DE102013215650A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Kontaktabschnitt angeordnet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip und der erste Kontaktabschnitt sind zumindest teilweise durch eine erste Schicht bedeckt, die ein Silikon aufweist. An einer Oberfläche der ersten Schicht ist eine zweite Schicht angeordnet, die SiO2 aufweist. Oberhalb der zweiten Schicht ist eine dritte Schicht angeordnet.

Description

  • Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente mit optoelektronischen Halbleiterchips mit Gehäusen auszubilden, die eingebettete Leiterrahmenabschnitte aus Kupfer aufweisen. Bei solchen optoelektronischen Bauelementen wird der optoelektronische Halbleiterchip auf einem Leiterrahmenabschnitt angeordnet und in ein Vergussmaterial eingebettet. Es ist bekannt, dass Kupfer aus den Leiterrahmenabschnitten solcher optoelektronischer Bauelemente durch das Vergussmaterial zu einem p-n-Übergang des optoelektronischen Halbleiterchips diffundieren kann. Das diffundierte Kupfer kann eine Degradation des optoelektronischen Halbleiterchips bewirken.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
  • Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Kontaktabschnitt angeordnet ist. Dabei sind der optoelektronische Halbleiterchip und der erste Kontaktabschnitt zumindest teilweise durch eine erste Schicht bedeckt, die ein Silikon aufweist. An einer Oberfläche der ersten Schicht ist eine zweite Schicht angeordnet, die SiO2 aufweist. Oberhalb der zweiten Schicht ist eine dritte Schicht angeordnet. Vorteilhafterweise kann die SiO2 aufweisende zweite Schicht dieses optoelektronischen Bauelements als Diffusionsbarriere dienen. Insbesondere kann die SiO2 aufweisende zweite Schicht als Diffusionsbarriere für Kupfer wirken. Dadurch kann vorteilhafterweise eine Diffusion von Kupfer zu einem p-n-Übergang des optoelektronischen Halbleiterchips reduziert oder vermieden werden. Hierdurch wird vorteilhafterweise eine mögliche Degradation des optoelektronischen Halbleiterchips durch diffundiertes Kupfer reduziert oder vermieden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Kontaktabschnitt Kupfer auf. Vorteilhafterweise weist der erste Kontaktabschnitt dadurch eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf. Außerdem kann der erste Kontaktabschnitt dadurch vorteilhafterweise durch Löten elektrisch kontaktiert werden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse einen Gehäuserahmen auf. Dabei ist der erste Kontaktabschnitt in den Gehäuserahmen eingebettet. Der Gehäuserahmen kann beispielsweise einen Kunststoff, beispielsweise ein Epoxidharz, oder eine Keramik aufweisen. Der Gehäuserahmen des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise durch einen Formprozess (Moldprozess) oder durch einen Vergussprozess mittels Spindel-Dispenser, Jetter oder Zeit-Druck-Dispenser hergestellt werden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse eine Kavität auf. Dabei ist der erste Kontaktabschnitt in einem Bodenbereich der Kavität angeordnet. Dann kann auch der optoelektronische Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements in der Kavität des Gehäuses angeordnet und dort vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einflüsse geschützt sein. Die Kavität kann außerdem beispielsweise einen optischen Reflektor des optoelektronischen Bauelements bilden. Die über dem ersten Kontaktabschnitt und dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements angeordnete erste Schicht, zweite Schicht und dritte Schicht können vorteilhafterweise mit geringem technischen Aufwand in der Kavität angeordnet werden.
