DE102011084372A1 - Device for depositing polycrystalline silicon on thin rods, comprises an electrode for a power supply of thin rods, a quartz element and/or a graphite element present on the electrode and/or a mold body made of silicon - Google Patents

Device for depositing polycrystalline silicon on thin rods, comprises an electrode for a power supply of thin rods, a quartz element and/or a graphite element present on the electrode and/or a mold body made of silicon Download PDF

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Abstract

The device comprises an electrode (1) for a power supply of thin rods (5), a quartz element (2) and/or a graphite element above the electrode and/or a mold body (4) made of silicon. The electrode, the quartz element and the mold body has an opening for receiving the thin rod. The graphite element is a graphite ring, which is laid on the electrode and fitted into a hollow cylinder made of quartz forming the quartz element. The quartz element is the hollow cylinder composed of quartz, and has a quadratic milling groove for receiving the thin rod. The device comprises an electrode (1) for a power supply of thin rods (5), a quartz element (2) and/or a graphite element above the electrode and/or a mold body (4) made of silicon. The electrode, the quartz element and the mold body has an opening for receiving the thin rod. The graphite element is a graphite ring, which is laid on the electrode and fitted into a hollow cylinder made of quartz forming the quartz element. The quartz element is the hollow cylinder composed of quartz, and has a quadratic milling groove for receiving the thin rod. A carbon fiber reinforced carbon-film (3) is located between the quartz element and the mold body. A cation-exchange capacity-film has a larger cross-section than the electrode. The mold body is shaped as a Czochralski- or float zone-end cone.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Halten eines Stabs für die Siliciumabscheidung in einem CVD-Reaktor.The invention relates to a device for holding a rod for silicon deposition in a CVD reactor.

Bei der Abscheidung von polykristallinem Silicium nach dem Siemens-Prozess wird hochreines elementares Silicium aus der Gasphase an der Oberfläche von Siliciumstäben abgeschieden.In the deposition of polycrystalline silicon according to the Siemens process, high-purity elemental silicon is deposited from the gas phase on the surface of silicon rods.

Dabei wird in einem Abscheidereaktor an der Oberfläche eines auf 900 bis 1200°C beheizten Silicium Dünnstabes aus einer Mischung von Wasserstoff und Halogensilanen oder einer wasserstoffhaltigen Siliciumverbindung elementares Silicium aus der Gasphase abgeschieden.It is deposited in a deposition reactor on the surface of a heated to 900 to 1200 ° C silicon thin rod of a mixture of hydrogen and halosilanes or a hydrogen-containing silicon compound elemental silicon from the gas phase.

Die Siliciumstäbe werden dabei im Reaktor von speziellen Elektroden gehalten, die in der Regel aus hochreinem Elektrographit bestehen.The silicon rods are held in the reactor by special electrodes, which are usually made of high-purity electrographite.

Jeweils zwei Dünnstäbe mit unterschiedlicher Spannungspolung an den Elektrodenhalterungen sind am anderen Dünnstabende mit einer Brücke zu einem geschlossenen Stromkreis verbunden.In each case two thin rods with different voltage polarity at the electrode holders are connected at the other end of the thin rod with a bridge to a closed circuit.

Über die Elektroden und deren Elektrodenhalterungen wird elektrische Energie zur Beheizung der Dünnstäbe zugeführt.Electrical energy is supplied to the heating of the thin rods via the electrodes and their electrode holders.

Über Einlassdüsen an der Bodenplatte des Abscheidereaktors wird eine Mischung von Wasserstoff und Halogensilanen zugefügt. Dabei zersetzen sich die Halogensilane an der Oberfläche der Dünnstäbe.Via inlet nozzles on the bottom plate of the deposition reactor, a mixture of hydrogen and halosilanes is added. The halosilanes decompose on the surface of the thin rods.

Dabei wächst der Durchmesser der Dünnstäbe.The diameter of the thin rods increases.

Gleichzeitig wächst die Elektrode, beginnend an ihrer Spitze, in den Stabfuß der Siliciumstäbe ein.At the same time, the electrode, beginning at its tip, grows into the rod base of the silicon rods.

Nach dem Erreichen eines gewünschten Solldurchmessers der Siliciumstäbe wird der Abscheideprozess beendet, die glühenden Siliciumstäbe abgekühlt und ausgebaut.After reaching a desired nominal diameter of the silicon rods of the deposition process is terminated, the glowing silicon rods cooled and removed.

