DE102011089886A1 - Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger - Google Patents
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Abstract
Offenbart sind ein Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) und ein Verfahren zur Herstellung von dem Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700). Der Schaltungsträger (100, 100‘, 600, 700) weist eine Trägerschicht (110) mit einer ersten Oberfläche (110a), eine Kühlstruktur (120, 120‘, 610, 710) auf der ersten Oberfläche (110a), welche aus einer auf der ersten Oberfläche (110a) der Trägerschicht (110) aufgebrachten, ersten wärmeleitfähigen Schicht (12) in einem Ätzvorgang ausgebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Schaltungsträger und ein Verfahren zur Herstellung von dem genannten Schaltungsträger. Ferner betrifft die Erfindung eine Schaltungsanordnung mit dem genannten Schaltungsträger.
- Schaltungsträger dienen zur mechanischen Befestigung von elektrischen und elektromechanischen Bauelementen und zum Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen diesen Bauelementen. Vorzugsweise ist der Schaltungsträger als ein Keramik-Substrat, insbesondere ein direkt bondiertes Kupfersubstrat (auf Englisch „Direct Bonded Copper substrate“, DBC substrate) oder ein direkt bondiertes Aluminiumsubstrat (auf Englisch „Direct Bonded Aluminium substrate“, DBA substrate) ausgebildet. Der Schaltungsträger kann beispielsweise auch als mehrlagiger Substrat-Verbund, wie zum Beispiel Alu-Kern-Leiterplatte (IMS, auf Englisch „Insulated metal substrate“) ausgebildet sein.
- Diese Schaltungsträger finden ihre Anwendungen in zahlreichen elektrischen oder elektronischen Systemen, insbesondere in leistungselektronischen Systemen eines Fahrzeugs, wie zum Beispiel in einem Stromwandler für einen Elektromotor. Derartige Schaltungsträger werden mit elektrischen oder elektronischen Bauelementen, wie zum Beispiel Leistungstransistoren, bestückt, die während des Betriebs der Systeme hohe Wärmeenergie erzeugen, welche schädlich für die Systeme ist und daher möglichst schnell abgeführt werden muss. Die Abfuhr der Wärme wird in der Regel mittels Kühlstrukturen erreicht, welche an dem Schaltungsträger angebracht sind.
- Eine Möglichkeit zur Abführung der Wärme ist eine kühlende Bodenplatte, welche auf den Schaltungsträger aufgebracht ist und zum Kühlen des Schaltungsträgers dient. Die Bodenplatte kann eine Kühlstruktur aufweisen, welche die von dem Schaltungsträger aufgenommene Wärme in das um die Bodenplatte umströmende Kühlmittel abgibt. Die Herstellung derartiger Bodenplatten ist jedoch kostenintensiv, was zu hohen Gesamtkosten bei den Schaltungsträgern verursacht. Zudem erfordern derartige Bodenplatten einen entsprechenden Bauraum, was in vielen Anwendungsgebieten der Schaltungsträger mit einem beschränkten Bauraum zu Problemen führt.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt somit darin, eine einfache und kosten- und bauraumsparende alternative Möglichkeit zur Kühlung von Schaltungsträgern bereitzustellen.
- Diese Aufgabe wird durch die unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
- Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird ein Schaltungsträger bereitgestellt, der einen dielektrischen Trägerteil beziehungsweise eine Trägerschicht mit einer ersten Oberfläche und eine Kühlstruktur auf der ersten Oberfläche der Trägerschicht zur Kühlung des Schaltungsträgers aufweist. Dabei ist die Kühlstruktur aus einer auf der ersten Oberfläche der Trägerschicht unmittelbar aufgebrachten, ersten wärmeleitfähigen, insbesondere metallischen, Schicht in einem Ätzvorgang geätzt beziehungsweise ausgebildet.
- Derartige Schaltungsträger sind dank des vergleichsweise einfachen Ätzvorganges kostengünstig herstellbar. Da die Kühlstruktur direkt auf der Oberfläche der Trägerschicht und somit sehr nah an den wärmeerzeugenden Bauelementen angeordnet ist, kann einerseits der Bauraum gespart werden und andererseits die in den Bauelementen erzeugte Wärme schnell und effizient abgeführt werden.
