DE102008015697A1 - Structured opto-electronic element e.g. bottom emitter, producing method for organic LED, involves structuring layer from charge carrier injection layers, and radiation-emitting layer by irradiating layer with electromagnetic radiation - Google Patents

Abstract

The method involves providing a carrier substrate (10) e.g. transparent glass substrate, and separating a charge carrier injection layer. Epitaxial separation of a radiation-emitting layer is performed, and another charge carrier injection layer is separated. A layer is structured from the charge carrier injection layers and a radiation-emitting layer by irradiating the layer with an electromagnetic radiation using a neodymium yttrium-aluminum-garnet laser. The layer has a material, whose characteristics change by the electromagnetic irradiation. An independent claim is also included for an arrangement for structuring of an electro-luminescent, organic semiconductor element.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten optoelektronischen Bauelements. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Anordnung zur Herstellung eines derartigen Bauelementes.The The invention relates to a method for producing a structured optoelectronic component. The invention further relates an arrangement for producing such a device.

Optoelektronische Bauelemente dienen heute in einer Vielzahl von Leuchtmittel in verschiedenen Anwendungen. Neben normalen Leuchtmitteln steigt zudem der Bedarf an Leuchtmitteln mit einem vorbestimmten Lichtmuster. Ein derartiges Lichtmuster kann einfarbig, aber auch mehrfarbig sein und verschiedene Figuren, Muster, Formen, Buchstaben oder ähnliches umfassen.Optoelectronic Components are used today in a variety of lamps in various applications. In addition to normal bulbs also increases the need for bulbs with a predetermined pattern of light. Such a light pattern can monochrome, but also multicolored and different figures, patterns, Shapes, letters or similar include.

Derartige strukturierte Bauelemente erlauben eine große Flexibilität und unterschiedliche Einsatzmöglichkeiten. Neben optoelektronischen Bauelementen auf Halbleiterbasis kommen zunehmend auch auf organischen Stoffen basierende lichtemittierenden Dioden, so genannte OLEDs, zum Einsatz. Diese zeichnen sich durch eine hohe Leuchtkraft bei gleichzeitig geringem Stromverbrauch und niedrigen Herstellungskosten aus.such Structured components allow great flexibility and different Applications. In addition to semiconductor optoelectronic devices come increasingly also on organic substances based light-emitting Diodes, so-called OLEDs, are used. These are characterized by a high luminosity with low power consumption and low production costs.

Die Basisstruktur eines optoelektronischen Bauelementes umfasst zwei Elektroden als Kontaktelemente zur Ladungsträgerinjektion. Zwischen diesen ist ein lichtemittierendes Material angeordnet. Zudem können weitere verschiedene Teilschichten vorgesehen sein, um eine gute Ladungsträgerinjektion in die lichtemittierende Schicht zu ermöglichen.The Basic structure of an optoelectronic component comprises two Electrodes as contact elements for charge carrier injection. Between these a light-emitting material is arranged. In addition, more various sub-layers may be provided to ensure good carrier injection to enable in the light-emitting layer.

Für eine Strukturierung eines derartigen Bauelementes werden bislang verschiedene Maskentechnologien verwendet, bei denen eine so genannte Schattenmaske während des Herstellungsprozesses auf eine Schicht aufgebracht wird. Anschließend wird der nicht von der Schattenmaske abgedeckte Teil der Schicht durch chemische oder physikalische Verfahren verändert, wodurch sich die notwendige Struktur ergibt. Jedoch müssen die verschiedenen Schattenmasken für verschiedene strukturierte Ebenen einzeln gefertigt werden, wobei der Maskenprozess je nach geforderter Genauigkeit die Gesamtkosten der Herstellung erhöht. Darüber hinaus ist es bei komplexen Strukturen nicht möglich, einen einzelnen Maskenprozess zur Herstellung zu verwenden. Beispielsweise sind die Buchstaben O oder R mittels eines einzelnen Maskenprozesses nicht möglich.For a structuring Such a device so far different mask technologies used in which a so-called shadow mask during the Manufacturing process is applied to a layer. Subsequently, will the part of the layer not covered by the shadow mask chemical or physical processes changed, resulting in the necessary Structure yields. However, you have to the different shadow masks for different structured Layers are made individually, with the mask process depending on required accuracy increases the overall cost of manufacturing. Furthermore it is not possible with complex structures, a single mask process to use for production. For example, the letters O or R is not possible by means of a single mask process.

Daher besteht weiterhin das Bedürfnis, die Kosten für den Herstellungsprozess eines strukturierten optoelektronischen Bauelementes abzusenken und gleichzeitig eine hohe Flexibilität bei der Strukturierung zu gewährleisten.Therefore there is still a need the price for the manufacturing process of a structured optoelectronic Lowering component while maintaining high flexibility in the To ensure structuring.

Diese Aufgaben werden mit den Gegenständen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.These Tasks become with the objects the independent one claims solved. Embodiments and developments of the invention are the subject the dependent claims.

Nach dem vorgeschlagenen Prinzip umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten optoelektronischen Bauelementes ein Bereitstellen eines Trägersubstrates, auf dem unter anderem eine erste Ladungsträgerinjektionsschicht abgeschieden wird. Des Weiteren erfolgt ein epitaktisches Abscheiden wenigstens einer strahlungsemittierenden Schicht sowie einer zweiten Ladungsträgerinjektionsschicht.To the proposed principle includes a method of preparation a structured optoelectronic component provide a a carrier substrate, on which inter alia a first charge carrier injection layer is deposited. Furthermore, at least one epitaxial deposition takes place radiation-emitting layer and a second charge carrier injection layer.

Zur Strukturierung wird nun erfindungsgemäß vorgeschlagen, wenigstens eine Schicht aus der ersten und zweiten Ladungsträgerinjektionsschicht und der wenigstens einen strahlungs emittierenden Schicht einer elektromagnetischen Strahlung während des Herstellungsprozesses direkt auszusetzen. Hierbei weist die zumindest eine Schicht, die bestrahlt wird, ein Material auf, dessen Eigenschaften sich unter der elektromagnetischen Strahlung verändern.to Structuring is now proposed according to the invention, at least a layer of the first and second carrier injection layer and the at least one radiation-emitting layer of an electromagnetic Radiation during directly suspend the manufacturing process. Here, the at least one layer being irradiated comprises a material whose Properties vary under the electromagnetic radiation.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt somit eine direkte Strukturierung einer während des Herstellungsprozesses abgeschiedenen Schicht mittels elektromagnetischer Strahlung. Dadurch kann der Herstellungsprozess zu einem beliebigen Zeitpunkt unterbrochen, die gerade aufgewachsene beziehungsweise abgeschiedene Schicht strukturiert und anschließend der Herstellungsprozess fortgeführt werden. Dies erlaubt es, im Gegensatz zu bisherigen Technologien, die Anzahl der Belichtungsschritte mittels Schattenmasken zu reduzieren.at the method according to the invention Thus, a direct structuring of a during the Manufacturing process deposited layer by means of electromagnetic Radiation. This allows the manufacturing process to any Time interrupted, the just grew up respectively deposited layer and then the manufacturing process continued become. This allows, in contrast to previous technologies, reduce the number of exposure steps using shadow masks.

Die zur Strukturierung vorgesehene Schicht umfasst ein Material, dessen Eigenschaften sich unter der elektromagnetischen Bestrahlung verändern und dadurch zu einer Änderung des Stromflusses beitragen. Beispielsweise kann das Material durch die elektromagnetische Bestrahlung aufgrund thermischer Einwirkung selektiv zerstört werden. Alternativ kann das Material ein Molekül aufweisen, dessen strukturelle Eigenschaften sich aufgrund der zugeführten elektromagnetischen Strahlung ändern.The layer provided for structuring comprises a material whose Properties vary under the electromagnetic radiation and thereby to a change contribute to the flow of electricity. For example, the material can through the electromagnetic radiation due to thermal action selectively destroyed become. Alternatively, the material may comprise a molecule whose structural Characteristics change due to the supplied electromagnetic radiation.