Eine besondere Bedeutung kommt hier dem Material und der Form der Elektroden zu.Of particular importance here is the material and the shape of the electrodes.

Sie dienen zum einen der Halterung der Dünnstäbe, der Übertragung des Stromflusses in den Siliciumstab, aber auch der Wärmeübertragung und auch als sicherer Stand des heranwachsenden Stabes im Reaktor.They serve on the one hand to hold the thin rods, to transfer the flow of current into the silicon rod, but also to transfer heat and also as a safe stand for the growing rod in the reactor.

Da der Trend zu immer längeren und schwereren Stäbe geht und die Stabpaare, die inzwischen mehrere hundert Kilo schwer sein können, nur über die Elektroden im Reaktor verankert sind, ist gerade die Wahl der Form und der Materialbeschaffenheit sehr wichtig.Since the trend is towards ever longer and heavier rods and the pairs of rods, which can now weigh several hundred kilos, are only anchored in the reactor via the electrodes, the choice of shape and material properties is very important.

Elektroden nach dem Stand der Technik bestehen im unteren Teil aus einem zylindrischen Grundkörper und im oberen Teil aus einer Kegelspitze.Prior art electrodes consist in the lower part of a cylindrical base body and in the upper part of a cone tip.

An der Kegelspitze ist eine Bohrung zur Aufnahme des Dünnstabs angebracht.At the apex of the cone is a hole for receiving the thin rod attached.

Das untere Ende der Elektrode wird dabei in eine metallische Elektrodenhalterung gesetzt, über die der Strom zugeführt wird.The lower end of the electrode is placed in a metallic electrode holder, via which the current is supplied.

Solche Elektroden sind allgemein bekannt und werden beispielsweise in der US-5,284,640 zur Siliciumabscheidung verwendet.Such electrodes are well known and are used, for example, in U.S. Patent Nos. 5,417,846, 4,629,788, 5,429,859, 4,648,859, and 5,648,856 US 5,284,640 used for silicon deposition.

Als Werkstoff für die Elektroden wird hauptsächlich Graphit verwendet, da Graphit in sehr hoher Reinheit zur Verfügung steht und bei Abscheidebedingungen chemisch inert ist. Weiterhin hat Graphit einen sehr geringen spezifischen elektrischen Widerstand.The material used for the electrodes is mainly graphite, since graphite is available in very high purity and is chemically inert at deposition conditions. Furthermore, graphite has a very low electrical resistivity.

Nach dem Abscheideprozess werden die erhaltenen, U-förmigen Stabpaare aus Polysilicium elektroden- und brückenseitig abgelängt.After the deposition process, the obtained, U-shaped rod pairs of polysilicon electrode and bridge side are cut to length.

Anschließend werden die so erhaltenen Stäbe zu Stabstücken abgelängt, wobei Kundenanforderungen wie Stablänge und Stabgewicht eingehalten werden müssen.Subsequently, the rods thus obtained are cut to bar pieces, with customer requirements such as bar length and bar weight must be complied with.

DE10101040A beschreibt eine Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial auf einem aufgeheizten Trägerkörper mit einer durch die Grundplatte der Abscheidevorrichtung geführten, ortsfesten Stromdurchführung und einer Elektrodenfassung mit einer Unterseite, die über der Stromdurchführung angeordnet ist, und einer Oberseite, die mit einer Kohleelektrode verbunden ist, in die ein Trägerkörper gesteckt werden kann, wobei die Kohleelektrode eine Wärmeleitfähigkeit von größer als 145 W/m·K und einen an Silicium angepassten Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. DE10101040A describes a device for depositing semiconductor material on a heated carrier body with a guided through the base plate of the deposition device, fixed current feedthrough and an electrode holder with a bottom, which is disposed above the current feedthrough, and a top, which is connected to a carbon electrode, in a Carrier body can be inserted, wherein the carbon electrode has a thermal conductivity greater than 145 W / m · K and a coefficient of thermal expansion adapted to silicon.

DE2328303A1 beschreibt eine Elektrode, die elektrisch isoliert und dicht durch eine Grundplatte hindurchgeführt ist, wobei ein erster aus Metall bestehender Elektrodenteil unter Zwischenfügung einer abdichtenden Schicht aus inertem, isolierenden Material in der Grundplatte befestigt ist und einen in den Reaktionsraum ragenden Vorsprung aufweist, auf dem eine aus Metall oder Kohlenstoff bestehende Elektrode teil auswechselbar aufsitzt und der an seiner freien Oberfläche die zur Aufnahme und Halterung des Trägers bestimmte Passfläche besitzt. DE2328303A1 describes an electrode which is electrically isolated and sealed by a base plate, wherein a first metal electrode part is fixed in the base plate with interposition of a sealing layer of inert insulating material and has a protrusion projecting into the reaction space on which one protrudes Metal or carbon existing electrode partially interchangeable seated and has on its free surface intended for receiving and holding the carrier mating surface.

