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Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein elektronisches Gerät mit einem optoelektronischen Bauelement gemäß Patentanspruch 15.
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Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdiodenbauelemente, sind in verschiedenen Ausführungen bekannt. Für zahlreiche Anwendungen ist es erforderlich, optoelektronische Bauelemente mit möglichst platzsparenden Gehäusen auszubilden. Solche optoelektronischen Bauelemente werden häufig als SMT-Bauelemente ausgebildet, die dazu vorgesehen sind, nach einem Verfahren zur Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte eines elektronischen Geräts angeordnet zu werden. Die Gehäuse solcher optoelektronischer Bauelemente müssen eine gewisse Mindestgröße aufweisen, damit das optoelektronische Bauelement gewünschte optische Eigenschaften aufweisen kann. Diese Mindestgröße eines optoelektronischen Bauelements bedingt eine Mindesthöhe eines zur Montage des optoelektronischen Bauelements über einer Leiterplatte erforderlichen Bauraums. Dadurch werden einer möglichen Miniaturisierung eines elektronischen Geräts, das die Leiterplatte aufweist, Grenzen gesetzt.
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein elektronisches Gerät mit einem optoelektronischen Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein elektronisches Gerät mit den Merkmalen des Anspruchs 15 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
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Ein optoelektronisches Bauelement weist ein Gehäuse mit einer Außenfläche auf. Das Gehäuse weist außerdem eine erste Lötkontaktfläche und eine zweite Lötkontaktfläche auf. Die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkontaktfläche weisen in dieselbe Raumrichtung wie die Außenfläche. Dabei sind die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkontaktfläche gegen die Außenfläche zurückversetzt. Vorteilhafterweise kann dieses optoelektronische Bauelement in einer Aussparung einer Leiterplatte eines elektronischen Geräts angeordnet werden, wodurch der für das optoelektronische Bauelement benötigte Bauraum oberhalb der Leiterplatte und unterhalb der Leiterplatte reduziert wird. Dabei können die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkontaktfläche an einer Oberseite der Leiterplatte angeordnete Lötflächen elektrisch kontaktieren. Die Montage des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise nach einem Verfahren zur Oberflächenmontage erfolgen, etwa durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten).
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse eine Oberseite, eine Unterseite, eine erste Stirnseite und eine zweite Stirnseite auf. An der Oberseite weist das Gehäuse einen Chipaufnahmeraum auf, in dem ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet ist. Die erste Stirnseite und die zweite Stirnseite erstrecken sich jeweils in eine Aufwärtsrichtung zwischen der Unterseite und der Oberseite. An der ersten Stirnseite ist ein auskragender erster Kontaktsteg ausgebildet. An der zweiten Stirnseite ist ein auskragender zweiter albleiterchips HKontaktsteg ausgebildet. Der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg weisen in eine senkrecht zur Aufwärtsrichtung orientierte Querrichtung eine geringere Breite auf als die erste Stirnseite und die zweite Stirnseite. Die erste Lötkontaktfläche ist an dem ersten Kontaktsteg ausgebildet. Die zweite Lötkontaktfläche ist an dem zweiten Kontaktsteg ausgebildet. Vorteilhafterweise kann dieses optoelektronische Bauelement sich mittels seiner Kontaktstege am Rand einer Aussparung einer Leiterplatte abstützen, während ein voluminöserer Teil des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements platzsparend in der Aussparung der Leiterplatte angeordnet ist. Die Kontaktstege können dabei vorteilhafterweise gleichzeitig zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements dienen.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg in Querrichtung unzentriert an der ersten Stirnseite und an der zweiten Stirnseite angeordnet. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, einen wesentlichen Anteil des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements in einer Aussparung einer Leiterplatte unterhalb eines Niveaus einer Oberseite der Leiterplatte anzuordnen, während der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg des optoelektronischen Bauelements über der Oberseite der Leiterplatte angeordnet und dort elektrisch kontaktiert sind.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg in Querrichtung höchstens halb so breit wie die erste Stirnseite und die zweite Stirnseite. Vorteilhafterweise ermöglicht dies, den wesentlichen Teil des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements im Wesentlichen symmetrisch zwischen einer Oberseite und einer Unterseite einer Leiterplatte in einer Aussparung der Leiterplatte anzuordnen. Hierdurch wird der für das optoelektronische Bauelement auf beiden Seiten der Leiterplatte erforderliche Bauraum vorteilhafterweise minimiert.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Chipaufnahmeraum als im Wesentlichen trichterförmige Vertiefung ausgebildet. Vorteilhafterweise ist der im Chipaufnahmeraum angeordnete optoelektronische Halbleiterchip dadurch vor einer mechanischen Beschädigung geschützt. Außerdem kann die trichterförmige Vertiefung des Chipaufnahmeraums vorteilhafterweise eine Strahlbündelung einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Kontaktsteg eine erste Metallisierung auf, die sich über die erste Lötkontaktfläche erstreckt. Dabei weist der zweite Kontaktsteg eine zweite Metallisierung auf, die sich über die zweite Lötkontaktfläche erstreckt. Der optoelektronische Halbleiterchip ist dabei elektrisch leitend mit der ersten Metallisierung und mit der zweiten Metallisierung verbunden. Vorteilhafterweise kann der optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements dadurch über die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkontaktfläche elektrisch kontaktiert werden.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich die erste Metallisierung über alle Außenflächen des ersten Kontaktstegs. Alternativ oder zusätzlich kann sich die zweite Metallisierung über alle Außenflächen des zweiten Kontaktstegs erstrecken. Vorteilhafterweise kann ein Lot bei einer elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements dadurch neben den seitlichen Lötkontaktflächen auch weitere Außenflächen der Kontaktstege benetzen und elektrisch kontaktieren, wodurch eine niederohmige und zuverlässige elektrisch leitende Verbindung zu dem optoelektronischen Bauelement sichergestellt werden kann.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip durch einen Bonddraht elektrisch leitend mit der ersten Metallisierung verbunden. Vorteilhafterweise ist die elektrisch leitende Verbindung dadurch einfach und automatisiert herstellbar.