- Das „unmittelbare“ Aufbringen einer Schicht (sowohl der oben beschriebenen wärmeleitfähigen Schicht als auch einer unten beschriebenen elektrisch leitfähigen Schicht) auf der Trägerschicht bedeutet hier, dass es zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht keine Zwischenschicht vorhanden ist, welche nicht unmittelbar zum Auftragen der Schicht auf der Trägerschicht und zur stoffschlüssigen Verbindung zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht dient. Mit anderen Worten: Zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht darf beispielsweise eine dünne, wärmeleitfähige Klebeschicht vorhanden sein, welche lediglich zu einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der aufgetragenen Schicht und der Trägerschicht dient.
- In einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Trägerschicht eine zweite, von der ersten Oberfläche abgewandte Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche eine elektrische Leiterbahn auf, welche ebenfalls in einem Ätzvorgang, insbesondere in demselben Ätzvorgang der Kühlstruktur, aus einer auf der zweiten Oberfläche der Trägerschicht unmittelbar aufgebrachten, zweiten elektrisch leitfähigen, insbesondere metallischen, Schicht geätzt beziehungsweise ausgebildet ist.
- Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, dass sowohl die Kühlstruktur als auch elektrische Verbindungen der Schaltungsträger in einem Fertigungsschritt hergestellt werden können. Dies senkt zusätzlich den Fertigungsaufwand und die Kosten der Schaltungsträger.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Kühlstruktur zumindest ein oberflächenvergrößerndes und/oder bei einem fluiden Kühlmittel wie beim Kühlwasser Turbulenzen erzeugendes Strukturelement auf. Dieses Strukturelement ist vorteilhafterweise als ein sich von der ersten Oberfläche der Trägerschicht weg, in das Kühlmittel erstreckender Vorsprung ausgebildet. Beispielsweise hat das Strukturelement einen rippen- oder stiftförmig ausgebildeten Kühlkörper (auf Englisch „Pin-Fin heat sink“). Vorzugsweise ist das Strukturelement als ein senkrecht zu der Trägerfläche liegender Vorsprung ausgebildet.
- Eine größere Kühloberfläche der Kühlstruktur und Turbulenzen bei dem an diese Kühlstruktur fließenden Kühlmittel führen die von den auf dem Schaltungsträger angeordneten elektrischen oder elektronischen Bauelementen erzeugte Wärme schneller ab.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Kühlstruktur zumindest ein von dem der Trägerschicht zugewandten Ende zu dem der Trägerschicht abgewandten Ende hin sich stufenförmig oder stufenpyramidenförmig verjüngendes Strukturelement auf.
- Derartige stufenförmige Strukturelemente führen beim Kühlmittel zu einer stärkeren Turbulenzbildung, wodurch die Kühlstruktur mit derartigen Stufenelementen die Wärme schneller und effizienter abführen kann.
- Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Schaltungsanordnung mit einer Kühlkammer zum Durchfluss eines Kühlmittels und einem Schaltungsträger mit einer oben beschriebenen Kühlstruktur geschaffen, wobei die Kühlstruktur von dem Kühlmittel umströmbar in der Kühlkammer angeordnet ist.
- Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines oben beschriebenen Schaltungsträgers bereitgestellt, welches folgende Verfahrensschritte aufweist. Es wird eine Trägerschicht mit einer ersten Oberfläche bereitgestellt. Auf der ersten Oberfläche der Trägerschicht wird dann eine erste wärmeleitende, insbesondere metallische, Schicht aufgetragen beziehungsweise aufgebracht. Anschließend wird die erste wärmeleitende Schicht in einem Ätzvorgang zu einer oben beschriebenen Kühlstruktur geätzt.
- Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird eine Trägerschicht mit der ersten Oberfläche und einer zweiten, der ersten Oberfläche abgewandten Oberfläche bereitgestellt. Auf der zweiten Oberfläche der Trägerschicht wird eine zweite elektrisch leitende, insbesondere metallische, Schicht aufgetragen beziehungsweise aufgebracht, vorteilhafterweise in demselben Aufbringvorgang der ersten, wärmeleitenden Schicht auf der Trägerschicht. Anschließend wird die zweite Schicht in einem Ätzvorgang, vorteilhafterweise in demselben Ätzvorgang der ersten Schicht, zu einer elektrischen Leiterbahnstruktur geätzt.
- Gemäß einer weiteren, vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird die erste, wärmeleitende Schicht in einem Stufenätzvorgang zu einer Kühlstruktur mit von dem der Trägerschicht zugewandten Ende zu dem der Trägerschicht abgewandten Ende hin sich stufenförmig verjüngenden Strukturelementen geätzt.
- Vorteilhafte Ausgestaltungen des oben dargestellten Schaltungsträgers sind, soweit im Übrigen auf die oben dargestellte Schaltungsanordnung beziehungsweise das oben dargestellte Verfahren übertragbar, auch als vorteilhafte Ausgestaltungen der Schaltungsanordnung beziehungsweise des Verfahrens anzusehen.
- Im Folgenden sollen nun beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert werden.
- In den Zeichnungen sind nur die Komponenten beziehungsweise die Verfahrensschritte dargestellt, welche für die Beschreibung der Erfindung relevant sind. Je nach Ausgestaltung können die in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen weitere in den Zeichnungen nicht dargestellten Komponenten oder Verfahrensschritte aufweisen. Zudem werden die Komponenten, welche die gleiche technische Eigenschaft und die gleiche Funktionalität aufweisen, werden mit demselben Bezugszeichen versehen. Dabei zeigen:
-
1 schematisch eine Schaltungsanordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung in einer Seitenschnittdarstellung; -
2 schematisch die Kühlstruktur der Schaltungsanordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform in einer schrägen Draufsicht; -
3 schematisch eine Kühlstruktur gemäß einer dritten Ausführungsform in einer schrägen Draufsicht; -
4 schematisch weitere Ausführungsformen der Kühlstruktur in Querschnittdarstellung der Strukturelemente der Kühlstruktur; -
5 schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers der ersten und der dritten Ausführungsformen; und -
6 schematisch weitere Ausführungsformen der Kühlstruktur in Querschnittdarstellung des Schaltungsträgers. - Es sei zunächst auf
1 verwiesen, in der eine Schaltungsanordnung10 gemäß einer ersten Ausführungsform in einer Seitenschnittansicht schematisch gezeigt ist. - Die Schaltungsanordnung
10 weist einen Schaltungsträger100 und eine Kühlkammer300 auf. Der Schaltungsträger100 umfasst einen dielektrischen Trägerteil beziehungsweise eine dielektrische Trägerschicht110 , eine Kühlstruktur120 und elektrische Leiterbahnen131 ,132 . - Die Trägerschicht
110 besteht aus einem elektrisch nicht leitenden keramischen Material und weist eine erste Oberfläche110a und eine zweite von der ersten Oberfläche110a abgewandte beziehungsweise der ersten Oberfläche110a gegenüberliegende Oberfläche110b auf. - Auf der ersten Oberfläche
110a der Trägerschicht110 ist die Kühlstruktur120 angeordnet. Auf der zweiten Oberfläche110b der Trägerschicht110 sind die elektrischen Leiterbahnen131 ,132 angeordnet. Die Kühlstruktur120 und die elektrischen Leiterbahnen131 ,132 bestehen aus einem gleichen, thermisch und elektrisch leitenden Metall, wie zum Beispiel Kupfer. - Die Kühlstruktur
