DE102007056924A1

DE102007056924A1 - Radiation-emitting component i.e. organic LED, has radiation generating layer arranged between electrodes, where one electrode includes structured surfaces comprising regions protruding from surfaces and penetrating into layer

Info

Publication number: DE102007056924A1
Application number: DE102007056924A
Authority: DE
Inventors: Michael Dr. Popp; Norwin Von Dr. Malm
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2007-08-31
Filing date: 2007-11-27
Publication date: 2009-03-05

Abstract

The component (1) has a radiation generating layer (30) arranged between electrodes (10, 20). The electrode (10) has structured surfaces (12) comprising regions (11) protruding from the surfaces. The regions penetrate into the layer, obtrude in form of spikes, pyramids and/or truncated cones from the surfaces, and are formed as conductors. The electrode (10) is formed as a transparent metal film, and contains transparent conductive oxide, indium tin oxide or aluminum. Particles containing polymer and implemented with gold are deposited on material of the electrodes. An independent claim is also included for a method for producing a radiation-emitting component.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement, bei dem eine Strahlung in organischen Schichten erzeugt wird, die zwischen Elektroden angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements, bei dem organische Schichten zur Strahlungserzeugung zwischen Elektroden angeordnet sind.The The present invention relates to a radiation-emitting component, in which a radiation is generated in organic layers, the are arranged between electrodes. The invention relates to Further, a method for producing a radiation-emitting Device in which organic layers for generating radiation are arranged between electrodes.

Eine Leuchtdiode weist im Allgemeinen eine strahlungsemittierende Schicht auf, die zwischen zwei Elektroden angeordnet ist. Bei einer organischen Leuchtdiode (OLED) wird als strahlungsemittierende Schicht ein amorphes Material verwendet, das nur wenige 100 nm breit ist. Die strahlungserzeugende Schicht ist im Allgemeinen als eine Schichtenfolge ausgebildet, die insbesondere Injektionsschichten zur Ladungsträgerinjektion, Transportschichten zum Ladungsträgertransport sowie farbgebende Schichten aufweist. Die Schichtenfolge ist zwischen Kontaktmaterialien angeordnet, die beim Anlegen einer Spannung als Kathoden- und Anodenelektrode wirken.A Light-emitting diode generally has a radiation-emitting layer on, which is arranged between two electrodes. In an organic Light-emitting diode (OLED) is an amorphous as a radiation-emitting layer Material used that is only a few 100 nm wide. The radiation-producing Layer is generally formed as a layer sequence, in particular injection layers for charge carrier injection, Transport layers for the transport of cargo and having coloring layers. The layer sequence is between contact materials arranged to act when applying a voltage as the cathode and anode electrode.

Die Lichterzeugung und Auskopplung wird bisher im Wesentlichen durch die Dicke und Zusammensetzung der organischen Schichten der strahlungserzeugenden Schichtenfolge beeinflusst. Als Elektroden werden üblicherweise planare Metallkontakte verwendet. Die für die Metallkontakte verwendeten Materialien, wie beispielsweise Aluminium oder Silber, weisen eine geringe Austrittsarbeit für Elektronen auf. Dadurch ist es insbesondere an der Kathodenseite der Elektroden erforder lich, hohe Spannungen anzulegen, um Ladungsträger in die strahlungsemittierende Schichtenfolge zu injizieren.The Light generation and decoupling is so far essentially by the thickness and composition of the organic layers of the radiation-generating Layer sequence influenced. As electrodes are usually planar metal contacts used. The ones used for the metal contacts Materials such as aluminum or silver have one low work function for electrons on. This makes it especially on the cathode side of the electrodes erforder Lich to apply high voltages to charge carriers in the radiation-emitting To inject layer sequence.

Andere Materialien, wie beispielsweise Cäsium, die eine niedrigere Austrittsarbeit für Elektronen aufweisen, sind an Luft sehr reaktiv. Derartige Materialien bewirken eine Einschränkung der Bauelementvariabilität und erschweren die Prozessführung erheblich.Other Materials, such as cesium, have a lower work function for electrons, are very reactive in air. Such materials cause a limitation of component variability and make the litigation much more difficult.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein strahlungsemittierendes Bauelement anzugeben, bei dem eine erhöhte Ladungsträgerinjektion in eine strahlungserzeugende Schicht mit einer großen Variabilität erfolgt. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements anzugeben, bei dem eine hohe Ladungsträgerinjektion in eine zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht mit großer Variabilität erfolgt.The The object of the present invention is to provide a radiation-emitting Specify a device in which an increased charge carrier injection into a radiation-generating layer with a great variability. Another object of the present invention is a method for the production of a radiation-emitting component, in which a high charge carrier injection in a formed for generating radiation layer with great variability takes place.

Eine Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements umfasst eine zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht, die zwischen Elektroden angeordnet ist, wobei mindestens eine der Elektroden eine strukturierte Oberfläche mit aus der Oberfläche erhobenen Bereichen aufweist, wobei die erhobenen Bereiche in die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht eindringen.A embodiment a radiation-emitting component comprises one for generating radiation formed layer which is disposed between electrodes, wherein at least one of the electrodes has a structured surface from the surface areas surveyed, with the areas penetrate layer formed for generating radiation.

Die strahlungserzeugende Schicht kann als eine Schichtenfolge ausgebildet sein, die beispielsweise elektrische Kontaktschichten, Transportschichten zum Ladungsträgertransport sowie farbgebende Schichten aufweisen kann. Die erhobenen Bereiche der strukturierten Oberfläche können zum Beispiel in die elektrischen Kontaktschichten oder in die Transportschichten eindringen.The radiation-generating layer may be formed as a layer sequence be, for example, the electrical contact layers, transport layers for cargo carrier transport and may have coloring layers. The raised areas the structured surface can for example, in the electrical contact layers or in the transport layers penetration.

Die erhobenen Bereiche der strukturierten Oberfläche können auch jeweils unterschiedlich tief in die strahlungserzeugende Schicht eindringen.The raised areas of the structured surface can also be different penetrate deeply into the radiation-generating layer.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Bauelements können die erhobenen Bereiche jeweils die gleiche Form aufweisen. Die erhobenen Bereiche können beispielsweise auf der Oberfläche der mindestens einen Elektrode in einem gleichen Abstand zueinander angeordnet sein. Gemäß einem weiteren Merkmal des Bauelements treten die erhobenen Bereiche in Form von Spitzen, Pyramiden und/oder Kegelstümpfen aus der Oberfläche der mindestens einen Elektrode hervor. Die erhobenen Bereiche können auch als aus der Oberfläche der mindestens einen Elektrode hervortretende Drähte ausgebildet sein. Auf der Oberfläche der mindestens einen Elektrode kann beispielsweise auch eine Gitterstruktur angeordnet sein.According to one another embodiment of the device can the raised areas each have the same shape. The raised Areas can for example on the surface the at least one electrode at an equal distance from each other be arranged. According to one further feature of the device enter the raised areas in Shape of peaks, pyramids and / or truncated cones from the surface of the at least one electrode out. The raised areas can also than from the surface be formed of the at least one electrode protruding wires. On the surface the at least one electrode may for example also be arranged a grid structure be.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Bauelements sind die erhobenen Bereiche aus dem gleichen Material wie die mindestens eine Elektrode ausgebildet. Die mindestens eine Elektrode kann beispielsweise Indiumzinnoxid oder Aluminium enthalten. Die mindestens eine Elektrode kann beispielsweise als ein transparenter Metallfilm ausgebildet sein. Bei einer anderen Ausführungsform ist die Oberfläche der mindestens einen Elektrode verspiegelt. Die mindestens eine Elektrode kann beispielsweise ein transparentes leitfähiges Oxid enthalten. Gemäß einem weiteren Merkmal umfasst die mindestens eine Elektrode ein Substratmaterial, auf dem eine elektrisch, leitfähige Schicht, insbesondere eine Metallfolie, angeordnet ist.According to one another embodiment of the component are the raised areas of the same material how the at least one electrode is formed. The at least one Electrode may contain, for example indium tin oxide or aluminum. For example, the at least one electrode may be considered a transparent one Metal film to be formed. In another embodiment is the surface the at least one electrode is mirrored. The at least one For example, the electrode may be a transparent conductive oxide contain. According to one further feature, the at least one electrode comprises a substrate material, on the one electrically, conductive Layer, in particular a metal foil, is arranged.