  • Die dritte Schicht des optoelektronischen Bauelements kann einem mechanischen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips dienen. Die dritte Schicht kann aber auch noch weitere Funktionen übernehmen. Beispielsweise kann die dritte Schicht eine Wellenlängenkonvertierung einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die erste Schicht eine Dicke zwischen 1 µm und 100 µm auf, bevorzugt eine Dicke zwischen 5 µm und 20 µm. Beispielsweise kann die erste Schicht des optoelektronischen Bauelements eine Dicke von 10 µm aufweisen. Vorteilhafterweise ist die erste Schicht dadurch so dünn, dass innerhalb der ersten Schicht eine Diffusion von Kupfer in nur sehr geringem Maße stattfinden kann.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die zweite Schicht eine Dicke zwischen 10 nm und 1 µm auf, bevorzugt eine Dicke zwischen 50 nm und 200 nm. Beispielsweise kann die zweite Schicht des optoelektronischen Bauelements eine Dicke von 100 nm aufweisen. Vorteilhafterweise wirkt die zweite Schicht des optoelektronischen Bauelements dann als Diffusionsbarriere für Kupfer.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse einen elektrisch leitenden zweiten Kontaktabschnitt auf, der elektrisch gegen den ersten Kontaktabschnitt isoliert ist. Dabei besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem zweiten Kontaktabschnitt. Die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem zweiten Kontaktabschnitt kann beispielsweise durch einen Bonddraht gebildet sein. Vorteilhafterweise kann der optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements dann über den ersten Kontaktabschnitt und den zweiten Kontaktabschnitt elektrisch angesteuert werden.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte des Bereitstellens eines Gehäuses, das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt aufweist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Kontaktabschnitt, zum Anordnen einer ersten Schicht, die ein Silikon aufweist, auf zumindest Teilen des optoelektronischen Halbleiterchips und des ersten Kontaktabschnitts, zum Ausbilden einer zweiten Schicht, die SiO2 aufweist, an einer Oberfläche der ersten Schicht, und zum Anordnen einer dritten Schicht über der zweiten Schicht. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren die Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, bei dem eine SiO2 aufweisende zweite Schicht als Diffusionsbarriere, insbesondere als Diffusionsbarriere für Kupfer, wirkt. Wegen der integrierten Diffusionsbarriere ist bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement eine Gefahr einer Degradation des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements durch Diffusion von Kupfer reduziert.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ausbilden der zweiten Schicht durch Umwandeln eines Teils der ersten Schicht. Vorteilhafterweise ist die Herstellung der zweiten Schicht dadurch besonders einfach möglich. Insbesondere ist zur Herstellung der zweiten Schicht kein eigener Prozessschritt zur Abscheidung der zweiten Schicht erforderlich.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Umwandeln des Teils der ersten Schicht durch Oxidation. Dabei wird in der ersten Schicht enthaltenes Si in SiO2 umgewandelt.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Umwandeln des Teils der ersten Schicht mittels einer Plasmabehandlung. Vorteilhafterweise eignet sich eine Plasmabehandlung dazu, in der ersten Schicht enthaltenes Si in SiO2 umzuwandeln. Dabei wirkt das Plasma im Wesentlichen auf die Oberfläche der ersten Schicht ein, sodass die zweite Schicht an der Oberfläche der ersten Schicht gebildet wird.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen der ersten Schicht durch Vergießen oder Jetting. Vorteilhafterweise ist dadurch ein kostengünstiges und reproduzierbares Anordnen der ersten Schicht möglich. Hierdurch eignet sich das Verfahren vorteilhafterweise für eine Massenproduktion.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Dabei zeigt:
  • 1 eine schematische Schnittansicht eines optoelektronischen Bauelements.
  • 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils eines optoelektronischen Bauelements 100. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein.
  • Das optoelektronische Bauelement 100 umfasst ein Gehäuse 200. Das Gehäuse 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. Das Gehäuse 200 des optoelektronischen Bauelements 100 umfasst einen Gehäuserahmen 400 und einen in den Gehäuserahmen 400 eingebetteten Leiterrahmen 300. Der Gehäuserahmen 400 kann beispielsweise ein elektrisch isolierendes Kunststoffmaterial, beispielsweise ein Epoxidharz, oder eine Keramik aufweisen. Der Gehäuserahmen 400 kann beispielsweise durch einen Formprozess (Moldprozess) oder durch einen Vergussprozess mittels Spindel-Dispenser, Jetter oder Zeit-Druck-Dispenser hergestellt sein.
  • Der Leiterrahmen 300 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 300 weist ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Insbesondere kann der Leiterrahmen 300 Kupfer aufweisen. Kupfer bietet den Vorteil, elektrisch gut leitend zu sein, und eignet sich zur elektrischen Kontaktierung durch Löten.
  • Der Leiterrahmen 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite 302 auf. Der Leiterrahmen 300 ist in einen ersten Kontaktabschnitt 310 und einen zweiten Kontaktabschnitt 320 unterteilt. Der erste Kontaktabschnitt 310 und der zweite Kontaktabschnitt 320 sind körperlich voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert. Die Kontaktabschnitte 310, 320 können auch als Leiterrahmenabschnitte bezeichnet werden.