Alle zuvor beschriebenen Vorrichtungen und Verfahren zum Einspannen von Dünnstäben beim Siemensprozess haben den Nachteil, dass während des Abscheidens Silicium auf die Elektrode aufwächst. All devices and methods described above for clamping thin rods in the Siemens process have the disadvantage that silicon grows on the electrode during the deposition.

Dies ist teilweise gewollt, um ein Umfallen während des Abscheidens oder nach dem Abscheiden zu verhindern.This is partly intentional to prevent falling over during deposition or after deposition.

Nachteilig an den beschriebenen Verfahren ist jedoch die Tatsache, dass der verwendete Graphit eine feste Verbindung mit dem Silicium eingeht und nach dem Abscheideprozess aufwändig gelöst werden muss.A disadvantage of the described method, however, is the fact that the graphite used forms a solid compound with the silicon and must be solved consuming after the deposition process.

Dabei entsteht zusätzlich das Problem, dass manchmal nicht der gesamte Graphit vom Silicium entfernt wird und somit das gewünschte Produkt verunreinigt.In addition, the problem arises that sometimes not all of the graphite is removed from the silicon and thus contaminates the desired product.

DE 10 2009 021 825 B beschreibt einen Aufnahmekegel für Silizium-Anzuchtstäbe in Reaktoren zur Anlagerung von Polysilizium, bestehend aus Graphit, wobei der Aufnahmekegel aus einem rotationssymmetrischen Grundkörper mit einem zentrisch in diesen an höchster Position einsetzbaren einstückigen Spannelement zur Aufnahme des Silizium-Anzuchtstabes besteht, wobei der Grundkörpers topfdeckelartig zur Aufnahme eines Anschlussbolzens ausgespart ist und wobei dessen Rand in die Stromdurchführung im Boden des Reaktors einsetzbar ist, wobei die Einzelteile Silicium-Anzuchtstab, Spannelement, Grundkörper und Aufnahmeteil der Stromdurchführung sowie Anschlussbolzen form- und kraftschlüssig ineinander steckbar sind. DE 10 2009 021 825 B describes a receiving cone for silicon seed rods in reactors for the addition of polysilicon, consisting of graphite, wherein the receiving cone consists of a rotationally symmetrical base body with a centrally inserted into this at the highest position integral clamping element for receiving the silicon growing rod, wherein the main body pot-like for receiving a connection bolt is recessed and wherein the edge of which can be inserted into the current feedthrough in the bottom of the reactor, wherein the items silicon rod, clamping element, body and receiving part of the current feedthrough and terminal bolts are positively and non-positively plugged into one another.

Zur Erleichterung der Entnahme des angewachsenen Siliziumstabes ist es ferner möglich, zumindest zwischen dem Grundkörper und dem angewachsenen Siliziumstab ein weiteres Trennmittel anzuordnen.To facilitate the removal of the grown silicon rod, it is also possible to arrange at least between the main body and the grown silicon rod another release agent.

Dieses Trennmittel kann eine elektrisch leitende Folie oder Scheibe aus CFC (Carbon Fiber reinforced Carbon) oder eine andere geeignete Graphitfolie sein.This release agent may be an electrically conductive foil or disc of CFC (Carbon Fiber Reinforced Carbon) or other suitable graphite foil.

Die Aufgabe der Erfindung bestand darin, eine alternative Vorrichtung bereit zu stellen.The object of the invention was to provide an alternative device.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1.The object is achieved by a device according to claim 1.

Die Erfindung sieht ein Quarzelement oberhalb der Elektrodenspitze vor, dass von einem Graphitelement umgeben ist.The invention provides a quartz element above the electrode tip, which is surrounded by a graphite element.

Dieses Quarzelement weist eine Öffnung auf, durch die der Dünnstab bis zur Elektrodenspitze hindurchgeführt werden kann.This quartz element has an opening through which the thin rod can be passed to the electrode tip.

Vorzugsweise weist auch die Elektrodenspitze eine entsprechende Öffnung auf.The electrode tip preferably also has a corresponding opening.

