DE102013213448A1 - Elektronikbaugruppe mit Leistungshalbleiter - Google Patents
Elektronikbaugruppe mit Leistungshalbleiter Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013213448A1 DE102013213448A1 DE201310213448 DE102013213448A DE102013213448A1 DE 102013213448 A1 DE102013213448 A1 DE 102013213448A1 DE 201310213448 DE201310213448 DE 201310213448 DE 102013213448 A DE102013213448 A DE 102013213448A DE 102013213448 A1 DE102013213448 A1 DE 102013213448A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature sensor
- power semiconductor
- substrate
- electronic assembly
- contact element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
- H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Elektronikbaugruppe (1), aufweisend ein Substrat (2), mindestens einen an dem Substrat (2) angebrachten Leistungshalbleiter (7), mindestens einen mit dem Substrat (2) thermisch verbundenen Kühlkörper (6) und mindestens einen Temperatursensor (14), wobei der mindestens eine Temperatursensor (14) einen ersten Wärmewiderstand zu mindestens einem abzufühlenden Leistungshalbleiter (7) aufweist, welcher geringer ist als ein zweiter Wärmewiderstand zu dem Kühlkörper (6).
Description
- Die Erfindung betrifft eine Elektronikbaugruppe, aufweisend ein Substrat, mindestens einen an dem Substrat angebrachten Leistungshalbleiter, mindestens einen mit dem Substrat thermisch verbundenen Kühlkörper und mindestens einen Temperatursensor.
- Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anwendbar für elektrisch betriebene Fahrzeuge, z.B. für Elektrofahrzeuge oder Fahrzeuge auf der Basis von Hybridtechnik. Die Erfindung ist auch besonders vorteilhaft anwendbar in der Bahntechnik, beispielsweise für Unterflurwägen, oder der Luft- und Raumfahrt. Die Erfindung ist vorteilhaft anwendbar bei Verwendung mit einer Leistungselektronik mit schnell (d.h., im Bereich einer thermischen Zeitkonstanten) schwankender Last. Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anwendbar bei der Windenergienutzung, z.B. mit Windkrafträdern, insbesondere für Umrichter in Windkrafträdern
- Eine Temperatur bzw. ein Temperaturwert eines Leistungshalbleiters einer Elektronikbaugruppe der betreffenden Art wird bisher so gemessen, dass der Temperatursensor direkt an dem Kühlkörper oder an einem als Substrat dienenden Schaltungsträger angebracht ist. Der dort abgefühlte Temperaturwert wird als repräsentativ für einen Temperaturwert des mindestens einen Leistungshalbleiters angesehen. Nachteilig hierbei ist, dass ein Temperaturanstieg des mindestens einen Leistungshalbleiters aufgrund der Wärmewiderstände und Wärmekapazitäten zwischen dem Leistungshalbleiter, dem Kühlkörper und dem Temperatursensor nur verzögert und verringert von dem Temperatursensor aufgenommen wird. Ist der Wärmewiderstand von dem Temperatursensor zu dem Kühlkörper wesentlich geringer als zu dem abzufühlenden Leistungshalbleiter, kann der gemessene Temperaturwert auch in einem eingeschwungenen Zustand verfälscht werden. Dies gilt insbesondere bei einer Anbringung des Temperatursensors an dem Kühlkörper. Die zeitliche Verzögerung und Verringerung kann so groß sein, dass bei einem unerwarteten Ausfall der Kühlung der Leistungshalbleiter gefährdet ist oder er im Normalbetrieb nicht optimal ausgelastet werden kann.
- Zum Aufbau von modernen Elektronikbaugruppen ist beispielsweise die sog. „SKiN"-Technologie der Fa. Semikron bekannt, wie sie beispielsweise offenbart ist in: elektronik, Mai 2011, „Einen Schritt voraus sein: Aufbau- und Verbindungstechnik optimiert Leistungselektronik", in Power Electronics Europe, ISSUE 5 – July/August 2011, „POWER MODULES: Power Electronics Packaging Revolution Without Bond Wires, Solder and Thermal Paste", oder in KEM, Oktober 2011, „Leistungselektronik: Aufbau- und Verbindungstechnik ohne Lot und Bonddraht: Klassik und Evolution".
- Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile des Standes der Technik zumindest teilweise zu überwinden und insbesondere eine verzögerungsärmere und/oder verlässlichere Temperaturmessung von Leistungshalbleitern auf einfache und preiswerte Weise bereitzustellen.
- Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind insbesondere den abhängigen Ansprüchen entnehmbar.
- Die Aufgabe wird gelöst durch eine Elektronikbaugruppe, aufweisend ein Substrat, mindestens einen an dem Substrat angebrachten Leistungshalbleiter, mindestens einen mit dem Substrat thermisch verbundenen Kühlkörper und mindestens einen Temperatursensor, wobei der mindestens eine Temperatursensor einen ersten Wärmewiderstand zu mindestens einem abzufühlenden Leistungshalbleiter aufweist, welcher geringer ist als ein zweiter Wärmewiderstand zu dem Kühlkörper.