Beispielsweise kann das Molekül in seinem Farbzentrum durch Aufbrechen von Molekülbindungen verändert werden, so dass eine Lichtemission in einem Betrieb des optoelektronischen Bauelementes an dieser Stelle nicht mehr oder nur in einem geringen Maße stattfindet. Ebenso kann durch die elektromagnetische Bestrahlung die Transportfähigkeit von Ladungsträgern gehemmt sein, so dass sich dadurch ein lokal veränderter Wi derstand ergibt. Dieser führt in einem Betrieb der Anordnung zu einer Veränderung der Leuchtstärke einer darunter liegenden lichtemittierenden Schicht.For example, the molecule can be changed in its color center by breaking up molecular bonds, so that no light emission takes place in an operation of the optoelectronic component at this point, or only to a small extent. Likewise, the transportability of charge carriers can be inhibited by the electromagnetic radiation, so that this results in a locally changed Wi resistance. This leads in one operation of the arrangement to a change in the luminous intensity of an underlying Lich T emitting layer.

Das Material kann beispielsweise ein organisches Molekül umfassen, und insbesondere ein für ein organisches optoelektronischen Bauelement verwendetes Material sein.The For example, material may comprise an organic molecule, and in particular one for one be organic material used optoelectronic component.

Somit können bei dem vorgeschlagenen Verfahren unterschiedliche Schichten des strukturierten optoelektronischen Bauelementes durch ein Bestrahlen der jeweiligen Schicht mit einer elektromagnetischen Strahlung strukturiert werden. Dadurch lassen sich unterschiedliche Farbeindrücke und Lichtintensitäten erreichen, wodurch sich flexibel verschiedene Muster und Formen realisieren lassen.Consequently can in the proposed method different layers of structured optoelectronic component by irradiation the respective layer with an electromagnetic radiation structured become. This allows different color impressions and light intensities achieve, thereby flexibly changing patterns and shapes let realize.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens wird für das Strukturieren einer Schicht der Abscheidevorgang der jeweiligen Schicht unterbrochen und nach dem Strukturieren fortgesetzt. Hierbei ist es möglich, dass die Schicht, welche strukturiert werden soll, ein erste und wenigstens eine zweite Teilschicht aufweist, wobei wenigstens eine der Teilschichten strukturiert wird.In An embodiment of the method is used for structuring a layer the deposition of the respective layer is interrupted and after the Structuring continued. It is possible that the layer, which is to be structured, a first and at least a second sub-layer wherein at least one of the sub-layers is patterned.

Eine Strukturierung einer Schicht durch ein Bestrahlen mit einer elektromagnetischen Strahlung kann somit lokal für die gesamte Dicke der Schicht als auch nur für eine Teilschicht erfolgen. Beispielsweise lassen sich so eine Monolage des Materials abscheiden, diese dann strukturieren und anschließend eine oder weitere Monolagen des Materials über dem strukturierten Bereich erneut abscheiden. Somit ist eine Strukturierung eines optoelektronischen Bauelementes während des Her stellungsprozesses bis zu einzelnen Monolagen der Schichten möglich.A Structuring a layer by irradiation with an electromagnetic Radiation can thus be local for the entire thickness of the layer as well as only for a sub-layer done. For example, a monolayer of the material can be deposited in this way, These then structure and then one or more monolayers of the material over reassign the structured area. Thus, a structuring an optoelectronic device during the setting process up to individual monolayers of the layers possible.

Die einzelnen Schichten, Teilschichten bis hin zu Monolagen lassen sich beispielsweise durch einen fokussierten Lichtstrahl aber auch durch einen Laser entsprechend strukturieren. Dieser kann ein vorbestimmtes Muster auf der Schicht nachführen, so dass dieses beispielsweise in der Schicht durch die thermische Einwirkung ”eingebrannt” wird. Die Verwendung eines Lasers ist zweckmäßig, da dieser kohärentes Licht vordefinierter Wellenlänge auf eine besonders kleinen Bereich fokussieren kann. Damit werden auch filigrane und kleine Strukturen fehlerfrei erzeugt. Für die Herstellung großflächiger Strukturen können fokussierte inkohärente Lichtstrahlen benutzt werden.The single layers, partial layers up to monolayers can be for example, by a focused light beam but also by Structure a laser accordingly. This one can be a predetermined one Track patterns on the layer, like this that this is "baked" in the layer by the thermal action, for example. The use of a laser is convenient because of this coherent light predefined wavelength focus on a particularly small area. With that Even filigree and small structures produced error-free. For the production large-scale structures can be focused incoherent Light beams are used.

Nach einer Strukturierung der jeweiligen Schicht und der Beendigung des Abscheideprozesses können weitere Verfahrensschritte zum Schutz des elektronischen Bauelementes vorgesehen werden.To a structuring of the respective layer and the termination of the Abscheidideprozesses can further process steps for the protection of the electronic component be provided.

In einer Anordnung zur Strukturierung eines elektrolumineszenten, organischen Halbleiterelements ist eine Positioniereinrichtung mit einer Aufnahmevorrichtung für wenigstens ein elektrolumineszentes, organisches Halbleiterelement vorgesehen. Weiterhin umfasst die Anordnung eine Haltevorrichtung mit einem Lichtmittel zur Abgabe eines gerichteten Lichtstrahls. Die Positioniereinrichtung und/oder die Haltevorrichtung sind bewegbar bzw. verschiebbar ausgeführt, um den gerichteten Lichtstrahl über das wenigstens eine elektrolumineszente, organische Halbleiterelement zu führen. Ein Fokuspunkt des gerichteten Lichtstrahls liegt in einer Schicht des organischen Halbleiterelements liegt zum selektiven Zerstören von Teilbereichen der Schicht mittels thermischer Einwirkung. Das Lichtmittel kann insbesondere ein Laserstrahl sein.In an arrangement for structuring an electroluminescent, organic Semiconductor element is a positioning device with a receiving device for at least an electroluminescent, organic semiconductor element is provided. Farther the arrangement comprises a holding device with a light means for emitting a directed light beam. The positioning device and / or the holding device are designed to be movable or displaceable in order to the directed light beam over the at least one electroluminescent, organic semiconductor element respectively. A focal point of the directed light beam lies in one layer of the organic semiconductor element is for selectively destroying Subregions of the layer by means of thermal action. The light source may in particular be a laser beam.

Im Folgenden wird die Erfindung unter Zuhilfenahme von Zeichnungen anhand verschiedener Ausführungsformen im Detail erläutert.in the Below, the invention with the aid of drawings based on various embodiments explained in detail.

Es zeigen:It demonstrate:

1A bis 1I ein erstes Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines strukturierten optoelektronischen Bauelements, 1A to 1I A first exemplary embodiment of the method for producing a structured optoelectronic component,

2 eine Draufsicht auf ein strukturiertes optoelektronisches Bauelement, 2 a top view of a structured optoelectronic device,

3 eine schematische Ausführungsform eines Systems zu einer Strukturierung eines optoelektronischen Bauelements während des Herstellungsprozesses, 3 a schematic embodiment of a system for structuring an optoelectronic component during the manufacturing process,

4A bis 4C ein weiteres Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Strukturierten optoelektronischen Bauelementes. 4A to 4C a further example of a method for producing a patterned optoelectronic component.

In den Ausführungsbeispielen sind gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.In the embodiments are the same, similar or equivalent elements with the same Provided with reference numerals. The figures and the proportions in the figures Elements shown below are not to scale consider. Rather, you can individual elements for better presentation and / or for better Understanding exaggerated be shown large.

1A bis 1I zeigen eine Ausführung zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes, welches als so genannter Bottom-Emitter ausgebildet wird. 1A to 1I show an embodiment for producing an optoelectronic component, which is designed as a so-called bottom emitter.

In diesem Ausführungsbeispiel wird. eine Leuchtdiode auf Basis organischer Materialien hergestellt. Diese als OLED bezeichnete Diode umfasst in ihrer lichtemittierenden Schicht organische Moleküle. Derartige Materialien zeichnen sich durch eine hohe Leuchtkraft bei gleichzeitig geringem Stromverbrauch und hoher mechanischer Flexibilität aus. Darüber ist auch unter niedrigem Blickwinkel noch ein ausreichender Kontrast erreichbar. Das organische Material selbst, auch als OLED-Stack bezeichnet, kann seinerseits mit mehreren Teilschichten gebildet sein oder aus diesen bestehen. Einige der Teilschichten können dazu dienen, eine Ladungsträgerdiffusion in Richtung auf die lichtemittierende Schicht zu unterstützen und in die entgegen gesetzte Richtung zu hemmen. Insbesondere können sie auch eine Diffusion von Ladungsträgern einer Sorte behindern und die andere Sorte durchlassen.In this embodiment will. a light-emitting diode based on organic materials produced. This diode, referred to as OLED, comprises organic molecules in its light-emitting layer. Such materials are characterized by a high luminosity with low Stromver need and high mechanical flexibility. In addition, a sufficient contrast can be achieved even from a low angle. The organic material itself, also referred to as an OLED stack, may itself be formed with or consist of several partial layers. Some of the sub-layers may serve to promote carrier diffusion toward the light-emitting layer and inhibit it in the opposite direction. In particular, they may also hinder diffusion of charge carriers of one variety and allow the other species to pass.

