DE102009033930B4 - A method of applying a resistive layer in the form of a noble metal thin film to a substrate and a method of making a temperature sensor - Google Patents

Abstract

Verfahren zum Aufbringen einer Widerstandsschicht in Form eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat, wobei die Gesamtdicke des erzeugten Dünnfilms zwischen 0,5 μm und 1,5 μm liegt, mit folgenden aufeinander abfolgenden Schritten: a) Erzeugen (S102) einer leitfähigen Grundbeschichtung aus einem Edelmetall auf einem Substrat (100); b) Verstärken (S104, S106) der Grundbeschichtung auf eine gewünschte Gesamtdicke des Dünnfilms durch galvanisches Abscheiden des Edelmetalls auf der Grundbeschichtung; und c) Durchführen (S116) einer Temperaturbehandlung des erzeugten Dünnfilms für eine Zeitdauer von 30 Minuten bis 180 Minuten bei einer Temperatur zwischen 1100°C und 1400°C.A method of applying a resistive layer in the form of a noble metal thin film to a substrate, wherein the total thickness of the thin film formed is between 0.5 μm and 1.5 μm, comprising the following sequential steps: a) producing (S102) a conductive base coat of one Noble metal on a substrate (100); b) reinforcing (S104, S106) the base coat to a desired total thickness of the thin film by electrodepositing the noble metal on the base coat; and c) performing (S116) a temperature treatment of the produced thin film for a period of 30 minutes to 180 minutes at a temperature between 1100 ° C and 1400 ° C.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufbringen einer Widerstandsschicht in Form eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat, und auf ein Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers, dessen Widerstandsschicht durch den Edelmetall-Dünnfilm gebildet wird, insbesondere auf ein Verfahren zum Aufbringen von Dünnfilm-Platinschichten auf Keramiksubstrate mittels spezieller galvanischer Beschichtung zur Herstellung von Platintemperatursensoren.The present invention relates to a method for applying a resistive layer in the form of a noble metal thin film to a substrate, and to a method of manufacturing a temperature sensor whose resistive layer is formed by the noble metal thin film, and more particularly to a thin film thin film deposition method. Platinum layers on ceramic substrates by means of special galvanic coating for the production of platinum temperature sensors.

Temperaturmessfühler in Dünnschichttechnik, wie beispielsweise Platintemperaturfühler, werden seit vielen Jahren in unterschiedlichen Ausführungsformen hergestellt und für präzise Temperaturmessaufgaben verwendet.Thin-film temperature sensors, such as platinum temperature sensors, have been manufactured in various embodiments for many years and used for precise temperature measurement tasks.

Ein bekannter Temperaturmessfühler ist in 3 gezeigt, wobei 3(a) eine Querschnittdarstellung des Temperaturmessfühlers und 3(b) eine Draufsichtdarstellung des Temperaturmessfühlers zeigt. Auf einem Al₂O₃-Keramikträger 100 ist ein Platinfilm 102 von ca. 1 μm Dicke aufgebracht. Dieser Platinfilm 102 ist derart strukturiert, dass dieser eine Widerstandsbahn von z. B. 100 Ω aufweist. Zum Schutz des Platinfilms 102 ist dieser mit einer geeigneten Schutzschicht 104 (z. B. Glasurschicht) überzogen. An zwei, in 3(b) gezeigten Kontaktflächen 106 sind in der Regel Anschlussdrähte 108 angeschweißt (außer bei SMD-Typen). Um eine ausreichende mechanische Belastbarkeit der Anschlussdrähte 108 zu gewährleisten, wie es beispielsweise bei der Weiterverarbeitung des Sensors oder bei dessen Einsatz gefordert ist, wird eine Fixierungsglasur 110 aufgebracht, durch die die Anschlussdrähte 108 zusätzlich eine mechanische Fixierung erfahren. Die Fixierungsglasur 110 wird bei Temperaturen um ca. 800°C eingebrannt (die Glasur muss schmelzen), um eine Einsatztemperatur von bis zu 600°C zu gewährleisten, da die Glasur während des Betriebs nicht erweichen darf. Für noch höhere Einsatztemperaturen, z. B. 800°C, werden entsprechend höher schmelzende Glasuren verwendet.A well-known temperature sensor is in 3 shown, where 3 (a) a cross-sectional view of the temperature sensor and 3 (b) a top view of the temperature sensor shows. On an Al ₂ O ₃ ceramic carrier 100 is a platinum film 102 applied of about 1 micron thickness. This platinum film 102 is structured such that it has a resistance path of z. B. 100 Ω. To protect the platinum film 102 this is with a suitable protective layer 104 (eg glaze layer) coated. At two, in 3 (b) shown contact surfaces 106 are usually connecting wires 108 welded (except for SMD types). To ensure sufficient mechanical strength of the connecting wires 108 To ensure, as required for example in the further processing of the sensor or in its use, is a fixing glaze 110 applied through which the connecting wires 108 additionally experience a mechanical fixation. The fixation glaze 110 is baked at temperatures of around 800 ° C (the glaze must melt) to ensure an operating temperature of up to 600 ° C, as the glaze must not soften during operation. For even higher operating temperatures, eg. B. 800 ° C, correspondingly higher melting glazes are used.

Neben dem Einsatz von Platinwiderstandsbahnen können auch andere Metalle für die Widerstandsbahn eingesetzt werden.In addition to the use of platinum resistance tracks, other metals can be used for the resistance path.

Für die Kontaktierung der Widerstandsbahnen werden üblicherweise Anschlussdrähte aus einem nicht-edlen Material, z. B. Nickeldrähte, verwendet (siehe z. B. DE 100 20 931 C1 ).For contacting the resistance paths are usually connecting wires made of a non-noble material, eg. As nickel wires used (see, eg. DE 100 20 931 C1 ).