- Dadurch ist der mindestens eine Temperatursensor thermisch signifikant stärker mit dem mindestens einen Leistungshalbleiter gekoppelt als mit dem Kühlkörper. Der bisher vorliegende störende Einfluss des Kühlkörpers auf die Temperaturmessung des Temperatursensors kann auf ein geringes Maß reduziert werden. Dadurch ist eine Temperaturänderung des Leistungshalbleiters schneller und verlässlicher durch den mindestens einen Temperatursensor feststellbar.
- Die Temperatur des Temperatursensors weicht (im eingeschwungenen Zustand seiner eigenen Wärmekapazität) entsprechend dem Verhältnis des ersten Wärmewiderstands zwischen dem Leistungshalbleiter und dem Temperatursensor zu dem zweiten Wärmewiderstand zwischen dem Temperatursensor und dem Kühlkörper von der Temperatur des Leistungshalbleiters ab. Je geringer das Verhältnis ist, desto geringer ist der Messfehler. Typischerweise weist der mindestens eine Kühlkörper eine erhebliche Wärmekapazität auf. Daraus folgt, dass die Temperatur des Kühlkörpers später einschwingt als die des Leistungshalbleiters. Während dieser Zeit ist die Temperaturdifferenz zwischen Leistungshalbleiter und Kühlkörper entsprechend größer.
- Es ist eine Ausgestaltung, dass das Substrat eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist und der mindestens eine Leistungshalbleiter an der Vorderseite angebracht ist.
- Es ist noch eine Ausgestaltung, dass der mindestens eine Kühlkörper mit der Rückseite thermisch verbunden ist und der mindestens eine Temperatursensor in einem Bereich der Vorderseite des Substrats angeordnet ist.
- Es ist auch noch eine Ausgestaltung, dass der erste Wärmewiderstand nicht größer ist als der zweite Wärmewiderstand Insbesondere mag der erste Wärmewiderstand zumindest ungefähr so groß sein wie der zweite Wärmewiderstand, aber nicht signifikant größer. In diesem Fall wird die Temperatur-Abweichung bereits halbiert und so sichergestellt, dass der Wärme(ab)fluss von dem Temperatursensor zu dem Kühlkörper den Wärmefluss zwischen dem Temperatursensor und dem zugehörigen mindestens einen abzufühlenden Leistungshalbleiter nicht dominiert.
- Dieser Vorteil wird noch erheblich ausgeprägter, wenn der erste Wärmewiderstand um mindestens 50% geringer, insbesondere um mindestens 75% geringer, insbesondere um mindestens 90% geringer ist als der zweite Wärmewiderstand. Der Wärmefluss zwischen dem Temperatursensor und dem zugehörigen mindestens einen abzufühlenden Leistungshalbleiter dominiert dann sicher gegenüber dem Wärme(ab)fluss von dem Temperatursensor zu dem Kühlkörper.
- Mindestens ein Temperatursensor mag insbesondere dazu vorgesehen sein, eine Temperatur eines bestimmten Leistungshalbleiters abzufühlen. Alternativ oder zusätzlich mag mindestens ein Temperatursensor dazu vorgesehen sein, eine „kollektive“, gemittelte Temperatur von zweien oder noch mehr Leistungshalbleitern abzufühlen, z.B. durch eine Anordnung zwischen zwei oder noch mehr Leistungshalbleitern. Mehrere Temperatursensoren mögen insbesondere dazu vorgesehen sein, Temperaturen jeweiliger Leistungshalbleiter und/oder mindestens eine kollektive Temperatur abzufühlen.
- Es ist eine Weiterbildung, dass mindestens ein Temperatursensor an einem Leistungshalbleiter befestigt ist, ohne das Substrat zu berühren, und zwar in direktem Kontakt zu dem Leistungshalbleiter oder über einen gut wärmeleitenden Kontaktvermittler, insbesondere Haftvermittler wie eine Wärmeleitpaste, eine Wärmeleitfolie, ein Wärmeleitkissen usw. Dadurch wird eine besonders geringe Verzögerung und/oder Abweichung der Temperaturmessung erreicht.
- Der Kühlkörper mag insbesondere (direkt) an dem Substrat angebracht sein, insbesondere an dessen Rückseite, z.B. mittels eines wärmeleitenden Haftvermittlers oder durch Sintern usw. Der Kühlkörper mag ein dedizierter Kühlkörper mit mindestens einer Kühlstruktur (z.B. Kühlrippen, Kühlstiften usw.) sein oder mag beispielsweise ein wärmeleitfähiger Träger für die Elektronikbaugruppe sein, z.B. ein Gehäuse oder eine andere tragende Unterlage. Der Kühlkörper mag z.B. aus Kupfer, Aluminium oder Keramik bestehen.