Die Lichterzeugung innerhalb der organischen Schicht erfolgt durch eine Ladungsträgerrekombination der Löcher mit Elektronen.The Light generation within the organic layer is performed by a charge carrier recombination the holes with electrons.

In 1A wird ein Trägersubstrat 10 bereitgestellt, auf welchem in späteren Verfahrensschritten epitaktisch die einzelnen Schichten abgeschieden werden. Das Trägersubstrat 10 kann beispielsweise ein transparentes Glassubstrat sein. In einem derartigen Fall erlaubt das Glassubstrat auch einen mechanischen Schutz sowie eine Stabilität des gesamten Bauelementes. Zudem kann später emittiertes Licht durch das Substrat hindurch abgestrahlt werden.In 1A becomes a carrier substrate 10 provided on which in epitaxial steps, the individual layers are deposited in later steps. The carrier substrate 10 For example, it may be a transparent glass substrate. In such a case, the glass substrate also allows mechanical protection and stability of the entire device. In addition, later emitted light can be radiated through the substrate.

Alternativ kann das Trägersubstrat auch mit einer transparenten leitfähigen Elektrode ausgeführt sein. Dies ermöglicht für den späteren Betrieb, eine ausreichend gute Ladungsträgerverteilung zu erreichen und behindert die Lichtabstrahlung nicht. Eine leitfähige transparente Elektrode kann eine Schicht aus einem transparenten leitfähigen Metalloxid enthalten. Dieses Metalloxid kann beispielsweise Indiumdotiertes Zinnoxid beziehungsweise Indium-dotiertes Zinkoxid (ITO) beinhalten.alternative can the carrier substrate also be designed with a transparent conductive electrode. this makes possible for the later Operation, to achieve a sufficiently good charge carrier distribution and does not hinder the light emission. A conductive transparent Electrode can be a layer of a transparent conductive metal oxide contain. This metal oxide may be, for example, indium-doped Tin oxide or indium-doped zinc oxide (ITO) include.

Zur Verbesserung der Leitfähigkeit kann unabhängig von dem verwendeten Material des Trägersubstrates auf der Oberfläche 10a des Substrats eine Vielzahl dünner Leitungsabschnitte aus hoch leitfähigem Metall abgeschieden werden. Die Leiterbahnen verringern einen lateralen Widerstand und verbessern so die laterale Stromverteilung.To improve the conductivity can, regardless of the material used of the carrier substrate on the surface 10a the substrate a plurality of thin line sections of highly conductive metal are deposited. The tracks reduce lateral resistance, improving lateral current distribution.

In diesem Ausführungsbeispiel werden in einem ersten Schritt gemäß 1A mehrere dünne Leitungsabschnitte aus hochleitfähigem Material auf dem Glassubstrat 10 abgeschieden und anschließend ein transparentes leitfähiges Metalloxid aufgebracht. Die Dicke dieses Metalloxids beträgt wenige μm und ist hier nicht dargestellt. Im Bereich 10B ist die Metallisierung etwas dicker ausgeführt, da dies Bereich später die Kontaktierung bildet.In this embodiment, in a first step according to 1A several thin line sections of highly conductive material on the glass substrate 10 deposited and then applied a transparent conductive metal oxide. The thickness of this metal oxide is a few microns and is not shown here. In the area 10B the metallization is made slightly thicker, as this area later forms the contact.

Anschließend wird gemäß 1B eine erste Schicht 20 aus einem organischen Material auf der vorstrukturierten Oberfläche 10A des Trägersubstrates 10 aufgebracht. Die organische Schicht 20 bildet eine Ladungsträgerinjektionsschicht in die später noch abzuscheidenden lichtemittierenden Schichten. Darüber hinaus verringert sie einen Übertrittswiderstand der Ladungsträger zwischen den auf der Oberfläche 10A abgeschie denen Leiterbahnen und den organischen lichtemittierenden Schichten. Dies verringert den Widerstand sowie die Wärmeverluste des Bauelementes insgesamt und erhöht somit die Effektivität. Darüber hinaus dient die Ladungsträgerinjektionsschicht 20 als Begrenzungsschicht für den jeweils anderen Ladungsträger. Mit anderen Worten injiziert die Ladungsträgerinjektionsschicht 20 Ladungsträger von den Leiterbahnen auf der Oberfläche 10A des Trägersubstrates 10 in Richtung der lichtemittierenden Schichten und blockiert eine entsprechende Diffusion der anderen Ladungsträger in Richtung auf die Leiterbahnen auf der Oberfläche 10A.Subsequently, according to 1B a first layer 20 of an organic material on the prestructured surface 10A of the carrier substrate 10 applied. The organic layer 20 forms a charge carrier injection layer in the light emitting layers to be deposited later. In addition, it reduces a transfer resistance of the charge carriers between those on the surface 10A shed those tracks and the organic light-emitting layers. This reduces the resistance as well as the heat losses of the device as a whole and thus increases the effectiveness. In addition, the charge carrier injection layer serves 20 as a boundary layer for the other charge carrier. In other words, the charge carrier injection layer injects 20 Charge carriers from the tracks on the surface 10A of the carrier substrate 10 in the direction of the light-emitting layers and blocks a corresponding diffusion of the other charge carriers in the direction of the conductor tracks on the surface 10A ,

Die Ladungsträgerinjektionsschicht, wie in 1b dargestellt, kann aus einer einzelnen oder aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein. Beispielsweise kann die Ladungsträgerinjektionsschicht eine erste Teilschicht aus 1-TNATA umfassen, auf der eine zweite Teilschicht aus S-TAD aufgebracht ist. Die beiden Teilschichten dienen dem Löchertransport und blockieren einen Elektronentransport in Richtung zur Oberfläche 10A.The charge carrier injection layer, as in 1b can be constructed from a single or multiple sub-layers. For example, the charge carrier injection layer may comprise a first sub-layer of 1-TNATA on which a second sub-layer of S-TAD is applied. The two partial layers serve to transport holes and block electron transport in the direction of the surface 10A ,

Gemäß 1C wird nach dem Aufbringen der Löcherinjektionsschicht 20 eine erste lichtemittierende organische Schicht 30 abgeschieden. Diese umfasst ein Material mit einem Molekül, dessen Struktur durch entsprechende elektronische Bindungsverhältnisse eine Rekombination von Löchern und Elektronen ermöglicht und so zu einer Lichtemission im roten Lichtspektrum führt. Beispielsweise kann die Schicht 30 das Material TMM-04:TER012 beinhalten.According to 1C becomes after application of the hole injection layer 20 a first light-emitting organic layer 30 deposited. This comprises a material with a molecule, the structure of which enables a recombination of holes and electrons through corresponding electronic bonding conditions and thus leads to a light emission in the red light spectrum. For example, the layer 30 the material TMM-04: TER012 include.

Gemäß 1D wird nach dem Aufbringen der Licht im roten Spektrum emittierenden ersten Teilschicht 30 der weitere Herstellungsprozess unterbrochen. Sodann wird eine Strukturie rung dieser Teilschicht 30 vorgenommen. Dies erfolgt durch Bestrahlen der ersten Teilschicht 30 mittels eines Lasers oder eines fokussierten Lichtstrahls. Die Wellenlänge des Lasers beziehungsweise des Lichtstrahls ist derart gewählt, dass innerhalb der Teilschicht 30 die Energie des Lichtstrahls deponiert wird. Dadurch kommt es zu Strukturveränderungen des Materials innerhalb der Teilschicht 30. Im Ausführungsbeispiel werden Teilbereiche 35 und 36 der Teilschicht 30 bestrahlt und dadurch in ihrem molekularen Aufbau verändert. Diese Veränderung verursacht eine Änderung in der Lichtemission.According to 1D is after applying the light in the red spectrum emitting first sub-layer 30 the further manufacturing process was interrupted. Then, a structuring tion of this sub-layer 30 performed. This is done by irradiating the first partial layer 30 by means of a laser or a focused light beam. The wavelength of the laser or the light beam is selected such that within the sub-layer 30 the energy of the light beam is deposited. This leads to structural changes of the material within the sub-layer 30 , In the exemplary embodiment, subregions 35 and 36 the sub-layer 30 irradiated and thereby changed in their molecular structure. This change causes a change in light emission.

