layer stack together with the first and second electrodes, between which the organic functional layer stack is arranged, forms the active electronic element.

Zumindest eine der Elektroden des aktiven elektronischen Elements des organischen optoelektronischen Bauelements ist transparent ausgebildet, so dass im Betrieb des organischen optoelektronischen Bauelements Licht durch die transparente Elektrode abgestrahlt werden kann oder von außen zum organischen funktionellen Schichtenstapel gelangen kann. Die Verkapselungsanordnung kann insbesondere über den Elektroden und dem organischen funktionellen Schichtenstapel angeordnet sein.At least one of the electrodes of the active electronic element of the organic optoelectronic component is designed to be transparent, so that light can be emitted through the transparent electrode during operation of the organic optoelectronic component or from the outside to the organic functional layer stack. The encapsulation arrangement can be arranged in particular over the electrodes and the organic functional layer stack.

Mit „transparent“ wird hier und im Folgenden eine Schicht, die auch eine Folge von Schichten sein kann, bezeichnet, die zumindest durchlässig für elektromagnetische Strahlung ist, beispielsweise mit einer oder mehreren spektralen Komponenten im Bereich von infrarotem, sichtbarem und/oder ultraviolettem Licht. In Verbindung mit einem Licht emittierenden Bauelement kann eine transparente Schicht insbesondere für solches Licht durchlässig sein, das im Betrieb des Bauelements erzeugt wird. Dabei kann eine transparente Schicht klar durchscheinend oder auch zumindest teilweise Licht streuend und/oder teilweise Licht absorbierend sein, so dass eine als transparent bezeichnete Schicht beispielsweise auch diffus oder milchig durchscheinend und damit transluzent sein kann.By "transparent" is here and below a layer which may also be a sequence of layers, which is at least permeable to electromagnetic radiation, for example with one or more spectral components in the range of infrared, visible and / or ultraviolet light. In connection with a light-emitting component, a transparent layer may be permeable in particular to light which is generated during operation of the component. In this case, a transparent layer can be transparent or at least partially light-scattering and / or partially light-absorbing, so that a layer referred to as transparent, for example, also diffuse or milky translucent and thus can be.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Substrat, beispielsweise im Fall eines organischen optoelektronischen Bauelements, Glas, Kunststoff, Metall oder ein Halbleitermaterial oder eine Kombination hieraus auf oder ist daraus. Derartige Materialien sind auch in Verbindung mit anderen elektronischen Bauelementen möglich. Soll durch das Substrat im Betrieb Licht abgestrahlt werden oder von außen zum aktiven elektronischen Element gelangen, ist das Substrat transparent ausgebildet und weist bevorzugt Glas, Kunststoff oder eine Kombination wie beispielsweise ein Glas-Kunststoff-Laminat auf. Weiterhin kann das Substrat beispielsweise auch Verkapselungsschichten aufweisen, die nicht Bestandteil der Verkapselung auf dem aktiven Element sind. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn das Substrat dicht gegenüber Feuchtigkeit, Sauerstoff und anderen schädigenden Gasen aus der Umgebung ist.According to a further embodiment, the substrate, for example in the case of an organic optoelectronic component, comprises or is made of glass, plastic, metal or a semiconductor material or a combination thereof. Such materials are also possible in conjunction with other electronic components. If light is to be emitted by the substrate during operation or arrive from the outside to the active electronic element, the substrate is transparent and preferably comprises glass, plastic or a combination such as a glass-plastic laminate. Furthermore, the substrate can, for example, also comprise encapsulation layers which are not part of the encapsulation on the active element. In particular, it may be advantageous if the substrate is sealed against moisture, oxygen and other harmful gases from the environment.

