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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren, das
einen Wafer mit einer verringerten Dicke in einzelne Bauelemente
teilen kann, ohne die Handhabbarkeit des Wafers zu beeinträchtigen.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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Bei
einem Halbleiterbauelement-Herstellvorgang werden mehrere als Straßen
bezeichnete, sich kreuzende Trennlinien an der Vorderseite eines
im Wesentlichen scheibenförmigen Hableiterwafers ausgebildet,
um dadurch mehrere Bereiche abzuteilen, in denen Bauelemente, wie
zum Beispiel ICs und LSIs jeweils ausgebildet werden. Der Halbleiterwafer wird
mit einer Schneidvorrichtung entlang dieser Straßen geschnitten,
um dadurch den Wafer in die einzelnen Bauelemente zu teilen. Vor
dem Schneiden des Wafers entlang der Straßen wird die Rückseite
des Wafers geschliffen, um die Dicke des Wafers auf eine vorgegebene
Dicke zu verringern. In den letzten Jahren war es erforderlich,
die Waferdicke auf zum Beispiel ungefähr 50 μm
zu verringern, um eine Verringerung der Größe
und des Gewichts elektrischer Geräte zu erreichen.
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Jedoch
neigt solch ein sehr dünner Wafer dazu, sich wie ein Blatt
Papier leicht zu biegen, was Schwierigkeiten bei der Handhabung
verursacht, so dass die Möglichkeit einer Beschädigung
des Wafers während des Transports oder dergleichen besteht. Um
dieses Problem zu bewältigen, wurde zum Beispiel in dem
offengelegten
japanischen
Patent Nr. 2007-173487 ein Waferschleifverfahren vorgeschlagen.
Bei diesem Waferschleifverfahren wird die Rückseite eines
Wafers in einem Bereich geschliffen, der einem an der Vorderseite
des Wafers ausgebildeten Bauelementbereich entspricht, um dadurch
die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene Dicke zu verringern
und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt
an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden,
der einem Umfangsrandbereich entspricht, der den Bauelementbereich
umgibt. Außerdem wurde ein Waferteilungsverfahren zum Teilen
eines solchen Wafers, der einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt
an dem äußeren Umfangsbereich an dessen Rückseite
aufweist, in einzelne Bauelemente entlang jeder Straße
(Trennlinie) vorgeschlagen (siehe zum Beispiel das offengelegte
japanische Patent Nr. 2007-19379 ).
Bei diesem Waferteilungsverfahren wird der Wafer von dessen Vorderseite
aus durch Verwenden einer Schneidklinge geschnitten, nachdem der
ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer
entfernt wurde.
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Jedoch
wird der Wafer, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt
entfernt wurde, während der Handhabung bei dem Schneidvorgang
leicht beschädigt. Dementsprechend besteht bei dem Teilen des
Wafers, der den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
an dem äußeren Umfangsbereich an dessen Rückseite
aufweist, in die einzelnen Bauelemente ein Problem bezüglich
dessen, wann der ringförmige Verstärkungsabschnitt
von dem Wafer entfernt werden soll.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es
ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren
bereitzustellen, das einen Wafer in einzelne Bauelemente teilen kann,
ohne die Handhabbarkeit des Wafers beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen,
wobei die Rückseite des Wafers an dessen mittlerem Abschnitt geschliffen
wird, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt über
den äußeren Umfang des Wafers zu belassen.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren
zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelemente entlang
mehrerer an der Vorderseite des Wafers ausgebildeter Straßen
bereitgestellt, wobei der Wafer einen Bauelementbereich, in dem
die einzelnen Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich,
der den Bauelementbereich umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren
beinhaltet: einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite
des Wafers in einem Bereich, der dem Bauelementbereich entspricht,
um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene
Dicke zu verringern und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt
an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden,
der dem Umfangsrandbereich entspricht; einen Waferhalteschritt zum Anbringen
der Rückseite des Wafers an einen Mittelabschnitt eines
Zerteilungsbands (dicing tape), dessen äußerer
Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen
gehalten wird, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts;
einen Waferteilungsschritt zum Halten des Wafers an einem Einspanntisch,
der einen Bauelementbereich-Halteabschnitt zum Halten der Rückseite
des Bauelementbereichs unter Ansaugen und einen Halteabschnitt für den
ringförmigen Verstärkungsabschnitt zum Halten des
ringförmigen Verstärkungsabschnitts aufweist, nach
dem Durchführen des Waferhalteschritts und weiter zum Schneiden
des Wafers entlang jeder Straße durch Verwenden einer Schneidklinge,
um den Bauelementbereich in die einzelnen Bauelemente zu teilen;
einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
zum Schneiden des Wafers entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich
und dem Umfangsrandbereich durch Verwenden der Schneidklinge, während
der Einspanntisch gedreht wird, nach dem Durchführen des
Waferteilungsschritts, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt
von dem Wafer entfernt wird; und einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen
jedes Bauelements von dem Zerteilungsband nach dem Durchführen
des Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt.