Beispielsweise können die Moleküle der Teilschicht 30 in den Teilbereichen 35 oder 36 durch die eingestrahlte elektromagnetische Strahlung thermisch zersetzt werden. Alternativ werden auch nur de Farbzentren des Moleküls zerstört. Dabei lässt sich die thermische Zersetzung beziehungsweise die Veränderung der Molekularstruktur des Materials der Teilschicht 30 in den Teilbereichen 35 oder 36 durch die Bestrahlungszeit sowie die Bestrahlungsstärke einstellen.For example, the molecules of the sublayer 30 in the subareas 35 or 36 by the irradiated electromagnetic radiation ther be mixed decomposed. Alternatively, only the color centers of the molecule are destroyed. In this case, the thermal decomposition or the change in the molecular structure of the material of the partial layer can be 30 in the subareas 35 or 36 Adjust by the irradiation time and the irradiance.

Entsprechend erlaubt die Bestrahlung eine Strukturierung nicht nur hinsichtlich verschiedener Formen und Muster, sondern auch hinsichtlich unterschiedlicher Intensitäten und Farbeindrücke. Beispielsweise kann die Teilschicht 30 in den Bereichen 35 und 36 nur teilweise zerstört beziehungsweise verändert werden, so dass sich die Intensität der Lichtemission im Betrieb des Bauelementes nur entsprechend teilweise und nicht vollständig verringert.Accordingly, the irradiation allows structuring not only in terms of various shapes and patterns, but also in terms of different intensities and color impressions. For example, the sub-layer 30 in the fields of 35 and 36 only partially destroyed or changed, so that the intensity of the light emission during operation of the device only partially correspondingly and not completely reduced.

Zur Strukturierung wird im vorliegenden Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß 1D ein Laserstrahl in der Teilschicht 30 fokussiert und anschließend über die Schicht ge führt, um eine laterale Strukturierung in den Teilbereichen 35 und 36 zu erzeugen.For structuring in the present embodiment of the method according to 1D a laser beam in the sub-layer 30 focused and then leads ge over the layer to a lateral structuring in the sub-areas 35 and 36 to create.

Nach der Strukturierung wird eine zweite Teilschicht 40 auf der ersten Teilschicht 30 aufgebracht. Diese weitere Teilschicht umfasst nunmehr ein organisches Molekül, welches im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums Strahlung emittiert. Als Material hierfür kann beispielsweise 004:LR(ppy)3(15%) verwendet werden.After structuring becomes a second sub-layer 40 on the first sub-layer 30 applied. This further partial layer now comprises an organic molecule which emits radiation in the green region of the electromagnetic spectrum. As the material for this, for example, 004: LR (ppy) 3 (15%) can be used.

Auch für diese Teilschicht 40 wird nach dem entsprechenden Herstellungsprozess eine Strukturierung durchgeführt, indem wiederum Teilbereiche 45 und 46 mit Licht bestrahlt werden. Das Licht wird durch den Laser oder durch ein entsprechendes incohärentes und fokussiertes Licht erzeugt. Hier kann eine andere Wellenlänge als für die Bestrahlung der ersten Teilschicht 30 verwendet werden. Das Licht ist spezifisch auf das Material der Teilschicht 40 abgestimmt, um so die darunter befindliche Teilschicht 30 nicht zu beeinträchtigen. In den Teilbereichen 45 oder 46 wird das organische Molekül der Teilschicht 40 zerstört oder dahin gehend verändert, dass eine Lichtemission blockiert wird.Also for this sub-layer 40 After the corresponding manufacturing process, a structuring is carried out, in turn subdivisions 45 and 46 be irradiated with light. The light is generated by the laser or by a corresponding incoherent and focused light. Here, a different wavelength than for the irradiation of the first sub-layer 30 be used. The light is specific to the material of the sub-layer 40 coordinated so as to the underlying sub-layer 30 not to interfere. In the subareas 45 or 46 becomes the organic molecule of the sublayer 40 destroyed or altered so that a light emission is blocked.

Auf die Teilschicht 40 wird schließlich eine dritte Teilschicht 50 epitaktisch aufgewachsen, die zur Lichtemission im Betrieb im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums dient. Als Material kann hier SEB010/SEB020 eingesetzt werden.On the sub-layer 40 eventually becomes a third sublayer 50 grown epitaxially, which serves for light emission during operation in the blue region of the electromagnetic spectrum. As material SEB010 / SEB020 can be used here.

Schließlich wird auch die dritte Teilschicht 50 durch einen Laser in den Teilbereichen 55 und 56 strukturiert. Dabei liegen die Teilbereiche 55 über den Teilbereichen 35 der ersten Teilschicht 30. Der Teilbereich 56 der dritten Teilschicht 50 liegt über den entsprechenden Teilbereichen 46 und 36 der beiden anderen lichtemittierenden Teilschichten. Mit anderen Worten wird somit im Bereich 55 beziehungsweise 35 das Material der Teilschichten 30 und 50 verändert und somit eine Lichtemission für den blauen und roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums blockiert.Finally, the third sublayer becomes 50 by a laser in the subregions 55 and 56 structured. Here are the subareas 55 over the subareas 35 the first sub-layer 30 , The subarea 56 the third sub-layer 50 lies above the corresponding subareas 46 and 36 the two other light-emitting partial layers. In other words is thus in the field 55 respectively 35 the material of the partial layers 30 and 50 changed and thus blocked a light emission for the blue and red region of the electromagnetic spectrum.

Daher wird im Betrieb des elektronischen Bauelementes in diesen Teilgebieten lediglich die Teilschicht 40 eine elektromagnetische Strahlung emittieren, wodurch sich ein grüner Farbeindruck einstellt. Im Teilbereich 56, 46 und 36 der jeweiligen Teilschichten ist eine Emission durch die selektive Veränderung vollständig ausgeschlossen. Somit wird im Betrieb der Schaltung dieser Bereich dunkel erscheinen. Letztlich ergibt sich für die Teilbereiche 45 ein Farbeindruck, der sich aus dem Spektrum der Teilschichten 30 und 50 ergibt.Therefore, in the operation of the electronic component in these subregions, only the sublayer becomes 40 emit an electromagnetic radiation, which sets a green color impression. In the subarea 56 . 46 and 36 the respective sub-layers emission is completely excluded by the selective change. Thus, during operation of the circuit, this area will appear dark. Ultimately results for the subareas 45 a color impression resulting from the spectrum of the partial layers 30 and 50 results.

Wie in 1G dargestellt, wird nach der Strukturierung der letzten lichtemittierenden Teilschicht 50 eine Elektroneninjektionsschicht 60 epitaktisch abgeschieden. Diese kann zusätzlich den Löchertransport blockieren.As in 1G is shown after the structuring of the last light-emitting partial layer 50 an electron injection layer 60 epitaxially deposited. This can additionally block the hole transport.

Nach dem Aufbringen der Elektroneninjektionsschicht 60 wird auch diese strukturiert. Der Grund für die Strukturierung der Elektroneninjektionsschicht liegt in der starken Leuchtkraft der Teilschichten. Das sich ergebende Gesamtlicht könnte das bei den strukturierten Teilbereichen erzeugte Licht der Teilschichten überstrahlen. Durch die Strukturierung der Elektroneninjektionsschicht 60 wird eine Lichtintensität in diesen Bereichen gemindert, indem die Ladungsträgerinjektion leicht gehemmt wird.After application of the electron injection layer 60 this is also structured. The reason for the structuring of the electron injection layer lies in the strong luminosity of the partial layers. The resulting total light could outshine the light generated by the sublayers in the structured subregions. By structuring the electron injection layer 60 A light intensity in these areas is reduced by slightly inhibiting the carrier injection.