Weiterhin kann es auch möglich sein, dass im Rahmen der Herstellung des elektronischen Bauelements auf dem Substrat eine Mehrzahl von aktiven elektronischen Elementen angeordnet wird und anschließend alle aktiven elektronischen Elemente gleichzeitig mit der Verkapselung versehen werden. Nach der Fertigstellung der Verkapselung kann es möglich sein, das Substrat mit der Mehrzahl der durch die Verkapselung verkapselten aktiven elektronischen Elemente zu vereinzeln. Hierdurch kann eine Mehrzahl von elektronischen Bauelementen mit beispielsweise jeweils einem verkapselten aktiven elektronischen Element hergestellt werden.Furthermore, it may also be possible for a plurality of active electronic elements to be arranged on the substrate during the production of the electronic component, and subsequently all active electronic elements to be provided with the encapsulation at the same time. After completion of the encapsulation, it may be possible to singulate the substrate with the majority of the encapsulated by the encapsulation of active electronic elements. In this way, a plurality of electronic components with, for example, in each case an encapsulated active electronic element can be produced.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird zur Herstellung der Verkapselung eine erste anorganische Verkapselungsschicht mittels Atomlagenabscheidung aufgebracht. Unter den Begriff „Atomlagenabscheidung“ fallen neben reinen Atomlagenabscheideverfahren („atomic layer deposition“, ALD) auch Moleküllagenabscheideverfahren („molecular layer deposition“, MLD). Die erste Verkapselungsschicht kann, besonders bevorzugt großflächig, auf dem aktiven elektronischen Element und in einem Randbereich neben dem aktiven elektronischen Element auf dem Substrat aufgebracht werden, so dass das aktive elektronische Element im Wesentlichen vom Substrat und der ersten Verkapselungsschicht umschlossen ist. „Im Wesentlichen“ kann hierbei bedeuten, dass beispielsweise in einzelnen Bereichen zwischen der ersten Verkapselungsschicht und dem Substrat Schichten ausgehend vom aktiven elektronischen Element noch außen, also unter der ersten Verkapselungsschicht hausragend, verlaufen können. Derartige Schichten können beispielsweise Kontaktschichten sein, die zur elektrischen Kontaktierung des aktiven elektronischen Elements an eine äußere elektrische Energiequelle vorgesehen und eingerichtet sind.According to a further embodiment, a first inorganic encapsulation layer is applied by means of atomic layer deposition in order to produce the encapsulation. The term "atomic layer deposition" includes not only pure atomic layer deposition ("atomic layer deposition", ALD) and molecular deposition ("molecular layer deposition", MLD). The first encapsulation layer can, particularly preferably over a large area, be applied to the active electronic element and in an edge region next to the active electronic element on the substrate, so that the active electronic element is essentially enclosed by the substrate and the first encapsulation layer. "Substantially" may mean here that, for example, in individual regions between the first encapsulation layer and the substrate, layers can still extend from the outside of the active electronic element, that is to say below the first encapsulation layer. Such layers may be, for example, contact layers, which are provided and arranged for electrically contacting the active electronic element to an external electrical energy source.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine zweite anorganische Verkapselungsschicht auf der ersten Verkapselungsschicht mittels chemischer Gasphasenabscheidung derart aufgebracht, dass in einem vollständig umlaufenden Randbereich die erste Verkapselungsschicht frei von der zweiten Verkapselungsschicht bleibt. Unter den Begriff „chemische Gasphasenabscheidung“ fallen plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsverfahren („plasma-enhanced chemical vapor deposition“, PECVD) sowie auch plasmalose chemische Gasphasenabscheidungsverfahren („chemical vapor deposition“, CVD). Insbesondere ist das chemische Gasphasenabscheideverfahren kein Atomlagenabscheideverfahren. Durch analytische Methoden lassen sich Schichten, die mittels ALD aufgebracht sind, von Schichten, die mittels PECVD oder CVD aufgebracht sind, unterscheiden. Die zweite Verkapselungsschicht wird in einem Bereich auf der ersten Verkapselungsschicht aufgebracht, der das aktive elektronische Element zumindest teilweise und besonders bevorzugt vollständig überdeckt. Die zweite Verkapselungsschicht kann hierbei besonders bevorzugt das aktive elektronische Element lateral überdecken, also das aktive elektronische Element vollständig bedecken. Weiterhin kann die zweite Verkapselungsschicht das aktive elektronische Element in lateraler Richtung überragen, also seitlich in lateraler Richtung über das aktive elektronische Element hinausragen. Insbesondere kann die zweite Verkapselungsschicht das aktive elektronische Element lateral, insbesondere lateral umlaufend, um mindestens 1 mm überragen. Der durch die zweite Verkapselungsschicht überdeckte Bereich ist vom vollständig umlaufenden Randbereich in lateraler Richtung umgeben. Der vollständig umlaufende Randbereich kann insbesondere ein Bereich sein, der in lateraler Richtung breiter als das aktive elektronische Element ist. Mit anderen Worten gibt es lateral neben dem aktiven Element einen Bereich, in dem die erste Verkapselungsschicht nicht von der zweiten Verkapselungsschicht bedeckt ist. Entsprechend der beschriebenen lateralen Ausdehnung der zweiten Verkapselungsschicht kann der Randbereich in lateraler, vom aktiven elektronischen Element wegweisender Richtung vom aktiven elektronischen Element um mindestens 1 mm beabstandet sein. According to a further embodiment, a second inorganic encapsulation layer is applied to the first encapsulation layer by chemical vapor deposition in such a way that the first encapsulation layer remains free of the second encapsulation layer in a completely peripheral edge region. The term "chemical vapor deposition" includes plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) processes as well as plasma chemical chemical vapor deposition (CVD) processes. In particular, the chemical vapor deposition method is not an atomic layer deposition method. By analytical methods, layers deposited by ALD can be distinguished from layers deposited by PECVD or CVD. The second encapsulation layer is applied in a region on the first encapsulation layer which covers the active electronic element at least partially and particularly preferably completely. The second encapsulation layer may particularly preferably laterally cover the active electronic element, ie completely cover the active electronic element. Furthermore, the second encapsulation layer can project beyond the active electronic element in the lateral direction, that is to say laterally project beyond the active electronic element in the lateral direction. In particular, the second encapsulation layer may protrude laterally beyond the active electronic element, in particular laterally, by at least 1 mm. The region covered by the second encapsulation layer is surrounded by the completely peripheral edge region in the lateral direction. In particular, the completely peripheral edge region may be an area that is wider in the lateral direction than the active electronic element. In other words, laterally adjacent to the active element there is a region in which the first encapsulation layer is not covered by the second encapsulation layer. In accordance with the described lateral extent of the second encapsulation layer, the edge region may be spaced from the active electronic element by at least 1 mm in a lateral direction away from the active electronic element.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird auf der ersten und zweiten Verkapselungsschicht eine dritte anorganische Verkapselungsschicht mittels Atomlagenabscheidung aufgebracht, so dass die zweite Verkapselungsschicht und der umlaufende Randbereich, der frei von der zweiten Verkapselungsschicht ist, von der dritten Verkapselungsschicht bedeckt sind. Die dritte Verkapselungsschicht überragt somit die zweite Verkapselungsschicht in lateraler Richtung. Insbesondere kann die dritte Verkapselungsschicht im Randbereich unmittelbar auf der ersten Verkapselungsschicht aufgebracht werden. Besonders bevorzugt kann die dritte Verkapselungsschicht auf dem gesamten Randbereich, also lateral umlaufend um die zweite Verkapselungsschicht, aufgebracht werden. Folglich kann die zweite Verkapselungsschicht allseitig von der ersten und dritten Verkapselungsschicht eingeschlossen sein.According to a further embodiment, a third inorganic encapsulation layer is deposited on the first and second encapsulation layers by means of atomic layer deposition, such that the second encapsulation layer and the peripheral edge region, which is free of the second encapsulation layer, are covered by the third encapsulation layer. The third encapsulation layer thus projects beyond the second encapsulation layer in the lateral direction. In particular, the third encapsulation layer can be applied directly to the first encapsulation layer in the edge region. Particularly preferably, the third encapsulation layer can be applied over the entire edge region, that is to say laterally encircling the second encapsulation layer. Thus, the second encapsulant layer may be enclosed on all sides by the first and third encapsulant layers.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Randbereich eine Breite von größer oder gleich 200 µm oder größer oder gleich 500 µm auf. Weiterhin kann der Randbereich eine Breite von kleiner oder gleich 5000 µm oder kleiner oder gleich 2000 µm aufweisen. Besonders bevorzugt weist der Randbereich eine Breite von größer oder gleich 500 µm und kleiner oder gleich 2000 µm auf. Die Breite wird insbesondere in lateraler Richtung vom aktiven elektronischen Element wegweisend gemessen. Der Bereich, in dem die dritte Verkapselungsschicht auf der ersten Verkapselungsschicht angeordnet ist, kann somit eine entsprechende Breite aufweisen.According to a further embodiment, the edge region has a width of greater than or equal to 200 μm or greater than or equal to 500 μm. Furthermore, the edge region may have a width of less than or equal to 5000 μm or less than or equal to 2000 μm. Particularly preferably, the edge region has a width of greater than or equal to 500 μm and less than or equal to 2000 μm. The width is measured in a pioneering manner in particular in the lateral direction by the active electronic element. The region in which the third encapsulation layer is arranged on the first encapsulation layer can thus have a corresponding width.

Die durch zumindest die erste, zweite und dritte anorganische Verkapselungsschicht gebildete Verkapselung ist durch die Herstellung mithilfe von Atomlagenabscheidung und chemischer Gasphasenabscheidung als anorganische Dünnfilmverkapselung ausgeführt. Unter einer als Dünnfilmverkapselung ausgebildeten Verkapselung wird vorliegend eine Vorrichtung verstanden, die dazu vorgesehen ist, eine Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff und/oder gegenüber weiteren schädigenden Substanzen wie etwa korrosiven Gasen, beispielsweise Schwefelwasserstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Dünnfilmverkapselung dazu vorgesehen, dass sie von atmosphärischen Stoffen gar nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Diese Barrierewirkung wird bei der Dünnfilmverkapselung im Wesentlichen durch die Verkapselungsschichten erzeugt, die Teil der Verkapselung sind beziehungsweise die die Verkapselung bilden. Die Verkapselungsschichten der Verkapselung können bevorzugt eine Dicke von kleiner oder gleich 5 µm aufweisen. Insbesondere können die erste, zweite und dritte Verkapselungsschicht frei von organischen Materialien sein. Besonders bevorzugt ist die gesamte Verkapselung frei von organischen Materialien. Weiterhin kann die Verkapselung frei von weiteren Verkapselungsschichten zusätzlich zur ersten, zweiten und dritten Verkapselungsschicht sein. Das kann bedeuten, dass die Verkapselung aus der ersten, zweiten und dritten Verkapselungsschicht besteht. In diesem Fall kann aber auch gegebenenfalls, wie weiter unten beschrieben ist, zusätzlich zwischen der zweiten und dritten Verkapselungsschicht eine Maskenschicht vorhanden sein.The encapsulant formed by at least the first, second, and third inorganic encapsulant layers is formed by atomic layer deposition and chemical vapor deposition inorganic thin film encapsulation. Under an encapsulation designed as a thin-film encapsulation is understood in the present case a device which is intended to form a barrier to atmospheric substances, in particular to moisture and oxygen and / or other harmful substances such as corrosive gases, such as hydrogen sulfide. In other words, the thin-film encapsulation is intended so that it can not be penetrated by atmospheric substances or at most to very small proportions. In the case of thin-film encapsulation, this barrier effect is essentially produced by the encapsulation layers which form part of the encapsulation or form the encapsulation. The encapsulation layers of the encapsulation may preferably have a thickness of less than or equal to 5 μm. In particular, the first, second and third encapsulation layers may be free of organic materials. Particularly preferably, the entire encapsulation is free of organic materials. Furthermore, the encapsulation may be free of further encapsulation layers in addition to the first, second and third encapsulation layers. This may mean that the encapsulation consists of the first, second and third encapsulation layers. In this case, however, it is also possible, as described below, to additionally provide a mask layer between the second and third encapsulation layers.

