DE102013113175B4 - Struktur mit Mehrlinien-Breite, die mittels Photolithographie erzeugt wird - Google Patents

Struktur mit Mehrlinien-Breite, die mittels Photolithographie erzeugt wird Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Ausbilden eines Merkmals (424) mit einer bestimmten Breite, das Folgendes umfasst: Ausbilden einer Polymerschicht auf einem Substrat (202; 402); Strukturieren der Polymerschicht, zum Ausbilden eines ersten Merkmals (204; 416) und eines zweiten Merkmals (206; 418), wobei das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) durch einen ersten Abstand getrennt sind; Anwenden eines Spülmaterials (302) auf die Polymerschicht, die zumindest einen Teil des ersten Merkmals (204; 416) und zumindest einen Teil des zweiten Merkmals (206; 418) aufweist; Entfernen des Spülmaterials von der Polymerschicht, die zumindest einen Teil des ersten Merkmals (204; 416) und zumindest einen Teil des zweiten Merkmals (206; 418) aufweist, um zu erreichen, dass das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) zu einander in Kontakt treten; und Ausbilden des Merkmals (424) mit der bestimmten Breite, wobei das Ausbilden umfasst: Verwendung des ersten Merkmals (204; 416) und des zweiten Merkmals (206; 418), die zu einander in Kontakt stehen, als Maske zum Ätzen in das Substrat (202; 402), so dass das Merkmal (424) mit der bestimmten Breite ausgebildet wird, wobei die bestimmte Breite ungefähr gleich der Summe der Breite des ersten Merkmals (204; 416), des ersten Abstands und der Breite des zweiten Merkmals (206; 418) ist.

Description

  • GEBIET
  • Die Technologie, die in dieser Offenbarung beschrieben ist, betrifft im Allgemeinen Halbleitervorrichtungen und insbesondere die Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
  • HINTERGRUND
  • Durch die schnelle Entwicklung der Herstellungstechnologie von integrierten Schaltkreisen müssen integrierte Schaltkreiskomponenten mit unterschiedlichen Größen oft auf einem einzelnen Wafer hergestellt werden. Photolithographie, die ein dreidimensionales Bild erzeugt, gestützt auf das strukturierte Belichten und das nachfolgende Entwickeln eines lichtempfindlichen Photoresist auf einer Waferoberfläche, wird oft verwendet, um bestimmte Merkmale mit unterschiedlichen Abmessungen zur Herstellung verschiedener integrierter Schaltkreiskomponenten auf einem einzigen Wafer auszubilden.
  • Weiterer Stand der Technik findet sich in den Druckschriften US 2002/0 132 184 A1 und US 2009/0 144 691 A1 .
  • US 2002/0 132 184 A1 lehrt, dass Photoresistabschnitte bei kleinen Abständen kollabieren können, wodurch die durch die Photoresistabschnitte erzeugte Strukturierung ruiniert ist.
  • US 2009/0 144 691 A1 lehrt das Erzeugen einer Datenbank zum Simulieren von Schaltkreisdefekten, wobei Test-Layouts erzeugt und real umgesetzt werden. Die real umgesetzten Test-Layouts werden hinsichtlich Fehler untersucht, wobei als ein möglicher Fehler auch eine kollabierte Resiststruktur genannt ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Erfindung wird durch die unabhängigen Ansprüche definiert. Bevorzugte Ausführungsformen können den abhängigen Ansprüchen entnommen werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1(a)–1(g) zeigen Beispieldiagramme zum Ausbilden von Merkmalen mit verschiedenen Abmessungen auf einem einzigen Substrat gemäß dem Stand der Technik.
  • 2(a)–2(b) zeigen Beispieldiagramme, die das Zusammenfallen von Photoresiststrukturen zeigen.
  • 3 zeigt ein Beispieldiagramm, das eine Spülflüssigkeit zeigt, die zwischen zwei Merkmalen einer Photoresiststruktur verbleibt.