Die mindestens eine Elektrode kann beispielsweise eine Dicke zwischen einer minimalen Monolage, beispielsweise von 10 nm, und 200 nm aufweisen. Die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht kann eine Dicke zwischen der Dicke einer minimalen Monolage, beispielsweise von 10 nm, und 500 nm aufweisen. Die erhobenen Bereiche dringen beispielsweise jeweils mit einer Eindringtiefe zwischen 5 nm und 20 nm in die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht ein.The at least one electrode may, for example, have a thickness between a minimum monolayer, for example of 10 nm, and 200 nm. The radiation generating layer may have a thickness between the thickness of a minimum monolayer, for example, of 10 nm and 500 nm. The raised areas penetrate, for example, each with a penetration depth between 5 nm and 20 nm in the radiation to the generators a trained layer.

Gemäß einer anderen Ausführungsform des Bauelements ist zwischen der mindestens einen Elektrode und der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht eine elektrisch isolierende Schicht angeordnet. Die elektrisch isolierende Schicht umfasst beispielsweise Vertiefungen. Die mindestens eine Elektrode ist bei dieser Ausführungsform derart auf der elektrisch isolierenden Schicht aufgebracht, dass die erhobenen Bereiche in den Vertiefungen der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet sind.According to one another embodiment of the device is between the at least one electrode and the formed for generating radiation layer an electrically insulating layer arranged. The electrically insulating layer includes, for example, depressions. The at least one electrode is in this embodiment applied to the electrically insulating layer such that the raised areas in the recesses of the electrically insulating Layer are arranged.

Gemäß eines weiteren Merkmals des Bauelements umfasst die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht eine Schichtenfolge aus mehreren Schichten, wobei eine Schicht der Schichtenfolge, die näher als eine weitere Schicht an der mindestens einen Elektrode angeordnet ist, eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die weitere Schicht aufweist.According to one Another feature of the device includes the radiation generation trained layer a layer sequence of several layers, one layer of the layer sequence being closer than another layer is arranged on the at least one electrode, a higher electrical conductivity as the further layer has.

Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben. Zunächst wird eine Elektrode mit einer strukturierten Oberfläche bereitgestellt, indem Partikel auf einem Material der Elektrode abgeschieden werden. Anschließend werden Bereiche des Materials der Elektrode zwischen den Partikeln geätzt. Eine zur Strahlungserzeu gung ausgebildete Schicht wird auf die strukturierte Oberfläche der Elektrode aufgebracht. Danach wird ein Material einer weiteren Elektrode auf die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht aufgebracht.in the Below is a method for producing a radiation-emitting Component specified. First an electrode with a structured surface is provided, by depositing particles on a material of the electrode. Subsequently Be areas of the material of the electrode between the particles etched. A trained for Strahlungserzeu supply layer is on the structured surface the electrode applied. After that, one material becomes another Electrode applied to the formed for generating radiation layer.

Die Bereiche des Materials zwischen den Partikeln können in der Weise geätzt werden, dass sich eine mit Erhebungen strukturierte Oberfäche ausbildet, wobei die Erhebungen die gleiche Höhe aufweisen. Es ist auch möglich, dass die Bereiche des Materials zwischen den Partikeln derart geätzt werden, dass sich eine mit Erhebungen strukturierte Oberfäche ausbildet, wobei die Erhebungen eine unterschiedliche Höhe aufweisen.The Areas of the material between the particles can be etched in the way that a surface structured with elevations forms, wherein the elevations have the same height. It is also possible that the areas of the material between the particles are etched in such a way that a surface structured with elevations forms, wherein the surveys have a different height.

Die Bereiche zwischen den Partikeln werden beispielsweise derart geätzt, dass in einen Bereich unter den Partikeln das Material der Elektrode mit einer pyramiden- oder kegelstumpfförmigen Struktur ausgebildet wird.The For example, regions between the particles are etched such that in an area under the particles the material of the electrode formed with a pyramid or truncated cone-shaped structure becomes.

Die Partikel können beispielsweise als eine Monolage auf dem Material der Elektrode abgeschieden werden.The Particles can for example as a monolayer on the material of the electrode be deposited.

Gemäß einem weiteren Merkmal des Verfahrens wird die Größe der Partikel nach dem Abscheiden auf dem Material der Elektrode durch thermische Behandlung verändert.According to one Another feature of the method is the size of the particles after deposition on the material of the electrode changed by thermal treatment.

Bei einer anderen Ausführungsform des Verfahrens ist es möglich, dass nach dem Aufbringen der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht eine elektrisch isolierende Schicht auf die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht aufgebracht wird und das Material der weiteren Elektrode auf die elektrisch isolierende Schicht aufgebracht wird. Gemäß einer weiteren Ausgestaltungsform des Verfahrens werden Vertiefungen in die elektrisch isolierende Schicht derart geätzt, dass das Material der weiteren Elektrode nach dem Aufbringen auf die elektrisch isolierende Schicht in den Vertiefungen mit der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht in Kontakt tritt.at another embodiment of the procedure it is possible that after application of the trained for generating radiation Layer an electrically insulating layer on the for generating radiation trained layer is applied and the material of the other Electrode is applied to the electrically insulating layer. According to one Another embodiment of the method are recesses in etched the electrically insulating layer such that the material of the further electrode after application to the electrically insulating Layer in the wells with the radiation generated Layer comes into contact.