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Vorzugsweise
beinhaltet das Zerteilungsband ein Klebeband, dessen Klebkraft durch
einen äußeren Impuls verringert werden kann; und
beinhaltet der Entfernungsschritt für den ringförmigen
Verstärkungsabschnitt den Schritt des Aufbringens des äußeren
Impulses auf das Zerteilungsband an dessen Bereich, der an dem ringförmigen
Verstärkungsabschnitt angebracht ist, nachdem der Wafer
entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich
geschnitten wurde.
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung wird der Wafer in dem Zustand in die einzelnen
Bauelemente geteilt, in dem der Wafer durch den ringförmigen
Verstärkungsabschnitt verstärkt wird. Danach wird
der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem
Wafer entfernt. Dementsprechend kann der Wafer, der eine verringerte
Dicke aufweist, zuverlässig in die einzelnen Bauelemente
geteilt werden, ohne die Handhabbarkeit des Wafers beim Schneiden
desselben zu beeinträchtigen und ohne ein Absplittern jedes
Bauelements zu verursachen.
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Die
obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, wird offenkundiger werden
und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem
die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche
mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen studiert werden,
die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, wenn dieser
von dessen Vorderseite aus betrachtet wird;
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2 ist
eine perspektivische Ansicht des Halbleiterwafers, wenn dieser von
dessen Rückseite aus betrachtet wird, in dem Zustand, in
dem ein Schutzband an der Vorderseite des Halbleiterwafers angebracht
ist;
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3 ist
eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Schleifvorrichtung;
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4 ist
eine schematische Draufsicht zum Veranschaulichen eines durch die
Schleifvorrichtung durchzuführenden Waferschleifschritts;
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5 ist
eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, der durch Durchführen
des Waferschleifschritts ausgebildet wurde;
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6 ist
eine perspektivische Ansicht zum Veranschaulichen eines Waferhalteschritts
zum Halten des Halbleiterwafers an einem Zerteilungsrahmen durch
ein Zerteilungsband;
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7 ist
eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, der durch das Zerteilungsband
an dem Zerteilungsrahmen gehalten wird;
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8 ist
eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers in dem Zustand, in
dem dieser an einem Einspanntisch gehalten wird;
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9 ist
eine perspektivische Ansicht zum Veranschaulichen eines Waferteilungsschritts;
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10A und 10B sind
perspektivische Ansichten zum Veranschaulichen eines Entfernungsschritts
für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt; und
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11A und 11B sind
Schnittdarstellungen zum Veranschaulichen eines Aufnahmeschritts.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Eine
bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
nun im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist
eine perspektivische Ansicht eines durch die vorliegende Erfindung
zu bearbeitenden Halbleiterwafers 11. Der in 1 gezeigte
Halbleiterwafer 11 ist zum Beispiel ein Siliziumwafer mit
einer Dicke von 700 μm. Der Halbleiterwafer 11 weist
eine Vorderseite 11a und eine Rückseite 11b auf.