  • 4(a)–4(g) zeigen Beispieldiagramme zum Ausbilden von Merkmalen mit unterschiedlichen Abmessungen auf einem Substrat mittels eines einzigen Photolithographieverfahrens.
  • 5(a)–5(b) zeigen Beispieldiagramme, die Seitenansichten von bestimmten Merkmalen zeigen.
  • 6(a)–6(b) zeigen Beispieldiagramme, die Seitenansichten von bestimmten Merkmalen zeigen.
  • 7 zeigt ein Beispiel-Flussdiagramm zum Ausbilden von Merkmalen durch Photolithographie.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • 1(a)–1(g) zeigen Beispieldiagramme zum Ausbilden von Merkmalen mit unterschiedlichen Abmessungen auf einem einzigen Substrat gemäß dem Stand der Technik. Das Substrat umfasst mehrere Materialschichten 102, 104, 106 und 108. Merkmale mit unterschiedlichen Abmessungen, wie etwa die Merkmale 110 und 122, werden auf dem Substrat durch zwei Photolithographieverfahren (z. B. 1(a) und 1(e)) ausgebildet.
  • Insbesondere wird eine Photoresistschicht 114 auf der Schicht 108 ausgebildet und durch ein erstes Photolithographieverfahren strukturiert, wie in 1(a) gezeigt ist. Die Schicht 108 wird dann (z. B. durch Ätzen) mittels der Photoresistschicht 114 als Maske strukturiert, und die Photoresistschicht 114 wird dann entfernt, wie in 1(b) gezeigt ist. Eine neue Materialschicht 116 wird auf dem Wafer abgelagert, wie in 1(c) gezeigt ist. Ein Teil der Schicht 116 und die verbleibende Schicht 108 werden dann entfernt, wie in 1(d) gezeigt ist. Danach wird eine Beschichtung 118 (z. B. ein organischer Film) auf dem Wafer abgelagert. Dann wird eine andere Photoresistschicht 120 auf der Beschichtung 118 ausgebildet und durch ein zweites Photolithographieverfahren strukturiert, wie in 1(e) gezeigt ist. Ein Teil der Beschichtung 118 wird (z. B. durch Ätzen) mittels der strukturierten Photoresistschicht 120 als Maske entfernt und die Photoresistschicht 120 wird dann entfernt, wie in 1(f) gezeigt ist. Die verbleibende Schicht 118 und die verbleibende Schicht 116 werden als Maske verwendet, um die Merkmale 110 und 112 herzustellen, wobei das Merkmal 110 größere Abmessungen als das Merkmal 112 hat, wie in 1(g) gezeigt ist.
  • Wie in 1(a)–1(g) gezeigt ist, werden oft mehrere Photolithographieverfahren benötigt, um Merkmale mit unterschiedlichen Abmessungen herzustellen, was üblicherweise die Herstellungskosten und -komplexität erhöht.
  • In der vorliegenden Offenbarung wird ein Zusammenfallen oder Kollabieren von Photoresiststrukturen implementiert, um Merkmale mit großen Abmessungen zusammen mit Merkmalen mit kleinen Abmessungen in einem einzigen Photolithographieverfahren auszubilden. 2(a)–2(b) zeigen Beispieldiagramme, die das Zusammenfallen von Photoresiststrukturen zeigen. Wie in 2(a) gezeigt ist, wird eine Photoresistschicht auf einem Substrat 202 ausgebildet und durch ein Photolithographieverfahren so strukturiert, dass zwei Merkmale 204 und 206 ausgebildet werden, die so getrennt sind, dass sie einander nicht berühren. Die Photoresistschicht wird beispielsweise belichtet und einem Entwickler ausgesetzt, um eine bestimmte Struktur einschließlich der Merkmale 204 und 206 auszubilden. Die strukturierte Photoresistschicht wird mittels einer Spülflüssigkeit (z. B. Wasser) gespült und dann wird die Spülflüssigkeit getrocknet. Während des Trockenvorgangs erfolgt das Zusammenfallen der Photoresiststrukturen. Wie in 2(b) gezeigt ist, kommen die oberen Teile der Merkmale 204 und 206 in Kontakt. In manchen Ausführungsformen ist der Grund des Zusammenfallens der Photoresiststrukturen die Oberflächenspannung der Spülflüssigkeit.