120 und die elektrischen Leiterbahnen131 ,132 sind in einem und demselben Ätzvorgang aus jeweils einer auf der jeweiligen Oberfläche110a ,110b der Trägerschicht110 aufgetragenen Metallschicht geätzt beziehungsweise ausgebildet. - Auf dem Schaltungsträger
100 ist ein elektronisches Bauelement210 , wie zum Beispiel ein Leistungstransistor, angeordnet, das mit der einen elektrischen Leiterbahn131 über eine Lötschicht220 mechanisch und elektrisch verbunden ist. Über einen Bonddraht230 ist das elektronische Bauelement210 mit einer weiteren elektrischen Leiterbahn132 elektrisch verbunden. Im Betrieb der Schaltungsanordnung10 erzeugt das Bauelement210 Wärme, die schnell abgeführt werden muss. - In einer in den Figuren nicht näher dargestellten alternativen Ausführungsform kann das elektronische Bauelement
210 bedingt durch den Schaltungslayout auch direkt auf der Trägerschicht110 angeordnet sein. - Durch die Kühlkammer
300 fließt ein fluides Kühlmittel310 , wie zum Beispiel Kühlwasser. In der Kühlkammer300 ist die Kühlstruktur120 des Schaltungsträgers100 von dem Kühlmittel310 umströmbar angeordnet beziehungsweise in dem Kühlmittel310 eingetaucht. - In dieser ersten Ausführungsform weist die Kühlstruktur
120 zylinderförmige Strukturelemente121 auf, die als auf der ersten Oberfläche110a der Trägerschicht110 angeformte, von der Trägerschicht110 sich weg senkrecht erstreckende Vorsprünge ausgebildet sind. - Durch die unmittelbare Anordnung der Kühlstruktur
120 an der Trägerschicht110 und somit nah zu dem Bauelement210 und durch die zylinderförmigen von der Trägerschicht weg in das Kühlmittel310 sich erstreckenden Strukturelemente121 kann die von dem Bauelement210 erzeugte Wärme über einen direkten Weg800 von dem Bauelement210 an das Kühlmittel310 abgeführt werden. - Nun sei auf
2 verwiesen, in der eine zweite Ausführungsform der Kühlstruktur120F schematisch dargestellt ist. Die Kühlstruktur120F weist zylinderförmige Strukturelemente121 mit einem kreisförmigen Querschnitt auf, die in Längsrichtung x der Trägerschicht110 in Reihe und in Querrichtung y der Trägerschicht110 seitlich versetzt angeordnet sind. - Nun sei auf
3 verwiesen, in der eine dritte Ausführungsform der Kühlstruktur120‘ schematisch dargestellt ist. Die Kühlstruktur120‘ weist Strukturelemente122 auf, die sich von dem der Trägerschicht110 zugewandten Ende122a zu dem der Trägerschicht110 abgewandten Ende122b hin stufenförmig beziehungsweise stufenpyramidenförmig verjüngend, senkrecht zu der Trägerschicht110 und von der Trägerschicht110 sich weg erstrecken. Die Strukturelemente122 weisen somit eine erste Stufe122c und eine zweite Stufe122d zur Turbulenzbildung bei einem die Strukturelemente122 umströmenden Kühlmittel auf. - Nun sei auf
4 verwiesen, in denen weitere Ausführungsformen der Kühlstruktur schematisch dargestellt sind. - In einer vierten Ausführungsform gemäß
4A weist die Kühlstruktur120A Strukturelemente121A auf, welche einen rautenförmigen Querschnitt aufweisen. - In einer fünften Ausführungsform gemäß
4B weist die Kühlstruktur120B Strukturelemente121B auf, welche einen tropfenförmigen Querschnitt aufweisen. - In einer sechsten Ausführungsform gemäß
4C weist die Kühlstruktur120C Strukturelemente121B auf, welche ebenfalls einen tropfenförmigen Querschnitt aufweisen. Im Vergleich zu der Kühlstruktur120B in4B , bei der die Strukturelemente121B zueinander gleichgerichtet angeordnet sind, sind die Strukturelemente121B der Kühlstruktur120C zueinander reihenweise gegengerichtet angeordnet. - In einer siebten Ausführungsform gemäß
4D weist die Kühlstruktur120D Strukturelemente121D auf, welche einen ellipsenförmigen Querschnitt aufweisen. - In einer achten Ausführungsform gemäß