Ebenso werden vergoldete Nickeldrähte eingesetzt. Alternativ werden die Drähte mit einem Edelmetall-Überzug versehen, beispielsweise ein Nickeldraht mit einem Platinmantel. Für spezielle Anwendungen, z. B. Hochtemperaturanwendungen, werden als Anschlussdrähte reine Edelmetalldrähte oder Drähte aus einer Edelmetall-Legierung verwendet, da diese auch bei den höheren Prozesstemperaturen nicht oxidieren. Als Edelmetallmaterialien kommen insbesondere Platin, Palladium oder Silber in Betracht, und als Edelmetall-Legierung wird vorzugsweise eine Gold-Palladium-Legierung herangezogen.Likewise, gold-plated nickel wires are used. Alternatively, the wires are provided with a noble metal coating, for example a nickel wire with a platinum coating. For special applications, eg. As high-temperature applications are used as connecting wires pure precious metal wires or wires of a precious metal alloy, as they do not oxidize even at the higher process temperatures. Particularly suitable noble metal materials are platinum, palladium or silver, and the preferred noble metal alloy used is a gold-palladium alloy.

Für die Beschichtung der (Keramik-)Substrate mit Platin sind verschiedene Verfahren bekannt, welche von Herstellern der Platintemperatursensoren eingesetzt werden. Bekannt sind Vakuumverfahren, z. B. das Aufdampfen oder die Kathodenzerstäubung (Sputtern), welche üblicherweise als Dünnschichttechnik bezeichnet werden. Hierbei werden, aus Stabilitätsgründen, bei der Herstellung der Platintemperatursensoren Schichtdicken zwischen ca. 0,5 μm und 1,5 μm Filmdicke verwendet.For the coating of the (ceramic) substrates with platinum, various methods are known, which are used by manufacturers of platinum temperature sensors. Vacuum methods are known, for. As vapor deposition or sputtering (sputtering), which are commonly referred to as thin film technology. In this case, for reasons of stability, layer thicknesses between about 0.5 μm and 1.5 μm film thickness are used in the production of the platinum temperature sensors.

Die DE 2 112 595 A beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines auflötbaren Temperaturmesswiderstandes. Dort werden auf einen bereits in einer Fixierungsglasur eingebetteten Messwiderstand in Form einer Drahtwendel weitere Beschichtungen aufgebracht, um einen guten Wärmeübergang zum Messobjekt herzustellen und die Lötbarkeit der Oberfläche zu gewährleisten. Zunächst wird eine Einbrennschicht aus Glanzsilber, Glanzgold oder Glanzplatin auf den Messwiderstand aufgebracht, um die elektrische Leitfähigkeit für eine folgende galvanische Beschichtung zu erzeugen. Anschließend wird ein Silberwerkstoff galvanisch aufgebracht, welcher das Verlöten des Sensors auf dem zu messenden Körper ermöglichen soll. Die Gesamtschichtdicke beträgt dabei mehrere μm, so dass es sich bei diesem Beschichtungsverfahren um ein Dickschichtverfahren handelt. Die Herstellung des Messwiderstands selbst wird nicht beschrieben. Aufgrund der Ausführung des Messwiderstandes als Drahtwendel und der Dickschichtbeschichtung ist die Anwendung der Technik der DE 2 112 595 A auf größere Sensorabmessungen und kleine Widerstandswerte beschränkt.The DE 2 112 595 A describes a method for producing a solderable temperature measuring resistor. There, further coatings are applied to a measuring resistor already embedded in a fixing glaze in the form of a wire helix in order to produce a good heat transfer to the test object and to ensure the solderability of the surface. First, a burn-in layer of bright silver, bright gold or gloss platinum is applied to the measuring resistor to produce the electrical conductivity for a subsequent galvanic coating. Subsequently, a silver material is applied galvanically, which should allow the soldering of the sensor on the body to be measured. The total layer thickness amounts to several microns, so that it is a thick-film process in this coating process. The production of the measuring resistor itself is not described. Due to the design of the measuring resistor as wire helix and the thick film coating, the application of the technology of DE 2 112 595 A limited to larger sensor dimensions and small resistance values.

In der sogenannten Dickschichttechnik werden Platin-Dickschichtpasten mittels Siebdrucktechnik auf die Substrate aufgedruckt und bei hohen Temperaturen, typischerweise bei ca. 800°C, eingebrannt. Der Vorteil dieser Vorgehensweise besteht darin, dass auch Platindickfilmstrukturen, z. B. Widerstandsmäander, direkt auf das Substrat gedruckt werden können. Die erzielbaren Schichtdicken sind jedoch in der Regel kaum dünner als 3 μm und die bedruckten Bahnbreiten kaum schmäler als 80 μm. Sensoren mit kleinen Abmessungen, beispielsweise mit einer Breite von 1,2 mm und einer Länge von 4 mm und höheren Widerstandsnennwerten, z. B. Pt 1000 sind somit in der Dickschichttechnik nicht realisierbar. Bei einem modifizierten Dickschichtverfahren mit speziellen Platinpasten, sogenannten Resinatpasten, können Platinschichten in Dünnschichtqualität erzeugt werden, da sich bei dieser Vorgehensweise das Platin in atomarer Form, ähnlich dem Bedampfen oder Sputtern, auf dem Substrat niederschlägt.In the so-called thick-film technique, platinum thick-film pastes are printed onto the substrates by means of screen printing technology and baked at high temperatures, typically at about 800 ° C. The advantage of this approach is that also Platindickfilmstrukturen, z. B. resistance meander, directly can be printed on the substrate. However, the achievable layer thicknesses are usually hardly thinner than 3 microns and the printed web widths hardly narrower than 80 microns. Sensors with small dimensions, for example, with a width of 1.2 mm and a length of 4 mm and higher resistance ratings, z. B. Pt 1000 are thus not feasible in the thick film technology. In a modified thick film process with special platinum pastes, so-called resin pastes, platinum layers can be produced in thin-film quality, since in this approach, the platinum in atomic form, similar to the vapor deposition or sputtering, deposited on the substrate.

