DE102008029829B4 - Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102008029829B4
DE102008029829B4 DE102008029829A DE102008029829A DE102008029829B4 DE 102008029829 B4 DE102008029829 B4 DE 102008029829B4 DE 102008029829 A DE102008029829 A DE 102008029829A DE 102008029829 A DE102008029829 A DE 102008029829A DE 102008029829 B4 DE102008029829 B4 DE 102008029829B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
molding compound
substrate
semiconductor
semiconductor module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102008029829A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008029829A1 (de
Inventor
Prof. Dr. Eisele Ronald
Mathias Kock
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Danfoss Silicon Power GmbH
Original Assignee
Danfoss Silicon Power GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Danfoss Silicon Power GmbH filed Critical Danfoss Silicon Power GmbH
Priority to DE102008029829A priority Critical patent/DE102008029829B4/de
Priority to CN2009101398922A priority patent/CN101615601B/zh
Publication of DE102008029829A1 publication Critical patent/DE102008029829A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008029829B4 publication Critical patent/DE102008029829B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Abstract

Vertikal nach oben kontaktierendes Halbleitermodul mit einem Schaltungsträger, der ein Substrat mit Kupferleiterbahnen (12) aufweist, einen auf dem Substrat angeordneten Halbleiter und elektrische Kontakte ohne Gewinde, wobei die Kontakte ausgehend von der Kupferleiterbahn (12) als nach oben entgegen der unter der Kupferleiterbahn liegenden Substratseite gerichtete leitfähige Kontaktkörper (16) ausgebildet sind, wobei die Kontaktkörper (16) wenigstens mit Teilbereichen in einer den Halbleiter umgebenden, gespritzten Umhüllungs-Moldmasse (40) befinden und wobei die Kontaktkörper (16) als federnde Metallzungen ausgebildet sind, mit einer eckigen, Omega-förmigen Form mit zwei durch Verbindungstechniken auf der Kupferleiterbahn (12) des Schaltungsträgers befestigten Füßen (18) und zwei Beinen (20), die zusätzlich durch einen definierten Knick (22) besser einfedern können und einem oberen, die beiden Beine verbindenden, nach außen planen, mit der Moldmasse (40) oberflächenbündigen Bereich (24) zum Kontaktieren mit einem Kontaktelement.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein vertikal nach oben kontaktierendes Halbleitermodul nach dem Oberbegriff des Hauptanspruches und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • Im Stand der Technik sind gelötete DCBs (direct copper bonds) mit Stanzgitter bekannt, die mit einem Überzug vergossen (gemoldet) sind und die mit Anschlüssen seitlich am Bauteil (engl. Package, bestehend aus dem Halbleiter, einem ihn tragenden Schaltungsträger [engl. leadframe] und seinem gemoldeten Verguß) versehen sind.
  • Elektrische Anschlüsse des Schaltungsträgers sind zum Teil aus dem Zentrum der Schaltung an den Rand geführt.
  • Zur Erzielung von hoher elektrischer Isolation zwischen den potentialtragenden Komponenten (Bondrähten, Halbleitern und Leiterbahnen) und zur Erreichung sehr hoher mechanischer Festigkeit bzw. Robustheit gibt es diese Produkte, bei denen die Baugruppe mit einem duroplastischen Kunststoff umhüllt ist.
  • Diese Fertigungstechnik besteht aus dem volumenmäßig vollständigen Ausfüllen des Modulkörpers durch Formpressen (Transfer Molding) mit einem duroplastischen harten, glasartigen Polymerwerkstoff (z. B. Henkel Loctite Hysol®). Dies geschieht mit einzelnen Halbleiterbauelementen (z. B. in TO 220-Gehäuseformen der Fa. ST-Microelectronics IRF-540) und mit Transistorgruppen, wie in der US 2005/0067719 A1 dargestellt.
  • Einige Produkte umhüllen neben der Substratbaugruppe auch eine montierte Wärmesenkenplatte z. B. DIP-IPM der Fa. Mitsubishi („A New Version Intelligent Power Module for High Performance Motor Control”; M. Iwasaki et. al.; Power Semiconductor Device Division, Mitsubishi, Japan) [dabei steht DIP für ,dual in line package' und IPM für Intelligentes Power-Modul].
  • Die häufigsten Bauformen derartiger Baugruppen sind die Single- und Dual-Inline-Packages (SIP und DIP) z. B. Mitsubishi DIP-IPM PS20341-G als DIP oder Mitsubishi SIP-IPM PS-21661 als SIP.
