DE102013113082A1

DE102013113082A1 - Organische Leuchtdiodenanzeige mit hoher Lumineszenz

Info

Publication number: DE102013113082A1
Application number: DE102013113082.8A
Authority: DE
Inventors: Jongsik Shim; Soonjae Hwang; Kimoon JUNG
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2012-12-12
Filing date: 2013-11-27
Publication date: 2014-06-12
Anticipated expiration: 2033-11-28
Also published as: US10236332B2; GB2525342A; KR20140080629A; GB201512836D0; KR102000642B1; GB201321082D0; CN107068712B; GB2510946A; GB2510946B; US20140159019A1; CN107068712A; DE102013113082B4; GB2525342B; CN103872082B; CN103872082A

Abstract

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine organische Leuchtdiodenanzeige, die eine hohe Lumineszenz besitzt. Die vorliegende Offenbarung schlägt eine organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung vor, die Folgendes umfasst: eine Datenleitung, eine Abtastleitung und eine Ansteuerstromleitung, die einen Pixelbereich auf einem Substrat definieren; eine Anodenelektrode, die im Pixelbereich gebildet ist; eine zusätzliche Kapazität, die durch Überlappen erweiterter Teil der Anodenelektrode mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung gebildet ist; eine Bank, die einen lichtemittierenden Bereich in der Anodenelektrode definiert; eine organische Emissionsschicht, die auf der Anodenelektrode gebildet ist; und eine Kathodenelektrode, die auf der organischen Lichtemitterschicht gebildet ist. Die vorliegende Offenbarung schlägt eine organische Leuchtdiodenanzeige mit hoher Lumineszenz durch Aufnehmen einer zusätzlichen Kapazität (Cnew) vor, um die Anodenkapazität zu vergrößern.

Description

Organische Leuchtdiodenanzeige mit hoher Lumineszenz
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung No. 10-2012-0144813 , eingereicht am 12. Dezember 2012, die hier durch Bezugnahme für alle Zwecke vollständig mit aufgenommen ist.
Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine organische Leuchtdiodenanzeige mit hoher Lumineszenz. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Offenbarung auf eine organische Leuchtdiodenanzeige mit hoher Lumineszenz bei geringem Energieverbrauch durch Erhöhen der Kapazität der Anodenelektrode, der Kapazität der organischen Leuchtdiode selbst.
Diskussion des Standes der Technik
Heutzutage werden verschiedene Flachbildschirmanzeigen entwickelt, um viele Nachteile von Kathodenstrahlröhren wie hohes Gewicht und Gesamtvolumen zu überwinden. Die Flachbildschirmanzeigen umfassen die Flüssigkristallanzeigevorrichtung (oder LCD), den Feldemissionsbildschirm (oder FED), den Plasmabildschirm (oder PD) und die Elektrolumineszenzvorrichtung (oder EL).
Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung wird gemäß dem Lumineszenzmaterial in anorganische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung und organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung klassifiziert. Als eine selbstemittierende Anzeigevorrichtung besitzt die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung die Vorzüge, dass die Ansprechgeschwindigkeit sehr schnell ist, die Helligkeit sehr hoch ist und der Sichtwinkel sehr groß ist.
1 ist ein Diagramm, das den Aufbau der organischen Leuchtdiode darstellt. Wie in 1 gezeigt, umfasst die organische Leuchtdiode die organische lichtemittierende Materialschicht und die Kathode und die Anode, die mit der organischen lichtemittierenden Materialschicht dazwischen gegenüber liegen. Die organische lichtemittierende Materialschicht umfasst die Löcher-Injektionsschicht HIL, die Löcher-Transportschicht HTL, die Emissionsschicht EML, die Elektronen-Transportschicht ETL und die Elektronen-Injektionsschicht EIL. Die organische Leuchtdiode strahlt das Licht aufgrund der Energie von dem Exziton aus, das im Anregungszustand gebildet wird, in dem das Loch und das Elektron in der Emissionsschicht EML rekombinieren.
Die organische Leuchtdiode strahlt das Licht aufgrund der Energie von dem Exziton aus, das im Anregungszustand gebildet wird, in dem das Loch von der Anode und das Elektron von der Kathode in der Emissionsschicht EML rekombinieren. Die organische Leuchtdiodenanzeige kann die Videodaten darstellen, indem sie die Menge (oder die „Helligkeit”) des erzeugten Lichts kontrolliert und von der Emissionsschicht ELM der organischen Leuchtdiode ausstrahlt, wie in 1 gezeigt ist.
Die organische Leuchtdiodenanzeige (oder OLED), die die organische Leuchtdiode verwendet, kann in organische Leuchtdiodenanzeige mit Passivmatrix (oder PMOLED) und organische Leuchtdiodenanzeige mit Aktivmatrix (oder AMOLED) klassifiziert werden.
Die organische Leuchtdiodenanzeige mit Aktivmatrix (oder AMOLED) zeigt die Videodaten, indem sie den Strom kontrolliert, der in die organische Leuchtdiode unter Verwendung eines Dünnschicht-Transistors (oder TFT) eingespeist wird.
2 ist ein exemplarisches Schaltbild, das den Aufbau eines Pixels in der organischen Leuchtdiodenanzeige mit Aktivmatrix (oder AMOLED) darstellt. 3. ist eine Draufsicht, die den Aufbau eines Pixels in dem AMOLED darstellt. 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie I-I', um den Aufbau des AMOLEDs darzustellen.
Bezug nehmend auf 2 und 3 umfasst die organische Leuchtdiodenanzeige vom Typ des Bottom-emission-Typs mit Aktivmatrix einen schaltenden Dünnschicht-Transistor ST, einen ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT, der mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor ST verbunden ist, und eine organische Leuchtdiode OLED, die mit dem ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT verbunden ist. Durch eine Abtastleitung SL, eine Datenleitung DL und eine Ansteuerstromleitung VDD, die auf dem Substrat SUB angeordnet ist, wird ein Pixelbereich definiert. Die organische Leuchtdiode (OLED) ist in einem Pixelbereich gebildet, so dass sie einen lichtemittierenden Bereich innerhalb des Pixelbereichs definiert.