Wegen der vorgesehenen großflächigen Strukturierung kann hier neben einem Laser beziehungsweise einem fokussierten inkohärenten Lichtstrahl auch eine normale Belichtungstechnik eingesetzt werden.Because of the planned large-scale structuring can be next to a laser or a focused incoherent light beam also a normal exposure technique can be used.

Die Strukturierung erfolgt derart, dass die Bereiche 62, welche überhalb der strukturierten Teilbereiche der lichtemittierenden Teilschichten 30 bis 50 liegen, von einer Strukturierung ausgespart werden. Entsprechend werden die lediglich dazwischen angeordneten Teilbereiche 65 in ihrer Molekularstruktur geringfügig geändert.The structuring takes place in such a way that the areas 62 , which are above the structured sections of the light-emitting partial layers 30 to 50 be left out from structuring. Accordingly, the only interposed subregions 65 slightly changed in their molecular structure.

Diese Änderung erfolgt derart, dass eine Ladungsträgerinjektion wie erwähnt nicht vollständig behindert, sondern gegenüber den Teilbereichen 62 lediglich verschlechtert wird. Dadurch wird in den Teilbereichen 65 eine geringere Elektrodenanzahl in den darunter liegenden lichtemittierenden Schichten injiziert und somit die Lichtausbeute verringert. Mit anderen Worten zeigt das optoelektronische Bauelement in den Teilbereichen 65 aufgrund der Strukturierung eine geringere Lichtintensität als das Bauelement ohne Strukturierung in den Teilbereichen 65 zeigen würde. Dies führt im vorliegenden Ausführungsbeispiel dazu, dass das in den Teilbereichen 65 erzeugte weiße Licht eine geringere Intensität aufweist. Dadurch tritt das farbige Licht, welches durch die entsprechende Strukturierung der Teilschichten 30 bis 50 erzeugt wird, im Betrieb stärker hervor.This change takes place in such a way that, as mentioned, a charge carrier injection does not completely obstruct, but with respect to the subregions 62 only worsened. This will be in the subareas 65 injected a smaller number of electrodes in the underlying light-emitting layers and thus reduces the light output. In other words, the optoelectronic component in the partial areas 65 due to the structuring a lower light intensity than the Bauele ment without structuring in the subareas 65 would show. This leads in the present embodiment to the fact that in the sub-areas 65 generated white light has a lower intensity. As a result, the colored light, which by the corresponding structuring of the sub-layers occurs 30 to 50 is produced in the operation outlined.

Die Strukturierung der Teilbereiche 65 kann durch eine entsprechende Schattenmaske erzeugt werden, indem nach Aufbringen einer Maskenschicht auf der Teilschicht 60 diese Teilschicht mit einer elektromagnetischen Strahlung bestrahlt wird. Deren Intensität ist von der gewünschten Veränderung des Materials in der Teilschicht 60 abhängig.The structuring of the subareas 65 can be generated by a corresponding shadow mask by applying a mask layer on the sub-layer 60 this sub-layer is irradiated with electromagnetic radiation. Their intensity is of the desired change in the material in the sub-layer 60 dependent.

Anschließend wird gemäß 1H die Maske entfernt und eine Kontaktschicht 70 auf der Elektroneninjektionsschicht 60 abgeschieden. Diese dient zur Kontaktierung der darunter liegenden Elektroneninjektionsschicht.Subsequently, according to 1H removed the mask and a contact layer 70 on the electron injection layer 60 deposited. This serves for contacting the underlying electron injection layer.

Zur Kontaktierung der Löcherinjektionsschicht 20 wird in einem nächsten Verfahrensschritt gemäß 1I im linken Teilbereich des optoelektronischen Bauelementes ein Graben 80 geätzt, der sich durch die Schichten 30 bis 70 hindurch bis hin zum Bereich 10B erstreckt. Somit erreicht er die Löcherinjektionsschicht 20 beziehungsweise die darunter liegende gimmemetallische drahtige Gitterlage auf der Oberfläche 10A des Trägersubstrats. Der Graben 80 wird anschließend an den Seitenwänden 81 mit einem Oxid versehen, um einen Kurzschluss des elektronischen Bauelements zu verringern. Anschließend wird der Graben mit dem leitenden Material 82 aufgefüllt. Somit erfolgt eine Kontaktierung auf der rückwärtigen Seite über die Kontaktschicht 70 und den im Graben 80 ausgebildeten Kontakt 82.For contacting the hole injection layer 20 is in a next step according to 1I in the left part of the optoelectronic component a trench 80 etched through the layers 30 to 70 through to the area 10B extends. Thus it reaches the hole injection layer 20 or the underlying gimme- metallic wiry grid layer on the surface 10A of the carrier substrate. The ditch 80 will be next to the side walls 81 provided with an oxide to reduce a short circuit of the electronic component. Subsequently, the trench with the conductive material 82 refilled. Thus, contacting takes place on the rear side via the contact layer 70 and in the ditch 80 trained contact 82 ,

In weiter nachfolgenden Schritten wird das optoelektronische Bauelement versiegelt und mit transparenten Schutzschichten umgeben. Weitere Maßnahmen zur Kontaktierung oder zur Strukturierung können diesbezüglich ebenso vorgesehen werden.In Further subsequent steps will be the optoelectronic component sealed and surrounded with transparent protective layers. Further measures for contacting or structuring can in this regard as well be provided.

2 zeigt eine Draufsicht des fertigen Bauelementes, wobei die Schnittlinie I-I' die Querschnittsansicht der 1A bis 1I darstellt. Im vorliegenden Beispiel wurde das optoelektronische Bauelement mit den Buchstaben ”OSRAM” strukturiert. Die Strukturierung erfolgte gemäß dem vorangegange nen Verfahren derart, dass die verschiedenen farbigen Teilschichten unterschiedlich strukturiert wurden. Daraus ergibt sich im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes gemäß 2 ein unterschiedlicher Farbeindruck. 2 shows a plan view of the finished device, wherein the section line II ', the cross-sectional view of 1A to 1I represents. In the present example, the optoelectronic component was structured with the letters "OSRAM". The structuring was carried out according to the preceding method such that the different colored partial layers were structured differently. This results in the operation of the optoelectronic component according to 2 a different color impression.

Im Bereich 711 stellt sich ein Farbeindruck durch eine Kombination der Lichtemission aller lichtemittierenden Teilschichten 30 bis 50 ein. Hierbei ist zu berücksichtigen, dass aufgrund der Strukturierung der Elektroneninjektionsschicht 60 in den Teilbereichen 65 die Lichtintensität des durch die Kombination erzeugten weißen Lichts stark herabgesetzt ist.In the area 711 a color impression arises through a combination of the light emission of all light-emitting partial layers 30 to 50 one. It should be noted that due to the structuring of the electron injection layer 60 in the subareas 65 the light intensity of the white light generated by the combination is greatly reduced.

Im Bereich 51 und 52, der den Buchstaben ”0” und ”S” entspricht, leuchtet das Bauelement im grünen Spektrum. Dies erfolgt aufgrund der Strukturierung der Teilbereiche 35 und 55 der rot und blau emittierenden Teilschichten 30 und 50. Da eine Lichtemission in diesen Teilbereichen im roten und blauen Spektrum unterdrückt ist, ergibt sich für den Betrachter der grüne Farbeindruck. Im Bereich 61, entsprechend dem Buchstaben ”R”, wurde das Material in den lichtemittierenden Teilschichten 30 bis 50 zerstört, so dass hier keine Lichtemission stattfindet. Entsprechend erscheint der Buchstabe ”R” dunkel. Der Farbeindruck für die Buchstaben ”A” und ”M” in den Bereichen 41 und 42 folgt aus einer Kombination des roten Spektrums emittiert in der Teilschicht 30 und des blauen Spektrums, emittiert in der Teilschicht 50. Die entsprechenden Bereiche 41 und 42 korrespondieren zu den Bereichen 45 in der Teilschicht 40 gemäß den 1E bis 1I. Im Betrieb leuchtet folglich das Bauelement leicht weiß, die Buchstaben ”0” und ”S” grün, der Buchstabe ”R” ist dunkel sowie die Buchstaben ”A” und ”M” in einer Kombination von rot und blau.In the area 51 and 52 corresponding to the letters "0" and "S", the device is lit in the green spectrum. This is due to the structuring of the subareas 35 and 55 the red and blue emitting sublayers 30 and 50 , Since a light emission in these subregions is suppressed in the red and blue spectrum, the viewer gets the green color impression. In the area 61 , corresponding to the letter "R", the material became in the light-emitting sublayers 30 to 50 destroyed, so that there is no light emission here. Accordingly, the letter "R" appears dark. The color impression for the letters "A" and "M" in the areas 41 and 42 follows from a combination of the red spectrum emitted in the sublayer 30 and the blue spectrum emitted in the sub-layer 50 , The corresponding areas 41 and 42 correspond to the areas 45 in the sub-layer 40 according to the 1E to 1I , In operation, therefore, the component lights up slightly white, the letters "0" and "S" green, the letter "R" is dark and the letters "A" and "M" in a combination of red and blue.