  • Die übliche Herstelltechnik besteht darin, einen Hohlraum zwischen zwei Werkzeughälften mit Duroplast zu füllen. Zwischen den Werkzeughälften wird typischerweise ein Stanzgitter bestehend aus Leiterbahn und Kontakten eingelegt. Dieses Stanzgitter dient zur internen Verbindung und zur Herausführung äußerer Kontakte. Die Halbleiter sind hierbei entweder auf einem elektrisch isolierten Schaltungsträger (DCB, IMS oder PCB) oder auf einem unisiolierten Stanzgitter platziert.
  • So ist zum Beispiel aus der US 4 538 168 A ein mit Moldmasse vergossenes Metallprofil bekannt das die Moldmasse über Ankerelemente an den Wänden anliegend hält.
  • Nachteilig in diesem Stand der Technik ist, dass zur Erhöhung der erzielbaren Leistung häufig mehrere SIP/DIP-Leistungsbaugruppen parallel geschaltet werden. Bei Anwendungen mit einer oder mehreren elektrischen Phasen sollten diese parallel geschalteten SIP/DIP-Baugruppen in unmittelbarer räumlicher Nähe von einander angeordnet werden. Durch seitlich heraustretende Kontakte in Form von Stanzgitterkontakten besteht dann ein zusätzlicher Platzbedarf rund um den Modulkörper.
  • Bei parallel geschalteten Baugruppen werden diese im allgemeinen durch Schweißen oder Schrauben mit verbindenden Leiterstreifen, sog. Verschienungen, verbunden. Diese Verbindungstechnik nimmt weiteren Platz in der Ebene der Modulkörper ein. Beides führt zu verhältnismäßig langen Leiterführungen, insbesondere der Hochstromzuführung und Hochstromabfuhr. Lange, geometrisch komplex geführte Verschienungen der parallel geschalteten Module aber führen ihrerseits zu parasitären Induktivitäten, die sich nachteilig auf die Dimensionierung der Halbleiter und die erzielbare Schaltfrequenz auswirken.
  • Im Stand der Technik ist also eine kompakte, seitliche Aneinanderreihung nicht möglich wegen des Platzbedarfs der Anschlüsse seitlich aus dem Package. Weiterer Platzbedarf für Leiterbahnen aus dem Zentrum des Package zum Rand zu den Stanzgittern hin bedeutet, dass keine Kontaktierung in diesen Bereichen möglich ist, und dass hohe parasitäre Induktivitäten, auch die Kreuzung von Montageelementen mit elektrischen Kontakten, als Probleme bestehen.
  • Weiter sind die DE 10 2006 051 454 A1 und die JP 09 283 681 A zu nennen, die jeweils senkrecht aus der Ebene einer Grundplatte herausragende Anschlüsse offenbaren, wobei in der zweitgenannten Schrift ein aufwändiges Verschließen der Öffnungen mit Blindstutzen beim Verguss vorgeschlagen wird.
  • Die Erfindung hat sich daher zur Aufgabe gestellt, ein Modul zu schaffen, das nach dem Molden direkt kontaktierbare, moldmassefreie elektrische Anschlüsse bietet.
  • Erfindungsgemäß wird dies durch die Merkmale des Hauptanspruches gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausführungen der Erfindung und ein Verfahren zum Herstellen dieser Module wieder.
  • Erfindungsgemäß wird ein nach oben kontaktierendes Halbleitermodul mit einem Schaltungsträger, der ein Substrat aufweist, einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiter und elektrischen Kontakten vorgeschlagen, bei dem die Kontakte als nach oben gerichtete leitfähige Kontaktkörper nach den Merkmalen des Hauptanspruchs ausgebildet sind. Die Richtung „oben” ist die, die der Substratseite entgegengerichtet ist.
  • Insbesondere sollen die Kontaktkörper als federnde Metallzungen mit einem Biegebereich versehen sein, der dazu genutzt wird, dass die Metallzungen beim Transfermolden an die Innenseiten eines Werkzeuges einfedern und so in Kontakt mit der Innenseite bündig abschließen, daß kein isolierendes Moldmaterial die Kontaktierung verhindert. Dies bewirkt, dass die Metallzungen in einer Moldmasse eingebettet am Ende deutlich fester sind und eine Oberseite der Kontaktkörper oberflächenbündig mit der Moldmassenoberseite abschliesst.
  • Dabei können weiter bevorzugt die Kontaktkörper an ihrem oberen Ende ein Steckeraufnahme-Sackloch aufweisen, das von Moldmasse frei ist (die Sacklöcher bleiben während des Moldens durch Kontakt der Ränder mit dem Werkzeug frei von Moldmasse, oder durch Platzhalter, die entfernt werden).