Mehrere sich kreuzende Straßen 13 sind an der
Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 ausgebildet,
um dadurch mehrere rechteckige Bereiche abzuteilen, in denen mehrere
Bauelemente 15, wie zum Beispiel ICs und LISs, jeweils ausgebildet
sind. Der Halbleiterwafer 11 beinhaltet einen Bauelementbereich 17,
in dem die Bauelemente 15 ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich 19,
der den Bauelementbereich 17 umgibt. Der äußere
Umfang des Halbleiterwafers 11 ist mit einer Kerbe 21 als
einer Markierung ausgebildet, welche die Kristallorientierung des
Siliziumwafers anzeigt.
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Ein
Schutzband 23 wird an der Vorderseite 11a des
Halbleiterwafers 11 durch einen Schutzband-Anbringungsschritt
angebracht, wie in 2 gezeigt ist. Dementsprechend
ist die Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 durch
das Schutzband 23 geschützt und die Rückseite 11b des
Halbleiterwafers 11 freigelegt, wie in 2 gezeigt
ist. Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Schutzband-Anbringungsschritts
wird ein Waferschleifschritt auf eine solche Weise durchgeführt,
dass die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in
einem Bereich geschliffen wird, der dem Bauelementbereich 17 entspricht,
um eine kreisförmige Aussparung auszubilden und gleichzeitig
einen Bereich, der dem Umfangsrandbereich 19 entspricht,
als einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt um
die kreisförmige Aussparung herum zu belassen. Dieser Waferschleifschritt
wird nun mit Bezug auf 3 bis 5 näher beschrieben.
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Zunächst
wird mit Bezug auf 3 eine perspektivische Ansicht
eines wesentlichen Teils einer Schleifvorrichtung 2 zum
Durchführen des Waferschleifschritts gezeigt. Die Schleifvorrichtung 2 beinhaltet
einen drehbaren Einspanntisch 4 zum Halten des Halbleiterwafers 11 und
eine Schleifeinheit 6 zum Schleifen der Rückseite 11b des
an dem Einspanntisch 4 gehaltenen Halbleiterwafers 11.
Die Schleifeinheit 6 beinhaltet eine Achse 8,
die drehbar und vertikal bewegbar ist, eine Schleifscheibe 10,
die an dem unteren Ende der Achse 8 angebracht ist, und einen
Schleifring 12, der an der unteren Oberfläche der
Schleifscheibe 10 befestigt ist. Der Schleifring 12 besteht
aus mehreren Schleifelementen (Schleifsteinen), die mit vorgegebenen
Abständen entlang des äußeren Umfangs
der Schleifscheibe 10 ringförmig angeordnet sind.
Der Halbleiterwafer 11 mit dem Schutzband 23 wird
an dem Einspanntisch 4 in dem Zustand gehalten, in dem
das an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 angebrachte
Schutzband 23 an der oberen Oberfläche des Einspanntischs 4 unter Ansaugen
angeordnet ist und die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 dem
Schleifring 12 gegenüberliegt.
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Die
Beziehung zwischen dem an dem Einspanntisch 4 gehaltenen
Halbleiterwafer 11 und dem an der Schleifscheibe 10 angebrachten
Schleifring 12 wird nun mit Bezug auf 4 beschrieben.
Das Zentrum P1 der Drehung des Einspanntischs 4 und das
Zentrum P2 der Drehung des Schleifrings 12 weichen voneinander
ab, wie in 4 gezeigt ist. Ferner ist der äußere
Durchmesser des Schleifrings 12 so festgelegt, dass er
kleiner als der Durchmesser eines Grenzkreises 28 zwischen
dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 des
Halbleiterwafers 11 und etwas größer
als der Radius des Grenzkreises 28 ist. Dementsprechend
tritt der Schleifring 12 durch das Zentrum P1 der Drehung des
Einspanntischs 4.