4E weist die Kühlstruktur120E Strukturelemente121E auf, welche einen pinguinförmigen (also ellipsenform mit einem spitzen Ende) Querschnitt aufweisen. - Nachdem die verschiedenen Ausführungsformen der Schaltungsanordnung
10 mithilfe von1 bis4 detailliert beschrieben sind, wird nun das Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers100 einer derartigen Schaltungsanordnungen10 unter Zuhilfenahme von5 näher beschrieben. - Zunächst wird gemäß einem ersten Verfahrensschritt S110 ein Träger, ein Trägerteil beziehungsweise eine Trägerschicht
110 aus Keramik bereitgestellt, welche eine erste Oberfläche110a und eine zweite Oberfläche110b aufweist. - Das Zwischenprodukt
100A des Schaltungsträgers100 nach dieser ersten Herstellungsphase beziehungsweise die Trägerschicht110 wird nun gemäß einem zweiten Verfahrensschritt S120 beidseitig mit jeweils einer ersten und einer zweiten Metallschicht12 ,13 beschichtet. Die Beschichtung der Trägerschicht110 der ersten und der zweiten Metallschicht12 ,13 können in einem einzigen Verfahrensschritt S120 oder getrennt in zwei aufeinander folgenden Schritten S120a, S120b hintereinander erfolgen. Verbindungen zwischen der Trägerschicht110 und den beiden Metallschichten12 ,13 erfolgen beispielsweise durch eine stoffschlüssige Verbindung mit einem geeigneten wärmeleitfähigen Klebestoff. Nach dieser zweiten Herstellungsphase entsteht ein Zwischenprodukt110B des Schaltungsträgers100 . - Anschließend wird das Zwischenprodukt
110B beziehungsweise werden die beiden Metallschicht12 ,13 gemäß einem dritten Verfahrensschritt S130 in einem Ätzvorgang geätzt, sodass die erste Metallschicht12 zu einer Kühlstruktur120 und die zweite Metallschicht13 zu elektrischen Leiterbahnen131 ,132 geätzt werden. Dabei können die beiden Metallschichten12 ,13 in einem und demselben Ätzvorgang S130 gemeinsam geätzt werden oder getrennt in zwei aufeinander folgenden Ätzvorgängen S130a, S130b hintereinander geätzt werden. - Hierzu werden die Bereiche auf den beiden metallischen Schichten
12 ,13 , die nach dem Ätzvorgang zu den Strukturelementen121 der Kühlstruktur120 oder den elektrischen Leiterbahnen131 ,132 ausgebildet werden sollen, mit einer Abdecklackschicht, wie zum Beispiel einer Fotolackschicht, abgedeckt. Anschließend wird die Trägerschicht110 samt den beiden metallischen Schichten12 ,13 in eine mit Ätzflüssigkeit gefüllte Wanne eingetaucht. Alternativ kann die Trägerschicht110 in einen luftdichten und mit ätzenden Gasen gefüllten Raum gebracht werden. Nach einer gewissen Zeit werden die Bereiche in den beiden metallischen Schichten12 ,13 , die nicht mit der Abdecklackschicht abgedeckt sind, weggeätzt. Anschließend wird die Abdecklackschicht abgetragen. Nach dieser dritten Herstellungsphase entsteht das Endprodukt100C des Schaltungsträgers100 . - Zum Herstellen eines Schaltungsträgers mit einer Kühlstruktur
120‘ mit stufenförmigen Strukturelementen122 (vergleiche3 ) wird das Endprodukt100C des Schaltungsträgers100 beziehungsweise die Kühlstruktur120 des Endprodukts100C gemäß einem weiteren, also vierten Verfahrensschritt S140 in einem Stufenätzvorgang mit hintereinander folgenden Ätzschritten mehrfach geätzt, sodass sich eine Kühlstruktur120‘ mit stufenpyramidenförmigen Strukturelementen122 ausgebildet wird. Hierzu wird das Zwischenprodukt nach Verfahrensschritt S130 wieder mit der Abdecklackschicht abgedeckt, wobei nur die Bereiche abgedeckt werden, die später eine von der Trägerschicht110 abgewandt freiliegende zweite Stufe122d ausbilden sollen. Die elektrischen Leiterbahnen131 ,132 , die im Verfahrensschritt S130 bereits ausgeformt sind, werden ebenfalls mit der Abdecklackschicht abgedeckt. Anschließend wird das Zwischenprodukt in eine mit Ätzflüssigkeit gefüllte Wanne eingetaucht oder in einen mit ätzenden Gasen gefüllten Raum gebracht. Durch Ätzen der Bereiche, die nicht mit der Abdecklackschicht abgedeckt sind, werden abgetragen und bilden sich so eine erste Stufe122c der Strukturelemente122 aus. Somit entsteht als Endprodukt100D ein Schaltungsträger100‘ mit einer Kühlstruktur120‘ mit Strukturelementen122 , welche sich von einem der Trägerschicht110 zugewandten Ende122a zu einem der Trägerschicht110 abgewandten Ende122b hin sich stufenförmig beziehungsweise stufenpyramidenförmig verjüngen und somit eine erste Stufe122c und eine zweite Stufe122d zur Turbulenzbildung bei einem die Strukturelemente122 umströmenden Kühlmittel aufweisen. - Nun sei auf
6 verwiesen, in denen weitere Ausführungsformen des Schaltungsträgers dargestellt sind.6A zeigt einen Schaltungsträger600 mit einer Kühlstruktur610 , welche eine Bodenschicht611 aufweist, über diese die stiftförmigen Strukturelemente121 miteinander verbunden sind.6B zeigt einen Schaltungsträger700 mit einer Kühlstruktur710 , welche eine Bodenschicht711 aufweist, über diese die stufenpyramidenförmigen Strukturelemente122 miteinander verbunden sind. - Derartige Kühlstrukturen
610 ,710 der Bodenschichten611 ,711 werden in einem Ätzvorgang hergestellt, in dem die metallische Schicht12 nicht bis zum Anschlag weggeätzt wird. Damit, dass eine Bodenschicht611 ,711 nach einem Ätzvorgang der metallischen Schicht12 noch übrig bleibt, wird eine maximale Zeitdauer des Ätzvorgangs vor dem Ätzvorgang unter anderem abhängig von der Dicke bzw. Stärke der metallischen Schicht12 berechnet. Anschließend wird die Trägerschicht110 samt der mit der Abdecklackschicht entsprechend abgedeckten metallischen Schicht12 nur für die vorberechnete Zeitdauer in der Ätzflüssigkeit oder in den ätzenden Gasen eingetaucht. Als Endprodukt entsteht nach weiteren oben beschriebenen Verfahrensschritten somit ein Schaltungsträger600 ,700 . - Bezugszeichenliste
-
- 10
- Schaltungsanordnung
- 12
- Erste metallische Schicht
- 13
- Zweite metallische Schicht
- 100, 100‘, 600, 700
- Schaltungsträger
- 100A, 100B, 100C
- Zwischen- und Endprodukt des Schaltungsträgers
100 ,100‘ - 100D
- Endprodukt des Schaltungsträgers
100‘ - 110
- Trägerschicht
- 110a
- Erste Oberfläche der Trägerschicht
- 110b
- Zweite Oberfläche der Trägerschicht
- 120, 120‘, 610, 710
- Kühlstruktur
- 120A, 120B, 120C, 120D, 120E, 120F
- Kühlstruktur
- 121
- Stiftförmiges Strukturelement
- 121A, 121B, 121D, 121E
- Strukturelement
- 122
- Stufenförmiges Strukturelement
- 122a
- Der Trägerschicht zugewandtes Ende des Strukturelement
122 - 122b
- Der Trägerschicht abgewandtes Ende des Strukturelement
122 - 122c
- Erste Stufe des Strukturelement
122 - 122d
- Zweite Stufe des Strukturelement
122 - 131, 132
- Elektrische Leiterbahn
- 210
- Elektronisches Bauelement
- 220
- Lötschicht
- 230
- Bonddraht
- 300
- Kühlkammer
- 310
- Fluides Kühlmittel
- 320
- Turbulenz im Kühlmittel
- 611, 711
- Bodenschicht der Kühlstruktur
- 800
- Wärmeübertragung
Claims (10)
- Schaltungsträger (
100 ,100‘ ,600 ,700 ) mit folgenden Merkmalen: – einer Trägerschicht (110 ) mit einer ersten Oberfläche (110a ), – einer Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) auf der ersten Oberfläche (110a ) der Trägerschicht (110 ) zur Kühlung des Schaltungsträgers (100 ,100‘ ,600 ,700 ), dadurch gekennzeichnet, dass – die Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) in einem Ätzvorgang aus einer auf der ersten Oberfläche (110a ) der Trägerschicht (110 ) unmittelbar aufgebrachten, ersten wärmeleitfähigen Schicht (12 ) ausgebildet ist. - Schaltungsträger (
