-
Stand der Technik
-
Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils
mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten
Membran, die eine Kaverne überspannt, und mit mindestens
einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung zu
der Kaverne, wobei zumindest eine erste Membranschicht und die Kaverne
von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen
Halbleitersubstrat erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung
von der Substratrückseite ausgehend in einem anisotropen Ätzschritt
erzeugt wird.
-
Des
Weiteren betrifft die Erfindung ein derartiges Bauteil, das als
Sensorelement zur Relativdruckmessung eingesetzt wird.
-
Es
ist bekannt, mikromechanische Sensorelemente mit Membranen zur Relativdruckmessung einzusetzen.
Für diese Anwendung muss die Membran, die meist in der
Bauteiloberfläche ausgebildet ist, beidseitig zugänglich
sein. In der Praxis wird die Membran derartiger mikromechanischer
Sensorelemente deshalb häufig von der Waferrückseite
ausgehend freigelegt. Dazu werden volumenmikromechanische Verfahren
eingesetzt, wie z. B. KOH-Ätzen. Dabei entstehen relativ
große Ausnehmungen, die für die Größe
des Sensorelements mitbestimmend sind.
-
In
den deutschen Patentanmeldungen
DE 100 32 579 A1 ,
DE 10 2004 036 035 A1 und
DE 10 2004 036 032
A1 werden Verfahren beschrieben, die auch unter dem Begriff
APSM (Advanced Porous Silicon Membrane)-Technologie bekannt sind.
Mit diesen Verfahren können beispielsweise Sensorelemente
zur Absolutdruckmessung mit sehr kleiner Chipfläche und
sehr genauen Herstellungstoleranzen gefertigt werden. Diese Verfahren
lassen sich relativ einfach realisieren und sind dementsprechend kostengünstig.
Da die APSM-Technologie außerdem CMOS-kompatibel ist, lassen
sich auch Schaltungselemente einer Auswerteschaltung und insbesondere Widerstände
zur piezoresistiven Signalerfassung einfach auf dem Sensorelement
integrieren.
-
Gemäß dem
aus der
DE 100 32
579 A1 bekannten Verfahren wird mit Hilfe eines Ätzmediums, das
die maskierte Oberfläche eines monolithischen Siliziumsubstrats
angreift, ein erster poröser Schichtbereich im Substrat
erzeugt, der an die Substratoberfläche angrenzt. Die Ausdehnungsgeschwindigkeit der
Poren lässt sich durch Anlegen eines elektrischen Feldes
zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substrats und durch
geeignete Einstellung der elektrischen Feldstärke während
des Ätzangriffs beeinflussen. Durch Erhöhen der
elektrischen Feldstärke wird unterhalb des ersten Schichtbereichs
ein zweiter poröser Schichtbereich erzeugt, dessen Porosität
größer ist als die Porosität des ersten
Schichtbereichs. In einem anschließenden Temperschritt ordnen
sich die Poren im zweiten Schichtbereich so um, dass eine einzige
große Pore, d. h. eine Kaverne, unterhalb des ersten Schichtbereichs
entsteht. Zumindest die Poren auf der Oberseite des ersten Schichtbereichs
werden durch die Temperung weitgehend verschlossen. Dadurch ist
es möglich, auf diesem ersten Schichtbereich eine weitgehend
monokristalline Siliziumschicht als Membranschicht abzuscheiden,
in die dann einfach elektrische Schaltungselemente, wie z. B. Widerstände,
zur Signalerfassung und -auswertung integriert werden können.
-
Gemäß den
aus der
DE 10
2004 036 035 A1 und
DE 10 2004 036 032 A1 bekannten Verfahren wird
in einem Halbleiterträger ein erster Bereich mit einer
ersten Dotierung erzeugt, der die Kaverne unter der zu erzeugenden
Membran bilden soll. Über diesem ersten Bereich wird ein
gitterförmiger Bereich mit einer zweiten Dotierung erzeugt,
der als Stabilisierungselement für die zu erzeugenden Membran dient.