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In einer Ausführungsform es optoelektronischen Bauelements bildet die zweite Metallisierung im Bereich des Chipaufnahmeraums einen optischen Reflektor. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch eine hohe Lichtausbeute erreichen. Durch die Doppelfunktion der zweiten Metallisierung als optischer Reflektor und als elektrischer Leiter ist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise besonders einfach und kostengünstig herstellbar.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse eine Unterseite aufweist. Dabei weist das Gehäuse außerdem eine dritte Lötkontaktfläche und eine vierte Lötkontaktfläche auf. Die dritte Lötkontaktfläche und die vierte Lötkontaktfläche weisen in dieselbe Raumrichtung wie die Unterseite. Die dritte Lötkontaktfläche und die vierte Lötkontaktfläche sind gegen die Unterseite zurückversetzt. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch auch derart in einer Aussparung einer Leiterplatte angeordnet werden, dass die dritte Lötkontaktfläche und die vierte Lötkontaktfläche einer Oberseite der Leiterplatte zugewandt und mittels Lötverbindungen mit Lötflächen der Leiterplatte verbunden sind. Ein voluminöser Teil des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements ist dabei platzsparend in der Aussparung der Leiterplatte angeordnet, wodurch sich der für das optoelektronische Bauelement benötigte Bauraum oberhalb und unterhalb der Leiterplatte verringert.
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Bei einer Anordnung des optoelektronischen Bauelements, bei der die dritte Lötkontaktfläche und die vierte Lötkontaktfläche der Oberseite der Leiterplatte zugewandt sind, sind das Gehäuse und der im Chipaufnahmeraum des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeordnete optoelektronische Halbleiterchip gegenüber einer Anordnung des optoelektronischen Bauelements, bei der die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkontaktfläche des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements der Oberseite der Leiterplatte zugewandt sind, um 90° gedreht. Somit unterscheidet sich auch eine Abstrahlrichtung des optoelektronischen Bauelements in den beiden Anordnungen des optoelektronischen Bauelements um 90°. Das optoelektronische Bauelement kann vorteilhafterweise also sowohl in einer Toplooker-Anordnung montiert werden, in der eine Abstrahlrichtung senkrecht zu einer Oberseite einer Leiterplatte orientiert ist, als auch in einer Sidelooker-Anordnung, in der die Abstrahlrichtung des optoelektronischen Bauelements parallel zur Oberseite der Leiterplatte orientiert ist.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg in Aufwärtsrichtung eine geringere Höhe auf als die erste Stirnseite und die zweite Stirnseite. Dabei ist die dritte Lötkontaktfläche an dem ersten Kontaktsteg ausgebildet. Die vierte Lötkontaktfläche ist an dem zweiten Kontaktsteg ausgebildet. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch derart in einer Aussparung einer Leiterplatte angeordnet werden, dass sich die Kontaktstege des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements an einem Rand der Aussparung abstützen und die dritte Lötkontaktfläche und die vierte Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements mit Lötflächen der Leiterplatte in Kontakt stehen, während ein voluminöserer Gehäuseteil des optoelektronischen Bauelements zwischen dem ersten Kontaktsteg und dem zweiten Kontaktsteg platzsparend in der Aussparung der Leiterplatte angeordnet ist.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg in Aufwärtsrichtung unzentriert an der ersten Stirnseite und der zweiten Stirnseite angeordnet. Vorteilhafterweise kann dadurch ein wesentlicher Volumenanteil des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements unterhalb eines Niveaus einer Oberseite einer Leiterplatte in einer Aussparung einer Leiterplatte angeordnet sein, während der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements über der Oberseite der Leiterplatte angeordnet und die dritte und vierte Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements der Oberseite der Leiterplatte zugewandt sind.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg in Aufwärtsrichtung höchstens halb so hoch wie die erste Stirnseite und die zweite Stirnseite. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine Anordnung des optoelektronischen Bauelements in einer Aussparung einer Leiterplatte, bei der das Volumen des optoelektronischen Bauelements etwa symmetrisch zwischen einer Oberseite und einer Unterseite der Leiterplatte in der Aussparung der Leiterplatte angeordnet ist. Dadurch wird der für das optoelektronische Bauelement benötigte Bauraum auf beiden Seiten der Leiterplatte vorteilhafterweise minimiert.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse ein elektrisch isolierendes Kunststoffmaterial auf. Vorteilhafterweise kann das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements kostengünstig durch beispielsweise ein Spritzgussverfahren hergestellt werden. Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise durch ein MID-Verfahren hergestellt werden.
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Ein elektronisches Gerät umfasst eine Leiterplatte, die eine Aussparung aufweist. Dabei ist ein optoelektronisches Bauelement der beschriebenen Art in der Aussparung angeordnet. Vorteilhafterweise benötigt das optoelektronische Bauelement bei diesem elektronischen Gerät einen sehr geringen Bauraum oberhalb und unterhalb der Leiterplatte. Dadurch kann das elektronische Gerät vorteilhafterweise besonders kompakt ausgebildet sein.