  • Es kann aber auch die Moldmasse benachbart des oberen Endes der Kontaktkörper einen Freiraum ausbilden, indem ein Platzhalterkörper vorgesehen wird. Dieser Freiraum in der Moldmasse kann die Dimensionen eines rechteckigen, eine Reihe benachbarter Kontaktkörper kontaktierenden Steckers erhalten.
  • Das erfindungsgemäße Halbleitermodul kann sowohl elastisch federnde Kontaktkörper bis zur Moldmassen-Oberseite, wie auch bis zum Schaltungsträger herabreichende Aussparungen der Moldmasse auf der Oberseite des Halbleitermoduls aufweisen.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines mit Moldmasse versehenen Halbleitermoduls besteht darin, dass während des Moldspritzen der Moldmasse in einen Raum oberhalb des Schaltungsträgers Kontaktflächen der Kontaktkörper federnd an dem Oberwerkzeug zur Vermeidung der Bedeckung der Kontaktkörper-Kontaktflächen mit isolierender Moldmasse anliegen.
  • Dabei kann in einer Variante zur Beherbergung eines Steckerkörpers während des Moldspritzen der Moldmasse in einen Raum oberhalb des Schaltungsträgers (zwischen Schaltungsträger und Oberwerkzeug), anliegend an wenigstens das Oberwerkzeug, ein Opferkörper aus Teflon oder dispensierfähigem Silikon eingesetzt werden.
  • Dieser Opferkörper kann auch während des Moldspritzen der Moldmasse in einen Raum oberhalb des Schaltungsträgers abnehmbar einen oder eine Mehrzahl von Kontaktkörpern umgeben und nach dem Molden entfernt werden.
  • Die erforderlichen Kontakte eines Leistungsmoduls, hergestellt in der Umhüllungstechnik, sind auf der Oberseite des Modulkörpers angeordnet oder zumindest mit von oben zugänglichen Flächen aufgebaut. Die Oberseite des Modulkörpers ist die der Substratseite gegenüberliegende Fläche des Leistungsmoduls. Dabei gibt es kein klassisches Stanzgitter mehr, das zum Beispiel in der Werkzeugtrennebene Kontakte erzeugt.
  • Die Kontakte werden durch Kontaktkörper, die sich auf dem Schaltungsträger befinden, bewerkstelligt und erfüllen dabei eine dreifache Funktion:
    • • Die Kontakte leiten den Strom vom Schaltungsträger oder vom Stanzgitter durch den Umhüllungskörper zur Oberseite des Leistungsmoduls.
    • • Die Kontaktkörper weisen eine federnde Struktur auf, die beim Schließen des Werkzeuges einfedert und oberflächenbündig abschließt. Diese Federeigenschaft besitzt folgende Vorteile:
    • – Während des Umhüllungsspritzens werden typische Maßtoleranzen in der Dicke des Schaltungsträgers, des Kontaktkörpers oder der Planarität des Stanzgitters nach Kontakt mit dem schließenden Oberwerkzeug beseitigt.
    • – Die federnde Struktur übt eine Kraft auf den Schaltungsträger aus, der damit an den Werkzeugboden gepresst wird und ein ungewolltes Unterspritzen mit Kunststoffmasse verhindert.
    • • Die Kontaktkörper sind derart geformt, dass sie auf der Oberseite eine Möglichkeit zur kraftschlüssigen, formschlüssigen oder stoffschlüssigen Verbindung mit einem Gegenkontakt bilden können.
    • – Eine ebene Fläche bietet Möglichkeit zum Punktschweißen, Drahtbonden oder Ultraschallreibschweißen oder Drucksintern.
    • – Eine Pressverbindung besteht aus einem Stift auf der Gegenkontaktseite und einem untermaßigen Loch, wobei die Verbindung nach dem Verpressen eine Kaltverschweißung bildet (z. B. viereckiger Stift in rundes Loch).
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus nachfolgender Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels. Dabei zeigt:
  • 1 einen erfindungsgemäßen Halbleitermodul-Moldkörper im Querschliff mit Schaltungsträger und Halbleitern mit aufgesetzten Kontaktkörpern;
  • 2 einen anderen Moldkörper im Querschliff mit Schaltungsträger und Halbleitern mit aufgesetzten Kontaktkörpern einer Geometrie, die eine Verbindung über Gewinde (kein Ausführungsbeispiel) oder Presskontakte ermöglichen;
  • 3 einen Moldkörper im Querschliff mit Schaltungsträger, Halbleitern mit aufgesetzten Kontaktkörpern wie 2 und Freistellung des Moldvolumens durch einen Opferkörper zur Schaffung des Platzes für eine Steckverbindung;
  • 4 den Moldkörper wie in 3 in Draufsicht;
  • 5 einen Moldkörper wie in 3 mit zusätzlich geschaffenem Platz zur Kontaktierung einer Fläche auf dem Schaltungsträger durch Punktschweißen, Drahtbonden oder Ultraschallreibschweißen;
  • 6 einen Moldkörper wie in 5 mit der Möglichkeit in Querrichtung eine Kontaktfläche zu erreichen;