Die genannten Verfahren eignen sich gut für die Herstellung von Platinfilmen, wobei jedes der genannten Verfahren spezifische Vorteile hat, jedoch alle Verfahren auch Nachteile mit sich bringen. Beim Dickschichtverfahren ist insbesondere die oben genannte Begrenzung auf größere Sensorabmessungen und kleine Widerstandswerte zu erwähnen. Beim Dünnschichtverfahren sind insbesondere die mit dem Aufdampfen und Sputtern einhergehenden hohen Anlagekosten und die hohen Platin-Materialkosten nachteilhaft, wobei Letztere daraus resultieren, dass sich ein hoher Anteil des sehr teuren Edelmetalls beim Beschichtungsprozess außerhalb des Substrats niederschlägt. Das modifizierte Dickschichtverfahren mit Resinatpasten ist gegenüber den Aufdampf- und Sputter-Verfahren günstiger, insbesondere bezüglich der Anlagekosten und bezüglich des Materialverbrauchs. Aufgrund der erforderlichen hohen Einbrenntemperaturen sind Platinschichten, die die erforderlichen Eigenschaften für die Herstellung von Platinsensoren entsprechend der DIN-Norm erfüllen, mit Schichten kleiner als 1 μm kaum möglich, insbesondere ist es schwierig, Platinschichten mit einer Dicke deutlich unter 1 μm (z. B. 0,8 μm und weniger) und mit einem Temperaturkoeffizienten von 3850 ppm/°C zu erreichen, wie dies für die Herstellung der oben genannten Platinsensoren entsprechend der DIN-Norm erforderlich ist.The methods mentioned are well suited for the production of platinum films, each of the methods mentioned having specific advantages, but all methods also entail disadvantages. In the case of the thick-film method, the abovementioned limitation to larger sensor dimensions and small resistance values must be mentioned in particular. In the thin-film process, in particular the high investment costs associated with vapor deposition and sputtering and the high platinum material costs are disadvantageous, the latter resulting from the fact that a high proportion of the very expensive noble metal is deposited outside the substrate during the coating process. The modified thick-film process with resin pastes is more favorable compared to the vapor deposition and sputtering processes, in particular with regard to the installation costs and with regard to the material consumption. Due to the required high baking temperatures, platinum layers which fulfill the required properties for the production of platinum sensors in accordance with the DIN standard are hardly possible with layers smaller than 1 μm, in particular it is difficult to obtain platinum layers with a thickness significantly below 1 μm (eg 0.8 μm and less) and with a temperature coefficient of 3850 ppm / ° C, as required for the production of the above-mentioned platinum sensors according to the DIN standard.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Ansatz zu schaffen, der die Herstellung von Temperatursensoren mit den erforderlichen Eigenschaften bei reduziertem Materialaufwand ermöglicht.Based on this prior art, the present invention seeks to provide an approach that allows the production of temperature sensors with the required properties at a reduced cost of materials.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 15 gelöst.This object is achieved by a method according to claim 1 and by a method according to claim 15.

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Aufbringen einer Widerstandsschicht in Form eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat, wobei die Gesamtdicke des erzeugten Dünnfilms zwischen 0,5 und 1,5 μm liegt, mit folgenden aufeinander abfolgenden Schritten:

• (a) Erzeugen einer leitfähigen Grundbeschichtung aus einem Edelmetall auf einem Substrat;
• (b) Verstärken der Grundbeschichtung auf eine gewünschte Gesamtdicke des Dünnfilms durch galvanisches Abscheiden des Edelmetalls auf der Grundbeschichtung; und
• (c) Durchführen einer Temperaturbehandlung des erzeugten Dünnfilms für eine Zeitdauer von 30 Minuten bis 180 Minuten bei einer Temperatur zwischen 1100°C und 1400°C.

The present invention provides a method for applying a resistive layer in the form of a noble metal thin film to a substrate, wherein the total thickness of the thin film produced is between 0.5 and 1.5 μm, with the following successive steps:

• (a) forming a conductive base coat of a noble metal on a substrate;
• (b) reinforcing the base coat to a desired total thickness of the thin film by electrodepositing the noble metal on the base coat; and
• (c) performing a temperature treatment of the produced thin film for a period of 30 minutes to 180 minutes at a temperature between 1100 ° C and 1400 ° C.

Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Temperaturmessfühlers, mit folgenden Schritten:

• – Erzeugen einer Widerstandsschicht basierend auf einem Dünnfilm, der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren auf ein Substrat aufgebracht wurde; und
• – Verbinden eines Anschlussdrahtes mit der Widerstandsschicht.

The present invention further provides a method of manufacturing a temperature sensor, comprising the steps of:

• - generating a resistive layer based on a thin film deposited on a substrate according to the method of the invention; and
• - Connecting a lead wire with the resistance layer.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die oben beschriebenen Nachteile der im Stand der Technik bekannten Verfahren zum Erzeugen von Widerstandsbahnen für Temperaturmesssensoren oder Temperaturmessfühler dadurch vermieden werden können, dass anstelle dieser herkömmlichen, aufwendigen Verfahren ein galvanisches Verfahren verwendet wird, welches beispielsweise die Abscheidung der Platinschichten in einer elektrolytischen Lösung galvanisch auf ein Keramiksubstrat ermöglicht. Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens lassen sich vorzugsweise Schichtdicken im Bereich zwischen 0,5 μm und 1 μm realisieren, die die erforderlichen Eigenschaften für die Herstellung von Temperatursensoren entsprechend der DIN-Norm erfüllen, insbesondere die erforderlichen Eigenschaften hinsichtlich der Temperaturkoeffizienten.The present invention is based on the finding that the above-described disadvantages of the methods known in the prior art for producing resistance paths for temperature measuring sensors or temperature sensors can be avoided by using, instead of these conventional, expensive methods, a galvanic method which, for example, the deposition the platinum layers in an electrolytic solution allows galvanically to a ceramic substrate. By means of the method according to the invention, preferably layer thicknesses in the range between 0.5 μm and 1 μm can be realized, which fulfill the required properties for the production of temperature sensors according to the DIN standard, in particular the required properties with regard to the temperature coefficients.

Der Vorteil der vorliegenden Erfindung gegenüber herkömmlichen Verfahren besteht darin, dass aufgrund der erreichbaren, dünneren Schichtdicken der Materialverbrauch deutlich reduziert wird, was insbesondere aufgrund der hohen Preise der Edelmetalle, beispielsweise des Platins, wesentlich ist. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der Materialverbrauch ferner dadurch reduziert wird, dass durch die aufgebrachte Grundbeschichtung derjenige Bereich auf dem Substrat festgelegt ist, auf dem galvanisch abgeschieden werden soll. Auf anderen, nicht-metallisierten Flächen, schlägt sich kein Metall aus der elektrolytischen Lösung nieder, so dass sichergestellt ist, dass das Edelmetall nur an der Stelle abgeschieden wird, an der eine entsprechende Erzeugung eines Dünnfilms auch erwünscht ist. Die im Stand der Technik beschriebenen Nachteile hinsichtlich des Niederschlags von Material außerhalb des Substrats treten somit beim erfindungsgemäßen Verfahren nicht auf, was ebenfalls zur Reduzierung des Materialverbrauchs und damit zu einer Kostenersparnis bei der Herstellung der Sensoren beiträgt.The advantage of the present invention over conventional methods is that due to the achievable, thinner layer thicknesses of the material consumption is significantly reduced, which is essential in particular due to the high prices of precious metals, such as platinum. A further advantage is that the material consumption is further reduced by the fact that the applied primer coating defines that region on the substrate on which it is intended to be electrodeposited. On other, non-metallized surfaces, no metal precipitates out of the electrolytic solution, so that it is ensured that the noble metal is deposited only at the point at which a corresponding production of a thin film is also desired. The disadvantages described in the prior art regarding the precipitation of material outside the substrate thus do not occur in the method according to the invention, which also contributes to the reduction of material consumption and thus to a cost saving in the production of the sensors.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Edelmetall-Dünnschicht anfänglich mit einer bestimmten, erwünschten Dicke erzeugt und nachfolgend, sofern erwünscht, strukturiert, um beispielsweise eine mäanderförmige Widerstandsschicht für einen Temperatursensor bereitzustellen. Diese Widerstandsschicht kann anschließend auf übliche Art und Weise mit Anschlussdrähten kontaktiert werden. Alternativ können die Anschlussflächen der Widerstandsbahn an gegenüberliegenden Enden des Substrats vorgesehen sein, falls der Temperatursensor vom SMD-Typ ist. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, die Grundbeschichtung anfänglich bereits entsprechend der erwünschten Widerstandsschichtform, z. B. mäanderförmig, zu strukturieren, so dass sich im nachfolgenden galvanischen Verstärkungsprozess das Edelmetall nur auf der strukturierten Edelmetall-Grundbeschichtung abscheidet, so dass die späteren Strukturierungsprozesse entfallen können. Um eine gleichmäßige Stromdichte während des galvanischen Verstärkungsprozesses zu gewährleisten, kann vorgesehen sein, die strukturierte Grundbeschichtung an mehreren Anschlusspunkten mit einer Stromquelle zu verbinden.According to an embodiment of the invention, the noble metal thin film is initially formed to a certain desired thickness and subsequently patterned, if desired, to provide, for example, a meandering resistive layer for a temperature sensor. This resistance layer can then be contacted in the usual way with connecting wires. Alternatively, the pads of the resistor track may be provided at opposite ends of the substrate if the temperature sensor is of the SMD type. In another embodiment, it is provided that the base coat initially already according to the desired resistance layer form, for. B. meandering, structure, so that in the subsequent galvanic amplification process, the precious metal is deposited only on the structured noble metal base coating, so that the subsequent patterning processes can be omitted. In order to ensure a uniform current density during the galvanic amplification process, it may be provided to connect the structured base coating to a power source at several connection points.

Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist vorgesehen, die Dicke während der galvanischen Verstärkung zu überwachen, so dass bei Erreichen einer vorbestimmten Dicke, beispielsweise einer Dicke zwischen 0,4 und 0,6 μm der galvanische Prozess unterbrochen wird, und eine Zwischentemperaturbehandlung durchgeführt wird, um innere Spannungen in den galvanisch abgeschiedenen Schichten zu reduzieren.According to a further exemplary embodiment of the invention, it is provided to monitor the thickness during the galvanic reinforcement, so that, when a predetermined thickness, for example a thickness between 0.4 and 0.6 μm, is reached, the galvanic process is interrupted and an intermediate temperature treatment is carried out. to reduce internal stresses in the electrodeposited layers.

Bei wiederum einem anderen Ausführungsbeispiel kann es statt der Erzeugung hochreiner Edelmetall-Schichten erwünscht sein, dotierte Edelmetall-Schichten zu erzeugen. Dies kann durch entsprechende Dotierung mit anderen Metallen, vorzugsweise aus derselben chemischen Gruppe, aus der das Edelmetall stammt, erreicht werden. In diesem Fall kann entweder eine Dotierung der Grundbeschichtung erfolgen und/oder der verwendete Elektrolyt kann entsprechend der erwünschten Dotierung modifiziert sein. Eine solche Vorgehensweise ist beispielsweise erwünscht, wenn ein Temperaturkoeffizient des herzustellenden Temperaturmessfühlers einen vorgegebenen, beispielsweise niedrigeren Wert aufweisen soll als ein Temperaturmessfühler aus einem reinen Edelmetall.In yet another embodiment, rather than producing high purity noble metal layers, it may be desirable to produce doped noble metal layers. This can be achieved by appropriate doping with other metals, preferably from the same chemical group from which the noble metal originates. In this case, either a doping of the base coating can take place and / or the electrolyte used can be modified according to the desired doping. Such a procedure is desirable, for example, if a temperature coefficient of the temperature sensor to be produced should have a predetermined, for example, lower value than a temperature sensor made of a pure noble metal.

Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.Further embodiments of the present invention are defined in the subclaims.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention are explained below with reference to the accompanying drawings. Show it:

1 ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Aufbringen eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat; 1 a flow diagram of an embodiment of the inventive method for applying a noble metal thin film on a substrate;

2 ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels der Erfindung zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers; 2 a flow chart of an embodiment of the invention for producing a temperature sensor;

3(a) eine Querschnittdarstellung eines herkömmlichen Temperaturmessfühlers; und 3 (a) a cross-sectional view of a conventional temperature sensor; and

3(b) eine Draufsichtdarstellung des Temperaturmessfühlers aus 3(a). 3 (b) a top view of the temperature sensor 3 (a) ,

Anhand der 1 wird nachfolgend ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Aufbringen eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat näher beschrieben. Das anhand der 1 beschriebene Ausführungsbeispiel betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines Platin-Dünnfilms auf ein Keramiksubstrat, beispielsweise ein Al₂O₃-Substrat. Die Platinschicht wird in einer elektrolytischen Lösung galvanisch auf das Keramiksubstrat abgeschieden, wobei die Abscheidung des Platins nur auf einem leitfähigen Untergrund erfolgen kann, so dass im Schritt S102 zunächst an den zu beschichtenden Flächen auf dem Al₂O₃-Substrat eine dünne, leitfähige Grundbeschichtung mit einer Dicke zwischen 0,05 μm und 0,1 μm durch Aufdampfen aufgebracht wird. Alternativ kann die Grundbeschichtung auch aufgesputtert oder kostengünstig unter Verwendung einer Resinatpaste im Siebdruckverfahren aufgebracht werden. Die Grundbeschichtung muss im Hinblick auf die Reinheit die gleichen Erfordernisse erfüllen, wie die nachfolgend verwendete Elektrolytlösung für die galvanische Verstärkung. Anders als bei herkömmlichen Vorgehensweisen in der Galvanotechnik, z. B. im Apparatebau oder bei der Erzeugung dekorativer Muster, kann eine übliche Grundbeschichtung aus Gold oder Silber nicht verwendet werden. Um die erforderlichen Eigenschaften der herzustellenden Temperatursensoren zu erreichen, ist darauf zu achten, dass in der Elektrolytlösung und auch in der Grundbeschichtung keine metallischen Verunreinigungen enthalten sind, die später in den erzeugten Platinfilm gelangen könnten und dort zu einer entsprechenden Beeinträchtigung der geforderten Eigenschaften, beispielsweise des Temperaturkoeffizienten, führen würden.Based on 1 An exemplary embodiment of the method according to the invention for applying a noble metal thin film to a substrate is described in more detail below. That on the basis of 1 embodiment described relates to a method for applying a platinum thin film on a ceramic substrate such as an Al ₂ O ₃ substrate. The platinum layer is electrodeposited onto the ceramic substrate in an electrolytic solution, it being possible for the deposition of the platinum to take place only on a conductive substrate, so that in step S102 first a thin, conductive base coating is applied to the surfaces to be coated on the Al ₂ O ₃ substrate with a thickness between 0.05 .mu.m and 0.1 .mu.m is applied by vapor deposition. Alternatively, the basecoat may also be sputtered or screen printed inexpensively using a resinate paste. The base coat must meet the same requirements in terms of cleanliness as the electrolytic reinforcement electrolytic solution used below. Unlike conventional approaches in electroplating, z. B. In apparatus construction or in the production of decorative patterns, a common base coat of gold or silver can not be used. In order to achieve the required properties of the temperature sensors to be manufactured, care must be taken that no metallic impurities are present in the electrolyte solution and also in the base coating, which could later get into the platinum film produced and there to a corresponding impairment of the required properties, such as Temperature coefficients would result.

Nach dem Aufdampfen der Platin-Grundbeschichtung erfolgt im Schritt S104 ein Kontaktieren dieser Grundbeschichtung mit einer Stromquelle und im Schritt S106 wird das Substrat mit der darauf aufgebrachten kontaktierten Platin-Grundbeschichtung in eine Platin-Elektrolytlösung eingebracht. Gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung enthalten die Platin-Elektrolyte das Platin in Form von stabilen, jedoch sehr unterschiedlichen Komplexen, beispielsweise in Form von sauren Elektrolyten, z. B. Hexachloroplatin(IV)-säure H₂PtCl₆·6H₂O oder Platin(IV)chlorid PtCl₄·5H₂O, oder in Form von alkalischen Elektrolyten, z. B. Diammino-dinitrito-platin(II) Pt(NH₃)₂(NO₂)₂ oder Tetrammino-platin(II)-sulfat Pt(NH₃)₄SO₄.After the platinum base coat has been vapor-deposited, this base coat is contacted with a power source in step S104, and in step S106, the substrate with the platinum base plated thereon is introduced into a platinum electrolyte solution. According to embodiments of the invention, the platinum electrolytes contain the platinum in the form of stable, but very different complexes, for example in the form of acidic electrolytes, for. B. Hexachloroplatin (IV) acid H ₂ PtCl ₆ · 6H ₂ O or platinum (IV) chloride PtCl ₄ · 5H ₂ O, or in the form of alkaline electrolytes, eg. B. Diammino dinitrito-platinum (II) Pt (NH ₃ ) ₂ (NO ₂ ) ₂ or tetrammino-platinum (II) sulfate Pt (NH ₃ ) ₄ SO ₄ .

Die Abscheidung des Platins auf das Substrat bzw. auf die Grundbeschichtung auf dem Substrat erfolgt durch das Anlegen einer äußeren Stromquelle an die Kathode (Minuspol) entsprechend den üblichen Gesetzen der elektrolytischen Metallabscheidung. Gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung sind die Beschichtungsparameter z. B. wie folgt einzustellen, um die erforderlichen Ergebnisse, also einen Platindünnfilm mit den erforderlichen Eigenschaften für die Herstellung von Platinsensoren entsprechend der DIN-Norm einzuhalten: Elektrolyt: H₂PtCl₆·6H₂O Pt(NH₃)₄SO₄ Elektrolytkonzentration: 15–25 g/l 6 g/l Temperatur: 45–70°C 91–93°C Stromdichte: 2,5–3,5 A/dm² 0,5–1 A/dm² pH-Wert Salzsäure-Lösung (Salzsäure 10–390 ml/l; Gehalt bestimmt die Abscheidegeschwindigkeit 10,2–10,6 (alkalisch) The deposition of the platinum on the substrate or on the base coating on the substrate by applying an external power source to the cathode (negative pole) according to the usual laws of the electrolytic metal deposition. According to embodiments of the invention, the coating parameters z. B. to adjust as follows to meet the required results, ie a platinum-thin film with the required properties for the production of platinum sensors according to the DIN standard: Electrolyte: H ₂ PtCl ₆ .6H ₂ O Pt (NH _{3) 4} SO ₄ Electrolyte concentration: 15-25 g / l 6 g / l Temperature: 45-70 ° C 91-93 ° C Current density: 2.5-3.5 A / dm ² 0.5-1 A / dm ² PH value Hydrochloric acid solution (hydrochloric acid 10-390 ml / l; content determines the deposition rate 10.2-10.6 (alkaline)

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Schritt S108 während des Aufwachsens bzw. Verstärkens der Grundbeschichtung die Dicke der aufgewachsenen Platin-Dünnschicht überwacht. Wird im Schritt S110 festgestellt, dass die Platin-Dünnschichtdicke etwa 0,5 μm beträgt, so erfolgt im Schritt S112 eine Zwischentemperaturbehandlung. Grund für die im Schritt S112 durchgeführte Zwischentemperaturbehandlung ist die Tatsache, dass bei den aus den Platin-Elektrolytlösungen abgeschiedenen Schichten (insbesondere bei den aus den stark sauren Platin-Elektrolytlösungen abgeschiedenen Schichten) hohe innere Spannungen auftreten können, die die Haftung auf dem Substrat vermindern und sogar zu einem Abplatzen der Platinschicht oder zu Rissen in der Platinschicht führen können. Daher wird bei Erreichen von Schichtdicken von mehr als ca. 0,5 μm die im Schritt S112 gezeigte Zwischentemperaturbehandlung bei einer Temperatur zwischen 600°C und 900°C für eine Zeitdauer von etwa 10 Minuten bis 60 Minuten, vorzugsweise 30 Minuten, durchgeführt, um diese inneren Spannungen abzubauen. Anschließend kehrt das Verfahren zum Schritt S108 zurück und die galvanische Beschichtung wird fortgesetzt, bis die gewünschte Gesamtschichtdicke erreicht ist. An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass der Schritt S112 wiederholt wird, falls die nach dem ersten Zwischentemperaturbehandlungsschritt zusätzlich aufgewachsene Schichtdicke wiederum 0,5 μm erreicht hat. Die Schritte S108 bis S112 werden wiederholt, bis im Schritt S114 festgestellt wird, dass die erwünschte Gesamtdicke, z. B. ca. 1 μm, erreicht ist. Nachfolgend zum Erreichen der Gesamtdicke wird im Schritt S116 eine abschließende Temperaturbehandlung durchgeführt. Die im Schritt S116 durchgeführte Temperaturbehandlung erfolgt bei einer Temperatur zwischen 1100°C und 1400°C für eine Zeitdauer von etwa 0,5 Stunden bis 3 Stunden und ist erforderlich, um eine notwendige Stabilität sowie die vorgeschriebenen Temperaturkoeffizienten, z. B. 3850 ppm/°C für die DIN-Kennlinie der herzustellenden Temperatursensoren zu gewährleisten.According to an embodiment of the invention, in step S108, during the growth of the base coat, the thickness of the grown platinum thin film is monitored. If it is determined in step S110 that the platinum thin-film thickness is about 0.5 μm, an intermediate temperature treatment is carried out in step S112. The reason for the intermediate temperature treatment carried out in step S112 is the fact that high internal stresses can occur in the layers deposited from the platinum electrolyte solutions (in particular in the layers deposited from the strongly acidic platinum electrolyte solutions), which reduce the adhesion to the substrate and may even lead to a flaking of the platinum layer or to cracks in the platinum layer. Therefore, when layer thicknesses greater than about 0.5 μm are achieved, the intermediate temperature treatment shown in step S112 is performed at a temperature between 600 ° C and 900 ° C for a period of about 10 minutes to 60 minutes, preferably 30 minutes to reduce these internal tensions. Thereafter, the process returns to step S108 and the electroplating is continued until the desired total layer thickness is reached. At this point, it should be noted that step S112 is repeated if the layer thickness additionally grown after the first intermediate temperature treatment step has again reached 0.5 μm. Steps S108 to S112 are repeated until it is determined in step S114 that the desired total thickness, e.g. B. about 1 micron, is reached. Subsequent to achieving the total thickness, a final temperature treatment is performed in step S116. The temperature treatment performed in step S116 is carried out at a temperature between 1100 ° C and 1400 ° C for a period of about 0.5 hours to 3 hours, and is required to provide necessary stability as well as the prescribed temperature coefficients, e.g. B. 3850 ppm / ° C for the DIN characteristic of the temperature sensors to be produced.

Nachdem die Dünnschicht aus Platin gemäß den anhand der 1 beschriebenen Schritten hergestellt wurde, kann gemäß einem Ausführungsbeispiel vorgesehen sein, den so erzeugten Dünnfilm für die Herstellung eines Temperaturmessfühlers, beispielsweise eines Platintemperatursensors, zu verwenden. Die weiteren Schritte zur Herstellung eines solchen Platintemperatursensors sind anhand der 2 erläutert. Ausgehend vom Schritt S116 wird der erzeugte Dünnfilm im Schritt S118 strukturiert, um eine mäanderförmige Widerstandsschicht zu erhalten. An dieser mäanderförmigen Widerstandsschicht werden im Schritt S120 Anschlussdrähte befestigt. Anschließend erfolgt die Aufbringung der anhand der 3 erläuterten Schutzschicht und der Fixierungsglasur im Schritt S122, an den sich der Schritt S124 anschließt, in dem die Schutzschicht und die Fixierungsglasur eingebrannt werden.After the thin layer of platinum in accordance with the 1 According to one embodiment, it may be provided to use the thin film thus produced for the production of a temperature sensor, for example a platinum temperature sensor. The further steps for producing such a platinum temperature sensor are based on 2 explained. Starting from step S116, the generated thin film is patterned in step S118 to obtain a meandering resistive layer. Connection wires are attached to this meander-shaped resistance layer in step S120. Subsequently, the application is based on the 3 illustrated protective layer and the fixing glaze in step S122, followed by the step S124, in which the protective layer and the fixing glaze are baked.

Alternativ zu dem anhand der 2 beschriebenen Prozess kann auch vorgesehen sein, Platintemperatursensoren vom SMD-Typ (SMD = Surface Mountable Device = Oberflächen-befestigbares Element) herzustellen. In diesem Fall werden keine Anschlussdrähte verwendet, sondern vielmehr umfasst das Substrat, auf dem die mäanderförmige Widerstandsschicht gebildet ist, Anschlussflächen, beispielsweise an gegenüberliegenden Enden des Substrats, mit denen die entsprechenden Enden der Widerstandsschicht verbunden sind. Beim Auflöten eines solchen Sensors erfolgt dann die Kontaktierung über die externen, seitlichen Anschlussflächen.Alternatively to that on the basis of 2 The process described can also be provided to produce SMD (SMD) surface mountable device (SMD) type surface temperature sensors. In this case, no leads are used, but rather, the substrate on which the meandering resistive layer is formed includes pads, for example at opposite ends of the substrate to which the respective ends of the resistive layer are connected. When soldering such a sensor then the contacting takes place via the external, lateral connection surfaces.

Die vorliegende Erfindung wurde oben unter Zugrundelegung eines Ausführungsbeispiels beschrieben, bei dem eine Strukturierung des Dünnfilms erst nach dem Erzeugen desselben erfolgt. Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel kann vorgesehen sein, die Grundbeschichtung, welche beispielsweise aus einer 0,1 μm dünnen Platinschicht besteht, vor deren galvanischer Verstärkung zu strukturieren, d. h. mittels bekannter Photoresist- und Plasmaätztechnologien kann bereits ein Widerstandsmäander in der Grundbeschichtung erzeugt werden, so dass anschließend nur die strukturierten Platinfilmbahnen der Grundbeschichtung auf die gewünschte Schichtdicke galvanisch verstärkt werden. Der Vorteil dieser Vorgehensweise besteht darin, dass zusätzlich Platinmaterial eingespart werden kann, und ferner kann auch die Herstellungszeit reduziert werden, da kürzere Ätzzeiten erforderlich sind, da zu diesem Zeitpunkt der Platinfilm nur eine geringe Dicke, nämlich die Dicke der Grundbeschichtung aufweist, so dass ein Ätzen der Schichten deutlich schneller erfolgt, als ein Ätzen der Gesamtschicht. Um eine gleichmäßige Stromdichte während der galvanischen Abscheidung sicherzustellen, kann vorgesehen sein, die strukturierte Metallisierung an mehreren Stellen mit der Stromquelle zu verbinden.The present invention has been described above with reference to an embodiment in which structuring of the thin film is performed only after the formation thereof. In an alternative embodiment, it may be provided to pattern the base coat, which consists for example of a 0.1 micron thin platinum layer, before its galvanic reinforcement, i. H. By means of known photoresist and plasma etching technologies, a resistance meander can already be produced in the basecoat so that subsequently only the structured platinum film webs of the basecoat are galvanically reinforced to the desired layer thickness. The advantage of this approach is that in addition platinum material can be saved, and also the manufacturing time can be reduced because shorter etching times are required because at this time the platinum film has only a small thickness, namely the thickness of the base coat, so that Etching the layers is much faster than etching the entire layer. In order to ensure a uniform current density during the electrodeposition, provision may be made for the structured metallization to be connected to the power source at several points.

Bei anderen Ausführungsbeispielen kann erwünscht sein, den Temperaturkoeffizienten auf einen anderen Wert als den DIN-Wert einzustellen, beispielsweise auf einen niedrigeren Wert. Dies kann dadurch erreicht werden, dass die Platinschichten gezielt mit anderen Metallen der Platingruppe, z. B. mit Rhodium, dotiert werden, um entsprechend dotierte Platinschichten herzustellen. Dies kann dadurch erreicht werden, dass eine bereits dotierte Grundbeschichtung verwendet wird, so dass sich beim Aufwachsen und der späteren Temperaturbehandlung eine Verteilung der Dotierstoffe im Gesamtdünnfilm einstellt. Alternativ oder zusätzlich zur dotierten Grundbeschichtung kann ferner ein modifizierter Elektrolyt verwendet werden, welches die erwünschten Dotierstoffe in einer entsprechenden Dosierung enthält.In other embodiments, it may be desirable to set the temperature coefficient to a value other than the DIN value, for example to a lower value. This can be achieved by targeting the platinum layers selectively with other platinum group metals, e.g. With rhodium, to produce appropriately doped platinum layers. This can be achieved by using an already doped base coating, so that a distribution of the dopants in the overall thin film is established during growth and subsequent temperature treatment. Alternatively, or in addition to the doped basecoat, a modified electrolyte may also be used which contains the desired dopants in an appropriate dosage.

Die Ausführungsbeispiele der Erfindung wurden basierend auf Platin-Dünnschichten beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt. Alternativ können die Dünnschichten auch aus Rhodium, Iridium oder anderen Edelmetallen hergestellt werden, wobei die jeweiligen Prozessparameter (Elektrolyt, Temperatur, etc.) entsprechend anzupassen sind.The embodiments of the invention have been described based on platinum thin films, but the present invention is not limited thereto. Alternatively, the thin films can also be made of rhodium, iridium or other precious metals, with the respective process parameters (electrolyte, temperature, etc.) being adapted accordingly.

Ferner wurde das Ausführungsbeispiel basierend auf einem Al₂O₃-Keramiksubstrat beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt. Alternativ können auch andere Keramiksubstrate, beispielsweise ein Bariumtitanat-Keramiksubstrat oder auch Glassubstrat oder ein passives Stahlsubstrat verwendet werden.Further, the embodiment based on an Al ₂ O ₃ ceramic substrate has been described, but the present invention is not limited thereto. Alternatively, other ceramic substrates such as a barium titanate ceramic substrate or even a glass substrate or a passive steel substrate may be used.

Claims (16)

Verfahren zum Aufbringen einer Widerstandsschicht in Form eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat, wobei die Gesamtdicke des erzeugten Dünnfilms zwischen 0,5 μm und 1,5 μm liegt, mit folgenden aufeinander abfolgenden Schritten: a) Erzeugen (S102) einer leitfähigen Grundbeschichtung aus einem Edelmetall auf einem Substrat (100); b) Verstärken (S104, S106) der Grundbeschichtung auf eine gewünschte Gesamtdicke des Dünnfilms durch galvanisches Abscheiden des Edelmetalls auf der Grundbeschichtung; und c) Durchführen (S116) einer Temperaturbehandlung des erzeugten Dünnfilms für eine Zeitdauer von 30 Minuten bis 180 Minuten bei einer Temperatur zwischen 1100°C und 1400°C.A method for applying a resist layer in the form of a noble metal thin film to a substrate, wherein the total thickness of the thin film produced is between 0.5 μm and 1.5 μm, with the following sequential steps: a) producing (S102) a conductive base coat of one Precious metal on a substrate ( 100 ); b) reinforcing (S104, S106) the base coat to a desired total thickness of the thin film by electrodepositing the noble metal on the base coat; and c) performing (S116) a temperature treatment of the produced thin film for a period of 30 minutes to 180 minutes at a temperature between 1100 ° C and 1400 ° C. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Grundbeschichtung im Schritt (a) durch Aufdampfen, Sputtern oder Siebdruck erzeugt wird.The method of claim 1, wherein the basecoat in step (a) is formed by vapor deposition, sputtering or screen printing. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Grundbeschichtung eine Dicke zwischen 0,05 μm und 0,1 μm hat.A method according to claim 1 or 2, wherein the base coat has a thickness of between 0.05 μm and 0.1 μm. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Schritt (b) folgende Schritte umfasst: (b.1) Verstärken der Schicht, bis eine vorbestimmte Dicke des Edelmetalls vorliegt (S108, S110); und (b.2) Durchführen (S112) einer Zwischentemperaturbehandlung. The method of any of claims 1 to 3, wherein step (b) comprises the steps of: (b.1) reinforcing the layer until a predetermined thickness of the noble metal is present (S108, S110); and (b.2) performing (S112) an intermediate temperature treatment. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Schritte (b.1) und (b.2) bis zum Erreichen der Gesamtdicke wiederholt werden.Method according to Claim 4, in which steps (b.1) and (b.2) are repeated until the total thickness is reached. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, bei dem die vorbestimmte Dicke zwischen 0,4 μm und 0,6 μm ist, und bei dem die Zwischentemperaturbehandlung für eine Zeitdauer von 10 Minuten bis 60 Minuten bei einer Temperatur zwischen 600°C und 900°C durchgeführt wird.A method according to claim 4 or 5, wherein the predetermined thickness is between 0.4 μm and 0.6 μm, and wherein the intermediate temperature treatment is performed for a period of 10 minutes to 60 minutes at a temperature between 600 ° C and 900 ° C becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Dünnfilm ein dotierter Dünnfilm ist, wobei im Schritt (a) eine dotierte Grundbeschichtung erzeugt wird, und/oder wobei im Schritt (b) ein entsprechend der erwünschten Dotierung des Dünnfilms ein modifizierter Edelmetallelektrolyt verwendet wird.Method according to one of claims 1 to 6, wherein the thin film is a doped thin film, wherein in step (a) a doped base coat is produced, and or wherein in step (b) a modified noble metal electrolyte is used according to the desired doping of the thin film. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem das Edelmetall Platin umfasst, wobei der Dotierstoff aus der chemischen Gruppe ausgewählt ist, die Platin enthält.The method of claim 7, wherein the noble metal comprises platinum, wherein the dopant is selected from the group consisting of platinum. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der Dotierstoff Rhodium umfasst.The method of claim 8, wherein the dopant comprises rhodium. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Edelmetall Platin umfasst, wobei im Schritt (b) ein Platinelektrolyt verwendet wird, der aus der Gruppe ausgewählt ist, die saure Elektrolyte, z. B. Hexachloroplatin(IV)-säure H₂PtCl₆·6H₂O oder Platin(IV)chlorid PtCl₄·5H₂O, oder alkalische Elektrolyte, z. B. Diammino-dinitrito-platin(II) Pt(NH₃)₂(NO₂)₂ oder Tetrammino-platin(II)-sulfat Pt(NH₃)₄SO₄, umfasst.The method of any one of claims 1 to 9, wherein the noble metal comprises platinum, wherein in step (b) a platinum electrolyte selected from the group consisting of acidic electrolytes, e.g. B. Hexachloroplatinic acid H ₂ PtCl ₆ .6H ₂ O or platinum (IV) chloride PtCl ₄ .5H ₂ O, or alkaline electrolytes, e.g. Diammino-dinitrito-platinum (II) Pt (NH ₃ ) ₂ (NO ₂ ) ₂ or tetrammino-platinum (II) sulfate Pt (NH ₃ ) ₄ SO ₄ . Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem das Substrat ein Keramiksubstrat oder ein Glassubstrat umfasst.The method of any one of claims 1 to 10, wherein the substrate comprises a ceramic substrate or a glass substrate. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Keramiksubstrat aus der Gruppe ausgewählt ist, die ein Al₂O₃-Substrat und ein Bariumtitanat-Keramiksubstrat umfasst.The method of claim 11, wherein the ceramic substrate is selected from the group consisting of an Al ₂ O ₃ substrate and a barium titanate ceramic substrate. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, mit folgendem Schritt: (d) Strukturieren des Dünnfilms.The method of any one of claims 1 to 12, comprising the step of: (d) patterning the thin film. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem im Schritt (a) eine strukturierte Grundbeschichtung erzeugt wird.Method according to one of claims 1 to 12, wherein in step (a) a structured base coating is produced. Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers, mit folgenden Schritten: Erzeugen einer Widerstandsschicht nach einem der Ansprüche 1 bis 14; und Verbinden der Widerstandsschicht mit Anschlusselementen.Method for producing a temperature sensor, comprising the following steps: Producing a resistance layer according to any one of claims 1 to 14; and Connecting the resistance layer with connection elements. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem die Anschlusselemente Anschlussdrähte, die an der Widerstandsschicht befestigt werden, oder an dem Substrat angeordnete externe Elektroden, mit denen die Widerstandsschicht verbunden ist, umfassen.The method of claim 15, wherein the terminal elements comprise leads attached to the resistive layer or external electrodes disposed on the substrate to which the resistive layer is connected.

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