In einer ersten Verfahrensvariante wird dann der erste Bereich durch
die Gitteröffnungen des Stabilisierungselements hoch porös
geätzt. Aufgrund der unterschiedlichen Dotierungen wird
das Stabilisierungselement dabei praktisch nicht angegriffen. Danach
wird der Halbleiterträger mit einer Epitaxieschicht versehen.
Diese wächst im Wesentlichen auf der Gitterstruktur des
Stabilisierungselements auf, wobei das Wachstum sowohl in vertikaler
als auch in lateraler Richtung erfolgt, so dass sich die Gitteröffnungen
schließen. Das hoch poröse Halbleitermaterial
des ersten Bereichs lagert sich während dem Aufwachsvorgang
oder während eines Temperschritts zu einer großen
Pore bzw. einer Kaverne unter der idealerweise monokristallinen
Epitaxieschicht um, die dann als Membranschicht fungiert. In einer zweiten
Verfahrensvariante wird das Halbleitermaterial des ersten Bereichs
noch vor dem Erzeugen der Epitaxieschicht vollständig herausgelöst.
-
Da
die an die Kaverne angrenzenden Membranschichten hier oftmals prozessbedingt
aus demselben Material bestehen wie das Substrat, nämlich aus
monokristallinem Silizium, erweist sich eine nachträgliche
Strukturierung der Substratrückseite, beispielsweise zum
Erzeugen einer Zugangsöffnung zur Kaverne, als problematisch.
In diesem Fall sind besondere Maßnahmen zum Schutz der
Membranstruktur erforderlich.
-
Die
US 2006/0260408 A1 beschäftigt
sich mit dieser Problematik. Hier wird zunächst vorgeschlagen,
den von der Substratrückseite ausgehenden Ätzangriff
so zeitlich zu begrenzen, dass zwar eine Zugangsöffnung
zur Kaverne erzeugt wird, die darüber liegende Membranstruktur
aber möglichst nicht angegriffen wird. Eine derartige zeitliche
Begrenzung des rückseitigen Ätzangriffs erweist
sich in der Praxis als kritisch, da die Dicke der Membranstruktur
und die Ausdehnung der Kaverne gering sind im Vergleich zur Substratdicke.
Hinzu kommt, dass die Dicke der Membranstruktur im Bereich der Dickenschwankungen
liegt, mit denen die üblicherweise als Substratmaterial
verwendeten Wafer gefertigt werden. Insgesamt ist die zeitliche
Begrenzung des rückseitigen Ätzangriffs deshalb
zu sensibel für eine Massenproduktion.
-
Des
Weiteren wird in der
US
2006/0260408 A1 vorgeschlagen, auf der Innenwandung der
Kaverne eine Oxidschicht als Ätzstoppschicht für
den rückseitigen Ätzangriff zu erzeugen. Dazu
wird zunächst eine Öffnung in der Membranschicht
erzeugt, über die Sauerstoff für eine thermische
Oxidation in die Kaverne geleitet wird. Dieses Verfahren ist relativ aufwendig,
nicht zuletzt weil die Membranschicht in der Regel wieder verschlossen
wird.
-
Offenbarung der Erfindung
-
Mit
der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen,
die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung
von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche
ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne
unterhalb der Membran zu erzeugen.
-
Erfindungsgemäß wird über
der ersten Membranschicht zumindest im Bereich der zu erzeugenden
Zugangsöffnung eine Ätzstoppschicht aufgebracht,
durch die der anisotrope Ätzschritt zum Erzeugen der Zugangsöffnung
begrenzt wird.
-
Der Ätzstoppschicht,
die erfindungsgemäß nachträglich auf
der ursprünglichen Membranstruktur angeordnet wird, kommen
mindestens zwei Funktionen zu: Zunächst soll sie den von
der Bauteilrückseite ausgehenden Ätzangriff begrenzen.