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Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die in Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung:
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1 eine perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements;
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2 eine Seitenansicht eines ersten elektronischen Geräts mit dem optoelektronischen Bauelement in einer ersten Anordnung;
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3 eine Seitenansicht eines zweiten elektronischen Geräts mit dem optoelektronischen Bauelement in einer zweiten Anordnung; und
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4 eine Seitenansicht eines dritten elektronischen Geräts mit dem optoelektronischen Bauelement in einer dritten Anordnung.
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1 zeigt eine leicht schematisierte perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 100. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein.
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Das optoelektronische Bauelement 100 weist ein Gehäuse 200 auf. Das Gehäuse 200 weist ein elektrisch isolierendes Material auf und ist abschnittsweise mit einem elektrisch leitenden Material beschichtet. Das elektrisch isolierende Material ist bevorzugt ein Kunststoffmaterial. Das Gehäuse 200 des optoelektronischen Bauelements 100 kann beispielsweise nach einem Verfahren der MID-Technologie hergestellt sein.
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Das Gehäuse 200 des optoelektronischen Bauelements 100 weist einen im Wesentlichen quaderförmigen Grundkörper mit einer Oberseite 210, einer der Oberseite 210 gegenüberliegenden Unterseite 220, einer ersten Seitenfläche 230, einer der ersten Seitenfläche 230 gegenüberliegenden zweiten Seitenfläche 240, einer ersten Stirnseite 250 und einer der ersten Stirnseite 250 gegenüberliegenden zweiten Stirnseite 260 auf. Die Oberseite 210 des Gehäuses 200 ist in einer Aufwärtsrichtung 10 oberhalb der Unterseite 220 angeordnet. Die erste Seitenfläche 230 und die zweite Seitenfläche 240 erstrecken sich in Aufwärtsrichtung 10 zwischen der Unterseite 220 und der Oberseite 210. Außerdem erstrecken sich die erste Seitenfläche 230 und die zweite Seitenfläche 240 in einer zur Aufwärtsrichtung 10 senkrechten Längsrichtung 30 zwischen der zweiten Stirnseite 260 und der ersten Stirnseite 250. Die erste Stirnseite 250 und die zweite Stirnseite 260 erstrecken sich in Aufwärtsrichtung 10 zwischen der Unterseite 220 und der Oberseite 210 des Gehäuses 200. Außerdem erstrecken sich die erste Stirnseite 250 und die zweite Stirnseite 260 in einer zur Aufwärtsrichtung 10 und zur Längsrichtung 30 senkrechten Querrichtung 20 zwischen der zweiten Seitenfläche 240 und der ersten Seitenfläche 230. Somit ist die Aufwärtsrichtung 10 senkrecht zur Oberseite 210 orientiert. Die Querrichtung 20 ist senkrecht zur ersten Seitenfläche 230 orientiert. Die Längsrichtung 30 ist senkrecht zur ersten Stirnseite 250 orientiert.
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In Querrichtung 20 weisen die erste Stirnseite 250 und die zweite Stirnseite 260 jeweils eine Breite 251 auf. In Aufwärtsrichtung 10 weisen die erste Stirnseite 250 und die zweite Stirnseite 260 jeweils eine Höhe 252 auf.
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Die erste Seitenfläche 230 und die zweite Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 können Sägeflächen sein, entlang derer das Gehäuse 200 während seiner Herstellung von weiteren gleichartigen Gehäusen getrennt worden ist.
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An der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein erster Kontaktsteg 300 ausgebildet. Der erste Kontaktsteg 300 weist eine etwa quaderförmige Grundform auf und ist senkrecht zur ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200 orientiert. Außenkanten und Außenflächen des ersten Kontaktstegs 300 verlaufen im Wesentlichen parallel zu Außenkanten und Außenflächen des etwa quaderförmigen Grundkörpers des Gehäuses 200.
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Der erste Kontaktsteg 300 weist eine erste äußere Oberseite 310 und eine der ersten äußeren Oberseite 310 gegenüberliegende erste äußere Unterseite 320 auf. Ferner weist der erste Kontaktsteg 300 eine erste innere Seitenfläche 330 und eine der ersten inneren Seitenfläche 330 gegenüberliegende erste äußere Seitenfläche 340 auf. Außerdem weist der erste Kontaktsteg 300 eine erste äußere Stirnseite 350 auf. Die erste äußere Oberseite 310 ist parallel zur Oberseite 210 des etwa quaderförmigen Grundkörpers des Gehäuses 200 orientiert und weist wie diese in die Aufwärtsrichtung 10. Die erste äußere Unterseite 320 ist parallel zur Unterseite 220 des Gehäuses 200 in eine der Aufwärtsrichtung 10 entgegengesetzte Raumrichtung orientiert. Die erste innere Seitenfläche 330 des ersten Kontaktstegs 300 ist parallel zur ersten Seitenfläche 230 des Gehäuses 200 orientiert und weist in die Querrichtung 20. Die erste äußere Seitenfläche 340 ist parallel zur zweiten Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 in eine der Querrichtung 20 entgegengesetzte Raumrichtung orientiert. Die erste äußere Stirnseite 350 weist, wie die erste Stirnseite 250 des Gehäuses 200, in die Längsrichtung 30.