Beispielsweise kann auf eine Graphitelektrode ein Graphitring aufgelegt werden, in den ein Zylinder aus Quarz eingepasst ist, der das Quarzelement bildet.For example, on a graphite electrode, a graphite ring may be placed in which a quartz cylinder is fitted, which forms the quartz element.

Das Quarzelement kann ein- oder zweiteilig aufgebaut sein.The quartz element can be constructed in one or two parts.

Als zweiteiliges Quarzelement ist beispielsweise ein zweischaliger Zylinder möglich, der aus Quarz besteht und eine quadratische Ausfräsung aufweist. Durch die Ausfräsung ist der Dünnstab leicht einklemmbar.As a two-part quartz element, for example, a two-shell cylinder is possible, which consists of quartz and has a square cut-out. By milling out the thin rod is easily clamped.

Oberhalb von Graphit- und Quarzelement befindet sich vorzugsweise eine CFC-Folie.Above graphite and quartz element is preferably a CFC film.

Auch die CFC-Folie weist eine Öffnung für den Dünnstab auf.The CFC film also has an opening for the thin rod.

Die CFC-Folie steht vorzugsweise über das Graphitelement hinaus und hat daher einen größeren Durchmesser bzw. Querschnitt als die Elektrode. Vorzugsweise ist der Querschnitt der CFC Folie bis zu 5%, besonders bevorzugt bis zu 10% und ganz besonders bevorzugt bis zu 20% größer als der Querschnitt der Elektrode.The CFC film preferably protrudes beyond the graphite element and therefore has a larger diameter or cross section than the electrode. Preferably, the cross section of the CFC film is up to 5%, more preferably up to 10%, and most preferably up to 20% larger than the cross-section of the electrode.

Auf der CFC-Folie oder – falls keine CFC-Folie vorgesehen ist – auf Graphit- und Quarzelement wird ein Silicium-Formkörper aufgelegt, der ebenfalls eine Öffnung für den Dünnstab aufweist.On the CFC film or - if no CFC film is provided - on graphite and quartz element, a silicon molded body is placed, which also has an opening for the thin rod.

Der Silicium Formkörper kann aus einem kompakten polykristallinen Silicium bestehen.The silicon molded body may be made of a compact polycrystalline silicon.

Besonders bevorzugt ist die Verwendung von monokristallinem Silicium mit einem Widerstand von 0,005 Ohm/cm bis 6000 Ohm/cm.Particularly preferred is the use of monocrystalline silicon with a resistance of 0.005 ohms / cm to 6000 ohms / cm.

Der Silicium-Formkörper ist ca. 1 cm dick.The silicon molding is about 1 cm thick.

Sein Durchmesser entspricht vorzugsweise dem End-Durchmesser des abzuscheidenden polykristallinen Stabes plus bis zu 10% des Enddurchmessers des abzuscheidenden polykristallinen Stabes.Its diameter preferably corresponds to the final diameter of the polycrystalline rod to be deposited plus up to 10% of the final diameter of the polycrystalline rod to be deposited.

Der Dünnstab hat vorzugsweise eine quadratische Grundfläche von ca. 8 × 8 mm.The thin rod preferably has a square base area of about 8 × 8 mm.

Der Dünnstab sollte bis zu etwa 10 cm in den Graphitkörper der Elektrode hineinragen.The thin rod should protrude up to about 10 cm in the graphite body of the electrode.

Alternativ kann der aufliegende Formkörper aus Silicium aus einem Endkonus, wie er beim Kristallziehen (CZ, FZ) als Nebenprodukt anfällt, gebildet sein. Alternatively, the superimposed molded body made of silicon from an end cone, as obtained in the crystal pulling (CZ, FZ) as a by-product may be formed.

Der bevorzugte Öffnungswinkel des Konus beträgt ca. 60 Grad oder weniger.The preferred opening angle of the cone is about 60 degrees or less.

Das ergibt einen weiteren Vorteil, da die besondere Form des Formkörpers die Strömung im Reaktor in diesem Bereich besonders vorteilhaft beeinflusst, so dass sich Silicium sowohl am Dünnstab als auch am Formkörper abscheiden kann.This results in a further advantage, since the particular shape of the shaped body particularly advantageously influences the flow in the reactor in this area, so that silicon can deposit on both the thin rod and the shaped body.

Jedoch scheidet sich das Silicium vermutlich wegen der geänderten Strömungssituation in der Nähe des Stabfußes so ab, dass eine fast ideale Zylinderform des abgeschiedenen Stabes entsteht.However, probably because of the altered flow situation near the rod base, the silicon deposits so as to give a nearly ideal cylindrical shape of the deposited rod.