Die erste und dritte anorganische Verkapselungsschicht können jeweils eine Dicke von größer oder gleich einer Atomlage oder größer oder gleich 1 nm oder größer oder gleich 5 nm und kleiner oder gleich 300 nm oder kleiner oder gleich 100 nm oder kleiner oder gleich 70 nm oder kleiner oder gleich 50 nm oder kleiner oder gleich 20 nm oder kleiner oder gleich 10 nm aufweisen. Geeignete Materialien für die erste und dritte Verkapselungsschicht können insbesondere Oxide, Nitride oder Oxinitride sein, so beispielsweise Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Aluminiumzinnoxid sowie Mischungen und Schichtkombinationen damit. Die erste und dritte anorganische Verkapselungsschicht können einen gleiches oder ein verschiedenes Material sowie gleiche oder verschiedene Dicken aufweisen. Besonders bevorzugt kann die erste Verkapselungsschicht mit einem Material auf der Oberseite, also der dem Substrat abgewandten Seite, abschließen, mit dem die dritte Verkapselungsschicht auf der Unterseite, also der dem Substrat zugewandten Seite, beginnt, so dass im Randbereich gleiche Materialien der ersten und dritten Verkapselungsschicht aufeinandertreffen.The first and third inorganic encapsulant layers may each have a thickness of greater than or equal to one atomic layer, or greater than or equal to 1 nm or greater than or equal to 5 nm and less than or equal to 300 nm or less than or equal to 100 nm or less than or equal to 70 nm or less than or equal to 50 nm or less than or equal to 20 nm or less than or equal to 10 nm. Suitable materials for the first and third encapsulation layers may in particular be oxides, nitrides or oxynitrides, for example aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, lanthanum oxide, tantalum oxide, aluminum tin oxide and mixtures and layer combinations therewith. The first and third inorganic encapsulant layers may have the same or a different material and the same or different thicknesses. Particularly preferably, the first encapsulation layer can conclude with a material on the upper side, that is to say the side facing away from the substrate, with which the third encapsulation layer on the underside, that is to say the side facing the substrate, begins, so that in the edge region the same materials of the first and third Encapsulation layer meet.

Die zweite Verkapselungsschicht kann eines oder mehrere Materialien aufweisen oder daraus sein, die in Verbindung mit den für die erste und dritte Verkapselungsschicht genannt sind sowie weiterhin auch Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Siliziumcarbid sowie Mischungen mit den vorgenannten Materialien, beispielsweise SiCN, und Schichtkombinationen der genannten Materialien, wobei die zweite Verkapselungsschicht in einer bevorzugten Ausführungsform frei von einem anorganischen glasartigen Material und/oder frei von SiO₂ und SiON sein kann. Die zweite Verkapselungsschicht oder Schichten eines die zweite Verkapselungsschicht bildenden Schichtenstapels können beispielsweise jeweils eine Dicke zwischen 1 nm und 5 µm und bevorzugt zwischen 100 nm und 1000 nm aufweisen, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.The second encapsulant layer may include or be comprised of one or more materials in combination with those for the first and third encapsulant layers, as well as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, silicon carbide, and mixtures with the aforementioned materials. For example, SiCN, and layer combinations of said materials, wherein the second encapsulation layer may be free of an inorganic glassy material and / or free of SiO ₂ and SiON in a preferred embodiment. The second encapsulation layer or layers of a layer stack forming the second encapsulation layer may, for example, each have a thickness between 1 nm and 5 μm and preferably between 100 nm and 1000 nm, the boundaries being included.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die zweite Verkapselungsschicht beim Aufbringen auf der ersten Verkapselungsschicht auch auf dem Randbereich aufgebracht. Mit anderen Worten kann die zweite Verkapselungsschicht großflächig und unstrukturiert aufgebracht werden. Anschließend wird die zweite Verkapselungsschicht vom Randbereich der ersten Verkapselungsschicht entfernt, so dass die erste Verkapselungsschicht im Randbereich freigelegt wird und frei von der zweiten Verkapselungsschicht ist. Das Entfernen der zweiten Verkapselungsschicht im Randbereich kann besonders bevorzugt durch Ätzen erfolgen. Beispielsweise kann auch ein Rückätzen zu einem selektiven Material der ersten Verkapselungsschicht erfolgen, beispielsweise zu einem Metalloxid oder einem Nitrid.According to a further embodiment, the second encapsulation layer is also applied to the edge region when applied to the first encapsulation layer. In other words, the second encapsulation layer can be applied over a large area and unstructured. Subsequently, the second encapsulation layer is removed from the edge region of the first encapsulation layer so that the first encapsulation layer is exposed in the edge region and is free of the second encapsulation layer. The removal of the second encapsulation layer in the edge region can be carried out particularly preferably by etching. For example, back etching to a selective material of the first encapsulation layer, for example to a metal oxide or a nitride, can also take place.

Zum Entfernen der zweiten Verkapselungsschicht vom Randbereich kann auf der zweiten Verkapselungsschicht eine Maskenschicht aufgebracht werden. Die Maskenschicht kann insbesondere in den Bereichen aufgebracht werden, in denen die zweite Verkapselungsschicht verbleiben soll. Die zweite Verkapselungsschicht kann anschließend in den Bereichen, die frei von der Maskenschicht sind, entfernt werden. Die zweite Verkapselungsschicht und die Maskenschicht können hierdurch nach dem Entfernen der zweiten Verkapselungsschicht in den von der Maskenschicht unbedeckten Bereichen eine gleiche laterale Ausdehnung aufweisen. Mit anderen Worten können die zweite Verkapselungsschicht und die Maskenschicht bei einer Aufsicht auf das elektronische Bauelement in vertikaler Richtung deckungsgleich sein. Die Maskenschicht kann anschließend auf der zweiten Verkapselungsschicht verbleiben, so dass die Maskenschicht im fertigen elektronischen Bauelement zwischen der zweiten und dritten Verkapselungsschicht angeordnet ist und zusammen mit der zweiten Verkapselungsschicht von der ersten und dritten Verkapselungsschicht umschlossen wird.To remove the second encapsulation layer from the edge region, a mask layer can be applied to the second encapsulation layer. The mask layer can be applied in particular in the areas in which the second encapsulation layer is to remain. The second encapsulant layer may then be removed in the regions that are free of the mask layer. As a result, the second encapsulation layer and the mask layer can have an equal lateral extent after the removal of the second encapsulation layer in the regions uncovered by the mask layer. In other words, the second encapsulation layer and the mask layer can be congruent in the vertical direction when the electronic component is viewed from above. The mask layer can then remain on the second encapsulation layer, so that the mask layer is arranged in the finished electronic component between the second and third encapsulation layer and is enclosed by the first and third encapsulation layer together with the second encapsulation layer.

Alternativ zur Verwendung einer Maskenschicht kann die zweite Verkapselungsschicht auch mittels einer Schattenmaske ausschließlich auf einem vom Randbereich umschlossenen Bereich auf der ersten Verkapselungsschicht aufgebracht werden. Anschließend kann die dritte Verkapselungsschicht unmittelbar auf der zweiten Verkapselungsschicht aufgebracht werden.Alternatively to the use of a mask layer, the second encapsulation layer can also be applied by means of a shadow mask exclusively on an area enclosed by the edge area on the first encapsulation layer. Subsequently, the third encapsulation layer can be applied directly to the second encapsulation layer.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die Maskenschicht durch ein metallisches Material gebildet. Insbesondere kann die Maskenschicht ein Metall, eine Metallmischung oder eine Legierung aufweisen oder daraus sein. Die Maskenschicht kann beispielsweise Aluminium und/oder Nickel und eine Dicke von größer oder gleich 200 nm und kleiner oder gleich 2000 nm aufweisen. Beispielsweise kann die Maskenschicht durch ein Elektrodenmaterial des aktiven elektronischen Elements gebildet werden. Mit anderen Worten kann das aktive elektronische Element eine Elektrode mit oder aus einem metallischen Material aufweisen, das auch für die Herstellung der Maskenschicht verwendet wird. Die Maskenschicht kann beispielsweise aufgedampft werden.According to another embodiment, the mask layer is formed by a metallic material. In particular, the mask layer may comprise or be a metal, a metal mixture or an alloy. The mask layer may comprise, for example, aluminum and / or nickel and a thickness of greater than or equal to 200 nm and less than or equal to 2000 nm. For example, the mask layer may be formed by an electrode material of the active electronic element. In other words, the active electronic element may comprise an electrode with or made of a metallic material, which is also used for the production of the mask layer. The mask layer can be vapor-deposited, for example.