Mit dem vorgeschlagenen Verfahren können somit unterschiedliche Farbeindrücke bei einer weißen Leuchtdiode hervorgerufen werden. Entsprechend sind Schriftzüge, Bilder, Formen oder Muster in unterschiedlichen Intensitäten und Farben herstellbar. Dabei können kleine und filigrane Strukturen ebenso hergestellt werden wie großflächige Formen. Zu diesem Zweck wird der Herstellungsprozess, insbesondere der epitaktische Abscheideprozess an geeigneter Stelle unterbrochen und eine Strukturierung des Materials der jeweiligen zuletzt abgeschiedenen Schicht vorgenommen.With the proposed method can thus different color impressions in a white one LED are caused. Accordingly, lettering, pictures, Shapes or patterns in different intensities and colors can be produced. It can small and filigree structures are produced as well as large-scale forms. To For this purpose, the manufacturing process, in particular the epitaxial Separation process interrupted at a suitable location and structuring the Material of each last deposited layer made.

Dabei ist die Strukturierung nicht auf eine Teilschicht als solche beschränkt. Vielmehr kann eine Strukturierung bis hin zu einzelnen Monolagen einer Teilschicht erfolgen, so dass auch hier eine unterschiedliche Intensitätsverteilung über das Bauelement erreichbar ist. 4A bis 4C zeigen ein entsprechendes Ausführungsbeispiel für ein derartiges Herstellungsverfahren.The structuring is not limited to a sub-layer as such. Rather, a structuring can take place down to individual monolayers of a partial layer, so that a different intensity distribution over the component can also be achieved here. 4A to 4C show a corresponding embodiment of such a manufacturing method.

Auf einem Trägersubstrat 100, auf dem eine Kontaktierung aufgebracht ist, werden unter anderem eine oder mehrere Ladungsinjektionsschichten und Ladungstransportschichten 200 abgeschieden. Auf dieser wird nunmehr eine erste Monolage 100 eines Materials epitaktisch aufgewachsen. Ein derartiges Abscheiden beziehungsweise Aufwachsen einer Monolage kann durch eine entsprechende Einstellung der Prozessparameter und durch Selbstorganisation des Materials erfolgen.On a carrier substrate 100 on which a contacting is applied, inter alia, one or more charge injection layers and charge transport layers 200. deposited. On this is now a first monolayer 100 of a material epitaxially grown. Such deposition or growth of a monolayer can be achieved by an appropriate setting process parameters and by self-organization of the material.

Anschließend wird gemäß 4B eine weitere Monolage 302 auf der ersten Monolage angeordnet. Diese enthalten jeweils das gleiche Material. Sodann wird der Herstellungsprozess gestoppt und diese Monolage mittels elektromagnetischer Strahlung in Teilbereichen 302 bestrahlt. Dadurch erfolgt eine Veränderung des Materials einer einzelnen Monolage in einer lichtemittierenden Schicht. Die Intensität der lichtemittierenden Schicht wird damit an dieser Stelle verändert.Subsequently, according to 4B another monolayer 302 arranged on the first monolayer. These each contain the same material. Then the manufacturing process is stopped and this monolayer by means of electromagnetic radiation in some areas 302 irradiated. This results in a change of the material of a single monolayer in a light-emitting layer. The intensity of the light-emitting layer is thus changed at this point.

Durch die Strukturierung bis hin zu einer Monolage können sehr leichte und filigrane Intensitätsverteilungen innerhalb des optoelektronischen Bauelementes erzeugt werden. Nach dem Abscheiden der Monolage 302 und der Strukturierung in den Bereichen 302' werden weitere Monolagen 300' aufgebracht, um die lichtemittierende Gesamtschicht zu bilden. Der Herstellungsprozess kann an verschiedener Stelle während des epitaktischen Aufwachsens der lichtemittierenden Schicht gestoppt werden, um weitere Strukturierungen vorzunehmen. Als Beispiel ist hierfür auf der letzten Monolage der Bereich 303 gezeigt, in dem durch eine elektromagnetische Strahlung das Material der Monolage chemisch zersetzt wurde, um eine Lichtemission in diesem Bereich zu unterbinden.By structuring to a monolayer very light and filigree intensity distributions can be generated within the optoelectronic device. After separating the monolayer 302 and structuring in the areas 302 ' become more monolayers 300 ' applied to form the total light-emitting layer. The manufacturing process may be stopped at various points during the epitaxial growth of the light-emitting layer in order to carry out further structuring. As an example, this is the area on the last monolayer 303 in which the material of the monolayer was chemically decomposed by electromagnetic radiation in order to prevent light emission in this area.

Gemäß 4C wird nach dem Abschluss der Strukturierung und des Abscheidens der lichtemittierenden Schicht die Elektroneninjektionsschicht 400 aufgewachsen und das Bauelement weiter verarbeitet.According to 4C After completion of patterning and deposition of the light emitting layer, the electron injection layer becomes 400 grown up and processed the component further.

Die Strukturierung der einzelnen Schichten bis hin zu einer Monolage beziehungsweise einzelner Teilschichten innerhalb einer Schicht erlaubt es, verschiedene Lichtintensitäten sowie Farbeindrücke zu erzeugen. Dabei ist die Strukturierung nicht auf die lichtemittierenden Schichten begrenzt. Insbesondere können auch die Löcherinjektions- beziehungsweise Elektroneninjektions- und die jeweiligen Transportschichten strukturiert werden. Dabei wird durch die zugeführte elektromagnetische Strahlung das Material hinsichtlich seiner molekularen Struktur verändert, so dass sich seine elektrischen Eigenschaften ebenfalls ändern. Die Veränderung kann bis zu einer vollständigen Zerstörung des Moleküls reichen. Entsprechend wird durch die Veränderung ein Ladungsträgertransport verändert beispielsweise erschwert oder eine Lichtemission unterbunden. Durch Änderung der Bestrahlungsintensität und Bestrahlungsdauer kann die Stärke der Veränderung gesteuert werden.The Structuring the individual layers up to a monolayer or individual sub-layers within a layer allows to create different light intensities as well as color impressions. The structuring is not on the light-emitting layers limited. In particular, you can also the hole injection or electron injection and the respective transport layers be structured. It is characterized by the supplied electromagnetic radiation changed the material in terms of its molecular structure, so that its electrical properties also change. The change can be up to a full one destruction of the molecule pass. Accordingly, the change is a charge carrier transport changed For example, more difficult or prevented a light emission. By changing the radiation intensity and irradiation time, the magnitude of the change can be controlled.