Sie dient aber auch zur Aufrechterhaltung der Membranfunktion, da bei
diesem Ätzangriff nicht nur das Substrat sondern auch die
ursprüngliche Membranstruktur angegriffen wird. Erfindungsgemäß ist
erkannt worden, dass die Ätzstoppschicht für die
nachträgliche Strukturierung der Bauteilrückseite
nicht notwendigerweise innerhalb der ursprünglichen Membranstruktur
ausgebildet sein muss. Ein geeigneter Ätzstopp kann auch nachträglich
auf der Bauteiloberfläche angeordnet werden, wo er wesentlich
einfacher und kostengünstiger realisiert werden kann. Im
einfachsten Fall kann sogar eine bereits vorhandene oder zur Realisierung einer
Auswerteschaltung notwendige Schicht als Ätzstoppschicht
genutzt werden.
-
Das
erfindungsgemäße Verfahren geht davon aus, dass
die Membranstruktur von der Bauteiloberfläche ausgehend
im Substratmaterial erzeugt wird. Dies kann auf unterschiedliche
Art und Weise erfolgen. Besonders vorteilhaft ist es, die voranstehend
beschriebene APSM-Technologie zum Erzeugen der Membranstruktur anzuwenden.
-
Demnach
wird in einer Verfahrensvariante zunächst ein erster poröser
Schichtbereich in einem Substrat erzeugt. Dann wird unter dem ersten
porösen Schichtbereich ein zweiter poröser Schichtbereich
im Substrat erzeugt, wobei die Porosität des zweiten Schichtbereichs
größer ist als die Porosität des ersten
Schichtbereichs. In einem nachfolgenden Temperschritt wird der zweite
Schichtbereich in einen Hohlraum bzw. eine Kaverne umgewandelt.
Bei diesem Temperschritt verschließen sich die Poren des ersten
Schichtbereichs zumindest weitgehend, so dass dieser erste Schichtbereich
eine erste Membranschicht über der Kaverne bildet.
-
In
einer weiteren Variante des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird ein poröser Schichtbereich im Substrat
erzeugt, über dem dann eine Epitaxieschicht aus dem Substratmaterial
abgeschieden wird. In einem anschließenden Temperschritt
wird der poröse Schichtbereich in eine Kaverne umgewandelt,
so dass die Epitaxieschicht eine erste Membranschicht über
der Kaverne bildet.
-
In
einer besonders vorteilhaften Verfahrensvariante wird ein erster
Schichtbereich mit einer ersten Dotierung in einem Halbleitersubstrat
erzeugt. Über diesem ersten Schichtbereich wird ein vorzugsweise
gitterförmiger Stabilisierungsbereich mit mindestens einer Öffnung
erzeugt, wobei sich die Dotierung des Stabilisierungsbereichs von
der des ersten Schichtbereichs unterscheidet. Der erste Schichtbereich
wird dann porös geätzt, bevor über dem
Stabilisierungsbereich eine Epitaxieschicht erzeugt wird. Durch
eine Temperaturbehandlung wird der poröse erste Schichtbereich
schließlich in eine Kaverne umgewandelt, so dass die Epitaxieschicht
eine erste Membranschicht über der Kaverne bildet. Diese
Verfahrensvariante kann dahingehend modifiziert werden, dass das
Halbleitermaterial des ersten Schichtbereichs nicht nur porös
geätzt wird, sondern bereits vor dem Erzeugen der Epitaxieschicht
herausgelöst wird, so dass eine Kaverne unter dem Stabilisierungsbereich
entsteht.
-
Die
erfindungsgemäßen Maßnahmen – nämlich
die Verwendung einer nachträglich auf die Membranoberseite
aufgebrachten Ätzstoppschicht zur Begrenzung des rücksseitigen Ätzangriffs,
durch den ein Rückseitendruckzugang geschaffen wird – ermöglichen
die Herstellung von Sensorelementen zur Relativdruckmessung in APSM-Technologie
mit sämtlichen Vorteilen, die der Einsatz dieser Technologie
mit sich bringt. So lassen sich in APSM-Technologie Sensorelemente
mit beliebiger Membrangeometrie bei sehr geringer Chipgröße
und sehr genauen Herstellungstoleranzen realisieren. Das Herstellungsverfahren
ist zudem CMOS-kompatibel, d. h. es besteht die Möglichkeit
der monolithischen Integration von Schaltungselementen einer Auswerteschaltung
auf dem Sensorelement. Der Einsatz der APSM-Technologie im Rahmen
des erfindungsgemäßen Verfahrens ist auch im Hinblick
auf die Herstellungskosten der Sensorelemente vorteilhaft, da ein
kostengünstiges Ausgangsmaterial, nämlich ein Siliziumsubstrat,
verwendet werden kann, das einfach mit Hilfe von üblichen,
gut handhabbaren und kontrollierbaren Halbleiterverfahren prozessiert
werden kann.