Gemäß einer besonders bevorzugt Ausführungsform weist das elektronische Bauelement eine Verkapselung auf, die eine jeweils mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachte erste und dritte anorganische Verkapselungsschicht und eine dazwischen angeordnete mittels chemischer Gasphasenabscheidung aufgebrachte zweite Verkapselungsschicht aufweist oder daraus besteht, wobei die zweite Verkapselungsschicht in lateraler Richtung zurückgezogen von einem umlaufenden Randbereich ist, in dem die dritte Verkapselungsschicht unmittelbar auf der ersten Verkapselungsschicht angeordnet ist. Im Randbereich weist die Verkapselung aufgrund der zurückgezogenen zweiten Verkapselungsschicht somit nur eine Grenzfläche zwischen Verkapselungsschichten, nämlich zwischen der ersten und dritten Verkapselungsschicht, auf. Da die erste und dritte Verkapselungsschicht durch ein gleiches Verfahren aufgebracht werden und besonders bevorzugt ein gleiches Material angrenzend aneinander aufweisen können, können unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten am Verkapselungsrand vermieden werden, so dass die oben beschriebenen Nachteile bezüglich der Delamination unterschiedlicher Materialen vermieden werden können.According to a particularly preferred embodiment, the electronic component has an encapsulation which comprises or consists of a first and third inorganic encapsulation layer applied by atomic layer deposition and a second encapsulation layer disposed therebetween by means of chemical vapor deposition, wherein the second encapsulation layer is retracted laterally by a circumferential encapsulation layer Edge region is, in which the third encapsulation layer is disposed directly on the first encapsulation layer. In the edge area, the encapsulation points due to thus retracted second encapsulation layer only one interface between encapsulation layers, namely between the first and third encapsulation layer on. Since the first and third encapsulant layers are applied by a similar method, and more preferably a same material may be adjacent to each other, different coefficients of thermal expansion at the encapsulation edge can be avoided so that the above-described disadvantages with regard to the delamination of different materials can be avoided.

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.Further advantages, advantageous embodiments and developments emerge from the embodiments described below in conjunction with the figures.

Es zeigen:

1A bis 1E schematische Darstellungen von Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel,
2A bis 2F schematische Darstellungen von Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel und
3 eine schematische Darstellung eines elektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.

Show it:

1A to 1E schematic representations of method steps of a method for producing an electronic component according to an embodiment,
2A to 2F schematic representations of method steps of a method for producing an electronic component according to another embodiment and
3 a schematic representation of an electronic component according to another embodiment.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.In the exemplary embodiments and figures, identical, identical or identically acting elements can each be provided with the same reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are not to be regarded as true to scale, but individual elements, such as layers, components, components and areas, for better presentation and / or better understanding may be exaggerated.

In den 1A bis 1E ist ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements 100 gezeigt. In einem ersten Verfahrensschritt wird, wie in 1A gezeigt ist, ein Substrat 1 mit einem aktiven elektronischen Element 2 bereitgestellt. Bei dem aktiven elektronischen Element 2 kann es sich beispielsweise um ein organisches optoelektronisches Element handeln, das Elektrodenschichten und organischen funktionelle Schichten aufweist, die auf dem Substrat 1 aufgebracht werden und die dazu vorgesehen und eingerichtet sind, im Betrieb Licht zu emittieren oder zu detektieren. Weiter unten wird in Verbindung mit der 3 rein beispielhaft ein elektronisches Element 100 beschrieben, das als organisches Licht emittierendes Bauelement ausgebildet ist. Alternativ kann es sich bei dem aktiven elektronischen Element 2 auch um ein organisches elektronisches Element handeln, das beispielsweise einen Transistor oder ein Leistungshalbleiterbauelement aufweist oder ist. Weiterhin kann das aktive elektronische Element 2 auch ein anorganisches optoelektronisches oder elektronisches Bauelement sein.In the 1A to 1E is an embodiment of a method for producing an electronic component 100 shown. In a first process step, as in 1A shown is a substrate 1 with an active electronic element 2 provided. At the active electronic element 2 For example, it may be an organic optoelectronic element having electrode layers and organic functional layers deposited on the substrate 1 are applied and which are provided and arranged to emit or detect light during operation. Below will be in conjunction with the 3 purely by way of example an electronic element 100 described, which is designed as an organic light emitting device. Alternatively, the active electronic element may be 2 also be an organic electronic element that has or is, for example, a transistor or a power semiconductor device. Furthermore, the active electronic element 2 also be an inorganic optoelectronic or electronic component.

Auf dem Substrat 1 kann auch eine Mehrzahl von aktiven elektronischen Elementen 2 aufgebracht sein. Das fertiggestellte elektronische Bauelement 100 kann eine entsprechende Mehrzahl von aktiven elektronischen Elementen aufweisen. Alternativ hierzu kann das Substrat 1 für eine Mehrzahl von elektronischen Bauelementen 100 bereitgestellt werden, von denen jedes Bauelement 100 dann beispielsweise ein aktives elektronisches Element 2 aufweist. In diesem Fall kann das Substrat 1 mit den darauf aufgebrachten Schichten und Elementen im Anschluss an das hier beschriebene Verfahren in eine Mehrzahl von elektronischen Bauelementen 100 vereinzelt werden.On the substrate 1 may also include a plurality of active electronic elements 2 be upset. The finished electronic component 100 may comprise a corresponding plurality of active electronic elements. Alternatively, the substrate 1 for a plurality of electronic components 100 be provided, each of which component 100 then, for example, an active electronic element 2 having. In this case, the substrate can 1 with the layers and elements applied thereto following the method described herein into a plurality of electronic components 100 to be isolated.

Im Rahmen der im Folgenden beschriebenen Verfahrensschritte wird das aktive elektronische Element 2 zum Schutz vor schädigenden äußeren Einflüssen mit einer Verkapselung 3 versehen, die fertiggestellt in 1D gezeigt ist. Zur Herstellung der Verkapselung 3 wird, wie in 1B gezeigt ist, eine erste anorganische Verkapselungsschicht 11 mittels Atomlagenabscheidung auf dem aktiven elektronischen Element 2 aufgebracht, wobei die erste Verkapselungsschicht 11 das aktive elektronische Element 2 vollständig überdeckt und über das aktive elektronische Element 2 in lateraler Richtung, also entlang der Haupterstreckungsebene des Substrats 1, hinausragt. Im gezeigten Ausführungsbeispiel reicht die erste Verkapselungsschicht 11 in lateraler Richtung bis an die lateralen Ränder des Substrats 1 und wird somit unstrukturiert und großflächig aufgebracht. Bereiche oder Elemente, etwa elektrische Kontakte, die zur späteren Kontaktierung des elektronischen Bauelements 100 zugänglich sein müssen, können zum Beispiel bereits in diesem Verfahrensschritt von der ersten Verkapselungsschicht 11 sowie entsprechend in den weiteren Verfahrensschritten von den weiteren Verkapselungsschichten freigehalten werden oder auch erst nachträglich durch Entfernen der Verkapselungsschichten freigelegt werden.As part of the process steps described below, the active electronic element 2 for protection against damaging external influences with an encapsulation 3 provided that finished in 1D is shown. For the preparation of the encapsulation 3 will, as in 1B is shown, a first inorganic encapsulation layer 11 by atomic layer deposition on the active electronic element 2 applied, wherein the first encapsulation layer 11 the active electronic element 2 completely covered and over the active electronic element 2 in the lateral direction, ie along the main plane of extension of the substrate 1 , protrudes. In the exemplary embodiment shown, the first encapsulation layer extends 11 in the lateral direction to the lateral edges of the substrate 1 and is thus applied unstructured and large area. Areas or elements, such as electrical contacts, for later contacting the electronic component 100 can be accessible, for example, already in this process step of the first encapsulation layer 11 as well as be kept free in the further process steps of the other encapsulation layers or only subsequently exposed by removing the encapsulation layers.