Der schaltende Dünnschicht-Transistor ST ist gebildet, wo sich die Abtastleitung SL und die Datenleitung DL schneiden. Der schaltende Dünnschicht-Transistor ST fungiert, um das Pixel auszuwählen, das mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor ST verbunden ist. Der schaltende Dünnschicht-Transistor ST enthält eine Gate-Elektrode SG, die von der Gate-Leitung GL abzweigt, eine Halbleiter-Kanalschicht SA, die mit der Gate-Elektrode SG überlappt, eine Source-Elektrode SS und eine Drain-Elektrode SD. Der ansteuernde Dünnschicht-Transistor DT fungiert, um eine Anodenelektrode ANO der organischen Leuchtdiode OD anzusteuern, die auf dem Pixel angeordnet ist, das durch den schaltenden Dünnschicht-Transistor ST ausgewählt ist. Der ansteuernde Dünnschicht-Transistor DT enthält eine Gate-Elektrode DG, die mit der Drain-Elektrode SD des schaltenden Dünnschicht-Transistor ST verbunden ist, eine Halbleiter-Kanalschicht DA, eine Source-Elektrode DS, die mit der Ansteuerstromleitung VDD verbunden ist, und eine Drain-Elektrode DD. Die Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT ist mit der Anodenelektrode ANO der organischen Leuchtdiode OLED verbunden.
Genauer Bezug nehmend auf 4 sind die Gate-Elektroden SG und DG des schaltenden Dünnschicht-Transistors ST und des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT auf dem Substrat SUB der organischen Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs mit Aktivmatrix gebildet. Auf den Gate-Elektroden SG und DG ist der Gate-Isolator GI angeordnet. Auf dem Gate-Isolator GI überlappend mit den Gate-Elektroden SG und DG sind jeweils die Halbleiterschichten SA und DA gebildet. Auf den Halbleiterschichten SA und DA sind die Source-Elektroden SS und DS und die Drain-Elektroden SD und DD einander gegenüber und getrennt voneinander gebildet. Die Drain-Elektrode SD des schaltenden Dünnschicht-Transistors ST ist mit der Gate-Elektrode DG des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT über das Kontaktloch, das den Gate-Isolator GI durchdringt, verbunden.
Die Passivierungsschicht PAS ist über dem Substrat SUB abgelagert, das den schaltenden Dünnschicht-Transistor ST und den ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT besitzt. Ein Farbfilter CF kann im Bereich der Anodenelektrode ANO, die später gebildet wird, gebildet sein. Es ist zweckmäßig, den Farbfilter zu bilden, weil er die größtmögliche Fläche haben darf. Zum Beispiel ist es zweckmäßig, dass der Farbfilter CF in dem Pixelbereich, der von der Datenleitung DL, der Ansteuerstromleitung VDD und der genannten Abtastleitung SL umgeben ist, die maximierte Fläche hat.
Die obere Fläche des Substrats, die den Farbfilter CF hält, hat keine ebene und/oder glatte Beschaffenheit, sondern eine unebene und/oder raue Beschaffenheit mit vielen Stufen. Damit die organische Leuchtdiodenanzeige gute Lumineszenzeigenschaften über dem gesamten Anzeigenbereich besitzt, sollte die organische Emissionsschicht OLE auf einer ebenen oder glatten Fläche gebildet werden. So ist, um die obere Fläche mit ebenen und glatten Eigenschaften auszustatten, die Überzugschicht OC auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB abgelagert.
Dann wird auf der Überzugschicht OC die Anodenelektrode ANO der organischen Leuchtdiode OLED gebildet. Dabei wird die Anodenelektrode ANO mit der Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT durch das Kontaktloch, das die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS durchdringt, verbunden.
Während der Vollbildperiode sollte die Datenspannung Vdata mit einem ausreichenden Spannungsbetrag zum Darstellen des korrekten Farbwertes an die Anodenelektrode ANO angelegt werden. Hierzu kann außerdem eine Speicherkapazität STG, die ausreichend Kapazität besitzt, um die Anodenelektrode ANO zu laden, in dem Pixelbereich enthalten sein. Wie in 2 gezeigt, kann die Speicherkapazität STG zwischen der Drain-Elektrode SD des schaltenden Dünnschicht-Transistors ST und der Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT gebildet sein. Im Einzelnen kann, wie in 3 und 4 gezeigt, die Speicherkapazität gebildet sein, indem die Gate-Elektrode DG des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT mit der Anodenelektrode ANO überlappt ist. Um zu gewährleisten, dass die Speicherkapazität STG genügend Kapazität besitzt, ist es erforderlich zu gewährleisten, dass der überlappende Bereich der Gate-Elektrode DG des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT mit der Anodenelektrode ANO so groß wie möglich ist.
Auf dem Substrat SUB, das die Anodenelektrode ANO hält, ist eine Bank BANK gebildet, um den nicht-emittierenden Bereich, der den schaltenden Dünnschicht-Transistor ST, den ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT und die verschiedenen Leitungen DL, SL und VDD besitzt, von dem emittierenden Bereich, der die organische Leuchtdiode OLED hält, zu unterscheiden, um den lichtemittierenden Bereich abzugrenzen. Die Bank BANK kann den überlappenden Bereich der organischen Emissionsschicht OLE mit der Anodenelektrode ANO definieren. Deshalb kann der lichtemittierende Bereich durch die Bank BANK definiert sein. In der Regel ist der lichtemittierende Bereich im Pixelbereich eingeschlossen und hat die größtmögliche Fläche.
Wie oben erklärt, hängt der lichtemittierende Bereich unmittelbar mit dem Farbfilter CF zusammen. Deshalb ist es zweckmäßig, dass der Bereich des Farbfilters CF eine etwas größere Fläche besitzt als der lichtemittierende Bereich, der durch die Bank BANK definiert ist. Das heißt, obwohl der Farbfilter CF so gebildet ist, das er eine maximierte Fläche besitzt, kann der tatsächlich lichtemittierende Bereich durch die Bank BANK definiert sein.
Die Anodenelektrode ANO ist durch die Bank BANK freigelegt. Auf der Anodenelektrode ANO und der Bank BANK ist die organische Emissionsschicht OLE abgelagert. Auf der organischen Emissionsschicht OLE ist folgend die Kathodenelektrode ACT abgelagert. Folglich ist die organische Leuchtdiode OLED, die mit dem ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT verbunden ist, fertiggestellt.
Das vergrößerte Diagramm, das in den gepunkteten Kreisen von 3 gezeigt ist, stellt den ausführlichen Aufbau des lichtemittierenden Bereichs, der durch die Bank BANK definiert ist, dar. Die Anodenelektrode ANO kann so gebildet sein, dass sie nicht die Datenleitung DL, die Abtastleitung SL und die Ansteuerstromleitung VDD überlappt. Da die organische Leuchtdiode durch das aktuelle Ansteuerverfahren angesteuert wird, wird die Anodenelektrode ANO über die Ansteuerstromleitung VDD mit einer großen Menge elektrischen Stroms gespeist. Deshalb ist es sehr gut möglich, dass, wenn die Anodenelektrode ANO mit den Leitungen DL, SL und/oder VDD, die die Anodenelektrode ANO umgeben, überlappt, die parasitäre Kapazität in der Passivierungsschicht PAS, die dazwischen eingefügt ist, gebildet wird.