3 zeigt ein System für eine Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Hierbei ist auf einem beweglichen Positionstisch 800 ein optoelektronisches Halbleiterelement 1 in verschiedenen Herstellungsstadien fixiert. Das Halbleiterelement 1 kann Bestandteil eines großflächigen Wafers sein, auf dem eine Vielzahl von Halbleiterelementen angeordnet ist. Auch kann der Positionstisch 800 Teil einer Fertigungsstraße sein. Die zu strukturierenden Elemente fahren dann langsam unter der Strukturierungsvorrichtung hindurch. Dadurch lassen sich großflächige organische Halbleiterelemente auf einfache Weise strukturieren, als auch kleine filigrane Strukturen herstellen. Die Halterung 800 ist bezüglich der x- und der z-Richtung senkrecht zur Zeichenebene frei bewegbar. Eine Bewegung der Halterung 800 erfolgt beispielsweise über piezzoelektrische Elemente, sofern kleine Strukturen hergestellt werden sollen. Im Falle einer Erzeugung großflächiger Strukturen können anstatt der piezzoelektrischen Motoren auch Schrittmotoren eingesetzt werden. Zur Steuerung der Bewegung sind die Verschiebeelemente der Halterung 800 an einen Computer 900 und eine dazugehörige Steuerungsvorrichtung angeschlossen. 3 shows a system for the production of an optoelectronic device according to the proposed principle. This is on a moving position table 800 an optoelectronic semiconductor element 1 fixed at various stages of production. The semiconductor element 1 may be part of a large-area wafer, on which a plurality of semiconductor elements is arranged. Also, the position table can 800 Be part of a production line. The elements to be structured then move slowly under the structuring device. As a result, large-area organic semiconductor elements can be structured in a simple manner, as well as produce small filigree structures. The holder 800 is freely movable with respect to the x and z directions perpendicular to the plane of the drawing. A movement of the holder 800 takes place, for example, via piezzoelectric elements, if small structures are to be produced. In the case of large-scale structures, stepper motors can also be used instead of piezzoelectric motors. To control the movement, the sliding elements of the holder 800 to a computer 900 and an associated control device connected.

Das System weist ferner eine zweite Positioniereinrichtung 700 auf, welche in Wirkverbindung mit einer Laservorrichtung 600 steht. Die Laservorrichtung 600 beweglich an der Positioniereinrichtung 700 befestigt, so dass die Laservorrichtung ebenfalls in x- und in y-Richtung bewegbar ist. Zusammen mit der beweglichen Positioniereinrichtung 800 ist so eine große Flexibilität erreichbar, die unterschiedlichste Strukturierungen erlaubt. Alternativ kann die Laservorrichtung auch in verschiedene Richtungen geschwenkt werden. Die Laservorrichtung umfasst beispielsweise eine Neodyn:YAG-Laser zur Erzeugung von Licht im infraroten beziehungsweise über Frequenzverdoppelung im sichtbaren Bereich des elektromagnetischen Spektrums.The system further includes a second positioning device 700 which is in operative connection with a laser device 600 stands. The laser device 600 movable on the positioning device 700 fixed so that the laser device is also movable in the x and y directions. Together with the movable positioning device 800 So a great flexibility is achievable, which allows a wide variety of structuring. Alternatively, the laser device can also be pivoted in different directions. The laser device comprises, for example, a neodyn: YAG laser for generating light in the infrared or via frequency doubling in the visible range of the electromagnetic spectrum.

Auch andere Laserarten, beispielsweise Diodenlaser, Helium-Neon-Laser oder durchstimmbare Farbstoff-Laser können zum Einsatz kommen. Alternativ kann auch ein kohärenter fokussierter Lichtstrahl verwendet werden.Also other laser types, such as diode lasers, helium-neon lasers or tunable dye lasers can be used. Alternatively, a coherent focused light beam can also be used be used.

Durch die nicht dargestellte Schwenkvorrichtung bzw. Bewegungseinrichtung kann der Laser und damit auch der Laserstrahl über das Bauelement 1 geführt werden, um die oberste darauf abgeschiedene Schicht zu strukturieren. Hierzu kann zudem eine Optik 500 eingesetzt werden, die zwischen dem Halbleiterelement 1 und dem Laser 600 angeordnet ist. Dadurch kann ein Fokus des Lasers exakt auf einzelne Teilschichten und Teilbereiche des Halbleiterelementes gelenkt werden.By not shown pivoting device or movement device, the laser and thus also the laser beam on the device 1 to structure the topmost layer deposited thereon. This can also have an appearance 500 be inserted between the semiconductor element 1 and the laser 600 is arranged. As a result, a focus of the laser can be directed precisely to individual partial layers and partial regions of the semiconductor element.

Die vom Lasersystem 600 beziehungsweise von einem incohärenten fokussierten Lichtstrahl erzeugte thermische Erwärmung führt zu einer selektiven Veränderung beziehungsweise Zerstörung des Materials der entsprechenden Schicht. Dadurch zeigen diese im Betrieb des Halbleiterelementes beispielsweise keine Elektrolumineszenz mehr oder verhindern beziehungsweise Blockieren den Ladungsträgertransport. Somit lassen sich im Be trieb sichtbare Strukturen im Halbleiterelement erzeugen. Während der Strukturierung wird das Lasersystem 600 beziehungsweise ein entsprechendes Lichtsystem abhängig von der gewünschten Leistung beziehungsweise der vorzunehmenden Strukturierung in unterschiedlichen Intensitäten beziehungsweise Bestrahlungsdauern verwendet. Zudem kann das Lasersystem 600 oder auch das Lichtsystem in einer gepulsten beziehungsweise einer kontinuierlichen Betriebsart verwendet werden. Die in der Schicht deponierte Energie führt zu der chemischen Umwandlung der Materialmoleküle.The laser system 600 or by an incoherent focused light beam generated thermal heating leads to a selective change or destruction of the Materials of the corresponding layer. As a result, during operation of the semiconductor element, for example, they no longer show any electroluminescence or prevent or block the charge carrier transport. Thus, visible structures can be produced in the semiconductor element during operation. During structuring, the laser system becomes 600 or a corresponding light system used depending on the desired power or the structuring to be carried out in different intensities or irradiation periods. In addition, the laser system 600 or the light system can be used in a pulsed or continuous mode. The energy deposited in the layer leads to the chemical transformation of the material molecules.

Dem zufolge kann eine Strukturierung des Halbleiterelementes einerseits über eine Bewegung des Lasers 400, aber auch über eine Bewegung des Positionstisches 800 beziehungsweise eine Kombination aus beiden erzeugt werden.According to a structuring of the semiconductor element on the one hand via a movement of the laser 400 , but also about a movement of the position table 800 or a combination of both are generated.

Daneben besteht die Möglichkeit, die Optik 500 durch eine bewegliche Spiegeloptik zu ersetzen, welche beispielsweise durch piezzoelektrische Elemente betrieben werden kann. Dadurch ist eine besonders schnelle Ausrichtung des Licht- beziehungsweise Laserstrahls möglich. Somit lassen sich besonders schnell großflächige Strukturen auf dem Halbleiterelement 1 realisieren, wobei die Steuerung durch den Computer 900 erfolgt.In addition, there is the possibility of optics 500 be replaced by a movable mirror optics, which can be operated for example by piezzoelectric elements. As a result, a particularly fast alignment of the light or laser beam is possible. Thus, large-area structures on the semiconductor element can be particularly quickly 1 Realize the control by the computer 900 he follows.

Darüber hinaus kann eine Strukturierung insbesondere großflächiger Formen oder Muster auch durch eine abbildende Optik erfolgen. In einem Ausführungsbeispiel wird die Optik 500 mit einer die gewünschte Struktur zeigenden Schattenmaske ausgestattet. Ein Abbild der Schattenmaske wird dann mit Hilfe einer zusätzlichen Optik auf das Halbleiterelement 1 und im Besonderen auf die zu strukturierende Schicht fokussiert.In addition, structuring, in particular large-area shapes or patterns, can also take place by means of an imaging optic. In one embodiment, the optics 500 equipped with a desired structure showing shadow mask. An image of the shadow mask is then applied to the semiconductor element with the aid of additional optics 1 and in particular focused on the layer to be structured.