Durch die Atomlagenabscheidung kann als erste Verkapselungsschicht 11 eine dünne und gleichzeitig hochdichte Schicht aufgebracht werden, die die darunter liegenden Strukturen oberflächenkonform bedecken kann. Die Dicke der ersten Verkapselungsschicht 11 kann beispielsweise einige Nanometer bis zu 10 nm oder bis zu einigen zehn Nanometern betragen. Die erste Verkapselungsschicht 11 kann beispielsweise Aluminiumoxid oder Titanoxid oder auch wie im allgemeinen Teil beschrieben ein anderes Material und/oder eine andere Dicke aufweisen. Weiterhin kann die ersten Verkapselungsschicht 11 auch einen Schichtenstapel mit unterschiedlichen Materialien aufweisen oder daraus sein.By atomic layer deposition can be used as the first encapsulation layer 11 a thin and simultaneously high-density layer can be applied, which can cover the underlying structures surface conform. The thickness of the first encapsulation layer 11 may be, for example, a few nanometers up to 10 nm or up to several tens of nanometers. The first encapsulation layer 11 For example, alumina or titania, or as described in the general part, may have a different material and / or thickness exhibit. Furthermore, the first encapsulation layer 11 also have or be a layer stack with different materials.

Wie in 1C gezeigt ist, wird in einem weiteren Verfahrensschritt eine zweite anorganische Verkapselungsschicht 12 mittels chemischer Gasphasenabscheidung aufgebracht. Im Vergleich zur Atomlagenabscheidung kann mittels chemischer Gasphasenabscheidung eine höhere Aufwachsrate und damit schneller eine größere Dicke erreicht werden, so dass die zweite Verkapselungsschicht 12 hierdurch auch zur mechanischen Stabilität der Verkapselung 3 beitragen kann. Die zweite Verkapselungsschicht 12 kann beispielsweise Siliziumnitrid oder Siliziumcarbid mit einer Dicke von einigen 100 nm bis zu einigen Mikrometern aufweisen. Alternativ sind auch andere Materialien und Dicken wie im allgemeinen Teil beschrieben möglich.As in 1C is shown, in a further process step, a second inorganic encapsulation layer 12 applied by chemical vapor deposition. Compared to the atomic layer deposition, a higher growth rate and thus faster a greater thickness can be achieved by means of chemical vapor deposition, so that the second encapsulation layer 12 thereby also for the mechanical stability of the encapsulation 3 can contribute. The second encapsulation layer 12 For example, it may have silicon nitride or silicon carbide of a thickness of several hundreds nm to several micrometers. Alternatively, other materials and thicknesses as described in the general part are possible.

Die zweite Verkapselungsschicht 12 wird durch eine Schattenmaske (nicht gezeigt) strukturiert über dem aktiven elektronischen Element 2 in einem Bereich 200 derart aufgebracht, dass ein in lateraler Richtung um das aktive elektronische Element 2 umlaufender Randbereich 201 frei von der zweiten Verkapselungsschicht 12 ist. Wie in 1C gezeigt ist, überragt der Bereich 200 und damit die zweite Verkapselungsschicht 12 das aktive elektronische Element 2 in lateraler Richtung, so dass die zweite Verkapselungsschicht 12 das aktive elektronische Element 2 bei einer Aufsicht in vertikaler Richtung, also in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Substrats 1, vollständig überdeckt. Gleichzeitig ist die zweite Verkapselungsschicht 12 von den lateralen Rändern der ersten Verkapselungsschicht 11 zurückgezogen, so dass die erste Verkapselungsschicht 11 im Randbereich 201 frei von der zweiten Verkapselungsschicht 12 ist. Insbesondere kann die zweite Verkapselungsschicht 12 das aktive elektronische Element 2 lateral, insbesondere lateral umlaufend, um mindestens 1 mm überragen. Der Randbereich 201 kann bevorzugt eine Breite von größer oder gleich 500 µm und kleiner oder gleich 2000 µm aufweisen. Die Breite wird insbesondere in lateraler Richtung vom aktiven elektronischen Element wegweisend gemessen.The second encapsulation layer 12 is patterned over the active electronic element by a shadow mask (not shown) 2 in one area 200 applied such that a laterally about the active electronic element 2 circumferential edge area 201 free from the second encapsulation layer 12 is. As in 1C is shown, the area towers over 200 and thus the second encapsulation layer 12 the active electronic element 2 in the lateral direction, leaving the second encapsulation layer 12 the active electronic element 2 in a plan view in the vertical direction, that is in a direction perpendicular to the main extension plane of the substrate 1 completely covered. At the same time, the second encapsulation layer 12 from the lateral edges of the first encapsulation layer 11 withdrawn, leaving the first encapsulation layer 11 at the edge 201 free from the second encapsulation layer 12 is. In particular, the second encapsulation layer 12 the active electronic element 2 lateral, in particular laterally circumferential, projecting by at least 1 mm. The border area 201 may preferably have a width of greater than or equal to 500 microns and less than or equal to 2000 microns. The width is measured in a pioneering manner in particular in the lateral direction by the active electronic element.

In einem weiteren Verfahrensschritt wird, wie in 1D in gezeigt ist, zur Fertigstellung der Verkapselung 3 eine dritte anorganische Verkapselungsschicht 13 mittels Atomlagenabscheidung aufgebracht, so dass die zweite anorganische Verkapselungsschicht 12 und, im umlaufenden Randbereich 201, die erste Verkapselungsschicht 11 unmittelbar von der dritten Verkapselungsschicht 13 bedeckt sind. Die zweite Verkapselungsschicht 12 ist somit allseitig von der ersten und dritten Verkapselungsschicht 11, 13 eingeschlossen. Besonders bevorzugt weist die dritte anorganische Verkapselungsschicht 13 ein gleiches Material wie die erste anorganische Verkapselungsschicht 11 auf, so dass die erste und dritte Verkapselungsschicht 11, 13 bevorzugt einen gleichen oder zumindest nahezu gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. An der Grenzfläche zwischen der ersten und dritten Verkapselungsschicht 11, 13 im Randbereich 201 kann dadurch bei Temperaturänderungen das Auftreten von Spannungen und eine daraus resultierende Delamination der dritten Verkapselungsschicht 13 von der ersten Verkapselungsschicht 11 vermieden werden.In a further method step, as in 1D is shown in, to complete the encapsulation 3 a third inorganic encapsulation layer 13 deposited by atomic layer deposition, so that the second inorganic encapsulation layer 12 and, in the peripheral area 201 , the first encapsulation layer 11 directly from the third encapsulation layer 13 are covered. The second encapsulation layer 12 is thus on all sides of the first and third encapsulation layer 11 . 13 locked in. Particularly preferably, the third inorganic encapsulation layer 13 a same material as the first inorganic encapsulation layer 11 on, leaving the first and third encapsulation layers 11 . 13 preferably have the same or at least almost the same coefficient of thermal expansion. At the interface between the first and third encapsulation layers 11 . 13 at the edge 201 This can cause the occurrence of stresses and a resulting delamination of the third encapsulation layer as a result of temperature changes 13 from the first encapsulation layer 11 be avoided.

Wie in 1D in einer Schnittdarstellung und in 1E in einer Aufsicht in vertikaler Richtung auf die dritte Verkapselungsschicht 13 gezeigt ist, weist das derart hergestellte elektronische Bauelement 100 eine Verkapselung 3 auf, die im Randbereich 201 ein Zwei-Schicht-System mit bevorzugt gleich hergestellten Schichten aufweist, was zu einer erhöhten Langzeitstabilität der Verkapselung 3 und damit auch des elektronischen Bauelements 100 führen kann.As in 1D in a sectional view and in 1E in a plan view in the vertical direction on the third encapsulation layer 13 is shown has the electronic component thus produced 100 an encapsulation 3 on the edge 201 a two-layer system having preferably equal layers produced, resulting in increased long-term stability of the encapsulation 3 and thus also of the electronic component 100 can lead.

In den 2A bis 2F ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements 100 gezeigt. Die in den 2A und 2B gezeigten Schritte entsprechen den in Verbindung mit den 1A und 1B beschriebenen Verfahrensschritten zur Bereitstellung des Substrats 1 mit dem aktiven elektronischen Element 2 und dem Aufbringen der ersten Verkapselungsschicht 11.In the 2A to 2F is another embodiment of a method for producing an electronic component 100 shown. The in the 2A and 2 B shown steps correspond to those in connection with 1A and 1B described method steps for providing the substrate 1 with the active electronic element 2 and applying the first encapsulant layer 11 ,

Die zweite Verkapselungsschicht 12 wird, wie in 2C gezeigt ist, im Vergleich zum in Verbindung mit der 1C beschriebenen Verfahrensschritt großflächig und unstrukturiert auf der ersten Verkapselungsschicht 11 aufgebracht. Bei der Durchführung der chemischen Gasphasenabscheidung wird somit im vorliegenden Ausführungsbeispiel keine Schattenmaske verwendet.The second encapsulation layer 12 will, as in 2C shown in comparison with in connection with the 1C described process step over a large area and unstructured on the first encapsulation layer 11 applied. When carrying out the chemical vapor deposition, therefore, no shadow mask is used in the present exemplary embodiment.