-
In
einer besonders vorteilhaften Variante des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird eine Kaverne erzeugt, die durch einen Hohlraum gebildet
wird, an den sich eine unter der ersten Membranschicht verlaufende
Stichleitung anschließt. In diesem Fall dient der Membranbereich über
dem Hohlraum der Messwerterfassung. Die Zugangsöffnung
wird dann im Bereich der Stichleitung angeordnet, um die mechanischen
Eigenschaften der Membran im Bereich über dem Hohlraum
so wenig wie möglich zu beeinträchtigen.
-
Von
besonderem Vorteil ist es, wenn die Strukturierung der Bauteilrückseite
durch Trenchen erfolgt. Dadurch lassen sich auch bei größerer
Substratdicke gezielt Zugangsöffnungen mit einer relativ kleinen
Querschnittsfläche erzeugen, was im Hinblick auf die zunehmende
Miniaturisierung mikromechanischer Bauelemente vorteilhaft ist.
Zugangsöffnungen mit geringer Querschnittsfläche
sind aber auch im Hinblick auf die Funktion der Membranstruktur
von Vorteil. Da das erfindungsgemäße Verfahren in
Kauf nimmt, dass bei der Strukturierung der Bauteilrückseite
auch die ursprüngliche Membranstruktur durchgeätzt
wird, wird die Funktion der Membran nur solange nicht nennenswert
beeinflusst, solange das Verhältnis der lateralen Membranausdehnung
zum Querschnitt der Zugangsöffnung, d. h. zum Querschnitt
des abgedünnten Membranbereichs, groß ist und
sichergestellt ist, dass bei Vorliegen einer Druckdifferenz eine
ausreichende lineare Durchbiegung der gesamten Membran vorliegt.
-
Da
das Biegeverhalten der Membran wesentlich durch die mechanischen
Eigenschaften der Membranschichten und insbesondere auch der Ätzstoppschicht
bestimmt wird, werden in einer weiteren vorteilhaften Variante des
erfindungsgemäßen Verfahrens die mechanischen
Eigenschaften der Ätzstoppschicht und ggf. weiterer Schichten
im Membranbereich so gewählt, dass eine lokale Schwächung der
Membran im Bereich über der Zugangsöffnung ausgeglichen
wird.
-
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
Wie
bereits voranstehend erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten,
die Lehre der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und
weiterzubilden. Dazu wird einerseits auf die Patentansprüche
und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung dreier Ausführungsbeispiele
der Erfindung anhand der Zeichnungen verwiesen.
-
1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein erstes Bauteil, das gemäß dem
erfindungsgemäßen Verfahren gefertigt worden ist,
-
2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein zweites Bauteil, das gemäß dem
erfindungsgemäßen Verfahren gefertigt worden ist,
und
-
3 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes
Sensorelement zur Relativdruckmessung.
-
Ausführungsformen
der Erfindung
-
Bei
dem in 1 dargestellten Bauteil 10 handelt es
sich um ein mikromechanisches Bauteil, das durch Prozessierung eines
Substrats 1, wie beispielsweise eines Siliziumwafers, hergestellt
worden ist. In der Bauteiloberfläche ist eine Membran 11 ausgebildet,
die eine Kaverne 12 im Substrat 1 überspannt.
Die Kaverne 12 ist über eine Zugangsöffnung 13 an
die Bauteilrückseite angeschlossen, so dass das Bauteil 10 zur
Relativdruckerfassung eingesetzt werden kann.