Wenn die Anodenelektrode ANO gebildet ist, sollte sie deshalb, wie in 3 und 4 gezeigt, durch Beachten des Ausrichtungsrandes im Strukturierungsprozess einen ersten vorbestimmten Abstand G1 von der Ansteuerstromleitung VDD besitzen. Wenn die Bank BANK auf der Anodenelektrode ANO gebildet ist, sollte sie außerdem einen zweiten vorbestimmten Abstand G2 einwärts des Pixelbereichs von der Anodenelektrode ANO durch Beachten des Ausrichtungsrandes im Strukturierungsprozess besitzen. Folglich kann, da die Bank BANK durch Abdecken einiger Fläche der Anodenelektrode ANO gebildet ist, die rechteckige Fläche, dargestellt durch abwechselnd lange und kurze Striche und schraffiert mit schiefen Linien, der lichtemittierende Bereich sein. Ferner kann, da die organische Emissionsschicht OLE auf der Anodenelektrode ANO angeordnet ist, der lichtemittierende Bereich das Öffnungsverhältnis des Pixelbereichs definieren. Der lichtemittierende Bereich kann den Verlust entsprechend der Summe der ersten und der zweiten vorbestimmten Abstände, G1 + G2, haben. So kann, auf der Seite der Datenleitung DL, der lichtemittierende Bereich den Verlust entsprechend der Summe der ersten und der zweiten vorbestimmten Abstände, G1 + G2, haben. In der Regel kann der Ausrichtungsrand 1–3 μm (Mikrometer) betragen. Deshalb kann der gesamte Verlust des lichtemittierenden Bereichs durch den Ausrichtungsrand im Strukturierungsprozess 2–6 μm sein.
So können in einem Pixelbereich verschiedene Elemente einschließlich der Dünnschicht-Transistoren ST und DT und der Speicherkapazität STG gebildet sein. Der Einfachheit halber stellt 3 zwei Dünnschicht-Transistoren ST und DT dar. Allerdings können ferner weitere Dünnschicht-Transistoren enthalten sein, um verschlechterte Eigenschaften der Elemente wegen den verschiedenen Wirkungen zwischen den Elementen auszugleichen. Wegen dieser Komplexität kann das Öffnungsverhältnis, das Verhältnis des lichtemittierenden Bereichs zum Pixelbereich, in der organischen Leuchtdiode gemäß dem Stand der Technik 30% betragen.
In der organischen Leuchtdiodenanzeige wie oben erwähnt haben die organische Leuchtdiode einschließlich der Anodenelektrode ANO, die organische Emissionsschicht OLE und die Kathodenelektrode CAT normalerweise ihre eigene Kapazität. Diese wird „die Anodenkapazität” genannt. Nochmals bezugnehmend auf 2 wird die Anodenkapazität Coled durch ein äquivalentes Schaltbild einer Kapazität, die zwischen den beiden Elektroden der organischen Leuchtdiode OLED gebildet ist, dargestellt.
Da die Anodenkapazität Coled vergrößert ist, kann die Lumineszenz (oder Helligkeit) der organischen Leuchtdiode vergrößert sein. Das bedeutet, dass, um höhere oder hellere Lumineszenz mit dem gleichen lichtemittierenden Bereich zu haben, die Anodenkapazität Coled eine größere Kapazität für eine bessere Bildqualität haben sollte. Deshalb ist es zweckmäßig, das organische Material, das die höhere Dielektrizitätskonstante besitzt, auszuwählen, wenn das organische lichtemittierende Material ausgewählt wird. Da die Dielektrizitätskonstante jedoch eine natürliche Größe des Materials ist, ist es schwer und eingeschränkt möglich, das organische lichtemittierende Material auszuwählen, das die ausreichende Dielektrizitätskonstante besitzt, die erwünscht ist.
Da, bezugnehmend auf 2, die Abtastspannung Vscan an die Abtastleitung SL angelegt wird, wenn der schaltende Dünnschicht-Transistor ST einschaltet, schaltet die Datenspannung Vdata, die in die Datenleitung DL eingespeist wird, den ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT an. Dann wird der elektrische Strom und die Spannung zum Ansteuern der organischen Leuchtdiode OLED in die organische Leuchtdiode OLED gespeist. Zur gleichen Zeit wird die Datenspannung Vdata in der Speicherkapazität STG gespeichert. Zu dieser Zeit kann die Spannung, die an die Anodenelektrode ANO angelegt ist, geändert (oder verringert) werden, dadurch, dass die Datenspannung Vdata dem Verhältnis aus Speicherkapazität Cst und der Anodenkapazität Coled entspricht. Diese Änderung kann die Verringerung der Lumineszenz (oder Helligkeit) der organischen Emissionsschicht OLE bewirken.
[Gleichung 1]

ΔV_anode = V_data(C_st/C_oled)

Hierbei steht Vanode für die Anodenspannung, die an die Anodenelektrode ANO angelegt ist, Cst steht für den Kapazitätsbetrag der Speicherkapazität STG und Coled steht für die Anodenkapazität der organischen Leuchtdiode OLED.
Laut Gleichung 1 kann, um die Änderung der Anodenelektrode Vanode zu minimieren, die Kapazitätsgröße von Coled vergrößert oder der Betrag der Speicherkapazität Cst verringert werden. Wie oben erwähnt ist, da die Anodenkapazität Coled mit der natürlichen Größe der organischen Emissionsschicht OLE zusammenhängt, das bestmögliche Verfahren, den Kapazitätsbetrag Cst der Speicherkapazität STG zu verringern. Die Speicherkapazität STG legt jedoch eine gewisse Spannung an die Anodenelektrode ANO während eines Rasterbildes an, so dass sie eine ausreichende Kapazität haben sollte, um den hohen Kapazitätswert zu erhalten. Deshalb kann die Speicherkapazität nicht ungehindert wie gewollt verringert werden.
Mit diesen verschiedenen Einschränkungen beträgt das aktuell verwendete maximierte Öffnungsverhältnis gemäß dem Stand der Technik höchstens 30%. Ein mögliches Verfahren, um eine organische Leuchtdiodenanzeige mit höherer Lumineszenz zu bekommen, ist, den elektrischen Strom zum Ansteuern der organischen Leuchtdiode OLED zu vergrößern. Dieses Verfahren besitzt jedoch das weitere Problem, dass der Energieverbrauch vergrößert werden sollte. Es ist sehr schwer, eine organische Leuchtdiodenanzeige zu entwerfen und herzustellen, die die verschiedenen Bedingungen, wie das Besitzen einer verringerten parasitären Kapazität, das Sicherstellen von ausreichender Speicherkapazität und das Besitzen eines größeren Öffnungsverhältnis, zur gleichen Zeit erfüllt.
Zusammenfassung der Erfindung
Um die oben genannten Nachteile zu beseitigen, ist es die Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine organische Leuchtdiodenanzeige vorzuschlagen, die ein großes Öffnungsverhältnis besitzt, wobei das Verhältnis des lichtemittierenden Bereichs zu dem Pixelbereich verbessert wird. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist es, eine organische Leuchtdiodenanzeige vorzuschlagen, die eine hohe Lumineszenz besitzt, die eine zusätzliche Kapazität besitzt, um die Anodenkapazität, die in der organischen Leuchtdiode gebildet ist, zu vergrößern. Eine nochmals weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine organische Leuchtdiodenanzeige vorzuschlagen, die dadurch ein großes Öffnungsverhältnis besitzt, dass ein größerer lichtemittierender Bereich gewährleistet wird, obwohl die zusätzliche Kapazität enthalten ist.
Um die oben genannten Aufgaben zu lösen, schlägt die vorliegende Offenbarung eine organische Leuchtdiodenanzeige vor, die Folgendes umfasst: eine Datenleitung, eine Abtastleitung und eine Ansteuerstromleitung, die einen Pixelbereich auf einem Substrat definieren; eine Anodenelektrode, die in dem Pixelbereich gebildet ist; eine zusätzliche Kapazität, die durch Überlappen erweiterter Teile der Anodenelektrode mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung gebildet ist; eine Bank, die einen lichtemittierende Bereich in der Anodenelektrode definiert; eine organische Emissionsschicht, die auf der Anodenelektrode gebildet ist; und eine Kathodenelektrode, die auf der organischen Lichtemitterschicht gebildet ist.
Die organische Leuchtdiodenanzeige umfasst ferner einen Farbfilter, der unter der Anodenelektrode in dem Pixelbereich angeordnet ist; und eine Überzugschicht, die den Farbfilter bedeckt und unter der Anodenelektrode angeordnet ist.
Die organische Leuchtdiodenanzeige umfasst ferner einen schaltenden Dünnschicht-Transistor, der mit der Datenleitung und der Abtastleitung in dem Pixelbereich verbunden ist; und einen ansteuernden Dünnschicht-Transistor, der mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor und der Ansteuerstromleitung verbunden ist.
Die organische Leuchtdiode ist dadurch gekennzeichnet, dass eine von einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des schaltenden Dünnschicht-Transistors mit der Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors verbunden ist, und eine von einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors mit der Anodenelektrode verbunden ist.
Die organische Leuchtdiodenanzeige umfasst ferner eine Speicherkapazität, die zwischen einer Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors und der Anodenelektrode gebildet ist.
Außerdem schlägt die vorliegende Offenbarung eine organische Leuchtdiodenanzeige vor, die Folgendes umfasst: Datenleitungen und Abtastleitungen, die Pixelbereiche auf dem Substrat definieren; eine Ansteuerstromleitung, die gewöhnlich in der ersten Pixelspalte bereitgestellt wird, und eine zweite Pixelspalte, die zwischen den Pixelbereichen aneinander grenzen; eine erste Anodenelektrode, die in der ersten Pixelspalte gebildet ist, und eine zweite Anodenelektrode, die in der zweiten Pixelspalte gebildet ist; eine erste zusätzliche Kapazität, die durch Erweitern der ersten Anodenelektrode und Überlappen mit einem Teil der Ansteuerstromleitung gebildet ist, und eine zweite zusätzliche Kapazität, die durch Erweiterung der zweiten Anodenelektrode und Überlappen mit einem anderen Teil der Ansteuerstromleitung gebildet ist; eine Bank, die lichtemittierende Bereiche entsprechend an der ersten und der zweiten Anodenelektroden definiert; eine organische Emissionsschicht auf der ersten und der zweiten Anodenelektrode; und eine Kathodenelektrode auf der organischen Emissionsschicht und der Elektronen-Transportschicht.
Die organische Leuchtdiodenanzeige umfasst ferner: einen Farbfilter, der unter der ersten und der zweiten Anodenelektrode in den Pixelbereichen angeordnet ist; und eine Überzugschicht, die den Farbfilter bedeckt und unter der ersten und der zweiten Anodenelektrode angeordnet ist.
Die organische Leuchtdiode ist dadurch gekennzeichnet, dass die erste Anodenelektrode und die zweite Elektrode mit einem vorbestimmten Abstand auf der Ansteuerstromleitung angeordnet sind.
Die organische Leuchtdiodenanzeige umfasst ferner: einen schaltenden Dünnschicht-Transistor, der mit der Datenleitung und der Abtastleitung in jedem Pixelbereich verbunden ist; und einen ansteuernden Dünnschicht-Transistor, der mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor und der Ansteuerstromleitung verbunden ist.
Die organische Leuchtdiode ist dadurch gekennzeichnet, dass eine von einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des schaltenden Dünnschicht-Transistors mit der Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors verbunden ist, und eine von einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors mit mindestens einer der ersten und der zweiten Anodenelektrode verbunden ist.
Die organische Leuchtdiodenanzeige umfasst ferner: eine Speicherkapazität, die zwischen einer Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors und mindestens einer der ersten und der zweiten Anodenelektrode gebildet ist.
Die organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst eine zusätzliche Kapazität, die mit der Anodenkapazität der organischen Leuchtdiode parallel verbunden ist. Insbesondere hat die zusätzliche Kapazität den Aufbau, in dem der lichtemittierende Bereich der organischen Leuchtdiodenanzeige vergrößert werden kann. Deshalb schlägt die vorliegende Offenbarung eine organische Leuchtdiodenanzeige vor, die einen vergrößerten lichtemittierenden Bereich besitzt, der eine verbesserte Anodenkapazität gewährleistet und hellere Lumineszenz mit dem gleichen Energieverbrauch bedeutet. Ferner umfasst die organische Leuchtdiodenanzeige gemäß der vorliegenden Offenbarung die zusätzliche Kapazität zum Verbessern der Anodenkapazität, ohne die Speicherkapazität zu vergrößern, was das verringerte Öffnungsverhältnis bewirken kann, so dass es eine höhere Lumineszenz ohne Vergrößern des Pixelbereichs und/oder des Öffnungsverhältnisses bedeutet.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verstehen der Erfindung zu bieten, und in dieser Patentschrift aufgenommen sind und einen Teil hiervon bilden, stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erklärung der Prinzipien der Erfindung.
In den Zeichnungen:
1 ist ein Diagramm, das den Aufbau der organischen Leuchtdiode gemäß dem Stand der Technik darstellt.