- Es ist eine Ausgestaltung, dass mindestens ein Temperatursensor durch eine Platine getrennt direkt oberhalb eines abzufühlenden Leistungshalbleiters angeordnet ist. In anderen Worten sitzt mindestens ein Temperatursensor über eine Platine auf einem Leistungshalbleiter auf. Der mindestens eine Temperatursensor und der mindestens eine Leistungshalbleiter sind an unterschiedlichen Seiten der Platine angeordnet. Mittels der Platine kann erstens eine besonders einfache, auch automatisierbare, Kontaktierung des mindestens einen Leistungshalbleiters und/oder des mindestens einen Temperatursensors erreicht werden. Zweitens kann durch die Platine eine elektrisch isolierende Schicht zwischen dem mindestens einen Leistungshalbleiter und dem mindestens einen Temperatursensor bereitgestellt werden. Die Platine weist hingegen in ihrer typischerweise geringen Dickenerstreckung einen nur geringen Wärmewiderstand auf.
- Es ist eine Weiterbildung davon, dass die Platine eine mechanisch flexible Platine ist. Dies vereinfacht eine Befestigung der Platine und ermöglicht zudem ohne weiteren Aufwand einen Höhenausgleich zur elektrischen und/oder mechanischen Kontaktierung von Bauelementen unterschiedlicher Höhe. Insbesondere die mechanisch flexible Platine bzw. deren Grundkörper mag eine Folie sein.
- Es ist eine zusätzliche oder alternative Ausgestaltung, dass mindestens ein Temperatursensor durch eine Platine getrennt oberhalb und zumindest teilweise neben einem Leistungshalbleiter angeordnet ist. Unter einer Anordnung „neben dem Leistungshalbleiter“ wird insbesondere eine Anordnung seitlich neben dem Leistungshalbleiter verstanden. Der Temperatursensor mag also insbesondere auf der dem Leistungshalbleiter abgewandten Seite der Platine (also „oberhalb“ des Leistungshalbleiters) angeordnet sein, und zudem seitlich so versetzt sein, dass der Temperatursensor den Leistungshalbleiter nur teilweise oder nicht überdeckt. Wird der Leistungshalbleiter nicht von dem Temperatursensor überdeckt, wird die Wärme zumindest überwiegend seitlich durch die Platine übertragen. Diese Ausgestaltung weist den Vorteil einer vielseitigen Positionierbarkeit des Temperatursensors auf. Sie kann der Temperaturabfühlung eines bestimmten Leistungshalbleiters dienen. Alternativ oder zusätzlich mag ein Temperatursensor zur „kollektiven“ oder gemeinsamen Temperaturabfühlung zwischen zwei oder noch mehr Leistungshalbleitern an der Platine angeordnet sein, z.B. mittig zwischen den Leistungshalbleitern.
- Es ist noch eine Ausgestaltung, dass der mindestens eine Temperatursensor elektrisch an die Platine angeschlossen ist. Dazu mag die Platine an der dem mindestens einen Temperatursensor zugewandten Seite eine Leiterbahnstruktur aufweisen. Diese ist vorzugsweise auf den mindestens einen Temperatursensor abgestimmt, z.B. durch Vorsehen entsprechender Kontaktfelder zum elektrischen und mechanischen Kontaktieren des mindestens einen Temperatursensors. Das Kontaktieren kann beispielsweise durch Aufkleben oder Auflöten geschehen, insbesondere durch Auflöten in einem Reflow-Prozess. Der mindestens eine Temperatursensor mag insbesondere zur Durchführung des Reflow-Prozesses ein oberflächenmontierbares Bauelement („Surface Mounted Device“; SMD) sein. Insbesondere falls der Temperatursensor versetzt zu dem Leistungshalbleiter auf der Platine angeordnet ist (wie z.B. oben beschrieben), kann durch eine geeignete Gestaltung der Leiterbahnen (z.B. breit von dem Temperatursensor bis auf eine Fläche über dem Leistungshalbleiter) der Wärmewiderstand zwischen dem Temperatursensor und dem Leistungshalbleiter weiter verringert werden.
- Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die Platine eine doppelseitige Platine ist und der Temperatursensor an der dem Leistungshalbleiter abgewandten Seite der Platine elektrisch angeschlossen ist. Dadurch kann die Platine sowohl zur elektrischen Kontaktierung des mindestens einen Leistungshalbleiters als auch zur Kontaktierung des mindestens einen Temperatursensors verwendet werden. Bevorzugt ist, dass die beiden Seiten, insbesondere deren Leiterbahnstrukturen, der Platine elektrisch voneinander getrennt sind, z.B. durch die Grundplatte der Platine. Dadurch können die beiden Seiten auf unterschiedlichen Spannungsniveaus gehalten werden, z.B. ein Leistungshalbleiter auf einer Hochspannung und ein Temperatursensor auf einer Kleinspannung.