Mit dem vorgeschlagenen Prinzip wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes vorgestellt, bei welcher durch eine Wachstumsunterbrechung und eine anschließende Strukturierung der kurz zuvor gewachsenen Schicht verschiedene gewünschte Formen und Muster erzeugt werden. Dabei kann prinzipiell nach jeder Schicht und innerhalb einer Schicht auch nach jeder Monolage eine lokal unterschiedliche Strukturierung erfolgen. Eine komplette Zerstörung des bestrahlten und thermisch beeinflussten Materials in dem Bereich der jeweiligen Schicht ist dabei nicht zwingend erforderlich. Durch Intensitätsveränderung des Licht- beziehungsweise Laserstrahls kann auch nur ein Teil der Moleküle einer Schicht beeinflusst werden. Die von dem Lichtstrahl beziehungsweise Laserstrahl deponierte Energie wird als Aktivierungsenergie angesehen, wodurch das Molekül des Materials seine elektrischen Eigenschaften verändert. Diese Änderung kann vom Aufbrechen einzelner Molekülverbindungen bis hin zu einer fast vollständigen Zersetzung des Moleküls reichen. Auf diese Weise lässt sich sowohl der Farbeindruck lateral graduell verändern als auch unterschiedliche Formen und Muster erzeugen. Bei einer Erzeugung einer lichtemittierenden Schichtenfolge mit jeweils unterschiedlichen Wellenlängen kann somit durch eine Strukturierung des Materials einzelner Teilschichten der Schichtenfolge ein farbiges Muster erzeugt werden.With The proposed principle is a method for producing a Optoelectronic device presented, in which by a growth interruption and a subsequent structuring the layer grown just before, various desired shapes and patterns are generated. It can in principle after each shift and within one shift even after each monolayer one locally different structuring done. A complete destruction of the irradiated and thermally affected material in the area the respective layer is not mandatory. By intensity change The light or laser beam can also only part of the molecules of a shift. The of the light beam respectively Laser-deposited energy is considered activation energy causing the molecule the material changes its electrical properties. This change can be from the breaking up of single molecule compounds to a almost complete Decomposition of the molecule pass. That way Both the color impression laterally change gradually as well create different shapes and patterns. In a generation a light-emitting layer sequence with respectively different ones Wavelengths can thus by structuring the material of individual partial layers the layer sequence a colored pattern are generated.

Das vorliegende Verfahren eignet sich sehr gut für so genannte Inline-Prozessierung, bei der schon direkt im Aufdampfbereich beispielsweise durch angebrachte Fenster oder Lichtquellen direkt im Vakuum eine Bestrahlung erfolgt. Insbesondere ist diese vor einer Verkapselung des Bauelementes möglich.The present method is very well suited for so-called in-line processing, at the directly in the vapor-deposition, for example, by attached Windows or light sources directly in a vacuum irradiation takes place. In particular, this is possible before encapsulation of the component.

Claims (17)

Verfahren zur Herstellung eines strukturierten optoelektronischen Bauelements, umfassend: – Bereitstellen eines Trägersubstrats; – Abscheiden einer ersten Ladungsträgerinjektionsschicht; – Epitaktisches Abscheiden wenigstens einer strahlungsemittierenden Schicht; – Abscheiden einer zweiten Ladungsträgerinjektionsschicht; – Strukturieren zumindest einer Schicht aus der ersten und zweiten Ladungsträgerinjektionsschichten und der wenigstens einen strahlungsemittierenden Schicht durch Bestrahlen der Schicht mit einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die zumindest eine Schicht ein Material aufweist, dessen Eigenschaften sich unter elektromagnetischer Bestrahlung verändern.Process for the preparation of a structured optoelectronic Component comprising: - Provide a carrier substrate; - Separate a first carrier injection layer; - Epitaxial Depositing at least one radiation-emitting layer; - Separate a second carrier injection layer; - Structure at least one layer of the first and second charge carrier injection layers and the at least one radiation-emitting layer by irradiation the layer with electromagnetic radiation, in which the at least one layer comprises a material whose properties change under electromagnetic radiation. Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem für das Strukturieren das Abscheiden unterbrochen und nach dem Strukturieren fortgesetzt wird zum Erzeugen der entsprechenden Schicht.The method of claim 1, wherein for structuring the deposition is interrupted and continued after structuring is used to generate the corresponding layer. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem die zumindest eine Schicht eine erste und wenigstens eine zweite Teilschicht aufweist und zumindest die erste Teilschicht durch Bestrahlen strukturiert wird.The method according to any one of claims 1 to 2, in which the at least one layer has a first and at least a second sub-layer and at least the first sub-layer is structured by irradiation. Das Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die erste Teilschicht durch Abscheiden einer Monolage des Materials gebildet wird.The method of claim 3, wherein the first Partial layer formed by depositing a monolayer of the material becomes. Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Strukturieren der zumindest einen Schicht nach dem Abscheiden der Schicht und vor dem Abscheiden einer darauf angeordneten Schicht erfolgt.The method of claim 1, wherein structuring the at least one layer after depositing the layer and before depositing it ner arranged thereon layer takes place. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Material ein Molekül umfasst, welches durch das Bestrahlen mit elektromagnetischer Bestrahlung zersetzt wird.The method according to any one of claims 1 to 5, in which the material comprises a molecule which passes through the Irradiation with electromagnetic radiation is decomposed. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Material ein organisches Molekül umfasst.The method according to any one of claims 1 to 6, in which the material comprises an organic molecule. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem ein Strukturieren durch Bestrahlen mit verschiedenen Strahlintensitäten durchgeführt wird.The method according to any one of claims 1 to 7, in which structuring by irradiation with different beam intensities carried out becomes. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem das Bestrahlen der Schicht mit einem Laser erfolgt.The method according to any one of claims 1 to 8, in which the irradiation of the layer takes place with a laser. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Bestrahlen der Schicht mit einer elektromagnetischen Strahlung umfasst: – Bestrahlen wenigstens eines Teilbereichs der Schicht, wobei das Material des Teilbereichs über seine gesamte Dicke hinweg durch das Bestrahlen strukturell verändert wird.The method according to any one of claims 1 to 9, in which the irradiation of the layer with an electromagnetic Radiation includes: - Irradiate at least a portion of the layer, wherein the material of the Subsection about his Whole thickness is structurally changed by the irradiation. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die wenigstens eine strahlungsemittierende Schicht eine Vielzahl von strahlungsemittierende Teilschichten umfasst, die in einem Betrieb des Bauelements Licht unterschiedlicher Wellenlänge emittieren.The method according to any one of claims 1 to 10, wherein the at least one radiation-emitting layer a Variety of radiation-emitting sub-layers includes, in emit light of different wavelength to an operation of the device. Anordnung zur Strukturierung eines elektrolumineszenten, organischen Halbleiterelements, umfassend: – einen Positioniereinrichtung mit einer Aufnahmevorrichtung für wenigstens ein elektrolumineszentes, organisches Halbleiterelement; – eine Haltevorrichtung mit einem Lichtmittel zur Abgabe eines gerichteten Lichtstrahls; wobei die Positioniereinrichtung und/oder die Haltevorrichtung beweglich ausgeführt und ausgestaltet ist, den Lichtstrahls über das wenigstens eine elektrolumineszente, organische Halbleiterelement zu führen, und ein Fokuspunkt des gerichteten Lichtstrahls in einer Schicht des organischen Halbleiterelements liegt zum selektiven Zerstören von Teilbereichen der Schicht mittels thermischer Einwirkung.Arrangement for structuring an electroluminescent, organic semiconductor element, comprising: - A positioning with a receiving device for at least one electroluminescent, organic semiconductor element; - A holding device with a light source for emitting a directed light beam; in which the positioning device and / or the holding device movable accomplished and is configured to direct the light beam across the at least one electroluminescent, lead organic semiconductor element, and a focal point of the directed light beam in a layer of the organic semiconductor element lies to selective destruction of subregions of the layer by means of thermal action. Anordnung nach Anspruch 12, bei dem das Lichtmittel eine Laservorrichtung aufweist.Arrangement according to claim 12, wherein the light means a laser device. Anordnung nach Anspruch 13, bei dem ein Neodym:YAG Laser mit Licht im Infraroten Spektrum oder im grünen Spektrum vorgesehen ist.Arrangement according to claim 13, wherein a neodymium: YAG Laser with light in the infrared spectrum or in the green spectrum is provided. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem die Positioniereinrichtung im Wesentlichen senkrecht zum Lichtstrahl entlang zweier Richtungen beweglich angeordnet ist.Arrangement according to one of claims 12 to 14, wherein the Positioning device substantially perpendicular to the light beam is movably arranged along two directions. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, umfassend weiter eine Ablenkeinrichtung mit einer Fokussiereinrichtung umfasst zum Fokussieren des gerichteten Lichtstrahls auf die Schicht des organischen Halbleiterelements.Arrangement according to one of claims 12 to 15, further comprising a deflection device with a focusing device comprises for Focusing the directed light beam on the layer of the organic Semiconductor element. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, bei dem die die Ablenkeinrichtung wenigstens einen bewegbare Spiegelvorrichtung umfasst durch die der Fokuspunkt des gerichteten Lichtstrahls abgelenkt wird.Arrangement according to one of claims 12 to 16, wherein the the deflection device at least one movable mirror device includes deflected by which the focus point of the directed light beam becomes.