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In Querrichtung 20 weist die erste äußere Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300 eine Breite 351 auf, die geringer als die Breite 251 der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200 ist. In Aufwärtsrichtung 10 weist die erste äußere Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300 eine Höhe 352 auf, die geringer als die Höhe 252 der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200 ist. Bevorzugt beträgt die Breite 351 der ersten äußeren Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300 weniger als die Hälfte der Breite 251 der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200. Auch die Höhe 352 der ersten äußeren Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300 beträgt bevorzugt weniger als die Hälfte der Höhe 252 der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200. Somit bedeckt der erste Kontaktsteg 300 lediglich einen Teil der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200, bevorzugt weniger als ein Viertel der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200.
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Der erste Kontaktsteg 300 ist bevorzugt weder in Aufwärtsrichtung 10 noch in Querrichtung 20 zentriert an der ersten Stirnseite 250 des Gehäuses 200 angeordnet. Im in 1 dargestellten Beispiel schließt die erste äußere Oberseite 310 des ersten Kontaktstegs 300 bündig an die Oberseite 210 des Gehäuses 200 an. Die erste äußere Unterseite 320 ist in Aufwärtsrichtung 10 gegenüber der Unterseite 220 des Gehäuses 200 zurückversetzt. Die erste äußere Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300 ist in Querrichtung 20 leicht gegen die zweite Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 zurückversetzt. Die erste äußere Seitenfläche 340 könnte jedoch auch bündig an die zweite Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 anschließen. Die erste innere Seitenfläche 330 ist in Querrichtung 20 deutlich gegen die erste Seitenfläche 230 zurückversetzt.
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An der zweiten Stirnseite 260 des quaderförmigen Grundkörpers des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist ein zweiter Kontaktsteg 400 ausgebildet. Der zweite Kontaktsteg 400 ist im Wesentlichen spiegelsymmetrisch zum ersten Kontaktsteg 300 ausgebildet. Der zweite Kontaktsteg 400 weist eine zweite äußere Oberseite 410 und eine der zweiten äußeren Oberseite 410 gegenüberliegende zweite äußere Unterseite 420 auf. Weiter weist der zweite Kontaktsteg 400 eine zweite innere Seitenfläche 430 und eine der zweiten inneren Seitenfläche 430 gegenüberliegende zweite äußere Seitenfläche 440 auf. Außerdem weist der zweite Kontaktsteg 400 eine zweite äußere Stirnseite 460 auf. Die zweite äußere Oberseite 410 ist wie die erste äußere Oberseite 310 des ersten Kontaktstegs 300 orientiert. Die zweite äußere Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 ist wie die erste äußere Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300 orientiert. Die zweite innere Seitenfläche 430 des zweiten Kontaktstegs 400 ist wie die erste innere Seitenfläche 330 des ersten Kontaktstegs 300 orientiert. Die zweite äußere Seitenfläche 440 ist wie die erste äußere Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300 orientiert. Die zweite äußere Stirnseite 460 ist parallel zur zweiten Stirnseite 260 des etwa quaderförmigen Grundkörpers des Gehäuses 200 orientiert und weist wie diese in eine der Längsrichtung 30 entgegengesetzte Raumrichtung.
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Die zweite äußere Stirnseite 460 weist dieselbe Breite 351 wie die erste äußere Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300 auf. Außerdem weist die zweite äußere Stirnseite 460 des zweiten Kontaktstegs 400 dieselbe Höhe 352 wie die erste äußere Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300 auf. Die zweite äußere Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 ist, wie die erste äußere Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300, gegenüber der Unterseite 220 des Gehäuses 200 in Aufwärtsrichtung 10 zurückversetzt. Die zweite innere Seitenfläche 430 des zweiten Kontaktstegs 400 ist, wie die erste innere Seitenfläche 330 des ersten Kontaktstegs 300, in Querrichtung 20 gegen die erste Seitenfläche 230 des Gehäuses 200 zurückversetzt.
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An der Oberseite 210 des Gehäuses 200 ist ein Chipaufnahmeraum 270 ausgebildet. Der Chipaufnahmeraum 270 erstreckt sich von der Oberseite 210 des Gehäuses 200 in das Gehäuse 200 hinein. Dabei verjüngt sich der Chipaufnahmeraum 270 trichterförmig. Im dargestellten Beispiel weist der Chipaufnahmeraum 270 eine Kegelstumpfform auf, deren kreisscheibenförmiger Querschnitt sich von der Oberseite 210 des Gehäuses 200 in das Gehäuse 200 hinein reduziert. Der Chipaufnahmeraum 270 weist einen Bodenbereich 271 auf, der eine Deckfläche des kegelstumpfförmigen Chipaufnahmeraums 270 bildet. Eine Seitenwandung 272 bildet eine Mantelfläche des kegelstumpfförmigen Chipaufnahmeraums 270.
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An der Oberseite 210 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist ferner ein Bondkontaktraum 280 ausgebildet. Der Bondkontaktraum 280 wird durch eine Vertiefung an der Oberseite 210 des Gehäuses 200 gebildet, die an den Chipaufnahmeraum 270 angrenzt. Die Tiefe der den Bondkontaktraum 280 bildenden Vertiefung reicht im dargestellten Beispiel nicht an die Tiefe des Chipaufnahmeraums 270 heran. Der Bondkontaktraum 280 kann aber auch anders als dargestellt ausgebildet werden.