100 ,100‘ ,600 ,700 ) nach Anspruch 1, mit – der Trägerschicht (110 ) mit einer zweiten Oberfläche (110b ), – einer elektrischen Leiterbahn (131 ,132 ) auf der zweiten Oberfläche (110b ) der Trägerschicht (110 ), – wobei die elektrische Leiterbahn (131 ,132 ) in einem Ätzvorgang aus einer auf der zweiten Oberfläche (110b ) der Trägerschicht (110 ) unmittelbar aufgebrachten, zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (13 ) ausgebildet ist. - Schaltungsträger (
100 ,100‘ ,600 ,700 ) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) zumindest ein Strukturelement (121 ,122 ) aufweist, das zum Vergrößern der Oberfläche der Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) und/oder zum Erzeugen von Turbulenzen (320 ) bei einem an der Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) fließenden Kühlmittel (310 ) ausgebildet ist. - Schaltungsträger (
100 ,100‘ ,600 ,700 ) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) zumindest ein Strukturelement (121 ,122 ) aufweist, das ein von der ersten Oberfläche (110a ) der Trägerschicht (110 ) sich weg erstreckender Vorsprung ist. - Schaltungsträger (
100 ,100‘ ,600 ,700 ) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) zumindest ein rippen- oder stiftförmiges Strukturelement (121 ,122 ) aufweist. - Schaltungsträger (
100‘ ,700 ) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kühlstruktur (120‘ ,710 ) zumindest ein von einem der Trägerschicht (110 ) zugewandten Ende (122a ) zu einem der Trägerschicht (110 ) abgewandten Ende (122b ) hin sich stufenförmig verjüngendes Strukturelement (122 ) aufweist. - Schaltungsanordnung (
10 ) mit – einer Kühlkammer (300 ) zum Durchfluss eines Kühlmittels (310 ), – einem Schaltungsträger (100 ,100‘ ,600 ,700 ) mit einer Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) nach einem der vorangehenden Ansprüche, – wobei die Kühlstruktur (120 ,120‘ ,610 ,710 ) von dem Kühlmittel (310 ) umströmbar in der Kühlkammer (300 ) angeordnet ist. - Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers (
120 ,120‘ ,610 ,710 ), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen (S110) einer Trägerschicht (110 ) mit einer ersten Oberfläche (110a ), – Aufbringen (S120a) einer ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12 ) unmittelbar auf der ersten Oberfläche (110a ) der Trägerschicht (110 ), – Ätzen (S130a) der ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12 ) in einem Ätzvorgang zu einer Kühlstruktur (120 ,610 ). - Verfahren nach Anspruch 8, mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen (S110) einer Trägerschicht (
110 ) mit der ersten Oberfläche (110a ) und einer zweiten Oberfläche (110b ), – Aufbringen (S120b) einer zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht (13 ) auf der zweiten Oberfläche (110b ) der Trägerschicht (110 ), – Ätzen (S130b) der zweiten, elektrisch leitfähigen Schicht (13 ) zu einer elektrischen Leiterbahn (131 ,132 ) in demselben Ätzvorgang (S130a) der ersten, wärmeleitfähigen Schicht (12 ) zu der Kühlstruktur (120 ,610 ). - Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, mit Ätzen (S140) der ersten, wärmeleitfähigen Schicht (
12 ) in einem Stufenätzvorgang zu einer Kühlstruktur (120‘ ,710 ) mit einem von dem der Trägerschicht (110 ) zugewandten Ende (122a ) zu dem der Trägerschicht (110 ) abgewandten Ende (122b ) hin sich stufenförmig verjüngenden Strukturelement (122 ).
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