- Es ist auch eine Ausgestaltung, dass mindestens ein Temperatursensor neben einem davon abzufühlenden Leistungshalbleiter auf der Vorderseite des Substrats wärmeisoliert angeordnet ist und der Temperatursensor mit diesem Leistungshalbleiter über ein Kontaktelement (im Folgenden ohne Beschränkung der Allgemeinheit als „erstes Kontaktelement“ bezeichnet) gut wärmeleitend verbunden ist. Der Leistungshalbleiter und der Wärmesensor sind also insbesondere auf dem gleichen Untergrund, insbesondere dem Substrat, angebracht. In dieser Ausgestaltung werden der mindestens eine Temperatursensor und der mindestens eine Leistungshalbleiter an der gleichen Seite des Substrats angebracht, und zwar seitlich zueinander beabstandet, insbesondere benachbart zueinander. Während der Temperatursensor und der Kühlkörper bei üblicher Befestigung an dem gemeinsamen Substrat darüber in thermischen Kontakt stehen, wird bei der vorliegenden Erfindung durch die wärmeisolierte Befestigung des Temperatursensors eine Beeinflussung durch den Wärmefluss durch das Substrat vermieden. Die Temperaturmessung nutzt bei dieser Ausgestaltung vielmehr die gut wärmeleitende Verbindung über das erste Kontaktelement aus. Soll der Temperatursensor mit diesem Leistungshalbleiter nicht elektrisch verbunden sein und soll das erste Kontaktelement nur als thermisches Kontaktelement oder thermische Brücke verwendet werden, mag zur Herstellung einer elektrischen Verbindung ein weiteres, schwach wärmeleitendes elektrisches Kontaktelement vorgesehen sein.
- Es ist eine Ausgestaltung davon, dass der Temperatursensor mit diesem Leistungshalbleiter über das erste Kontaktelement wärmeleitend und elektrisch verbunden ist. Diese Nutzung des ersten Kontaktelements sowohl als Wärmebrücke als auch als elektrisches Kontaktelement ermöglicht eine Einsparung eines dedizierten elektrischen Kontaktelements und ist herstellungstechnisch vorteilhaft.
- Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass der Temperatursensor mittels eines zweiten Kontaktelements, das nicht mit diesem Leistungshalbleiter verbunden ist, elektrisch anschließbar ist, wobei das zweite Kontaktelement einen signifikant höheren Wärmewiderstand bzw. eine wesentlich schlechtere Wärmeleitung aufweist als das erste Kontaktelement. Das erste Kontaktelement und/oder das zweite Kontaktelement mag bzw. mögen insbesondere aus Metall bestehen, z.B. aus gleichem Metall oder aus unterschiedlichem Metall mit einer unterschiedlichen Wärmeleitfähigkeit.
- Es ist eine besonders bevorzugte Ausgestaltung davon, dass das erste Kontaktelement ein vergleichsweise kurzer Bonddraht ist und das zweite Kontaktelement ein vergleichsweise langer Bonddraht ist. Dies ist eine insbesondere bei ansonsten gleicher Ausgestaltung (z.B. bei gleicher Querschnittsfläche und gleichem Material) besonders leicht umsetzbare Ausgestaltung, da die Bonddrähte nur mit unterschiedlicher Länge konfektioniert zu werden brauchen.
- Es ist eine alternative oder zusätzliche Ausgestaltung, dass das erste Kontaktelement ein vergleichsweise dicker Bonddraht ist und das zweite Kontaktelement ein vergleichsweise dünner Bonddraht ist. So kann ein signifikant höherer Wärmewiderstand des zweiten Kontaktelements auch bei großer Länge des ersten Kontaktelements erreicht werden.
- Es ist zudem eine Ausgestaltung, dass das Substrat ein DBC („Direct Bonded Copper“)-Substrat oder ein IMS („Insulated Metal Substrate“)-Substrat ist. Diese Substrate weisen den Vorteil auf, dass sie weitaus wärmeleitfähiger sind als herkömmliche Substrate, z.B. mit einer Grundplatte aus FR4. Ein solches Substrat ist folglich besonders geeignet zur Verwendung mit Leistungshalbleitern.
- Die Art des Temperatursensors ist grundsätzlich nicht beschränkt und kann z.B. Kaltleiter, Widerstandsthermometer (z.B. aus Platin wie PT100), Thermoelemente usw. umfassen. Der Temperatursensor mag allgemein ein Kontakt-Temperatursensor sein, welcher eine Temperatur eines Materialvolumens durch Kontakt damit abfühlen kann. Es ist eine bevorzugte Ausgestaltung, dass mindestens ein Temperatursensor ein Heißleiter ist, insbesondere ein Thermistor.
- Die Leistungshalbleiter können z.B. Leistungsdioden, Thyristoren, Triacs, Leistungs-MOSFETs und/oder IGBT-Bauteile sein.
- Die Elektronikbaugruppe kann insbesondere einen herkömmlichen Grundaufbau, einen SKiN-Aufbau oder einem sog. SiPLIT (Siemens Planar Interconnect Technology)-Aufbau aufweisen.
- Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden schematischen Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei können zur Übersichtlichkeit gleiche oder gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sein.