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Das Gehäuse 200 des optoelektronischen Bauelements 100 weist elektrisch leitende Beschichtungen auf, die eine erste Metallisierung 370 und eine zweite Metallisierung 470 bilden. Die erste Metallisierung 370 und die zweite Metallisierung 470 können beispielsweise nach einem Verfahren der MID-Technologie an den Außenflächen des Gehäuses 200 angeordnet worden sein. Die erste Metallisierung 370 und die zweite Metallisierung 470 bilden jeweils zusammenhängende elektrisch leitende Flächen. Die erste Metallisierung 370 und die zweite Metallisierung 470 sind gegeneinander elektrisch isoliert.
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Die zweite Metallisierung 470 bedeckt die Seitenwandung 272 und den Bodenbereich 271 des Chipaufnahmeraums 270, die zweite äußere Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400, die zweite innere Seitenfläche 430 des zweiten Kontaktstegs 400 und die zweite äußere Seitenfläche 440 des zweiten Kontaktstegs 400. An der zweiten äußeren Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 bildet die zweite Metallisierung 470 eine zweite untere Lötkontaktfläche 421. An der zweiten inneren Seitenfläche 430 des zweiten Kontaktstegs 400 bildet die zweite Metallisierung 470 eine zweite seitliche Lötkontaktfläche 431. An der zweiten äußeren Seitenfläche 440 des zweiten Kontaktstegs 400 bildet die zweite Metallisierung 470 eine zweite äußere Lötkontaktfläche 441.
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Die zweite Metallisierung 470 kann noch weitere Teile der Oberfläche des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 bedecken. Im dargestellten Beispiel bedeckt die zweite Metallisierung 470 beispielsweise die zweite Stirnseite 260 des Gehäuses 200, einen Teil der Oberseite 210 des Gehäuses 200, einen Teil der ersten Seitenfläche 230 des Gehäuses 200, einen Teil der zweiten Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 und einen Teil der Unterseite 220 des Gehäuses 200. Außerdem bedeckt die zweite Metallisierung 470 auch die zweite äußere Oberseite 410 des zweiten Kontaktstegs 400 und die zweite äußere Stirnseite 460 des zweiten äußeren Kontaktstegs 400. Der zweite äußere Kontaktsteg 400 ist somit vollständig durch die zweite Metallisierung 470 bedeckt.
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Die erste Metallisierung 370 bedeckt einen Teil des Bondkontaktraums 280 des Gehäuses 200, die erste äußere Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300, die erste innere Seitenfläche 330 des ersten Kontaktstegs 300 und die erste äußere Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300. Im Bereich der ersten äußeren Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300 bildet die erste Metallisierung 370 eine erste untere Lötkontaktfläche 321. Im Bereich der ersten inneren Seitenfläche 330 des ersten Kontaktstegs 300 bildet die erste Metallisierung 370 eine erste seitliche Lötkontaktfläche 331. Im Bereich der ersten äußeren Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300 bildet die erste Metallisierung 370 eine erste äußere Lötkontaktfläche 341.
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Die erste Metallisierung 370 kann noch weitere Teile der Oberfläche des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 bedecken. Im dargestellten Beispiel bedeckt die erste Metallisierung 370 zusätzlich einen Teil der Oberseite 210 des Gehäuses 200, einen Teil der ersten Seitenfläche 230 des Gehäuses 200, einen Teil der zweiten Seitenfläche 240 des Gehäuses 200, einen Teil der Unterseite 220 des Gehäuses 200 und die erste Stirnseite 250 des Gehäuses 200. Außerdem bedeckt die erste Metallisierung 370 die erste äußere Oberseite 310 des ersten Kontaktstegs 300 und die erste äußere Stirnseite 350 des ersten Kontaktstegs 300. Der erste Kontaktsteg 300 ist somit vollständig durch die erste Metallisierung 370 bedeckt.
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Im Chipaufnahmeraum 270 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 500 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 weist eine Oberseite 510 und eine der Oberseite 510 gegenüberliegende Unterseite 520 auf. An der Oberseite 510 und der Unterseite 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 sind je ein elektrischer Kontakt zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung in eine senkrecht zur Oberseite 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 orientierte Abstrahlrichtung 530 abzustrahlen, wenn der optoelektronische Halbleiterchip 500 über seine elektrischen Kontakte mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt wird.
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Der optoelektronische Halbleiterchip 500 ist derart im Bodenbereich 210 des Chipaufnahmeraums 270 des Gehäuses 200 angeordnet, dass die Unterseite 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 dem Bodenbereich 271 zugewandt ist. Dabei ist der an der Unterseite 520 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordnete elektrische Kontakt elektrisch leitend mit der im Bodenbereich 271 des Chipaufnahmeraums 270 des Gehäuses 200 angeordneten zweiten Metallisierung 470 verbunden. Zwischen dem an der Oberseite 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten elektrischen Kontakt des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und dem Bondkontaktraum 280 erstreckt sich ein Bonddraht 281, der den an der Oberseite 510 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten elektrischen Kontakt elektrisch leitend mit der ersten Metallisierung 370 verbindet.
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Durch die Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips 500 am Bodenbereich 271 des Chipaufnahmeraums 270 des Gehäuses 200 ist die Abstrahlrichtung 530 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 etwa parallel zur Aufwärtsrichtung 10 orientiert. Der an der Seitenwandung 272 des Chipaufnahmeraums 270 angeordnete Teil der zweiten Metallisierung 470 kann als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 500 emittierte elektromagnetische Strahlung dienen. Elektromagnetische Strahlung, die von dem optoelektronischen Halbleiterchip 500 schräg zur Aufwärtsrichtung 10 abgestrahlt wird, kann an der zweiten Metallisierung 470 im Bereich der Seitenwandung 272 des Chipaufnahmeraums 270 reflektiert und dadurch ungefähr in Abstrahlrichtung 530 gebündelt werden. Diese Strahlbündelung wird durch die Kegelstumpfform des Chipaufnahmeraums 270 unterstützt.