In einem anschließenden Verfahrensschritt, der in 2D gezeigt ist, wird auf der zweiten Verkapselungsschicht 12 eine Maskenschicht 14 aufgebracht, die den Bereich 200, in dem die zweite Verkapselungsschicht 12 verbleiben soll, bedeckt und somit definiert sowie den Randbereich 201, der im fertigen Bauelement frei von der zweiten Verkapselungsschicht 12 sein soll, unbedeckt lässt. Die Maskenschicht 14 weist ein metallisches Material auf oder wird dadurch gebildet, das aufgedampft wird. Insbesondere kann die Maskenschicht 14 beispielsweise Aluminium und/oder Nickel aufweisen oder daraus sein und eine Dicke von größer oder gleich 200 nm und kleiner oder gleich 2000 nm aufweisen. Die zweite Verkapselungsschicht 12 wird anschließend in den Bereichen, die frei von der Maskenschicht 14 sind, also im lateral umlaufenden Randbereich 201, beispielsweise durch Ätzen entfernt, wie in 2E gezeigt ist. Die zweite Verkapselungsschicht 12 und die Maskenschicht 14 können hierdurch eine gleiche laterale Ausdehnung aufweisen und bei einer Aufsicht in vertikaler Richtung deckungsgleich sein.In a subsequent process step, which is described in 2D is shown on the second encapsulation layer 12 a mask layer 14 applied to the area 200 in which the second encapsulation layer 12 should remain, covered and thus defined and the edge area 201 in the finished device free from the second encapsulation layer 12 should be uncovered. The mask layer 14 has a metallic material or is formed by it, which is vapor-deposited. In particular, the mask layer 14 For example, have or be made of aluminum and / or nickel and have a thickness of greater than or equal to 200 nm and less than or equal to 2000 nm. The second encapsulation layer 12 is subsequently in the areas that are free of the mask layer 14 are, ie in the lateral peripheral edge region 201 . for example, removed by etching, as in 2E is shown. The second encapsulation layer 12 and the mask layer 14 As a result, they can have the same lateral extent and can be congruent when viewed in the vertical direction.

Das anschließende Aufbringen der dritten Verkapselungsschicht 13 erfolgt wie in Verbindung mit der 1D beschrieben, wobei die Maskenschicht 14 auf der zweiten Verkapselungsschicht 12 beim Aufbringen der dritten Verkapselungsschicht 13 verbleiben kann, wie in 2F gezeigt ist. Entsprechend ist die Maskenschicht 14 im fertigen elektronischen Bauelement 100 zwischen der zweiten und dritten Verkapselungsschicht 12, 13 angeordnet und wird von der ersten und dritten Verkapselungsschicht 11, 13 zusammen mit der zweiten Verkapselungsschicht 12 umschlossen.The subsequent application of the third encapsulation layer 13 takes place as in connection with the 1D described, wherein the mask layer 14 on the second encapsulation layer 12 when applying the third encapsulation layer 13 can remain as in 2F is shown. The mask layer is corresponding 14 in the finished electronic component 100 between the second and third encapsulation layers 12 . 13 is arranged and used by the first and third encapsulation layer 11 . 13 together with the second encapsulation layer 12 enclosed.

In 3 ist ein Ausführungsbeispiel für ein elektronisches Bauelement 100 gezeigt, das mit dem vorab beschriebenen Verfahren hergestellt wurde und das rein beispielhaft als organisches Licht emittierendes Bauelement, insbesondere als organische Licht emittierenden Diode (OLED), ausgebildet ist.In 3 is an embodiment of an electronic component 100 shown, which was produced by the method described above and the purely exemplary organic light-emitting device, in particular as an organic light emitting diode (OLED) is formed.

Das elektronische Bauelement 100 weist auf dem Substrat 1 als wesentliche Komponenten des aktiven elektronischen Elements 2 eine erste Elektrode 102 und eine zweite Elektrode 104 und dazwischen ein organischen funktionellen Schichtenstapel 103 auf. Der organische funktionelle Schichtenstapel 103 weist zumindest eine organische Licht emittierende Schicht auf, so dass das elektronische Bauelement 100 im Betrieb Licht erzeugen und abstrahlen kann. Zumindest die erste Elektrode 102 ist wie auch das Substrat 1 transparent ausgebildet, so dass im Betrieb des elektronischen Bauelements 100 im organischen funktionellen Schichtenstapel 103 erzeugtes Licht durch die zumindest eine transparente Elektrode 102 und das Substrat 1 gestrahlt werden kann. Die dem aktiven elektronischen Element 2 abgewandte Seite des Substrats 1 bildet somit eine Lichtauskoppelfläche des elektronischen Bauelements 100. Weiterhin kann das Bauelement 100 auf der dem aktiven elektronischen Element 2 abgewandten Seite des Substrats 1 zusätzliche zumindest eine weitere Schicht wie beispielsweise eine Streuschicht zur Verbesserung der Lichtauskopplung aufweisen, deren zur Umgebung hingewandte Außenseite dann die Lichtauskoppelfläche bildet.The electronic component 100 points to the substrate 1 as essential components of the active electronic element 2 a first electrode 102 and a second electrode 104 and in between an organic functional layer stack 103 on. The organic functional layer stack 103 has at least one organic light-emitting layer, so that the electronic component 100 can generate and radiate light during operation. At least the first electrode 102 is as well as the substrate 1 transparent, so that during operation of the electronic component 100 in the organic functional layer stack 103 generated light through the at least one transparent electrode 102 and the substrate 1 can be blasted. The active electronic element 2 opposite side of the substrate 1 thus forms a light output surface of the electronic component 100 , Furthermore, the device 100 on the active electronic element 2 opposite side of the substrate 1 additional at least one further layer such as a litter layer to improve the light extraction, whose outer side facing the environment then forms the light output surface.

Das transparente Substrat 1 kann beispielsweise in Form einer Glasplatte oder Glasschicht ausgebildet sein. Alternativ hierzu kann das Substrat 1 beispielsweise auch einen transparenten Kunststoff oder ein Glas-Kunststoff-Laminat aufweisen.The transparent substrate 1 may be formed for example in the form of a glass plate or glass layer. Alternatively, the substrate 1 for example, also have a transparent plastic or a glass-plastic laminate.

Die auf dem Substrat 1 aufgebrachte transparente erste Elektrode 102 kann beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid aufweisen. Transparente leitende Oxide („transparent conductive oxide“, TCO) sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Aluminiumzinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid und Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂ oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein. Weiterhin kann die erste Elektrode 102 beispielsweise auch ein transparentes Metall, also ein Metall mit einer ausreichend geringen Dicke im Bereich von einigen zehn Nanometern oder weniger, metallische Netzstrukturen beziehungsweise leitende Netzwerke, beispielsweise mit oder aus Silber, und/oder Graphen beziehungsweise kohlenstoffhaltige Schichten oder eine Kombination der genannten transparenten Materialien aufweisen.The on the substrate 1 applied transparent first electrode 102 may for example comprise a transparent conductive oxide. Transparent conductive oxides (TCOs) are transparent conductive materials, typically metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, aluminum tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO ₂ or In ₂ O _{3 also} include ternary metal oxygen compounds such as Zn ₂ SnO ₄ , CdSnO ₃ , ZnSnO ₃ , MgIn ₂ O ₄ , GaInO ₃ , Zn ₂ In ₂ O ₅ or In ₄ Sn ₃ O ₁₂ or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped. Furthermore, the first electrode 102 For example, a transparent metal, so a metal with a sufficiently small thickness in the range of a few tens of nanometers or less, metallic network structures or conductive networks, for example with or made of silver, and / or graphene or carbonaceous layers or a combination of said transparent materials ,

Die zweite Elektrode 104 auf dem organischen funktionellen Schichtenstapel 103 kann reflektierend ausgebildet sein und ein Metall aufweisen, das ausgewählt sein kann aus Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium, Kupfer und Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen damit. Insbesondere kann die zweite Elektrode 104 Ag, Al, Cu oder Legierungen oder Schichtstapel mit diesen aufweisen, beispielsweise Ag/Mg, Ag/Ca, Mg/Al oder auch Mo/Al/Mo oder Cr/Al/Cr. Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Elektrode 104 auch ein oben genanntes TCO-Material oder einen Schichtenstapel mit zumindest einem TCO und zumindest einem Metall aufweisen.The second electrode 104 on the organic functional layer stack 103 may be reflective and comprise a metal which may be selected from aluminum, barium, indium, silver, gold, magnesium, calcium, copper and lithium as well as compounds, combinations and alloys therewith. In particular, the second electrode 104 Ag, Al, Cu or alloys or layer stacks with these, for example, Ag / Mg, Ag / Ca, Mg / Al or Mo / Al / Mo or Cr / Al / Cr. Alternatively or additionally, the second electrode 104 also have an above-mentioned TCO material or a layer stack with at least one TCO and at least one metal.