-
1 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Elektronikbaugruppe gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel; und -
2 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Elektronikbaugruppe gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. -
1 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Elektronikbaugruppe1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. - Die Elektronikbaugruppe
1 weist ein Substrat in Form eines plattenförmigen DBC-Substrats2 auf. Das DBC-Substrat2 weist insbesondere eine plattenförmige keramische Mittenlage3 auf, an welcher vorderseitig eine strukturierte Kupferlage4 angebracht ist, z.B. durch Sintern. Rückseitig ist an der keramischen Mittenlage3 eine großflächige Kupferlage5 angebracht, z.B. durch Sintern. An seiner Rückseite16 und damit an der großflächigen Kupferlage5 ist das DBC-Substrat2 flächig mit einer Wärmesenke oder einem Kühlkörper6 verbunden. - Vorderseitig, d.h. auf der strukturierten Kupferlage
4 , sind mehrere Leistungshalbleiter7 angeordnet, insbesondere mechanisch und elektrisch damit verbunden, z.B. durch Sintern oder Verlöten. Die Leistungshalbleiter7 können z.B. IGBTs sein. Die Leistungshalbleiter7 sind an ihrer dem DBC-Substrat2 abgewandten Vorderseite8 von einer gemeinsamen flexiblen Platine9 bedeckt. - Die flexible Platine
9 weist eine flexible, elektrisch isolierende Folie10 auf, die doppelseitig mit Leiterbahnenstrukturen11 ,12 versehen ist. Die den Leistungshalbleitern7 zugewandte, untere Leiterbahnenstruktur11 dient einer elektrischen Kontaktierung der Leistungshalbleiter7 und ggf. weiterer davon belegter Bauelemente (o. Abb.), bevorzugt einschließlich Verbindungen direkt zur der Vorderseite15 des DBC-Substrats2 . An der den Leistungshalbleitern7 abgewandten, oberen Seite13 der flexiblen Platine9 mit der zugehörigen oberen Leiterbahnenstruktur12 ist ein Temperatursensor in Form eines oberflächenmontierbaren Heißleiters oder NTC-Bauelements14 angeordnet. Das NTC-Bauelement14 ist also in einem Bereich einer Vorderseite15 des DBC-Substrats2 abgeordnet, insbesondere oberhalb beabstandet zu dieser Vorderseite15 . - Das NTC-Bauelement
14 ist hier ein reflowfähiges Bauelement, welches zwei elektrische und thermische Kontakte14a aufweist. Das NTC-Bauelement14 kontaktiert die flexible Platine9 direkt oberhalb eines der Leistungshalbleiter7 und ist folglich davon nur durch die beiden (in ihrer Dickenrichtung gut wärmeleitfähigen) Leiterbahnenstrukturen11 ,12 sowie die in ihrer Dickenrichtung einen nur geringen Wärmewiderstand aufweisende Folie10 der flexiblen Platine9 getrennt. Dadurch kann eine Temperatur T bzw. eine Temperaturänderung an diesem Leistungshalbleiter7 mit einer geringen, insbesondere mit einer vernachlässigbar geringen, Zeitverzögerung von dem NTC-Bauelement14 abgefühlt werden. -
2 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Elektronikbaugruppe21 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Die Elektronikbaugruppe21 weist ebenfalls ein plattenförmiges DBC-Substrat2 auf, das aber nun über eine gut wärmeleitende, z.B. keramische oder metallische, Grundplatte22 mit dem Kühlkörper6 verbunden ist. Die Grundplatte22 mag z.B. eine metallische oder keramische Platte sein, die als Wärmespreizkörper dient. - Vorderseitig ist ein NTC-Bauelement
23 nun auf der gleichen strukturierten Kupferlage4 aufgebracht wie ein Leistungshalbleiter7 , und zwar beabstandet neben dem bzw. seitlich zu dem Leistungshalbleiter7 . Das NTC-Bauelement23 ist also auch hier in einem Bereich einer Vorderseite des DBC-Substrats2 abgeordnet. Das NTC-Bauelement23 mag z.B. dem NTC-Bauelement14 entsprechen. - Das NTC-Bauelement
23 weist elektrische Kontakte24 auf, die auch von der dem DBC-Substrat2 abgewandten Seite zugänglich sind. Das NTC-Bauelement23 ist mit der strukturierten Kupferlage4 wärmeisoliert verbunden, z.B. über ein wärmeisolierendes Haftmittel25 . Dies verhindert einen parasitären Wärmefluss von dem NTC-Bauelement23 durch das DBC-Substrat2 zu dem Kühlkörper6 . Der Wärmeübertrag von dem Leistungshalbleiter7 zu dem NTC-Bauelement23 wird vielmehr mittels eines ersten Kontaktelements in Form eines kurzen Bonddrahts26 , z.B. aus Kupfer, erreicht. - Der kurze Bonddraht
26 ist sowohl an dem Leistungshalbleiter7 als auch an dem NTC-Bauelement23 befestigt. Der kurze Bonddraht26 mag insbesondere auch als ein elektrisches Leitungselement dienen. Bevorzugt wird dabei, dass der kurze Bonddraht26 auf dem negativen Hochspannungsniveau liegt. - Der andere elektrische Kontakt
24 des NTC-Bauelements23 kann z.B. direkt oder indirekt mit einer zugehörigen Auswerteeinrichtung (o. Abb.) verbunden sein. Dies geschieht hier mittels eines langen Bonddrahts27 , z.B. aus Kupfer, welcher wegen seiner größeren Länge einen signifikant höheren Wärmewiderstand aufweist als der kurze Bonddraht26 . Durch den höheren Wärmewiderstand des langen Bonddrahts27 wird eine thermische Beeinflussung des NTC-Bauelements23 darüber verringert und mag sogar praktisch verhindert werden. Seine Nutzung als elektrischer Leiter wird hingegen nicht merklich behindert. - Obwohl die Erfindung im Detail durch die gezeigten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
- Allgemein umfasst die Erfindung die Reduzierung einer Beeinflussung einer Temperaturmessung eines Leistungshalbleiters durch einen oder mehrere Kühlkörper bzw. Wärmesenken.