Die Vertiefungen werden in der elektrisch isolierenden Schicht beispielsweise pyramiden- oder kegelstumpfförmig ausgebildet. Vor dem Schritt des Ätzens der Vertiefungen werden zum Beispiel Partikel auf der elektrisch isolierenden Schicht abgeschieden. Die Partikel können zum Beispiel ein Polymer enthalten, in das Gold implementiert ist. Die Partikel können beispielsweise auch ein koloidisches metallorganisches Material enthalten.The Recesses are in the electrically insulating layer, for example pyramid or truncated cone educated. Before the step of etching the pits For example, particles deposited on the electrically insulating layer. The particles can For example, contain a polymer in which gold is implemented. The particles can for example, a colloidal organometallic material contain.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren, die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zeigen, näher erläutert. Es zeigen:The Invention will be described below with reference to figures, the embodiments of the present invention, explained in more detail. Show it:

1A eine Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer erhöhten Ladungsträgerinjektion, 1A an embodiment of a radiation-emitting component with an increased charge carrier injection,

1B eine weitere Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer erhöhten Ladungsträgerinjektion, 1B a further embodiment of a radiation-emitting component with an increased charge carrier injection,

2A eine Ausführungsform einer strukturierten Oberfläche eines Kontaktmaterials eines strahlungsemittierenden Bauelements, 2A an embodiment of a structured surface of a contact material of a radiation-emitting component,

2B eine weitere Ausführungsform einer strukturierten Oberfläche einer Elektrode eines strahlungsemittierenden Bauelements, 2 B a further embodiment of a structured surface of an electrode of a radiation-emitting component,

2C eine weitere Ausführungsform einer strukturierten Oberfläche einer Elektrode eines strahlungsemittierenden Bauelements, 2C a further embodiment of a structured surface of an electrode of a radiation-emitting component,

3A das Aufbringen von Nanostrukturen in ein Kontaktmaterial eines strahlungsemittierenden Bauelements, 3A the application of nanostructures in a contact material of a radiation-emitting component,

3B eine Ausführungsform einer strukturierten Oberfläche eines Kontaktmaterials, 3B an embodiment of a structured surface of a contact material,

3C eine Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer erhöhten Ladungsträgerinjektion, 3C an embodiment of a radiation-emitting component with an increased charge carrier injection,

4 eine weitere Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer erhöhten Ladungsträgerinjektion, 4 another embodiment of a radiation-emitting component with an increased charge carrier injection,

5A das Aufbringen einer Maske zur Herstellung einer Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer erhöhten Ladungsträgerinjektion, 5A the application of a mask for producing an embodiment of a radiation-emitting component with an increased charge carrier injection,

5B eine Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer strukturierten elektrisch isolierenden Schicht, 5B an embodiment of a radiation-emitting component with a structured electrically insulating layer,

5C eine weitere Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements mit einer erhöhten Ladungsträgerinjektion. 5C a further embodiment of a radiation-emitting device with an increased charge carrier injection.

1A zeigt eine Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements 1. Das strahlungsemittierende Bauelement ist als eine organische Leuchtdiode ausgebildet. Ein Kontaktmaterial 10 wirkt als Kathoden- oder Anodenelektrode. Auf dem Kontaktmaterial sind organische Schichten 31, ..., 3n einer Schichtenfolge 30 angeordnet. Auf der Schichtenfolge 30 ist eine Deckelektrode 20 angeordnet. Beim Anlegen einer Spannung zwischen der Elektrode 10 und der Elektrode 20 werden Ladungsträger in die organische Schichtenfolge 30 injiziert, wodurch eine Strahlungsemission bewirkt wird. 1A shows an embodiment of a radiation-emitting device 1 , The radiation-emitting component is designed as an organic light-emitting diode. A contact material 10 acts as a cathode or anode electrode. On the contact material are organic layers 31 , ..., 3n a layer sequence 30 arranged. On the layer sequence 30 is a cover electrode 20 arranged. When applying a voltage between the electrode 10 and the electrode 20 become charge carriers in the organic layer sequence 30 injected causing radiation emission.

Die Elektrode 10 weist eine strukturierte Oberfläche 12 auf, aus der Erhebungen 11 hervortreten. Die Erhebungen 11 dringen in die Schichtenfolge 30 ein. Die Elektroden 10 und 20 weisen beispielsweise eine Dicke zwischen 20 nm und 200 nm auf. Die Schichtdicke der Organik 30 liegt beispielsweise in einem Bereich zwischen 50 nm und 500 nm. Die Erhebungen 11 ragen je nach Schichtdicke der organischen Schichtenfolge 30 zwischen 5 nm und 20 nm in die organische Schichtenfolge hinein.The electrode 10 has a structured surface 12 on, from the surveys 11 emerge. The surveys 11 penetrate the sequence of layers 30 one. The electrodes 10 and 20 For example, they have a thickness between 20 nm and 200 nm. The layer thickness of the organic 30 is for example in a range between 50 nm and 500 nm. The surveys 11 depending on the layer thickness of the organic layer sequence 30 between 5 nm and 20 nm into the organic layer sequence.

Beim Anlegen einer Spannung zwischen den Kontaktmaterialien 10 und 20 tritt durch die auf der Oberfläche 12 aufgebrachten Nanostrukturen 11 eine Überhöhung eines elektrischen Feldes auf. Eine hohe elektrische Feldstärke tritt bei der in 1A gezeigten Ausführungsform insbesondere an den Enden der pyramidenförmig ausgebildeten Erhebungen 11 auf. Dadurch kommt es zu einer erhöhten Ladungsträgerinjektion in die strahlungsemittierende Schichtenfolge 30 (Feldemission). Die Ladungsträgerinjektion erfolgt bereits bei relativ geringen Spannungen zwischen den Elektroden. Für die Elektroden 10 und 20 können daher Kontaktmaterialien mit einer hohen Austrittsarbeit verwendet werden. Durch die Verwendung derartiger Kon taktmaterialien werden die Elektroden unempfindlich gegen oxidative Degradation. Durch Strukturierung der Oberfläche der Elektroden, insbesondere der Kathode, und die Verwendung von Kontaktmaterialien mit hoher Austrittsarbeit lässt sich somit der Alterung der organischen Leuchtdiode 1 entgegenwirken.When applying a voltage between the contact materials 10 and 20 enters through the on the surface 12 applied nanostructures 11 an elevation of an electric field. A high electric field strength occurs in the 1A shown embodiment, in particular at the ends of the pyramid-shaped elevations 11 on. This leads to an increased charge carrier injection into the radiation-emitting layer sequence 30 (Field emission). The charge carrier injection already takes place at relatively low voltages between the electrodes. For the electrodes 10 and 20 Therefore, contact materials with a high work function can be used. By using such contact materials, the electrodes become insensitive to oxidative degradation. By structuring the surface of the electrodes, in particular the cathode, and the use of contact materials with high work function can thus be the aging of the organic light emitting diode 1 counteract.

Als Material für die Elektroden kann beispielsweise Indiumzinnoxid verwendet werden, wodurch transparente Kontakte entstehen. Des Weiteren kann beispielsweise ein transparenter Metallfilm aus Aluminium mit einer Dicke von zum Beispiel 20 nm zur Herstellung der Elektroden 10 und 20 eingesetzt werden. Bei einer Verwendung einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von mehr als 20 nm können die Elektroden mit verspiegelten Oberflächen ausgebildet werden. Die Oberfläche einer derartigen verspiegelten Elektrode wird ebenfalls, wie in 1A gezeigt, durch Nanostrukturen, die aus dem verspiegelten Material hervortreten, strukturiert.For example, indium tin oxide can be used as the material for the electrodes, resulting in transparent contacts. Further, for example, a transparent metal film of aluminum having a thickness of, for example, 20 nm can be used to fabricate the electrodes 10 and 20 be used. When using an aluminum layer with a thickness of more than 20 nm, the electrodes can be formed with mirrored surfaces. The surface of such a mirrored electrode also becomes, as in FIG 1A shown by nanostructures, which emerge from the mirrored material, structured.