Die erste Elektrode 102 kann beispielsweise als Anode ausgebildet sein, während die zweite Elektrode 104 als Kathode ausgebildet sein kann. Bei entsprechender Materialwahl ist aber auch ein hinsichtlich der Polarität umgekehrter Aufbau möglich.The first electrode 102 may be formed, for example, as an anode, while the second electrode 104 may be formed as a cathode. With appropriate choice of material but also in terms of polarity reversed construction is possible.

Zur elektrischen Kontaktierung der Elektroden 102 und 104 können Elektrodenanschlussstücke 105 vorgesehen sein, die unter der Verkapselung 3 hindurch von den Elektroden 102, 104 nach außen reichen und außerhalb der Verkapselung 3 elektrische Kontakte bilden können oder mit außerhalb der Verkapselung 3 angeordneten elektrischen Kontakten elektrisch verbunden sein können, die insbesondere der externen elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauelements 100 mit einer externen elektrischen Energiequelle dienen können, also einer Strom- und/oder Spannungsversorgung. Die als elektrische Kontaktzuführungen ausgebildeten Elektrodenanschlussstücke 105 können beispielsweise ein TCO und/oder ein Metall aufweisen oder daraus sein. Weiterhin können die Elektrodenanschlusstücke 105 durch eine Metallschicht oder durch einen Metallschichtstapel gebildet sein, etwa Cr/Al/Cr, Mo/Al/Mo, Ag/Mg oder Al oder Cu. Weiterhin sind Kombinationen mit einer TCO-Schicht und einer Metallschicht oder einem Metallschichtstapel möglich. Ein zur elektrischen Kontaktierung der ersten Elektrode 102 vorgesehenes Elektrodenanschlussstück 105 kann wie gezeigt lateral neben der ersten Elektrode 102 oder, alternativ dazu, zumindest teilweise auf oder unter der ersten Elektrode 102 angeordnet sein, die in diesem Fall auch in den Randbereich 201 reichen kann.For electrical contacting of the electrodes 102 and 104 can electrode connectors 105 be provided under the encapsulation 3 through from the electrodes 102 . 104 reach out and outside the encapsulation 3 electrical contacts can form or with outside of the encapsulation 3 arranged electrical contacts can be electrically connected, in particular the external electrical contacting of the electronic component 100 can serve with an external electrical energy source, so a power and / or power supply. The formed as electrical contact leads electrode terminals 105 For example, they may include or be a TCO and / or metal. Furthermore, the Elektrodenanschlusstücke 105 be formed by a metal layer or by a metal layer stack, such as Cr / Al / Cr, Mo / Al / Mo, Ag / Mg or Al or Cu. Furthermore, combinations with a TCO layer and a metal layer or a metal layer stack are possible. A for electrical contacting of the first electrode 102 provided electrode connection piece 105 may be laterally adjacent to the first electrode as shown 102 or, alternatively, at least partially on or below the first electrode 102 be arranged, which in this case also in the edge area 201 can reach.

Der organische funktionelle Schichtenstapel 103 kann zusätzlich zur zumindest einen organischen Licht emittierenden Schicht weitere organische Schichten aufweisen, beispielsweise eine oder mehrere Schichten ausgewählt aus Lochinjektionsschichten, Lochtransportschichten, Elektronenblockierschichten, Löcherblockierschichten, Elektronentransportschichten, Elektroneninjektionsschichten und ladungserzeugenden Schichten („charge generation layer“, CGL), die geeignet sind, Löcher bzw. Elektronen zur organischen Licht emittierenden Schicht zu leiten bzw. den jeweiligen Transport zu blockieren. Weiterhin können auch mehrere Licht emittierende Schichten vorhanden sein. Die Schichten des organischen funktionellen Schichtstapels 103 können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules“) oder Kombinationen daraus aufweisen. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn der organische funktionelle Schichtenstapel 103 eine funktionelle Schicht aufweist, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist, um eine effektive Löcherinjektion in die zumindest eine organische Licht emittierende Schicht zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Als Materialien für die Licht emittierende Schicht eignen sich elektrolumineszierende Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon.The organic functional layer stack 103 For example, one or more layers selected from hole injection layers, hole transport layers, electron blocking layers, hole blocking layers, electron transport layers, electron injection layers, and charge generation layers (CGL) that are suitable holes may be used in addition to the at least one organic light emitting layer or to conduct electrons to the organic light-emitting layer or to block the respective transport. Furthermore, it is also possible for a plurality of light-emitting layers to be present. The layers of the organic functional layer stack 103 may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or combinations thereof. In particular, it may be advantageous if the organic functional layer stack 103 has a functional layer configured as a hole transport layer to allow effective hole injection into the at least one organic light emitting layer. As materials for a hole transport layer, for example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polyethylendioxythiophen prove to be advantageous. Suitable materials for the light-emitting layer are electroluminescent materials which have a radiation emission due to fluorescence or phosphorescence, for example polyfluorene, polythiophene or polyphenylene or derivatives, compounds, mixtures or copolymers thereof.

Weiterhin können wie in 3 gezeigt Isolatorschichten 106 vorhanden sein, beispielsweise mit oder aus Polyimid oder einem anorganischen elektrisch isolierenden Material, die beispielsweise die Elektroden 102, 104 gegeneinander elektrisch isolieren können. Je nach Ausgestaltung der einzelnen Schichten des elektronischen Bauelements 100 müssen Isolatorschichten 106 auch nicht zwingend erforderlich sein und können nicht vorhanden sein, etwa bei entsprechenden Maskenprozessen zur Aufbringung der Schichten.Furthermore, as in 3 shown insulator layers 106 be present, for example with or from polyimide or an inorganic electrically insulating material, for example, the electrodes 102 . 104 can electrically isolate against each other. Depending on the configuration of the individual layers of the electronic component 100 need insulator layers 106 also not necessarily be required and may not be present, such as in appropriate mask processes for applying the layers.

Über dem organischen funktionellen Schichtenstapel 103 und den Elektroden 102, 104 ist die Verkapselung 3 zum Schutz des aktiven Elements 3 wie in Verbindung mit den vorherigen Figuren beschrieben aufgebracht. Anstelle oder zusätzlich zum Substrat 1 und der ersten Elektrode 102 können auch die zweite Elektrode 104 und die darüber angeordnete Verkapselung 3 transparent sein, so dass das elektronische Bauelement 100 zusätzlich oder alternativ im Betrieb Licht in die dem Substrat 1 abgewandte Richtung abstrahlen kann.Over the organic functional layer stack 103 and the electrodes 102 . 104 is the encapsulation 3 to protect the active element 3 applied as described in connection with the previous figures. Instead of or in addition to the substrate 1 and the first electrode 102 can also use the second electrode 104 and the encapsulation disposed above 3 be transparent so that the electronic component 100 additionally or alternatively in operation light into the substrate 1 can radiate away from the direction.

Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele können alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.The embodiments described in conjunction with the figures may alternatively or additionally have further features as described in the general part.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which in particular includes any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11: Substratsubstratum
22: aktives elektronisches Elementactive electronic element
33: Verkapselungencapsulation
1111: erste anorganische Verkapselungsschichtfirst inorganic encapsulation layer
1212: zweite anorganische Verkapselungsschichtsecond inorganic encapsulation layer
1313: dritte anorganische Verkapselungsschichtthird inorganic encapsulation layer
1414: Maskenschichtmask layer
100100: elektronisches Bauelementelectronic component
102102: Elektrodeelectrode
103103: organischer funktioneller Schichtenstapelorganic functional layer stack
104104: Elektrodeelectrode
105105: ElektrodenanschlussstückElectrode connector
106106: Isolatorschichtinsulator layer
200200: BereichArea
201201: Randbereichborder area

Claims

Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100), bei dem auf einem Substrat (1) mit einem aktiven elektronischen Element (2) eine Verkapselung (3) zum Schutz des aktiven elektronischen Elements (2) vor schädigenden äußeren Einflüssen aufgebracht wird mit den Schritten: - Aufbringen einer ersten anorganischen Verkapselungsschicht (11) mittels Atomlagenabscheidung, - Aufbringen einer zweiten anorganischen Verkapselungsschicht (12) auf der ersten Verkapselungsschicht (11) mittels chemischer Gasphasenabscheidung, wobei in einem vollständig umlaufenden Randbereich (201) die erste Verkapselungsschicht (11) frei von der zweiten Verkapselungsschicht (12) bleibt, und - Aufbringen einer dritten anorganischen Verkapselungsschicht (13) auf der ersten und zweiten Verkapselungsschicht (11, 12) mittels Atomlagenabscheidung, so dass die zweite Verkapselungsschicht (12) und der umlaufende Randbereich (201) von der dritten Verkapselungsschicht (13) bedeckt sind.Method for producing an electronic component (100), in which on a substrate (1) with an active electronic element (2) an encapsulation (3) for protecting the active electronic element (2) from damaging external influences is applied with the steps: - applying a first inorganic encapsulation layer (11) by means of atomic layer deposition, - applying a second inorganic encapsulation layer (12) on the first encapsulation layer (11) by chemical vapor deposition, the first encapsulation layer (11) remaining free of the second encapsulation layer (12) in a completely peripheral edge region (201), and applying a third inorganic encapsulation layer (13) the first and second encapsulation layers (11, 12) by means of atomic layer deposition, so that the second encapsulation layer (12) and the peripheral edge region (201) are covered by the third encapsulation layer (13).

Verfahren nach Anspruch 1, wobei die dritte Verkapselungsschicht (13) im Randbereich (201) unmittelbar auf der ersten Verkapselungsschicht (11) aufgebracht wird.Method according to Claim 1 wherein the third encapsulation layer (13) in the edge region (201) is applied directly on the first encapsulation layer (11).

Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Verkapselungsschicht (12) allseitig von der ersten und dritten Verkapselungsschicht (11, 13) eingeschlossen ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the second encapsulation layer (12) is enclosed on all sides by the first and third encapsulation layers (11, 13).

Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Verkapselungsschicht (12) beim Aufbringen auf der ersten Verkapselungsschicht (11) auch auf dem Randbereich (201) aufgebracht wird und anschließend im Randbereich (201) von der ersten Verkapselungsschicht (11) entfernt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein the second encapsulation layer (12) during application to the first encapsulation layer (11) also on the edge region (201) is applied and then in the edge region (201) of the first encapsulation layer (11) is removed.

Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei in einem Bereich (200) auf der zweiten Verkapselungsschicht (12) eine Maskenschicht (14) aufgebracht wird und die zweite Verkapselungsschicht anschließend in Bereichen, die frei von der Maskenschicht (14) sind, entfernt wird.Method according to the preceding claim, wherein in a region (200) on the second encapsulation layer (12) a mask layer (14) is applied and the second encapsulation layer is then removed in areas which are free of the mask layer (14).

Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Maskenschicht (14) durch ein metallisches Material gebildet wird.A method according to the preceding claim, wherein the mask layer (14) is formed by a metallic material.

Verfahren nach einem der beiden vorherigen Ansprüche, wobei die Maskenschicht (14) aufgedampft wird.Method according to one of the two preceding claims, wherein the mask layer (14) is vapor-deposited.

Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die zweite Verkapselungsschicht (12) mittels einer Schattenmaske ausschließlich auf einem vom Randbereich (201) umschlossenen Bereich (200) auf der ersten Verkapselungsschicht (11) aufgebracht wird.Method according to one of Claims 1 to 4 , wherein the second encapsulation layer (12) is applied to the first encapsulation layer (11) exclusively by means of a shadow mask on a region (200) enclosed by the edge region (201).

Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste, zweite und dritte Verkapselungsschicht (11, 12, 13) jeweils ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid aufweisen.Method according to one of the preceding claims, wherein the first, second and third encapsulation layer (11, 12, 13) each comprise an oxide, nitride or oxynitride.

Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste und dritte Verkapselungsschicht (11, 13) ein gleiches Material aufweisen.Method according to one of the preceding claims, wherein the first and third encapsulation layer (11, 13) have a same material.

Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Verkapselungsschicht (12) das aktive elektronische Element (2) lateral überdeckt.Method according to one of the preceding claims, wherein the second encapsulation layer (12) laterally covers the active electronic element (2).

Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das aktive elektronische Element (2) ein organisches optoelektronisches Element und/oder ein organisches elektronisches Element aufweist.Method according to one of the preceding claims, wherein the active electronic element (2) comprises an organic optoelectronic element and / or an organic electronic element.

Elektronisches Bauelement (100) mit einem Substrat (1), auf dem ein aktives elektronisches Element (2) und eine Verkapselung (3) zum Schutz des aktiven elektronischen Elements (2) vor schädigenden äußeren Einflüssen angeordnet sind, wobei die Verkapselung (3) eine erste anorganische Verkapselungsschicht (11), darüber eine zweite anorganische Verkapselungsschicht (12) und darüber eine dritte anorganische Verkapselungsschicht (13) aufweist, wobei die erste Verkapselungsschicht (11) in einem vollständig umlaufenden Randbereich (201) frei von der zweiten Verkapselungsschicht (12) ist und wobei die dritte Verkapselungsschicht (13) im Randbereich (201) unmittelbar auf der ersten Verkapselungsschicht (11) angeordnet ist.An electronic component (100) having a substrate (1) on which an active electronic element (2) and an encapsulation (3) for protecting the active electronic element (2) from damaging external influences are arranged, wherein the encapsulation (3) has a first inorganic encapsulation layer (11), above a second inorganic encapsulation layer (12) and above a third inorganic encapsulation layer (13), wherein the first encapsulation layer (11) in a completely peripheral edge region (201) is free from the second encapsulation layer (12) and wherein the third encapsulation layer (13) in the edge region (201) is arranged directly on the first encapsulation layer (11).

Elektronisches Bauelement (100) nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Verkapselung (3) frei von Schichten aus organischen Materialien ist.An electronic component (100) according to the preceding claim, wherein the encapsulation (3) is free of layers of organic materials.

Elektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 13 oder 14, wobei die zweite Verkapselungsschicht (12) frei von einem anorganischen glasartigen Material und/oder frei von SiO₂ und SiON ist.Electronic component (100) according to Claim 13 or 14 wherein the second encapsulation layer (12) is free of an inorganic glassy material and / or free of SiO ₂ and SiON.

Elektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei zwischen der zweiten Verkapselungsschicht (12) und der dritten Verkapselungsschicht (13) eine Maskenschicht (14) angeordnet ist.Electronic component (100) according to one of Claims 13 to 15 in which a mask layer (14) is arranged between the second encapsulation layer (12) and the third encapsulation layer (13).

Elektronisches Bauelement (100) nach dem vorherigen Anspruch, wobei die zweite Verkapselungsschicht (12) und die Maskenschicht (14) eine gleiche laterale Ausdehnung aufweisen.An electronic component (100) according to the preceding claim, wherein the second encapsulation layer (12) and the mask layer (14) have a same lateral extent.

Elektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei die Verkapselung (3) frei von weiteren Verkapselungsschichten ist.Electronic component (100) according to one of Claims 13 to 17 , wherein the encapsulation (3) is free of further encapsulation layers.