- Allgemein kann unter "ein", "eine" usw. eine Einzahl oder eine Mehrzahl verstanden werden, insbesondere im Sinne von "mindestens ein" oder "ein oder mehrere" usw., solange dies nicht explizit ausgeschlossen ist, z.B. durch den Ausdruck "genau ein" usw.
- Auch kann eine Zahlenangabe genau die angegebene Zahl als auch einen üblichen Toleranzbereich umfassen, solange dies nicht explizit ausgeschlossen ist.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- „SKiN“-Technologie der Fa. Semikron bekannt, wie sie beispielsweise offenbart ist in: elektronik, Mai 2011 [0004]
- „Einen Schritt voraus sein: Aufbau- und Verbindungstechnik optimiert Leistungselektronik“, in Power Electronics Europe, ISSUE 5 – July/August 2011 [0004]
- „POWER MODULES: Power Electronics Packaging Revolution Without Bond Wires, Solder and Thermal Paste“, oder in KEM, Oktober 2011, „Leistungselektronik: Aufbau- und Verbindungstechnik ohne Lot und Bonddraht: Klassik und Evolution“ [0004]
Claims (12)
- Elektronikbaugruppe (
1 ;21 ), aufweisend – ein Substrat (2 ), – mindestens einen an dem Substrat (2 ) angebrachten Leistungshalbleiter (7 ), – mindestens einen mit dem Substrat (2 ) thermisch verbundenen Kühlkörper (6 ) und – mindestens einen Temperatursensor (14 ;23 ), wobei – der mindestens eine Temperatursensor (14 ;23 ) einen ersten Wärmewiderstand zu mindestens einem abzufühlenden Leistungshalbleiter (7 ) aufweist, welcher geringer ist als ein zweiter Wärmewiderstand zu dem Kühlkörper (6 ). - Elektronikbaugruppe (
1 ) nach Anspruch 1, wobei – das Substrat (2 ) eine Vorderseite (15 ) und eine Rückseite (16 ) aufweist, – der mindestens eine Leistungshalbleiter (7 ) an der Vorderseite (15 ) angebracht ist, – der mindestens eine Kühlkörper (6 ) mit der Rückseite (16 ) thermisch verbunden ist und – der mindestens eine Temperatursensor (14 ;23 ) in einem Bereich einer Vorderseite (15 ) des Substrats (2 ) angeordnet ist. - Elektronikbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei der erste Wärmewiderstand nicht größer ist als der zweite Wärmewiderstand, der erste Wärmewiderstand insbesondere um mindestens 50% geringer ist, insbesondere um mindestens 75% geringer, insbesondere um mindestens 90% geringer, als der zweite Wärmewiderstand.
- Elektronikbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mindestens ein Temperatursensor (
14 ) durch eine flexible Platine (9 ) getrennt direkt oberhalb eines abzufühlenden Leistungshalbleiters (7 ) angeordnet ist. - Elektronikbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mindestens ein Temperatursensor (
14 ) durch eine flexible Platine (9 ) getrennt oberhalb und zumindest teilweise neben einem abzufühlenden Leistungshalbleiter (7 ) angeordnet ist. - Elektronikbaugruppe (
1 ) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Temperatursensor (14 ) elektrisch an die Platine (9 ,12 ) angeschlossen ist. - Elektronikbaugruppe (
1 ) nach Anspruch 6, wobei die Platine (9 ) eine doppelseitige Platine ist und der Temperatursensor (14 ) elektrisch an der dem Leistungshalbleiter (7 ) abgewandten Seite (13 ) der Platine (9 ,12 ) elektrisch angeschlossen ist. - Elektronikbaugruppe (
21 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – mindestens ein Temperatursensor (23 ) neben einem davon abzufühlenden Leistungshalbleiter (7 ) auf der Vorderseite des Substrats (2 ) wärmeisoliert angeordnet ist, – der Temperatursensor (23 ) mit diesem Leistungshalbleiter (7 ) über ein erstes Kontaktelement (26 ) gut wärmeleitend verbunden ist. - Elektronikbaugruppe (
21 ) nach Anspruch 8, wobei der Temperatursensor (23 ) mit diesem Leistungshalbleiter (7 ) über das erste Kontaktelement (26 ) wärmeleitend und elektrisch verbunden ist und der Temperatursensor (23 ) mittels eines zweiten Kontaktelements (27 ), das nicht mit diesem Leistungshalbleiter (7 ) verbunden ist, elektrisch anschließbar ist, wobei das zweite Kontaktelement (27 ) einen höheren Wärmewiderstand aufweist als das erste Kontaktelement (26 ). - Elektronikbaugruppe (
21 ) nach Anspruch 9, wobei das erste Kontaktelement (26 ) ein vergleichsweise kurzer Bonddraht ist und das zweite Kontaktelement (27 ) ein vergleichsweise langer Bonddraht ist. - Elektronikbaugruppe (
1 ;21 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (2 ) ein DBC-Substrat oder ein IMS-Substrat ist. - Elektronikbaugruppe (
1 ;21 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens ein Temperatursensor (14 ;23 ) ein Heißleiter ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013213448.7A DE102013213448B4 (de) | 2013-07-09 | 2013-07-09 | Elektronikbaugruppe mit Leistungshalbleiter |
CN201410320609.7A CN104282679B (zh) | 2013-07-09 | 2014-07-07 | 带有功率半导体的电子组件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013213448.7A DE102013213448B4 (de) | 2013-07-09 | 2013-07-09 | Elektronikbaugruppe mit Leistungshalbleiter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013213448A1 true DE102013213448A1 (de) | 2015-01-15 |
DE102013213448B4 DE102013213448B4 (de) | 2021-12-09 |
Family