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2 zeigt eine leicht schematisierte Darstellung eines ersten elektronischen Geräts 110. Nicht alle Teile des ersten elektronischen Geräts 110 sind in 2 dargestellt. Das erste elektronische Gerät 110 kann beispielsweise ein elektronisches Gerät mit kompakten äußeren Abmessungen und daher nur begrenzt zur Verfügung stehendem Bauraum sein. Das erste elektronische Gerät 110 weist das optoelektronische Bauelement 100 der 1 auf.
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Das erste elektronische Gerät 110 umfasst eine Leiterplatte 600. Die Leiterplatte 600 kann auch als Platine bezeichnet werden. Die Leiterplatte 600 ist in 2 in einer geschnittenen Seitenansicht dargestellt. Die Leiterplatte 600 weist eine Oberseite 610 und eine der Oberseite 610 gegenüberliegende Unterseite 620 auf. Die Leiterplatte 600 weist ferner eine Aussparung 630 auf, die einen Durchbruch zwischen der Oberseite 610 und der Unterseite 620 bildet. An der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 sind auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Aussparung 630 eine erste Lötfläche 611 und eine zweite Lötfläche 612 angeordnet. An der Oberseite 610 können noch weitere Lötflächen und Leiterbahnen vorhanden sein, die in 2 nicht gezeigt sind.
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Das optoelektronische Bauelement 100 ist in 2 leicht vereinfacht ohne den optoelektronischen Halbleiterchip 500 und den Bonddraht 281 dargestellt. Das optoelektronische Bauelement 100 ist derart im Bereich der Aussparung 630 der Leiterplatte 600 angeordnet, dass die erste Seitenfläche 230 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 in die gleiche Raumrichtung weist wie die Unterseite 620 der Leiterplatte 600. Die zweite Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 weist in dieselbe Raumrichtung wie die Oberseite 610 der Leiterplatte 600. Dadurch ist die Oberseite 210 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 senkrecht zur Oberseite 610 der Leiterplatte 600 orientiert. Die Abstrahlrichtung 530 des optoelektronischen Halbleiterchips 500 des optoelektronischen Bauelements 100 verläuft damit parallel zur Oberseite 610 der Leiterplatte 600. Die in 2 gezeigte Orientierung des optoelektronischen Bauelements 100 bezüglich der Leiterplatte 600 des ersten elektronischen Geräts 110 kann als Sidelooker-Anordnung bezeichnet werden.
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Der etwa quaderförmige Grundkörper des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 110 ist derart im Bereich der Aussparung 630 angeordnet, dass die erste Stirnseite 250 und die zweite Stirnseite 260 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 110 jeweils einem Seitenrand der Aussparung 630 zugewandt sind. Die zweite Seitenfläche 240 des Gehäuses 200 ist oberhalb der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 angeordnet. Die erste Seitenfläche 230 des Gehäuses 200 ist unterhalb der Unterseite 620 der Leiterplatte 600 angeordnet.
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Der erste Kontaktsteg 300 und der zweite Kontaktsteg 400 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 stützen sich an der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 ab. Dabei ist die erste innere Seitenfläche 330 mit der ersten seitlichen Lötkontaktfläche 331 des ersten Kontaktstegs 300 der ersten Lötfläche 611 an der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 zugewandt. Die zweite innere Seitenfläche 430 mit der zweiten seitlichen Lötkontaktfläche 431 des zweiten Kontaktstegs 400 ist der zweiten Lötfläche 612 an der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 zugewandt.
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Zwischen der ersten seitlichen Lötkontaktfläche 331 des ersten Kontaktstegs 300 des optoelektronischen Bauelements 100 und der ersten Lötfläche 611 der Leiterplatte 600 besteht eine erste Lötverbindung. Zwischen der zweiten seitlichen Lötkontaktfläche 431 des optoelektronischen Bauelements 100 und der zweiten Lötfläche 612 der Leiterplatte 600 besteht eine zweite Lötverbindung. Bevorzugt bedeckt ein Lot 613 im Bereich der ersten Lötverbindung nicht lediglich einen Teil der ersten seitlichen Lötkontaktfläche 331 des optoelektronischen Bauelements 100, sondern auch Teile der ersten äußeren Stirnseite 350 und/oder der ersten äußeren Oberseite 310 und/oder der ersten äußeren Unterseite 320 mit der ersten unteren Lötkontaktfläche 321 des optoelektronischen Bauelements 100. Hierdurch kann die erste Lötverbindung eine hohe mechanische Stabilität und einen geringen elektrischen Widerstand aufweisen. Entsprechend bedeckt auch im Bereich der zweiten Lötverbindung ein Lot 613 bevorzugt nicht nur einen Teil der zweiten seitlichen Lötkontaktfläche 431 an der zweiten inneren Seitenfläche 430 des optoelektronischen Bauelements 100, sondern auch Teile der zweiten äußeren Stirnseite 460 und/oder der zweiten äußeren Oberseite 410 und/oder der zweiten äußeren Unterseite 420 mit der zweiten unteren Lötkontaktfläche 421 des optoelektronischen Bauelements 100.
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In der in 2 gezeigten Anordnung des optoelektronischen Bauelements 100 im Bereich der Aussparung 630 der Leiterplatte 600 des ersten elektronischen Geräts 110 ist der für das optoelektronische Bauelement 100 benötigte Bauraum oberhalb der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 und unterhalb der Unterseite 620 der Leiterplatte 600 besonders gering, da im Bereich der Aussparung 630 die Dicke der Leiterplatte 600 zwischen ihrer Oberseite 610 und ihrer Unterseite 620 ausgenutzt wird. Hierdurch kann das erste elektronische Gerät 110 mit besonders kompakten Abmessungen ausgebildet sein.
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3 zeigt eine leicht schematisierte Darstellung eines zweiten elektronischen Geräts 120. Auch vom zweiten elektronischen Gerät 120 sind nicht alle Komponenten dargestellt.
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Das zweite elektronische Gerät 120 weist eine Leiterplatte 600 mit einer Oberseite 610 und einer der Oberseite 610 gegenüberliegenden Unterseite 620 auf. An der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 sind eine erste Lötfläche 611 und eine zweite Lötfläche 612 angeordnet. Die Leiterplatte 600 weist jedoch keine Aussparung auf.
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Über der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 ist das optoelektronische Bauelement 100 der 1 in einer Sidelooker-Anordnung angeordnet. Die Abstrahlrichtung 530 des in 3 nicht dargestellten optoelektronischen Halbleiterchips 500 des optoelektronischen Bauelements 100 ist parallel zur Oberseite 610 der Leiterplatte 600 des zweiten elektronischen Geräts 120 orientiert. Die zweite Seitenfläche 240 des Gehäuses 200, die erste äußere Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300 und die zweite äußere Seitenfläche 440 des zweiten Kontaktstegs 400 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 sind der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 zugewandt. Zwischen der ersten äußeren Lötkontaktfläche 341 an der ersten äußeren Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300 und der ersten Lötfläche 611 der Leiterplatte 600 besteht eine erste Lötverbindung. Zwischen der zweiten äußeren Lötkontaktfläche 441 der zweiten äußeren Seitenfläche 440 des zweiten Kontaktstegs 400 und der zweiten Lötfläche 612 der Leiterplatte 600 besteht eine zweite Lötverbindung. Bevorzugt bedeckt ein Lot 613 im Bereich der ersten Lötverbindung nicht nur einen Teil der ersten äußeren Lötkontaktfläche 341 an der ersten äußeren Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 340, sondern auch einen Teil der ersten äußeren Stirnseite 350 und/oder einen Teil der ersten äußeren Oberseite 310 und/oder einen Teil der ersten unteren Lötkontaktfläche 321 an der ersten äußeren Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300. Außerdem bedeckt ein Lot 613 im Bereich der zweiten Lötverbindung bevorzugt nicht nur einen Teil der zweiten äußeren Lötkontaktfläche 441 an der zweiten äußeren Seitenfläche 440 des zweiten Kontaktstegs 400, sondern auch Teile der zweiten äußeren Stirnseite 460 und/oder der zweiten äußeren Oberseite 410 und/oder der zweiten unteren Lötkontaktfläche 421 an der zweiten äußeren Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 des optoelektronischen Bauelements 100. Dadurch können die Lötverbindungen wiederum eine hohe mechanische Robustheit und niedrige elektrische Widerstände aufweisen.
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4 zeigt eine schematische Darstellung von Teilen eines dritten elektronischen Geräts 130. Auch das dritte elektronische Gerät 130 kann ein elektronisches Gerät mit kompakten äußeren Abmessungen und begrenztem inneren Bauraum sein.
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Das dritte elektronische Gerät 130 weist eine in geschnittener Seitenansicht dargestellte Leiterplatte 600 mit einer Oberseite 610 und einer der Oberseite 610 gegenüberliegenden Unterseite 620 auf. Die Leiterplatte 600 weist eine Aussparung 630 auf, die als Durchbruch zwischen der Oberseite 610 und der Unterseite 620 ausgebildet ist. An der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 sind zu beiden Seiten der Aussparung 630 eine erste Lötfläche 611 und eine zweite Lötfläche 612 angeordnet.
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Das optoelektronische Bauelement 100 der 1 ist im Bereich der Aussparung 630 der Leiterplatte 600 des dritten elektronischen Geräts 130 in einer Toplooker-Anordnung angeordnet. Die Abstrahlrichtung 530 des in 4 nicht sichtbaren optoelektronischen Halbleiterchips 500 des optoelektronischen Bauelements 100 ist senkrecht zur Oberseite 610 der Leiterplatte 600 orientiert und weist in dieselbe Raumrichtung wie die Oberseite 610 der Leiterplatte 600.
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Die Oberseite 210 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist parallel zur Oberseite 610 der Leiterplatte 600 orientiert und oberhalb der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 angeordnet. Die Unterseite 220 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist unterhalb der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 angeordnet. Der im Wesentlichen quaderförmige Grundkörper des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist derart im Bereich der Aussparung 630 der Leiterplatte 600 angeordnet, dass die erste Stirnseite 250 und die zweite Stirnseite 260 des Gehäuses 200 jeweils Seitenrändern der Aussparung 630 zugewandt sind. Hierdurch wird die Dicke der Leiterplatte 600 zwischen ihrer Oberseite 610 und ihrer Unterseite 620 ausgenutzt, wodurch sich eine besonders platzsparende Anordnung des optoelektronischen Bauelements 100 ergibt, bei der ein benötigter Bauraum oberhalb der Oberseite 610 und unterhalb der Unterseite 620 der Leiterplatte 600 besonders gering ist.