Ein zweiter positiver Einflussfaktor könnte die Stromverteilung im Inneren des Silicium Formkörpers sein, die zu einer günstigen Temperatureinstellung an der Oberfläche des Formkörpers führt, so dass sie Silicium in gewünschter Weise abscheiden kann.A second positive influencing factor could be the current distribution in the interior of the silicon molded body, which leads to a favorable temperature setting on the surface of the shaped body, so that it can deposit silicon in the desired manner.

Ein Umfallen der Stäbe wird damit sowohl am Anfang des Abscheidevorganges als auch am Ende (insbesondere bei einem großen Durchmesser von ca. 180 mm) vermieden.A drop of the rods is thus avoided both at the beginning of the deposition process and at the end (especially for a large diameter of about 180 mm).

Bei Vergleich bei der Verwendung dieser Vorrichtung mit den Vorrichtungen, die im Stand der Technik bekannt sind, wird die gesamte Umfallrate um etwa ein Drittel reduziert.When compared with the use of this device with the devices known in the art, the total turnover rate is reduced by about one-third.

Die CFC-Folie verhindert, dass das Silicium direkt mit dem Graphit der Elektrode in Berührung kommt.The CFC foil prevents the silicon from directly contacting the graphite of the electrode.

Da der verwendete Graphit für die Elektrode im Vergleich zu dem zu produzierenden Silicium verunreinigt ist, wird durch die Verwendung der CFC-Folie, die in ausreichender Qualität auf dem Markt verfügbar (Reinheit < 10 ppm) ist, eine zu große Verunreinigung des Siliciums vermieden.Since the graphite used for the electrode is contaminated compared to the silicon to be produced, the use of the CFC film, which is available in sufficient quality on the market (purity <10 ppm), avoids excessive contamination of the silicon.

Zudem kann verhindert werden, dass sich während der Abscheidung Silicium fest mit der Elektrode verbindet.In addition, it can be prevented that during the deposition of silicon firmly bonds to the electrode.

Dies kann das Trennen der Elektrode mit dem gewonnen Silicium deutlich vereinfachen.This can greatly simplify the separation of the electrode with the silicon obtained.

In vielen Fällen wird während des Trennens die Elektrode nicht zerstört, was dazu führt, dass die Elektrode beim nächsten Abscheidevorgang wieder verwendet werden kann.In many cases, the electrode will not be destroyed during the separation, which will result in the electrode being able to be reused during the next deposition process.

In den Fällen, in denen sich der Dünnstab während des Abscheidevorganges fest mit dem Quarz verbindet, kann ohne die Qualität negativ zu beeinflussen, der gesamte Stabfuß mittels einer Fluss-Säure (HF) enthaltenden Säure geätzt werden, so dass Quarz chemisch entfernt wird.In cases where the thin rod firmly bonds to the quartz during the deposition process, without adversely affecting the quality, the entire rod root can be etched by means of acid containing hydrofluoric acid (HF) to chemically remove quartz.

Die Erfindung ermöglicht es, Verunreinigungen durch Diffusion in das abgeschiedene Silicium zu minimieren und gleichzeitig die Umfallrate sowohl im dünnen als auch im abgeschiedenen Zustand zu minimieren.The invention makes it possible to minimize contamination by diffusion into the deposited silicon while minimizing the rate of turnover in both the thin and deposited states.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren näher erläutert.The invention will be explained in more detail below with reference to figures.

1 zeigt eine Dünnstabhalterung mit Silicum-Formkörper und CFC-Folie. 1 shows a thin rod holder with Silicum-shaped body and CFC film.

2 zeigt eine Dünnstabhalterung mit einem konusförmigen Silicum-Formkörper. 2 shows a thin rod holder with a cone-shaped Silicum-shaped body.