  • 7 den Moldkörper wie in 6 in Draufsicht, d. h. mit Schaltungsträger mit aufgesetzten Kontaktkörpern und Freistellung des Moldvolumens durch einen plastisch-elastischen Opferkörper (z. B. Teflon) zur Schaffung von Platz für eine Verbindung direkt auf dem Schaltungsträger oder Stanzgitters mit der Möglichkeit in Querrichtung die Kontaktflächen zu erreichen (z. B. mit einem Ultraschallschweißarm, Drahtbondwerkzeug);
  • 8 mehrere Moldkörper-Module im Querschnitt auf einem gemeinsamen Kühlkörper und einer gemeinsamen Verschienungsebene (Busbarebene);
  • 9 mehrere Moldkörper-Module im Querschnitt auf einem gemeinsamen Kühlkörper wie 8, jedoch mit einer aufgesetzten und verschraubten Verschienungsebene, und
  • 10 mehrere Moldkörper-Module im Querschnitt auf einem gemeinsamen Kühlkörper wie 8 oder 9, jedoch mit zusätzlichen Spannpratzen, die auf den Modulkörper vertikale Montagekräfte aufbringen und die wärmeleitenden Flächen der Körper auf den Kühlkörper pressen.
  • Der in 1 dargestellte, nach oben kontaktierende Schaltungsträger für Leistungselektronik-Halbleiter, der durch Umhüllen mit einer aushärtenden Masse geschützt werden muß, wird als Keramik- oder Metallkern-Leiterplatte oder Stanzgitterleiterbahnen während des Umhüllungsspritzens durch zusätzliche Maßnahmen auf den Werkzeugboden gepresst. Das Pressen verhindert das Unterspritzen (Overmold) der unteren Seite des Schaltungsträgers mit thermisch isolierendem Kunststoff.
  • In 1 ist unterhalb eines mit Bonddrähten an Kupferleiterbahnen 12 kontaktierten Halbleiters eine isolierende Keramikschicht und darunter eine Kupferschicht zur Wärmeableitung dargestellt. Ein Kontaktkörper 16 ist durch eine beliebige Verbindungstechnik auf dem Substrat, den Kupferbahnen 12, aufgesetzt und weist zwischen seinem Fuß auf den Kupferleiterbahnen 12 und seiner Kontaktfläche 24, die nach dem Molden frei ist kontaktiert zu werden, vorteilhafterweise gerade Bereiche 20 auf, die gegeneinander geknickt bei einer Belastung der Kontaktfläche 24 in der Knickverbindung einfedern können. Dies ist beim Molden wichtig, um nicht nur ein Unterspritzen, sondern auch eine Bedeckung der Kontaktfläche zu vermeiden. Natürlich kann aber auch später ein Kontakt durch weitere Abtragsschritte freigelegt werden, dies wäre aber vermeidbarer Aufwand.
  • Die erforderlichen Kontakte 24 eines Leistungsmoduls, hergestellt in der Umhüllungstechnik, sind ausschließlich auf der Oberseite des Modulkörpers 40 angeordnet oder zumindest mit von oben zugänglichen Flächen aufgebaut.
    • • Eine geometrische Variante des Kontaktkörpers 28 ist die Ausbildung einer Stiftleiste („Männchen”), die im oberen Bereich des Modulkörpers 40 freigestellt ist, damit ein Stecker („Weibchen)” (nicht dargestellt) mit mehreren Kontakten eingesetzt werden kann. In diesem Fall kann auf ein Federelement verzichtet werden, denn es ist ein zusätzlicher Platzhalterkörper (Opferkörper) erforderlich, z. B. aus hitzebeständigem Teflon oder dispensierfähigem Silikon, der einerseits den Steckerraum schafft, andererseits durch seine Plastizität die beschriebenen Maßtoleranzen ausgleicht. Der Platzhalterkörper wird nach dem Umhüllungsspritzen entfernt und gibt das Steckervolumen im Moldkörper 10 frei. Es können auf diese Weise sowohl ein einzelner Leistungsanschluss, als auch eine Gruppe von Leistungsanschlüssen und Steueranschlüssen bewerkstelligt werden.
    • • Eine weitere Variante mit einem Platzhalterkörper ist die Ausnehmung eines Moldkörpervolumens 10 bis zum Schaltungsträger bzw. Stanzgitter (das die Kupferleiterbahnen 12 ausbildet), damit eine Kontaktierung durch externe Kontakte (Verschienungsebene) oder durch Drahtbonden von außen erfolgen kann.
    • • Durch die Kontaktierung von oben und den Einsatz von mehreren Baugruppen (z. B. eine B6-Brücke zur Steuerung eines drei-phasigen Elektromotors) in einzelnen Halbbrücken lässt sich eine sehr dichte Packung der Baugruppen erreichen und dann gemeinsam mit einer Verschienungsplatte kontaktieren. Damit kann die Verschienungsplatte mit sehr kurzen und sehr niederinduktiven Leiterbahnzügen die einzelnen Modulkörper elektrisch kontaktieren. Bei Bedarf kann diese Verschienungsplatte auch elektronische Komponenten der Ansteuerung, Sensorik (z. B. Strommessung) und Schutzbeschaltung tragen (8 und 9).