  • 3 zeigt ein Beispieldiagramm, das eine Spülflüssigkeit zeigt, die zwischen zwei Merkmalen 204 und 206 der Photoresiststruktur verbleibt. Wie in 3 gezeigt ist, verbleibt die Spülflüssigkeit 302 vor dem Trockenvorgang zwischen den Merkmalen 204 und 206. Die Oberfläche der Spülflüssigkeit 302 ist konkav, und ein negativer Druck wird in der Spülflüssigkeit erzeugt. Eine Kapillarkraft, die die Merkmale 204 und 206 zusammenzieht, hängt mit dem negativen Druck und dem Seitenverhältnis der Photoresiststruktur zusammen: F = P × A (1) wobei F für die Kapillarkraft steht, P für den negativen Druck in der Spülflüssigkeit steht und A für das Seitenverhältnis der Photoresiststruktur steht. Das Seitenverhältnis A der Photoresiststruktur ist beispielsweise gleich der Höhe der Merkmale 204 und 206 (z. B. H) geteilt durch die Breite der Merkmale 204 und 206 (z. B. L). Der negative Druck P hängt von dem Abstand zwischen den Merkmalen 204 und 206 (z. B. d) ab. Je kleiner der Abstand zwischen den Merkmalen 204 und 206 wird, desto größer ist die Kapillarkraft F, die erzeugt wird. Wenn der Abstand zwischen den Merkmalen 204 und 206 kleiner als ein vorbestimmter Abstandsschwellenwert wird, wird die Kapillarkraft F groß genug, um zu bewirken, dass die Merkmale 204 und 206 in Kontakt treten. Das heißt, dass das Zusammenfallen der Photoresiststrukturen erfolgt.
  • 4(a)–4(g) zeigen Beispieldiagramme zum Ausbilden von Merkmalen mit unterschiedlichen Abmessungen auf einem Substrat mittels eines einzigen Photolithographieverfahrens. Das Substrat umfasst mehrere Schichten 402, 404, 406 und 408. Eine Photoresistschicht (die z. B. eine oder mehrere Polymermaterialien aufweist) wird auf der Schicht 408 ausgebildet. Der Wafer wird dann während einer kurzen Zeitspanne (z. B. mehreren Sekunden) so erwärmt oder gebrannt (z. B. bei einer Temperatur im Bereich von etwa 90°C bis etwa 150°C), dass das Photoresist verdichtet und Lösungsmittel verdampft wird. Die Photoresistschicht wird dann mit Licht einer vorbestimmten Wellenlänge durch Strukturen einer Maske belichtet. Die Maskenstrukturen werden dadurch auf das Photoresist übertragen. Der belichtete Photoresist wird dann während einer bestimmten Zeitspanne (z. B. mehrere Minuten) erwärmt oder gebrannt (z. B. bei einer Temperatur im Bereich von etwa 70°C bis etwa 150°C). Ein Entwickler wird dann auf den Photoresist angewendet, um einen Teil der Photoresistschicht zu entfernen. Eine strukturierte Photoresistschicht einschließlich zweier Photoresistmerkmale 410 und 412 ist dann ausgebildet, wie in 4(a) gezeigt ist.