1B zeigt eine weitere Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements. Bei dieser Ausführungsform wird die Kontaktschicht 10 als ein elektrisch leitfähiger dünner Metallfilm 14 auf einem planaren Substrat 13 abgeschieden. Der Metallfilm 14 weist Erhebungen auf, die beispielsweise als Pyramiden ausgeformt sein können. Beim Aufbringen einer organischen Schichtenfolge auf die in 1B gezeigte Elektrode entstehen ebenfalls beim Anlegen einer Spannung zwischen den Elektroden 10 und 20 an den Spitzen der pyramidenförmigen Nanostrukturen 11 erhöhte elektrische Felder. Somit tritt auch bei der in 1B gezeigten Ausführungsform an den Spitzen der Erhebungen 11 eine erhöhte Ladungsträgerinjektion in die organische Schichtenfolge 30 auf. 1B shows a further embodiment of a radiation-emitting component. In this embodiment, the contact layer 10 as an electrically conductive thin metal film 14 on a planar substrate 13 deposited. The metal film 14 has elevations that may be formed, for example, as pyramids. When applying an organic layer sequence to the in 1B also shown electrode when creating a voltage between the electrodes 10 and 20 at the tips of the pyramidal nanostructures 11 increased electric fields. Thus, also occurs in the 1B shown embodiment at the tips of the surveys 11 an increased charge carrier injection into the organic layer sequence 30 on.

Da die Kontaktschicht bei der organischen Leuchtdiode gleichzeitig als Spiegel funktioniert, hängen die optischen Auskoppeleigenschaften, insbesondere Farbe und Effizienz der Emission, von Form, Größe und Verteilung der Nanostrukturen ab. Über die Variation dieser Strukturen kann somit die Lokalisierung der Ladungsträgerinjektion sowie die Lichtemission, beispielsweise die Leistung oder Wellenlänge des abgestrahlten Lichts, beeinflusst werden.There the contact layer at the organic light emitting diode simultaneously as a mirror works, hang the optical Auskoppeleigenschaften, in particular color and efficiency emission, shape, size and distribution the nanostructures. About the Variation of these structures can thus localize the charge carrier injection as well as the light emission, for example the power or wavelength of the radiated light, be influenced.

Die in den 1A und 1B gezeigten Nanostrukturen 11 können gleichmäßig tief oder unterschiedlich tief in die Schichtenfolge 30 einfringen. 1A zeigt exemplarisch eine Folge von Nanostrukturen 11, die gleichmäßig tief in die Schichten der Schichtenfolge eindringen. Bei der in 1B gezeigten Ausführungsform dringen die Erhebungen (Nanostrukturen) 11 mit unterschiedlicher Tiefe in die Schichtenfolge 30 ein. Es ist auch möglich, dass bei der in 1A gezeigten Auführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements die Erhebungen 11 unerschiedlich weit in die Schichtenfolge 30 eindringen. Beispielsweise können Nanostrukturen in der elektrischen Kontaktschicht der Schichtenfolge 30 enden, wohingegen andere der Nanostrukturen in die tiefer liegenden Transportschichten der Schichtenfolge 30 vordringen. Entsprechend können auch bei der in 1B gezeigten Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements die Erhebungen 11 gleichmäßig tief in die Schichtenfolge 30 hineinragen.The in the 1A and 1B shown nanostructures 11 can be evenly deep or different deep in the layer sequence 30 einfringen. 1A shows an example of a sequence of nanostructures 11 , which penetrate evenly deep into the layers of the layer sequence. At the in 1B In the embodiment shown, the elevations (nanostructures) penetrate 11 with different depths in the layer sequence 30 one. It is also possible that at the in 1A shown Auführungsform the radiation-emitting device, the surveys 11 far and wide into the sequence of layers 30 penetration. For example, nanostructures in the electrical contact layer of the layer sequence 30 whereas others of the nanostructures penetrate into the deeper transport layers of the layer sequence 30 penetrate. Accordingly, also in the in 1B shown embodiment of the radiation-emitting device, the surveys 11 evenly deep into the layer sequence 30 protrude.

Neben den pyramidenförmig ausgebildeten Nanostrukturen können auf der Oberfläche der Elektroden weitere Formen von Strukuren angeordnet sein. In den 2A, 2B und 2C sind unterschiedliche Ausführungsformen von Elektroden mit verschiedenen Formen von Nanostrukturen gezeigt. Bei der in 2A gezeigten Ausführungsform sind die Nanostrukturen als Kegel stumpfe ausgeformt. 2B zeigt eine Elektrode, bei der die Nanostrukturen 11 als Spitzen ausgeformt sind. 2C zeigt eine Draufsicht auf eine Elektrode, bei der die Nanostrukturen beispielsweise Drähte 50 sind, die in Form einer Gitterstruktur 60 aus dem Elektrodenmaterial herausragen.In addition to the pyramid-shaped nanostructures, further forms of structures can be arranged on the surface of the electrodes. In the 2A . 2 B and 2C different embodiments of electrodes with different shapes of nanostructures are shown. At the in 2A In the embodiment shown, the nanostructures are dull-shaped as cones. 2 B shows an electrode where the nanostructures 11 are formed as tips. 2C shows a plan view of an electrode, wherein the nanostructures, for example, wires 50 are in the form of a lattice structure 60 protrude from the electrode material.

Durch die räumliche Verteilung und Dichte der Nanostrukturen auf der Oberfläche der Elektroden lässt sich die Ladungsträgerinjektion steuern beziehungsweise auf bestimmte Bereiche der organischen Schichtenfolge lokalisieren. Beim Aufbringen einer organischen Schichtenfolge auf die Elektrode 10 ragen die jeweilig geformten Nanostrukturen in die organische Schichtenfolge hinein. Durch die erhöhte Feldstärke an dem freien Ende der Nanostrukturen tritt insbesondere in diesen Bereichen eine erhöhte Ladungsträgerinjektion in die organischen Schichten 30 auf.Due to the spatial distribution and density of the nanostructures on the surface of the electrodes, the charge carrier injection can be controlled or localized to specific regions of the organic layer sequence. When applying an organic layer sequence on the electrode 10 the respective shaped nanostructures protrude into the organic layer sequence. Due to the increased field strength at the free end of the nanostructures, an increased charge carrier injection into the organic layers occurs, in particular in these areas 30 on.