-
Im
hier dargestellten Ausführungsbeispiel wurde die Kaverne 12 von
der Bauteiloberfläche ausgehend in APSM-Technologie erzeugt.
Dabei hat sich über der Kaverne 12 eine erste
Membranschicht 111 aus Substratmaterial gebildet.
-
Die
Zugangsöffnung 13 wurde nachträglich im
Rahmen einer Rückseitenstrukturierung erzeugt. Dazu wurde
zunächst eine Maskierschicht 2 auf die Rückseite
des Substrats 1 aufgebracht. Durch Strukturierung der Maskierschicht 2 wurden dann
die Lage, die Form und die Größe, genauer die
Querschnittsfläche, der Zugangsöffnung 13 definiert.
Als Maskierschicht 2 kann beispielsweise eine geeignete Fotolackschicht
oder auch eine sogenannte „Hardmask", z. B. aus Si-Oxid,
verwendet werden. Außerdem wurde im hier dargestellten
Ausführungsbeispiel die gesamte Bauteiloberfläche
mit einer Ätzstoppschicht 3 versehen. Dabei kann
es sich um eine speziell für diesen Zweck optimierte Schicht
handeln, deren Erzeugung in den bestehenden Herstellungsprozess
integriert wird, oder auch um eine Schicht, die für die
Herstellung einer Auswerteschaltung benötigt wird, wie
z. B. eine Feldoxidschicht. Die Zugangsöffnung 13 wurde
dann in einem von der maskierten Bauteilrückseite ausgehenden,
anisotropen Ätzangriff erzeugt. Dementsprechend ist die
Querschnittsfläche der Zugangsöffnung 13 über
der gesamten Tiefe der Zugangsöffnung 13 im wesentlichen
gleich groß. Da der Ätzangriff durch die Ätzstoppschicht 3 auf
der Bauteiloberfläche begrenzt wurde, erstreckt sich die
Zugangsöffnung 13 durch das gesamte Substrat 1 und
auch durch die Membranschicht 111 bis zur Ätzstoppschicht 3.
Handelt es sich bei dem Substrat 1 um ein Siliziumsubstrat,
so kann die Zugangsöffnung in vorteilhafter Weise in einem
Trenchprozess unter Verwendung von SF6 erzeugt werden.
-
Der
Schichtaufbau der Membran 11 des Bauteils 10 umfasst
also neben der Membranschicht 111 auch die Ätzstoppschicht 3.
Um die erfassten Druckschwankungen zuverlässig auswerten
zu können, sollte der anliegende Differenzdruck eine möglichst
lineare Durchbiegung der Membran 11 bewirken. Solange das
Verhältnis von lateraler Membranausdehnung zum Querschnitt
der Zugangsöffnung 13 und damit des abgedünnten
Bereichs der Membran 11 groß ist, wird die Sensorfunktion
des Bauteils 10 durch den abgedünnten Bereich
der Membran 11 nur unwesentlich beeinträchtigt.
Bei abnehmender Membrangröße nimmt jedoch der
Einfluss eines abgedünnten Bereichs auf die mechanischen
Eigenschaften der Membran zu.
-
In
einer besonders vorteilhaften Variante der Erfindung, die schematisch
in 2 dargestellt ist, werden deshalb die mechanischen
Eigenschaften der Ätzstoppschicht 3 und ggf. weiterer
Schichten 4 im Membranbereich so gewählt, dass
die Ätzstoppschicht 3 und ggf. die weiteren Schichten 4 ein
Abdünnen der die Kaverne 12 begrenzenden Membranschicht 111 beim
Erzeugen von Zugangsöffnungen 13 ausgleichen.
-
Da
das in 2 dargestellte Bauteil 20 sowohl in seiner
Funktion als auch in seinem Aufbau im Wesentlichen dem in 1 dargestellten
Bauteil 10 entspricht, sind gleiche Komponenten mit den
gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Im Folgenden werden lediglich
die Unterschiede zum Bauteil 10 detailliert erörtert.
-
Die
Kaverne 12 des Bauteils 20 und eine diese Kaverne 12 überspannende
erste Membranschicht 111 wurden, wie im Fall des Bauteils 10,
in einem APSM-Verfahren von der Substratoberfläche ausgehend
im Substrat 1 erzeugt. Die Rückseite des fertig
prozessierten APSM-Substrats 1 wurde dann, wie in Verbindung
mit 1 beschrieben, zum Erzeugen von zwei Zugangsöffnungen 13 maskiert.
Im Unterschied zu der in 1 dargestellten Variante wurde
im Fall der 2 die Membranschicht 111 lediglich
in den Bereichen über den zu erzeugenden Zugangsöffnungen 13 mit
einer Ätzstoppschicht 3 versehen. In diesen Membranbereichen
wird beim Ätzen der Zugangsöffnungen 13 auch
das Material der ersten Membranschicht 111 entfernt. Um
hier die mechanische Steifigkeit der übrigen Membran 11 zu erreichen,
wurde über den Ätzstoppschichtbereichen 3 eine
weitere Schicht 4 erzeugt. Dabei kann es sich beispielsweise
um Zwischendielektrika einer Metallisierung einer Auswerteschaltung
handeln. Schließlich wurde die gesamte Bauteiloberfläche
noch mit einer Passivierung 5 versehen.
-
Bei
dem in 3 dargestellten Sensorelement 30 handelt
es sich um einen piezoresistiven Relativdrucksensor mit integrierter
Auswerteschaltung, dessen mikromechanische Struktur erfindungsgemäß erzeugt
wurde. Auch hier wurde die Kaverne 32 in einem APSM-Verfahren
im Siliziumsubstrat 1 des Sensorelements 30 erzeugt.
Die dabei entstehende erste Membranschicht 311 wurde durch
eine n-Epitaxieschicht auf dem Siliziumsubstrat 1 verstärkt.
Auf die erste Membranschicht 311, d. h. auf die n-Epitaxieschicht
wurde eine Kontaktebene 3 für Schaltungselemente
der Auswerteschaltung aufgebracht. Diese Kontaktebene 3 fungierte
im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens außerdem
als Ätzstoppschicht 3 beim Ätzen des
Rückseitendruckzugangs 33. Dementsprechend erstreckt
sich der Rückseitendruckzugang 33 hier nicht nur
durch das Substrat 1 bis in die Kaverne 32. Auch
die erste Membranschicht 311 weist eine Ätzoffnung 331 im
Bereich des Rückseitendruckzugangs 33 auf, die
sich durch die n-Epitaxieschicht bis zur Kontaktebene bzw. Ätzstoppschicht 3 erstreckt.
Die Auswerteschaltung des Sensorelements 30 umfasst Schaltungselemente, die
in Form von dotierten Bereichen in der n-Epitaxieschicht und dem
Substrat 1 realisiert sind. Diese Schaltungselemente sind
in 3 nicht im einzelnen bezeichnet. Des Weiteren
umfasst die Auswerteschaltung metallische Leiterbahnen bzw. Leitungsschichten 6,
die durch ein Zwischendielektrikum 4 gegeneinander isoliert
sind. Durch geeignete Anordnung und Strukturierung derartiger Schichten
im Membranbereich kann die mechanische Steifigkeit der Membran 31 einfach
lokal beeinflusst werden. Dies kann zum Ausgleich von Schwachstellen
in der Membran 31 genutzt werden, die beim Erzeugen eines
Rückseitendruckzugangs entstehen.
-
Abschließend
sei noch angemerkt, dass das in 3 dargestellte
Sensorelement 30 auch als Rückseitendrucksensor
für den Einsatz in aggressiven Medien verwendet werden
kann. In diesem Fall muss durch eine geeignete Aufbau- und Verbindungstechnik
ein entsprechendes Referenzvakuum auf der Substratvorderseite eingeschlossen
werden.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 10032579
A1 [0004, 0005]
- - DE 102004036035 A1 [0004, 0006]
- - DE 102004036032 A1 [0004, 0006]
- - US 2006/0260408 A1 [0008, 0009]