    • • Eine Variante ist die Überspannung der Verschienungsplatte mit einer Spannpratze zum intensiven, formschlüssigen Presskontakt der Verschienungsplatte auf den Modulkörpern (inklusive der Kontakte) und der Modulkörper auf den Kühlkörpern. Damit entsteht eine vibrationsbeständige und sichere Verbindung der elektrischen und thermischen Kontaktebene.
  • In 1 ist der Moldkörper 40 im Querschliff mit Schaltungsträger 12, Halbleitern 14 mit aufgesetzten Kontaktkörpern 16 dargestellt, die eine Verbindung über ein Presskontakten ermöglichen. Die Kontaktkörper habe eine eckige, Ω-förmige Form mit zwei durch herkömmliche Verbindungstechniken (Schweißen oder dergleichen auf dem Schaltungträger 12 befestigten Füßen und zwei Beinen, die zusätzlich durch einen definierten Knick besser einfedern, und die in einem oberen, die beiden Arme verbindenden und zusätzlich nach außen planen Bereich als Kontaktflächen 24 zur Kontaktierung mit zunächst (beim Molden mit Moldmasse 10) einer Werkzeuginnenseite und später einem Kontaktelement abschließen.
  • In 2 ist eine Alternative gezeigt, die statt eines planen Bereichs im Anschluß an federnde Beine noch ein Gewinde 26 (wie im Stand der Technik) zum Verbinden über einen eingeschraubten Kontakt zeigt. Statt eines Gewindes kann auch eine Bohrung oder ein Vierkantloch zum Presskontakten mit Hilfe eines kantigen oder – bei kantigem Loch – runden leicht über die lichte Weite dimensionierten Stifts zum festen Sitz in der Ausnehmung vorgesehen werden.
  • 3 zeigt den Moldkörper 40 im Querschliff mit Schaltungsträger 12, Halbleitern 14 mit aufgesetzten Kontaktkörpern 16 und Freistellung eines Volumens in der Moldmasse durch einen plastisch-elastischen Opferkörper (z. B. Teflon) zur Schaffung von Platz für eine Steckverbindung. Ein Stift 28 innerhalb des freigelassenen Volumens kann dann durch einen Stecker (nicht dargestellt) kontaktiert werden. In der 4 ist dieser Moldkörper in Draufsicht dargestellt, wobei eine Reihe von in 3 hintereinander angeordneten Gewinde- oder Sacklöchern 26 und Stiften 28 erkennbar sind.
  • Die 5 zeigt, dass ein solcher plastisch-elastischer Opferkörper (z. B. Teflon) auch zur Schaffung eines Platzes 50 für eine Verbindung direkt auf dem Schaltungsträger oder Stanzgitter die Moldmasse 10 aussparen kann.
  • Weiter zeigt 6, dass der Platz für eine Verbindung direkt auf dem Schaltungsträger oder Stanzgitter auch mit der Möglichkeit der Kontaktierung in Querrichtung verbunden werden kann, wenn Moldmasse 10 bis zum Rand des Moldkörpers 40 reicht. Es kann natürlich auch nachträglich noch Moldmasse entfernt werden, falls beim Molden zuviel Moldmasse stehen bleibt. Aufgrund des Aufwands einer Nachbearbeitung ist es aber gerade Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens, eine solche Nachbearbeitung bereits durch richtige Dimensionierung der Platzhalter zu erübrigen.
  • 7 zeigt das Halbleitermodul der 6 in Draufsicht mit seinem Platz für eine Verbindung direkt auf dem Schaltungsträger oder Stanzgitter mit der Möglichkeit, in Querrichtung die Kontaktflächen zu erreichen (z. B. mit einem Ultraschallschweißarm oder -Drahtbondwerkzeug).
  • 8 schließlich zeigt mehrere Moldkörper-Module im Querschnitt auf einem gemeinsamen Kühlkörper und einer gemeinsamen Verschienungsebene (Busbarebene). Die Verschienungsebene kann wahlweise auch Steuerelemente für die Ansteuerung und Schutzfunktionen für die Leistungsbauelemente in den Moldkörpern tragen. Die Kontaktherstellung erfolgt wahlweise über Schraub-, Steck- oder Klemmverbindungen gemäß 1 bis 7.
  • 9 zeigt das nämliche wie 8, jedoch ist die in 8 noch separat dargestellte, aufgesetzte und verschraubte Verschienungsebene 90 mit den Modulen verbunden. Und 10 zeigt nochmals dieses aus 9, jedoch mit zusätzlichen Spannpratzen 94, die zwischen den Modulkörper vertikale Montagekräfte aufbringen und die wärmeleitenden Flächen der Körper auf den Kühlkörper pressen. Zwischen Spannpratze 94 und Verschienungsplatte ist jeweils als Kraftvermittler ein federndes Element 92 positioniert, so daß eine Gleichverteilung der Spannkräfte erzeugt wird.