  • Die Schicht 408 (z. B. Polysilizium) wird dann (z. B. durch Ätzen) mittels der strukturierten Photoresistschicht einschließlich der Photoresistmerkmale 410 und 412 als Maske strukturiert und die Photoresistschicht wird entfernt, wie in 4(b) gezeigt ist. Eine neue Materialschicht 414 (z. B. Siliziumnitrid) wird auf dem Wafer abgelagert, wie in 4(c) gezeigt ist. Ein Teil der Schicht 414 und die verbleibende Schicht 408 werden dann (z. B. durch Ätzen) so entfernt, dass Merkmale 416, 418, 420 und 422 ausgebildet werden, wie in 4(d) gezeigt ist. Die Merkmale 416 und 418 sind beispielsweise durch einen Abstand oder eine Strecke d1 getrennt, und die Merkmale 420 und 422 sind durch einen Abstand d2 getrennt, wobei d2 größer als d1 ist. In manchen Ausführungsformen haben die Merkmale 416, 418, 420 und 422 ungefähr die gleiche Höhe (z. B. L) und die gleiche Breite (z. B. w). In bestimmten Ausführungsformen haben die Merkmale 416, 418, 420 und 422 unterschiedliche Höhen und unterschiedliche Breiten.
  • Wenn als Beispiel der Abstand d1 zwischen den Merkmalen 416 und 418 kleiner als ein Abstandsschwellenwert ist (z. B. 25 nm), erfolgt das Zusammenfallen der Photoresiststruktur. Wenn in einem anderen Beispiel das Seitenverhältnis, das zu der Höhe (z. B. L) und der Breite (z. B. w) der Merkmale 416 und 418 gehört, größer als ein vorbestimmter Seitenverhältnis-Schwellenwert ist (z. B. 10), erfolgt das Zusammenfallen der Photoresiststruktur. Das Seitenverhältnis der Merkmale 416 und 418 ist kleiner als ein maximales Seitenverhältnis.
  • In manchen Ausführungsformen wird ein Teil der Schicht 406 (z. B. Oxid) mittels der verbleibenden Schicht 414, die die Merkmale 416, 418, 420 und 422 umfasst, als Maske (z. B. durch Ätzen) entfernt, wie in 4(e) gezeigt ist. Das Seitenverhältnis der Merkmale 416 und 418 wird beispielsweise als Folge des Entfernens eines Teils der Schicht 406 erhöht. Das Zusammenfallen der Photoresistschicht erfolgt und die Merkmale 416 und 418 kommen in Kontakt zu einander, wie in 4(f) gezeigt ist. Weil der Abstand d2 zwischen den Merkmalen 420 und 422 größer als der Abstand d1 ist, fallen die Merkmale 420 und 422 nicht zusammen, um mit einander in Kontakt zu treten. Die Schicht 406 hat beispielsweise eine Dicke, die größer als 50 nm ist, und wird während eines Front-End-Verfahrens oder eines Back-End-Verfahrens hergestellt.
  • Die zusammengefallenen (englisch „collapsed”) Merkmale 416 und 418 zusammen mit den Merkmalen 420 und 422 werden als Maske verwendet, um die endgültigen Merkmale 424 und 426 herzustellen, wobei das Merkmal 424 eine Breite (z. B. w2) hat, die viel größer als die des Merkmals 426 (z. B. w) ist. Die Breite w2 ist beispielsweise ungefähr gleich der Summe der Breite des Merkmals 416 (z. B. w), des Abstands d1 und der Breite des Merkmals 418 (z. B. w). In manchen Ausführungsformen kann, wenn eine Maske ein Öffnungsverhältnis (engl. „open ratio”) im Bereich von etwa 1% bis etwa 10% aufweist, das Zusammenfallen der Photoresiststruktur so implementiert werden, dass Merkmale mit unterschiedlichen Abmessungen erzeugt werden, wie oben beschrieben ist.
  • 5(a) zeigt ein Beispieldiagramm, das eine Seitenansicht der Merkmale 416 und 418 zeigt, und 5(b) zeigt ein Beispieldiagramm, das eine Seitenansicht des endgültigen Merkmals 424 zeigt. Wie in 5(a) gezeigt ist, sind die Merkmale 416 und 418 durch einen Abstand (z. B. d1) getrennt, und die Merkmale 416 und 418 haben ungefähr die gleiche Höhe (z. B. L) und die gleiche Breite (z. B. w). Wie in 5(b) gezeigt ist, hat das Merkmal 424 eine Breite (z. B. w2), die ungefähr gleich der Summe der Breite des Merkmals 416 (z. B. w), des Abstands d1 und der Breite des Merkmals 418 (z. B. w) ist.