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Wie
in 3 und 4 gezeigt ist, wird der Einspanntisch 4 zum
Beispiel mit 300 U/min (Umdrehungen pro Minute) in der durch einen
Pfeil 30 gezeigten Richtung gedreht und die Schleifscheibe 10 zum
Beispiel mit 6000 U/min in der durch einen Pfeil 32 gezeigten
Richtung gedreht. Gleichzeitig wird ein Zuführmechanismus
(nicht gezeigt) betätigt, um die Schleifscheibe 10 abzusenken,
bis der Schleifring 12 mit der Rückseite 11b des
Halbleiterwafers 11 in Kontakt kommt. Danach wird die Schleifscheibe
mit einer vorgegebenen Zuführrate um einen vorgegebenen Betrag
nach unten zugeführt. Als Folge wird die Rückseite 11b des
Halbleiterwafers 11 in einem Bereich geschliffen, der dem
Bauelementbereich 17 entspricht, um eine kreisförmige
Aussparung 24 mit einer vorgegebenen Tiefe auszubilden,
wie in 5 gezeigt ist. Das heißt die Dicke des
Halbleiterwafers 11 ist nur in dem Bauelementbereich 17 auf
eine vorgegebene Dicke (zum Beispiel 50 μm) verringert. Gleichzeitig
ist ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt 26 als
ein verbleibender Abschnitt in einem Bereich, der dem Umfangsrandbereich 19 entspricht, so
ausgebildet, dass er die kreisförmige Aussparung 24 umgibt,
wie in 5 gezeigt ist.
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Nach
dem Durchführen des Waferschleifschritts wird ein Waferhalteschritt
auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 an
einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands 34 als ein
Klebeband angebracht wird, dessen äußerer Umfangsabschnitt
an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen 36 gehalten
wird, wie in 6 gezeigt ist. Wie in 7 gezeigt
ist, ist das Zerteilungsband 34 an der Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 auf
eine solche Weise angebracht, dass es nicht nur die untere Oberfläche
des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26,
sondern auch die gesamte innere Oberfläche der kreisförmigen
Aussparung 24 bedeckt. Danach wird das Schutzband 23 von
der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 abgezogen,
wie in 6 gezeigt ist.
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Nach
dem Durchführen des oben beschriebenen Waferhalteschritts
wird ein Waferteilungsschritt auf eine solche Weise durchgeführt,
dass der an dem Zerteilungsrahmen 36 gehaltene Halbleiterwafer 11 an
einem Einspanntisch einer Zerteilungsvorrichtung (Schneidvorrichtung)
gehalten und dann entlang jeder Straße 13 durch
Verwenden einer Schneidklinge geschnitten wird, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in
die einzelnen Bauelemente 15 zu teilen. Spezieller wird
ein in 8 gezeigter Einspanntisch 40 vorzugsweise
als der Einspanntisch der Zerteilungsvorrichtung verwendet. Wie
in 8 gezeigt ist, beinhaltet der Einspanntisch 40 einen Drehschaft 42 mit
einem Ansaugdurchlass 44 und einer Halteplatte 46,
die fest an dem oberen Ende des Drehschafts 42 angebracht
ist.
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Die
Halteplatte 46 ist aus Metall, wie zum Beispiel SUS, ausgebildet
und weist eine kreisförmige Aussparung 48 und
einen Ansaugdurchlass 50 auf, der mit dem Ansaugdurchlass 44 des
Drehschafts 42 kommuniziert. Der Ansaugdurchlass 50 öffnet
sich zu der kreisförmigen Aussparung 48. Der Ansaugdurchlass 44 des
Drehschafts 42 ist mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt)
verbunden. Ein scheibenförmiges poröses Element 52 ist
in die kreisförmige Aussparung 48 der Halteplatte 46 eingepasst.
Das poröse Element 52 ist zum Beispiel aus poröser
Keramik ausgebildet. Das poröse Element 52 weist
eine obere Halteoberfläche auf, die in einer höheren
Ebene als die obere Oberfläche der Halteplatte 46 liegt. Der
Halbleiterwafer 11 wird an dem Einspanntisch 40 auf
eine solche Weise gehalten, dass die untere Oberfläche
des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26 des
Halbleiterwafers 11 durch das Zerteilungsband 34 an
der Halteplatte 46 gehalten wird und die innere Oberfläche
der kreisförmigen Aussparung 24 unter Ansaugen
durch das Zerteilungsband 34 an dem porösen Element 52 gehalten
wird.
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In
dem Zustand, in dem der Halbleiterwafer 11 wie oben beschrieben
unter Ansaugen an dem Einspanntisch 40 gehalten wird, wird
der Halbleiterwafer 11 entlang jeder Straße 13 durch
Verwenden eines in 9 gezeigten Schneidmittels 54 geschnitten.
Wie in 9 gezeigt ist, beinhaltet das Schneidmittel 54 eine
Achseneinheit 60 mit einem Achsengehäuse 62.
Eine Achse 56 ist drehbar in dem Achsengehäuse 62 vorgesehen.
Die Achse 56 wird durch einen Servomotor (nicht gezeigt)
drehend angetrieben. Eine Schneidklinge 58 ist an der Achse 56 an
deren vorderem Ende angebracht. Wie in 9 gezeigt
ist, wird der an dem Einspanntisch 40 gehaltene Halbleiterwafer 11 (siehe 8)
in der durch eine X-Achse gezeigten Richtung bewegt und gleichzeitig
die Schneidklinge 58, die sich mit einer hohen Geschwindigkeit
dreht, abgesenkt, um in eine vorgegebene Straße 13 zu
schneiden.
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Danach
wird der Einspanntisch 40, der den Halbleiterwafer 11 hält,
in der durch eine Y-Achse gezeigten Richtung mit einem in einem
Speicher gespeicherten vorgegebenen Straßenabstand bewegt (eingeteilt;
indiziert) und wird ein ähnlicher Schneidvorgang entlang
der nächsten Straße 13 durchgeführt.
Dieser Schneidvorgang wird in ähnlicher Weise entlang der
anderen Straßen 13 durchgeführt, die sich
in der gleichen Richtung (erste Richtung) erstrecken. Danach wird
der Einspanntisch 40 um 90 Grad gedreht, um in ähnlicher
Weise den Schneidvorgang entlang aller Straßen 13 durchzuführen,
die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung
erstrecken. Als Folge wird der Halbleiterwafer 11 in die
einzelnen Bauelemente (Chips) 15 geteilt. Jedoch ist zu
dem Zeitpunkt, zu dem der Waferteilungsschritt beendet ist, der
ringförmige Verstärkungsabschnitt 26,
der an dem Umfangsabschnitt des Wafers 11 ausgebildet ist
und eine Dicke von 700 μm aufweist, nicht vollständig
geschnitten. Das heißt der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 ist
teilweise geschnitten und dessen Ringform ist beibehalten. Danach
wird ein Entfernungsschritt für den ringförmigen
Verstärkungsabschnitt auf die folgende Weise durchgeführt.
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Bei
dem Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
wird, wie in 10A gezeigt ist, die Schneidklinge 58 direkt
oberhalb der Grenze zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem
Umfangsrandbereich 19 des an dem Einspanntisch 40 gehaltenen
Halbleiterwafers 11 angeordnet. An dieser Position wird
die Schneidklinge 58 gedreht und abgesenkt, um in die Grenze
zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 zu
schneiden. Danach wird der Einspanntisch 40 um wenigstens
360 Grad gedreht, um dadurch die Grenze zu schneiden, wie durch
eine gekrümmte Linie 64 in 10A gezeigt
ist. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26,
der den Umfangsrandbereich 19 beinhaltet, von dem Bauelementbereich 17 getrennt,
wie in 10B gezeigt ist. Beim Trennen des
ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26 von
dem Bauelementbereich 17 wird ein äußerer
Impuls auf das Zerteilungsband 34 in dessen Bereich aufgebracht,
der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 26 angebracht
ist, wodurch die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 verringert
wird, und als nächstes wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 von
dem Zerteilungsband 34 abgezogen.
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Das
Aufbringen eines äußeren Impulses wird entsprechend
der Art des Zerteilungsbands 34 zum Beispiel durch Aufbringen
ultravioletter Strahlung oder durch Erwärmen verwirklicht.
Falls das Zerteilungsband 34 ein UV-Härtungsband
ist, wie zum Beispiel „UC-series” (Handelsbezeichnung),
das von Furukawa Electric Co., Ltd. hergestellt wird, wird die Klebkraft
des Zerteilungsbands 34 durch Aufbringen ultravioletter
Strahlung verringert. Falls das Zerteilungsband 34 ein
Band, wie zum Beispiel „Revalpha” (Handelsbezeichnung)
ist, das von Nitto Denko Corp. hergestellt wird, wird die Klebkraft
des Zerteilungsbands 34 durch Erwärmen verringert.
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Nach
dem Durchführen des oben beschriebenen Entfernungsschritts
für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
wird ein Aufnahmeschritt auf eine solche Weise durchgeführt,
dass die von einander abgeteiltem einzelnen Bauelemente 15 von
dem Zerteilungsband 34 abgezogen werden. Dieser Aufnahmeschritt
wird durch Verwenden einer in 11A und 11B gezeigten Bandaufweitungsvorrichtung 70 durchgeführt.
Die Bandaufweitungsvorrichtung 70 wirkt so, dass sie das
Zerteilungsband 34 in dessen radialer Richtung aufweitet,
wodurch der Abstand zwischen den nebeneinanderliegenden Bauelementen 15 vor
dem eigentlichen Aufnehmen der einzelnen Bauelemente 15 vergrößert
wird. Die Bandaufweitungsvorrichtung 70 beinhaltet eine
ortsfeste Trommel 72 und eine bewegbare Trommel 74,
die außerhalb der ortsfesten Trommel 72 so vorgesehen ist,
dass sie durch ein Antriebsmittel (nicht gezeigt) vertikal bewegbar
ist.
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Wie
in 11A gezeigt ist, ist der Zerteilungsrahmen 36,
der den Halbleiterwafer 11, von dem der ringförmige
Verstärkungsabschnitt 26 entfernt wurde, hält,
an der bewegbaren Trommel 74 angebracht und durch mehrere
Klammern 76 befestigt. Zu diesem Zeitpunkt ist das obere
Ende der bewegbaren Trommel 74 auf im Wesentlichen gleicher Höhe
wie das obere Ende der ortsfesten Trommel 72 festgelegt.
Wenn die bewegbare Trommel 74 in der in 11A durch einen Pfeil A gezeigten Richtung bewegt
wird, gelangt das obere Ende der bewegbaren Trommel 74 auf
eine geringere Höhe als das obere Ende der ortsfesten Trommel 72,
wie in 11B gezeigt ist. Dementsprechend
wird das Zerteilungsband 34 radial aufgeweitet, um dadurch
den Abstand zwischen den nebeneinanderliegenden Bauelementen 15 zu
vergrößern. In diesem aufgeweiteten Zustand wird
jedes Bauelement 15 durch eine Aufnahmevorrichtung 80 aufgenommen,
wie in 11B gezeigt ist. Als Folge kann
der Aufnahmevorgang leicht und problemlos durchgeführt
werden.
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Gemäß der
oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird der
ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 entfernt,
nachdem der Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente 15 geteilt
wurde. Dementsprechend kann der Halbleiterwafer 11 zuverlässig
in die einzelnen Bauelemente 15 geteilt werden, ohne die
Handhabbarkeit des Halbleiterwafers 11 beim Schneiden desselben
zu beeinträchtigen und ohne ein Absplittern jedes Bauelements 15 zu
verursachen.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen
bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der
Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche
definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb
der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen,
werden deshalb durch die Erfindung umfasst.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2007-173487 [0003]
- - JP 2007-19379 [0003]