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Der erste Kontaktsteg 300 des optoelektronischen Bauelements 100 und der zweite Kontaktsteg 400 des optoelektronischen Bauelements 100 stützen sich außerhalb der Aussparung 630 derart an der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 ab, dass die erste äußere Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300 und die zweite äußere Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 der Oberseite 610 der Leiterplatte 600 zugewandt sind. Zwischen der ersten unteren Lötkontaktfläche 321 an der ersten äußeren Unterseite 320 des ersten Kontaktstegs 300 und der ersten Lötfläche 611 der Leiterplatte 600 besteht eine erste Lötverbindung. Zwischen der zweiten unteren Lötkontaktfläche 421 an der zweiten äußeren Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 und der zweiten Lötfläche 612 der Leiterplatte 600 besteht eine zweite Lötverbindung. Wiederum bedeckt Lot 613 der ersten Lötverbindung neben einem Teil der ersten unteren Lötkontaktfläche 321 bevorzugt auch Teile der ersten äußeren Stirnseite 350 und/oder der ersten seitlichen Lötkontaktfläche 331 an der ersten inneren Seitenfläche 330 und/oder der ersten äußeren Lötkontaktfläche 341 der ersten äußeren Seitenfläche 340 des ersten Kontaktstegs 300. Entsprechend bedeckt Lot 613 der zweiten Lötverbindung neben Teilen der zweiten unteren Lötkontaktfläche 421 an der zweiten äußeren Unterseite 420 des zweiten Kontaktstegs 400 auch Teile der zweiten äußeren Stirnseite 460 und/oder der zweiten seitlichen Lötkontaktfläche 431 an der zweiten inneren Seitenfläche 430 und/oder der zweiten äußeren Lötkontaktfläche 441 der zweiten äußeren Seitenfläche 440 des zweiten Kontaktstegs 400.
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Es ist möglich, den ersten Kontaktsteg 300 und den zweiten Kontaktsteg 400 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 mit einer Breite 351 auszubilden, die der Breite 251 der Stirnseiten 250, 260 des Gehäuses 200 entspricht. In diesem Fall erstrecken sich die Kontaktstege 300, 400 in Querrichtung 20 über die gesamten Stirnseiten 250, 260 des Gehäuses 200. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dann in Sidelooker-Anordnung nur oberhalb einer Oberseite 610 einer Leiterplatte 600 angeordnet werden. In Toplooker-Anordnung kann es jedoch, wie in 4 gezeigt, in einer Aussparung 630 einer Leiterplatte 600 angeordnet werden.
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Ferner ist es auch möglich, den ersten Kontaktsteg 300 und den zweiten Kontaktsteg 400 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 jeweils mit einer Höhe 352 auszubilden, die der Höhe 252 der Stirnseiten 250, 260 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 entspricht. Die Kontaktstege 300, 400 erstrecken sich dann in Aufwärtsrichtung 10 über die gesamten Stirnseiten 250, 260 des Gehäuses 200. Das optoelektronische Bauelement 100 kann dann in Sidelooker-Anordnung in einer Aussparung 630 einer Leiterplatte 600 angeordnet werden, wie dies in 2 gezeigt ist, oder über einer Oberseite 610 einer Leiterplatte 600 angeordnet werden, wie dies in 3 gezeigt ist. In einer Toplooker-Anordnung kann das optoelektronische Bauelement ebenfalls über einer Oberseite 610 einer Leiterplatte 600 angeordnet werden.
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Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
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Bezugszeichenliste
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- 10
- Aufwärtsrichtung
- 20
- Querrichtung
- 30
- Längsrichtung
- 100
- Optoelektronisches Bauelement
- 110
- erstes elektronisches Gerät
- 120
- zweites elektronisches Gerät
- 130
- drittes elektronisches Gerät
- 200
- Gehäuse
- 210
- Oberseite
- 220
- Unterseite
- 230
- erste Seitenfläche
- 240
- zweite Seitenfläche
- 250
- erste Stirnseite
- 251
- Breite
- 252
- Höhe
- 260
- zweite Stirnseite
- 270
- Chipaufnahmeraum
- 271
- Bodenbereich
- 272
- Seitenwandung
- 280
- Bondkontaktraum
- 281
- Bonddraht
- 300
- erster Kontaktsteg
- 310
- erste äußere Oberseite
- 320
- erste äußere Unterseite
- 321
- erste untere Lötkontaktfläche
- 330
- erste innere Seitenfläche
- 331
- erste seitliche Lötkontaktfläche
- 340
- erste äußere Seitenfläche
- 341
- erste äußere Lötkontaktfläche
- 350
- erste äußere Stirnseite
- 351
- Breite
- 352
- Höhe
- 370
- erste Metallisierung
- 400
- zweiter albleiterchips HKontaktsteg
- 410
- zweite äußere Oberseite
- 420
- zweite äußere Unterseite
- 421
- zweite untere Lötkontaktfläche
- 430
- zweite innere Seitenfläche
- 431
- zweite seitliche Lötkontaktfläche
- 440
- zweite äußere Seitenfläche
- 441
- zweite äußere Lötkontaktfläche
- 460
- zweite äußere Stirnseite
- 470
- zweite Metallisierung
- 500
- optoelektronischer Halbleiterchip
- 510
- Oberseite
- 520
- Unterseite
- 530
- Abstrahlrichtung
- 600
- Leiterplatte
- 610
- Oberseite
- 611
- erste Lötfläche
- 612
- zweite Lötfläche
- 613
- Lot
- 620
- Unterseite
- 630
- Aussparung