  • 6(a) zeigt ein Beispieldiagramm, das eine Seitenansicht der Merkmale 420 und 422 zeigt, und 6(b) zeigt ein Beispieldiagramm, das eine Seitenansicht des endgültigen Merkmals 426 zeigt. Wie in 6(a) gezeigt ist, sind die Merkmale 420 und 422 durch einen Abstand (z. B. d2) getrennt, und die Merkmale 420 und 422 haben ungefähr die gleiche Höhe (z. B. L) und die gleiche Breite (z. B. w). Wie in 6(b) gezeigt ist, sind die Merkmale 426 durch einen Abstand (z. B. d2) getrennt.
  • 7 zeigt ein Beispiel-Flussdiagramm zum Ausbilden von Merkmalen durch Photolithographie. Bei 702 wird eine Polymerschicht (z. B. Photoresist) auf einem Substrat ausgebildet. Bei 704 wird die Polymerschicht so strukturiert, dass ein erstes Merkmal und ein zweites Merkmal ausgebildet werden, wobei das erste Merkmal und das zweite Merkmal durch einen ersten Abstand getrennt sind. Bei 706 wird ein Spülmaterial (z. B. Wasser) auf die Polymerschicht einschließlich des ersten Merkmals und des zweiten Merkmals angewendet. Bei 708 wird das Spülmaterial von der Polymerschicht einschließlich des ersten Merkmals und des zweiten Merkmals entfernt, um zu bewirken, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal in Kontakt treten. Bei 710 wird ein drittes Merkmal ausgebildet, gestützt darauf, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal in Kontakt zu einander stehen.
  • In einer Ausführungsform ist ein Verfahren vorgesehen, um Merkmale durch Photolithographie auszubilden. Eine Polymerschicht wird auf einem Substrat ausgebildet. Die Polymerschicht wird so strukturiert, dass ein erstes Merkmal und ein zweites Merkmal ausgebildet werden, wobei das erste Merkmal und das zweite Merkmal durch einen ersten Abstand getrennt sind. Ein Spülmaterial wird auf die Polymerschicht einschließlich des ersten Merkmals und des zweiten Merkmals angewendet. Das Spülmaterial wird von der Polymerschicht einschließlich des ersten Merkmals und des zweiten Merkmals entfernt, um zu erreichen, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal in Kontakt treten. Ein drittes Merkmal wird ausgebildet, gestützt darauf, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal in Kontakt zu einander stehen.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst ein Bauteil ein Substrat, ein erstes Merkmal und ein zweites Merkmal. Das erste Merkmal ist auf dem Substrat ausgebildet und umfasst einen ersten oberen Abschnitt. Der erste untere Abschnitt ist von dem zweiten unteren Abschnitt durch einen Abstand getrennt. Das erste Merkmal und das zweite Merkmal sind als Maske so angeordnet, dass ein drittes Merkmal ausgebildet wird.
  • Wohlbekannte Strukturen, Materialien oder Vorgänge müssen nicht im Detail gezeigt oder beschrieben sein, um zu vermeiden, dass Aspekte von verschiedenen Ausführungsformen der Offenbarung verdunkelt werden. Verschiedene Ausführungsformen, die in den Figuren gezeigt sind, sind erklärende Beispielabbildungen und sind nicht notwendigerweise im Maßstab gezeichnet. Bestimmte Merkmale, Strukturen, Materialien oder Charakteristika können in jeder geeigneten Weise in einer oder mehreren Ausführungsformen kombiniert werden. Die vorliegende Offenbarung kann Bezugszeichen und/oder Buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen und diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und erzwingt als solche keine Beziehung zwischen den verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen. Verschiedene zusätzliche Schichten und/oder Strukturen können vorgesehen sein und/oder beschriebene Merkmale können in anderen Ausführungsformen fehlen. Eine bestimmte Schicht, die hier beschrieben ist, kann beispielsweise mehrere Komponenten umfassen, die nicht notwendigerweise physisch oder elektrisch verbunden sind. Verschiedene Vorgänge können als mehrere getrennte Vorgänge nach einander in einer Weise beschrieben sein, die am hilfreichsten ist, um die Offenbarung zu verstehen. Die Reihenfolge der Beschreibung sollte jedoch nicht so aufgefasst werden, dass sie impliziert, dass diese Vorgänge notwendigerweise von der Reihenfolge abhängen. Insbesondere müssen diese Vorgänge nicht in der Reihenfolge der Darstellung ausgeführt werden. Vorgänge, die hier beschrieben sind, können in einer anderen Reihenfolge als in den beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden, nach einander oder parallel. Verschiedene zusätzliche Vorgänge können ausgeführt und/oder beschrieben werden. Vorgänge können in zusätzlichen Ausführungsformen fehlen.
  • Diese Beschreibung und die folgenden Ansprüche können Begriffe umfassen, wie etwa auf etc., die nur zum Zweck der Beschreibung verwendet werden und nicht als einschränkend angesehen werden sollen. Die Ausführungsformen einer Vorrichtung oder eines Bauteils, das hier beschrieben ist, können in einer Vielzahl von Anordnungen und Orientierungen hergestellt, verwendet oder versandt werden. Der Begriff „auf”, wie er hier verwendet wird (einschließlich der Ansprüche), muss beispielsweise nicht notwendigerweise anzeigen, dass eine erste Schicht/Struktur „auf” einer zweiten Schicht/Struktur direkt auf oder über und in unmittelbarem Kontakt mit der zweiten Schicht/Struktur liegt, außer es ist speziell angezeigt; es können eine oder mehrere dritte Schichten/Strukturen zwischen der ersten Schicht/Struktur und der zweiten Schicht/Struktur vorhanden sein. Der Begriff „Substrat”, wie er hier verwendet wird (einschließlich der Ansprüche), kann sich auf jede Konstruktion beziehen, die ein oder mehrere Materialien umfasst, einschließlich Volumenmaterialien, wie etwa eines Wafers (entweder einzeln oder in Anordnungen, die andere Materialien darauf umfasst), und eine oder mehrere Materialschichten (entweder einzeln oder in Anordnungen, die andere Materialien umfassen), ist aber nicht darauf beschränkt.

Claims (16)

  1. Verfahren zum Ausbilden eines Merkmals (424) mit einer bestimmten Breite, das Folgendes umfasst: Ausbilden einer Polymerschicht auf einem Substrat (202; 402); Strukturieren der Polymerschicht, zum Ausbilden eines ersten Merkmals (204; 416) und eines zweiten Merkmals (206; 418), wobei das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) durch einen ersten Abstand getrennt sind; Anwenden eines Spülmaterials (302) auf die Polymerschicht, die zumindest einen Teil des ersten Merkmals (204; 416) und zumindest einen Teil des zweiten Merkmals (206; 418) aufweist; Entfernen des Spülmaterials von der Polymerschicht, die zumindest einen Teil des ersten Merkmals (204; 416) und zumindest einen Teil des zweiten Merkmals (206; 418) aufweist, um zu erreichen, dass das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) zu einander in Kontakt treten; und Ausbilden des Merkmals (424) mit der bestimmten Breite, wobei das Ausbilden umfasst: Verwendung des ersten Merkmals (204; 416) und des zweiten Merkmals (206; 418), die zu einander in Kontakt stehen, als Maske zum Ätzen in das Substrat (202; 402), so dass das Merkmal (424) mit der bestimmten Breite ausgebildet wird, wobei die bestimmte Breite ungefähr gleich der Summe der Breite des ersten Merkmals (204; 416), des ersten Abstands und der Breite des zweiten Merkmals (206; 418) ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Strukturieren der Polymerschicht, um das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) auszubilden, Folgendes umfasst: Belichten eines Teils der Polymerschicht; und Entwickeln der Polymerschicht so, dass der Teil der Polymerschicht entfernt wird, um das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) auszubilden.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Strukturieren der Polymerschicht, um das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) auszubilden, weiter Folgendes umfasst: Ätzen in das Substrat (202; 402) mittels der entwickelten Polymerschicht als Maske so, dass das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) ausgebildet werden.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine erste Schicht, die in dem Substrat (202; 402) vorgesehen ist, so durchgeätzt wird, dass das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) ausgebildet werden.