3 zeigt eine Dünnstabhalterung mit einem konusförmigen Silicum-Formkörper und einer CFC-Folie. 3 shows a thin rod holder with a cone-shaped silicon mold and a CFC film.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Graphitelektrodegraphite electrode
22
Quarzelementquartz element
33
CFC-FolieCFC-film
44
Silicium-FormkörperSilicon-shaped body
55
Dünnstabthin rod

1 zeigt eine Graphitelektrode 1, auf die z. B. ein Graphitring aufgelegt wird, in den ein Quarzelement 2 z. B. in Zylinderform eingepasst ist. Das Quarzelement weist eine Öffnung auf, durch die der Dünnstab 5 geführt werden kann. Auf dem Quarzelement 2 liegt eine CFC-Folie 3. Auch diese weist eine entsprechende Öffnung für den Dünnstab 5 auf. Über der CFC-Folie 3 befindet sich ein Silicium-Formkörper 4. 1 shows a graphite electrode 1 , on the z. B. a graphite ring is placed, in a quartz element 2 z. B. is fitted in a cylindrical shape. The quartz element has an opening through which the thin rod 5 can be performed. On the quartz element 2 is a CFC film 3 , This also has a corresponding opening for the thin rod 5 on. Above the CFC film 3 is a silicon molding 4 ,

2 unterscheidet sich von 1 dadurch, dass keine CFC-Folie verwendet wird. Der Silicium-Formkörper 42 hat die Form eines Konus. 2 differs from 1 in that no CFC film is used. The silicon molding 42 has the shape of a cone.

3 kombiniert die Ausführungsformen von 1 und 2 dergestalt, dass ein konusformiger Silicium-Formkörper 43 in Kombination mit einer CFC-Folie 33 verwendet wird. 3 combines the embodiments of 1 and 2 such that a konusformiger silicon moldings 43 in combination with a CFC film 33 is used.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

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  • DE 10101040 A [0021] DE 10101040 A [0021]
  • DE 2328303 A1 [0022] DE 2328303 A1 [0022]
  • DE 102009021825 B [0027] DE 102009021825 B [0027]

Claims (8)

Vorrichtung für die Abscheidung von polykristallinem Silicium auf Dünnstäben (5), umfassend eine Elektrode (1) für die Stromversorgung des Dünnstabs (5), ein Quarzelement (2) sowie ein Graphitelement oberhalb der Elektrode sowie einen Formkörper (4) aus Silicium, wobei Elektrode (1), Quarzelement (2) und Formkörper (4) eine Öffnung zur Aufnahme des Dünnstabs (5) aufweisen.Device for the deposition of polycrystalline silicon on thin rods ( 5 ) comprising an electrode ( 1 ) for the power supply of the thin rod ( 5 ), a quartz element ( 2 ) and a graphite element above the electrode and a shaped body ( 4 ) of silicon, wherein electrode ( 1 ), Quartz element ( 2 ) and shaped bodies ( 4 ) an opening for receiving the thin rod ( 5 ) exhibit. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei es sich beim Graphitelement um einen Graphitring handelt, der auf die Elektrode (1) aufgelegt wird, und in den ein Zylinder aus Quarz eingepasst ist, der das Quarzelement (2) bildet.Device according to claim 2, wherein the graphite element is a graphite ring which is applied to the electrode ( 1 ) is fitted, and in which a cylinder made of quartz is fitted, which is the quartz element ( 2 ). Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei es sich beim Quarzelement (2) um einen Hohlzylinder handelt, der aus Quarz besteht und der eine quadratische Ausfräsung zur Aufnahme des Dünnstabs (5) aufweist.Apparatus according to claim 2, wherein the quartz element ( 2 ) is a hollow cylinder, which consists of quartz and a square cutout for receiving the thin rod ( 5 ) having. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei sich zumindest zwischen Quarzelement (2) und Formkörper (4) eine CFC-Folie (3) befindet.Device according to one of claims 1 to 3, wherein at least between quartz element ( 2 ) and shaped bodies ( 4 ) a CFC film ( 3 ) is located. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die CEC-Folie (3) einen größeren Querschnitt hat als die Elektrode (1).Apparatus according to claim 4, wherein the CEC film ( 3 ) has a larger cross section than the electrode ( 1 ). Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Formkörper (4) aus polykristallinem Silicium besteht.Device according to one of claims 1 to 5, wherein the shaped body ( 4 ) consists of polycrystalline silicon. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Formkörper (4) aus monokristallinem Silicium besteht.Device according to one of claims 1 to 5, wherein the shaped body ( 4 ) consists of monocrystalline silicon. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei es sich beim Formkörper (4) um einen CZ- oder FZ-Endkonus handelt.Device according to one of claims 1 to 7, wherein it is in the molding ( 4 ) is a CZ or FZ end cone.
DE201110084372 2011-10-12 2011-10-12 Device for depositing polycrystalline silicon on thin rods, comprises an electrode for a power supply of thin rods, a quartz element and/or a graphite element present on the electrode and/or a mold body made of silicon Withdrawn DE102011084372A1 (en)

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