3A zeigt eine Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens zur Herstellung einer strukturierten Substratelektrode und einer organischen Leuchtdiode, die eine strukturierte Substratelektrode aufweist. In 3A wird als Kontaktmaterial 10 beispielsweise ein Metall oder ein anderes elektrisch leitfähiges Material verwendet. Insbesondere kann beispielsweise eine Schicht aus transparenten leitfähigen Oxiden (TCO) bereitgestellt werden. Eine Ätzmaske wird beispielsweise aus kolloidischen metallorganischen Metallpartikeln (Sol-Gel-Verfahren) hergestellt, die sich auf der Oberfläche 12 der Kontaktschicht 10 selbständig organisieren (SAM). 3A shows an embodiment of a manufacturing method for producing a patterned substrate electrode and an organic light-emitting diode having a patterned substrate electrode. In 3A is called contact material 10 For example, a metal or other electrically conductive material used. In particular, for example, a layer of transparent conductive oxides (TCO) may be provided. An etching mask is produced, for example, from colloidal organometallic metal particles (sol-gel process) which are deposited on the surface 12 the contact layer 10 organize independently (SAM).

Ein Teil der Nanopartikel, die auf der Oberfläche 12 aufgebracht werden, wird weggeätzt, sodass sich lediglich eine geringe Anzahl der Nanopartikel 70 auf dem Substrat 10 geordnet oder ungeordnet verteilt. Die Nanopartikel sind beispielswei se Polymere, in die Gold implementiert ist. Derartige Gold-Block-Copolymere weisen beispielsweise eine Größe von einigen 10 nm bis zu einigen 100 nm auf. Durch zwischenmolekulare Kräfte orientieren sich die Partikel 70 auf dem Kontaktmaterial 11 und bilden somit eine Ätzmaske.Part of the nanoparticles on the surface 12 are applied, is etched away, leaving only a small number of nanoparticles 70 on the substrate 10 ordered or distributed randomly. The nanoparticles are, for example, polymers in which gold is implemented. Such gold block copolymers have, for example, a size of a few 10 nm up to a few 100 nm. By intermolecular forces, the particles orient themselves 70 on the contact material 11 and thus form an etching mask.

Die Maske kann auch beispielsweise aus Nanopartikeln bestehen, die durch physikalische Verfahren, zum Beispiel durch Ionenstrahlabscheidung (Ionbeam Deposition) auf dem Kontaktmaterial verteilt angeordnet werden.The Mask can also consist of nanoparticles, for example physical processes, for example by ion beam deposition (Ionbeam Deposition) are distributed on the contact material.

Eine weitere Möglichkeit für die Erstellung einer geeigneten Ätzmaske besteht darin, in einer Langmuir-Blodgett-Waage eine Monolage von Polymerkugeln aufzubringen. Vor dem eigentlichen Ätzvorgang können die Polymerkugeln durch thermische Behandlung in ihrer lateralen Ausdehnung verändert werden.A another possibility for the Creation of a suitable etching mask is a monolayer of in a Langmuir-Blodgett scale Apply polymer beads. Before the actual etching process can the polymer spheres by thermal treatment in their lateral Expansion changed become.

Durch einen Ätzangriff auf das Kontaktmaterial 11, auf dessen Oberfläche die Nanopartikel 70 angeordnet sind, werden Bereiche zwischen den Nanopartikeln weggeätzt. Dadurch entsteht, wie in 3B gezeigt, eine Elektrode 11 mit einer strukturierten Oberfläche. Je nach Anordnung der Nanopartikel auf der Oberfläche des Elektrodenmaterials 11 beziehungsweise in Abhängigkeit von dem verwendeten Ätzverfahren entstehen unterschiedlich geformte Erhebungen 11 auf einer Oberfläche 12 der Elektrode 10.By an etching attack on the contact material 11 , on whose surface the nanoparticles 70 are arranged, areas between the nanoparticles are etched away. This creates, as in 3B shown an electrode 11 with a structured surface. Depending on the arrangement of the nanoparticles on the surface of the electrode material 11 or depending on the etching process used arise differently shaped elevations 11 on a surface 12 the electrode 10 ,

Form, Größe und Dichte der Erhebungen 11 auf der Kontaktoberfläche 12 sind beispielsweise durch Änderung der Ätzmasken und der Ätzparameter, beispielsweise der Zeit, während der der Ätzvorgang stattfindet, sowie der Konzentration der Ätze beziehungsweise der am Ätzvorgang beteiligten Stoffe variierbar. Beim Plasma-Ätzen lässt sich die Form und Größe der Na nostrukturen 11 insbesondere durch die verwendeten Gase variieren. Das Ätzen kann beispielsweise durch nass- oder trockenchemisches Ätzen erfolgen.Shape, size and density of the surveys 11 on the contact surface 12 are variable, for example, by changing the etching masks and the etching parameters, for example the time during which the etching process takes place, as well as the concentration of the etching or the substances involved in the etching process. Plasma etching allows the shape and size of the nanostructures to be determined 11 especially by the gases used. The etching can be carried out, for example, by wet or dry chemical etching.

Nach der Herstellung der strukturierten Elektrode 10 werden auf der Elektrode die organischen Schichten 30 abgeschieden. Wie in 3C gezeigt ist, dringen die aus der Elektrode 10 hervortretenden Nanostrukturen 11 in die organische Schichtenfolge 30 ein. An der gegenüberliegenden Seite der organischen Schichtenfolge wird eine Deckelektrode 20 angeordnet. Beim Anlegen einer Spannung zwischen der Elektrode 10 und der Elektrode 20 treten insbesondere an den Spitzen der Nanostrukturen hohe Feldstärken auf, wodurch eine erhöhte Ladungsträgerinjektion in die organische Schichtenfolge stattfindet. Je nach lateraler Strukturierung dringen die Strukturen auf den Elektroden unterschiedlich tief in die Materialen der organischen Schichtenfolge ein.After the preparation of the structured electrode 10 become on the electrode the organic layers 30 deposited. As in 3C shown, penetrate out of the electrode 10 prominent nanostructures 11 into the organic layer sequence 30 one. On the opposite side of the organic layer sequence becomes a cover electrode 20 arranged. When applying a voltage between the electrode 10 and the electrode 20 High field strengths occur in particular at the tips of the nanostructures, as a result of which an increased charge carrier injection into the organic layer sequence takes place. Depending on the lateral structuring, the structures on the electrodes penetrate at different depths into the materials of the organic layer sequence.

4 zeigt eine weitere Ausführungsform einer organischen Leuchtdiode 2. Die organische Leuchtdiode weist eine Elektrode 10 mit einer strukturierten Oberfläche auf. Die Strukturen auf der Oberfläche können beispielsweise pyramiden- oder kegelstumpfförmige Erhebungen sein. Die Elektrode 10 ist beispielsweise als ein transparenter Kontakt ausgeführt und kann bei dieser Ausführungsform Indiumzinnoxid enthalten. Die Elektrode 10 kann auch beispielsweise als ein transparenter Metallfilm oder eine dünne Metallfolie ausgeführt sein. Die Elektrode 10 weist beispielsweise eine Dicke zwischen 20 nm und 200 nm auf. Die Nanostrukturen 11 können 5 nm bis 20 nm aus der Oberfläche der Elektrode 10 hervortreten. Auf der strukturierten Elektrode 10 sind organische Schichten 30 abgeschieden. 4 shows a further embodiment of an organic light emitting diode 2 , The organic light-emitting diode has an electrode 10 with a textured surface. The structures on the surface may be, for example, pyramidal or truncated cone-shaped elevations. The electrode 10 is, for example, out as a transparent contact leads and may contain indium tin oxide in this embodiment. The electrode 10 may also be embodied, for example, as a transparent metal film or a thin metal foil. The electrode 10 has, for example, a thickness between 20 nm and 200 nm. The nanostructures 11 can be 5 nm to 20 nm from the surface of the electrode 10 emerge. On the structured electrode 10 are organic layers 30 deposited.