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Merkmal (204; 416) einen ersten oberen Abschnitt und einen ersten unteren Abschnitt umfasst; das zweite Merkmal (206; 418) einen zweiten oberen Abschnitt und einen zweiten unteren Abschnitt umfasst; wobei die oberen Abschnitte Teil der Polymerschicht sind und die unteren Abschnitte Teil des Substrats (202; 402) sind; und der erste untere Abschnitt von dem zweiten unteren Abschnitt durch einen Abstand getrennt ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei: das Spülmaterial eine Spülflüssigkeit umfasst; und der zweite obere Abschnitt mit dem ersten oberen Abschnitt in Kontakt tritt, wenn das Spülmaterial entfernt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: das erste Merkmal (204; 416) eine erste Höhe und eine erste Breite hat; und das zweite Merkmal (206; 418) eine zweite Höhe und eine zweite Breite hat.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei: die erste Höhe ungefähr gleich der zweiten Höhe ist; und die erste Breite ungefähr gleich der zweiten Breite ist.
  9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine zweite Schicht, die in dem Substrat (202; 402) vorgesehen ist, so durchgeätzt wird, dass das Merkmal (424) mit der bestimmten Breite ausgebildet wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei ein Seitenverhältnis, das gleich der ersten Höhe geteilt durch die erste Breite ist, größer als 10 ist.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Strukturieren der Polymerschicht so, dass das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) ausgebildet werden, Folgendes umfasst: Strukturieren der Polymerschicht so, dass ein viertes Merkmal und ein fünftes Merkmal ausgebildet werden, wobei das vierte Merkmal und das fünfte Merkmal durch einen zweiten Abstand getrennt sind, der größer als der erste Abstand ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das vierte Merkmal und das fünfte Merkmal beim Entfernen des Spülmaterials nicht in Kontakt treten.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Abstand kleiner als 25 nm ist.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Polymerschicht Photoresist umfasst.
  15. Ätzmaske, die Folgendes umfasst: ein erstes Merkmal (204; 416), das über einem Substrat (202; 402) ausgebildet ist, wobei das erste Merkmal (204; 416) einen ersten oberen Abschnitt und einen ersten unteren Abschnitt umfasst; und ein zweites Merkmal (206; 418), das über dem Substrat (202; 402) ausgebildet ist, wobei das zweite Merkmal (206; 418) einen zweiten oberen Abschnitt und einen zweiten unteren Abschnitt umfasst, wobei der zweite obere Abschnitt in Kontakt mit dem ersten oberen Abschnitt steht, wobei der erste untere Abschnitt von dem zweiten unteren Abschnitt durch einen Abstand getrennt ist; wobei das erste Merkmal (204; 416) und das zweite Merkmal (206; 418) als Maske so angeordnet sind, dass ein drittes Merkmal (424) durch Ätzen ausbildbar ist; wobei der Abstand 25 nm ist; eine Höhe des ersten Merkmals (204; 416) ungefähr gleich einer Höhe des zweiten Merkmals (206; 418) ist; eine Breite des ersten Merkmals (204; 416) ungefähr gleich einer Breite des zweiten Merkmals (206; 418) ist; und ein Seitenverhältnis, das gleich der Höhe des ersten Merkmals (204; 416) geteilt durch die Breite des ersten Merkmals (204; 416) ist, größer als 10 ist.
  16. Ätzmaske nach Anspruch 15, wobei der erste obere Abschnitt und der zweite obere Abschnitt ein Polymermaterial umfassen.
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