ID=52107259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013213448.7A Active DE102013213448B4 (de) | 2013-07-09 | 2013-07-09 | Elektronikbaugruppe mit Leistungshalbleiter |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104282679B (de) |
DE (1) | DE102013213448B4 (de) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3166141A1 (de) * | 2015-11-04 | 2017-05-10 | Magneti Marelli S.p.A. | Elektronische vorrichtung mit elektronischem leistungsbauelement und direkter erkennung der temperatur eines derartigen bauelements |
WO2019141594A1 (de) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Leiterplatten- kühlkörper- aufbau und verfahren hierzu |
DE102019108988B3 (de) * | 2019-04-05 | 2020-08-13 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung desselben |
DE102019126265A1 (de) * | 2019-09-30 | 2021-04-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung umfassend ein erstes Trägersubstrat und ein zweites Trägersubstrat, Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
DE102020100385A1 (de) * | 2020-01-10 | 2021-07-15 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Leistungsmodul für ein elektrisch angetriebenes Kraftfahrzeug |
EP3926679A1 (de) * | 2020-06-17 | 2021-12-22 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodulanordnung mit einem temperatursensor |
DE102020207708A1 (de) | 2020-06-22 | 2021-12-23 | Zf Friedrichshafen Ag | Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit optimierter Erfassung der Chip-Temperatur |
DE102021202150A1 (de) | 2021-03-05 | 2022-09-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leistungsmodul mit Alterungserkennung |
DE102022206412A1 (de) | 2022-06-27 | 2023-12-28 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Elektronikbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe |
DE102022208171A1 (de) | 2022-08-05 | 2024-02-08 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Anordnung zur Temperaturmessung mindestens eines Bauteils |
WO2024033102A1 (de) * | 2022-08-09 | 2024-02-15 | Magna powertrain gmbh & co kg | Leistungsmodul mit flexibler leiterplatte |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104966713A (zh) * | 2015-06-12 | 2015-10-07 | 电子科技大学 | 一种igbt模块的新型封装结构 |
EP3211668B1 (de) * | 2016-02-23 | 2019-04-17 | ABB Schweiz AG | Anordnung für unterwasserkühlung von halbleitermodulen |
CN110707062A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-01-17 | 富士电机(中国)有限公司 | Igbt模块封装结构及igbt芯片的温度检测方法 |
DE102021202197A1 (de) * | 2021-03-08 | 2022-09-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leistungsmodul mit einem keramischen Schaltungsträger, einer flexiblen Leiterplatte und einem Temperatursensor |
DE102023110340B3 (de) | 2022-07-12 | 2023-10-26 | iCuTech - Anlagenbau GmbH | Verfahren zur Herstellung eines SMD-Leistungshalbleiterbauelementmoduls sowie SMD-Leistungshalbleiterbauelementmodul |
WO2024012807A1 (de) | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Icu-Tech - Anlagenbau Gmbh | Verfahren zur herstellung eines smd-leistungshalbleiterbauelementmoduls sowie smd-leistungshalbleiterbauelementmodul |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19708653A1 (de) * | 1997-03-04 | 1998-09-10 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Bestimmung der Junktion-Temperatur von gehäusten Halbleiterbauelementen |
DE202009017816U1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-05-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
US8013431B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-09-06 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Semiconductor power module package with temperature sensor mounted thereon and method of fabricating the same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4658818B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2011-03-23 | 株式会社山武 | 温度推定方法および装置 |
DE102006015198A1 (de) | 2006-04-01 | 2007-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verbindungseinrichtung für elektronische Bauelemente |
US8941035B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-01-27 | Infineon Technologies Ag | Soldering method |
-
2013
- 2013-07-09 DE DE102013213448.7A patent/DE102013213448B4/de active Active
-
2014
- 2014-07-07 CN CN201410320609.7A patent/CN104282679B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19708653A1 (de) * | 1997-03-04 | 1998-09-10 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Bestimmung der Junktion-Temperatur von gehäusten Halbleiterbauelementen |
US8013431B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-09-06 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Semiconductor power module package with temperature sensor mounted thereon and method of fabricating the same |
DE202009017816U1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-05-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
"Einen Schritt voraus sein: Aufbau- und Verbindungstechnik optimiert Leistungselektronik", in Power Electronics Europe, ISSUE 5 - July/August 2011 |
"POWER MODULES: Power Electronics Packaging Revolution Without Bond Wires, Solder and Thermal Paste", oder in KEM, Oktober 2011, "Leistungselektronik: Aufbau- und Verbindungstechnik ohne Lot und Bonddraht: Klassik und Evolution" |
"SKiN"-Technologie der Fa. Semikron bekannt, wie sie beispielsweise offenbart ist in: elektronik, Mai 2011 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3166141A1 (de) * | 2015-11-04 | 2017-05-10 | Magneti Marelli S.p.A. | Elektronische vorrichtung mit elektronischem leistungsbauelement und direkter erkennung der temperatur eines derartigen bauelements |
US11523498B2 (en) | 2018-01-22 | 2022-12-06 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Circuit board heat sink structure and method therefor |
WO2019141594A1 (de) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Leiterplatten- kühlkörper- aufbau und verfahren hierzu |
DE102018101264A1 (de) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Leiterplatten- Kühlkörper- Aufbau und Verfahren hierzu |
DE102019108988B3 (de) * | 2019-04-05 | 2020-08-13 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung desselben |
US11610830B2 (en) | 2019-04-05 | 2023-03-21 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module and method for fabricating the same |
DE102019126265A1 (de) * | 2019-09-30 | 2021-04-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung umfassend ein erstes Trägersubstrat und ein zweites Trägersubstrat, Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
DE102019126265B4 (de) | 2019-09-30 | 2023-12-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung umfassend ein erstes Trägersubstrat und ein zweites Trägersubstrat, Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
DE102020100385A1 (de) * | 2020-01-10 | 2021-07-15 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Leistungsmodul für ein elektrisch angetriebenes Kraftfahrzeug |
EP3926679A1 (de) * | 2020-06-17 | 2021-12-22 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodulanordnung mit einem temperatursensor |
DE102020207708A1 (de) | 2020-06-22 | 2021-12-23 | Zf Friedrichshafen Ag | Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit optimierter Erfassung der Chip-Temperatur |
DE102021202150A1 (de) | 2021-03-05 | 2022-09-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leistungsmodul mit Alterungserkennung |
DE102022206412A1 (de) | 2022-06-27 | 2023-12-28 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Elektronikbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe |
DE102022208171A1 (de) | 2022-08-05 | 2024-02-08 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Anordnung zur Temperaturmessung mindestens eines Bauteils |
WO2024033102A1 (de) * | 2022-08-09 | 2024-02-15 | Magna powertrain gmbh & co kg | Leistungsmodul mit flexibler leiterplatte |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102013213448B4 (de) | 2021-12-09 |
CN104282679A (zh) | 2015-01-14 |
CN104282679B (zh) | 2017-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102013213448B4 (de) | Elektronikbaugruppe mit Leistungshalbleiter | |
EP3008753B1 (de) | Leistungsmodul | |
DE102008048005B3 (de) | Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung | |
DE102014109816B4 (de) | Leistungshalbleitermodul und System mit mindestens zwei Leistungshalbleitermodulen | |
DE102012211924B4 (de) | Halbleitermodul mit einem in einer Anschlusslasche integrierten Shunt-Widerstand und Verfahren zur Ermittlung eines durch einen Lastanschluss eines Halbleitermoduls fließenden Stromes | |
DE102010029147B4 (de) | Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines Leistungshalbleiters | |
DE102013219571B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit vertikalem Shunt-Widerstand | |
DE10102621B4 (de) | Leistungsmodul | |
DE102014106133A1 (de) | Leistungsmodul mit integriertem Stromsensor | |
DE102015208348B3 (de) | Leistungsmodul sowie Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls | |
WO2012062274A2 (de) | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung eines gesinterten leistungshalbleitermoduls mit temperaturfühler | |
DE112014002061T5 (de) | Halbleitermodul | |
EP3063797B1 (de) | Elektrische schaltung und verfahren zur herstellung einer elektrischen schaltung | |
DE102012200863A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit Grundplatte | |
DE102015108909B4 (de) | Anordnung mehrerer Leistungshalbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102012211952B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem stressreduzierenden Anpasselement | |
DE112018002579T5 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE112014001491T5 (de) | Halbleitermodul | |
DE102015216779B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE10204200A1 (de) | Leistungsmodul | |
DE102012216086A1 (de) | Leistungselektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungselektronikmoduls | |
DE102012013466A1 (de) | Anordnung zur Erfassung der Temperatur eines Kühlkörpers und Elektrogerät | |
EP3117458B1 (de) | Elektrische bauteilanordnung | |
DE102012215656B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE102014203306A1 (de) | Herstellen eines Elektronikmoduls |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |