DE102011089886A1 - Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger - Google Patents

Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger Download PDF

Info

Publication number
DE102011089886A1
DE102011089886A1 DE201110089886 DE102011089886A DE102011089886A1 DE 102011089886 A1 DE102011089886 A1 DE 102011089886A1 DE 201110089886 DE201110089886 DE 201110089886 DE 102011089886 A DE102011089886 A DE 102011089886A DE 102011089886 A1 DE102011089886 A1 DE 102011089886A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
cooling structure
layer
circuit
carrier layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE201110089886
Other languages
English (en)
Inventor
Frank Meyer
Andreas Greif
Johannes Fetzer
Werner Graf
Klaus Alzner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Continental Automotive GmbH
Original Assignee
Continental Automotive GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Continental Automotive GmbH filed Critical Continental Automotive GmbH
Priority to DE201110089886 priority Critical patent/DE102011089886A1/de
Publication of DE102011089886A1 publication Critical patent/DE102011089886A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • H05K1/0209External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Offenbart sind ein Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) und ein Verfahren zur Herstellung von dem Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700). Der Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) weist eine Trägerschicht (110) mit einer ersten Oberfläche (110a), eine Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) auf der ersten Oberfläche (110a), welche aus einer auf der ersten Oberfläche (110a) der Trägerschicht (110) aufgebrachten, ersten wärmeleitfähigen Schicht (12) in einem Ätzvorgang ausgebildet ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Schaltungsträger und ein Verfahren zur Herstellung von dem genannten Schaltungsträger. Ferner betrifft die Erfindung eine Schaltungsanordnung mit dem genannten Schaltungsträger.
  • Schaltungsträger dienen zur mechanischen Befestigung von elektrischen und elektromechanischen Bauelementen und zum Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen diesen Bauelementen. Vorzugsweise ist der Schaltungsträger als ein Keramik-Substrat, insbesondere ein direkt bondiertes Kupfersubstrat (auf Englisch „Direct Bonded Copper substrate“, DBC substrate) oder ein direkt bondiertes Aluminiumsubstrat (auf Englisch „Direct Bonded Aluminium substrate“, DBA substrate) ausgebildet. Der Schaltungsträger kann beispielsweise auch als mehrlagiger Substrat-Verbund, wie zum Beispiel Alu-Kern-Leiterplatte (IMS, auf Englisch „Insulated metal substrate“) ausgebildet sein.
  • Diese Schaltungsträger finden ihre Anwendungen in zahlreichen elektrischen oder elektronischen Systemen, insbesondere in leistungselektronischen Systemen eines Fahrzeugs, wie zum Beispiel in einem Stromwandler für einen Elektromotor. Derartige Schaltungsträger werden mit elektrischen oder elektronischen Bauelementen, wie zum Beispiel Leistungstransistoren, bestückt, die während des Betriebs der Systeme hohe Wärmeenergie erzeugen, welche schädlich für die Systeme ist und daher möglichst schnell abgeführt werden muss. Die Abfuhr der Wärme wird in der Regel mittels Kühlstrukturen erreicht, welche an dem Schaltungsträger angebracht sind.
  • Eine Möglichkeit zur Abführung der Wärme ist eine kühlende Bodenplatte, welche auf den Schaltungsträger aufgebracht ist und zum Kühlen des Schaltungsträgers dient. Die Bodenplatte kann eine Kühlstruktur aufweisen, welche die von dem Schaltungsträger aufgenommene Wärme in das um die Bodenplatte umströmende Kühlmittel abgibt. Die Herstellung derartiger Bodenplatten ist jedoch kostenintensiv, was zu hohen Gesamtkosten bei den Schaltungsträgern verursacht. Zudem erfordern derartige Bodenplatten einen entsprechenden Bauraum, was in vielen Anwendungsgebieten der Schaltungsträger mit einem beschränkten Bauraum zu Problemen führt.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt somit darin, eine einfache und kosten- und bauraumsparende alternative Möglichkeit zur Kühlung von Schaltungsträgern bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird durch die unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird ein Schaltungsträger bereitgestellt, der einen dielektrischen Trägerteil beziehungsweise eine Trägerschicht mit einer ersten Oberfläche und eine Kühlstruktur auf der ersten Oberfläche der Trägerschicht zur Kühlung des Schaltungsträgers aufweist. Dabei ist die Kühlstruktur aus einer auf der ersten Oberfläche der Trägerschicht unmittelbar aufgebrachten, ersten wärmeleitfähigen, insbesondere metallischen, Schicht in einem Ätzvorgang geätzt beziehungsweise ausgebildet.
  • Derartige Schaltungsträger sind dank des vergleichsweise einfachen Ätzvorganges kostengünstig herstellbar. Da die Kühlstruktur direkt auf der Oberfläche der Trägerschicht und somit sehr nah an den wärmeerzeugenden Bauelementen angeordnet ist, kann einerseits der Bauraum gespart werden und andererseits die in den Bauelementen erzeugte Wärme schnell und effizient abgeführt werden.
  • Das „unmittelbare“ Aufbringen einer Schicht (sowohl der oben beschriebenen wärmeleitfähigen Schicht als auch einer unten beschriebenen elektrisch leitfähigen Schicht) auf der Trägerschicht bedeutet hier, dass es zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht keine Zwischenschicht vorhanden ist, welche nicht unmittelbar zum Auftragen der Schicht auf der Trägerschicht und zur stoffschlüssigen Verbindung zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht dient. Mit anderen Worten: Zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht darf beispielsweise eine dünne, wärmeleitfähige Klebeschicht vorhanden sein, welche lediglich zu einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht dient.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Trägerschicht eine zweite, von der ersten Oberfläche abgewandte Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche eine elektrische Leiterbahn auf, welche ebenfalls in einem Ätzvorgang, insbesondere in demselben Ätzvorgang der Kühlstruktur, aus einer auf der zweiten Oberfläche der Trägerschicht unmittelbar aufgebrachten, zweiten elektrisch leitfähigen, insbesondere metallischen, Schicht geätzt beziehungsweise ausgebildet ist.
  • Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, dass sowohl die Kühlstruktur als auch elektrische Verbindungen der Schaltungsträger in einem Fertigungsschritt hergestellt werden können. Dies senkt zusätzlich den Fertigungsaufwand und die Kosten der Schaltungsträger.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Kühlstruktur zumindest ein oberflächenvergrößerndes und/oder bei einem fluiden Kühlmittel wie beim Kühlwasser Turbulenzen erzeugendes Strukturelement auf. Dieses Strukturelement ist vorteilhafterweise als ein sich von der ersten Oberfläche der Trägerschicht weg, in das Kühlmittel erstreckender Vorsprung ausgebildet. Beispielsweise hat das Strukturelement einen rippen- oder stiftförmig ausgebildeten Kühlkörper (auf Englisch „Pin-Fin heat sink“). Vorzugsweise ist das Strukturelement als ein senkrecht zu der Trägerfläche liegender Vorsprung ausgebildet.
  • Eine größere Kühloberfläche der Kühlstruktur und Turbulenzen bei dem an diese Kühlstruktur fließenden Kühlmittel führen die von den auf dem Schaltungsträger angeordneten elektrischen oder elektronischen Bauelementen erzeugte Wärme schneller ab.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Kühlstruktur zumindest ein von dem der Trägerschicht zugewandten Ende zu dem der Trägerschicht abgewandten Ende hin sich stufenförmig oder stufenpyramidenförmig verjüngendes Strukturelement auf.
  • Derartige stufenförmige Strukturelemente führen beim Kühlmittel zu einer stärkeren Turbulenzbildung, wodurch die Kühlstruktur mit derartigen Stufenelementen die Wärme schneller und effizienter abführen kann.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Schaltungsanordnung mit einer Kühlkammer zum Durchfluss eines Kühlmittels und einem Schaltungsträger mit einer oben beschriebenen Kühlstruktur geschaffen, wobei die Kühlstruktur von dem Kühlmittel umströmbar in der Kühlkammer angeordnet ist.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines oben beschriebenen Schaltungsträgers bereitgestellt, welches folgende Verfahrensschritte aufweist. Es wird eine Trägerschicht mit einer ersten Oberfläche bereitgestellt. Auf der ersten Oberfläche der Trägerschicht wird dann eine erste wärmeleitende, insbesondere metallische, Schicht aufgetragen beziehungsweise aufgebracht. Anschließend wird die erste wärmeleitende Schicht in einem Ätzvorgang zu einer oben beschriebenen Kühlstruktur geätzt.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird eine Trägerschicht mit der ersten Oberfläche und einer zweiten, der ersten Oberfläche abgewandten Oberfläche bereitgestellt. Auf der zweiten Oberfläche der Trägerschicht wird eine zweite elektrisch leitende, insbesondere metallische, Schicht aufgetragen beziehungsweise aufgebracht, vorteilhafterweise in demselben Aufbringvorgang der ersten, wärmeleitenden Schicht auf der Trägerschicht. Anschließend wird die zweite Schicht in einem Ätzvorgang, vorteilhafterweise in demselben Ätzvorgang der ersten Schicht, zu einer elektrischen Leiterbahnstruktur geätzt.
  • Gemäß einer weiteren, vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird die erste, wärmeleitende Schicht in einem Stufenätzvorgang zu einer Kühlstruktur mit von dem der Trägerschicht zugewandten Ende zu dem der Trägerschicht abgewandten Ende hin sich stufenförmig verjüngenden Strukturelementen geätzt.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen des oben dargestellten Schaltungsträgers sind, soweit im Übrigen auf die oben dargestellte Schaltungsanordnung beziehungsweise das oben dargestellte Verfahren übertragbar, auch als vorteilhafte Ausgestaltungen der Schaltungsanordnung beziehungsweise des Verfahrens anzusehen.
  • Im Folgenden sollen nun beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert werden.
  • In den Zeichnungen sind nur die Komponenten beziehungsweise die Verfahrensschritte dargestellt, welche für die Beschreibung der Erfindung relevant sind. Je nach Ausgestaltung können die in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen weitere in den Zeichnungen nicht dargestellten Komponenten oder Verfahrensschritte aufweisen. Zudem werden die Komponenten, welche die gleiche technische Eigenschaft und die gleiche Funktionalität aufweisen, werden mit demselben Bezugszeichen versehen. Dabei zeigen:
  • 1 schematisch eine Schaltungsanordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung in einer Seitenschnittdarstellung;
  • 2 schematisch die Kühlstruktur der Schaltungsanordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform in einer schrägen Draufsicht;
  • 3 schematisch eine Kühlstruktur gemäß einer dritten Ausführungsform in einer schrägen Draufsicht;
  • 4 schematisch weitere Ausführungsformen der Kühlstruktur in Querschnittdarstellung der Strukturelemente der Kühlstruktur;
  • 5 schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers der ersten und der dritten Ausführungsformen; und
  • 6 schematisch weitere Ausführungsformen der Kühlstruktur in Querschnittdarstellung des Schaltungsträgers.
  • Es sei zunächst auf 1 verwiesen, in der eine Schaltungsanordnung 10 gemäß einer ersten Ausführungsform in einer Seitenschnittansicht schematisch gezeigt ist.
  • Die Schaltungsanordnung 10 weist einen Schaltungsträger 100 und eine Kühlkammer 300 auf. Der Schaltungsträger 100 umfasst einen dielektrischen Trägerteil beziehungsweise eine dielektrische Trägerschicht 110, eine Kühlstruktur 120 und elektrische Leiterbahnen 131, 132.
  • Die Trägerschicht 110 besteht aus einem elektrisch nicht leitenden keramischen Material und weist eine erste Oberfläche 110a und eine zweite von der ersten Oberfläche 110a abgewandte beziehungsweise der ersten Oberfläche 110a gegenüberliegende Oberfläche 110b auf.
  • Auf der ersten Oberfläche 110a der Trägerschicht 110 ist die Kühlstruktur 120 angeordnet. Auf der zweiten Oberfläche 110b der Trägerschicht 110 sind die elektrischen Leiterbahnen 131, 132 angeordnet. Die Kühlstruktur 120 und die elektrischen Leiterbahnen 131, 132 bestehen aus einem gleichen, thermisch und elektrisch leitenden Metall, wie zum Beispiel Kupfer.
  • Die Kühlstruktur 120 und die elektrischen Leiterbahnen 131, 132 sind in einem und demselben Ätzvorgang aus jeweils einer auf der jeweiligen Oberfläche 110a, 110b der Trägerschicht 110 aufgetragenen Metallschicht geätzt beziehungsweise ausgebildet.
  • Auf dem Schaltungsträger 100 ist ein elektronisches Bauelement 210, wie zum Beispiel ein Leistungstransistor, angeordnet, das mit der einen elektrischen Leiterbahn 131 über eine Lötschicht 220 mechanisch und elektrisch verbunden ist. Über einen Bonddraht 230 ist das elektronische Bauelement 210 mit einer weiteren elektrischen Leiterbahn 132 elektrisch verbunden. Im Betrieb der Schaltungsanordnung 10 erzeugt das Bauelement 210 Wärme, die schnell abgeführt werden muss.
  • In einer in den Figuren nicht näher dargestellten alternativen Ausführungsform kann das elektronische Bauelement 210 bedingt durch den Schaltungslayout auch direkt auf der Trägerschicht 110 angeordnet sein.
  • Durch die Kühlkammer 300 fließt ein fluides Kühlmittel 310, wie zum Beispiel Kühlwasser. In der Kühlkammer 300 ist die Kühlstruktur 120 des Schaltungsträgers 100 von dem Kühlmittel 310 umströmbar angeordnet beziehungsweise in dem Kühlmittel 310 eingetaucht.
  • In dieser ersten Ausführungsform weist die Kühlstruktur 120 zylinderförmige Strukturelemente 121 auf, die als auf der ersten Oberfläche 110a der Trägerschicht 110 angeformte, von der Trägerschicht 110 sich weg senkrecht erstreckende Vorsprünge ausgebildet sind.
  • Durch die unmittelbare Anordnung der Kühlstruktur 120 an der Trägerschicht 110 und somit nah zu dem Bauelement 210 und durch die zylinderförmigen von der Trägerschicht weg in das Kühlmittel 310 sich erstreckenden Strukturelemente 121 kann die von dem Bauelement 210 erzeugte Wärme über einen direkten Weg 800 von dem Bauelement 210 an das Kühlmittel 310 abgeführt werden.
  • Nun sei auf 2 verwiesen, in der eine zweite Ausführungsform der Kühlstruktur 120F schematisch dargestellt ist. Die Kühlstruktur 120F weist zylinderförmige Strukturelemente 121 mit einem kreisförmigen Querschnitt auf, die in Längsrichtung x der Trägerschicht 110 in Reihe und in Querrichtung y der Trägerschicht 110 seitlich versetzt angeordnet sind.
  • Nun sei auf 3 verwiesen, in der eine dritte Ausführungsform der Kühlstruktur 120‘ schematisch dargestellt ist. Die Kühlstruktur 120‘ weist Strukturelemente 122 auf, die sich von dem der Trägerschicht 110 zugewandten Ende 122a zu dem der Trägerschicht 110 abgewandten Ende 122b hin stufenförmig beziehungsweise stufenpyramidenförmig verjüngend, senkrecht zu der Trägerschicht 110 und von der Trägerschicht 110 sich weg erstrecken. Die Strukturelemente 122 weisen somit eine erste Stufe 122c und eine zweite Stufe 122d zur Turbulenzbildung bei einem die Strukturelemente 122 umströmenden Kühlmittel auf.
  • Nun sei auf 4 verwiesen, in denen weitere Ausführungsformen der Kühlstruktur schematisch dargestellt sind.
  • In einer vierten Ausführungsform gemäß 4A weist die Kühlstruktur 120A Strukturelemente 121A auf, welche einen rautenförmigen Querschnitt aufweisen.
  • In einer fünften Ausführungsform gemäß 4B weist die Kühlstruktur 120B Strukturelemente 121B auf, welche einen tropfenförmigen Querschnitt aufweisen.
  • In einer sechsten Ausführungsform gemäß 4C weist die Kühlstruktur 120C Strukturelemente 121B auf, welche ebenfalls einen tropfenförmigen Querschnitt aufweisen. Im Vergleich zu der Kühlstruktur 120B in 4B, bei der die Strukturelemente 121B zueinander gleichgerichtet angeordnet sind, sind die Strukturelemente 121B der Kühlstruktur 120C zueinander reihenweise gegengerichtet angeordnet.
  • In einer siebten Ausführungsform gemäß 4D weist die Kühlstruktur 120D Strukturelemente 121D auf, welche einen ellipsenförmigen Querschnitt aufweisen.
  • In einer achten Ausführungsform gemäß 4E weist die Kühlstruktur 120E Strukturelemente 121E auf, welche einen pinguinförmigen (also ellipsenform mit einem spitzen Ende) Querschnitt aufweisen.
  • Nachdem die verschiedenen Ausführungsformen der Schaltungsanordnung 10 mithilfe von 1 bis 4 detailliert beschrieben sind, wird nun das Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers 100 einer derartigen Schaltungsanordnungen 10 unter Zuhilfenahme von 5 näher beschrieben.
  • Zunächst wird gemäß einem ersten Verfahrensschritt S110 ein Träger, ein Trägerteil beziehungsweise eine Trägerschicht 110 aus Keramik bereitgestellt, welche eine erste Oberfläche 110a und eine zweite Oberfläche 110b aufweist.
  • Das Zwischenprodukt 100A des Schaltungsträgers 100 nach dieser ersten Herstellungsphase beziehungsweise die Trägerschicht 110 wird nun gemäß einem zweiten Verfahrensschritt S120 beidseitig mit jeweils einer ersten und einer zweiten Metallschicht 12, 13 beschichtet. Die Beschichtung der Trägerschicht 110 der ersten und der zweiten Metallschicht 12, 13 können in einem einzigen Verfahrensschritt S120 oder getrennt in zwei aufeinander folgenden Schritten S120a, S120b hintereinander erfolgen. Verbindungen zwischen der Trägerschicht 110 und den beiden Metallschichten 12, 13 erfolgen beispielsweise durch eine stoffschlüssige Verbindung mit einem geeigneten wärmeleitfähigen Klebestoff. Nach dieser zweiten Herstellungsphase entsteht ein Zwischenprodukt 110B des Schaltungsträgers 100.
  • Anschließend wird das Zwischenprodukt 110B beziehungsweise werden die beiden Metallschicht 12, 13 gemäß einem dritten Verfahrensschritt S130 in einem Ätzvorgang geätzt, sodass die erste Metallschicht 12 zu einer Kühlstruktur 120 und die zweite Metallschicht 13 zu elektrischen Leiterbahnen 131, 132 geätzt werden. Dabei können die beiden Metallschichten 12, 13 in einem und demselben Ätzvorgang S130 gemeinsam geätzt werden oder getrennt in zwei aufeinander folgenden Ätzvorgängen S130a, S130b hintereinander geätzt werden.
  • Hierzu werden die Bereiche auf den beiden metallischen Schichten 12, 13, die nach dem Ätzvorgang zu den Strukturelementen 121 der Kühlstruktur 120 oder den elektrischen Leiterbahnen 131, 132 ausgebildet werden sollen, mit einer Abdecklackschicht, wie zum Beispiel einer Fotolackschicht, abgedeckt. Anschließend wird die Trägerschicht 110 samt den beiden metallischen Schichten 12, 13 in eine mit Ätzflüssigkeit gefüllte Wanne eingetaucht. Alternativ kann die Trägerschicht 110 in einen luftdichten und mit ätzenden Gasen gefüllten Raum gebracht werden. Nach einer gewissen Zeit werden die Bereiche in den beiden metallischen Schichten 12, 13, die nicht mit der Abdecklackschicht abgedeckt sind, weggeätzt. Anschließend wird die Abdecklackschicht abgetragen. Nach dieser dritten Herstellungsphase entsteht das Endprodukt 100C des Schaltungsträgers 100.
  • Zum Herstellen eines Schaltungsträgers mit einer Kühlstruktur 120‘ mit stufenförmigen Strukturelementen 122 (vergleiche 3) wird das Endprodukt 100C des Schaltungsträgers 100 beziehungsweise die Kühlstruktur 120 des Endprodukts 100C gemäß einem weiteren, also vierten Verfahrensschritt S140 in einem Stufenätzvorgang mit hintereinander folgenden Ätzschritten mehrfach geätzt, sodass sich eine Kühlstruktur 120‘ mit stufenpyramidenförmigen Strukturelementen 122 ausgebildet wird. Hierzu wird das Zwischenprodukt nach Verfahrensschritt S130 wieder mit der Abdecklackschicht abgedeckt, wobei nur die Bereiche abgedeckt werden, die später eine von der Trägerschicht 110 abgewandt freiliegende zweite Stufe 122d ausbilden sollen. Die elektrischen Leiterbahnen 131, 132, die im Verfahrensschritt S130 bereits ausgeformt sind, werden ebenfalls mit der Abdecklackschicht abgedeckt. Anschließend wird das Zwischenprodukt in eine mit Ätzflüssigkeit gefüllte Wanne eingetaucht oder in einen mit ätzenden Gasen gefüllten Raum gebracht. Durch Ätzen der Bereiche, die nicht mit der Abdecklackschicht abgedeckt sind, werden abgetragen und bilden sich so eine erste Stufe 122c der Strukturelemente 122 aus. Somit entsteht als Endprodukt 100D ein Schaltungsträger 100‘ mit einer Kühlstruktur 120‘ mit Strukturelementen 122, welche sich von einem der Trägerschicht 110 zugewandten Ende 122a zu einem der Trägerschicht 110 abgewandten Ende 122b hin sich stufenförmig beziehungsweise stufenpyramidenförmig verjüngen und somit eine erste Stufe 122c und eine zweite Stufe 122d zur Turbulenzbildung bei einem die Strukturelemente 122 umströmenden Kühlmittel aufweisen.
  • Nun sei auf 6 verwiesen, in denen weitere Ausführungsformen des Schaltungsträgers dargestellt sind. 6A zeigt einen Schaltungsträger 600 mit einer Kühlstruktur 610, welche eine Bodenschicht 611 aufweist, über diese die stiftförmigen Strukturelemente 121 miteinander verbunden sind. 6B zeigt einen Schaltungsträger 700 mit einer Kühlstruktur 710, welche eine Bodenschicht 711 aufweist, über diese die stufenpyramidenförmigen Strukturelemente 122 miteinander verbunden sind.
  • Derartige Kühlstrukturen 610, 710 der Bodenschichten 611, 711 werden in einem Ätzvorgang hergestellt, in dem die metallische Schicht 12 nicht bis zum Anschlag weggeätzt wird. Damit, dass eine Bodenschicht 611, 711 nach einem Ätzvorgang der metallischen Schicht 12 noch übrig bleibt, wird eine maximale Zeitdauer des Ätzvorgangs vor dem Ätzvorgang unter anderem abhängig von der Dicke bzw. Stärke der metallischen Schicht 12 berechnet. Anschließend wird die Trägerschicht 110 samt der mit der Abdecklackschicht entsprechend abgedeckten metallischen Schicht 12 nur für die vorberechnete Zeitdauer in der Ätzflüssigkeit oder in den ätzenden Gasen eingetaucht. Als Endprodukt entsteht nach weiteren oben beschriebenen Verfahrensschritten somit ein Schaltungsträger 600, 700.
  • Bezugszeichenliste
  • 10
    Schaltungsanordnung
    12
    Erste metallische Schicht
    13
    Zweite metallische Schicht
    100, 100‘, 600, 700
    Schaltungsträger
    100A, 100B, 100C
    Zwischen- und Endprodukt des Schaltungsträgers 100, 100‘
    100D
    Endprodukt des Schaltungsträgers 100‘
    110
    Trägerschicht
    110a
    Erste Oberfläche der Trägerschicht
    110b
    Zweite Oberfläche der Trägerschicht
    120, 120‘, 610, 710
    Kühlstruktur
    120A, 120B, 120C, 120D, 120E, 120F
    Kühlstruktur
    121
    Stiftförmiges Strukturelement
    121A, 121B, 121D, 121E
    Strukturelement
    122
    Stufenförmiges Strukturelement
    122a
    Der Trägerschicht zugewandtes Ende des Strukturelement 122
    122b
    Der Trägerschicht abgewandtes Ende des Strukturelement 122
    122c
    Erste Stufe des Strukturelement 122
    122d
    Zweite Stufe des Strukturelement 122
    131, 132
    Elektrische Leiterbahn
    210
    Elektronisches Bauelement
    220
    Lötschicht
    230
    Bonddraht
    300
    Kühlkammer
    310
    Fluides Kühlmittel
    320
    Turbulenz im Kühlmittel
    611, 711
    Bodenschicht der Kühlstruktur
    800
    Wärmeübertragung

Claims (10)

  1. Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) mit folgenden Merkmalen: – einer Trägerschicht (110) mit einer ersten Oberfläche (110a), – einer Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) auf der ersten Oberfläche (110a) der Trägerschicht (110) zur Kühlung des Schaltungsträgers (100, 100‘, 600, 700), dadurch gekennzeichnet, dass – die Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) in einem Ätzvorgang aus einer auf der ersten Oberfläche (110a) der Trägerschicht (110) unmittelbar aufgebrachten, ersten wärmeleitfähigen Schicht (12) ausgebildet ist.
  2. Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) nach Anspruch 1, mit – der Trägerschicht (110) mit einer zweiten Oberfläche (110b), – einer elektrischen Leiterbahn (131, 132) auf der zweiten Oberfläche (110b) der Trägerschicht (110), – wobei die elektrische Leiterbahn (131, 132) in einem Ätzvorgang aus einer auf der zweiten Oberfläche (110b) der Trägerschicht (110) unmittelbar aufgebrachten, zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (13) ausgebildet ist.
  3. Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) zumindest ein Strukturelement (121, 122) aufweist, das zum Vergrößern der Oberfläche der Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) und/oder zum Erzeugen von Turbulenzen (320) bei einem an der Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) fließenden Kühlmittel (310) ausgebildet ist.
  4. Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) zumindest ein Strukturelement (121, 122) aufweist, das ein von der ersten Oberfläche (110a) der Trägerschicht (110) sich weg erstreckender Vorsprung ist.
  5. Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) zumindest ein rippen- oder stiftförmiges Strukturelement (121, 122) aufweist.
  6. Schaltungsträger (100‘, 700) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120‘, 710) zumindest ein von einem der Trägerschicht (110) zugewandten Ende (122a) zu einem der Trägerschicht (110) abgewandten Ende (122b) hin sich stufenförmig verjüngendes Strukturelement (122) aufweist.
  7. Schaltungsanordnung (10) mit – einer Kühlkammer (300) zum Durchfluss eines Kühlmittels (310), – einem Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) mit einer Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) nach einem der vorangehenden Ansprüche, – wobei die Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) von dem Kühlmittel (310) umströmbar in der Kühlkammer (300) angeordnet ist.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers (120, 120‘, 610, 710), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen (S110) einer Trägerschicht (110) mit einer ersten Oberfläche (110a), – Aufbringen (S120a) einer ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12) unmittelbar auf der ersten Oberfläche (110a) der Trägerschicht (110), – Ätzen (S130a) der ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12) in einem Ätzvorgang zu einer Kühlstruktur (120, 610).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen (S110) einer Trägerschicht (110) mit der ersten Oberfläche (110a) und einer zweiten Oberfläche (110b), – Aufbringen (S120b) einer zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht (13) auf der zweiten Oberfläche (110b) der Trägerschicht (110), – Ätzen (S130b) der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht (13) zu einer elektrischen Leiterbahn (131, 132) in demselben Ätzvorgang (S130a) der ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12) zu der Kühlstruktur (120, 610).
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, mit Ätzen (S140) der ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12) in einem Stufenätzvorgang zu einer Kühlstruktur (120‘, 710) mit einem von dem der Trägerschicht (110) zugewandten Ende (122a) zu dem der Trägerschicht (110) abgewandten Ende (122b) hin sich stufenförmig verjüngenden Strukturelement (122).
DE201110089886 2011-12-23 2011-12-23 Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger Ceased DE102011089886A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110089886 DE102011089886A1 (de) 2011-12-23 2011-12-23 Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110089886 DE102011089886A1 (de) 2011-12-23 2011-12-23 Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102011089886A1 true DE102011089886A1 (de) 2013-02-07

Family

ID=47553997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201110089886 Ceased DE102011089886A1 (de) 2011-12-23 2011-12-23 Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011089886A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014206617A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung mit einem kühlkörper
CN104465535A (zh) * 2013-09-24 2015-03-25 英飞凌科技股份有限公司 衬底、芯片布置及其制造方法
DE102016200276A1 (de) * 2016-01-13 2017-07-13 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronische Schaltung mit einem keramischen Kühlkörper
DE102018222748A1 (de) * 2018-12-21 2020-06-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Kühlvorrichtung
DE112017007117B4 (de) 2017-02-23 2022-01-20 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinrichtung

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3121131A1 (de) * 1981-05-27 1983-06-01 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Verfahren zur herstellung von mit leiterbahnen versehenen schaltungsplatten mit metallischen durchkontaktierungen
US5113315A (en) * 1990-08-07 1992-05-12 Cirqon Technologies Corporation Heat-conductive metal ceramic composite material panel system for improved heat dissipation
DE4217289A1 (de) * 1992-05-25 1993-12-16 Mannesmann Ag Fluidkühlung von Halbleiterelementen
US20040007376A1 (en) * 2002-07-09 2004-01-15 Eric Urdahl Integrated thermal vias
DE102004062441B3 (de) * 2004-12-16 2006-07-20 Schweizer Electronic Ag Mehrschichtaufbau mit Temperierfluidkanal und Herstellungsverfahren
DE102009028360B3 (de) * 2009-08-07 2010-12-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung und eines Leistungselektronikmoduls mit einer Verankerungsstruktur zur Herstellung einer temperaturwechselstabilen Lötverbindung
DE102010062944A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Zf Friedrichshafen Ag Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer solchen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3121131A1 (de) * 1981-05-27 1983-06-01 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Verfahren zur herstellung von mit leiterbahnen versehenen schaltungsplatten mit metallischen durchkontaktierungen
US5113315A (en) * 1990-08-07 1992-05-12 Cirqon Technologies Corporation Heat-conductive metal ceramic composite material panel system for improved heat dissipation
DE4217289A1 (de) * 1992-05-25 1993-12-16 Mannesmann Ag Fluidkühlung von Halbleiterelementen
US20040007376A1 (en) * 2002-07-09 2004-01-15 Eric Urdahl Integrated thermal vias
DE102004062441B3 (de) * 2004-12-16 2006-07-20 Schweizer Electronic Ag Mehrschichtaufbau mit Temperierfluidkanal und Herstellungsverfahren
DE102009028360B3 (de) * 2009-08-07 2010-12-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung und eines Leistungselektronikmoduls mit einer Verankerungsstruktur zur Herstellung einer temperaturwechselstabilen Lötverbindung
DE102010062944A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Zf Friedrichshafen Ag Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer solchen

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014206617A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung mit einem kühlkörper
CN104465535A (zh) * 2013-09-24 2015-03-25 英飞凌科技股份有限公司 衬底、芯片布置及其制造方法
US9585241B2 (en) 2013-09-24 2017-02-28 Infineon Technologies Ag Substrate, chip arrangement, and method for manufacturing the same
CN104465535B (zh) * 2013-09-24 2018-04-06 英飞凌科技股份有限公司 衬底、芯片布置及其制造方法
DE102016200276A1 (de) * 2016-01-13 2017-07-13 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronische Schaltung mit einem keramischen Kühlkörper
DE112017007117B4 (de) 2017-02-23 2022-01-20 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinrichtung
US11232991B2 (en) 2017-02-23 2022-01-25 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor apparatus
DE102018222748A1 (de) * 2018-12-21 2020-06-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Kühlvorrichtung
DE102018222748B4 (de) 2018-12-21 2023-05-17 Vitesco Technologies Germany Gmbh Kühlvorrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2308274B1 (de) Leiterplatine mit elektronischem bauelement
DE102006008807B4 (de) Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
EP1929847B1 (de) Leiterplatte
DE112015007169B4 (de) Halbleitermodul
DE102011089886A1 (de) Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger
EP3823018A1 (de) Elektronikmodul mit einer pulsierenden heatpipe
DE102014213490C5 (de) Kühlvorrichtung, Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung und Leistungsschaltung
DE8114325U1 (de) Wärmeableitungsvorrichtung
DE19722357C1 (de) Steuergerät
DE102012206505A1 (de) Elektronische vorrichtung mit einer leiterplatte mit wärmeabführungsstruktur
EP3138125A1 (de) Schaltungsanordnung, stromwandler mit einer schaltungsanordnung
DE102004058806B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Schaltungsstrukturen auf einem Kühlkörper und Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper
EP0938252A2 (de) Elektrische Schaltungsanordnung
DE102011089891B4 (de) Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger, Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsträger
DE102018106354A1 (de) Elektrischer Fluidheizer
DE102015204915B4 (de) Wärmeleitkörper mit einer Koppeloberfläche mit Vertiefung und Wärmetransfervorrichtung
DE10217214B4 (de) Kühlanordnung für eine Schaltungsanordnung
DE102019113021A1 (de) Elektronikkomponente für ein Fahrzeug mit verbesserter elektrischer Kontaktierung eines Halbleiterbauelements sowie Herstellungsverfahren
DE102018217607A1 (de) Halbleiterbauelement-Anordnung, Verfahren zu deren Herstellung sowie Entwärmungseinrichtung
WO2016146613A1 (de) Elektronische steuervorrichtung
DE102015212169A1 (de) Schaltungsträger für eine elektronische Schaltung und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Schaltungsträgers
DE102016107249B4 (de) Leiterplatte mit einer Aussparung für ein elektrisches Bauelement, System mit der Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte
DE102019212638B4 (de) Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper und damit erhaltene Anordnung
DE102017213759A1 (de) Leiterplattenelement und Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements
DE102016224232A1 (de) Leiterplattenvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R230 Request for early publication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20130501