Im Gegensatz zu der in den vorangehenden Figuren gezeigten Ausführungsformen ist eine Deckelektrode 20 nicht als planare Elektrode ausgeführt, sondern weist ihrerseits ebenfalls eine strukturierte Oberfläche 22 auf. Des Weiteren ist die Deckelektrode 20 nicht unmittelbar auf die organische Schichtenfolge 30 aufgebracht. Zwischen der organischen Schichtenfolge und der Deckelektrode ist eine elektrisch isolierende Schicht 40 angeordnet. Die Schicht 40 weist Vertiefungen 41 auf, die bis zu der organischen Schichtenfolge 30 reichen. Auf die elektrisch isolierende Schicht 40 ist die Deckelektrode 20 aufgebracht.In contrast to the embodiments shown in the preceding figures is a cover electrode 20 not designed as a planar electrode, but in turn also has a structured surface 22 on. Furthermore, the cover electrode 20 not directly on the organic layer sequence 30 applied. Between the organic layer sequence and the cover electrode is an electrically insulating layer 40 arranged. The layer 40 has depressions 41 up to the organic layer sequence 30 pass. On the electrically insulating layer 40 is the top electrode 20 applied.

Durch die Vertiefungen 41 entsteht somit ebenfalls eine strukturierte Oberfläche 22 der Deckelektrode 20. Die Erhebungen 21 der Deckelektrode können in die organischen Schichten eindringen oder die organischen Schichten 30 zumindest berühren. Durch die in 4 gezeigte Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Bauelements 20 lässt sich die Ladungsträgerinjektion in die organische Schichtenfolge verstärken, da an beiden Seiten der organischen Schichtenfolge an den Spitzen der Erhebungen 11 der Elektrode 10 sowie an den Spitzen der Erhebungen 21 der Deckelektrode 20 erhöhte Feldstärken auftreten.Through the depressions 41 thus also creates a structured surface 22 the cover electrode 20 , The surveys 21 the cover electrode can penetrate into the organic layers or the organic layers 30 at least touch. By the in 4 shown embodiment of a radiation-emitting device 20 the charge carrier injection into the organic layer sequence can be intensified, as on both sides of the organic layer sequence at the tips of the elevations 11 the electrode 10 as well as at the tops of the surveys 21 the cover electrode 20 increased field strengths occur.

5 zeigt ein Verfahren zur Herstellung des strahlungsemittierenden Bauelements 2. Die Strukturierung der Oberfläche der Elektrode 10 wird, wie anhand von 3A beschrieben, hergestellt. Nach dem Aufbringen der organischen Schichten 30 auf die Elektrode 10 wird zunächst die elektrisch isolierende Schicht 40 planar auf die organische Schichtenfolge 30 aufgebracht. Die Schicht 40 kann als eine Photoresist-Schicht ausgebildet sein. Um Vertiefungen 41 in die elekt risch isolierende Schicht 40 einzubringen, wird eine Ätzmaske hergestellt. 5 shows a method of manufacturing the radiation-emitting device 2 , The structuring of the surface of the electrode 10 becomes, as by means of 3A described, prepared. After applying the organic layers 30 on the electrode 10 First, the electrically insulating layer 40 planar on the organic layer sequence 30 applied. The layer 40 may be formed as a photoresist layer. Around pits 41 into the electrically insulating layer 40 to introduce an etching mask is made.

Die Ätzmaske kann beispielsweise aus kolloidischen metallorganischen Nanopartikeln nach dem Sol-Gel-Verfahren hergestellt werden. Die Maskenpartikel organisieren sich selbständig auf der Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht 40. Nach einem Veraschen der organischen Molekülteile, beispielsweise in einem Plasma, bleiben metallische Cluster auf der Oberfläche zurück. Alternativ dazu können auch metallische Kolloide verwendet werden. Des Weiteren kann die Maske auch aus Nanopartikeln bestehen, die durch physikalische Verfahren, zum Beispiel durch Ionenstrahlabscheidung (Ionbeam deposition) aufgebracht werden. Eine weitere Möglichkeit zur Herstellung einer geeigneten Ätzmaske besteht in dem Aufbringen einer Monolage von Polymerkugeln in einer Langmuir-Blodgett-Waage, die vor dem anschließenden trockenchemischen Ätzen durch thermische Behandlung in ihrer lateralen Ausdehnung verändert werden. Durch den in 5A gezeigten Ätzangriff entstehen in dem Material der elektrisch isolierenden Schicht 40 die in 5B gezeigten Vertiefungen 41.The etching mask can be produced, for example, from colloidal organometallic nanoparticles by the sol-gel process. The mask particles organize themselves on the surface of the electrically insulating layer 40 , After ashing of the organic parts of the molecule, for example in a plasma, metallic clusters remain on the surface. Alternatively, metallic colloids may also be used. Furthermore, the mask can also consist of nanoparticles, which are applied by physical methods, for example by ion beam deposition (ion beam deposition). Another possibility for producing a suitable etching mask is to apply a monolayer of polymer spheres in a Langmuir-Blodgett balance, which are changed in their lateral extent by thermal treatment before the subsequent dry-chemical etching. By the in 5A shown etching attack arise in the material of the electrically insulating layer 40 in the 5B shown depressions 41 ,

Zur Herstellung der nanostrukturierten Deckelektrode 20 müssen die Nanostrukturen invertiert aufgebracht werden. Die Nanostrukturen wachsen in die bereits aufgebrachte organische Schichtenfolge 30 hinein. Durch die Vertiefungen in der Photoresist-Schicht 40 entstehen nach einer Metallisierung der Vertiefungen Erhebungen 21 auf der unteren Oberfläche 22 der Deckelektrode 20.For the production of the nanostructured cover electrode 20 The nanostructures must be applied inverted. The nanostructures grow into the already applied organic layer sequence 30 into it. Through the depressions in the photoresist layer 40 arise after a metallization of the wells surveys 21 on the bottom surface 22 the cover electrode 20 ,

Durch das Anbringen von Erhebungen 11 und 21 in Form von Spitzen, Pyramiden, Kegelstümpfen, Drähten oder Gitter auf die Elektroden 10, 20, entsteht beim Anlegen einer Spannung an die Elektrode 10 und die Elektrode 20 eine erhöhte Feldstärke an den jeweiligen Spitzen der Erhebungen. Als Folge davon kommt es zu einer erhöhten Ladungsträgerinjektion in die organischen Schichten 30. Dadurch können Ladungsträger auch aus Elektrodenmaterialien mit hoher elektrischer Austrittsarbeit bei sehr kleinen Spannungen an den Elektroden in die organische Schichtenfolge 30 injiziert werden.By attaching surveys 11 and 21 in the form of points, pyramids, truncated cones, wires or grids on the electrodes 10 . 20 , arises when a voltage is applied to the electrode 10 and the electrode 20 an increased field strength at the respective peaks of the surveys. As a result, there is an increased charge carrier injection into the organic layers 30 , As a result, charge carriers can also be made of electrode materials with a high electrical work function at very low voltages at the electrodes into the organic layer sequence 30 be injected.