Claims (5)

  1. Vertikal nach oben kontaktierendes Halbleitermodul mit einem Schaltungsträger, der ein Substrat mit Kupferleiterbahnen (12) aufweist, einen auf dem Substrat angeordneten Halbleiter und elektrische Kontakte ohne Gewinde, wobei die Kontakte ausgehend von der Kupferleiterbahn (12) als nach oben entgegen der unter der Kupferleiterbahn liegenden Substratseite gerichtete leitfähige Kontaktkörper (16) ausgebildet sind, wobei die Kontaktkörper (16) wenigstens mit Teilbereichen in einer den Halbleiter umgebenden, gespritzten Umhüllungs-Moldmasse (40) befinden und wobei die Kontaktkörper (16) als federnde Metallzungen ausgebildet sind, mit einer eckigen, Omega-förmigen Form mit zwei durch Verbindungstechniken auf der Kupferleiterbahn (12) des Schaltungsträgers befestigten Füßen (18) und zwei Beinen (20), die zusätzlich durch einen definierten Knick (22) besser einfedern können und einem oberen, die beiden Beine verbindenden, nach außen planen, mit der Moldmasse (40) oberflächenbündigen Bereich (24) zum Kontaktieren mit einem Kontaktelement.
  2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul zusätzlich zu den elastisch federnden Kontaktkörpern (16) auch einen Freiraum in der Moldmasse (40), der die Dimensionen eines rechteckigen, eine Reihe benachbarter stiftförmiger Kontaktkörper (28) kontaktierenden Steckers besitzt, aufweist.
  3. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl elastisch federnde Kontaktkörper (16) bis zur Moldmassen-Oberseite wie auch bis zu Kupferleiterbahnen (12) des Schaltungsträgers herabreichende Aussparungen (50) der Moldmasse auf der Oberseite des Halbleitermoduls vorgesehen sind.
  4. Verfahren zur Herstellung eines mit Moldmasse versehenen Halbleitermoduls nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß während des Moldspritzens der Moldmasse in einen Raum oberhalb des Schaltungsträgers, die Kontaktflächen der Kontaktkörper federnd an dem Oberwerkzeug anliegen, und während des Moldspritzens der Moldmasse in einen anderen Raum oberhalb des Schaltungsträgers zwischen Schaltungsträger und Oberwerkzeug, anliegend an wenigstens das Oberwerkzeug ein Opferkörper aus Teflon oder dispensierfähigem Silikon eingesetzt ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Opferkörper während des Moldspritzen der Moldmasse in einen Raum oberhalb des Schaltungsträgers abnehmbar einen oder eine Mehrzahl von Kontaktkörpern umgebend eingesetzt ist und nach dem Molden entfernt wird.
DE102008029829A 2008-06-25 2008-06-25 Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung Expired - Fee Related DE102008029829B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008029829A DE102008029829B4 (de) 2008-06-25 2008-06-25 Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
CN2009101398922A CN101615601B (zh) 2008-06-25 2009-06-24 竖直向上接触的半导体及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008029829A DE102008029829B4 (de) 2008-06-25 2008-06-25 Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008029829A1 DE102008029829A1 (de) 2010-03-18
DE102008029829B4 true DE102008029829B4 (de) 2012-10-11