2 ist ein exemplarisches Schaltbild, das den Aufbau eines Pixels in der organischen Leuchtdiodenanzeige mit Aktivmatrix (oder AMOLED) gemäß dem Stand der Technik darstellt.
3. ist eine Draufsicht, die den Aufbau eines Pixels in dem AMOLED des Bottom-emission-Typs gemäß dem Stand der Technik darstellt.
4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie I-I', um den Aufbau des AMOLEDs des Bottom-emission-Typs gemäß dem Stand der Technik darzustellen.
5 ist ein äquivalentes Schaltbild, das den Aufbau eines Pixels in der organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
6 ist eine Draufsicht, die eine organische Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie II-II' in 6, um den Aufbau einer organischen Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs gemäß der vorliegenden Offenbarung darzustellen.
8 ist eine Graphik, die die verbesserten Eigenschaften der organischen Leuchtdiode darstellt, wenn die zusätzliche Kapazität gemäß der vorliegenden Offenbarung enthalten ist.
9 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einem anderen Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, wobei die organische Emissionsschicht und die Kathodenschicht über dem gesamten Substrat abgelagert sind.
10 ist eine Draufsicht, die eine organische Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
11 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer organischen Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs durch Schneiden entlang der Linie III-III' in 10 darstellt.
Ausführliche Beschreibung der dargestellten Ausführungsformen
Bezugnehmend auf die beigefügten Figuren werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erklärt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in der gesamten ausführlichen Beschreibung gleiche Elemente. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht durch diese Ausführungsformen beschränkt, sondern kann für verschiedene Änderungen oder Abwandlungen gelten, ohne den technischen Erfindungsgedanken zu ändern. In den folgenden Ausführungsformen werden die Namen der Elemente durch Beachten der Einfachheit der Erklärung ausgewählt, so dass sie verschieden zu den tatsächlichen Namen sein können.
Das Hauptmerkmal der vorliegenden Offenbarung ist, die größtmögliche Anodenkapazität zu gewährleisten. Da es gemäß Gleichung 1, die oben genannt wurde, schwierig ist, den Betrag der Speicherkapazität Cst zu verringern, sollte der Betrag der Anodenkapazität Coled vergrößert werden. Bezugnehmend auf die folgende Gleichung 2, die den Betrag der Kapazität darstellt, wird erklärt, wie die Anodenkapazität Coled zu vergrößern ist.
Gleichung 2

C = ε(A/d)

Hierbei steht C für den Betrag der Kapazität, ε steht für die Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materials (oder organischen Materials) und d steht für den Abstand zwischen den Elektroden, das heißt für die Dicke des dielektrischen Materials. Um den großen Betrag der Kapazität zu gewährleisten, ist es möglich, ein dielektrisches Material, das eine hohe Dielektrizitätskonstante besitzt, auszuwählen, die Oberfläche der gegenüberliegenden Elektroden zu vergrößern oder eine optimierte Dicke des dielektrischen Materials auszuwählen.
Wie oben erwähnt wurde, ist es sehr schwierig, ein dielektrisches Material, das eine hohe Dielektrizitätskonstante besitzt, auszuwählen, weil es bedeutet, das Material des organischen lichtemittierenden Materials zu ändern. Ferner ist es ein kompliziertes Problem, die optimierte Dicke des dielektrischen Materials auszuwählen, weil es die Eigenschaften der organischen Leuchtdiode unmittelbar beeinflussen kann. Schlussendlich kann das Verfahren des Vergrößerns der Oberfläche der gegenüberliegenden Elektroden gewählt werden. Lediglich die Fläche der Elektroden zu vergrößern, hat keinen Sinn. Die Kapazität sollte vergrößert werden. Mit anderen Worten sollte sowohl die Oberfläche der organischen Emissionsschicht OLE als auch die Oberfläche der Anodenelektrode vergrößert werden. Da die Oberfläche der organischen Emissionsschicht OLE auf den Pixelbereich beschränkt ist, ist es nicht einfach, den Betrag der Kapazität zu vergrößern.
Deshalb ist es notwendig, den Aufbau ohne Beeinflussung des Öffnungsverhältnisses zu verändern, so dass ferner eine zusätzliche Kapazität enthalten ist. In der vorliegenden Offenbarung ist ferner, wie in 5 gezeigt ist, eine zusätzliche Kapazität Cnew enthalten, die mit der organischen Leuchtdiode OLED parallel verbunden ist. Zum Beispiel befindet sich die zusätzliche Kapazität Cnew zwischen der Source-Elektrode DS des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT und der Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT. 5 ist ein äquivalentes Schaltbild, das den Aufbau eines Pixels in der organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Damit das Öffnungsverhältnis nicht beeinflusst wird, während das äquivalente Schaltbild, das in 5 gezeigt ist, erfüllt wird, kann die zusätzliche Kapazität Cnew gemäß der vorliegenden Offenbarung durch Überlappen der Anodenelektrode ANO mit der Ansteuerstomleitung VDD, die mit der Source-Elektrode DS des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT verbunden ist, gebildet sein. Nachstehend werden wir, bezugnehmend auf 6 und 7, eine organische Leuchtdiodenanzeige gemäß der vorliegenden Offenbarung erklären. 6 ist eine Draufsicht, die eine organische Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie II-II' in 6, um den Aufbau einer organischen Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs gemäß der vorliegenden Offenbarung darzustellen.
Die organische Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs mit Aktivmatrix enthält gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen schaltenden Dünnschicht-Transistor ST, einen ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT, der mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor ST verbunden ist, und eine organische Leuchtdiode OLED, die mit dem ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT verbunden ist.
Der schaltende Dünnschicht-Transistor ST ist gebildet, wo sich die Abtastleitung SL und die Datenleitung DL schneiden. Der schaltende Dünnschicht-Transistor ST fungiert, um das Pixel auszuwählen, das mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor ST verbunden ist. Der schaltende Dünnschicht-Transistor ST enthält eine Gate-Elektrode SG, die von der Gate-Leitung GL abzweigt, eine Halbleiter-Kanalschicht SA, die mit der Gate-Elektrode SG überlappt, eine Source-Elektrode SS und eine Drain-Elektrode SD. Der ansteuernde Dünnschicht-Transistor DT fungiert, um eine Anodenelektrode ANO der organischen Leuchtdiode OD anzusteuern, die auf dem Pixel angeordnet ist, das durch den schaltende Dünnschicht-Transistor ST ausgewählt ist. Der ansteuernde Dünnschicht-Transistor DT enthält eine Gate-Elektrode DG, die mit der Drain-Elektrode SD des schaltenden Dünnschicht-Transistor ST verbunden ist, eine Halbleiter-Kanalschicht DA, eine Source-Elektrode DS, die mit der Ansteuerstromleitung VDD verbunden ist, und eine Drain-Elektrode DD. Die Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT ist mit der Anodenelektrode ANO der organischen Leuchtdiode OLED verbunden. Zwischen der Anodenelektrode ANO und der Kathodenelektrode CAT ist die organische Emissionsschicht OLE angeordnet. Die Kathodenelektrode CAT ist mit der Basisspannung VSS verbunden.
Vor allem besitzt die organische Leuchtdiode OLED gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Aufbau, bei dem die Anodenelektrode ANO mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung VDD überlappt wird. Eine Seite der rechteckig geformten Anodenelektrode ANO nahe bei der Ansteuerstromleitung VDD kann verlängert/verbreitert sein, um einige Teile der Ansteuerstromleitung VDD zu überlappen. Als Folge kann die zusätzliche Kapazität Cnew zwischen den verbreiterten Teilen der Anodenelektrode ANO und einigen Teilen der Ansteuerstromleitung VDD gebildet sein.
Nochmals bezugnehmend auf 7 wird der Querschnittsaufbau der organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erklärt. Auf dem transparenten Substrat SUB sind die Gate-Elektroden SG und DG des schaltende Dünnschicht-Transistors ST und des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT abgelagert. Auf den Gate-Elektroden SG und DG ist der Gate-Isolator GI abgelagert. Auf dem Gate-Isolator GI, der mit den Gate-Elektroden SG und DG überlappt, sind jeweils die Halbleiterschichten SA und DA gebildet. Auf den Halbleiterschichten SA und DA sind die Source-Elektroden SS und DS und die Drain-Elektroden SD und DD, jeweils einander gegenüber und mit einem vorbestimmten Abstand voneinander getrennt, gebildet. Die Drain-Elektrode SD des schaltenden Dünnschicht-Transistors ST ist mit der Gate-Elektrode DG des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT über ein Kontaktloch, das im Gate-Isolator GI gebildet ist, verbunden.
Während der Vollbildperiode sollte die Datenspannung Vdata vollständig an die Anodenelektrode ANO angelegt sein. Um dies zu tun, kann eine Speicherkapazität STG gebildet sein, um das schnelle Laden der Anodenelektrode ANO zu unterstützen. Wie in 5 gezeigt ist, kann die Speicherkapazität in dem Raum zwischen der Drain-Elektrode SD des schaltenden Dünnschicht-Transistors ST und der Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT gebildet werden. Im Einzelnen kann, wie in 6 und 7 gezeigt, die Speicherkapazität gebildet sein, indem die Anodenelektrode ANO von der Gate-Elektrode DG des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT überlappt wird. Das heißt, die Speicherkapazität STG kann durch Bilden verbreiterter Teile der Gate-Elektrode DG des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT gebildet sein, so dass sie eine Breite ähnlich der Breite des Pixelbereichs besitzen und diese verbreiterten Teil mit einigen Teilen der Anodenelektrode ANO überlappt sind.
Die Passivierungsschicht PAS ist so abgelagert, das sie das Substrat SUB, das den schaltenden Dünnschicht-Transistor ST und den ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT hält, bedeckt. Ein Farbfilter CF kann im Bereich der Anodenelektrode ANO, die später gebildet wird, gebildet sein. Der Farbfilter würde eine größtmögliche Fläche haben. Zum Beispiel ist es zweckmäßig, dass der Farbfilter CF in dem Pixelbereich, der von der Datenleitung DL, der Ansteuerstromleitung VDD und der Abtastleitung SL eingefasst ist, die maximierte Fläche hat.
Die obere Fläche des Substrats, die den Farbfilter CF hält, hat keine ebene und/oder glatte Beschaffenheit, sondern eine unebene und/oder raue Beschaffenheit mit vielen Stufen. Damit die organische Leuchtdiodenanzeige gute lumineszierende Eigenschaften über dem gesamten Anzeigenbereich besitzt, sollte die organische Emissionsschicht OLE auf einer ebenen oder glatten Fläche gebildet sein. So ist, um die obere Fläche mit ebenen und glatten Eigenschaften auszustatten, die Überzugschicht OC auf der gesamten Oberfläche des Substrats OC abgelagert.
Dann wird auf der Überzugschicht OC die Anodenelektrode ANO der organischen Leuchtdiode OLED gebildet. Dabei ist die Anodenelektrode ANO mit der Drain-Elektrode DD des ansteuernden Dünnschicht-Transistors DT durch das Kontaktloch, das die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS durchdringt, verbunden.
Auf dem Substrat SUB, das die Anodenelektrode ANO hält, ist eine Bank BANK gebildet, um den nicht-emittierenden Bereich, der den schaltenden Dünnschicht-Transistor ST, den ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT und die verschiedenen Leitungen DL, SL und VDD enthält, von dem emittierenden Bereich, der die organische Leuchtdiode OLED enthält, zu unterscheiden, um den lichtemittierenden Bereich abzugrenzen. Die Bank BANK kann den überlappenden Bereich der organischen Emissionsschicht OLE mit der Anodenelektrode ANO definieren. Deshalb kann der lichtemittierende Bereich durch die Bank BANK definiert sein. In der Regel ist der lichtemittierende Bereich im Pixelbereich enthalten und hat die größtmögliche Fläche.
Wie oben erklärt, hängt der lichtemittierende Bereich unmittelbar mit dem Farbfilter CF zusammen. Deshalb ist es zweckmäßig, dass der Bereich des Farbfilters CF eine etwas größere Fläche hat als der lichtemittierende Bereich, der durch die Bank BANK definiert ist. Das heißt, obwohl der Farbfilter CF so gebildet ist, das er eine maximierte Fläche besitzt, kann der tatsächlich lichtemittierende Bereich durch die Bank BANK definiert sein.
Die Anodenelektrode ANO ist durch die Bank BANK freigelegt. Auf der Anodenelektrode ANO und der Bank BANK ist die organische Emissionsschicht OLE abgelagert. Auf der organischen Emissionsschicht OLE ist folgend die Kathodenelektrode ACT abgelagert. Folglich ist die organische Leuchtdiode OLED, die mit dem ansteuernden Dünnschicht-Transistor DT verbunden ist, fertiggestellt.
In der organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bildet die Anodenelektrode ANO ferner eine zusätzliche Kapazität Cnew, in dem sie mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung VDD überlappt. Mit anderen Worten, obwohl die Anodenelektrode eine größere Fläche besitzt als die offene Fläche durch die Bank BANK, können die organische Emissionsschicht OLE und der Farbfilter CF eine Fläche besitzen, die mit der offenen Fläche durch die Bank BANK übereinstimmt. Deshalb ist das Öffnungsverhältnis, das Verhältnis des lichtemittierenden Bereichs zum Pixelbereich, nicht sehr von dem des Standes der Technik verändert. Dank der zusätzlichen Kapazität Cnew, die durch Überlappen einiger Teile der Anodenelektrode ANO und einiger Teiler der Ansteuerstromleitung VDD neuerlich gebildet ist, kann jedoch die Wirkung erhalten werden, dass die Anodenkapazität vergrößert ist.
Dabei ist die zusätzliche Kapazität in dem Raum gebildet, der mit der Überzugschicht OC, die zwischen der Anodenelektrode ANO und der Ansteuerstromleitung VDD eingefügt ist, ausgefüllt ist. Da die Überzugschicht OC ein organisches Material (oder dielektrisches Material) ist, ist ihre Dielektrizitätskonstante geringer als die des anorganischen Materials. Wenn ein Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante zwischen die Anodenelektrode ANO und die Ansteuerstromleitung VDD eingefügt ist, kann die Kapazität, wie in Gleichung 2 gezeigt, größere Werte besitzen als der erwartete und/oder ausgelegte Wert. Eine zu sehr vergrößerte Kapazität, zum Beispiel über den ausgleichenden Betrag, kann die Anzeigequalität schädlich beeinflussen. In der vorliegenden Offenbarung jedoch die Überzugschicht OC verwendet, die eine niedrige Dielektrizitätskonstante und ein große Dicke besitzt, so dass die zusätzliche Kapazität einen optimierten Betrag hat, ausreichend um die Anodenkapazität Coled auszugleichen.
Wenn der Farbfilter CF so gebildet ist, dass er eine große Dicke besitzt, kann die zusätzliche Kapazität außerdem, da die Dicke der Überzugschicht OC zu dick ist, einen nicht ausreichenden Betrag besitzen, um die Anodenkapazität Coled auszugleichen. In diesem Fall, der nicht in den Figuren gezeigt ist, kann ferner eine zusätzliche Elektrode, die mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung VDD überlappt, unter dem Gate-Isolator GI gebildet und mit der Anodenelektrode ANO verbunden werden.
Für noch ein anderes Beispiel kann, durch Abwandeln der Form der Anodenelektrode ANO, der überlappende Bereich mit der Ansteuerstromleitung VDD so gesteuert werden, dass der Betrag der zusätzlichen Kapazität Cnew gesteuert werden kann. Das heißt, es ist möglich, den Betrag der zusätzlichen Kapazität durch Verwenden verschiedener Verfahren zu steuern.
In der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist eines der Hauptmerkmale, die zusätzliche Kapazität Cnew zu bilden, die mit der Anodenelektrode parallel verbunden ist. Als Folge ist es möglich, die Änderung der Anodenspannung zu verringern. Dies führt zum Ausgleich des ansteuernden Dünnschicht-Transistors und/oder der Verbesserung der Helligkeit (Lumineszenz) der organischen Leuchtdiode, zur Verbesserung der Anzeigequalität.
8 ist eine Graphik, die die verbesserten Eigenschaften der organischen Leuchtdiode darstellt, wenn die zusätzliche Kapazität gemäß der vorliegenden Offenbarung enthalten ist. Bezugnehmend auf 5 und 8 ist es offensichtlich, dass durch Bilden der zusätzlichen Kapazität Cnew zwischen der Ansteuerstromleitung VDD und der Anodenelektrode ANO die Spannungsänderungen an der Anodenelektrode ANO verringert werden können, die Lumineszenz der organischen Leuchtdiode OLED verbessert werden kann, und das Ausgleichsvermögen verbessert werden kann. Nach 8 beträgt der vergrößerte Strombetrag ungefähr 14–15%. Deshalb ist es möglich, eine hellere Anzeige mit dem gleichen Energieverbrauch zu erhalten, und das Ausgleichsvermögen und die Einheitlichkeit der Grauskala können verbessert werden.
Außerdem kann die zusätzliche Kapazität Cnew durch bloßes Überlappen der Anodenelektrode ANO mit der Ansteuerstromleitung VDD gebildet sein, so dass es keine Änderung im Herstellungsprozess gibt. Nur durch Änderung der Maskenstruktur zum Definieren der Form der Anodenelektrode ANO kann das Hauptmerkmal der vorliegenden Offenbarung erreicht werden. Das heißt, ein zusätzlicher Herstellungsprozess und/oder zusätzliche Ausgaben sind nicht erforderlich.
In der Erklärung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung werden die organische Emissionsschicht OLE und die Kathodenelektrode CAT einzeln/getrennt für jeden Pixelbereich geformt. Jeder Pixel besitzt jedoch seinen eigenen Farbfilter CF, so dass die organische Emissionsschicht OLE und die Kathodenelektrode CAT jede in einer Körperschicht angeordnet sind, um die Herstellungsprozess zu vereinfachen. Zum Beispiel können, wie in 9 gezeigt ist, die organische Emissionsschicht OLE und die Kathodenelektrode CAT nicht in jedem Pixelbereich gestaltet werden. Stattdessen kann die organische Emissionsschicht OLE so abgelagert sein, dass sie die gesamte Oberfläche des Substrats bedeckt, und die Kathodenelektrode CAT kann auch so abgelagert sein, dass sie die gesamte Oberfläche der organischen Emissionsschicht OLE bedeckt. 9 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einem anderer Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, wobei die organische Emissionsschicht und die Kathodenschicht über dem gesamten Substrat abgelagert sind.
Nachstehend werden wir, bezugnehmend auf 10 und 11, die zweite Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erklären. 10 ist eine Draufsicht, die eine organische Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 11 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer organischen Leuchtdiodenanzeige des Bottom-emission-Typs durch Schneiden entlang der Linie III-III' in 10 darstellt.
Der Aufbau der organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist zumeist gleich dem der ersten Ausführungsform. Der Unterschied ist, dass eine Ansteuerstromleitung VDD gemeinsam mit zwei benachbarten Anodenelektroden ANO, die jeweils im linken Pixelbereich und rechten Pixelbereich von der Ansteuerstromleitung VDD angeordnet sind, überlappt ist. Das heißt, wenn die organische Leuchtdiodenanzeige den Aufbau zum Verringern der Anzahl der Ansteuerstromleitungen VDD besitzt, kann das Hauptmerkmal der vorliegenden Offenbarung angewendet werden.
Bezugnehmend auf 10 und 11 teilen sich zwei benachbarte Pixelspalten eine Ansteuerstromleitung VDD, die zwischen den beiden Pixelspalten angeordnet ist. Das heißt, dass diese beiden benachbarten Pixelspalten symmetrisch zur Ansteuerstromleitung VDD ausgelegt sind. Deshalb ist eine erste Anodenelektrode ANO1, die im linken Pixelbereich angeordnet ist, erweitert, um mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung VDD zu überlappen, so dass eine erste zusätzliche Kapazität Cnew1 gebildet werden kann. Ferner ist eine zweite Anodenelektrode ANO2, die im rechten Pixelbereich angeordnet ist, erweitert, um mit anderen Teilen der Ansteuerstromleitung VDD zu überlappen, so dass eine zweite zusätzliche Kapazität gebildet wird.
Für den Fall der ersten Ausführungsform kann, da jede Pixelspalte eine Ansteuerstromleitung VDD besitzt, die Anodenelektrode erweitert sein, um die beiden Kanten der Ansteuerstromleitung VDD zu bedecken. Wenn nötig, kann die Anodenelektrode ANO erweitert sein, um einige Teile einschließlich nur einer Kante der Ansteuerstromleitung VDD zu bedecken. Dieser überlappte Bereich kann gemäß dem erforderlichen und/oder ausgelegten Betrag der zusätzlichen Kapazität Cnew variiert werden.
Inzwischen ist für den Fall der zweiten Ausführungsform eine Ansteuerstromleitung VDD bei den beiden benachbarten Pixelspalten platziert. Deshalb überlappt die erste Anodenelektrode ANO1, die auf einem (dem linken) Pixelbereich angeordnet ist, mit einem Seitenteil (rechten Seitenteil) der Ansteuerstromleitung VDD, um die erste zusätzliche Kapazität Cnew1 zu bilden. Genauso überlappt die zweite Anodenelektrode ANO2, die auf dem anderen (dem rechten) Pixelbereich angeordnet ist, mit dem anderen Seitenteil (linken Seitenteil) der Ansteuerstromleitung VDD, um die zweite zusätzliche Kapazität Cnew2 zu bilden.
Obwohl die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausführlich mit Bezug zu den Zeichnungen beschrieben worden ist, ist es für die Sachkundigen dieses Gebiets selbstverständlich, das die Erfindung in anderen typischen Ausführungen implementiert werden kann, ohne den technischen Erfindungsgedanken oder wesentliche Merkmale der Erfindung zu verändern. Deshalb sollte bemerkt werden, dass die vorhergehenden Ausführungsformen kaum unter allen Gesichtspunkten erläuternd sind und nicht ausgelegt werden sollen, die Erfindung einzuschränken. Der Geltungsbereich der Erfindung wird eher durch die angefügten Ansprüche als die ausführliche Beschreibung der Erfindung definiert. Alle Änderungen oder Abwandlungen oder ihre Entsprechungen, die in den Begriffsinhalten und dem Geltungsbereich der Ansprüche gemacht werden, sollen so ausgelegt werden, dass sie in den Geltungsbereich der Erfindung fallen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 10-2012-0144813 [0001]

Claims

Organische Leuchtdiodenanzeige, die Folgendes umfasst: eine Datenleitung, eine Abtastleitung und eine Ansteuerstromleitung, die einen Pixelbereich auf einem Substrat definieren; eine Anodenelektrode, die im Pixelbereich gebildet ist; eine zusätzliche Kapazität, die durch Überlappen erweiterter Teile der Anodenelektrode mit einigen Teilen der Ansteuerstromleitung gebildet ist; eine Bank, die einen lichtemittierenden Bereich in der Anodenelektrode definiert; eine organische Emissionsschicht, die auf der Anodenelektrode gebildet ist; und eine Kathodenelektrode, die auf der organischen Lichtemitterschicht gebildet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner umfasst: einen Farbfilter, der unter der Anodenelektrode in dem Pixelbereich angeordnet ist; und eine Überzugschicht, die den Farbfilter bedeckt und unter der Anodenelektrode angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner umfasst: einen schaltenden Dünnschicht-Transistor, der mit der Datenleitung und der Abtastleitung in dem Pixelbereich verbunden ist; und einen ansteuernden Dünnschicht-Transistor, der mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor und der Ansteuerstromleitung verbunden ist.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei eine von einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des schaltenden Dünnschicht-Transistors mit der Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors verbunden ist, und eine von einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors mit der Anodenelektrode verbunden ist.
Vorrichtung nach Anspruch 4, die ferner umfasst: eine Speicherkapazität, die zwischen der Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors und der Anodenelektrode gebildet ist.
Organische Leuchtdiodenanzeige, die Folgendes umfasst: Datenleitungen und Abtastleitungen, die einen Pixelbereich auf einem Substrat definieren; eine Ansteuerstromleitung, die gewöhnlich in einer ersten Pixelspalte bereitgestellt wird, und eine zweite Pixelspalte, die zwischen den Pixelbereichen aneinander angrenzen; eine erste Anodenelektrode, die in der ersten Pixelspalte gebildet ist, und eine zweite Anodenelektrode, die in der zweiten Pixelspalte gebildet ist; eine erste zusätzliche Kapazität, die durch Erweitern von der ersten Anodenelektrode und Überlappen zu einem Teil der Ansteuerstromleitung gebildet ist, und eine zweite zusätzliche Kapazität, die durch Erweitern von der zweiten Anodenelektrode und Überlappen zu einem anderen Teil der Ansteuerstromleitung gebildet ist; eine Bank, die lichtemittierende Bereiche entsprechend an der ersten und der zweiten Anodenelektroden definiert; eine organische Emissionsschicht auf der ersten und der zweiten Anodenelektrode; und eine Kathodenelektrode auf der organischen Emissionsschicht und der Elektronen-Transportschicht.
Vorrichtung nach Anspruch 6, die ferner umfasst: einen Farbfilter, der unter der ersten und der zweiten Anodenelektrode in den Pixelbereichen angeordnet ist; und eine Überzugschicht, die den Farbfilter bedeckt und unter der ersten und der zweiten Anodenelektrode angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die erste Anodenelektrode und die zweite Elektrode mit einem vorbestimmten Abstand auf der Ansteuerstromleitung angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner umfasst: einen schaltenden Dünnschicht-Transistor, der mit der Datenleitung und der Abtastleitung in dem Pixelbereich verbunden ist; und einen ansteuernden Dünnschicht-Transistor, der mit dem schaltenden Dünnschicht-Transistor und der Ansteuerstromleitung verbunden ist.
Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei entweder eine Drain-Elektrode oder eine Source-Elektrode des schaltenden Dünnschicht-Transistors mit der Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors verbunden ist, und entweder eine Drain-Elektrode oder eine Source-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors mit mindestens einer der ersten und der zweiten Anodenelektrode verbunden ist.
Vorrichtung nach Anspruch 10, die ferner umfasst: eine Speicherkapazität, die zwischen der Gate-Elektrode des ansteuernden Dünnschicht-Transistors und mindestens einer der ersten und der zweiten Anodenelektrode gebildet ist.