Durch die Verwendung von Kontaktmaterialien mit hoher Austrittsarbeit, beispielsweise durch die Verwendung von Elektroden aus Indiumzinnoxid, wird der oxidativen Degradation der Elektrode und somit der Alterung des gesamten OLED-Bauelements entgegengewirkt. Des Weiteren kann über die Variation von Form, Größe und Dichte der Nanostrukturen die Lichtemission des OLED-Bauelements gezielt beeinflusst und für eine jeweilige Anwendung angepasst werden. Eine zweidimensional regelmäßige Anordnung der Nanostrukturen wirkt insbesondere als photonischer Kristall oder Bragg-Reflektor.By the use of high work function contact materials, for example, by the use of indium tin oxide electrodes the oxidative degradation of the electrode and thus the aging counteracted the entire OLED device. Furthermore, about the variation of shape, size and density the nanostructures targeted the light emission of the OLED device influenced and for a particular application can be customized. A two-dimensional regular arrangement The nanostructures act in particular as a photonic crystal or Bragg reflector.

Bei den in den 1 und 4 gezeigten Ausführungsformen eines strahlungsemittierenden Bauelements kann die erste Schicht 31, die nahe der Elektrode 10 angeordnet ist, ein Material mit einer höheren lateralen elektrischen Leitfähigkeit enthalten, als beispielsweise eine Schicht 3n, die weiter von der Elektrode 10 entfernt liegt. Dadurch entsteht in den Bereichen der organischen Schichtenfolge, in denen die Erhebungen 11 in die Schichtenfolge eindringen, eine Stromaufweitungsschicht. Somit kann der Ausbildung von Perkulationspfaden für die Ladungsträger an den Orten der Ladungsträgerinjektion und einer damit einhergehenden verstärkten Alterung der Transportmoleküle entlang dieser Pfade entgegengewirkt werden.In the in the 1 and 4 shown embodiments of a radiation-emitting device, the first layer 31 near the electrode 10 is arranged to contain a material having a higher lateral electrical conductivity than, for example, a layer 3n further from the electrode 10 away. This results in the areas of the organic layer sequence in which the elevations 11 penetrate into the layer sequence, a current spreading layer. Thus, the formation of percolation paths for the carriers at the locations of carrier injection and ei This concomitant increased aging of the transport molecules along these paths can be counteracted.

Claims

Strahlungsemittierendes Bauelement (1, 2) mit einer zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht (30), die zwischen Elektroden (10, 20) angeordnet ist, wobei mindestens eine der Elektroden (10, 20) eine strukturierte Oberfläche (12, 22) mit aus der Oberfläche erhobenen Bereichen (11, 21) aufweist, wobei die erhobenen Bereiche in die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht (30) eindringen.Radiation-emitting component ( 1 . 2 ) with a radiation generating layer ( 30 ) between electrodes ( 10 . 20 ), wherein at least one of the electrodes ( 10 . 20 ) a structured surface ( 12 . 22 ) with areas raised from the surface ( 11 . 21 ), wherein the raised areas in the radiation generating layer ( 30 ).

Bauelement nach Anspruch 1, wobei die erhobenen Bereiche jeweils die gleiche Form aufweisen.Component according to claim 1, wherein the raised areas each have the same shape.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die erhobenen Bereiche (11) auf der Oberfläche (12) der mindestens einen Elektrode (10) in einem gleichen Abstand zueinander angeordnet sind.Component according to one of claims 1 or 2, wherein the raised areas ( 11 ) on the surface ( 12 ) of the at least one electrode ( 10 ) are arranged at an equal distance from each other.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erhobenen Bereiche (11) in Form von Spitzen, Pyramiden und/oder Kegelstümpfen aus der Oberfläche (12) der mindestens einen Elektrode (10) hervortreten.Component according to one of claims 1 to 3, wherein the raised areas ( 11 ) in the form of points, pyramids and / or truncated cones from the surface ( 12 ) of the at least one electrode ( 10 ) stand out.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erhobenen Bereiche (11) als aus der Oberfläche der mindestens einen Elektrode (10) hervortretende Drähte (50) ausgebildet sind.Component according to one of claims 1 to 4, wherein the raised areas ( 11 ) than from the surface of the at least one electrode ( 10 ) protruding wires ( 50 ) are formed.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei auf der Oberfläche der mindestens einen Elektrode (10) eine Gitterstruktur (60) angeordnet ist.Component according to one of claims 1 to 5, wherein on the surface of the at least one electrode ( 10 ) a lattice structure ( 60 ) is arranged.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die erhobenen Bereiche (11) aus dem gleichen Material wie die mindestens eine Elektrode (10) ausgebildet sind.Component according to one of claims 1 to 6, wherein the raised areas ( 11 ) of the same material as the at least one electrode ( 10 ) are formed.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht (30) elektrische Kontaktschichten und Transportschichten (31, ..., 3n) aufweist.Component according to one of Claims 1 to 7, in which the radiation generation layer ( 30 ) electrical contact layers and transport layers ( 31 , ..., 3n ) having.

Bauelement nach Anspruch 1 bis 8, wobei die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht eine Schichtenfolge (30) aus mehreren Schichten (31, ..., 3n) umfasst, wobei die erhobenen Bereiche (11) unterschiedlich tief in die mehreren Schichten (31, ..., 3n) der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht (30) eindringen.Component according to Claims 1 to 8, the layer formed for the generation of radiation having a layer sequence ( 30 ) of several layers ( 31 , ..., 3n ), the areas collected ( 11 ) at different depths into the several layers ( 31 , ..., 3n ) of the radiation generating layer ( 30 ).

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die mindestens eine Elektrode (10) Indiumzinnoxid oder Aluminium enthält.Component according to one of claims 1 to 9, wherein the at least one electrode ( 10 ) Indium tin oxide or aluminum.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die mindestens eine Elektrode als ein transparenter Metallfilm (10) ausgebildet ist.Component according to one of claims 1 to 10, wherein the at least one electrode as a transparent metal film ( 10 ) is trained.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Oberfläche (11) der mindestens einen Elektrode (10) verspiegelt ist.Component according to one of claims 1 to 9, wherein the surface ( 11 ) of the at least one electrode ( 10 ) is mirrored.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die mindestens eine Elektrode (10) ein transparentes leitfähiges Oxid enthält.Component according to one of claims 1 to 9, wherein the at least one electrode ( 10 ) contains a transparent conductive oxide.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die mindestens eine Elektrode (10) ein Substratmaterial (13) umfasst, auf dem eine elektrisch, leitfähige Schicht (14), insbesondere eine Metallfolie, angeordnet ist.Component according to one of claims 1 to 10, wherein the at least one electrode ( 10 ) a substrate material ( 13 ), on which an electrically conductive layer ( 14 ), in particular a metal foil is arranged.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die mindestens eine Elektrode (10) eine Dicke zwischen 10 nm und 200 nm aufweist.Component according to one of claims 1 to 14, wherein the at least one electrode ( 10 ) has a thickness between 10 nm and 200 nm.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht (30) eine Dicke zwischen 10 nm und 500 nm aufweist.Component according to one of claims 1 to 15, wherein the radiation generation layer ( 30 ) has a thickness between 10 nm and 500 nm.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die erhobenen Bereiche (11) jeweils mit einer Eindringtiefe zwischen 5 nm und 20 nm in die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht (30) eindringen.Component according to one of claims 1 to 16, wherein the raised areas ( 11 ) in each case with a penetration depth between 5 nm and 20 nm into the layer formed for generating radiation ( 30 ).