Family

ID=41495149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008029829A Expired - Fee Related DE102008029829B4 (de) 2008-06-25 2008-06-25 Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN101615601B (de)
DE (1) DE102008029829B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019219650A1 (de) 2018-05-18 2019-11-21 Rogers Germany Gmbh Elektronikmodul und verfahren zur herstellung desselben
WO2020127932A1 (de) 2018-12-21 2020-06-25 Rogers Germany Gmbh Verfahren zur herstellung eines elektronikmoduls und elektronikmodul

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4658268B2 (ja) * 2008-11-26 2011-03-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP5262793B2 (ja) * 2009-02-13 2013-08-14 三菱電機株式会社 電力用半導体装置とその製造方法
JP5481680B2 (ja) 2010-04-28 2014-04-23 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102012222679A1 (de) * 2012-12-10 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schaltmoduls und eines zugehörigen Gittermoduls sowie ein zugehöriges Gittermodul und korrespondierende elektronische Baugruppe
DE102013206844A1 (de) * 2013-04-16 2014-10-16 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Bauteil sowie Werkzeug zur Herstellung des Bauteils
US9196554B2 (en) 2013-10-01 2015-11-24 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component, arrangement and method
JP6249892B2 (ja) * 2014-06-27 2017-12-20 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
DE102015112451B4 (de) * 2015-07-30 2021-02-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul
US10438907B2 (en) * 2016-12-11 2019-10-08 Cyntec Co., Ltd. Wireless package with antenna connector and fabrication method thereof
WO2019011890A1 (en) 2017-07-12 2019-01-17 Abb Schweiz Ag POWER SEMICONDUCTOR MODULE
DE102018128097B4 (de) * 2018-11-09 2022-08-11 Infineon Technologies Ag Halbleiterleistungsmodul und verfahren zum herstellen eines halbleiterleistungsmoduls
DE102019210902A1 (de) * 2019-07-23 2021-01-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verbindungsmethode für leistungsmodule mit einer zwischenkreisverschienung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4538168A (en) * 1981-09-30 1985-08-27 Unitrode Corporation High power semiconductor package
JPH09283681A (ja) * 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH09321216A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Toshiba Corp 電力用半導体装置
JP2001223321A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US20050067719A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing the same
JP2007184315A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Hitachi Ltd 樹脂封止型パワー半導体モジュール
DE102006051454A1 (de) * 2006-03-03 2007-09-13 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
DE112008000229T5 (de) * 2007-01-22 2009-12-24 Mitsubishi Electric Corp. Leistungshalbleitervorrichtung