  • Die Kontaktabschnitte 310, 320 des Leiterrahmens 300 sind derart in den Gehäuserahmen 400 eingebettet, dass sowohl die Oberseite 301 als auch die Unterseite 302 des Leiterrahmens 300 zumindest teilweise durch das Material des Gehäuserahmens 400 bedeckt sind. Im dargestellten Beispiel ist die Unterseite 302 des Leiterrahmens 300 vollständig durch das Material des Gehäuserahmens 400 bedeckt. Sowohl beim ersten Kontaktabschnitt 310 als auch beim zweiten Kontaktabschnitt 320 des Leiterrahmens 300 ist die Oberseite 301 teilweise durch das Material des Gehäuserahmens 400 bedeckt und teilweise unbedeckt.
  • Das Gehäuse 200 des optoelektronischen Bauelements 100 weist an seiner Oberseite 201 eine Kavität 410 auf. Die Kavität 410 ist als Vertiefung im Gehäuserahmen 400 an der Oberseite 201 des Gehäuses 200 ausgebildet. An der Oberseite 201 des Gehäuses 200 kann die Kavität 410 beispielsweise einen kreisscheibenförmigen oder einen rechteckigen Querschnitt aufweisen. In der Schnittdarstellung der 1 verjüngt sich die Kavität 410 ausgehend von der Oberseite 201 des Gehäuses 200 pyramidenstumpfförmig. Die Kavität 410 könnte jedoch auch eine zylindrische Form oder eine andere Form aufweisen.
  • Die Kavität 410 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 weist einen Bodenbereich 420 und eine umlaufende Wand 430 auf. Die Wand 430 wird durch das Material des Gehäuserahmens 400 gebildet. Die Wand 430 bildet eine Mantelfläche der Kavität 410. Die Wand 430 der Kavität 410 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 kann einen Reflektor bilden, der dazu dient, von dem optoelektronischen Bauelement 100 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln. Der Bodenbereich 420 bildet eine Bodenfläche der Kavität 410. Im Bodenbereich 420 der Kavität 410 des Gehäuses 200 liegen Teile der Oberseite 301 des ersten Kontaktabschnitts 310 und des zweiten Kontaktabschnitts 320 des Leiterrahmens 300 frei.
  • Das optoelektronische Bauelement 100 umfasst ferner einen optoelektronischen Halbleiterchip 500. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unterseite 502 auf. Die Oberseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 bildet eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 500. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist dazu ausgebildet, an seiner die Strahlungsemissionsfläche bildenden Oberseite 501 elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzustrahlen.
  • An der Oberseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ist eine erste elektrische Kontaktfläche 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ausgebildet. An der Unterseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ist eine zweite elektrische Kontaktfläche 520 ausgebildet. Über die erste elektrische Kontaktfläche 510 und die zweite elektrische Kontaktfläche 520 kann eine elektrische Spannung an den optoelektronischen Halbleiterchip 500 angelegt werden, um den optoelektronischen Halbleiterchip 500 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist in der Kavität 410 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist im Bodenbereich 420 der Kavität 410 an der Oberseite 301 des ersten Kontaktabschnitts 310 des Leiterrahmens 300 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 der Oberseite 301 des ersten Kontaktabschnitts 310 zugewandt. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist mittels einer Leitverbindung 530 mit dem ersten Kontaktabschnitt 310 verbunden. Die Leitverbindung 530 stellt einen elektrisch leitenden Kontakt zwischen der zweiten elektrischen Kontaktfläche 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 an der Unterseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und dem ersten Kontaktabschnitt 310 her. Die Leitverbindung 530 kann beispielsweise durch ein Lot gebildet sein.
  • Die an der Oberseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ausgebildete erste elektrische Kontaktfläche 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ist mittels eines Bonddrahts 540 elektrisch leitend mit dem zweiten Kontaktabschnitt 320 des Leiterrahmens 300 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 verbunden. Der Bonddraht 540 verläuft dabei bevorzugt vollständig innerhalb der Kavität 410 des Gehäuses 200. Anstelle des Bonddrahts 540 könnte auch eine andere elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrischen Kontaktfläche 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und dem zweiten Kontaktabschnitt 320 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 vorgesehen sein.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 500, der Bodenbereich 420 und Teile der Wand 430 der Kavität 410 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 sind durch eine erste Schicht 610 bedeckt. Die erste Schicht 610 bedeckt dabei bevorzugt die gesamte Oberseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und die sich zwischen der Oberseite 501 und der Unterseite 502 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 erstreckenden Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 500. Außerdem bedeckt die erste Schicht 610 bevorzugt die im Bodenbereich 420 der Kavität 410 des Gehäuses 200 freiliegenden Teile der Oberseite 301 des ersten Kontaktabschnitts 310 und des zweiten Kontaktabschnitts 320 des Leiterrahmens 300. Bevorzugt bildet die erste Schicht 610 eine zusammenhängende und geschlossene Schicht.
  • Die erste Schicht 610 weist ein Silikon auf. Die erste Schicht 610 kann beispielsweise durch Vergießen oder durch Jetting aufgebracht worden sein. Jetting bezeichnet hierbei ein Verfahren, bei dem das Material der ersten Schicht 610 unter Druck durch eine Düse aufgebracht wird. Bevorzugt wurde die erste Schicht 610 nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 500 in der Kavität 410 und nach dem Anordnen des Bonddrahts 540 aufgebracht.
  • Die erste Schicht 610 weist eine Dicke 611 auf. Die Dicke 611 liegt bevorzugt zwischen 1 µm und 100 µm. Besonders bevorzugt liegt die Dicke 611 der ersten Schicht 610 zwischen 5 µm und 20 µm. Beispielsweise kann die erste Schicht 610 eine Dicke 611 von 10 µm aufweisen. Damit weist die erste Schicht 610 im Vergleich zu den Abmessungen des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und der Kavität 410 des Gehäuses 200 eine geringe Dicke auf.
  • An einer Oberfläche 612 der ersten Schicht 610 ist eine zweite Schicht 620 angeordnet. Die zweite Schicht 620 weist SiO2 auf. Die zweite Schicht 620 weist eine Dicke 621 auf. Die Dicke 621 der zweiten Schicht 620 liegt bevorzugt zwischen 10 nm und 1 µm. Besonders bevorzugt liegt die Dicke 621 der zweiten Schicht 620 zwischen 50 nm und 200 nm. Beispielsweise kann die zweite Schicht 620 eine Dicke 621 von 100 nm aufweisen.
  • Die zweite Schicht 620 ist bevorzugt durch Umwandeln eines an der Oberfläche 612 der ersten Schicht 610 angeordneten Teils der ersten Schicht 610 ausgebildet worden. Dabei wurde ein Teil des Materials eines Teils der ersten Schicht 610 oxidiert. Hierbei wurde Si aus der ersten Schicht 610 in SiO2 umgewandelt. Bevorzugt ist das Umwandeln des an der Oberfläche 612 der ersten Schicht 610 angeordneten Teils der ersten Schicht 610 mittels einer Plasmabehandlung erfolgt. Das Ausbilden der zweiten Schicht 620 durch Umwandeln eines Teils des Materials der ersten Schicht 610 kann auch als Verglasung bezeichnet werden.
  • Oberhalb der zweiten Schicht 620 ist eine dritte Schicht 630 angeordnet. Bevorzugt füllt die dritte Schicht 630 die Kavität 410 im Wesentlichen vollständig aus. Hierbei kann die dritte Schicht 630 eine Dicke aufweisen, die deutlich größer als die Dicke 611 der ersten Schicht 610 und die Dicke 621 der zweiten Schicht 620 ist. Bevorzugt sind der optoelektronische Halbleiterchip 500 und der Bonddraht 540 im Wesentlichen vollständig in das Material der dritten Schicht 630 eingebettet. Dadurch schützt die dritte Schicht 630 den optoelektronischen Halbleiterchip 500 und den Bonddraht 540 vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einflüsse.
  • Die dritte Schicht 630 kann ein Silikon aufweisen und beispielsweise durch Vergießen in die Kavität 410 eingebracht worden sein. Die dritte Schicht 630 kann auch eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, die dazu vorgesehen sind, eine Wellenlänge der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 500 emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Die eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikel können hierzu elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge absorbieren und anschließend elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge emittieren. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können beispielsweise einen organischen Leuchtstoff oder einen anorganischen Leuchtstoff umfassen. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können auch Quantenpunkte umfassen.
  • Die erste Schicht 610, die zweite Schicht 620 und die dritte Schicht 630 bilden gemeinsam einen Verguss 600 des optoelektronischen Bauelements 100.
  • Die SiO2 aufweisende zweite Schicht 620 des Vergusses 600 des optoelektronischen Bauelements 100 bildet eine Diffusionsbarriere. Insbesondere bildet die zweite Schicht 620 eine Diffusionsbarriere für Kupfer. Aus den Kontaktabschnitten 310, 320 des Leiterrahmens 300 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 gelöstes Kupfer kann die zweite Schicht 620 nicht oder nur in geringem Maße durchdringen. Hierdurch wird verhindert, dass aus den Kontaktabschnitten 310, 320 des Leiterrahmens 300 gelöstes Kupfer durch den Verguss 600 zu einem nahe der Oberseite 501 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten p-n-Übergang des optoelektronischen Halbleiterchips 500 diffundieren kann. Eine Diffusion von Kupfer zum p-n-Übergang des optoelektronischen Halbleiterchips 500 könnte zu einer Degradation des optoelektronischen Halbleiterchips 500 beitragen. Die durch die zweite Schicht 620 gebildete Diffusionsbarriere verhindert oder reduziert eine solche durch Diffusion von Kupfer verursachte Degradation des optoelektronischen Halbleiterchips 500.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    optoelektronisches Bauelement
    200
    Gehäuse
    201
    Oberseite
    202
    Unterseite
    300
    Leiterrahmen
    301
    Oberseite
    302
    Unterseite
    310
    erster Kontaktabschnitt
    320
    zweiter Kontaktabschnitt
    400
    Gehäuserahmen
    410
    Kavität
    420
    Bodenbereich
    430
    Wand
    500
    optoelektronischer Halbleiterchip
    501
    Oberseite
    502
    Unterseite
    510
    erste elektrische Kontaktfläche
    520
    zweite elektrische Kontaktfläche
    530
    Leitverbindung
    540
    Bonddraht
    600
    Verguss
    610
    erste Schicht
    611
    Dicke
    612
    Oberfläche
    620
    zweite Schicht
    621
    Dicke
    630
    dritte Schicht

Claims (12)

  1. Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem Gehäuse (200), das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt (310) aufweist, und mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (500), der auf dem ersten Kontaktabschnitt (310) angeordnet ist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (500) und der erste Kontaktabschnitt (310) zumindest teilweise durch eine erste Schicht (610) bedeckt sind, die ein Silikon aufweist, wobei an einer Oberfläche (612) der ersten Schicht (610) eine zweite Schicht (620) angeordnet ist, die SiO2 aufweist, wobei oberhalb der zweiten Schicht (620) eine dritte Schicht (630) angeordnet ist.
  2. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei der erste Kontaktabschnitt (310) Kupfer aufweist.
  3. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (200) einen Gehäuserahmen (400) aufweist, wobei der erste Kontaktabschnitt (310) in den Gehäuserahmen (400) eingebettet ist.
  4. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (200) eine Kavität (410) aufweist, wobei der erste Kontaktabschnitt (310) in einem Bodenbereich (420) der Kavität (410) angeordnet ist.
  5. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Schicht (610) eine Dicke (611) zwischen 1 µm und 100 µm aufweist, bevorzugt eine Dicke (611) zwischen 5 µm und 20 µm.
  6. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Schicht (620) eine Dicke (621) zwischen 10 nm und 1 µm aufweist, bevorzugt eine Dicke (621) zwischen 50 nm und 200 nm.
  7. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (200) einen elektrisch leitenden zweiten Kontaktabschnitt (320) aufweist, der elektrisch gegen den ersten Kontaktabschnitt (310) isoliert ist, wobei eine elektrisch leitende Verbindung (540) zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (500) und dem zweiten Kontaktabschnitt (320) besteht.
  8. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Gehäuses (200), das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt (310) aufweist; – Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (500) auf dem ersten Kontaktabschnitt (310); – Anordnen einer ersten Schicht (610), die ein Silikon aufweist, auf zumindest Teilen des optoelektronischen Halbleiterchips (500) und des ersten Kontaktabschnitts (310); – Ausbilden einer zweiten Schicht (620), die SiO2 aufweist, an einer Oberfläche (612) der ersten Schicht (610), – Anordnen einer dritten Schicht (630) über der zweiten Schicht (620).
  9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Ausbilden der zweiten Schicht (620) durch Umwandeln eines Teils der ersten Schicht (610) erfolgt.
  10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Umwandeln des Teils der ersten Schicht (610) durch Oxidation erfolgt.
  11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 und 10, wobei das Umwandeln des Teils der ersten Schicht (610) mittels einer Plasmabehandlung erfolgt.
  12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei das Anordnen der ersten Schicht (610) durch Vergießen oder Jetting erfolgt.
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