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, – wobei zwischen der mindestens einen Elektrode (20) und der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht (30) eine elektrisch isolierende Schicht (40) angeordnet ist, – wobei die elektrisch isolierende Schicht Vertiefungen (41) umfasst, – wobei die mindestens eine Elektrode (20) derart auf der elektrisch isolierenden Schicht (40) aufgebracht ist, dass die erhobenen Bereiche (21) in den Vertiefungen (41) der elektrisch isolierenden Schicht (40) angeordnet sind.Component according to one of claims 1 to 17, - wherein between the at least one electrode ( 20 ) and the radiation generating layer ( 30 ) an electrically insulating layer ( 40 ), wherein the electrically insulating layer has recesses ( 41 ), wherein the at least one electrode ( 20 ) on the electrically insulating layer ( 40 ) that the areas collected ( 21 ) in the depressions ( 41 ) of the electrically insulating layer ( 40 ) are arranged.

Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht eine Schichtenfolge (30) aus mehreren Schichten (31, ..., 3n) umfasst, wobei eine Schicht (31) der Schichtenfolge, die näher als eine weitere Schicht (3n) an der mindestens einen Elektrode (10) angeordnet ist, eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die weitere Schicht (3n) aufweist.Component according to one of Claims 1 to 18, the layer formed for the generation of radiation having a layer sequence ( 30 ) of several layers ( 31 , ..., 3n ), wherein one layer ( 31 ) of the layer sequence closer than another layer ( 3n ) on the at least one electrode ( 10 ) is arranged, a higher electrical conductivity than the further layer ( 3n ) having.

Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements (1, 2), umfassend: – Bereitstellen einer Elektrode (10) mit einer strukturierten Oberfläche (12), durch Abscheiden von Partikeln (70) auf einem Material der Elektrode (10) und Ätzen von Bereichen des Materials der Elektrode zwischen den Partikeln, – Aufbringen einer zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht (30) auf die strukturierte Oberfläche (12) der Elektrode, – Aufbringen eines Materials einer weiteren Elektrode (20) auf die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht (30).Method for producing a radiation-emitting component ( 1 . 2 ), comprising: - providing an electrode ( 10 ) with a structured surface ( 12 ), by separating Parti cels ( 70 ) on a material of the electrode ( 10 ) and etching of areas of the material of the electrode between the particles, - application of a radiation-generating layer ( 30 ) on the structured surface ( 12 ) of the electrode, - application of a material of another electrode ( 20 ) to the radiation generating layer ( 30 ).

Verfahren nach Anspruch 20, wobei die Bereiche zwischen den Partikeln derart geätzt werden, dass sich eine mit Erhebungen (11) strukturierte Oberfäche (12) ausbildet, wobei die Erhebungen die gleiche Höhe aufweisen.The method of claim 20, wherein the areas between the particles are etched such that one with elevations ( 11 ) structured surface ( 12 ), wherein the elevations have the same height.

Verfahren nach Anspruch 20, wobei die Bereiche zwischen den Partikeln derart geätzt werden, dass sich eine mit Erhebungen (11) strukturier te Oberfäche (12) ausbildet, wobei die Erhebungen eine unterschiedliche Höhe aufweisen.The method of claim 20, wherein the areas between the particles are etched such that one with elevations ( 11 ) structured surface ( 12 ), wherein the elevations have a different height.

Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, wobei die Bereiche zwischen den Partikeln (70) derart geätzt werden, dass in einem Bereich unter den Partikeln das Material der Elektrode (10) mit einer pyramiden- oder kegelstumpfförmigen Struktur ausgebildet wird.Method according to one of claims 20 to 22, wherein the areas between the particles ( 70 ) are etched such that in a region under the particles the material of the electrode ( 10 ) is formed with a pyramidal or truncated cone-shaped structure.

Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 23, wobei die Partikel (70) als eine Monolage auf dem Material der Elektrode (10) abgeschieden werden.Method according to one of claims 20 to 23, wherein the particles ( 70 ) as a monolayer on the material of the electrode ( 10 ) are deposited.

Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Größe der Partikel (70) nach dem Abscheiden auf dem Material der Elektrode durch thermische Behandlung verändert wird.The method of claim 24, wherein the size of the particles ( 70 ) is changed after deposition on the material of the electrode by thermal treatment.

Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 25, wobei nach dem Aufbringen der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht (30) eine elektrisch isolierende Schicht (40) auf die zur Strahlungserzeugung ausgebildete Schicht (30) aufgebracht wird und das Material der weiteren Elektrode (20) auf die elektrisch isolierende Schicht (40) aufgebracht wird.Method according to one of claims 20 to 25, wherein after application of the radiation generating layer ( 30 ) an electrically insulating layer ( 40 ) to the radiation generating layer ( 30 ) is applied and the material of the further electrode ( 20 ) on the electrically insulating layer ( 40 ) is applied.

Verfahren nach Anspruch 26, umfassend: Ätzen von Vertiefungen (41) in die elektrisch isolierende Schicht (40) derart, dass das Material der weiteren Elektrode (20) nach dem Aufbringen auf die elektrisch isolierende Schicht (40) in den Vertiefungen mit der zur Strahlungserzeugung ausgebildeten Schicht (30) in Kontakt tritt.The method of claim 26, comprising: etching wells ( 41 ) in the electrically insulating layer ( 40 ) such that the material of the further electrode ( 20 ) after application to the electrically insulating layer ( 40 ) in the recesses with the radiation generating layer ( 30 ) comes into contact.

Verfahren nach Anspruch 27, wobei die Vertiefungen (41) in der elektrisch isolierenden Schicht (40) pyramiden- oder kegelstumpfförmig ausgebildet werden.Method according to claim 27, wherein the depressions ( 41 ) in the electrically insulating layer ( 40 ) are formed pyramid or truncated cone.

Verfahren nach einem der Ansprüche 27 oder 28, wobei vor dem Schritt des Ätzens der Vertiefungen (41) Partikel (70) auf der elektrisch isolierenden Schicht (40) abgeschieden werden.Method according to one of claims 27 or 28, wherein prior to the step of etching the depressions ( 41 ) Particles ( 70 ) on the electrically insulating layer ( 40 ) are deposited.

Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 29, wobei die Partikel (70) ein Polymer enthalten, in das Gold implementiert ist.Method according to one of claims 20 to 29, wherein the particles ( 70 ) contain a polymer in which gold is implemented.

Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 30, wobei die Partikel (70) ein kolloidisches metallorganisches Material enthalten.Method according to one of claims 20 to 30, wherein the particles ( 70 ) contain a colloidal organometallic material.