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4538168A (en) * 1981-09-30 1985-08-27 Unitrode Corporation High power semiconductor package
JPH09283681A (ja) * 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH09321216A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Toshiba Corp 電力用半導体装置
JP2001223321A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US20050067719A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing the same
JP2007184315A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Hitachi Ltd 樹脂封止型パワー半導体モジュール
DE102006051454A1 (de) * 2006-03-03 2007-09-13 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
DE112008000229T5 (de) * 2007-01-22 2009-12-24 Mitsubishi Electric Corp. Leistungshalbleitervorrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. Iwasaki, et. al.: In: Mitsubishi Electric Corporation. Japan: A New Version Intelligent Power Module for High Performance Motor Control. 2002. - Firmenschrift *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019219650A1 (de) 2018-05-18 2019-11-21 Rogers Germany Gmbh Elektronikmodul und verfahren zur herstellung desselben
DE102018111989B4 (de) 2018-05-18 2024-05-08 Rogers Germany Gmbh Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2020127932A1 (de) 2018-12-21 2020-06-25 Rogers Germany Gmbh Verfahren zur herstellung eines elektronikmoduls und elektronikmodul
DE102018133479A1 (de) 2018-12-21 2020-06-25 Rogers Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls und Elektronikmodul

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008029829A1 (de) 2010-03-18
CN101615601A (zh) 2009-12-30
CN101615601B (zh) 2012-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008029829B4 (de) Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102011076235B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102009032973B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102006051454B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE10238037B4 (de) Halbleitereinrichtung mit Gehäuse und Halterung
DE102005047567B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009037257B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102014102118A1 (de) Halbleiterbauelement
DE102014116382B4 (de) Halbleitergehäuse mit zwei Halbleitermodulen und sich seitlich erstreckenden Verbindern und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015210587B4 (de) Halbleitermodul, halbleitermodulanordnung und verfahren zum betrieb eines halbleitermoduls
DE19802347A1 (de) Halbleitersubstrat und stapelbare Halbleiterbaugruppe sowie Herstellungsverfahren derselben
DE102011082781B4 (de) Halbleitervorrichtung mit einer plattenelektrode zum verbinden einer mehrzahl an halbleiterchips
DE102016000264B4 (de) Halbleiterchipgehäuse, das sich lateral erstreckende Anschlüsse umfasst, und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102011113269A1 (de) Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012212968A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
DE102015101146B4 (de) Halbleitervorrichtung mit mehreren Kontaktclips, Multiclip-Verbindungselement und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102008058003B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul
DE102015107109B4 (de) Elektronische Vorrichtung mit einem Metallsubstrat und einem in einem Laminat eingebetteten Halbleitermodul
DE102005030247A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Verbindungselementen hoher Stromtragfähigkeit
WO2018001883A1 (de) Leistungsmodul
DE102015115132B4 (de) Halbleitermodul mit integrierter Stift- oder Rippenkühlstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102010000908B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiven Hochstromkontakten, Leistungshalbleitermodulsystem, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leisungshalbleitermodulanordnung
DE102013215648A1 (de) Leistungselektronikmodul mit Substrat, Bauelement und Leiterplatte
DE102011005933A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines von einer Moldmasse umgebenen Schaltungsträgers
DE102019105123B4 (de) Halbleiteranordnung, laminierte Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R082 Change of representative

Representative=s name: CHRISTIAN BIEHL, 24105 KIEL, DE

Representative=s name: CHRISTIAN BIEHL, DE

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE

R016 Response to examination communication
R130 Divisional application to

Ref document number: 102008064749

Country of ref document: DE

Effective date: 20111125

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: DANFOSS SILICON POWER GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: DANFOSS SILICON POWER GMBH, 24837 SCHLESWIG, DE

Effective date: 20121115

R082 Change of representative

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE

Effective date: 20120802

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE

Effective date: 20111125

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE

Effective date: 20111125

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE

Effective date: 20120802

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE

Effective date: 20121115

Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE

Effective date: 20121115

R020 Patent grant now final

Effective date: 20130112

R082 Change of representative

Representative=s name: LOBEMEIER, MARTIN LANDOLF, DR., DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee